KR20120081562A - 가접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

가접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120081562A
KR20120081562A KR1020120002782A KR20120002782A KR20120081562A KR 20120081562 A KR20120081562 A KR 20120081562A KR 1020120002782 A KR1020120002782 A KR 1020120002782A KR 20120002782 A KR20120002782 A KR 20120002782A KR 20120081562 A KR20120081562 A KR 20120081562A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
mol
organopolysiloxane
wafer
represented
Prior art date
Application number
KR1020120002782A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101633956B1 (ko
Inventor
마사히로 후루야
쇼헤이 다가미
히데또 가또
히데유끼 이또
마사히로 요시자와
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20120081562A publication Critical patent/KR20120081562A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101633956B1 publication Critical patent/KR101633956B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/02—Polysilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/14—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 가접착 및 박리가 용이한 가접착재를 제공한다.
본 발명의 가접착재 조성물은 (A) 하기의 (A1)과 (A2)와의 히드로실릴화에 의해 얻어진 중량 평균 분자량 15,000 이상의 오르가노폴리실록산,
(A1): T 단위 실록산 단위 35 내지 99 몰％ 및 M 단위의 실록산 단위 1 내지 25 몰％를 포함하고, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 규소 원자 결합 전체 유기기의 2 몰％ 이상 함유하며, 중량 평균 분자량이 2,000을 초과하는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산,
(A2) 특정한 규소 원자 결합수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산 또는 히드로실릴기 함유 화합물,
및
(B) 비점 220 ℃ 이하의 유기 용제
를 함유하여 이루어진다.

Description

가접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 {TEMPORARY ADHESIVE MATERIAL COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING THIN WAFER}
본 발명은 가열에 의해서 기판끼리의 접합, 기판과 지지체와의 접합, 및 접합된 것 간 박리를 조절할 수 있는 가접착재 조성물, 및 상기 접착재를 이용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
3차원의 반도체 실장은, 보다 한층 고밀도, 대용량화를 실현하기 위해 필수가 되고 있다. 3차원 실장 기술이란, 1개의 반도체칩을 박형화하고, 추가로 이를 실리콘 관통 전극(TSV; through silicon via)에 의해서 결선하면서 다층으로 적층하여 가는 반도체 제작 기술이다. 이를 실현하기 위해서는 반도체 회로를 형성한 기판을 비회로 형성면("이면"이라고도 함) 연삭에 의해서 박형화하고, 추가로 이면에 TSV를 포함하는 전극 형성을 행하는 공정이 필요하다. 실리콘 기판의 이면 연삭 공정에서는 연삭면의 반대측에 이면 보호 테이프를 붙여, 연삭시 웨이퍼 파손을 막고 있다. 그러나, 이 테이프는 유기 수지 필름을 기재에 이용하고 있어, 유연성이 있는 반면, 강도나 내열성이 불충분하여, 이면에서의 배선층 형성 공정을 행하기에는 부적합하다.
그래서 반도체 기판을 실리콘, 유리 등의 지지체에 접착재를 통해 접합함으로써, 이면 연삭, 이면 전극 형성의 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있다. 이 때에 중요한 것이 기판을 지지체에 접합할 때의 접착재이다. 이는 기판을 지지체에 간극없이 접합할 수 있고, 후속 공정에 견딜 만큼의 충분한 내구성이 필요하며, 마지막으로 박형 웨이퍼를 지지체로부터 간편히 박리할 수 있는 것이 필요하다. 이와 같이, 마지막으로 박리하기 때문에, 본 명세서에서는 이 접착재를 가(假)접착재라 부르기로 한다.
지금까지 공지된 가접착재와 박리 방법으로는, 광 흡수성 물질을 포함하는 접착재를 고강도의 광을 조사하여, 접착재층을 분해함으로써 지지체로부터 접착재층을 박리하는 기술(특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-64040호 공보) 및 열용융성의 탄화수소계 화합물을 접착재에 이용하여, 가열 용융 상태에서 접합?박리를 행하는 기술(특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2006-328104)이 제안되어 있다. 전자의 기술은 레이저 등의 고가의 장치가 필요하며, 기판 1매당 처리 시간이 길어지는 등의 문제가 있었다. 또한 후자의 기술은 가열만으로 제어하기 때문에 간편한 반면, 200 ℃를 초과하는 고온에서의 열 안정성이 불충분하기 때문에, 적용 범위는 좁았다.
또한, 실리콘 점착제를 가접착재층에 이용하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 3: 미국 특허 제7541264호 공보). 이는 기판을 지지체에 부가 경화형 실리콘 점착제를 이용하여 접합하고, 박리시에는 실리콘 수지를 용해, 또는 분해하는 약제에 침지하여 기판을 지지체로부터 분리하는 것이다. 이 때문에 박리에 매우 장시간을 요하여, 실제 제조 공정에 적용하는 것은 곤란하였다.
일본 특허 공개 제2004-64040호 공보 일본 특허 공개 제2006-328104호 공보 미국 특허 제7541264호 공보
따라서, 본 발명은 가접착이 용이하며, 박리도 용이하고, 생산성을 높일 수 있는 가접착재 및 이를 사용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 오르가노폴리실록산과, 희석 용제인 유기 용매를 포함하는 조성물이 상기 목적의 달성에 유효하다는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명은
(A) 하기의 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1)과 히드로실릴기 함유 화합물 (A2)와의 백금족 금속계 촉매의 존재하에서의 히드로실릴화 반응에 의해 얻어진, 중량 평균 분자량 15,000 이상의 오르가노폴리실록산,
(A1):
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T 단위) 35 내지 99 몰％,
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D 단위) 0 내지 49 몰％,
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M 단위) 1 내지 25 몰％
[여기서, R1 내지 R6은 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 10의 1가 탄화수소기를 나타낸다]
를 함유하고, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 규소 원자에 결합한 전체 유기기의 2 몰％ 이상 함유하며, 중량 평균 분자량이 2,000을 초과하는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산,
(A2) 평균 조성식 1로 표시되고, 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 화학식 2로 표시되는 비스히드로실릴 화합물, 또는 이들의 조합이며, 상기 오르가노폴리실록산 (A1)의 총 알케닐기에 대하여 규소 원자에 결합한 수소 원자수가 0.4 내지 1.0 몰배가 되는 양의 히드로실릴기 함유 화합물,
<평균 조성식 1>
Figure pat00001
(식 중, R7은 알케닐기 이외의 1가의 탄화수소기이다. a 및 b는 각각 0.75≤a≤2.5, 0.05≤b≤1.0 및 0.8≤a+b≤2.6을 만족시키는 수임)
<화학식 2>
Figure pat00002
(식 중, R8 및 R9는 독립적으로 알케닐기 이외의 1가의 탄화수소기이고, X는 2가의 유기기임)
및
(B) 비점 220 ℃ 이하의 유기 용제
를 함유하여 이루어지는 가접착재 조성물을 제공한다.
