KR20120081747A - Gas feeding assembly for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: Gas supply assembly and a substrate processing apparatus including the same are provided to prevent the substrate processing apparatus to be contaminated by preventing the leakage of gas in the gas supply line. CONSTITUTION: A gas supply unit is installed at the upper side of a processing space. A gas supply pipe(191) is connected with a gas supply device and supplies gas to the gas supply unit. A gas supply pipe unit(190) comprises an exhaust pipe exhausting the gas leaked from the gas supply pipe. The gas supply pipe unit is divided into a first gas supply pipe unit and a second gas supply pipe unit. The first gas supply pipe unit and the second gas supply pipe unit are detachably connected with each other through gas supply assembly.

Description

기판처리장치의 가스공급조립체 및 그를 가지는 기판처리장치 {Gas feeding assembly for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same}Gas feeding assembly for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus having the same {Gas feeding assembly for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리에 사용되는 가스를 처리공간으로 공급하도록 설치되는 가스공급조립체 및 그를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a gas supply assembly installed to supply a gas used for substrate processing to a processing space, and a substrate processing apparatus having the same.

기판처리장치는 기판에 대하여 식각, 증착 등 소정 공정을 수행하는 장치로서, 서로 탈착가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 상부리드와, 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 구성된다.The substrate processing apparatus is a device for performing a predetermined process such as etching and deposition on a substrate, and includes a chamber main body and an upper lead detachably coupled to each other to form a closed processing space, and a substrate support installed in the chamber main body to support the substrate. It is configured to include.

이때 상기 기판처리장치는 처리공간의 상부에 설치된 가스공급부를 통하여 공급되며 기판처리를 위한 처리가스 등이 처리공간으로 주입된다.At this time, the substrate processing apparatus is supplied through the gas supply unit installed in the upper portion of the processing space and the processing gas for substrate processing is injected into the processing space.

한편 상기 기판처리장치는 장치의 유지보수를 위하여 챔버본체로부터 상부리드를 분리하게 되며 이때 가스공급부로 가스를 공급하는 가스공급라인 또한 분리될 필요가 있다.On the other hand, the substrate treating apparatus separates the upper lead from the chamber body for the maintenance of the apparatus, and at this time, the gas supply line for supplying the gas to the gas supply unit also needs to be separated.

즉, 종래의 기판처리장치에서 가스공급라인은 제1가스공급라인 및 제2가스공급라인으로 분리된다.That is, in the conventional substrate processing apparatus, the gas supply line is divided into a first gas supply line and a second gas supply line.

그리고 제1가스공급라인은 일단이 가스공급장치와 연결되고 타단이 챔버본체에 설치되는 하부블록에 연결되고, 제2가스공급라인은 일단이 가스공급부와 연결되고 타단이 상부리드에 설치되는 상부블록에 연결된다. 여기서 상기 제1가스공급라인 및 제2가스공급라인을 연결하는 상부블록 및 하부블록은 접촉하는 면에서 오링에 의하여 실링된다.The first gas supply line is connected to the gas supply device at one end and is connected to the lower block installed at the other end of the chamber body, and the second gas supply line is connected to the gas supply at one end and the other end is installed on the upper lead. Is connected to. Here, the upper block and the lower block connecting the first gas supply line and the second gas supply line are sealed by an O-ring at the contact surface.

그러나 종래의 기판처리장치는 장치의 지속된 사용에 의하여 상부블록 및 하부블록은 접촉하는 면을 실링하기 위한 오링이 파손되거나 마모될 수 있으며, 오링의 파손 및 마모에 의하여 상부블록 및 하부블록이 연결되는 부위에서 실링이 원활하게 되지 않아 가스가 누설되어 주변을 오염시킬 수 있는 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, the O-ring for sealing the surface in which the upper block and the lower block contact with each other may be broken or worn by the continuous use of the device, and the upper block and the lower block may be connected by the breaking and wear of the O-ring. There is a problem that the sealing is not smooth at the site to be leaked to pollute the gas.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 공정챔버를 구성하는 챔버본체 및 상부리드가 서로 결합될 때 분리된 가스공급라인 또한 가스누설의 우려없이 안정적으로 연결될 수 있는 기판처리장치의 가스공급조립체 및 그를 가지는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention, in order to solve the above problems, when the chamber body and the upper lead constituting the process chamber is coupled to each other, the separated gas supply line gas of the substrate processing apparatus can be connected stably without fear of gas leakage A supply assembly and a substrate processing apparatus having the same are provided.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 서로 탈착가능하게 결합되어 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 상부리드와, 상기 처리공간의 상측에 설치되는 가스공급부를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 기판처리장치는 외부에 설치된 가스공급장치와 연결되어 상기 처리공간의 상측에 설치된 상기 가스공급부로 가스를 공급하는 가스공급관과, 배기장치와 연결되어 상기 가스공급관에서 누출되는 가스를 배기하는 배기관을 포함하는 가스공급관부를 포함하며; 상기 가스공급관부는 제1가스공급관부 및 제2가스공급관부로 분할되며, 상기 제1가스공급관부 및 제2가스공급관부는 가스공급조립체에 의하여 서로 탈착가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created in order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention is a chamber body and the upper lead which is detachably coupled to each other to form a processing space for substrate processing, and installed on the upper side of the processing space A substrate processing apparatus comprising a gas supply unit, wherein the substrate processing apparatus is connected to a gas supply unit installed outside and supplies a gas supply pipe to the gas supply unit installed above the processing space, and is connected to an exhaust device. A gas supply pipe part including an exhaust pipe for exhausting gas leaking from the gas supply pipe; The gas supply pipe part may be divided into a first gas supply pipe part and a second gas supply pipe part, and the first gas supply pipe part and the second gas supply pipe part may be detachably connected to each other by a gas supply assembly. It starts.

