KR20120109328A - 템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

템플릿은 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함한다. 템플릿은 요철 패턴을 반영하는 형상을 수지의 표면에 형성하도록 구성된다. 수지는 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 요철 패턴의 오목부에 충전하고, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성된다. 템플릿은 기재(base member)와 표면층을 포함한다. 기재는 요철을 갖는 주면을 포함한다. 표면층은 기재의 요철을 피복하고 요철의 형상을 반영하는 요철 패턴을 형성하는 데에 이용된다. 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액과 표면층 간의 접촉각은 30도 이하이다.

Description

템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법{TEMPLATE, SURFACE PROCESSING METHOD OF TEMPLATE, SURFACE PROCESSING APPARATUS OF TEMPLATE, AND PATTERN FORMATION METHOD}
<관련 출원의 상호 참조>
본 출원은 2011년 3월 25일자로 출원된 우선권인 일본 특허 출원 제2011-067905호에 기초하며, 이로부터의 우선권의 이익을 주장하며, 그 전체 내용은 참조로서 본 명세서에 원용된다.
본 명세서에 설명된 실시 형태는, 일반적으로, 템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
템플릿에 제공된 요철 패턴(unevenness pattern)을 수지에 전사하는 패턴 형성 방법(예를 들면, 임프린트(imprint) 방법)이 있다. 이 방법에서는, 단파장의 광원, 렌즈 등이 불필요하기 때문에, 종래의 리소그래피에 비해 장치 가격이 저감될 수 있다. 이 방법에서는, 반도체 장치를 미세화함에 따른 비용 증가의 억제가 기대된다. 생산성이 높은 임프린트 방법이 요망된다.
일반적으로, 일 실시 형태에 따르면, 템플릿은 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함한다. 템플릿은 요철 패턴을 반영하는 형상을 수지의 표면에 형성하도록 구성된다. 상기 수지는, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 요철 패턴의 오목부에 충전하고, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성된다. 템플릿은 기재(base member)와 표면층을 포함한다. 상기 기재는 요철을 갖는 주면을 포함한다. 상기 기재는 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 광에 대하여 투과성이다. 표면층은 기재의 요철을 피복하고, 요철의 형상을 반영하는 요철 패턴을 형성하는 데에 이용된다. 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액과 표면층 간의 접촉각은 30도 이하이다.
또 다른 실시 형태에 따르면, 템플릿의 표면 처리 방법이 제공된다. 템플릿은 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 요철 패턴을 반영하는 형상을 수지의 표면에 형성하도록 구성되고, 상기 수지는, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 요철 패턴의 오목부에 충전하고, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성된다. 본 표면 처리 방법은, 요철을 피복하도록 표면층을 형성하여 기재의 주면에 제공된 요철의 형상을 반영하는 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기재는 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 광에 대하여 투과성이다. 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액과 표면층 간의 접촉각은 30도 이하이다.
또 다른 실시 형태에 따르면, 템플릿의 표면 처리 장치가 제공된다. 템플릿은 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 요철 패턴을 반영하는 형상을 수지의 표면에 형성하도록 구성된다. 수지는 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 요철 패턴의 오목부에 충전하고, 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성된다. 본 장치는 제1 처리부 및 제2 처리부를 포함한다. 상기 제1 처리부는 기재의 주면에 수산기를 형성하도록 구성된다. 상기 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 상기 광에 대하여 투과성인 기재의 주면에는 요철이 제공되어 있다. 제2 처리부는 상기 제1 처리부에 의해 상기 수산기가 형성된 상기 주면의 상기 요철을 피복하는 표면층을 형성하도록 구성된다. 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액과 상기 표면층 간의 접촉각은 30도 이하이다.
또 다른 실시 형태에 따르면, 패턴 형성 방법은 템플릿의 요철 패턴의 오목부에 광경화성 수지액을 충전하는 단계를 포함하고, 상기 템플릿은 상기 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 상기 템플릿은 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 상기 수지의 표면에 형성하도록 구성되고, 상기 수지는 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액을 상기 요철 패턴의 상기 오목부에 충전하고 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키고, 상기 템플릿은 기재 및 표면층을 포함하고, 상기 기재는 요철을 갖는 주면을 포함하고, 상기 기재는 상기 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 상기 광에 대하여 투과성이며, 상기 표면층은 상기 기재의 요철을 피복하도록 구성되고 상기 요철의 형상을 반영하는 상기 요철 패턴을 형성하는 데에 사용되고, 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액과 상기 표면층 간의 접촉각이 30도 이하이다. 상기 방법은, 상기 오목부에 상기 광경화성 수지액이 충전된 상태에서, 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액에 상기 광을 조사하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써, 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 갖는 상기 수지를 형성하는 단계, 및 상기 템플릿과 상기 수지를 서로 분리시키는 단계를 포함한다.
도 1a 내지 도 1e는 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 구성 및 이 템플릿을 이용하는 패턴 형성 방법을 예시하는 공정 순의 모식적인 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 박리력의 측정 결과를 예시하는 그래프.
도 3a 내지 도 3c는 부착 일(work of adhesion)의 측정 결과를 예시하는 그래프.
도 4a 내지 도 4c는 접촉각의 측정 결과를 예시하는 그래프.
도 5는 접촉각과 충전 시간 간의 관계를 예시하는 그래프.
도 6a 내지 도 6c는 제2 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 방법을 예시하는 공정 순의 모식적인 단면도.
도 7a 내지 도 7e는 제2 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 방법을 예시하는 공정 순의 모식도.
도 8a 및 도 8b는 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 장치를 예시하는 모식도.
도 9a 및 도 9b는 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 다른 표면 처리 장치를 예시하는 모식적인 측면도.
도 10은 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 또 다른 표면 처리 장치를 예시하는 모식적인 측면도.
도 11은 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 또 다른 표면 처리 장치를 예시하는 모식적인 측면도.
이하에, 각 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도면은 모식적 또는 개념적인 것이며, 각 부분의 두께와 폭 간의 관계, 부분들 간의 크기의 비율 등은 실제 값과 반드시 동일하지는 않다. 또한, 동일한 부분에 대해서도, 도면들 간에 치수나 비율이 서로 다르게 예시될 수도 있다.
또한, 본원의 명세서 및 도면에 있어서, 도면에 관하여 기술된 것과 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 적절히 생략한다.
(제1 실시 형태)
도 1a 내지 도 1e는 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 구성 및 이 템플릿을 이용하는 패턴 형성 방법을 예시하는 공정 순의 모식적인 단면도이다.
도 1a에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 템플릿(10)은 기재(base member)(20) 및 표면층(25)을 포함한다.
템플릿(10)은 전사면(10a)을 포함한다. 전사면(10a)에는 요철 패턴(unevenness pattern)(11)이 제공되어 있다. 요철 패턴(11)은, 예를 들면, 오목부(11d)와 볼록부(11p)를 포함한다. 예를 들면, 오목부(11d)가 복수 제공되고, 볼록부(11p)가 복수 제공된다. 예를 들면, 연속적인 오목부(11d)와 복수의 볼록부(11p)가 제공되어도 좋다. 예를 들면, 연속적인 볼록부(11p)와 복수의 오목부(11d)가 제공되어도 좋다.