본 발명의 가접착재는 가열에 의해서 접합과 박리를 조절할 수 있다. 상기 가접착재는 200 ℃ 이하의 온도에서 대상끼리 접합시키는 것이 가능하며, 200 ℃ 이상에서의 열 안정성이 우수하다. 상기 가접착재 조성물을 이용한 본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은 생산성이 우수하다.
도 1은 실시예에서의 박리성 시험의 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
<가접착재 조성물>
-(A) 오르가노폴리실록산-
?(A1): 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산
(A1) 성분의 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산은 R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T 단위)를 35 내지 99 몰％, 바람직하게는 50 내지 95 몰％, R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D 단위)를 0 내지 49 몰％, 바람직하게는 10 내지 40 몰％, R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M 단위)를 1 내지 25 몰％, 바람직하게는 3 내지 20 몰％ 함유한다. 본 명세서에 있어서는, M 단위, D 단위 및 T 단위의 단어는 여기에 정의한 의미로 이용한다.
상기에서 치환기 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 10의 1가 탄화수소기이고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등의 알킬기의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등의 알케닐기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 등의 탄화수소기, 및 이들 탄화수소기의 수소 원자의 적어도 일부가, 예를 들면 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 시아노기 등에 의해 치환된 치환 탄화수소기, 예를 들면 시아노메틸기, 트리플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 메틸기, 비닐기, n-프로필기 및 페닐기이다. 특히 높은 내열성을 유지함에 있어서 페닐기의 함유량은 중요하며, 페닐기 함유량은 전체 유기 치환기의 40 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 내지 90 몰％이다.
또한, 치환기 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중에 알케닐기가 필수적인 것으로서 함유되어 있다. 본 발명에서 "알케닐기"는 직쇄상의 알케닐기 및 환상의 알케닐기(즉, 시클로알케닐기)를 포함하는 의미로 이용된다. 이 알케닐기는 (A2)의 SiH기를 포함하는 화합물과 반응시키기 위해서 도입되어 있으며, 반응성의 관점에서, 규소 원자와 결합하고 있는 탄소 원자로부터 가장 먼 위치에 이중 결합을 갖는 것이 바람직하다. 또한, T 단위의 R1보다도, R2 내지 R6에 함유되는 것이 히드로실릴화의 반응성이 보다 양호한 것, 및 분자량의 증가 속도의 측면에서 바람직하다. 알케닐기의 구체예로는, 상술한 바와 같이 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등의 탄소 원자수 2 내지 8의 알케닐기를 들 수 있지만, 반응성 관점에서 비닐기가 바람직하다.
알케닐기의 함유량은, (A1) 중 규소 원자에 결합한 전체 유기기의 적어도 2 몰％는 필요하며, 2.5 몰％ 이상이 바람직하고, 10 몰％ 이하인 것이 바람직하다. 2 몰％보다 적은 경우, 히드로실릴화에 의한 생성물의 분자량 증가가 작아져, 얻어지는 오르가노폴리실록산 (A)가 내열성 등의 물성이 떨어지기 쉽다.
상기 오르가노폴리실록산 (A1)에 있어서, T 단위 35 몰％보다 적은 경우, 오르가노폴리실록산 (A1)은 40 ℃를 초과하지 않는 온도에서 고체가 되기 어렵다. 이러한 (A1)을 이용하여 합성된 폴리오르가노실록산 (A)는, 동일하게 40 ℃를 초과하지 않는 온도에서 고체가 되기 어렵고, 유동성이 있는 점조 물질, 또는 액상물이 되기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 오르가노폴리실록산 (A1)은 반응성의 말단기, 즉 실라놀기나 가수분해성 잔기를 갖는 것은 후술하는 오르가노폴리실록산 (A)의 열 안정성 관점에서 바람직하지 않다. 따라서 오르가노폴리실록산 (A1)의 말단에 비축합 반응성의 M 단위를 도입하는 구조가 바람직하고, 상기 M 단위의 함유량은 1 몰％ 이상인 것이 바람직하다.
D 단위는 임의적으로 존재할 수도 있는 구조 단위인데, 49 몰％보다 많아지는 경우, 오르가노폴리실록산 (A)는 40 ℃를 초과하지 않는 온도에서 고체가 되기 어려워, 유동성이 있는 점조 물질 또는 액상물이 되기 쉽다. 따라서 지지체와 웨이퍼와의 접합이 불충분해지고, 이면 연삭 또는 그 후의 가공에서 적층체를 구성하는 웨이퍼와 지지체가 어긋나는 등의 문제점이 발생할 우려가 있다.
M 단위의 함유량은 1 몰％ 이상 25 몰％ 이하이고, 바람직하게는 3 내지 20 몰％이다. 1 몰％보다 적은 경우, 얻어지는 오르가노폴리실록산 (A)는 유기 용제에 가용이며, 실라놀기나 가수분해성 잔기 등의 반응성 말단기를 충분히 감소시킨 구조로 하는 것이 곤란하다. 25 몰％보다 많은 경우, 상기 오르가노폴리실록산 (A)는 대부분의 말단을 갖는 구조가 되어, 상대적으로 분자량이 작아지기 때문에 부적합하다.
상기 오르가노폴리실록산 (A1)은 실질적으로 비축합 반응성이고, 가령 그 분자 말단에 상기 정의의 M 단위로 밀봉되어 있지 않은 축합 반응성 잔기, 즉 실라놀기, 알콕시실릴기 등의 가수분해성 잔기가 잔존했다고 해도, 이들 축합 반응성 잔기의 함유량은 가능한 한 적은 것이 바람직하다. 실라놀기, 알콕시실릴기와 같은 축합 반응성 말단 잔기가 분자 내에 다량으로 존재하면, 열이 가해졌을 때에 축합 반응에 의한 가교가 생성되고, 기판의 박리성이 크게 변화되기 때문에 바람직하지 않다. 실라놀기의 수산기 및 알콕시실릴기(Si-OR; 여기서, R은 원료로서 이용한 알콕시실란의 알콕시 잔기, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기 등)와 같은 축합 반응성 잔기의 총량이, 전체 오르가노폴리실록산 (A1) 중 4 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 2 질량％ 이하인 것이 바람직하다. M 단위의 도입은 이러한 축합 반응성 말단기를 원하는 양까지 줄일 수 있다. 축합 반응성 잔기는 합계로 2 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 오르가노폴리실록산 (A1)의 분자량은 GPC(겔 침투 크로마토그래피)로, 폴리스티렌 표준 물질에 의해서 제작한 검량선을 따라 얻어지는 중량 평균 분자량(본 명세서에서는, "중량 평균 분자량"이란 이것을 의미함)의 값으로, 2000보다 큰 것이 바람직하다. 2000 이하이면, 얻어지는 폴리오르가노실록산 (A)의 접착 강도가 저하되고, 또한 내열성이 손상되기 때문에 부적합하다. 보다 바람직한 중량 평균 분자량의 범위로는 3000 내지 80,000 정도, 더욱 바람직하게는 3000 내지 50,000 정도가 바람직하다.