상기 가스공급조립체는 상기 제1가스공급관부와 연결되며 상기 상부리드에 결합되는 제1블록과, 상기 제2가스공급관부와 연결되며 상기 챔버본체에 결합되는 제2블록을 포함할 수 있다..The gas supply assembly may include a first block connected to the first gas supply pipe part and coupled to the upper lead, and a second block connected to the second gas supply pipe part and coupled to the chamber body.

상기 제1블록은 상기 제1가스공급관부의 가스공급관과 연통되는 제1가스공급유로와 상기 제1가스공급관부의 배기관과 연통되는 제1배기유로가 형성되고, 상기 제2블록은 상기 제2가스공급관부의 가스공급관과 연통되는 제2가스공급유로와 상기 제2가스공급관부의 배기관과 연통되는 제2배기유로가 형성되며, 상기 제1블록 및 상기 제2블록이 서로 결합될 때, 상기 제1가스공급유로 및 상기 제1배기유로는 각각 상기 제2가스공급유로 및 상기 제2배기유로와 서로 연통될 수 있다.The first block is formed with a first gas supply passage communicating with the gas supply pipe of the first gas supply pipe part and a first exhaust passage communicating with the exhaust pipe of the first gas supply pipe part, and the second block is the second block. A second gas supply passage communicating with the gas supply pipe of the gas supply pipe part and a second exhaust passage communicating with the exhaust pipe of the second gas supply pipe part are formed, and when the first block and the second block are coupled to each other, The first gas supply passage and the first exhaust passage may communicate with the second gas supply passage and the second exhaust passage, respectively.

상기 제1블록은 상기 상부리드에 결합되며 상기 제1가스공급관부와 결합되고 제1밀착부재수용부가 형성된 제1본체와; 상기 제1밀착부재수용부에 수용되어 상기 제1본체와 함께 상기 제1가스공급유로 및 상기 제1배기유로를 형성하는 제1밀착부재를 포함하며, 상기 제2블록은 상기 챔버본체에 결합되며 상기 제2가스공급관부와 결합되고 상기 제1본체와 면접하며 제2밀착부재수용부가 형성된 제2본체와; 상기 제2밀착부재수용부에 수용되어 상기 제2본체와 함께 상기 제2가스공급유로 및 상기 제2배기유로를 형성하는 제2밀착부재를 포함할 수 있다.The first block is coupled to the upper lead and coupled to the first gas supply pipe portion and the first body formed with a first contact member receiving portion; A first adhesion member accommodated in the first adhesion member accommodation portion to form the first gas supply passage and the first exhaust passage together with the first body, and the second block is coupled to the chamber body; A second main body coupled to the second gas supply pipe part and in contact with the first main body, and having a second contact member receiving part; It may include a second contact member which is accommodated in the second contact member accommodating portion to form the second gas supply passage and the second exhaust passage with the second body.

상기 제1밀착부재는 상기 제1본체의 제1밀착부재수용부에서 상기 제1블록 및 상기 제2블록가 결합되는 방향으로 이동가능하게 설치될 수 있다.The first contact member may be installed to be movable in a direction in which the first block and the second block are coupled in the first contact member accommodation portion of the first body.

이때, 상기 제1밀착부재는 상기 제1본체의 제1밀착부재수용부에서 선형이동가능하도록 구속부재에 의하여 상기 제1본체에 구속됨과 아울러 탄성부재에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지할 수 있다.In this case, the first contact member may be constrained to the first body by a restraining member and may be pressed outwardly by the elastic member so as to be linearly movable in the first contact member receiving portion of the first body.

상기 제2밀착부재는 상기 제2본체의 제2밀착부재수용부에서 상기 제1블록 및 상기 제2블록의 결합방향으로 이동가능하게 설치될 수 있다.The second contact member may be installed to be movable in the coupling direction of the first block and the second block in the second contact member receiving portion of the second body.

이때, 상기 제2밀착부재는 상기 제2본체의 제2밀착부재수용부에서 선형이동가능하도록 구속부재에 의하여 상기 제2본체에 구속됨과 아울러 탄성부재에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지할 수 있다.At this time, the second contact member may be constrained to the second body by a restraining member and may be pressed outwardly by the elastic member so as to be linearly movable in the second contact member receiving portion of the second body.

상기 제1밀착부재는 상기 제1본체의 제1밀착부재수용부에서 상기 제1블록 및 상기 제2블록가 결합되는 방향으로 이동가능하게 설치되고, 상기 제2밀착부재는 상기 제2본체의 제2밀착부재수용부에서 상기 제1블록 및 상기 제2블록의 결합방향으로 이동가능하게 설치될 수 있다.The first contact member is installed to be movable in the direction in which the first block and the second block is coupled in the first contact member receiving portion of the first body, the second contact member is a second of the second body The contact member accommodating part may be installed to be movable in the coupling direction of the first block and the second block.

이때, 상기 제1밀착부재 및 상기 제2밀착부재는 상기 제1본체의 제1밀착부재수용부 및 상기 제2본체의 제2밀착부재수용부 각각에서 선형이동가능하도록 구속부재에 의하여 상기 제1본체 및 상기 제2본체 각각에 구속됨과 아울러 탄성부재에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지할 수 있다.In this case, the first contact member and the second contact member is the first contact member receiving portion of the first body and the second contact member receiving portion of the second body by the restraining member so as to be linearly movable in each of the second contact member receiving portion of the second body. In addition to being constrained to each of the main body and the second body, it is possible to maintain a state pressed outward by the elastic member.

한편 상기 제1밀착부재 및 상기 제2밀착부재 중 적어도 어느 하나는 상기 밀착부재가 수용되는 각각의 밀착부재수용부에서 해당 밀착부재에 대향하는 상대 블록의 방향으로 이동가능하게 설치될 수 있다.On the other hand, at least one of the first contact member and the second contact member may be installed to be movable in the direction of the mating block facing the contact member in each contact member receiving portion in which the contact member is accommodated.

