KR20200067310A - Gas supply block and apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a gas supply block and a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, a gas supply block is inserted into a process chamber wall and supplies gas flowing from the bottom of a process chamber to the top of the process chamber. The gas supply block comprises: a block body having at least one through hole penetrating from the top to the bottom on the inside thereof and having a protrusion formed on a stepped portion of the process chamber wall around the top; and at least one gas supply conduit inserted into the through hole and having the upper circumference being welded to the upper end of the through hole and the lower end being withdrawn outside the lower end of the through hole.

Description

가스 공급 블록 및 가스 공급 블록을 포함하는 기판 처리 장치{GAS SUPPLY BLOCK AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Gas supply block and substrate processing apparatus including gas supply block {GAS SUPPLY BLOCK AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 가스 공급 블록 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판 처리 장치의 공정 챔버로 공정 가스 공급 시 불순물 생성이 억제되고 유지 보수가 용이한 가스 공급 블록 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply block and a substrate processing apparatus, and more particularly, to the gas supply block and the substrate processing apparatus including the same, the generation of impurities is suppressed when the process gas is supplied to the process chamber of the substrate processing apparatus and maintenance is easy It is about.

기판 처리 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내부로 가스를 주입하는 샤워 헤드, 공정 챔버 내부에 공급될 가스를 저장하는 가스 공급원과 샤워 헤드 사이에 연결되는 가스 공급 블록을 포함할 수 있다. 일반적인 가스 공급 블록은 내부에 드릴 가공을 통해 가스가 이동할 수 있는 경로를 구비한다. 그런데, 드릴 가공 공정이 정밀하지 않으면 경로 내면이 거칠어질 수 있다. 또한, 가공중에 발생되는 잔여물이 경로 내에 존재하거나, 추후 경로 상에 가스가 이동되는 경우, 경로 내부에 잔여물들이 가스에 포함되는 문제점이 있다. The substrate processing apparatus may include a process chamber, a shower head for injecting gas into the process chamber, and a gas supply block connected between a gas supply source for storing gas to be supplied inside the process chamber and the shower head. The general gas supply block has a path through which gas can be moved through drilling. However, if the drilling process is not precise, the inner surface of the path may be rough. In addition, when the residue generated during processing exists in the path, or when the gas is moved on the path later, there is a problem that the residue is included in the gas in the path.

따라서, 본 발명의 목적은 가스 공급 블록 내부의 이물질 발생을 줄일 수 있는 가스 공급 블록 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a gas supply block and a substrate processing apparatus including the same, which can reduce the generation of foreign substances inside the gas supply block.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정 챔버 벽에 삽입되며 공정 챔버의 하부에서 유입되는 가스를 공정 챔버 상부로 공급하는 가스 공급 블록에 있어서, 내측에 상단에서 하단으로 관통하는 관통공을 적어도 하나 구비하며, 상단 둘레에는 공정 챔버 벽의 단턱부에 안착되기 위한 돌출부가 형성되어 있는 블록 바디, 및 관통공에 각각 삽입되며, 상단 둘레가 관통공의 상단과 용접 결합되고, 하단이 관통공의 하단 외측으로 인출되는 적어도 하나의 가스 공급 도관을 포함하는 가스 공급 블록이 제공된다. According to an embodiment of the present invention, in a gas supply block that is inserted into the process chamber wall and supplies gas flowing from the bottom of the process chamber to the top of the process chamber, at least one through hole penetrating from top to bottom inside is provided. And, the upper circumference is inserted into the block body, which is formed with protrusions for seating on the stepped portion of the process chamber wall, and the through hole, the upper circumference is welded to the top of the through hole, and the bottom is outside the bottom of the through hole. A gas supply block is provided which includes at least one gas supply conduit drawn out.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판이 처리될 내부 처리 공간을 형성하는 공정 챔버, 내부 처리 공간에 구비되며 기판을 지지하는 기판 지지대 내부 처리 공간으로 가스를 공급하는 샤워 헤드, 샤워 헤드로 가스를 공급하는 가스 피딩부, 공정 챔버 상부와 가스 피딩부 사이에 구비되어 내부 공간을 밀폐시키는 챔버 리드 및 샤워헤드와 챔버 리드의 유로를 연결하여 가스를 공급하는 가스 피딩부와, 가스 피딩부와 연결되며 공정 챔버에 내삽되는 청구항 1항 내지 8항의 가스 공급 블록을 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다. According to an embodiment of the present invention, a process chamber for forming an internal processing space in which a substrate is to be processed, a shower head provided in the internal processing space and supplying gas to a processing space inside the substrate support for supporting the substrate, and gas to the shower head The gas feeding part is provided between the gas feeding part, the upper part of the process chamber and the gas feeding part, and the gas lead part for supplying gas by connecting the flow path of the chamber lead and the shower head and the chamber lead to seal the inner space, and the gas feeding part, A substrate processing apparatus comprising the gas supply blocks of claims 1 to 8 interpolated into a process chamber is provided.