또한, 오르가노폴리실록산 (A1)은 T 단위, D 단위, M 단위에, 추가로 SiO4 /2로 표시되는 실록산 단위(Q 단위)를 함유할 수도 있다. Q 단위의 함유량으로는 0.1 내지 30 몰％가 바람직하고, 0.2 내지 20 몰％가 보다 바람직하다.
Q 단위가 30 몰％보다 많아지는 경우, 생성된 오르가노폴리실록산 (A)는 고형이 되기 쉽지만, 분자 내부에서의 가교가 고도로 진행되기 때문에, 용제에 대한 용해성이 저하되거나, 연화점의 최적 범위 내에서의 제어가 곤란해지기 때문에 부적합하다.
Q 단위를 함유하는 (A1) 성분의 오르가노폴리실록산의 전형예로서,
(I) 상기 T 단위 40 내지 98.9 몰％,
(II) 상기 D 단위 0 내지 48.9 몰％,
(III) 상기 Q 단위 0.1 내지 30 몰％, 및
(IV) 상기 M 단위 1 내지 25 몰％
를 포함하는 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.
(A1) 성분의 오르가노폴리실록산은 공지된 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 가수분해 축합 반응에 의해, 원하는 실록산 단위에 대응하여, 형성할 수 있는 오르가노클로로실란 및/또는 오르가노알콕시실란, 또는 그의 부분 가수분해 축합물을, 모든 가수분해성기(염소 원자, 알콕시기 등)를 가수분해하는 데에 과잉인 물과, 원료 실란 화합물 및 생성되는 오르가노폴리실록산을 용해 가능한 유기 용제와의 혼합 용액 중에 혼합하고, 가수분해 축합 반응시킴으로써 얻어진다. 원하는 중량 평균 분자량의 오르가노폴리실록산을 얻기 위해서는, 반응 온도 및 시간, 물, 유기 용제의 배합량을 조절함으로써 가능하다. 사용할 때, 불필요한 유기 용제를 제거하고, 분체화하여 사용할 수도 있다.
?히드로실릴기 함유 화합물 (A2):
상기한 오르가노폴리실록산 (A1)의 분자끼리 히드로실릴기 함유 화합물 (A2)로 연결되어 고분자량화하고, 오르가노폴리실록산 (A)를 생성한다.
히드로실릴기 함유 화합물 (A2)는, 평균 조성식 1로 표시되고, 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 화학식 2로 표시되는 비스히드로실릴 화합물, 또는 이들의 조합인 히드로실릴기 함유 화합물이다.
<평균 조성식 1>
Figure pat00003
(식 중, R7은 알케닐기 이외의 1가의 탄화수소기이다. a 및 b는 각각 0.75≤a≤2.5, 0.05≤b≤1.0 및 0.8≤a+b≤2.6을 만족시키는 수임)
<화학식 2>
Figure pat00004
(식 중, R8 및 R9는 독립적으로 알케닐기 이외의 1가의 탄화수소기이고, X는 2가의 유기기임)
상기 히드로실릴기 함유 화합물 (A2)는, 상기 오르가노폴리실록산 (A1)의 총 알케닐기에 대하여 규소 원자에 결합한 수소 원자수가 0.4 내지 1.0 몰배가 되는 양으로 이용된다.
평균 조성식 1에 있어서, a는 1가 탄화수소기 R7의 함유량을 나타낸다. a가 0.75보다 작은 경우, 상대적으로 b의 값, 즉 SiH기의 함유량이 많아진다. 성분 (A1)의 알케닐기와의 히드로실릴화 반응을 고려한 경우, SiH양이 너무 많으면 얻어지는 가교도가 너무 높아 생성물이 겔화하기 쉽다. 또한 반응 후에 SiH기가 다량으로 잔존하면, 열열화에 의한 가스 발생의 가능성이 높아져 바람직하지 않다. a가 2.0보다 큰 경우, 이번에는 가교에 관여하는 SiH기량이 너무 적어 생성물의 분자량이 소요의 값까지 상승하지 않고, 내열성이 불충분하기 때문에 바람직하지 않다. b의 값은, 추가로 규소 원료의 입수 용이성으로부터 1.0 이하가 바람직하고, 또한 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서는 0.05 이상이 바람직하다.
평균 조성식 1 및 화학식 2에 있어서, R7, R8 및 R9로 표시되는 알케닐기 이외의 1가 탄화수소기로는, 예를 들면 R1 내지 R6에 대해서 예시한 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 10의 1가 탄화수소기 중, 알케닐기 이외의 것을 예시할 수 있고, 메틸기, 프로필기, 페닐기가 바람직하다. 또한, 화학식 2에 있어서 X로 표시되는 2가의 유기기로는, 예를 들면 2가의 탄화수소기, 구체적으로는 탄소 원자수 1 내지 10의 2가의 포화 지방족 탄화수소기, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 직쇄상 또는 분지한 -C4H8-기; 2가의 방향족 탄화수소기, 예를 들면 페닐렌기를 사용할 수 있다. 메틸렌기, 에틸렌기, -C4H8-기, 페닐렌기가 바람직하고, 내열성 관점에서는 특히 페닐렌기가 바람직하다.
(A2) 성분으로는, 평균 조성식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산 및 화학식 2로 표시되는 비스히드로실릴 화합물을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
성분 (A1)과 (A2)와의 반응에 있어서, (A1) 중 총 알케닐기에 대한 (A2) 중 총 SiH기의 비율은 0.4 내지 1.0 몰배가 되도록 한다. 바람직하게는 0.5 내지 0.8 몰배이다. 이 비율이 0.4 몰배보다 적으면 생성물의 분자량의 증가가 불충분해져, 원하는 특성을 얻기 어렵다. 이 비율이 1.0 몰배보다 큰 경우, 생성되는 수지(오르가노폴리실록산 (A))의 가교 밀도가 너무 높아 겔화할 우려가 있다. 또한, 반응계에서 SiH기가 과잉이 되어 생성 수지 내에 잔존하기 쉽고, 접합 후 내열 시험시에 발포의 원인이 되어 바람직하지 않다.