요철 패턴(11)은, 예를 들면, 트렌치 형상 및/또는 구멍 형상을 갖는다. 오목부(11d)의 깊이(볼록부(11p)의 높이)는, 예를 들면 20나노미터(㎚) 이상 200㎚ 이하 정도이다. 오목부(11d)의 폭은, 예를 들면 10㎚ 이상 100㎚ 이하 정도이다. 볼록부(11p)의 폭은, 예를 들면 10㎚ 이상 100㎚ 이하 정도이다. 단, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 오목부(11d)의 깊이, 오목부(11d)의 폭 및 볼록부(11p)의 폭은 임의이다.
후술하는 바와 같이, 템플릿(10)은 템플릿(10)의 요철 패턴(11)을 반영하는 형상을 수지의 표면에 형성하도록 구성된 템플릿이며, 이 수지는 템플릿(10)의 요철 패턴(11)의 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)을 충전하고, 광을 사용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시켜서 형성된다. 여기에서, 광경화성 수지액(30)은, 광을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시키기 전의 상태의 수지액이다.
광경화성 수지액(30)은, 예를 들면, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등의 수지액을 포함할 수 있다. 광경화성 수지액(30)은, 예를 들면, 자외광을 이용하여 경화된다.
기재(20)는 광경화성 수지액(30)을 경화시키는 데에 이용되는 광에 대하여 투과성이다. 기재(20)는 예를 들면 석영을 포함한다. 기재(20)는 요철(21)이 제공된 주면(20a)을 포함한다. 요철(21)은 기재 오목부(21d) 및 기재 볼록부(21p)를 포함한다. 요철(21)의 형상은 요철 패턴(11)의 형상을 반영한다.
표면층(25)은 기재(20)의 요철(21)을 피복한다. 표면층(25)은 요철(21)의 형상을 반영하는 요철 패턴(11)을 형성하는 데 사용된다. 즉, 표면층(25)의 표면이 상기의 요철 패턴(11)으로 된다.
기재(20)의 주면(20a)의 요철(21)의 형상은, 기재(20)의 주면(20a)의 요철(21)의 형상이 표면층(25)의 두께의 2배에 상당하는 폭만큼 좁아진다는 점에서 템플릿(10)의 전사면(10a)의 요철 패턴(11)의 형상과 상이하다.
표면층(25)의 두께는 요철(21)의 깊이보다 얕다. 이에 의해, 요철(21)의 형상을 반영하는 요철 패턴(11)을 형성할 수 있다. 표면층(25)의 두께는, 예를 들면, 1㎚ 이상 5㎚ 이하 정도이다. 단, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 표면층(25)의 두께는 요철(21)의 형상을 반영하는 요철 패턴(11)이 형성될 수 있으면 임의이다.
광을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액(30)과 표면층(25) 간의 접촉각은 30도 이하이다.
이에 의해, 생산성이 높은 패턴 형성 방법을 실현하는 템플릿을 제공할 수 있다. 이 특성에 대해서는 후술한다.
이하, 템플릿을 이용하는 패턴 형성 방법의 일례에 대해서 설명한다.
도 1b에 나타낸 바와 같이, 패턴이 형성될 피처리 기판(40)의 주면 위에 광경화성 수지액(30)을 배치한다(스텝 S110). 여기에서, 광경화성 수지액(30)은, 광을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시키기 전의 상태의 수지액이다. 광경화성 수지액(30)의 배치에는, 예를 들면, 잉크 제트법 등이 이용된다. 단, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 광경화성 수지액(30)의 배치에는 임의의 방법을 이용할 수 있다.
그리고, 템플릿(10)의 전사면(10a)을 피처리 기판(40) 상의 광경화성 수지액(30)에 대향시킨다.
도 1c에 나타낸 바와 같이, 템플릿의 요철 패턴(11)의 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)이 충전된다(스텝 S120).
도 1d에 나타낸 바와 같이, 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)이 충전된 상태에서, 광경화성 수지액(30)에 광(35)을 조사함으로써 광경화성 수지액(30)이 경화된다(스텝 S130). 이에 의해, 요철 패턴(11)을 반영하는 패턴 형상을 갖는 수지(31)가 형성된다. 수지(31)는 광(35)을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시킴으로써 형성된다.
도 1e에 나타낸 바와 같이, 템플릿(10)과 수지(31)를 서로 분리시킨다(스텝 S140). 이에 의해, 피처리 기판(40)의 주면 위에, 템플릿(10)의 요철 패턴(11)을 반영하는 형상을 갖는 수지(31)가 형성된다. 즉, 요철 패턴(11)이 수지(31)에 전사된다. 예를 들면, 이 수지(31)를 마스크로서 이용하여 피처리 기판(40)을 패터닝한다.
도 1c에 예시한 프로세스에 있어서, 경우에 따라서는, 템플릿(10)의 볼록부(11p)와 피처리 기판(40) 사이에 광경화성 수지액(30)이 존재한다. 이러한 경우에는, 볼록부(11p)에 대향하는 피처리 기판(40) 위에 잔막(residual film)이 형성된다. 이 잔막은 필요에 따라 드라이 에칭 등의 방법을 이용하여 제거될 수 있다.
상기의 패턴 형성 방법에 있어서, 광(35)을 이용하여 경화된 수지(31)와 템플릿(10) 간의 밀착성이 높은 경우에는, 상기의 스텝 S140에 있어서 요철 패턴(11)의 오목부(11d)에 수지(31)의 일부가 남아 있을 수 있다. 즉, 수지(31)의 층이 파괴되어, 수지(31)의 일부가 오목부(11d) 내부에 남아 있다. 오목부(11d)에 남아 있는 수지(31)는 다음의 전사 프로세스에서 불량을 발생시킨다. 이 때문에, 경화된 수지(31)와 템플릿(10) 간의 밀착성을 저하시키기 위해 이형층(template release layer)을 제공하는 구성이 있다.
이 이형층은, 예를 들면, 기재(20)의 요철(21)을 피복하도록 제공된다. 이형층으로서는, 예를 들면 불소계의 표면 처리층 등이 이용된다. 이에 의해, 경화된 수지(31)와 템플릿(10) 간의 밀착성을 저하시켜, 요철 패턴(11)의 오목부(11d)에 수지(31)의 일부가 남는 것을 억제한다.
그러나, 발명자의 실험에 따르면, 템플릿(10)에 이러한 이형층을 제공했을 경우, 템플릿(10)의 오목부(11d)에 수지액을 충전하는 데 필요한 시간이 매우 길어지고, 이는 임프린트(imprint)를 이용하는 패턴 형성 방법의 생산성의 향상을 저해하는 큰 요인임이 판명되었다.
발명자는 이하의 실험을 행하였다. 이 실험에서는 석영 글래스의 기재(20)를 이용했다. 기재(20)에는 요철(21)이 제공되었다. 요철(21)의 깊이(기재 오목부(21d)의 깊이)는 60㎚였다. 기재 오목부(21d)의 폭(21d)(저부의 폭)은 24㎚이며, 기재 볼록부(21p)의 폭은 24㎚였다. 요철(21)은 트렌치 형상을 갖고 있다.
이러한 기재(20)를 그대로 템플릿으로서 이용하고, 아크릴계 모노머를 포함하는 광경화성 수지액(제1 수지액(A1))이 요철(21)의 오목부(기재 오목부(21d))를 충전하는 시간(충전 시간)을 측정한 바, 약 20초였다.
한편, 불소계의 실란 커플링제(제1 처리제)를 이용하여 이 기재(20)의 요철(21)의 표면에 이형층을 형성했다. 측정된 충전 시간은 300초 이상이었다. 이렇게, 이형층(예를 들면, 불소계 실란 커플링제의 층)을 제공하면 충전 시간이 현저하게 길어진다.