이때 상기 밀착부재는 상기 본체의 밀착부재수용부에서 선형이동가능하도록 구속부재에 의하여 상기 본체에 구속됨과 아울러 탄성부재에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지할 수 있다.At this time, the close contact member may be constrained to the main body by the restraining member so as to be linearly movable in the close contact member accommodating part of the main body, and may be kept pressed outward by the elastic member.

상기 배기관은 상기 가스공급관의 외주면과 간격을 두고 둘러싸도록 설치될 수 있다.The exhaust pipe may be installed to surround the outer peripheral surface of the gas supply pipe at intervals.

본 발명은 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치에 사용되는 상기 가스공급조립체를 개시한다.The present invention discloses the gas supply assembly for use in a substrate processing apparatus having the above configuration.

본 발명에 따른 기판처리장치의 가스공급조립체 및 그를 가지는 기판처리장치는 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부와 연결되는 가스공급라인을 챔버본체에 결합된 제1가스공급라인 및 상부리드에 결합된 제2가스공급라인으로 분할하고, 분할된 제1가스공급라인 및 제2가스공급라인을 가스공급조립체의 의하여 연결함으로써 가스공급라인이 결합된 상부리드를 챔버본체로부터 자유롭게 분리할 수 있는 이점이 있다.A gas supply assembly of a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus having the same according to the present invention are coupled to a first gas supply line and an upper lead coupled to a chamber main body by a gas supply line connected to a gas supply unit for injecting gas into a processing space. By splitting into a second gas supply line and connecting the divided first gas supply line and the second gas supply line by the gas supply assembly, there is an advantage that the upper lead coupled with the gas supply line can be freely separated from the chamber body. .

특히 상기 가스공급조립체를 상부리드에 결합된 제1블록과 챔버본체에 결합된 제2블록으로 구성하고, 가스공급부에 가스를 공급하는 가스공급관과 연결되는 가스공급유로의 부근에서 가스가 누설되는 경우 누설된 가스를 배기장치로 배기할 수 있는 배기관과 연결되는 배기유로를 형성함으로써 가스공급라인에서 가스의 누설을 방지하여 기판처리장치의 주변에 대한 오염을 방지할 수 있다.In particular, when the gas supply assembly is composed of a first block coupled to the upper lead and the second block coupled to the chamber body, the gas leaks in the vicinity of the gas supply passage connected to the gas supply pipe for supplying gas to the gas supply unit By forming an exhaust passage connected to the exhaust pipe for exhausting the leaked gas to the exhaust device, it is possible to prevent the leakage of gas in the gas supply line to prevent contamination of the surroundings of the substrate processing apparatus.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2a는 도 1의 기판처리장치에 설치된 가스공급조립체를 보여주는 단면도이다.
도 2b는 도 1의 기판처리장치에 결합되는 방향에서 본 도 2a의 가스공급조립체의 단면도이다.
도 2c는 도 2a의 가스공급조립체에서 상부리드 및 챔버본체의 분리에 의하여 제1블록 및 제2블록이 서로 분리된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2a의 가스조립체의 제1블록의 밀착부재를 보여주는 저면도이다.
도 4는 도 2a의 가스조립체의 제1블록의 밀착부재를 보여주는 상면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
2A is a cross-sectional view illustrating a gas supply assembly installed in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 2B is a cross-sectional view of the gas supply assembly of FIG. 2A seen in the direction of coupling to the substrate processing apparatus of FIG. 1.
2C is a cross-sectional view illustrating a state in which the first block and the second block are separated from each other by separation of the upper lead and the chamber body in the gas supply assembly of FIG. 2A.
FIG. 3 is a bottom view illustrating the adhesion member of the first block of the gas assembly of FIG. 2A.
FIG. 4 is a top view illustrating the adhesion member of the first block of the gas assembly of FIG. 2A.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치의 가스공급조립체 및 그를 가지는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a gas supply assembly of a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus having the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 기판처리장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 탈착가능하게 결합되어 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(120) 및 상부리드(110)와; 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치와 가스공급관부(190)에 의하여 연결되어 처리공간(S)으로 가스를 공급하는 가스공급부(140)와; 챔버본체(120)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention includes a chamber main body 120 and an upper lead 110 which are detachably coupled to each other to form a processing space S for substrate processing; A gas supply unit 140 installed at an upper side of the processing space S and connected to the gas supply apparatus and the gas supply pipe part 190 to supply gas to the processing space S; It is installed on the chamber body 120 includes a substrate support 130 for supporting the substrate 10.

상기 챔버본체(120) 및 상부리드(110)는 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며 크레인 등의 탈착기구에 의하여 서로 탈착가능하게 결합된다.The chamber body 120 and the upper lead 110 may be any configuration as long as it can form a processing space (S) for substrate processing and is detachably coupled to each other by a detachment mechanism such as a crane.

여기서 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판(10)의 표면을 식각하거나, 증착하는 등 기판처리를 수행하기 위한 장치로서, 반도체소자를 제조하기 위한 웨이퍼, 사각형상 등 직사각형으로 형성되는 LCD 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등의 표면을 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 기판처리를 수행하도록 구성될 수 있다.Here, the substrate treating apparatus according to the present invention is a device for performing a substrate treatment, such as etching or depositing the surface of the substrate 10, the glass for the LCD panel is formed in a rectangle, such as a wafer, a rectangular shape for manufacturing a semiconductor device The surface of the substrate, the solar cell substrate and the like may be configured to perform a substrate treatment by forming a plasma in a vacuum state.

이때 상기 챔버본체(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 형상에 대응되어 실질적으로 수평형상이 실질적으로 원형 또는 직사각형의 형상을 가질 수 있다.In this case, as shown in FIG. 1, the chamber body 120 may correspond to the shape of the substrate 10 and have a substantially circular or substantially rectangular shape.

상기 챔버본체(120)는 기판(10)의 입출을 위한 게이트(121)가 측면에 하나 이상 형성될 수 있으며, 처리공간(S) 내에 압력제어 및 배기를 위하여 배기장치(미도시)와 연결되는 배기구(180)가 설치될 수 있다.The chamber body 120 may be formed with one or more gates 121 for entering and exiting the substrate 10 and connected to an exhaust device (not shown) for pressure control and exhaust in the processing space S. An exhaust port 180 may be installed.

