KR20120095443A - 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법, 기억 매체, 및 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 장치 - Google Patents

투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법, 기억 매체, 및 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은: A. 제1 축을 따라 배열되는 각각의 제1 축 전극 및 제2 축을 따라 배열되는 각각의 제2 축 전극을 스캐닝하고, 그 다음에 자기 캐패시턴스가 변하는 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 단계; B. 상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 결정하기 위해 자기 커패시턴스가 변하는 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 각각의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하고, 그 다음에 상호 커패시턴스가 변하는 지역을 터치되는 지역으로 보는 단계;를 포함하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 방법을 구현하는 명령어들을 저장하는 기억 매체 및 상기 방법을 구현하는 장치에 관한 것이다.

Description

투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법, 기억 매체, 및 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 장치{METHOD FOR SCANNING PROJECTIVE CAPACITIVE TOUCH PANEL, STORAGE MEDIUM AND APPARATUS FOR SCANNING PROJECTIVE CAPACITIVE TOUCH PANEL}
본 발명은 정전용량식 터치 패널에 관한 것으로, 좀더 특히, 투사 정전용량식 터치 패널(projective capacitive touch panel) 스캐닝 방법, 기억 매체, 및 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 장치에 관한 것이다.
정전용량식 터치 패널은, 서로 다른 구성에 따라 서로 다른 동작 원리를 갖는, 투사 정전용량식 터치 패널과 표면(surface) 정전용량식 터치 패널로 나누어진다. 도 1은 종래의 투사 정전용량식 터치 스크린에 대한 해체도(explosive view)로, 터치 스크린(1)은 보호층(protection layer, 11), 기판(12), 투사 정전용량식 터치 패널(13), 및 제어기(14)를 포함한다. 보호층(11)은 일반적으로 투명하며 투사 정전용량식 터치 패널(13)의 한쪽 표면 상에 배치되고, 둘 다는 투사 정전용량식 터치 패널(13)의 다른 쪽 표면이 기판(12)을 마주보며 기판(12) 상에 배치된다. 제어기(14)는 투사 정전용량식 터치 패널(13)을 구동하기 위해 투사 정전용량식 터치 패널(13)에 전기적으로 연결된다.
도 2는 종래의 투사 정전용량식 터치 패널에 대한 상면도(top plan view)이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 투사 정전용량식 터치 패널(13)은 직교(orthogonally, 直交)하게 배치되는 도전성 전극들의 두 개의 층들을 포함한다. 도전성 전극들의 한 층은 (x축으로 규정되는) 제1 축을 따라 평행하게 배열되는 M(M≥1)개의 제1 축 전극들을 포함한다. 도전성 전극들의 다른 층은 (y축으로 규정되는) 제2 축을 따라 평행하게 배열되는 N(N≥1)개의 제2 축 전극들을 포함한다. 직교하게 설치되고 상호 간에 절연되는 도전성 전극들의 두 개의 층들은 M×N개의 교차점들을 갖는 전극 매트릭스를 형성한다.
터치 패널이 작동할 때, 예를 들어 접지(ground)와 관련하여 측정되는 전극들에 대한 M+N개의 자기 커패시턴스들(self capacitances)이 있다. 또한 제1 축 전극들과 제2 축 전극들 사이의 교차점들에서 형성되는 M×N개의 상호 커패시턴스들(mutual capacitance)이 있다. 만약 사람의 손가락 또는 디지털 펜과 같은 도전체에 의해 터치 패널이 터치된다면, 터치되는 지역에서 자기 커패시턴스 및 상호 커패시턴스가 변할 것이다. 자기 커패시턴스와 상호 커패시턴스의 변화 감지 및 이어지는 계산으로, 터치 스크린 상의 터치 지점의 위치가 결정될 수 있다.