이렇게 상기한 바와 같이 이형층을 제공하는 구성에서는, 경화된 수지(31)의 이형성에 주목하여 이형층의 표면 에너지가 작게 설정된다. 그 결과, 이형층이 수지액을 밀어내고, 이형층으로 피복된 템플릿(10)의 오목부(11d)에 수지액이 침입하는 것이 저해된다. 즉, 이형층은 충전성을 저하시킨다. 즉, 종래의 이형층은 이형성만을 향상시키고, 충전성에 관해서는 관심을 두지 않는다.
발명자는, 템플릿(10)의 오목부(11d)에 수지액을 충전시키는 데 필요한 시간이 패턴 형성의 전체의 생산성에 크게 영향을 주는 것을 발견했다. 템플릿(10)과 경화된 수지(31) 간의 이형성을 높게 유지하면서, 오목부(11d)에 수지액을 충전시키는 데 필요한 시간을 단축시키는 충전성이 높은 새로운 구성이 요망된다. 발명자는 이러한 새로운 과제를 발견하고, 이 과제를 해결하기 위해 본 실시 형태에 따른 구성을 구축했다. 즉, 본 실시 형태에서는, 광을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액(30)과 표면층(25) 간의 습윤성에 관한 특성이 적절하게 제어되어 있다. 이에 의해, 광을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액(30)과 템플릿(10)의 표면층(25) 간에 높은 이형성을 얻으면서 높은 충전성을 얻을 수 있고, 광을 이용하여 경화된 광경화성 수지액(30)의 수지(31)와 템플릿(10)의 표면층(25) 간에도 높은 이형성을 얻을 수 있다.
이하, 발명자가 실시한 이형성과 충전성에 관한 실험에 대해 설명한다.
실험에서는, 복수의 종류의 표면 처리제(제1 내지 제4 처리제)와 복수의 종류의 광경화성 수지액(30)(제1 내지 제3 수지액)이 이용되었다.
제1 처리제는 불소계의 처리제였다. 제1 처리제는 불소를 포함하는 제1 표면 처리층 T1을 형성하는 데에 사용되었다. 제1 처리제는 충전 시간을 측정한 상기 실험에서 이용된 표면 처리제이다.
제2 처리제는 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane:HMDS)이다. 즉, 제2 처리제는 메틸기를 포함하는 제2 표면 처리층 T2를 형성하는 데에 사용되었다.
제3 처리제는 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane)이다. 즉, 제3 처리제는 관능기로서 메틸기를 포함하는 실란 커플링제이며, 메틸기를 포함하는 제3 표면 처리층 T3을 형성하는 데에 사용되었다.
제4 처리제는 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)이다. 즉, 제4 처리제는 관능기로서 페닐기를 포함하는 실란 커플링제이며, 페닐기를 포함하는 제4 표면 처리층 T4를 형성하는 데에 사용되었다.
이 처리제들을 이용하여 석영 글래스의 기판을 처리하고, 기판 상에 제1 내지 제4 표면 처리층 T1 내지 T4을 형성했다. 또한, 표면 처리를 실시하지 않는 시료(미처리 시료 T0)도 제작했다.
제1 처리제(불소계 실란 커플링제), 제3 처리제(메틸기 실란 커플링제) 및 제4 처리제(페닐기 실란 커플링제)는, 액체 상태에서의 처리(웨트 처리)에 의해, 기판 상에 표면 처리층을 형성한다. 실란 커플링제의 경우, 실란 커플링제의 가수 분해 및 축합 반응에 의해 표면 처리층이 형성된다.
제2 처리제(HMDS)의 경우, 기상에서의 처리(드라이 처리)에 의해 기판 상에 표면 처리층을 형성한다. 기상 처리는, 예를 들면, 파티클이나 응집물이 적다는 이점이 있다.
제2 처리제에서는, 50℃의 가열에 의해 발생되는 제2 처리제의 증기에 세정한 기판을 노출시키고, 이 후, 110℃에서 10분간 가열 처리를 행하였다. 이 가열 처리에 의해, 표면에 부착된 여분의 제2 처리제가 제거된다. 이에 의해, 제2 처리제를 이용하여 제2 표면 처리층 T2가 형성된다.
한편, 실란 커플링제의 제3 처리제를 아세트산 수용액에 희석하여 처리 용액을 조제했다. 아세트산의 농도는 0.1wt%였다. 제3 처리제의 농도는 0.5wt%였다. 이 처리 용액에 세정한 기판을 침지시키고, 이어서 기판을 추출하고, 110℃에서 10분간 가열 처리를 행하였다. 이에 의해, 축합 반응이 촉진되었다. 이에 의해, 제3 처리제를 이용하여 제3 표면 처리층 T3이 형성되었다. 마찬가지로, 제4 처리제를 이용하여 제4 표면 처리층 T4이 형성되었다. 또한, 마찬가지로, 제1 처리제를 이용하여 기판을 처리함으로써, 제1 표면 처리층 T1이 형성되었다.
한편, 광경화성 수지액(30)으로서 제1 내지 제3 수지액 A1 내지 A3을 이용했다. 제1 수지액 A1은 충전 시간을 측정한 상기의 실험에서도 이용된 것이며, 아크릴계 모노머를 포함하는 광경화성 수지액이다. 제2 수지액 A2는 제1 수지액 A1에 불소계 화합물을 첨가한 수지액이다. 불소계 화합물은 이형성을 향상시키는 것으로 생각된다. 제3 수지액 A3은 제1 수지액 A1과는 다른 성분을 갖는 아크릴계의 광경화성 수지액에 불소계 계면 활성제를 첨가한 것이다.
이 표면 처리층과 수지액에 대해 이형성과 충전성을 평가했다.
수지액을 경화시켜 형성된 수지와 표면 처리층 간의 이형성에 관한 지표로서 박리력을 측정했다. 이 실험에서는, 표면 처리제를 이용하여 석영 글래스의 기판을 처리했다. 같은 종류의 표면 처리제로 처리된 2개의 기판 사이에 수지액을 배치하고, 이 수지액을 경화시켰다. 구체적으로는, 기판 상에 5 마이크로리터의 수지액을 적하하고, 그 수지액 위에 기판을 두고, 기판끼리를 누르고, 이 상태에서 자외광을 조사해서 수지액을 경화시켜 수지를 형성했다. 그리고, 2매의 기판을 서로 박리시킬 때의 박리력 Fr을 측정했다. 이 박리력 Fr이 작을수록 이형성이 좋다.
복수의 종류의 표면 처리층과 복수의 종류의 수지 간의 부착 일(work of adhesion) Wa를 측정했다. 즉, 표면 처리층 및 수지에 있어서, 물, 에틸렌 글리콜 및 포름알데히드의 접촉각을 측정했다. 그리고, Kaelble-Uy의 모델을 이용하여, 각각의 표면 처리층 및 각각의 수지에 대한 접촉각의 측정 결과로부터 표면 에너지를 구했다. 그리고, 구한 표면 에너지로부터, 표면 처리층과 수지의 조합에 대한 부착 일 Wa를 구했다.
또한, 충전성과 관계가 있다고 생각되는 접촉각 θ를 측정했다. 즉, 석영 글래스의 기판 상에 상기의 표면 처리층을 형성하고, 이 표면 처리층과 상기의 수지액의 조합에 대해 접촉각 θ를 측정했다.