상기 가스공급부(140)는 요구되는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 상부리드(110) 및 챔버본체(120) 중 적어도 어느 하나에 결합되어 설치될 수 있다.The gas supply unit 140 may be configured in various ways according to the substrate processing required, and may be installed in combination with at least one of the upper lead 110 and the chamber body 120.

한편 상기 기판처리장치(100)는 처리공간(S)에 플라즈마를 형성하도록 전원이 인가될 수 있는데 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.On the other hand, the substrate processing apparatus 100 may be applied with power to form a plasma in the processing space (S), various configurations are possible according to the power application method.

예를 들면, 가스공급부(140)는 RF전원이 인가되고, 기판지지대(130) 내에 전극부재(미도시)를 설치하고 전극부재가 접지될 수 있다. 또한 그 반대로 가스공급부(140)는 접지되고, 전극부재는 RF전원이 인가될 수 있다.For example, the gas supply unit 140 may receive RF power, install an electrode member (not shown) in the substrate support 130, and ground the electrode member. On the contrary, the gas supply unit 140 may be grounded, and the electrode member may be applied with RF power.

또한 가스공급부(140)는 물론 전극부재 각각에 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원이 인가될 수 있다.In addition, an RF power source having a different frequency may be applied to each of the electrode members as well as the gas supply unit 140.

한편 상기 기판처리장치(100)는 장치의 유지보수를 위하여 챔버본체(120)로부터 상부리드(110)를 분리할 필요가 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus 100 needs to separate the upper lead 110 from the chamber body 120 in order to maintain the apparatus.

그런데 상기 상부리드(110)의 하측에 설치된 가스공급부(140)와 연결되는 가스공급관부(190)의 일부, 즉 제1가스공급관부(190a)가 상부리드(110)에 설치되어 있어, 챔버본체(120)로부터 상부리드(110)가 분리될 때 상부리드(110)에 설치된 제1가스공급관부(190a)와 가스공급관부(190)의 나머지, 즉 제2가스공급관부(190b)로 분리될 필요가 있다.However, a part of the gas supply pipe part 190 connected to the gas supply part 140 installed below the upper lead 110, that is, the first gas supply pipe part 190a is installed at the upper lead 110, and thus, the chamber body. When the upper lead 110 is separated from the 120, the first gas supply pipe part 190a installed in the upper lead 110 and the rest of the gas supply pipe part 190, that is, the second gas supply pipe part 190b may be separated. There is a need.

따라서 상기 가스공급관부(190)는 제1가스공급관부(190a) 및 제2가스공급관부(190b)로 분할되어 구성되며, 제1가스공급관부(190a) 및 제2가스공급관부(190b)는 결합시에 누설없이 가스가 전달될 수 있도록 가스공급조립체(200)에 의하여 서로 탈착가능하게 연결된다.Therefore, the gas supply pipe part 190 is divided into a first gas supply pipe part 190a and a second gas supply pipe part 190b, and the first gas supply pipe part 190a and the second gas supply pipe part 190b are Removably connected to each other by the gas supply assembly 200 so that the gas can be delivered without leakage at the time of coupling.

도 2a는 도 1의 기판처리장치에 설치된 가스공급조립체를 보여주는 단면도이고, 도 2b는 도 1의 기판처리장치에 결합되는 방향에서 본 도 2a의 가스공급조립체의 단면도이고, 도 2c는 도 2a의 가스공급조립체에서 상부리드 및 챔버본체의 분리에 의하여 제1블록 및 제2블록이 서로 분리된 상태를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2a의 가스조립체의 제1블록의 밀착부재를 보여주는 저면도이고, 도 4는 도 2a의 가스조립체의 제1블록의 밀착부재를 보여주는 상면도이다.2A is a cross-sectional view illustrating a gas supply assembly installed in the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the gas supply assembly of FIG. 2A viewed in a direction coupled to the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a first block and a second block are separated from each other by separation of an upper lead and a chamber main body from a gas supply assembly, and FIG. 3 is a bottom view showing an adhesion member of a first block of the gas assembly of FIG. 2A. 4 is a top view illustrating an adhesive member of the first block of the gas assembly of FIG. 2A.

상기 제1가스공급관부(190a) 및 제2가스공급관부(190b)로 분할되는 가스공급관부(190)는 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 외부에 설치된 가스공급장치(170)와 연결되어 처리공간(S)의 상측에 설치된 가스공급부(140)로 가스를 공급하는 가스공급관(191)과, 배기장치(160)와 연결되어 가스공급관(191)에서 누출되는 가스를 배기하는 배기관(192)을 포함하는 가스공급관부(190)를 포함할 수 있다.The gas supply pipe part 190 divided into the first gas supply pipe part 190a and the second gas supply pipe part 190b is connected to the gas supply device 170 installed outside as illustrated in FIGS. 2A to 2C. And a gas supply pipe 191 for supplying gas to the gas supply unit 140 installed above the processing space S, and an exhaust pipe 192 connected to the exhaust device 160 to exhaust the gas leaked from the gas supply pipe 191. It may include a gas supply pipe section 190 including a).

상기 가스공급관(191)은 가스공급부(140)에 연결되어 처리공간(S)으로 가스를 공급하기 위한 구성으로서 가스를 공급할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The gas supply pipe 191 is connected to the gas supply unit 140 and any configuration may be used as long as it is a configuration for supplying gas to the processing space S.

상기 배기관(192)은 가스공급관(191)에서 누설되는 가스를 외부로 누출되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The exhaust pipe 192 is configured to prevent leakage of the gas leaking from the gas supply pipe 191 to the outside, and various configurations are possible.