평균 조성식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산의 예로는, 화학식 3으로 표시되는, 양쪽 말단에 SiH기를 갖는 직쇄 폴리실록산을 사용할 수 있다.
<화학식 3>
Figure pat00005
화학식 3에 있어서, R8 내지 R11은 탄소 원자수 1 내지 8의 1가의 탄화수소기, 구체적으로는 메틸기, 프로필기, 헥실기, 시클로헥실기, 페닐기를 사용할 수 있다. 특히 바람직하게는 메틸기, 페닐기가 바람직하다. 또한 내열성의 관점에서, 페닐기 함유량은 20 몰％ 이상인 것이 바람직하다.
n은 0 내지 38의 범위가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0 내지 2가 바람직하다. n이 38보다 큰 경우, (A2)와 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1)의 상용성이 나빠지고, 또한 말단 SiH기의 반응성이 저하되기 때문에 부적합하다.
상기한 바와 같이 하여 얻어지는 폴리오르가노실록산 (A)는 중량 평균 분자량이 15,000 이상이고, 바람직하게는 20,000 이상이며, 보다 바람직하게는 22,000 이상이다. 또한, 이 중량 평균 분자량은 1,000,000 이하일 수도 있고, 보다 바람직하게는 800,000 이하이다. 중량 평균 분자량이 15,000 미만이면, 접착층의 내열성이 악화되고, 공극이 발생하기 쉬워진다는 문제점이 발생한다.
오르가노폴리실록산 (A)는, 바람직하게는 40 내지 300 ℃, 보다 바람직하게는 40 내지 230 ℃, 더욱 바람직하게는 40 내지 200 ℃의 온도 범위 내에 연화점을 가지며, 40 ℃를 초과하지 않는 온도, 바람직하게는 0 내지 30 ℃의 범위에서 고체인 것이 적합하다.
-(B) 유기 용제-
성분 (B)는 성분 (A)의 오르가노폴리실록산을 용해시켜 도포액을 형성한다. 상기 도포액은 스핀 코팅 등, 공지된 도막 형성 방법에 의해서 막 두께(건조 후) 1 내지 150 ㎛의 박막을 형성할 수 있는 것이면 바람직하다. 보다 바람직한 막 두께는 5 내지 120 ㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 100 ㎛이다.
또한, 비점이 220 ℃를 초과하는 유기 용제는, 도공 후 가열 건조에 의해서도 휘발하기 어려워, 막 내에 머무를 가능성이 있으며, 이것이 기판 접합 후 가열 공정에서 고온에 노출될 때, 계면에서 기포를 형성하는 요인이 될 수 있기 때문에 바람직하지 않다.
성분 (B)로서 적합한, 비점 220 ℃ 이하의, 바람직하게는 50 내지 220 ℃의 유기 용제의 예로는 다음의 것을 들 수 있다.
?탄화수소계: 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 데칸, 이소도데칸, 리모넨;
?케톤계: 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논;
?에스테르계: 아세트산에틸, 아세트산부틸, 락트산에틸, 프로피온산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트;
?에테르계: 테트라히드로푸란, 시클로펜틸메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르;
?알코올계: 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등을 들 수 있다.
그 중에서도 이소도데칸, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르가 적합하다.
-그 밖의 성분-
상기 (A) 성분 및 (B) 성분 이외에, 필요에 따라, 예를 들면 도포성을 향상시키기 위해 공지된 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 구체적으로는, 비이온성의 것이 바람직하고, 예를 들면 불소계 계면활성제, 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 불소화알킬에스테르, 퍼플루오로알킬아민옥사이드, 불소 함유 오르가노실록산계 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 내열성을 더욱 높이기 위해, 공지된 산화 방지제, 실리카 등의 충전재를 첨가할 수도 있다.
<박형 웨이퍼의 제조 방법>
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은, 반도체 회로를 갖는 웨이퍼와 상기 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해서 이용하는 지지체와의 접착층으로서, 상술한 가접착재 조성물을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 박형 웨이퍼의 두께는, 전형적으로는 5 내지 300 ㎛, 보다 전형적으로는 10 내지 100 ㎛이다.
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은 (a) 내지 (e)의 공정을 갖는다.
[공정 (a)]
공정 (a)는 회로 형성면 및 회로 비형성면을 갖는 웨이퍼의 회로 형성면을, 상술한 가접착재 조성물을 포함하는 접착층을 통해 지지체와 접합하는 공정이다. 회로 형성면 및 회로 비형성면을 갖는 웨이퍼는, 한쪽면이 회로 형성면이고, 다른쪽면이 회로 비형성면인 웨이퍼이다. 본 발명을 적용할 수 있는 웨이퍼는, 통상 반도체 웨이퍼이다. 이 반도체 웨이퍼의 예로는, 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라, 게르마늄 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼, 갈륨-인 웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄 웨이퍼 등을 들 수 있다. 상기 웨이퍼의 두께는 특별히 제한은 없지만, 전형적으로는 600 내지 800 ㎛, 보다 전형적으로는 625 내지 775 ㎛이다.
지지체로는 실리콘판, 유리판, 석영판 등이 사용 가능하다. 본 발명에서는, 지지체를 통해 접착층에 방사 에너지선을 조사할 필요는 없으며, 지지체의 광선 투과성은 불필요하다.
접착층은 상술한 가접착재 조성물을 포함하는 층이다. 접착층은 웨이퍼의 회로 형성면과 지지체의 한쪽면 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 형성되고, 그 후 웨이퍼의 회로 형성면이 접착층을 통해 지지체 표면과 접합된다. 접착층의 웨이퍼 회로 형성면 또는 지지체 표면에의 형성은, 상기 가접착재 조성물을 해당 면에 도포하고, 건조하고 (B) 성분의 유기 용제를 제거하여 형성한다. 건조는 80 내지 200 ℃에서 가열할 수 있다.
