KR20120079327A - Light emitting diode having current spreading layer with an opening and light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode and a light emitting diode package including a current spreading layer with an opening part are provided to increase external quantum efficiency by largely forming a surface of a light emitting structure. CONSTITUTION: A first electrode(130) is electrically connected to a first conductive semiconductor layer(112). A current blocking layer(160) is formed on a second conductive semiconductor layer(116). The current blocking layer is extended from between a current spreading layer(120) and the second conductive semiconductor layer to an opening part(122). A second electrode(140) is electrically connected to the second conductive semiconductor layer. The second electrode is extended from the current spreading layer to the opening part.

Description

개구부가 형성된 전류 분산층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지{Light emitting diode having current spreading layer with an opening and light emitting diode package}Light emitting diode having a current spreading layer with an opening and light emitting diode package

본 발명의 기술적 사상은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전류 집중 현상을 방지하여 전류의 분산을 원활하게 하는 개구부가 형성된 전류 분산층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode and a light emitting diode package having a current dispersing layer having an opening formed therein to prevent a current concentration phenomenon to facilitate the distribution of current.

발광다이오드는 공기에 비하여 높은 굴절률을 가지므로, 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광의 많은 부분이 소자 내부에 잔존하게 된다. 이러한 광자는 외부로 탈출하기 전에 박막, 기판, 전극 등 여러 경로를 거치게 되며, 이에 따른 흡수에 의하여 외부양자효율이 감소된다. 이러한 외부양자효율의 증가를 위한 다양한 연구가 계속되고 있다.Since the light emitting diode has a higher refractive index than air, much of the light generated by the recombination of electrons and holes remains in the device. These photons pass through various paths such as a thin film, a substrate, and an electrode before escaping to the outside, and the external quantum efficiency is reduced by absorption. Various studies for increasing the external quantum efficiency are continuing.