특히 상기 배기관(192)은 가스공급관(191)에서 누설되는 가스를 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여 가스가 누설될 수 있는 지점, 즉, 가스공급관(191)이 분할된 상태에서 연결된 지점 또는 챔버본체(120), 상부리드(110) 등과의 연결되는 부위 등에 연결됨이 바람직하다.In particular, the exhaust pipe 192 is a point where the gas can leak in order to prevent the leakage of the gas leaking from the gas supply pipe 191, that is, the point or chamber body connected in the divided state of the gas supply pipe 191 120, the upper lead 110 and the like is preferably connected to the connection.

특히 상기 배기관(192)은 가스공급관(191)의 외주면과 간격을 두고 둘러싸도록 설치되고 가스공급관부(190)를 이중관 형태로 구성될 수 있다. In particular, the exhaust pipe 192 is installed so as to surround the outer peripheral surface of the gas supply pipe 191 and may be configured in the form of a double pipe gas supply pipe 190.

물론 상기 배기관(192)은 가스공급관(191)이 분할된 상태에서 연결된 지점에서만 연통되도록 설치되고 배기관(192)과는 별도로 설치될 수 있다.Of course, the exhaust pipe 192 may be installed so as to communicate only at the point where the gas supply pipe 191 is connected in a divided state, and may be installed separately from the exhaust pipe 192.

여기서 상기 가스공급관(191) 및 배기관(192), 특히 배기관(192)은 상부리드(110) 및 챔버본체(120)의 탈착에 따라서 그 길이방향으로 그 변형이 요구되는바 신축성 있는 재질 또는 주름관과 같이 신축가능한 구조를 가지는 것이 바람직하다.Here, the gas supply pipe 191 and the exhaust pipe 192, in particular the exhaust pipe 192 is the elastic material or corrugated pipe and its deformation is required in the longitudinal direction according to the detachment of the upper lead 110 and the chamber body 120 It is desirable to have a flexible structure as well.

상기 가스공급조립체(200)는 제1가스공급관부(190a) 및 제2가스공급관부(190b)가 결합될 때 누설없이 가스가 전달될 수 있도록 제1가스공급관부(190a) 및 제2가스공급관부(190b)를 결합시키기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply assembly 200 supplies the first gas supply pipe part 190a and the second gas so that the gas can be delivered without leakage when the first gas supply pipe part 190a and the second gas supply pipe part 190b are combined. As a configuration for coupling the tube 190b, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스공급조립체(200)는 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 제1가스공급관부(190a)와 연결되며 상부리드(110)에 결합되는 제1블록(210)과, 제2가스공급관부(190b)와 연결되며 챔버본체(120)에 결합되는 제2블록(220)을 포함할 수 있다.For example, the gas supply assembly 200 may be connected to the first gas supply pipe 190a and coupled to the upper lead 110, as shown in FIGS. 2A to 2C. It may include a second block 220 connected to the second gas supply pipe part 190b and coupled to the chamber body 120.

상기 제1블록(210)은 상부리드(110)의 측벽에 고정결합되며, 제1가스공급관부(190a)의 가스공급관(191)과 연통되는 제1가스공급유로(214a)와 제1가스공급관부(190a)의 배기관(192)과 연통되는 제1배기유로(215a)가 형성된다.The first block 210 is fixedly coupled to the side wall of the upper lead 110, and the first gas supply passage 214a and the first gas supply communicated with the gas supply pipe 191 of the first gas supply pipe 190a. The first exhaust passage 215a is formed in communication with the exhaust pipe 192 of the pipe section 190a.

그리고 상기 제2블록(220)은 챔버본체(120)의 측벽에 고정결합되며, 제2가스공급관부(190b)의 가스공급관(191)과 연통되는 제2가스공급유로(214b)와 제2가스공급관부(190b)의 배기관(192)과 연통되는 제2배기유로(215b)가 형성된다.The second block 220 is fixedly coupled to the side wall of the chamber body 120 and communicates with the gas supply pipe 191 of the second gas supply pipe part 190b and the second gas supply passage 214b and the second gas. A second exhaust passage 215b is formed in communication with the exhaust pipe 192 of the supply pipe 190b.

이때 상기 제1블록(210) 및 제2블록(220)이 서로 결합될 때, 제1가스공급유로(214a) 및 제1배기유로(215a)는 각각 제2가스공급유로(214b) 및 제2배기유로(215b)와 서로 연통된다.At this time, when the first block 210 and the second block 220 are coupled to each other, the first gas supply passage 214a and the first exhaust passage 215a are respectively the second gas supply passage 214b and the second gas passage 214b. The exhaust passage 215b communicates with each other.

한편 상기 제1블록(210)은 상부리드(110)에 결합되며 제1가스공급관부(190a)와 결합되며 제1밀착부재수용부(213)가 형성된 제1본체(211)와; 제1밀착부재수용부(213)에 수용되어 제1본체(211)와 함께 제1가스공급유로(214a) 및 제1배기유로(215a)를 형성하는 제1밀착부재(212)를 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the first block 210 is coupled to the upper lead 110 and coupled to the first gas supply pipe portion 190a and the first body 211 formed with a first contact member receiving portion 213; The first contact member 212 is accommodated in the first contact member accommodating part 213 to form a first gas supply passage 214a and a first exhaust passage 215a together with the first body 211. Can be.

그리고 상기 제2블록(220)은 챔버본체(120)에 결합되며 제2가스공급관부(190b)와 결합되고 제1본체(210)와 면접하며 제2밀착부재수용부(223)가 형성된 제2본체(221)와; 제2밀착부재수용부(223)에 수용되어 제2본체(221)와 함께 제2가스공급유로(214b) 및 제1배기유로(215b)를 형성하는 밀착부재(222)를 포함할 수 있다.The second block 220 is coupled to the chamber main body 120 and is coupled to the second gas supply pipe part 190b, interviews the first main body 210, and has a second contact member accommodating part 223. A main body 221; A contact member 222 may be included in the second contact member accommodating part 223 to form a second gas supply passage 214b and a first exhaust passage 215b together with the second body 221.