또한, 표면 처리층을 형성하지 않는 미처리 시료 T0(석영 글래스의 기판)에 대해서도, 박리력 Fr, 부착 일 Wa 및 접촉각 θ를 평가했다.
도 2a 내지 도 2c는 박리력의 측정 결과를 예시하는 그래프이다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c는, 각각, 제1 수지액 A1, 제2 수지액 A2 및 제3 수지액 A3에서의 박리력 Fr의 측정 결과를 나타내고 있다.
도 2a는 제1 수지액 A1을 이용하여 형성된 수지 및 각 표면 처리층 T0 내지 T4에서의 박리력 Fr을 나타내고 있다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 미처리 시료 T0의 박리력 Fr은 약 7.7kgf이다. 이에 대하여, 불소계의 제1 표면 처리층 T1의 박리력 Fr은 약 3.3kgf이며, 매우 작다. 메틸기의 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3의 박리력 Fr은 5.0kgf 내지 5.5kgf 정도이다. 이렇게, 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3의 박리력 Fr은, 미처리 시료 T0의 박리력 Fr보다 20% 내지 40% 정도 낮다. 벤젠기의 제4 표면 처리층 T4의 박리력 Fr은 미처리 시료 T0의 박리력 Fr과 마찬가지이다. 제4 표면 처리층 T4의 이형성은 향상하지 않은 것으로 생각된다.
도 2b 및 도 2c에 나타낸 바와 같이 제2 수지액 A2 및 제3 수지액 A3에서도, 메틸기의 제2 표면 처리층 T2의 박리력 Fr은 미처리 시료 T0의 박리력 Fr보다 작았다.
이렇게, 메틸기의 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3에서는 이형성이 향상된 것으로 생각된다.
도 3a 내지 도 3c는 부착 일의 측정 결과를 예시하는 그래프이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는, 각각, 제1 수지액 A1, 제2 수지액 A2 및 제3 수지액 A3의 수지에 대한 부착 일 Wa의 측정 결과를 나타내고 있다.
도 3a에 나타낸 바와 같이, 제1 수지액 A1의 수지와 미처리 시료 T0 간의 부착 일 Wa는 약 80밀리주울/평방미터(mJ/m2)이다. 이에 대하여, 제1 수지액 A1의 수지와 불소계의 제1 표면 처리층 T1 간의 부착 일 Wa는 약 35mJ/m2이며, 매우 작다. 메틸 기의 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3의 부착 일 Wa는 60mJ/m2 이상 70mJ/m2 이하 정도이다. 이렇게, 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3의 부착 일 Wa는 미처리 시료 T0의 부착 일 Wa보다 낮았다.
도 3b 및 도 3c에 나타낸 바와 같이 제2 수지액 A2 및 제3 수지액 A3에서도, 불소계의 제1 표면 처리층 T1의 부착 일 Wa는 현저하게 작았다. 그리고, 메틸 기의 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3에 대한 부착 일 Wa는 미처리 시료 T0의 부착 일 Wa보다 약간 작았다.
이렇게, 메틸기의 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3에서는 이형성이 향상된 것으로 생각된다.
도 4a 내지 도 4c는 접촉각의 측정 결과를 예시하는 그래프이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는, 각각, 제1 수지액 A1, 제2 수지액 A2 및 제3 수지액 A3의 접촉각 θ의 측정 결과를 나타내고 있다.
도 4a에 나타낸 바와 같이, 제1 수지액 A1과 미처리 시료 T0 간의 접촉각 θ는 약 20도였다. 이에 대하여, 제1 수지액 A1과 불소계의 제1 표면 처리층 T1 간의 접촉각 θ는 60도 내지 70도이며, 매우 컸다. 제1 수지액 A1과 메틸기의 제2 표면 처리층 T2 간의 접촉각 θ는 약 27도였다.
도 3b 및 도 3c에 나타낸 바와 같이 제2 수지액 A2 및 제3 수지액 A3에 대해서도, 불소계의 제1 표면 처리층 T1의 접촉각 θ는 현저하게 컸다. 메틸기의 제2 표면 처리층 T2의 접촉각 θ는 23도 내지 26도였다. 이 경우에서도, 제2 표면 처리층 T2의 접촉각 θ는 미처리 시료 T0의 접촉각 θ보다 약간 컸다.
상술한 바와 같이, 미처리 시료 T0과 제1 수지액 A1의 조합에 있어서, 제1 수지액 A1의 충전 시간은 약 20초였다. 한편, 불소계의 제1 표면 처리층 T1(이형층이 됨)을 제공한 템플릿의 충전 시간은 약 300초였다. 이러한 충전 시간의 차이는 제1 수지액 A1과의 접촉각 θ의 차이에 기인하는 것으로 생각된다.
도 5는 접촉각과 충전 시간 간의 관계를 예시하는 그래프이다.
이 그래프의 횡축은 접촉각 θ이고, 종축은 충전 시간 Tf이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 접촉각 θ가 약 20도인 경우에는, 충전 시간 Tf는 약 20초였다. 접촉각 θ가 60도 내지 70도인 경우에는, 충전 시간 Tf는 300초 이상이었다. 이 그래프로부터, 접촉각 θ가 23도 내지 27도인 제2 표면 처리층 T2에서는, 충전 시간 Tf가 20초 내지 30초 정도였다.
이렇게, 메틸기를 포함하는 제2 표면 처리층 T2에서는, 접촉각 θ를 미처리 시료 T0와 거의 동일하게 유지하고 충전성을 유지하면서, 박리력 Fr 및 부착 일 Wa를 미처리 시료 T0보다 저감하고, 이형성을 개선하였다.
이렇게, 본 실시 형태에 따른 템플릿(10)에서는, 표면층(25)(표면 처리층)과 광경화성 수지액(30) 간의 접촉각 θ가 30도 이하로 설정된다. 도 5로부터, 접촉각 θ를 30도 이하로 설정함으로써 50초 이하의 충전 시간 Tf가 얻어진다. 즉, 본 실시 형태의 충전 시간은 미처리 시료 T0의 충전 시간과 거의 동일하고, 불소계의 표면 처리층의 경우에 비해 현저하게 단축된다. 그리고, 이러한 특성을 갖는 표면층(25)에 의해 이형성이 향상한다.
이렇게, 본 실시 형태에 따른 템플릿(10)에 따르면, 생산성이 높은 패턴 형성 방법을 실현하는 템플릿을 제공할 수 있다. 그리고, 생산성이 높은 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
템플릿(10)의 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)을 충전할 때에, 피처리 기판(40)과 템플릿(10)을 서로 가압하는 경우가 있다. 이 가압력이 과도하게 큰 경우에는 템플릿(10)의 요철 패턴(11)(미세 패턴)의 패턴이 파괴된다. 본 실시 형태에 따른 템플릿(10)에서는, 충전성이 양호하므로 가압력을 저감할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는, 템플릿(10)의 요철 패턴(11)의 패턴 파괴가 억제된다.
또한, 본 실시 형태에서는 충전성이 양호하므로, 충전할 때에 이용되는 광경화성 수지액(30)의 양이 적은 경우에도, 템플릿(10)의 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)를 충분히 충전하는 것이 가능하다. 즉, 소량의 광경화성 수지액(30)의 경우에도, 충전 얼룩이 적게 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)을 충전할 수 있다.