터치 지점의 위치를 결정하기 위한 종래의 방법은 전극 매트릭스에서 교차점들의 위치가 스크린 상에서의 위치를 결정할 수 있다는 사실에 기초하여 M×N개의 캐패시턴스들 모두를 스캐닝하는 것이다. 터치 스크린의 크기가 커짐에 따라, 스캐닝의 정확도를 보장하기 위해 그에 따라 전극 매트릭스 스캐닝 시간이 더 길어진다. 42인치 터치 패널을 예로 들어, 만약 M이 170, N이 100이고, 각각의 커패시턴스의 스캐닝 시간이 30㎲이면, 전극 매트릭스 스캐닝 시간은 170×100×30㎲=0.51s이다. 다시 말해서, 스캐닝 속도(scanning frequency)는 1/0.51=1.96이다. 이는 매우 낮은 스캐닝 속도로, 터치 지점을 결정하는데 지연을 초래할 것이고, 만약 다중 지점 터치 패널이면 이는 더욱 나빠질 것이며 터치 지점의 손실을 야기할 수 있다.
그러므로, 종래의 방법의 상술한 결점들을 극복하기 위해 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법을 제공할 것이 요구된다.
일 양상에서, A. 제1 축을 따라 배열되는 각각의 제1 축 전극 및 제2 축을 따라 배열되는 각각의 제2 축 전극을 스캐닝하고, 그 다음에 자기 캐패시턴스가 변하는 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 단계; B. 상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 결정하기 위해 자기 커패시턴스가 변하는 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 각각의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하고, 그 다음에 상호 커패시턴스가 변하는 지역을 터치되는 지역으로 보는 단계;를 포함하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법이 제공된다. 상술한 방법을 구현하는 명령들을 저장하기 위한 기억 매치 및 상술한 방법을 구현하는 장치가 또한 제공된다.
따라서, 자기 커패시턴스와 상호 커패시턴스 감지를 결합함으로써, 본 발명의 방법은 대형 터치 패널에서 스캐닝 정확도도 보장되면서 스캐닝 시간을 상당히 줄이고 스캐닝 속도를 올릴 수 있다.
도 1은 종래의 투사 정전용량식 터치 스크린에 대한 해체도;
도 2는 종래의 투사 정전용량식 터치 패널에 대한 구상도;
도 3은 본 발명에 따른 제어기에 연결되는 투사 정전용량식 터치 패널을 도시하는 도면;
도 4는 본 발명에 따른 제1 축을 따르는 제1 축 전극들의 자기 커패시턴스를 스캐닝하는 것을 도시하는 도면;
도 5는 본 발명에 따른 제2 축을 따르는 제2 축 전극들의 자기 커패시턴스를 스캐닝하는 것을 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널 상에서의 단일 터치를 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 터치 패널 상에서의 단일 터치에 대한 구상도;
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 터치 패널 상에서의 더블 터치를 도시하는 도면;
도 9는 도 8에서의 전극들 중 하나에 보여주는 도면;
도 10은 도 8에서의 터치되는 지역 및 가상(假像, ghost) 지역을 도시하는 도면.
본 발명에 대한 상세한 설명이 다음의 실시예들에서 논의될 것인데, 이는 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니고, 다른 응용들에 여전히 적응될 수 있다. 도면들이 상세히 도시되었지만, 양을 명확히 제한하는 구성요소들을 제외하고, 개시된 구성요소들의 수량이 개시된 것보다 더 많거나 더 적을 것으로 이해된다.
본 발명의 방법은 도 3에 도시되는 투사 정전용량식 터치 패널(13) 및 제어기(14)를 포함하는 터치 스크린에 의해 수행되는데, 제어기(14)는 투사 정전용량식 터치 패널(13)을 구동하기 위해 투사 정전용량식 터치 패널(13)에 전기적으로 연결된다. 투사 정전용량식 터치 패널(13)은 (x축으로 규정되는) 제1 축을 따라 평행하게 배열되는 M개의 제1 축 전극들 및 (y축으로 규정되는) 제2 축을 따라 평행하게 배열되는 N개의 제2 축 전극들을 포함한다. 제1 축 및 제2 축은 서로 직교한다. 접지와 관련하여 측정되는 M+N개의 자기 커패시턴스들이 있다. 또한 제1 축 전극들과 제2 축 전극들 사이의 교차점들에서 형성되는 M×N개의 상호 커패시턴스가 있다.