본 발명의 일 측면에 따르면, 가스 공급 블록의 이물질 발생을 최소화하는 것이 가능하게 된다. According to one aspect of the present invention, it is possible to minimize the occurrence of foreign matter in the gas supply block.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 블록을 설명하기 위한 반도체 공정 챔버의 예를 개략적으로 도시한 도면.
도 2 내지 도 8은 도 1에 도시된 따른 가스 공급 블록의 구체적인 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view schematically showing an example of a semiconductor process chamber for explaining a gas supply block according to an embodiment of the present invention.
2 to 8 are views for explaining a specific example of the gas supply block according to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 블록을 설명하기 위한 공정 챔버의 예를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing an example of a process chamber for explaining a gas supply block according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 공정 챔버(100)는 공정 챔버벽(110), 기판 지지대(120), 샤워 헤드(130), 가스 공급 블록(140), 가스 피딩부(gas feeding unit: 150) 및 챔버 리드(160)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the process chamber 100 includes a process chamber wall 110, a substrate support 120, a shower head 130, a gas supply block 140, a gas feeding unit 150 and a chamber Lead 160 may be included.

공정 챔버 벽(110)은 기판에 대한 처리가 이루어지도록 공정 챔버(100) 내부에 처리 공간을 한정할 수 있다. The process chamber wall 110 may define a processing space inside the process chamber 100 so that processing is performed on the substrate.

기판 지지대(120)는 상기 처리 공간의 내부에 위치되며, 상기 샤워 헤드(130)와 대향하는 위치에서 기판(도시되지 않음)을 지지하도록 구성될 수 있다. The substrate support 120 is located inside the processing space, and may be configured to support a substrate (not shown) at a position facing the shower head 130.

샤워 헤드(130)는 상기 공정 챔버 벽(110)의 상부에 위치되며, 상기 기판을 향해 가스를 분사하도록 구성될 수 있다. The shower head 130 is located above the process chamber wall 110 and can be configured to inject gas toward the substrate.

가스 공급 블록(140)은 예를 들어, 공정 챔버 벽(110)내부에 내장될 수 있고, 공정 챔버(100)의 외부에 위치한 가스 저장부(도시되지 않음)와 연결되어 처리 공정에 필요한 가스를 공정 챔버(100)쪽으로 공급하도록 구성된다. The gas supply block 140 may be embedded inside the process chamber wall 110, for example, and is connected to a gas storage unit (not shown) located outside the process chamber 100 to supply gas required for the treatment process. It is configured to supply towards the process chamber 100.

가스 피딩부(150)는 가스 공급 블록(140)과 샤워 헤드(130) 사이에 구비되며, 가스 공급 블록(140)에 제공된 가스들을 샤워 헤드(130)로 공급할 수 있다. 즉, 가스 피딩부(150)는 샤워 헤드와 챔버 리드의 유로를 연결할 수 있다.The gas feeding unit 150 is provided between the gas supply block 140 and the shower head 130 and can supply the gases provided in the gas supply block 140 to the shower head 130. That is, the gas feeding unit 150 may connect the flow path of the shower head and the chamber lead.

챔버 리드(160)는 샤워 헤드(130)와 공정 챔버 벽(110) 상부의 가스 피딩부(150)사이에 개재되며, 공정 챔버(100)의 내부 처리 공간을 밀폐시킬 수 있다. 가스 공급 블록(140)은 적어도 하나의 가스 공급 경로를 가질 수 있다. 상기 가스 공급 경로는 공정 챔버(100)의 외부에 존재하는 상기 가스 저장부와 연결되는 연결 도관(170)으로부터, 공정 챔버 벽(110) 내부 및 공정 챔버(100) 상부의 챔버 리드(160) 및 샤워 헤드(130) 사이에 형성될 수 있다.The chamber lid 160 is interposed between the shower head 130 and the gas feeding portion 150 above the process chamber wall 110 and can seal the internal processing space of the process chamber 100. The gas supply block 140 may have at least one gas supply path. The gas supply path is from the connecting conduit 170 connected to the gas storage unit existing outside the process chamber 100, the chamber lead 160 inside the process chamber wall 110 and above the process chamber 100, and It may be formed between the shower head 130.