그리고, 도 3a 내지 도 3c에 관해서 설명한 바와 같이, 제2 표면 처리층 T2 및 제3 표면 처리층 T3에서는 부착 일 Wa가 80mJ/m2 미만이었다. 구체적으로는, 예를 들면, 부착 일 Wa는 60mJ/m2 이상 70mJ/m2 이하였다. 이에 의해, 부착 일 Wa는 미처리 시료 T0의 부착 일 Wa(부착 일 Wa는 80mJ/m2 정도임)보다 낮았고, 박리성이 향상되었다. 이렇게, 본 실시 형태에서는, 수지(31)(광경화성 수지액(30)을 경화시킴으로써 형성되는 수지)에 대한 표면층(25)의 부착 일 Wa는 80mJ/m2 미만인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 표면층(25)(표면 처리층)과 광경화성 수지액(30) 간의 접촉각 θ를 30도 이하로 설정하기 위해, 메틸기를 포함하는 표면 처리제를 관능기로서 이용하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 템플릿(10)에 있어서, 표면층(25)은, Rn-Si-X4 -n(n은 1 이상 3 이하의 정수이고, X는 관능기이며, R은 유기 관능기임)으로 나타내어지는 화합물을 이 화합물의 축합 반응에 의해 기재(20)와 결합함으로써 형성되는 층을 포함할 수 있다. Rn-Si-X4 -n으로 나타내어지는 화합물에 있어서, X는, 예를 들면, 알콕시기, 아세톡시기 또는 할로겐 원자이다. 즉, 실란 커플링제를 이용하여 형성된 표면층(25)을 이용할 수 있다.
그리고, 상기 화합물에 있어서, R은 CH3(CH2)k(k는 0 이상의 정수)로 나타내어지는 알킬기일 수 있다. 특히, R은 메틸기인 것이 바람직하다. 이에 의해, 특히, 충전성을 유지하면서 이형성을 개선하는 것이 용이해진다.
또한, 본 실시 형태에 따른 템플릿(10)에 있어서, 표면층(25)은 R3-Si-NH·Si·R'3(R'는 유기 관능기이고 R은 유기 관능기임)로 나타내어지는 화합물이 기재(20)와 결합함으로써 형성되는 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이 화합물에 있어서 R'는 알킬기이다. 또한, R은 CH3(CH2)k(k는 0 이상의 정수)로 나타내어지는 알킬기이다. 특히, R은 메틸기이다.
또한, 본 실시 형태에 따른 템플릿(10)에 있어서, 표면층(25)은, R3-Si-NR'2(R'는 유기 관능기이고 R은 유기 관능기임)로 나타내어지는 화합물이 기재(20)와 결합함으로써 형성되는 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이 화합물에 있어서, R'는 알킬기이다. 또한, R은 CH3(CH2)k(k는 0 이상의 정수)로 나타내어지는 알킬기이다. 특히, R은 메틸기일 수 있다.
즉, 표면층(25)은, 예를 들면 HMDS(상술한 제2 처리제)로 형성될 수 있다. 예를 들면, HMDS를 이용하는 기상에서의 처리를 행하는 경우, 예를 들면, 파티클이나 응집물이 적어진다. 기상에서, 메틸기를 포함하는 표면층(25)을 형성하는 표면 처리제로서, 상술한 HMDS 외에 TMSDMA((트리메틸시릴)디메틸아민)((trimethylsilyl)dimethylamine) 등을 이용할 수 있다.
(제2 실시 형태)
본 실시 형태는 요철 패턴(11)이 제공된 전사면(10a)를 갖고, 요철 패턴(11)의 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)을 충전하고 광경화성 수지액(30)을 경화시킴으로써 형성되는 수지(31)의 표면에 요철 패턴(11)을 반영하는 형상을 형성하기 위한 템플릿(10)의 표면 처리 방법이다.
도 6a 내지 도 6c는 제2 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 방법을 예시하는 공정 순의 모식적인 단면도이다.
도 6a에 나타낸 표면 처리 방법에서는, 요철(21)이 제공된 주면(20a)를 갖고, 광경화성 수지액(30)을 경화시키는 데에 사용되는 광(예를 들면, 자외광)에 대하여 투과성인 기재(20)가 이용된다. 기재(20)의 주면(20a)에는, 예를 들면, 유기 오염물(51), 파티클(52) 등이 부착되는 경우가 있다. 필요에 따라, 유기 오염물(51), 파티클(52) 등을 제거하기 위한 세정을 행한다.
이에 의해, 도 6b에 나타낸 바와 같이 기재(20)에 표면에 예를 들면 수산기가 형성된다.
그리고, 도 6c에 나타낸 바와 같이, 기재(20)의 요철(21)을 피복하도록 광경화성 수지액(30)과의 접촉각 θ가 30도 이하인 표면층(25)을 형성한다. 이에 의해, 요철(21)의 형상을 반영하는 요철 패턴(11)이 형성된다. 표면층(25)은 예를 들면 실란 커플링제를 이용하여 형성된다.
도 7a 내지 도 7e는 제2 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 방법을 예시하는 공정 순의 모식도이다.
이 도면들에서는 실란 커플링제를 이용하는 표면층(25)의 형성 방법을 예시 하고 있다.
도 7a에 나타낸 바와 같이, 기재(20)의 표면에 수산기가 형성된다. 이 예에서는 수산기는 실라놀기이다. 예를 들면, 기재(20)의 표면의 자외선 조사, 플라즈마 처리 및 약액 처리 중에서 선택된 적어도 하나에 의해 수산기를 형성할 수 있다.
도 7b 및 도 7c에 나타낸 바와 같이, 실란 커플링제가 가수분해된다. 그리고, 축합 반응에 의해, 도 7d에 나타낸 바와 같이, 실란 커플링제의 일부가 기재(20)와 결합한다. 또한, 도 7e에 나타낸 바와 같이, 실란 커플링제끼리 중합한다. 이에 의해, 표면층(25)이 형성된다. 표면층(25)에서는, 유기 관능기 R이 표면에 노출된 상태에 있다. 유기 관능기 R을 적절하게 설정함으로써, 접촉각 θ를 30도 이하로 설정할 수 있다.
표면층(25)의 형성은 표면층(25)의 증착을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, HMDS 또는 TMSDMA를 이용함으로써, 기상에서 표면층(25)을 형성할 수 있다. 이에 의해, 파티클 및 응집물의 생성이 적고, 균일한 표면층(25)을 형성하는 것이 용이하다.
(제3 실시 형태)
본 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 장치는, 상기의 실시 형태에 따른 템플릿(10)의 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치이다.
도 8a 및 도 8b는 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 장치를 예시하는 모식도이다.
도 8a는 평면도이며, 도 8b는 측면도이다.
도 8a 및 도 8b에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표면 처리 장치(111)는 제1 처리부(61) 및 제2 처리부(62)를 포함한다.
제1 처리부(61)는 기재(20)(즉, 템플릿(10)이며, 이하 이를 생략함)의 주면(20a)에 수산기를 형성한다. 즉, 도 7a에 예시한 바와 같이, 기재(20)의 주면(20a)에 예를 들면 실라놀기를 형성한다. 또한, 기재(20)는 요철(21)이 제공된 주면(20a)을 갖고, 광경화성 수지액(30)을 경화시키는 데에 사용되는 광(35)에 대하여 투과성이다. 여기에서, 광경화성 수지액(30)은 광을 이용하여 광경화성 수지액(30)을 경화시키기 전의 상태의 수지액인 것으로 한다.