투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법은 다음의:
A. 자기 캐패시턴스가 변하는 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들을 획득하기 위해 각각의 제1 축 전극 및 각각의 제2 축 전극을 스캐닝하는 단계;
B. 상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 결정하기 위해 자기 커패시턴스가 변하는 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 각각의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하고, 그 다음에 상호 커패시턴스가 변하는 지역을 터치되는 지역으로 보는 단계;
를 포함한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 터치 패널 상에서의 단일 터치를 도시한다. 단일 터치는 터치되는 지역(133)을 통해 지나가는 제1 축 전극(들) 및 제2 축 전극(들)에 영향을 미친다. 몇몇 실시예들에서, 제1 축 전극 또는 제2 축 전극의 폭은 터치되는 지역(133)보다 더 넓을 수 있으므로, 단일 터치가 오직 하나의 제1 축 전극 및 하나의 제2 축 전극만을 포함할 수 있다. 만약 상기에서 언급한 A 단계에 따라 단일 터치의 경우에서 제1 축 전극 및 제2 축 전극의 자기 커패시턴스 변화가 감지된다면, 터치 지점의 위치는 제1 축 전극의 x좌표(Xi, 1≤i≤M) 및 제2 축 전극의 y좌표(Yj, 1≤j≤N)를 획득함으로써 결정될 수 있다. 오직 하나의 터치 지점을 갖는 터치되는 지역의 위치를 확인하기 위해 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 교차점에서 상호 커패시턴스가 더 감지된다.
다른 실시예들에서, 터치되는 지역은 일반적으로 전극들의 폭보다 더 넓다. 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 터치 패널 상에서의 단일 터치에 대한 구상도로, 전극들의 폭이 터치되는 지역(134)의 반이므로, 단일 터치에 대한 터치되는 지역(134)은 터치되는 지역(134)을 통해 지나가는 두 개의 제1 축 전극들 및 두 개의 제2 축 전극들에 영향을 미친다. 터치되는 지역에 위치하는 서로 다른 좌표를 갖는 네 개의 교차점들이 있고, 네 개의 교차점들의 좌표에 따라 중심이 더 계산될 수 있다. 각각 터치 관련 제1 축 전극들의 x좌표가 Xi, Xi+1(1≤i≤M-1)이고, 터치되는 제1 축 전극들의 전압차가 Ui, Ui +1(1≤i≤M-1)이라고 가정하면; 각각 터치 관련 제2 축 전극들의 y좌표는 Yi, Yi +1(1≤i≤N-1)이고, 터치되는 제2 축 전극들의 전압차는 Uj, Uj +1(1≤j≤N-1)이다. 중심의 x좌표는 X=(Xi×Ui+Xi +1×Ui +1)/(Ui+Ui +1)이고, 중심의 y좌표는 Y=(Yj×Uj+Yj +1×Uj +1)/(Uj+Uj +1)이며, 그 다음에 터치 지점의 위치가 중심 (X, Y)에 의해 결정된다. 다른 실시예들에서, 단일 터치는 두 개 이상의 제1 축 전극들 또는 두 개 이상의 제2 축 전극들을 포함할 수 있고, 중심의 계산 방법은 상기에서 언급한 방법과 유사하다.