상기 제1블록(210) 및 제2블록(220)를 구성하는 제1본체(211) 및 제2본체(221)는 각각 상부리드(110) 또는 챔버본체(120)에 결합되어 가스공급유로(214a, 214b) 및 배기유로(215a, 215b)를 형성할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 그 재질은 처리가스의 종류에 따라서 달라질 수 있다.The first body 211 and the second body 221 constituting the first block 210 and the second block 220 are respectively coupled to the upper lead 110 or the chamber body 120 to supply a gas supply passage ( Any configuration can be used as long as it can form 214a, 214b and exhaust passages 215a, 215b, and the material can vary depending on the type of processing gas.

한편 상기 제1밀착부재(212) 및 제2밀착부재(222)는 제1본체(211) 및 제2본체(221)와 함께 가스공급유로(214a, 214b) 및 배기유로(215a, 215b)를 형성하는 구성으로서 어떠한 구성도 가능하며, 그 재질은 처리가스의 종류에 따라서 달라질 수 있다.On the other hand, the first contact member 212 and the second contact member 222 together with the first body 211 and the second body 221, the gas supply passage (214a, 214b) and the exhaust passage (215a, 215b) Any configuration may be used as the configuration to be formed, and the material may vary depending on the type of processing gas.

여기서 상기 가스공급유로(214a, 214b)들은 도 2a 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1블록(210) 및 제2블록(220)의 중앙부에 위치시키고, 배기유로(215a, 215b)들은 가스공급유로(214a, 214b)의 주변부에서 서로 연통된다.Here, the gas supply passages 214a and 214b are positioned at the centers of the first block 210 and the second block 220, as shown in FIGS. 2A to 4, and the exhaust passages 215a and 215b are gasses. It communicates with each other at the periphery of the supply passages 214a and 214b.

상기 배기유로(215a, 215b)들은 가스공급유로(214a, 214b)의 주변부에서 다양한 구조에 의하여 서로 연통될 수 있으며, 도 2a 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 밀착부재(212, 222)들의 외면에 서로 연결되는 요홈(261, 262, 263, 264)들을 형성함으로써 형성될 수 있다.The exhaust passages 215a and 215b may be communicated with each other by various structures at the periphery of the gas supply passages 214a and 214b, and as shown in FIGS. 2A to 4, outer surfaces of the contact members 212 and 222. It can be formed by forming the grooves (261, 262, 263, 264) connected to each other in the.

상기 요홈(261, 262, 263, 264)들은 밀착부재(212, 222)들 이외에 제1블록(210) 및 제2블록(220)의 내측, 특히 본체(211, 221) 및 밀착부재(212, 222) 사이에 형성될 수 있다.The grooves 261, 262, 263, and 264 may be formed inside the first block 210 and the second block 220 in addition to the contact members 212 and 222, in particular, the main bodies 211, 221 and the contact member 212. 222 can be formed between.

또한 상기 배기유로(215a, 215b)는 본체(211, 221)의 중앙을 상하로 관통하는 관통공을 형성하여 형성될 수 있다.In addition, the exhaust passages 215a and 215b may be formed by forming through holes penetrating vertically through the centers of the main bodies 211 and 221.

한편 상기 제1밀착부재(212)는 제1블록(210) 및 제2블록(220)이 서로 밀착되어 결합될 수 있도록 제1본체(211)의 제1밀착부재수용부(213)에서 제1블록(211) 및 제2블록(221)의 결합방향으로 이동가능하게 설치됨이 바람직하다.On the other hand, the first contact member 212 in the first contact member receiving portion 213 of the first body 211 so that the first block 210 and the second block 220 are in close contact with each other, the first Preferably, the block 211 and the second block 221 are installed to be movable in the coupling direction.

예를 들면, 상기 제1밀착부재(212)는 제1본체(211)의 제1밀착부재수용부(213)에서 선형이동가능하도록 제1본체(211)에 구속부재(216)에 의하여 구속됨과 아울러 탄성부재(217)에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지하도록 구성될 수 있다.For example, the first contact member 212 is constrained by the restraining member 216 to the first body 211 so as to be linearly movable in the first contact member accommodating portion 213 of the first body 211. In addition, it may be configured to maintain a state pressed outward by the elastic member 217.

상기 구속부재(216)는 제1밀착부재(212)를 제1본체(211)에 결합된 상태를 유지하기 위한 구성으로서, 제1밀착부재(212)에 상하로 관통하도록 형성된 관통공(219)에 이동가능하게 삽입되어 제1본체(211)에 결합되는 볼트로 구성될 수 있다.The restraining member 216 is a structure for maintaining the state in which the first contact member 212 is coupled to the first body 211, and has a through hole 219 formed to penetrate the first contact member 212 up and down. It may be configured as a bolt that is movably inserted into and coupled to the first body 211.

상기 탄성부재(217)는 제1본체(221) 및 제1밀착부재(212) 사이에 설치되어 제1밀착부재(212)에 대하여 탄성력을 가하는 부재로서, 코일스프링 등이 사용될 수 있다.The elastic member 217 is installed between the first body 221 and the first contact member 212 to apply an elastic force to the first contact member 212, a coil spring may be used.

한편 상기 제1블록(210) 및 제2블록(220)이 접촉되는 면에는 가스의 누설을 방지하기 위하여 하나 이상의 오링(231, 232, 233)이 설치될 수 있다.Meanwhile, one or more O-rings 231, 232, and 233 may be installed on the surface where the first block 210 and the second block 220 contact each other to prevent leakage of gas.

즉, 상기 제1본체(211) 및 제2본체(221) 사이 및 제1밀착부재(212) 및 제2밀착부재(222) 사이에 오링이 설치될 수 있다.That is, the O-ring may be installed between the first body 211 and the second body 221 and between the first contact member 212 and the second contact member 222.