제2 처리부(62)는, 제1 처리부(61)를 이용하여 수산기가 형성된 주면(20a)의 요철(21)을 피복하도록 표면층(25)을 형성한다. 표면층(25)과 광경화성 수지액(30) 간의 접촉각은 30도 이하이다. 즉, 제2 처리부(62)는 도 7b 내지 도 7e에 관하여 설명한 반응을 실시한다.
제2 처리부(62)를 사용하여 형성된 표면층(25)을 사용하여, 요철(21)의 형상을 반영하는 요철 패턴(11)이 형성된다.
이 예에서는, 자외선(61u)을 기재(20)에 조사하는 광조사부(61a)가 제1 처리부(61)로서 이용되고 있다. 표면층(25)을 형성하는 데 사용되는 원료 가스(62g)를 기재(20)를 향하여 공급하는 원료 가스 공급부(62a)가 제2 처리부(62)로서 이용되고 있다.
본 구체예의 표면 처리 장치(111)는 제1 챔버(61C), 제2 챔버(62C), 반입부(71), 반출부(72) 및 반송 유닛(73)을 더 포함한다.
제1 챔버(61C)의 내부에 제1 처리부(61)가 배치된다. 제1 챔버(61C)의 내부에 제1 유지부(61s)가 제공되어 있다. 또한, 제1 유지부(61s) 위에 기재(20)가 배치된다. 기재(20)의 상방에 제1 처리부(61)가 배치되어 있다.
제2 챔버(62C)와 제2 처리부(62)의 원료 가스 공급부(62a)가 연통하고 있다. 제2 챔버(62C)에는 제2 유지부(62s)가 제공되어 있다. 또한, 제2 유지부(62s) 위에 기재(20)가 배치된다. 기재(20)의 상방에 제2 처리부(62)로부터 원료 가스(62g)를 공급하는 개구부가 제공되어 있다.
처리 전의 기재(20)가 반입부(71)의 소정의 위치에 세트된다. 처리 후의 기재(20)(템플릿(10))가 반출부(72)로부터 반출된다. 반송 유닛(73)은, 기재(20)를 반송하는 반송 아암(73a)을 갖고 있다. 반송 아암(73a)은, 예를 들면, 반입부(71), 제1 챔버(61C), 제2 챔버(62C) 및 반출부(72) 사이에서 기재(20)를 이동시킬 수 있다. 반입부(71)와 제1 챔버(61C) 사이에 제1 셔터(74a)가 제공되어 있다. 제1 챔버(61C)와 제2 챔버(62C) 사이에 제2 셔터(74b)가 제공되고, 제2 챔버(62C)와 반출부(72) 사이에 제3 셔터(74c)가 제공되어 있다.
기재(20)는 상기의 셔터를 통해 반입부(71), 제1 챔버(61C), 제2 챔버(62C) 및 반출부(72) 사이에서 이동한다.
예를 들면, 기재(20)는 반송 아암(73a)에 의해, 반입부(71)로부터 제1 챔버(61C)의 제1 유지부(61s)에 세트된다.
제1 챔버(61C)의 제1 처리부(61)(광 조사부(61a))로부터 기재(20)를 향해서 자외선(61u)이 조사된다. 이 자외선(61u)의 파장은, 예를 들면 172㎚이다. 자외선(61u)에 의해, 기재(20)의 주면(20a)에 수산기가 형성된다.
즉, 자외선(61u)이 기재(20)의 주면(20a)에 조사되면, 분위기 속의 산소가 반응하여 오존이 생성되고, 산화력이 강한 산소 래디컬(radical)이 생성된다. 그 결과, 예를 들면, 기재(20)의 주면(20a) 위에 존재하는 유기물이 제거되어, 기재(20)의 표면이 청정화된다. 그리고, 청정화된 기재(20)의 주면(20a)에는 수산기가 형성된다.
도 7a에 관해서 설명한 바와 같이, 기재(20)로서 석영이 이용되는 경우에는, 수산기로서 실라놀기(Si-OH)가 형성된다.
이렇게, 제1 처리부(61)에 의한 처리에 의해, 기재(20)의 주면(20a)의 수산기의 양이 증가한다. 제1 처리부(61)는, 예를 들면, 주면(20a)을 청정화한다.
제1 처리부(61)에서의 처리가 종료된 기재(20)는 반송 아암(73a)에 의해 제1 챔버(61C)로부터 제2 챔버(62C)로 반송된다. 기재(20)는 제2 유지부(62s)에 세트된다.
제2 처리부(62)(본 예에서는, 원료 가스 공급부(62a))는 표면층(25)을 형성하기 위해 화합물을 제2 챔버(62C) 내에 공급한다. 공급되는 화합물은, 예를 들면, Rn-Si-X4 -n(n은 1 이상 3 이하의 정수이고, X는 알콕시기, 아세톡시기 또는 할 로겐 원자이고, R은 알킬기임)로 나타내어지는 화합물이다. 또한, 여기서 공급되는 화합물은, 예를 들면, R3-Si-NH·Si·R'3(R'는 유기 관능기이고, R은 유기 관능기임)로 나타내어지는 화합물 혹은 R3-Si-NR'2(R'는 유기 관능기이고, R은 유기 관능기임)로 나타내어지는 화합물일 수 있다.
이에 의해, 도 7b 내지 도 7e에 관해서 설명된 반응이 행해지고, 표면층(25)이 형성된다.
즉, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 예를 들면, 원료 가스(62g)의 Rn-Si-X4 -n의 관능기 X가 분위기 속의 수분과 가수 분해 반응하여, 실라놀기를 생성한다.
도 7c 및 도 7d에 도시한 바와 같이, 기재(20)의 주면(20a)에 형성된 실라놀기는 원료 가스(62g)의 실라놀기와 반응하고, 원료 가스(62g)의 화합물의 일부가 기재(20)와 결합한다.
그리고, 도 7e에 나타낸 바와 같이, 기재(20)에 결합된 복수의 화합물의 일부의 실라놀기들이 서로 탈수 축합 반응한다. 이에 의해, 표면층(25)이 형성된다. 이렇게 하여 형성된 표면층(25)과 광경화성 수지액(30) 간의 접촉각은 30도 이하이다. 이에 의해, 템플릿(10)이 제작된다.
처리가 종료되어 얻어진 템플릿(10)은 반출부(72)로부터 반출된다.
도 9a 및 도 9b는 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 다른 표면 처리 장치를 예시하는 모식적인 측면도이다.
이 도면들은 제1 처리부(61)의 다른 예를 나타내고 있다.
도 9a에 나타낸 바와 같이 본 실시 형태에 따른 표면 처리 장치(112)에서는, 제1 처리부(61)로서 약액 공급부(61b)가 이용되고 있다. 약액 공급부(61b)는 수산기를 형성하기 위한 약액(611)을 주면(20a)을 향해서 공급한다. 약액(611)을 공급하는 데에는, 예를 들면, 스핀 도포, 스프레이 도포 등의 방법이 이용된다. 또한, 여기서 약액(611)에 기재(20)가 침지될 수 있다.
도 9b에 나타낸 바와 같이 본 실시 형태에 따른 표면 처리 장치(113)에서는, 제1 처리부(61)로서 플라즈마 처리부(61c)가 이용되고 있다. 플라즈마 처리부(61c)는 플라즈마(61p)를 생성한다. 이 플라즈마(61p)에 의해 기재(20)(즉, 템플릿(10))의 주면(20a)이 처리된다. 이에 의해, 수산기가 형성된다.
이렇게, 제1 처리부(61)에는 수산기를 형성하는 임의의 구성을 적용할 수 있다.