좀더 복잡한 상황은 하나 이상의 터치되는 지역이 있을 수 있다는 것이다. 하나 이상의 터치되는 지역을 갖는 터치는 실제 터치되지 않았으나, 단지 이론상 계산된 결과인 가상 지역들을 형성하는 것을 야기할 것이다. 만약 가상 지역들이 없어지지 않는다면, 그것들은 이어지는 프로세스에서 실제 터치되는 지역으로 간주될 것이고, 틀림없이 가짜 위치탐지를 초래한다. 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 터치 패널 상에서의 더블 터치를 도시한다. 터치 관련 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들은 (도 9에 도시된 바와 같이) 네 개의 지역들(135a, 135b, 135c, 및 135d)로 분류되는 교차점들을 형성하는데, (도 10에 도시된 바와 같이) 그 중 135a 및 135b 지역들은 터치되는 지역이고, 135c 및 135d 지역들은 가상 지역들이다. 가상 지역들이 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들의 자기 커패시턴스의 변화를 결정하는 것만으로는 인식될 수 없기 때문에, B 단계에 따라 터치되는 지역들(135a 및 135b)을 결정하기 위해 135a, 135b, 135c, 및 135d 지역에서의 교차점들에서 상호 커패시턴스가 더 감지될 것이다. 그리고 터치 지점들이 터치되는 지역들의 중심을 계산함으로써 쉽게 결정된다.
상기 실시예들에 따라, 스캐닝 시에(in a period of scanning) 터치되는 지역을 획득하기 위해 종래의 M×N번과 비교하여 M+N+(p1×p2)번 스캐닝해야 하는데, 여기서 M 및 N은 각각 제1 축 전극들 및 제1 축 전극들의 수이고, p1 및 p2는 터치 관련 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들의 수이다. M 및 N이 2보다 현저하게 더 크고, p1, p2가 매우 작을 때, M×N은 M+N+(p1×p2)보다 현저하게 더 크다. 두 개의 제1 축 전극들 및 두 개의 제2 축 전극들이 포함되는 터치의 경우에, 만약 M 및 N이 모두 4보다 크다면, M×N은 M+N+2×2보다 더 클 것이다. 또한, 만약 터치가 10개의 제1 축 전극들 및 10개의 제2 축 전극들(이 수는 일반적으로 다중 터치 시스템이 지원할 수 있는 최대 수이다)을 포함한다면, M 및 N은 모두 대부분의 터치 패널 응용들에서 11보다 훨씬 클 것이므로, M×N은 M+N+10×10보다 훨씬 클 것이다.
170개의 제1 축 전극들 및 100개의 제2 축 전극들을 갖는 42인치 터치 스크린을 예로 들면, 계산은 다음과 같이 상세히 설명되는데: 도 6을 참조하면, 단일 터치의 경우에, 오직 하나의 제1 축 전극 및 하나의 제2 축 전극이 터치되며, 170개의 제1 축 전극들 및 100개의 제2 축 전극들의 스캐닝이 즉시 자기 커패시턴스 변하는 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들을 획득하고, 고유의 교차점(133)을 획득할 것이며, 이렇게 하여 터치 지점을 결정짓는다. 각각의 스캐닝에 30㎲가 소요된다는 조건에서, 스캐닝 시에 총 스캐닝 시간은 (170+100)×30㎲=8.13ms로, 즉, 스캐닝 속도는 초당 123 프레임인데, 이는 종래의 초당 1.96 프레임보다 훨씬 높다. 도 8을 참조하면, 더블 터치이고, 각각 오직 한 개의 제1 축 전극 및 한 개의 제2 축 전극이 터치되는 터치인 경우에, 두 개의 제1 축 전극들(131a, 131b) 및 두 개의 제2 축 전극들(132a, 132b)이 감지될 것이다. 네 개의 교차점들에서 상호 커패시턴스가 B 단계에 따라 감지될 것이고, 그래서 스캐닝 시에 총 스캐닝 시간은 (170+100)×30㎲+2×2×30㎲=8.22ms인데, ,즉 스캐닝 속도는 초당 121 프레임으로, 이는 또한 종래의 초당 1.96 프레임보다 훨씬 높다.
본 발명의 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법이 대형 터치 패널에서 스캐닝 정확도도 보장되면서 스캐닝 시간을 상당히 줄이고 스캐닝 속도를 올릴 수 있음이 자명하다.