본 발명의 접착층은 가열에 의해서 연화한다. 접착층 중 수지(오르가노폴리실록산 (A))가 연화하는 온도 범위는 바람직하게는 40 내지 300 ℃, 보다 바람직하게는 40 내지 230 ℃, 더욱 바람직하게는 40 내지 200 ℃이고, 이 온도에서 감압하에 웨이퍼와 지지체를 균일하게 압착함으로써, 웨이퍼가 지지체와 접합한 적층체가 형성된다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼와 지지체를 설치한 챔버 내를, 감압하에 상기 온도 범위로 가열함으로써 접착층 중 오르가노폴리실록산 (A)가 연화 또는 융해된 후, 웨이퍼와 지지체를 접촉시키고, 가열 압착함으로써, 계면에 기포를 끼우지 않고, 똑같은 접합계면을 형성할 수 있다. 접착층을 통해 웨이퍼를 지지체와 접합할 때, 지지체의 온도는 상기 온도 범위인 것이 바람직하다. 이들 접합 온도에서 접착층 중 오르가노폴리실록산이 충분히 연화되기 때문에, 웨이퍼의 접합되는 면에 존재하는 요철을 간극 없이 매립할 수 있다. 압착은 63 N/㎠ 이하, 바람직하게는 1 내지 32 N/㎠ 이하의 압력하에, 보다 바람직하게는 2 내지 23 N/㎠ 이하의 압력하에서 행한다. 즉, 예를 들면 8인치 웨이퍼의 경우에는 20 kN 이하, 바람직하게는 10 kN 이하, 보다 바람직하게는 7 kN 이하의 하중하에서 접합 가능하다.
웨이퍼 접합 장치로는, 시판되고 있는 웨이퍼 접합 장치, 예를 들면 EVG사의 EVG520IS, 850TB; SUSS사의 XBC300 등을 들 수 있다.
[공정 (b)]
공정 (b)는 지지체와 접합한 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭하는 공정, 즉 공정 (a)에서 접합하여 얻어진 적층체의 웨이퍼 이면측을 연삭하여, 상기 웨이퍼의 두께를 얇게 하는 공정이다. 웨이퍼 이면의 연삭 가공의 방식에는 특별히 제한은 없으며, 공지된 연삭 방식이 채용된다. 연삭은 웨이퍼와 지석에 물을 뿌려 냉각하면서 행하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 이면을 연삭 가공하는 장치로는, 예를 들면 (주) 디스코 제조 DAG-810(상품명) 등을 들 수 있다.
[공정 (c)]
공정 (c)는 회로 비형성면을 연삭한 웨이퍼, 즉 이면 연삭에 의해서 박형화된 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정이다. 이 공정에는 웨이퍼 수준에서 이용되는 다양한 공정이 포함된다. 예로는, 전극 형성, 금속 배선 형성, 보호막 형성 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 전극 등의 형성을 위한 금속 스퍼터링, 금속 스퍼터링층을 에칭하는 습식 에칭, 금속 배선 형성의 마스크로 하기 위한 레지스트의 도포, 노광 및 현상에 의한 패턴의 형성, 레지스트의 박리, 드라이 에칭, 금속 도금의 형성, TSV 형성을 위한 실리콘 에칭, 실리콘 표면의 산화막 형성 등, 종래 공지된 공정을 들 수 있다.
[공정 (d)]
공정 (d)는 공정 (c)에서 가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정, 즉 박형화한 웨이퍼에 다양한 가공을 실시한 후, 다이싱하기 전에 지지체로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법으로는, 주로 웨이퍼와 지지체를 가열하면서, 수평과 반대 방향으로 슬라이드시킴으로써 양자를 분리하는 방법, 적층체의 웨이퍼 또는 지지체의 한쪽을 수평으로 고정시키고, 가열하면서 다른쪽을 수평 방향으로 일정한 각도를 가하여 들어올리는 방법, 및 연삭된 웨이퍼의 연삭면에 보호 필름을 붙이고, 웨이퍼와 보호 필름을 필 방식으로 박리하는 방법 등, 특별히 제한없이 채용할 수 있다.
본 발명에는, 이들 박리 방법에 모두 적용 가능하지만, 수평 슬라이드 박리 방식이 보다 적합하다. 적층체는 가열되고, 접착층이 융해 또는 연화된 상태에서 힘을 가함으로써 웨이퍼는 지지체로부터 박리된다. 가열 온도는, 본 발명에서 이용하는 접착재에서는 바람직하게는 50 내지 300 ℃, 보다 바람직하게는 60 내지 230 ℃, 더욱 보다 바람직하게는 70 내지 200 ℃이다.
이들 박리를 행하는 장치로는, EVG사의 EVG850DB, SUSS사의 XBC300(모두 상품명) 등을 들 수 있다.
[공정 (e)]
공정 (e)는 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 접착재를 제거하는 공정이다. 잔존하는 접착재의 제거는, 예를 들면 웨이퍼를 세정함으로써 행할 수 있다.
공정 (e)에는, 접착층 중 오르가노폴리실록산을 용해시키는 세정액이면 전부 사용 가능하고, 구체적으로는 아세톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-부타논, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 2-옥타논 등의 케톤류, 아세트산부틸, 벤조산메틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르류, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 셀로솔브류, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드류, 이소프로판올, 부탄올 등의 알코올류를 들 수 있고, 바람직하게는 케톤류, 에스테르류, 셀로솔브류이고, 특히 바람직하게는 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, n-메틸-2-피롤리돈, 아세톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-부타논, 메틸이소부틸케톤, 이소프로판올이다. 이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다. 또한, 제거하기 어려운 경우에는, 상기 용제에 염기류, 산류를 첨가할 수도 있다. 염기류의 예로는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 암모니아 등의 아민류, 테트라메틸암모늄 히드록시드 등의 암모늄염류가 사용 가능하다. 산류로는 아세트산, 옥살산, 벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산 등의 유기산이 사용 가능하다. 첨가량은, 세정액 중 농도로 0.01 내지 10 질량％, 바람직하게는 0.1 내지 5 질량％이다. 또한, 잔존물의 제거성을 향상시키기 위해, 기존의 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 세정 방법으로는, 상기 액을 이용하여 퍼들에서의 세정을 행하는 방법, 스프레이 분무에서의 세정 방법, 세정액조에 침지하는 방법이 가능하다. 온도는 10 내지 80 ℃, 바람직하게는 15 내지 65 ℃가 적합하다.