도 10은 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 또 다른 표면 처리 장치를 예시하는 모식적인 측면도이다.
이 도면은 제2 처리부(62)의 다른 예를 나타내고 있다.
도 10에 나타낸 바와 같이 본 실시 형태에 따른 표면 처리 장치(114)에서는, 제2 처리부(62)로서 원료액 공급부(62b)가 이용되고 있다. 원료액 공급부(62b)는 표면층(25)을 형성하기 위해 원료액(621)을 기재(20)(즉, 템플릿(10))를 향해서 공급한다. 원료액(621)의 공급에는, 예를 들면, 스핀 도포 또는 스프레이 도포 등의 방법이 이용될 수 있다. 또한, 원료액(621)에 기재(20)가 침지될 수도 있다. 이에 의해, 표면층(25)이 형성된다. 필요에 따라, 린스 액을 공급하도록 구성된 부분 및 세정액을 공급하도록 구성된 부분 등을 더 제공해도 좋다.
이렇게, 제2 처리부(62)에는, 표면층(25)을 형성하는 데에 사용되는 원료 가스(62g) 및 원료액(621)에서 선택된 적어도 하나를 공급할 수 있는 임의의 구성을 적용할 수 있다.
도 11은 제3 실시 형태에 따른 템플릿의 또 다른 표면 처리 장치를 예시하는 모식적인 측면도이다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표면 처리 장치(115)에서는 제2 챔버(62C)가 생략되어 있다. 그리고, 제1 챔버(61C)에 제1 처리부(61)(본 예에서는 약액 공급부(61b)) 및 제2 처리부(62)(본 예에서는 원료액 공급부(62b))가 제공되어 있다.
이렇게, 본 실시 형태에 따른 템플릿의 표면 처리 방법에 있어서 여러 변형이 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 표면층(25)의 형성은 감압 하에서 행해질 수도 있다.
(제4 실시 형태)
본 실시 형태는 제1 실시 형태에 따른 템플릿(10)을 이용하는 패턴 형성 방법이다. 도 1c 내지 도 1e에 관해서 설명한 바와 같이, 본 표면 처리 방법에서는, 템플릿(10)의 요철 패턴(11)의 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)을 충전한다(스텝 S120). 그리고, 오목부(11d)에 광경화성 수지액(30)이 충전된 상태에서 광경화성 수지액(30)에 광(35)을 조사함으로써 광경화성 수지액(30)을 경화시키고(스텝 S130), 요철 패턴(11)을 반영하는 형상으로 수지(31)를 형성한다. 그리고, 템플릿(10)과 수지(31)를 서로 분리시킨다(스텝 S140). 본 표면 처리 방법에서는, 템플릿(10)의 표면층(25)과 광경화성 수지액(30) 간의 접촉각 θ가 30도 이하이기 때문에, 스텝 S120에서의 충전 시간을 단축하면서 스텝 S140에서의 이형에 있어서 불량의 발생을 억제할 수 있다. 본 표면 처리 방법에 따르면, 생산성이 높은 패턴 형성 방법을 실현할 수 있다.
본 실시 형태들에 따르면, 생산성이 높은 패턴 형성 방법을 실현하는 템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법이 제공된다.
이상, 특정 예를 참조하여 본 발명의 여러 실시 형태들을 설명하였다. 그러나, 본 발명의 실시 형태들은 구체예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 공지된 기술로부터 기재, 표면층 등의 템플릿에 포함되는 각 요소의 구체적인 구성을 적절히 선택하는 것에 의해 당업자는 본 발명을 동일하게 실시할 수 있고, 이러한 실시는 동일한 효과를 얻을 수 있는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 본 발명의 실시 형태로서 상술한 템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿의 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법을 기초로 하고, 당업자가 적절히 설계 변경해서 실시할 수 있는 모든 템플릿, 템플릿의 표면 처리 방법, 템플릿의 표면 처리 장치 및 패턴 형성 방법도, 본 발명의 요지를 포함하는 한 본 발명의 범위에 속한다.
몇몇 실시 형태들이 설명되었지만, 이 실시 형태들은 단지 예로서 제시된 것이며, 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것이 아니다. 본 명세서에 기재된 신규의 실시 형태는 각종 다른 형태로 구현될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시 형태의 형태에서의 각종 생략, 대체 및 변경이 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 행해질 수 있다. 첨부된 특허청구범위 및 그 균등물은 본 발명의 범위 및 사상 내에 있는 한 이러한 형태 또는 변형을 포함하려는 것이다.
10 : 템플릿
10a : 전사면
11 : 요철 패턴
11d : 오목부
11p : 볼록부
20 : 기재
20a : 주면
21 : 요철
21d : 기재 오목부
21p : 기재 볼록부
25 : 표면층
30 : 광경화성 수지액
31 : 수지
35 : 광
40 : 피처리 기판
51 : 유기 오염물
52 : 파티클
61 : 제1 처리부
61C : 제1 챔버
61a : 광 조사부
61b : 약액 공급부
61c : 플라즈마 처리부
611 : 약액
61p : 플라즈마
61s : 제1 유지부
61u : 자외선
62 : 제2 처리부
62C : 제2 챔버
62a : 원료 가스 공급부
62b : 원료액 공급부
62g : 원료 가스
621 : 원료액
62s : 제2 유지부
71 : 반입부
72 : 반출부
73 : 반송 유닛
73a : 반송 아암
74a 내지 74c : 제1 내지 제3 셔터
111 내지 115 : 템플릿 표면 처리 장치
θ : 접촉각
A1 내지 A3 : 제1 내지 제3 수지액
Fr : 박리력
R, R' : 유기 관능기
T0 : 미처리 시료
T1 내지 T4 : 제1 내지 제4 표면 처리층
Tf : 충전 시간
Wa : 부착 일

Claims (20)

  1. 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 상기 요철 패턴의 오목부에 충전하고 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성되는 수지의 표면에 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 형성하도록 구성된 템플릿으로서,
    요철을 갖는 주면을 포함하고, 상기 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 광에 대하여 투과성인 기재(base member), 및
    상기 기재의 상기 요철을 피복하고, 상기 요철의 형상을 반영하는 상기 요철 패턴을 형성하는 데에 이용되는 표면층
    을 포함하고,
    상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액과 상기 표면층 간의 접촉각은 30도 이하인, 템플릿.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표면층의 상기 수지에 대한 부착 일(work of adhesion)은 80밀리주울/평방미터(mJ/m2) 미만인, 템플릿.
  3. 제1항에 있어서, 상기 표면층은 Rn-Si-X4 -n(n은 1 이상 3 이하의 정수, X는 관능기, R은 유기 관능기)로 나타내어지는 화합물의 축합 반응에 의해 상기 화합물이 상기 기재와 결합함으로써 형성되는 층을 포함하는, 템플릿.
  4. 제3항에 있어서, 상기 X는 알콕시기, 아세톡시기 또는 할로겐 원자인, 템플릿.
  5. 제1항에 있어서, 상기 표면층은 R3-Si-NH·Si-R'3(R'은 유기 관능기, R은 유기 관능기)로 나타내어지는 화합물이 상기 기재와 결합함으로써 형성되는 층을 포함하는, 템플릿.
  6. 제1항에 있어서, 상기 표면층은 R3-Si-NR'2(R'는 유기 관능기, R은 유기 관능기)로 나타내어지는 화합물이 상기 기재와 결합함으로써 형성되는 층을 포함하는, 템플릿.