한편 상기 제1밀착부재(212)가 제1본체(211)의 제1밀착부재수용부(213)에서 제1블록(211) 및 제2블록(221)의 결합방향으로 이동가능하게 설치되는 상기와 같은 구성은 제2밀착부재(222)에도 동일하게 적용될 수 있다.On the other hand, the first contact member 212 is installed to be movable in the coupling direction of the first block 211 and the second block 221 in the first contact member receiving portion 213 of the first body 211 Such a configuration may be equally applied to the second contact member 222.

여기서 상기 밀착부재(212, 222)가 본체(211, 221)의 밀착부재수용부(213, 223)에서 이동가능하게 설치되는 구성은 어느 한쪽, 즉 제1블록(210) 및 제2블록(220)에 설치되거나, 모두에 설치될 수 있다.In this case, the contact members 212 and 222 are installed to be movable in the contact member accommodating parts 213 and 223 of the main body 211 and 221, that is, the first block 210 and the second block 220. ), Or both.

즉, 상기 제1밀착부재(212) 및 제2밀착부재(222) 중 적어도 어느 하나는 밀착부재(212, 222)들이 수용되는 각각의 밀착부재수용부(213, 223)에서 해당 밀착부재(212, 222)에 대향하는 상대 블록(210, 220)의 방향으로 이동가능하게 설치될 수 있다.That is, at least one of the first contact member 212 and the second contact member 222 may be a corresponding contact member 212 at each contact member accommodating part 213, 223 in which the contact member 212, 222 is accommodated. , 222 may be installed to be movable in the direction of the counter blocks 210 and 220.

그리고 상기 밀착부재(212, 222)는 본체(211, 221)의 밀착부재수용부(213, 223)에서 선형이동가능하도록 구속부재에 의하여 본체(211, 221)에 구속됨과 아울러 탄성부재에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지할 수 있다.In addition, the contact members 212 and 222 are constrained to the main bodies 211 and 221 by the restraining member so as to be linearly movable in the contact member accommodating parts 213 and 223 of the main bodies 211 and 221 and the outer side by the elastic member. Pressurized state can be maintained.

상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치에서 가스공급조립체의 작동과정에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation process of the gas supply assembly in the substrate processing apparatus having the above configuration in detail as follows.

먼저 상기 기판처리장치(100)가 기판처리를 수행하는 경우 챔버본체(120)에 상부리드(110)가 결합된 상태를 유지하며, 가스공급조립체(200)에서 제1블록(210) 및 제2블록(220)은 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은 상태를 유지한다.First, when the substrate processing apparatus 100 performs substrate processing, the upper lead 110 is maintained in the chamber body 120, and the first block 210 and the second block in the gas supply assembly 200. Block 220 remains in the state as shown in FIGS. 2A and 2B.

이때 오링의 마모나 파손에 의하여 제1블록(210) 및 제2블록(220)의 접하는 면에서 가스가 누설되는 경우 그 주변에 배치된 배기유로(215a, 215b)가 형성됨으로써 누설된 가스는 배기유로(215a, 215b)를 따라서 배기장치(160)로 배출됨으로써 가스공급조립체(200)의 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있게 된다.At this time, when the gas leaks from the contact surface of the first block 210 and the second block 220 due to the wear or breakage of the O-ring, the exhaust flow paths 215a and 215b disposed around are formed to exhaust the leaked gas. By being discharged to the exhaust device 160 along the flow paths 215a and 215b, leakage to the outside of the gas supply assembly 200 may be prevented.

한편 기판처리장치(100)의 내부, 즉 정전척, 라이너 교체 등 기판처리장치(100)의 내부에 설치된 유지보수가 필요한 경우, 챔버본체(120)에 결합된 상부리드(110)를 분리한다.On the other hand, when maintenance is required inside the substrate processing apparatus 100, that is, the inside of the substrate processing apparatus 100, such as electrostatic chuck and liner replacement, the upper lead 110 coupled to the chamber body 120 is separated.

이때 상기 가스공급조립체(200)는 도 2c에 도시된 바와 같이, 상부리드(110)에 결합된 제1블록(210) 및 챔버본체(120)에 결합된 제2블록(220)이 분리된다.In this case, as shown in FIG. 2C, the gas supply assembly 200 is separated from the first block 210 coupled to the upper lead 110 and the second block 220 coupled to the chamber body 120.

그리고 상기 상부리드(110)가 챔버본체(120)에 재결합될 때, 제1블록(210) 및 제2블록(220) 또한 밀접하게 결합된다.When the upper lead 110 is recombined with the chamber body 120, the first block 210 and the second block 220 are also closely coupled.

보다 구체적으로 살펴보면, 상부리드(110)가 챔버본체(120)에 결합되면서 하강하게 되면, 제1블록(210) 또한 제2블록(220)으로 접근하여 서로 밀착된다.In more detail, when the upper lead 110 is lowered while being coupled to the chamber body 120, the first block 210 also approaches the second block 220 and is in close contact with each other.

여기서 상기 제1블록(210)에 설치된 제1밀착부재(212)는 도 2c에 도시된 바와 같이, 탄성부재(217)의 가압에 의하여 외측으로 더 돌출된 상태에서 제2블록(220)과의 접촉에 의하여 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1밀착부재(212)가 상측으로 밀려 올라가면서 제1밀착부재(212) 및 제2밀착부재(222)가 서로 밀착된다.Here, as shown in FIG. 2C, the first contact member 212 installed in the first block 210 is further protruded to the outside by the pressing of the elastic member 217, and the second contact member 220 is disposed on the first block 210. As shown in FIG. 2A, the first contact member 212 and the second contact member 222 are brought into close contact with each other as the first contact member 212 is pushed upward.

상기와 같은 구성에 의하여 상부리드(110)가 챔버본체(120)로부터 분리될 때 가스공급부(140)로의 가스공급을 위한 가스공급관부(190) 또한 가스의 누설 우려없이 분리 및 결합을 가능하게 한다.
By the above configuration, when the upper lead 110 is separated from the chamber body 120, the gas supply pipe part 190 for gas supply to the gas supply part 140 also enables separation and coupling without fear of gas leakage. .