A 단계에 따라 자기 커패시턴스가 변하는 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 프로세스는 다음의 세부 단계들:
각각의 제1 축 전극 및 제2 축 전극의 현재의 자기 커패시턴스를 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스와 비교하는 단계;
현재의 자기 커패시턴스가 미리 설정된 조건을 만족시키는 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 단계;
를 포함한다.
미리 설정된 커패시턴스로 전극(제1 축 전극 또는 제2 축 전극)을 충전하고, 그 다음에 기준 커패시터를 충전하기 위해 전극에 기준 커패시터를 연결함으로써, 전극은 방전될 것이고 그것의 전압은 감소할 것이다. 전압이 미리 설정된 전압값으로 감소하는 시간은 전극의 자기 커패시턴스를 나타내기 위해 측정하여 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 제1 축을 따르는 제1 축 전극들의 자기 커패시턴스 스캐닝을 도시한다. 제어기(14)는 제1 축(x축)을 따라 배열되는 각각의 제1 축 전극을 충전하고, 그 다음에 각각의 제1 축 전극에 상응하여 연결되는 기준 커패시터로 각각의 제1 축 전극을 방전한다. 제1 축 전극의 방전 프로세스가 완료될 때, 제1 축 전극의 현재의 자기 커패시턴스가 계산될 수 있다. 도 5는 본 발명에 따른 제2 축을 따르는 제2 축 전극들의 자기 커패시턴스 스캐닝을 도시한다. 제2 축 전극의 현재의 자기 커패시턴스는 동일한 방법으로 획득될 수 있다.
각각의 제1 축 전극 및 제2 축 전극의 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스를 설정하는 두 가지 방법이 있는데: 첫 번째 방법은 제어기(14)에 경험적 값을 직접 기입하는 것이며; 두 번째 방법은 반복적으로 제1 축 전극 또는 제2 축 전극에 대한 초기화 스캐닝으로부터 획득되는 다수의 초기의(initial) 자기 커패시턴스의 평균값을 획득하는 것이다. 각각의 전극은 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스를 갖기 때문에, M+N개의 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스가 있을 것이다.
초기화 스캐닝은: 제1 축 전극 또는 제2 축 전극을 충전하는 단계; 제1 축 전극 또는 제2 축 전극에 연결되는 기준 커패시터를 방전하는 단계; 방전 프로세스가 완료될 때 방전 시간에 따라 제1 축 전극 또는 제2 축 전극의 초기의 자기 커패시턴스를 획득하는 단계;를 포함한다.
상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 결정하는 프로세스는: 각각의 교차점에서 현재의 상호 커패시턴스를 교차점에서 미리 설정된 기준 상호 커패시턴스와 비교하는 단계; 미리 설정된 조건을 만족시키는 현재의 상호 커패시턴스를 획득하는 단계;를 포함한다.
또한 교차점들에서 기준 상호 커패시턴스를 설정하는 두 가지 방법이 있는데: 첫 번째 방법은 제어기(14)에 경험적 값을 직접 기재하는 것이며; 두 번째 방법은 반복적으로 교차점들에 대한 초기화 스캐닝으로부터 획득되는 다수의 초기의 상호 커패시턴스의 평균값을 계산하는 것이다. 각각의 교차점에 대한 기준 상호 커패시턴스가 있기 때문에, 전부 M×N개의 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스가 있을 것이다.
초기화 스캐닝은: 각각의 제2 축 전극을 충전하는 단계; 각각의 교차점에서 초기의 상호 커패시턴스를 획득함에 따라, 제1 축 전극에서 유도되는 전기전하들(electrical charges)을 모아서, 전기전하들을 전압값으로 변환시키는 단계;를 포함한다. 대안적인 실시예에서, 제1 축 전극이 먼저 충전될 수 있다.