  7. 제5항에 있어서, 상기 R'는 알킬기인, 템플릿.
  8. 제3항에 있어서, 상기 R은 CH3(CH2)k(k는 0 이상의 정수)로 나타내어지는 알킬기인, 템플릿.
  9. 제3항에 있어서, 상기 R은 메틸기인, 템플릿.
  10. 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 상기 요철 패턴의 오목부에 충전하고 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성되는 수지의 표면에 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 형성하도록 구성된 템플릿의 표면 처리 방법으로서,
    상기 요철을 피복하도록 표면층을 형성하여, 상기 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 광에 대하여 투과성인 기재의 주면에 제공된 상기 요철의 형상을 반영하는 상기 요철 패턴을 형성하는 단계 -상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액과 상기 표면층 간의 접촉각은 30도 이하임-
    를 포함하는, 템플릿의 표면 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표면층의 형성은 상기 표면층의 증착을 행하는 것을 포함하는, 템플릿의 표면 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 표면층의 상기 수지에 대한 부착 일은 80밀리주울/평방미터 미만인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 표면층은 Rn-Si-X4 -n(n은 1 이상 3 이하의 정수, X는 관능기, R은 유기 관능기)로 나타내어지는 화합물의 축합 반응에 의해 상기 화합물이 상기 기재와 결합함으로써 형성되는 층을 포함하는 것인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 X는 알콕시기, 아세톡시기 또는 할로겐 원자인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 표면층은 R3-Si-NH·Si-R'3(R'은 유기 관능기, R은 유기 관능기)로 나타내어지는 화합물이 상기 기재와 결합함으로써 형성되는 층을 포함하는 것인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 표면층은 R3-Si-NR'2(R'는 유기 관능기, R은 유기 관능기)로 나타내어지는 화합물이 상기 기재와 결합함으로써 형성되는 층을 포함하는 것인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 R'는 알킬기인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 R은 메틸기 또는 CH3(CH2)k(k는 0 이상의 정수)로 나타내어지는 알킬기인, 템플릿의 표면 처리 방법.
  19. 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 광을 이용하여 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 광경화성 수지액을 상기 요철 패턴의 오목부에 충전하고 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성되는 수지의 표면에 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 형성하도록 구성된 템플릿의 표면 처리 장치로서,
    주면에는 요철이 제공되어 있고, 상기 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 상기 광에 대하여 투과성인 기재의 상기 주면에 수산기를 형성하도록 구성된 제1 처리부, 및
    상기 제1 처리부에 의해 상기 수산기가 형성된 상기 주면의 상기 요철을 피복하는 표면층을 형성하도록 구성된 제2 처리부 -상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액과 상기 표면층 간의 접촉각은 30도 이하임-
    를 포함하는, 템플릿의 표면 처리 장치.
  20. 패턴 형성 방법으로서,
    템플릿의 요철 패턴의 오목부에 광경화성 수지액을 충전하는 단계 -상기 템플릿은 상기 요철 패턴을 갖는 전사면을 포함하고, 상기 템플릿은 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액을 상기 요철 패턴의 상기 오목부에 충전하고 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써 형성되는 수지의 표면에 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 형성하도록 구성되고, 상기 템플릿은 요철을 갖는 주면을 포함하고 상기 광경화성 수지액을 경화시키는 데에 이용되는 상기 광에 대하여 투과성인 기재 및 상기 기재의 상기 요철을 피복하고 상기 요철의 형상을 반영하는 상기 요철 패턴을 형성하는 데에 사용되는 표면층을 포함하고, 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액과 상기 표면층 간의 접촉각이 30도 이하임-,
    상기 오목부에 상기 광경화성 수지액이 충전된 상태에서, 상기 광을 이용하여 상기 광경화성 수지액을 경화시키기 전의 상태의 상기 광경화성 수지액에 상기 광을 조사하여 상기 광경화성 수지액을 경화시킴으로써, 상기 요철 패턴을 반영하는 형상을 갖는 상기 수지를 형성하는 단계, 및
    상기 템플릿과 상기 수지를 서로 분리시키는 단계
    를 포함하는, 패턴 형성 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016025230A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6646888B2 (ja) * 2015-09-09 2020-02-14 大日本印刷株式会社 凸状構造体、凹状構造体、及び凸状構造体の製造方法
JP6405338B2 (ja) * 2016-05-30 2018-10-17 矢崎総業株式会社 車両表示装置用装飾部品、及び、車両表示装置
DK179387B1 (en) * 2016-10-31 2018-05-28 Vkr Holding As A method for attaching two window components
JP6432666B2 (ja) * 2017-11-15 2018-12-05 大日本印刷株式会社 成膜処理装置、インプリント装置
CN113816773B (zh) * 2021-11-09 2023-04-25 铜川市耀州窑唐宋陶业有限公司 一种高品质填彩艺术陶瓷及其制作工艺

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073195A (en) * 1990-06-25 1991-12-17 Dow Corning Corporation Aqueous silane water repellent compositions
US6808435B2 (en) * 2000-10-11 2004-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Paint for forming insulating film, and plasma display panel using the paint and method of manufacturing the same
JP2004018797A (ja) 2002-06-20 2004-01-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 金型用離型剤組成物
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7152530B2 (en) * 2002-12-19 2006-12-26 Heidelberger Druckmaschinen Ag Printing form and method for modifying its wetting properties
US7307118B2 (en) * 2004-11-24 2007-12-11 Molecular Imprints, Inc. Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold
US20050160934A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Molecular Imprints, Inc. Materials and methods for imprint lithography
KR101357816B1 (ko) * 2004-11-24 2014-02-04 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 몰드와 중합가능한 조성물 사이에 바람직한 특성을제공하는 방법 및 조성물
JP2006156426A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Seiko Epson Corp 導電性パターンの形成方法
JP4602994B2 (ja) 2004-12-28 2010-12-22 日本曹達株式会社 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型及びそれらの製造方法
JP5000112B2 (ja) * 2005-09-09 2012-08-15 東京応化工業株式会社 ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法
WO2007099907A1 (ja) * 2006-03-03 2007-09-07 Pioneer Corporation インプリント用モールド及びインプリント方法
KR100831046B1 (ko) * 2006-09-13 2008-05-21 삼성전자주식회사 나노 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법
JP2008238502A (ja) 2007-03-27 2008-10-09 Asahi Glass Co Ltd インプリント用モールドの製造方法
JP2009010043A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法，基板処理装置，記録媒体
JP5033615B2 (ja) * 2007-12-27 2012-09-26 株式会社日立製作所 インプリント用基板
US9323143B2 (en) * 2008-02-05 2016-04-26 Canon Nanotechnologies, Inc. Controlling template surface composition in nano-imprint lithography
WO2010021291A1 (ja) * 2008-08-22 2010-02-25 コニカミノルタオプト株式会社 基板の製造方法、その製造方法により製造された基板、及びその基板を用いた磁気記録媒体
EP2199855B1 (en) * 2008-12-19 2016-07-20 Obducat Methods and processes for modifying polymer material surface interactions
EP2199854B1 (en) * 2008-12-19 2015-12-16 Obducat AB Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same
JP5052534B2 (ja) * 2009-01-08 2012-10-17 株式会社ブリヂストン 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
JP5443103B2 (ja) * 2009-09-10 2014-03-19 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5703601B2 (ja) * 2010-06-21 2015-04-22 大日本印刷株式会社 ナノインプリント方法
JP5760412B2 (ja) * 2010-12-08 2015-08-12 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置

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