[실시예]
?제조예 1
(알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1)의 합성)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 부착한 1 L 플라스크에 물 234 g(13 몰), 톨루엔 35 g을 투입하고, 유욕에서 80 ℃로 가열하였다. 적하 깔때기에 페닐트리클로로실란 127 g(0.6 몰), 디페닐디클로로실란 56 g(0.2 몰), 메틸비닐디클로로실란 14.1 g(0.1 몰), 트리메틸클로로실란 9 g(0.1 몰)을 투입하고, 플라스크 내에 교반하면서 1 시간 동안 적하하고, 적하 종료 후, 추가로 80 ℃에서 1 시간 동안 교반 숙성을 행하였다. 실온까지 냉각하면서 정치하고 분리된 수상을 제거하고, 계속해서 10 ％ 황산나트륨 수용액을 혼합하여 10 분간 교반한 후, 30 분간 정치하고, 분리된 수상을 제거하는 물세정 조작을 톨루엔상이 중성이 될 때까지 반복하여 반응을 정지하였다. 에스테르 어댑터를 부착하고, 오르가노폴리실록산을 포함하는 톨루엔상을 가열 환류하여 톨루엔상으로부터 물을 제거하고, 내온이 110 ℃에 도달한 후 추가로 1 시간 동안 계속한 후, 실온까지 냉각하였다. 얻어진 오르가노폴리실록산 용액을 여과하여 불용물을 제거하고, 계속해서 감압 증류에 의해 톨루엔을 제거하여, 고체의 오르가노폴리실록산(수지 a1-1) 134 g을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산은 T 단위 60 몰％와 D 단위 30 몰％와 M 단위 10 몰％를 포함하고, 말단은 오르가노폴리실록산 100 g 당 실라놀기를 0.03 몰 함유하며, 외관은 무색 투명 고체이고 중량 평균 분자량은 9,100이었다. 또한, 이 수지의 연화점은 80 ℃였다.
이 수지 a1-1을 시클로펜타논 용액에 고형분 농도 75 ％로 용해시킨 용액을 수지 용액 R로 한다.
?제조예 2
(알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1)의 합성)
제조예 1에 있어서, 1 L 플라스크에 물 234 g(13 몰), 톨루엔 35 g을 투입하고, 유욕에서 80 ℃로 가열하였다. 적하 깔때기에 페닐트리클로로실란 148 g(0.8 몰), 메틸비닐디클로로실란 11.3 g(0.08 몰), 디메틸비닐클로로실란 26.5 g(0.12 몰)을 투입한 것 이외에는 마찬가지로 제조하여, 고체의 오르가노폴리실록산(수지 a1-2) 120 g을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산은 T 단위 80 몰％와 D 단위 8 몰％와 M 단위 12 몰％를 포함하고, 말단은 오르가노폴리실록산 100 g 당 실라놀기를 0.02 몰 함유하며, 외관은 무색 투명 고체이고 중량 평균 분자량은 6,200이었다. 또한, 이 수지의 연화점은 74 ℃였다.
?제조예 3
(오르가노폴리실록산 (A)의 합성)
(A1) 성분으로서 제조예 1에서 얻은 고형의 오르가노폴리실록산(수지 a1-1) 100 g을 프로필렌글리콜모노에테르아세테이트 100 g에 용해시키고, 고형분 농도 50 ％의 용액을 제조하였다. 이 용액에, 백금 촉매를 수지에 대하여 백금 원자로 100 ppm 첨가하고, 60 ℃로 가온한 상태에서, (A2) 성분으로서 1,1,2,2-테트라메틸디실록산 3.75 g을 적하한 바, 반응에 의한 발열을 관측하였다. (A1)에 대한 (A2)량은, H/Vi비로 0.75에 상당한다. 80 ℃에서 2 시간 동안 반응을 행하여, 반응을 완결시켰다. 그 후, 감압 증류 제거로 농축함으로써, 고형분 농도 75 ％의 수지 용액 P를 얻었다. 또한, 이 수지의 GPC에서 중량 평균 분자량 Mw를 측정한 바 27,000이었다.
?제조예 4
(오르가노폴리실록산 (A)의 합성)
오르가노폴리실록산(수지 a1-2) 100 g을 (A1) 성분으로서 이용하고, 파라비스(디메틸실릴)벤젠 5.2 g을 (A2) 성분으로서 이용하는 것 이외에는, 제조예 3과 동일한 반응을 행하여, 중량 평균 분자량 34,200, 고형분 농도 75 ％의 수지 용액 Q를 얻었다. (A1)에 대한 (A2)량은, H/Vi비로 0.8에 상당한다.
?비교 제조예 1
(알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1) 대응품의 합성)
제조예 1에 있어서, 1 L 플라스크에 물 234 g(13 몰), 톨루엔 35 g을 투입하고, 유욕에서 80 ℃로 가열하였다. 적하 깔때기에 페닐트리클로로실란 53 g(0.25 몰), 디페닐디클로로실란 101 g(0.4 몰), 메틸비닐디클로로실란 35.3 g(0.25 몰), 트리메틸클로로실란 11 g(0.1 몰)을 투입한 것 이외에는 마찬가지로 제조하여, 점조한 오르가노폴리실록산(비교 수지 1) 142 g을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산은 T 단위 25 몰％와 D 단위 65 몰％와 M 단위 10 몰％를 포함하고, 말단은 오르가노폴리실록산 100 g 당 실라놀기를 0.01 몰 함유하고, 외관은 무색 투명 고체로 중량 평균 분자량은 11,700이었다. 또한, 이 수지는 실온에서 유동성이 있는 것이며, 냉각하여 제작한 시료로부터 관측된 연화점은 23 ℃였다.
?비교 제조예 2
(오르가노폴리실록산 (A) 대응품의 합성)
오르가노폴리실록산(비교 수지 1) 100 g과, 1,1,2,2-테트라메틸디실록산 8.8 g을 이용하고, 제조예 3과 동일한 반응을 행하여, 중량 평균 분자량 14,200, 고형분 농도 75 ％의 수지 용액 S를 얻었다. 이 반응에서는 반응 성분의 H/Vi비는 0.75에 상당한다.
[실시예 1, 2 및 비교예 1, 2]
8인치 실리콘 웨이퍼(두께: 725 ㎛)의 한쪽면 전체면에 수지 용액(P, Q, R, S)을 이용하여, 스핀 코팅으로 하기 표 1에 기재된 막 두께(건조 후)를 갖는 접착층을 전체면에 형성하였다. 직경 8인치의 유리판을 지지체로 하고, 이 지지체와, 접착층을 갖는 실리콘 웨이퍼를 진공 접합 장치 내에서 표 1에 나타내는 조건으로 접합하여, 적층체를 제작하였다.
그 후, 하기 시험을 행하였다. 또한, 박리성, 세정 제거성에 대해서는, 별도 실험 기판을 제작하고 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
-태크감 시험-
스핀 코팅 후의 도막을 핫 플레이트 상에 150 ℃에서 2 분간 올려놓고 건조시켜, 막 내의 용제를 완전히 제거한 후, 얻어진 박막에 대해서 지촉에 의한 태크감을 조사하였다. 태크감이 없는 경우에 양호하다고 평가하여 "양호"라고 나타내고, 태크감이 있는 경우에는 불량이라 평가하여 "불량"이라고 나타내었다.