일 실시예에서, 가스 공급 블록(140)은 공정 챔버 벽(110) 내부에 존재할 수 있으며, 수리, 교체 등의 관리를 위해 공정 챔버(110)와 탈부착이 가능한 형태로 구현될 수 있다. In one embodiment, the gas supply block 140 may exist inside the process chamber wall 110 and may be embodied in a detachable form with the process chamber 110 for management of repair, replacement, and the like.

일 실시예에서, 가스 공급 블록(140)은 가스 저장부에 저장된 가스를 샤워 헤드(130)로 전달하는 적어도 하나의 가스 공급 도관(220)을 포함할 수 있다.In one embodiment, the gas supply block 140 may include at least one gas supply conduit 220 that transfers the gas stored in the gas storage unit to the shower head 130.

챔버 리드(160) 역시 가스 공급 블록(140)으로부터 공급되는 가스를 샤워 헤드(130)로 전달하기 위한 가스 도관(151)을 포함할 수 있다. 챔버 리드(160) 내부의 가스 도관(151)은 가스 공급 블록(140) 내부의 가스 공급 도관(220)과 연통될 수 있다. The chamber lid 160 may also include a gas conduit 151 for delivering gas supplied from the gas supply block 140 to the shower head 130. The gas conduit 151 inside the chamber lid 160 may communicate with the gas supply conduit 220 inside the gas supply block 140.

한편, 상기 가스 저장부의 연결 도관(170)은 가스 공급 블록(140)의 가스 도관(220)과 연결부(171)를 통해 상호 연결될 수 있다.Meanwhile, the connecting conduit 170 of the gas storage unit may be interconnected through the gas conduit 220 of the gas supply block 140 and the connecting unit 171.

이하, 가스 공급 블록에 대한 구체적인 설명 도 2 내지 도 6을 참조하여 후술한다. Hereinafter, a detailed description of the gas supply block will be described later with reference to FIGS. 2 to 6.

도 2 내지 도 8은 도 1에 도시된 따른 가스 공급 블록의 구체적인 예를 설명하기 위한 도면들이다.2 to 8 are views for explaining a specific example of the gas supply block according to FIG. 1.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 블록(140)은 블록 바디(210), 가스 공급 도관(220) 및 연결부(230)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the gas supply block 140 according to an embodiment of the present invention may include a block body 210, a gas supply conduit 220, and a connection portion 230.

블록 바디(210)는 도 3에 도시된 바와 같이, 내측에 상부(310) 및 하부(320)를 관통하는 관통공(330)을 적어도 하나 구비할 수 있으며, 상단(310) 둘레에는 공정 챔버 벽(110)의 내부에 형성된 단턱부(810, 도 1)에 안착되기 위한 도출부(311)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 3, the block body 210 may include at least one through hole 330 penetrating the upper part 310 and the lower part 320 inside, and a process chamber wall around the upper part 310. It may include a lead portion 311 for seating on the stepped portion 810 (FIG. 1) formed inside the (110).

일 실시예에서, 관통공(330)은 블록 바디(210)에 대한 기계 가공을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 관통공(330)은 도 3에 도시된 바와 같이, 블록 바디 상부(310)에서 블록 바디 하부(320) 또는 블록 바디 하부(320)에서 블록 바디 상부(310)로 방향으로 드릴 가공을 통해 형성될 수 있다. 또한, 블록 바디(210)에 관통공(330)을 형성하는 방법이 드릴 가공 등의 기계 가공에 한정되는 것은 아니므로, 레이저 등 블록 바디(210)에 관통공(330)을 형성할 수 있는 수단이 모두 포함될 수 있음은 자명하다. In one embodiment, the through hole 330 may be formed by machining the block body 210. For example, as shown in FIG. 3, the through hole 330 is drilled in the direction from the block body top 310 to the block body bottom 320 or the block body bottom 320 to the block body top 310. It can be formed through. In addition, since the method of forming the through-hole 330 in the block body 210 is not limited to machining such as drilling, means for forming the through-hole 330 in the block body 210 such as a laser It is obvious that all of this can be included.