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 기판처리장치
200 : 가스공급조립체
210 : 제1블록 220 : 제2블록
100: substrate processing apparatus
200: gas supply assembly
210: first block 220: second block

Claims (8)

서로 탈착가능하게 결합되어 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 상부리드와, 상기 처리공간의 상측에 설치되는 가스공급부를 포함하는 기판처리장치로서,
상기 기판처리장치는 외부에 설치된 가스공급장치와 연결되어 상기 처리공간의 상측에 설치된 상기 가스공급부로 가스를 공급하는 가스공급관과, 배기장치와 연결되어 상기 가스공급관에서 누출되는 가스를 배기하는 배기관을 포함하는 가스공급관부를 포함하며;
상기 가스공급관부는 제1가스공급관부 및 제2가스공급관부로 분할되며, 상기 제1가스공급관부 및 제2가스공급관부는 가스공급조립체에 의하여 서로 탈착가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A substrate processing apparatus comprising a chamber main body and an upper lead detachably coupled to each other to form a processing space for processing a substrate, and a gas supply unit disposed above the processing space.
The substrate processing apparatus includes a gas supply pipe connected to an external gas supply device to supply gas to the gas supply unit installed above the processing space, and an exhaust pipe connected to an exhaust device to exhaust the gas leaked from the gas supply pipe. It includes a gas supply pipe portion comprising;
And the gas supply pipe part is divided into a first gas supply pipe part and a second gas supply pipe part, and the first gas supply pipe part and the second gas supply pipe part are detachably connected to each other by a gas supply assembly.
청구항 1에 있어서,
상기 가스공급조립체는 상기 제1가스공급관부와 연결되며 상기 상부리드에 결합되는 제1블록과, 상기 제2가스공급관부와 연결되며 상기 챔버본체에 결합되는 제2블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 1,
The gas supply assembly includes a first block connected to the first gas supply pipe part and coupled to the upper lead, and a second block connected to the second gas supply pipe part and coupled to the chamber body. Substrate processing apparatus.
청구항 2에 있어서,
상기 제1블록은 상기 제1가스공급관부의 가스공급관과 연통되는 제1가스공급유로와 상기 제1가스공급관부의 배기관과 연통되는 제1배기유로가 형성되고, 상기 제2블록은 상기 제2가스공급관부의 가스공급관과 연통되는 제2가스공급유로와 상기 제2가스공급관부의 배기관과 연통되는 제2배기유로가 형성되며,
상기 제1블록 및 상기 제2블록이 서로 결합될 때, 상기 제1가스공급유로 및 상기 제1배기유로는 각각 상기 제2가스공급유로 및 상기 제2배기유로와 서로 연통되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 2,
The first block is formed with a first gas supply passage communicating with the gas supply pipe of the first gas supply pipe part and a first exhaust passage communicating with the exhaust pipe of the first gas supply pipe part, and the second block is the second block. A second gas supply passage communicating with the gas supply pipe of the gas supply pipe part and a second exhaust passage communicating with the exhaust pipe of the second gas supply pipe part are formed;
When the first block and the second block are combined with each other, the first gas supply passage and the first exhaust passage communicate with each other with the second gas supply passage and the second exhaust passage, respectively. Processing unit.
청구항 3에 있어서,
상기 제1블록은 상기 상부리드에 결합되며 상기 제1가스공급관부와 결합되고 제1밀착부재수용부가 형성된 제1본체와; 상기 제1밀착부재수용부에 수용되어 상기 제1본체와 함께 상기 제1가스공급유로 및 상기 제1배기유로를 형성하는 제1밀착부재를 포함하며,
상기 제2블록은 상기 챔버본체에 결합되며 상기 제2가스공급관부와 결합되고 상기 제1본체와 면접하며 제2밀착부재수용부가 형성된 제2본체와; 상기 제2밀착부재수용부에 수용되어 상기 제2본체와 함께 상기 제2가스공급유로 및 상기 제2배기유로를 형성하는 제2밀착부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 3,
The first block is coupled to the upper lead and coupled to the first gas supply pipe portion and the first body formed with a first contact member receiving portion; A first adhesion member accommodated in the first adhesion member accommodation portion to form the first gas supply passage and the first exhaust passage together with the first body;
The second block is coupled to the chamber body, the second body is coupled to the second gas supply pipe portion, the first body and the first body and the second contact member receiving portion is formed; And a second adhesive member accommodated in the second adhesive member accommodating part to form the second gas supply passage and the second exhaust passage together with the second body.
청구항 4에 있어서,
상기 제1밀착부재 및 상기 제2밀착부재 중 적어도 어느 하나는 상기 밀착부재가 수용되는 각각의 밀착부재수용부에서 해당 밀착부재에 대향하는 상대 블록의 방향으로 이동가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4,
At least one of the first contact member and the second contact member is disposed so as to be movable in a direction of a counter block facing the contact member at each contact member accommodation portion in which the contact member is accommodated. Device.
청구항 5에 있어서,
상기 밀착부재는 상기 본체의 밀착부재수용부에서 선형이동가능하도록 구속부재에 의하여 상기 본체에 구속됨과 아울러 탄성부재에 의하여 외측으로 가압된 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 5,
And the adhesion member is constrained to the main body by a restraining member so as to be linearly movable in the adhesion member receiving portion of the main body, and maintains a state in which the adhesion member is pressed outward by the elastic member.
청구항 1에 있어서,
상기 배기관은 상기 가스공급관의 외주면과 간격을 두고 둘러싸도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 1,
The exhaust pipe is a substrate processing apparatus, characterized in that it is installed so as to surround the outer peripheral surface of the gas supply pipe at intervals.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 청구항에 따른 기판처리장치에 사용되는 상기 가스공급조립체.The gas supply assembly for use in a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20200056048A (en) * 2018-11-14 2020-05-22 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus
KR20200067310A (en) * 2018-12-03 2020-06-12 주식회사 원익아이피에스 Gas supply block and apparatus for treating substrate

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