-접착성 시험-
8인치의 웨이퍼 접합은, EVG사의 웨이퍼 접합 장치 520IS를 이용하여 행하였다. 접합 온도는 표 1에 기재된 값, 접합시의 챔버내 압력은 10-3 mbar 이하, 하중은 5 kN으로 실시하였다. 접합 후, 실온까지 냉각한 후의 계면의 접착 상황을 육안으로 확인하고, 계면에서의 기포 등의 이상이 발생하지 않은 경우를 양호라고 평가하여 "○"로 나타내고, 이상이 발생한 경우를 불량이라고 평가하여 "×"로 나타내었다.
-이면 연삭 내성 시험-
그라인더(DAG810 DISCO 제조)를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 이면 연삭을 행하였다. 최종 기판 두께 50 ㎛까지 그라인드한 후, 광학 현미경으로 균열, 박리 등의 이상의 유무를 조사하였다. 이상이 발생되지 않은 경우를 양호라고 평가하여 "○"로 나타내고, 이상이 발생한 경우를 불량이라고 평가하여 "×"로 나타내었다.
-내열성 시험-
실리콘 웨이퍼를 이면 연삭한 후의 적층체를 질소 분위기하의 250 ℃ 오븐에 2 시간 동안 넣은 후, 270 ℃의 핫 플레이트 상에서 10 분간 가열한 후의 외관 이상의 유무를 조사하였다. 외관 이상이 발생하지 않은 경우를 양호라고 평가하여 "○"로 나타내고, 외관 이상이 발생한 경우를 불량이라고 평가하여 "×"로 나타내었다.
-박리성 시험-
기판의 박리성은 모의적으로 이하의 실험에 의해서 평가를 행하였다.
별도 6인치 실리콘 웨이퍼 상에 상기 접착층을 형성하고, 이 웨이퍼를 핫 플레이트 상에서 표 1의 온도에서 가열하면서, 35 mm×35 mm×두께 0.725 m로 컷팅된 실리콘 기판(이하, 실리콘 소편이라 함)을 가압하여 접착시켰다. 그 후, 상기 내열 시험과 마찬가지의 조건에 노출시킨 후, 본드 테스터(DAGE 제조, 시리즈 4000)를 이용하여 이하의 박리성 시험을 실시하였다.
도 1은 박리성 시험의 방법을 도시한 도면이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼 (1)과, 실리콘 웨이퍼 (1) 상에 형성한 접착층 (2)와, 접착층 (2)를 통해 실리콘 웨이퍼 (1) 상에 접착시킨 실리콘 소편 (3)을 포함하는 시험체를 진공 처크 장착 히터 (4)에 고정시켰다. 180 ℃로 가열하면서 상기 본드 테스터의 프로브 (5)를 화살표 (6)의 방향으로 움직여 실리콘 소편 (3)의 측부에 수평 방향으로 가압하고, 서서히 누르는 힘을 증가시켜, 실리콘 소편 (3)이 슬라이드하기 시작했을 때의 힘을 계측하였다. 수평 방향의 누르는 힘이 1 N 이하일 때 실리콘 소편이 슬라이드한 것을 양호라고 평가하여 "○"로 나타내고, 1 N보다 큰 힘이 필요하던 것을 불량이라고 평가하여 "×"로 나타내었다.
-세정 제거성 시험-
상기 박리성 시험 종료 후 6인치 웨이퍼(내열 시험 조건에 노출된 것)를, 접착층을 위로 하여 스핀 코터에 세팅하고, 세정 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 분무하고, 웨이퍼 상에 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 올려놓았다. 23 ℃에서 2 분간 정치한 후, 웨이퍼 상의 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 버리고, 새롭게 동일하게 하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 올려놓고 정치하는 동일한 조작을 2회 반복한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 이소프로필알코올(IPA)을 분무하여 린스를 행하였다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착재 수지의 유무를 육안으로 체크하였다. 수지의 잔존이 인정되지 않는 것을 양호하다고 평가하여 "○"로 나타내고, 수지의 잔존이 인정된 것을 불량이라고 평가하여 "×"로 나타내었다.
Figure pat00006
본 발명의 가접착재 조성물은, 예를 들면 반도체 제조 분야에서, 반도체 웨이퍼의 비회로 형성면을 절삭할 때에 회로 형성면을 지지체에 접착하고, 절삭 후 용이하게 박리하는 등, 웨이퍼끼리, 웨이퍼와 지지체의 가접착에 유용하다.
1 실리콘 웨이퍼
2 접착층
3 실리콘 소편
4 진공 처크 장착 히터
5 프로브
6 화살표

Claims (5)

  1. (A) 하기의 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1)과 히드로실릴기 함유 화합물 (A2)와의 백금족 금속계 촉매의 존재하에서의 히드로실릴화 반응에 의해 얻어진, 중량 평균 분자량 15,000 이상의 오르가노폴리실록산,
    (A1):
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T 단위) 35 내지 99 몰％,
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D 단위) 0 내지 49 몰％,
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M 단위) 1 내지 25 몰％
    [여기서, R1 내지 R6은 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1 내지 10의 1가 탄화수소기를 나타낸다]
    를 함유하고, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 규소 원자에 결합한 전체 유기기의 2 몰％ 이상 함유하며, 중량 평균 분자량이 2,000을 초과하는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산,
    (A2) 평균 조성식 1로 표시되고, 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 화학식 2로 표시되는 비스히드로실릴 화합물, 또는 이들의 조합이며, 상기 오르가노폴리실록산 (A1)의 총 알케닐기에 대하여 규소 원자에 결합한 수소 원자수가 0.4 내지 1.0 몰배가 되는 양의 히드로실릴기 함유 화합물,
    <평균 조성식 1>
    Figure pat00007

    (식 중, R7은 알케닐기 이외의 1가의 탄화수소기이고, a 및 b는 각각 0.75≤a≤2.5, 0.05≤b≤1.0 및 0.8≤a+b≤2.6을 만족시키는 수임)
    <화학식 2>
    Figure pat00008

    (식 중, R8 및 R9는 독립적으로 알케닐기 이외의 1가의 탄화수소기이고, X는 2가의 유기기임)
    및
    (B) 비점 220 ℃ 이하의 유기 용제
    를 함유하여 이루어지는 가(假)접착재 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산 (A1)이 갖는 알케닐기가 비닐기이며, 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기 R1, R2, R3, R4, R5 및/또는 R6에 포함되어 있는 가접착재 조성물.
  3. 제1항 내지 제2항에 있어서, 평균 조성식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산이 화학식 3으로 표시되는 가접착재 조성물.