일 실시예에서, 도출부(311)는 공정 챔버 벽(110)의 내부에 형성된 단턱부(110a)와 볼트 결합되기 위한 결합공(312)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 바디 블록 상부(310)에 오링이 삽입되기 위한 환형 홈(313)이 구비될 수 있다. 환형 홈(313)은 관통공(330)을 중심으로 관통공(330)의 둘레에 형성될 수 있다. 이후 설명하겠지만, 상기 환형 홈(313)내에 오링이 삽입될 수 있다.In one embodiment, the lead portion 311 may include a coupling hole 312 for bolting with the stepped portion 110a formed inside the process chamber wall 110. In one embodiment, an annular groove 313 for inserting an O-ring in the body block top 310 may be provided. The annular groove 313 may be formed around the through hole 330 around the through hole 330. As described later, an O-ring may be inserted into the annular groove 313.

일 실시예에서, 블록 바디(210)는 측면 일부가 미리 설정된 곡률을 갖는 면으로 형성될 수 있다. 구체적 예로, 블록 바디(210)는 도 2에 도시된 바와 같이, 블록 바디(210)의 제1 면(210a) 및 제2 면(210b)은 평면이고, 제3 면(210c) 및 제4 면(210d)은 미리 설정된 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있다. In one embodiment, the block body 210 may be formed as a side portion of which has a predetermined curvature. As a specific example, the block body 210, as shown in Figure 2, the first surface 210a and the second surface 210b of the block body 210 are flat, and the third surface 210c and the fourth surface 210d may be formed of a curved surface having a preset curvature.

가스 공급 도관(220)은 도 4에 도시된 바와 같이, 관통공(330) 내부에 삽입되며, 블록 바디(210)의 상부(310) 및 하부(320)를 관통하도록 삽입될 수 있다. As shown in FIG. 4, the gas supply conduit 220 is inserted into the through hole 330 and may be inserted to penetrate the upper 310 and lower 320 of the block body 210.

일 실시예에서, 가스 공급 도관(220)의 하단은 도 4에 도시된 바와 같이, 블록 바디(210)의 하단 외부로 도출될 수 있다. In one embodiment, the lower end of the gas supply conduit 220 may be drawn out of the lower end of the block body 210, as shown in FIG. 4.

일 실시예에서, 가스 공급 도관(220)은 블록 바디(210)의 상단(310)과 용접될 수 있다. 예를 들어, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 가스 공급 도관(220) 상단의 둘레는 관통공(330) 내부와 용접될 수 있다. In one embodiment, the gas supply conduit 220 may be welded to the top 310 of the block body 210. For example, as shown in (a) of FIG. 4, the circumference of the upper end of the gas supply conduit 220 may be welded with the through hole 330 inside.

일 실시예에서, 가스 공급 도관(220)은 블록 바디(210)의 하단(310)과 용접될 수 있다. 예를 들어, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 가스 공급 도관(220) 중 바디 블록(210)의 하단(320) 영역에 대응하는 부분의 둘레는 관통공(330) 내부와 용접될 수 이다. 여기서, 도면 부호 410 및 420은 용접부를 지시할 수 있다.In one embodiment, the gas supply conduit 220 may be welded to the bottom 310 of the block body 210. For example, as shown in (a) of FIG. 4, the circumference of a portion of the gas supply conduit 220 corresponding to the lower region 320 of the body block 210 is welded to the inside of the through hole 330. It is a number. Here, reference numerals 410 and 420 may indicate a weld.

일 실시예에서, 가스 공급 도관(220)은 전해 연마(Electro Polishing, EP)처리된 도관일 수 있다. 이에 따라, 관통공(330)에 삽입되는 가스 공급 도관(220)은 매끈한 표면을 가질 수 있다. In one embodiment, the gas supply conduit 220 may be an electropolishing (EP)-treated conduit. Accordingly, the gas supply conduit 220 inserted into the through hole 330 may have a smooth surface.