자기 커패시턴스 또는 상호 커패시턴스는, 터치에 의해서 야기되는 것뿐만 아니라, 전극들의 불충분한 충전과 같은 많은 상황에서 변할 수 있다. 실제 터치 또는 다른 이벤트들에 의해 야기되는 커패시턴스 변화를 구별하기 위해, 현재의 자기 커패시턴스 또는 현재의 상호 커패시턴스의 변화는 미리 설정된 조건을 만족시켜야 한다. 일반적으로, 미리 설정된 조건은 미리 설정된 임계값에 의해 규정된다. 자기 커패시턴스를 감지하기 위해, 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스에 대한 자기 커패시턴스의 차이가 상응하는 미리 설정된 임계값보다 더 커야하는데, 이러한 조건이 만족될 때, 전극 상의 터치가 확인될 수 있다. 유사하게, 상호 커패시턴스 변화를 감지하기 위해, 교차점에서 기준 상호 커패시턴스에 대한 현재의 상호 커패시턴스의 차이는 다른 상응하는 미리 설정된 임계값보다 더 커야하는데, 이러한 조건이 만족될 때, 교차점 상의 터치가 확인될 수 있다.
기억 매체가 또한 제공된다. 상기 기억 매체는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법을 수행하기 위해 프로세서에 의해 실행될 수 있는 명령어 셋트를 저장하기 위해 사용되며, 상기 방법은:
A. 제1 축을 따라 배열되는 각각의 제1 축 전극 및 제2 축을 따라 배열되는 각각의 제2 축 전극을 스캐닝하고, 그 다음에 자기 캐패시턴스가 변하는 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 단계;
B. 상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 결정하기 위해 자기 커패시턴스가 변하는 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 각각의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하고, 그 다음에 상호 커패시턴스가 변하는 지역을 터치되는 지역으로 보는 단계;
를 포함한다.
투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 시스템이 또한 제공된다. 상기 시스템은 스캐닝 모듈 및 제어 모듈을 포함한다. 스캐닝 모듈은 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들의 자기 커패시턴스들을 감지하는데 사용된다. 제어 모듈은 자기 커패시턴스들이 변하는지 여부를 결정하여 만약 제1 축 전극 및 제2 축 전극의 자기 커패시턴스가 변하면 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하기 위해 스캐닝 모듈을 제어하고, 변화된 상호 커패시턴스를 갖는 교차점에 의해 규정되는 터치되는 지역을 결정하는데 사용된다.
비록 상기 발명이 구조적 특징들 및/또는 방법론적 작용들에 대해 언어로 특정하여 설명되었지만, 첨부된 청구항들에서 규정되는 상기 발명이 반드시 기술된 특정한 특징들 또는 작용들로 제한될 필요가 없음이 이해될 것이다. 오히려, 특정한 특징들 및 작용들은 청구된 발명을 구현하는 예시적인 형태들로써 개시된다.

Claims (15)

  1. A. 제어기로 제1 축을 따라 배열되는 각각의 제1 축 전극 및 제2 축을 따라 배열되는 각각의 제2 축 전극을 스캐닝하고, 그 다음에 자기 커패시턴스(self capacitance)가 변하는 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 단계; 및
    B. 상호 커패시턴스(mutual capacitance)가 변하는지 여부를 결정하기 위해 자기 커패시턴스가 변하는 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 각각의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하고, 그 다음에 상호 커패시턴스가 변하는 지역을 터치되는 지역으로 보는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    A 단계에 따라 자기 커패시턴스가 변하는 상기 제1 축 전극 및 상기 제2 축 전극을 획득하는 프로세스는:
    각각 제1 축 전극 및 제2 축 전극의 현재의 자기 커패시턴스를 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스와 비교하는 단계;
    현재의 자기 커패시턴스가 미리 설정된 조건을 만족시키는 상기 제1 축 전극 및 상기 제2 축 전극을 획득하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 현재의 자기 커패시턴스를 획득하는 프로세스는:
    각각 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 충전하는 단계;
    상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극에 상응하여 연결되는 기준 커패시터로 각각의 상기 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 방전하는 단계;