    <화학식 3>
    Figure pat00009

    (식 중, n은 0 내지 38의 정수이고, R8 내지 R11은 독립적으로 치환 또는 비치환된 1가의 탄화수소기임)
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A1) 성분의 오르가노폴리실록산이
    (I) 상기 T 단위 40 내지 98.9 몰％,
    (II) 상기 D 단위 0 내지 48.9 몰％,
    (III) 상기 M 단위 1 내지 25 몰％, 및
    (IV) 추가로 SiO4 /2로 표시되는 실록산 단위(Q 단위) 0.1 내지 30 몰％
    를 포함하는 오르가노폴리실록산인 가접착재 조성물.
  5. (a) 회로 형성면 및 회로 비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로 형성면을, 제1항 또는 제2항에 기재된 가접착재 조성물을 포함하는 접착층을 통해 지지체에 접합하는 공정,
    (b) 지지체와 접합한 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭하는 공정,
    (c) 회로 비형성면을 연삭한 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정,
    (d) 가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정, 및
    (e) 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 접착재 조성물을 제거하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
KR1020120002782A 2011-01-11 2012-01-10 가접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 KR101633956B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-003097 2011-01-11
JP2011003097A JP5348147B2 (ja) 2011-01-11 2011-01-11 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120081562A true KR20120081562A (ko) 2012-07-19
KR101633956B1 KR101633956B1 (ko) 2016-06-27

Family

ID=46457147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120002782A KR101633956B1 (ko) 2011-01-11 2012-01-10 가접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8785585B2 (ko)
EP (1) EP2475002B1 (ko)
JP (1) JP5348147B2 (ko)
KR (1) KR101633956B1 (ko)
TW (1) TWI526512B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140070359A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013058217A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 旭硝子株式会社 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9157014B2 (en) 2012-11-29 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Adhesives including a filler material and related methods
US9269603B2 (en) 2013-05-09 2016-02-23 Globalfoundries Inc. Temporary liquid thermal interface material for surface tension adhesion and thermal control
CN105247661B (zh) 2013-05-29 2018-09-21 三井化学东赛璐株式会社 半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法
WO2015072418A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス
WO2015115060A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6023737B2 (ja) 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
WO2015152010A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 三井化学東セロ株式会社 保護フィルム、及び、該保護フィルムを用いる半導体装置の製造方法
JP2018524779A (ja) * 2015-07-15 2018-08-30 グリッドテンシャル エナジー インコーポレイテッドＧｒｉｄｔｅｎｔｉａｌ Ｅｎｅｒｇｙ，Ｉｎｃ． バイポーラ電池のシールおよび熱リブ構成
JP6589766B2 (ja) * 2015-08-18 2019-10-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
KR101759827B1 (ko) * 2016-03-08 2017-07-31 네이버비즈니스플랫폼 주식회사 가변 그리드의 인덱스를 이용한 입력 인식 방법 및 시스템
US10147631B2 (en) * 2016-09-26 2018-12-04 Dow Silicones Corporation Fluoro-silicone compositions as temporary bonding adhesives
US10170301B2 (en) 2017-03-29 2019-01-01 International Business Machines Corporation Adhesion of polymers on silicon substrates
US11345837B2 (en) * 2017-07-06 2022-05-31 Nissan Chemical Corporation Temporary adhesive containing phenyl group-containing polysiloxane
WO2020105586A1 (ja) 2018-11-19 2020-05-28 日産化学株式会社 光照射剥離用接着剤組成物及び積層体並びに積層体の製造方法及び剥離方法
JP2020139040A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 旭化成ワッカーシリコーン株式会社 剥離フィルム用水中油型シリコーンエマルジョン組成物、剥離フィルム、および、その剥離フィルムの製造方法、ならびに、剥離フィルムにおける塗工性と剥離性との調整方法
JP7220119B2 (ja) 2019-05-22 2023-02-09 信越化学工業株式会社 基板用仮接着剤の洗浄液、基板の洗浄方法および支持体または基板の洗浄方法
US20220186152A1 (en) 2019-05-22 2022-06-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Detergent composition, substrate cleaning method, and cleaning method for support or substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
KR20070110310A (ko) * 2005-03-01 2007-11-16 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법
JP2010070599A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Dow Corning Toray Co Ltd 液状ダイボンディング剤

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0726085B2 (ja) * 1988-09-21 1995-03-22 信越化学工業株式会社 シリコーン系感圧接着剤組成物
CA2088865A1 (en) * 1992-03-06 1993-09-07 Larry D. Boardman Organosilicone compositions
FR2698875B1 (fr) * 1992-12-04 1995-01-13 Rhone Poulenc Chimie Système silicone modulateur d'adhérence et son utilisation pour la préparation de compositions antiadhérentes durcissables.
US7160972B2 (en) * 2003-02-19 2007-01-09 Nusil Technology Llc Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2007510306A (ja) * 2003-10-28 2007-04-19 ダウ・コーニング・コーポレイション 平坦な上面を有するパッドの製造方法
JP4648099B2 (ja) * 2005-06-07 2011-03-09 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物
EP1749861B1 (en) * 2005-08-03 2014-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition curable silicone resin composition for light emitting diode
TWI434890B (zh) * 2007-04-06 2014-04-21 Shinetsu Chemical Co 加成可硬化聚矽氧樹脂組成物及使用彼之聚矽氧鏡片
JP2009256400A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体素子用シリコーン接着剤
JP2010285571A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物
JP2011249417A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
KR20070110310A (ko) * 2005-03-01 2007-11-16 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법
US7541264B2 (en) 2005-03-01 2009-06-02 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
JP2010070599A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Dow Corning Toray Co Ltd 液状ダイボンディング剤

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140070359A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101633956B1 (ko) 2016-06-27
JP5348147B2 (ja) 2013-11-20
US20120175045A1 (en) 2012-07-12
JP2012144616A (ja) 2012-08-02
US8785585B2 (en) 2014-07-22
TWI526512B (zh) 2016-03-21
EP2475002A1 (en) 2012-07-11
EP2475002B1 (en) 2014-07-30
US20140261978A1 (en) 2014-09-18
TW201245374A (en) 2012-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101633956B1 (ko) 가접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
KR101726004B1 (ko) 임시 접착재 조성물 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
JP5687230B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR101907010B1 (ko) 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
JP5767159B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5409695B2 (ja) オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンを含む仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
KR101924403B1 (ko) 웨이퍼 가공용 가접착재, 이를 이용한 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공체, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
JP5592330B2 (ja) 仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
JP7351260B2 (ja) デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 4