일 실시예에서, 가스 공급 도관(220)의 내부 직경은 미리 설정된 길이를 가지를 수 있다. 여기서, 미리 설정된 길이는 공정 챔버(100)를 통해 처리하고자 하는 공정의 목적, 효율 등에 따라 상이하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 가스 공급 관(220)의 내부 직경은 1/4 인치(inch)일 수 있다.In one embodiment, the inner diameter of the gas supply conduit 220 may have a predetermined length. Here, the preset length may be set differently according to the purpose, efficiency, etc. of the process to be processed through the process chamber 100. For example, the inner diameter of the gas supply pipe 220 may be 1/4 inch.

다시 도 2를 참조하면, 연결부(230)는 가스 공급 도관(220)의 하단에 구비되며, 상기 가스 저장부의 가스 저장부 도관(170)과 상기 가스 공급 도관(220)의 하단을 결합할 수 있다. Referring to FIG. 2 again, the connection unit 230 is provided at the lower end of the gas supply conduit 220, and the gas storage unit conduit 170 of the gas storage unit and the lower end of the gas supply conduit 220 may be combined. .

일 실시예에서, 연결부(230)는 가스 저장부 도관(170)의 연결부(171)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 가스 공급 도관(220)의 연결부(230)와 상기 가스 저장부 도관(170)의 연결부(171)는 볼트에 의해 체결될 수 있다. In one embodiment, the connection portion 230 may be coupled to the connection portion 171 of the gas storage conduit 170. For example, the connection portion 230 of the gas supply conduit 220 and the connection portion 171 of the gas storage conduit 170 may be fastened by bolts.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 가스 공급 블록(140)은 블록 바디(210)에 가스 공급 도관(220)을 고정하기 위한 고정 부재(600)를 더 포함할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 5, the gas supply block 140 may further include a fixing member 600 for fixing the gas supply conduit 220 to the block body 210.

일 실시예에서, 고정 부재(600)는 관통공(330) 내부와 관통공(330) 내부에 삽입된 가스 공급 도관(220) 사이의 공간에 삽입될 수 있다. 구체적 예로, 고정 부재(600)는 관통공(330) 하단 둘레와 가스 공급 도관(220) 사이에 구비될 수 있다.In one embodiment, the fixing member 600 may be inserted into a space between the through hole 330 and the gas supply conduit 220 inserted into the through hole 330. As a specific example, the fixing member 600 may be provided between the lower circumference of the through hole 330 and the gas supply conduit 220.

예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 고정 부재(600)는 바닥부(610) 및 삽입부(620)를 포함할 수 있다. 바닥부(610) 및 삽입부(620) 각각은 원판 구조를 가질 수 있다. 바닥부(610)는 삽입부(620) 보다 큰 직경을 가질 수 있다. 또한, 바닥부(610) 및 삽입부(620)는 동심원 형태로 배치되며, 바닥부(610) 및 삽입부(620)의 동심축에 내부 홀(630)이 구비될 수 있다. 실질적으로, 바닥부(610) 및 삽입부(620)는 환형 기둥 형태를 가질 수 있다. For example, as illustrated in FIG. 6, the fixing member 600 may include a bottom portion 610 and an insertion portion 620. Each of the bottom portion 610 and the insertion portion 620 may have a disc structure. The bottom portion 610 may have a larger diameter than the insertion portion 620. In addition, the bottom portion 610 and the insertion portion 620 are arranged in a concentric shape, the inner hole 630 may be provided on the concentric shaft of the bottom portion 610 and the insertion portion 620. Substantially, the bottom portion 610 and the insertion portion 620 may have an annular pillar shape.

내부 홀(630)의 직경은 상기 관통공(330) 직경보다 클 수 있다. 이러한 고정 부재(600)는 도 7에 도시된 바와 같이, 삽입부(620)는 관통공(330)과 가스 공급 도관(220) 사이에 삽입, 고정되며, 상기 바닥부(610)는 블록 바디 하부(320) 표면에 밀착되어, 실질적인 걸림부 역할을 한다. 이에 따라, 공급 도관(220)을 관통공(330)내에 밀착, 고정시킬 수 있다. The diameter of the inner hole 630 may be larger than the diameter of the through hole 330. 7, the insertion part 620 is inserted and fixed between the through-hole 330 and the gas supply conduit 220, and the bottom part 610 is a block body lower part. (320) It is in close contact with the surface, and serves as a substantial locking portion. Accordingly, the supply conduit 220 can be closely adhered and fixed in the through hole 330.