    방전 프로세스가 완료될 때 상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극의 상기 현재의 자기 커패시턴스를 획득하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    각각 제1 축 전극 및 제2 축 전극의 상기 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스는 반복적으로 상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극에 대한 초기화 스캐닝으로부터 획득되는 다수의 초기의(initial) 자기 커패시턴스의 평균값인 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 초기화 스캐닝은:
    상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극을 충전하는 단계;
    상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극에 상응하여 연결되는 기준 커패시터로 상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극을 방전하는 단계;
    상기 방전 프로세스가 종료될 때 상기 제1 축 전극 또는 제2 축 전극의 상기 초기의 자기 커패시턴스를 획득하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 미리 설정된 조건은 상기 미리 설정된 기준 자기 커패시턴스에 대한 상기 자기 커패시턴스의 차이가 미리 설정된 임계값보다 더 큰 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 결정하는 프로세스는:
    각각의 교차점에서 현재의 상호 커패시턴스와 상기 교차점에서 미리 설정된 기준 상호 커패시턴스를 비교하는 단계;
    상기 현재의 상호 커패시턴스가 미리 설정된 조건을 만족시키는 상기 지역을 획득하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 현재의 상호 커패시턴스를 획득하는 프로세스는:
    자기 커패시턴스가 변하는 각각의 제2 축 전극을 충전하는 단계;
    각각의 교차점에서 상기 현재의 상호 커패시턴스를 획득함에 따라, 상기 제1 축 전극에서 유도되는 전기전하들(electric charges)을 모아서, 상기 전기전하들을 전압값으로 변환시키는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    각각의 교차점에서 상기 미리 설정된 기준 상호 커패시턴스는 반복적으로 상기 교차점에 대한 초기화 스캐닝으로부터 획득되는 다수의 초기의 상호 커패시턴스의 평균값인 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 초기화 스캐닝은:
    각각의 제2 축 전극을 충전하는 단계;
    각각의 교차점에서 상기 초기의 상호 커패시턴스를 획득함에 따라, 상기 제1 축 전극에서 유도되는 전기전하들을 모아서, 상기 전기전하들을 전압값으로 변환시키는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 미리 설정된 조건은 교차점에서 상기 기준 상호 커패시턴스에 대한 상기 현재의 상호 커패시턴스의 차이가 미리 설정된 임계값보다 더 큰 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 터치되는 지역의 중심을 계산하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    만약 어떠한 제1 축 전극 또는 제2 축 전극의 상기 자기 커패시턴스도 변하지 않는다면, A 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법.
  14. 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 방법을 수행하기 위해 프로세서에 의해 실행될 수 있는 명령어 셋트를 저장하기 위한 기억 매체에 있어서,
    상기 방법은:
    A. 제1 축을 따라 배열되는 각각의 제1 축 전극 및 제2 축을 따라 배열되는 각각의 제2 축 전극을 스캐닝하고, 그 다음에 자기 커패시턴스가 변하는 상기 제1 축 전극 및 제2 축 전극을 획득하는 단계; 및
    B. 상호 커패시턴스가 변하는지 여부를 판단하기 위해 자기 커패시턴스가 변하는 상기 제1 축 전극과 상기 제2 축 전극 사이의 각각의 교차점에서 상기 상호 커패시턴스를 감지하고, 그 다음에 상기 상호 커패시턴스가 변하는 지역을 터치되는 지역으로 보는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 명령어 셋트를 저장하기 위한 기억 매체.
  15. 제1 축 전극들 및 제2 축 전극들의 자기 커패시턴스들을 감지하기 위한 스캐닝 모듈; 및
    상기 자기 커패시턴스들이 변하는지 여부를 결정하여 만약 상기 제1 축 전극 및 상기 제2 축 전극의 상기 자기 커패시턴스가 변한다면 제1 축 전극과 제2 축 전극 사이의 교차점에서 상호 커패시턴스를 감지하기 위해 상기 스캐닝 모듈을 제어하고, 변화된 상호 커패시턴스를 갖는 상기 교차점에 의해 규정되는 터치되는 지역을 결정하는 제어 모듈;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 정전용량식 터치 패널 스캐닝 시스템.
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