도 8을 참조하면, 블록 바디(210)의 도출부(311)는 공정 챔버 벽(110) 내부에 형성된 단턱부(810)에 안착된다. 공정 챔버 벽(110)의 단턱부(810)는 도출부(311)와 볼트 결합되기 위한 단턱부 결합공(811)을 포함할 수 있다. 상기 결합공(811)을 통해서, 상기 단턱부(810)과 도출부(311)는 볼트 결합이 이루어질 수 있다. 이에 따라, 블록 바디(210)는 공정 챔버 벽(110)내에 기계적으로 고정될 수 있다. Referring to FIG. 8, the lead portion 311 of the block body 210 is seated on the stepped portion 810 formed inside the process chamber wall 110. The stepped portion 810 of the process chamber wall 110 may include a stepped portion coupling hole 811 for bolting with the lead portion 311. Through the coupling hole 811, the stepped portion 810 and the lead portion 311 may be bolted. Accordingly, the block body 210 can be mechanically secured within the process chamber wall 110.

이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 공정 챔버 벽에 내장된 가스 공급 블록의 관통공 내부에 가스 공급 도관을 삽입한다. 가스 공급 도관은 상기 관통공과 용접 또는 고정 부재에 의해 고정됨으로써, 안정적으로 가스를 공급할 수 있다. 나아가, 가스 공급 도관은 전기적 연마가 이루어졌기 때문에, 향상된 조도를 가질 수 있다. 이에 따라, 세정 공정 단계시, 파티클 발생을 줄일 수 있다. 또한, 잦은 사용으로 가스 공급 도관의 세정이 더 이상 불가능한 경우, 가스 공급 도관만 교체할 수 있다.As described in detail above, according to the present invention, the gas supply conduit is inserted into the through hole of the gas supply block embedded in the process chamber wall. The gas supply conduit can be stably supplied with gas by being fixed by the through hole and the welding or fixing member. Furthermore, since the gas supply conduit is electrically polished, it can have improved roughness. Accordingly, during the cleaning process step, particle generation can be reduced. Also, if cleaning of the gas supply conduit is no longer possible due to frequent use, only the gas supply conduit can be replaced.

Claims (9)

공정 챔버 벽에 삽입되며 상기 공정 챔버의 하부에서 유입되는 가스를 상기 공정 챔버 상부로 공급하는 가스 공급 블록에 있어서,
내측에 상단에서 하단으로 관통하는 관통공을 적어도 하나 구비하며, 상단 둘레에는 상기 공정 챔버 벽의 단턱부에 안착되기 위한 돌출부가 형성되어 있는 블록 바디 및
상기 관통공에 각각 삽입되며, 상단 둘레가 상기 관통공의 상단과 용접 결합되고, 하단이 상기 관통공의 하단 외측으로 인출되는 적어도 하나의 가스 공급 도관을
포함하는 가스 공급 블록.In the gas supply block is inserted into the process chamber wall and supplying gas flowing from the lower portion of the process chamber to the upper portion of the process chamber,
A block body having at least one through hole penetrating from the top to the bottom on the inside, and having a protrusion formed on a stepped portion of the process chamber wall around the top and
At least one gas supply conduit which is respectively inserted into the through hole, the upper circumference of which is welded to the upper end of the through hole, and the lower end being withdrawn outside the lower end of the through hole.
Gas supply block containing. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급 도관을 상기 블록 바디에 고정하기 위해, 상기 관통공 하단 둘레와 상기 가스 공급 도관 사이에 구비되는 고정 부재를 더 포함하는 가스 공급 블록.According to claim 1,
In order to secure the gas supply conduit to the block body, the gas supply block further includes a fixing member provided between the lower end of the through hole and the gas supply conduit. 제 2 항에 있어서,
상기 고정 부재는,
상기 관통공 하단 내측 면과 상기 가스 공급 도관 사이에 삽입되는 삽입부와,
상기 삽입부 하단 일측에는 상기 고정부재가 상기 관통공 내측으로 삽입되는 것을 방지하기 위한 걸림부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 블록.According to claim 2,
The fixing member,
An insertion part inserted between the lower inner surface of the through hole and the gas supply conduit,
A gas supply block, characterized in that a locking portion for preventing the fixing member from being inserted into the through hole is formed at one side of the lower portion of the insertion portion. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급 도관은,
상기 관통공 하단 둘레에 용접 결합되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 블록.According to claim 1,
The gas supply conduit,
Gas supply block, characterized in that welded around the lower end of the through hole. 제 1 항에 있어서,
상기 블록 바디의 상부는,
상기 관통공 상단 둘레에 오링이 삽입되기 위한, 상기 관통공 상단 둘레에 형성된 환형 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 블록.According to claim 1,
The upper portion of the block body,
Gas supply block, characterized in that it comprises an annular groove formed around the top of the through-hole, for the O-ring is inserted around the top of the through-hole. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급 도관은,
내부가 전해 연마 처리된 것을 특징으로 하는 가스 공급 블록.According to claim 1,
The gas supply conduit,
Gas supply block, characterized in that the inside is electropolishing. 제 1 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 공정 챔버 벽의 단턱부와 볼트 결합되기 위한 결합공을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 블록.According to claim 1,
The protrusion is a gas supply block, characterized in that it comprises a coupling hole for bolting with the stepped portion of the process chamber wall. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급 도관의 하단에 구비되며, 상기 가스 공급 도관의 하단과 가스 저장부의 가스 저장부 연결 도관을 연결하는 연결부를 더 포함하는 가스 공급 블록.According to claim 1,
A gas supply block provided at a lower end of the gas supply conduit, and further comprising a connection portion connecting the lower end of the gas supply conduit and the gas storage connection conduit of the gas storage unit. 기판이 처리될 내부 처리 공간을 형성하는 공정 챔버;
상기 내부 처리 공간에 구비되며 상기 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 내부 처리 공간으로 가스를 공급하는 샤워 헤드;
상기 샤워 헤드로 상기 가스를 공급하는 가스 피딩부;
상기 공정 챔버 상부와 상기 가스 피딩부 사이에 구비되어 상기 내부 공간을 밀폐시키는 챔버 리드 및
상기 샤워헤드와 상기 챔버 리드의 유로를 연결하여 가스를 공급하는 가스 피딩부와, 상기 가스 피딩부와 연결되며 상기 공정 챔버에 내삽되는 청구항 1항 내지 8항의 가스 공급 블록을 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber forming an internal processing space in which the substrate is to be processed;
A substrate support provided in the internal processing space and supporting the substrate;
A shower head that supplies gas to the internal processing space;
A gas feeding part that supplies the gas to the shower head;
A chamber lead provided between the upper portion of the process chamber and the gas feeding portion to seal the interior space, and
A substrate processing apparatus comprising a gas feeding part for supplying gas by connecting a flow path of the shower head and the chamber lead, and a gas supply block of claims 1 to 8 connected to the gas feeding part and interpolated into the process chamber.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230100820A (en) * 2021-12-28 2023-07-06 (주)보부하이테크 Heater welding structure with improved welding defect and crack

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080098985A (en) * 2007-05-08 2008-11-12 (주)소슬 Gas supplying apparatus and equipment for etching substrate edge having the same
KR20090088740A (en) * 2008-02-15 2009-08-20 주식회사 에이디피엔지니어링 Process gas supplying apparatus for process chamber
KR20090088730A (en) * 2008-02-15 2009-08-20 주식회사 에이디피엔지니어링 Process gas supplying apparatus for process chamber
KR20120081747A (en) * 2011-01-12 2012-07-20 주식회사 원익아이피에스 Gas feeding assembly for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same
KR20180030660A (en) * 2015-08-10 2018-03-23 무라다기카이가부시끼가이샤 Purge device, purge stocker, and cleaning method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080098985A (en) * 2007-05-08 2008-11-12 (주)소슬 Gas supplying apparatus and equipment for etching substrate edge having the same
KR20090088740A (en) * 2008-02-15 2009-08-20 주식회사 에이디피엔지니어링 Process gas supplying apparatus for process chamber
KR20090088730A (en) * 2008-02-15 2009-08-20 주식회사 에이디피엔지니어링 Process gas supplying apparatus for process chamber
KR20120081747A (en) * 2011-01-12 2012-07-20 주식회사 원익아이피에스 Gas feeding assembly for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same
KR20180030660A (en) * 2015-08-10 2018-03-23 무라다기카이가부시끼가이샤 Purge device, purge stocker, and cleaning method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230100820A (en) * 2021-12-28 2023-07-06 (주)보부하이테크 Heater welding structure with improved welding defect and crack

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