특히, p-전극과 n-전극 사이에서 발생되는 전류 집중 현상에 의하여, 활성층 전체에 대하여 전류를 균일하게 분산하지 못하고, 전극 주변에 전류가 집중됨으로써 전극으로부터 멀리 떨어진 영역에 상대적으로 어두운 암부를 발생시킨다. 이러한 전류 집중 현상에 의하여 외부양자효율이 저하되고, 국부적인 열화나 노화 현상이 발생되는 등의 문제점이 있었다.In particular, due to the current concentration phenomenon generated between the p-electrode and the n-electrode, the current is not uniformly distributed over the entire active layer, and current is concentrated around the electrode, so that dark areas are generated in a region far from the electrode. Let's do it. Due to such a current concentration phenomenon, the external quantum efficiency is lowered, and there are problems such as local degradation and aging.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전류 분산층에 개구부를 형성하여 전류 집중을 감소시키고, 이에 따라 외부양자효율을 향상시킬 수 있는 개구부가 형성된 전류 분산층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light emitting diode and a light emitting diode package having a current spreading layer in which openings are formed to form openings in the current spreading layer to reduce current concentration, thereby improving external quantum efficiency. will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 기판, 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 개구부가 형성된 전류 분산층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 상기 전류 분산층과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이로부터 상기 개구부로 연장되는 전류 저지층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 전류 저지층에 대응되도록 상기 전류 분산층 상에서 상기 개구부로 연장되는 제2 전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode including a substrate, a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate. A first electrode electrically connected to the conductive semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer positioned on the second conductive semiconductor layer, the current spreading layer formed in the opening, and the second conductive semiconductor layer positioned on the second conductive semiconductor layer. A second electrode electrically connected to the current blocking layer and the second conductive semiconductor layer extending between the two conductive semiconductor layers and extending into the opening on the current dispersion layer to correspond to the current blocking layer; It includes.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은 본딩 패드 및 핑거를 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 발광구조물의 일측에 위치하고, 상기 본딩 패드는 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하도록 위치하며, 상기 핑거는 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하여 방향인 제1 방향으로 연장될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the second electrode includes a bonding pad and a finger, wherein the first electrode is positioned on one side of the light emitting structure, and the bonding pad is positioned adjacent to the other side opposite to the one side. The finger may extend in a first direction from the bonding pad toward the first electrode.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 개구부는, 상기 제1 전극에 인접하도록 위치하며, 상기 핑거의 상기 제1 방향으로의 일단은, 상기 개구부의 테두리와 이격되도록, 상기 개구부 내까지 연장될 수 있다. In some embodiments of the present invention, the opening is positioned adjacent to the first electrode, and one end of the finger in the first direction extends into the opening to be spaced apart from an edge of the opening. Can be.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류 저지층은 상기 개구부에 의하여 노출되는 상기 제2 도전형 반도체층을 모두 덮도록 형성될 수 있다.In some embodiments, the current blocking layer may be formed to cover all of the second conductivity type semiconductor layers exposed by the openings.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 개구부에 의하여 노출되는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되고, 빛의 산란을 유도하는 반사 방지층을 더 포함할 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the semiconductor device may further include an anti-reflection layer formed on the second conductive semiconductor layer exposed by the opening and inducing scattering of light.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층은, 상기 제2 전극에 의하여 노출되는 상기 전류 분산층 상에도 함께 형성될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the anti-reflection layer may be formed together on the current spreading layer exposed by the second electrode.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은, 상기 제1 전극을 향하는 상기 핑거의 일단에 연결되며 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 수직 핑거를 더 포함하며, 상기 개구부는 상기 수직 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 측면을 감싸도록 형성될 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the second electrode further includes a vertical finger connected to one end of the finger facing the first electrode and extending in a second direction perpendicular to the first direction. The opening may be formed to surround a side facing the first electrode of the vertical finger.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은, 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 핑거를 가로지르면서 상기 핑거와 연결되는 적어도 하나의 보조 수직 핑거를 더 포함하며, 상기 전류 분산층은 상기 적어도 하나의 보조 수직 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 측면을 감싸도록 형성되는 적어도 하나의 보조 개구부를 더 포함할 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the second electrode further includes at least one auxiliary vertical finger extending in the second direction and connected to the finger while crossing the finger, wherein the current spreading layer is The display device may further include at least one auxiliary opening formed to surround a side of the at least one auxiliary vertical finger facing the first electrode.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 보조 수직 핑거의 상기 제2 방향으로의 연장 길이는 상기 수직 핑거의 상기 제2 방향으로 연장 길이보다 긴 값을 가질 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the extension length of the at least one auxiliary vertical finger in the second direction may have a value longer than the extension length of the vertical finger in the second direction.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 보조 수직 핑거는 복수 개이며, 상기 복수개의 보조 수직 핑거의 상기 제2 방향으로의 연장 길이는, 상기 본딩 패드에 인접할수록 길 수 있다.In some embodiments of the present invention, the at least one auxiliary vertical finger is plural, and an extension length of the plurality of auxiliary vertical fingers in the second direction may be longer as the bonding pad is closer to the bonding pad.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지는, 기판, 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 개구부가 형성된 전류 분산층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 상기 전류 분산층과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이로부터 상기 개구부로 연장되는 전류 저지층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 전류 저지층에 대응되도록 상기 전류 분산층 상에서 상기 개구부로 연장되는 제2 전극을 포함하는 발광 다이오드, 상기 본딩 패드, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임 및 상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a substrate, a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate. A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer, the current spreading layer formed on the second conductive semiconductor layer, the current spreading layer having an opening formed on the second conductive semiconductor layer, and the current spreading layer A second electrically conductive layer connected to the current blocking layer and the second conductive semiconductor layer between the second conductive semiconductor layer and extending into the opening on the current dispersion layer so as to correspond to the current blocking layer; A light emitting diode including an electrode, the lead pad connected to the bonding pad, the second electrode, or both, and the light emitting diode It comprises a transparent protective layer that covers and protects the lead frame.

본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 전류 분산층에 개구부를 형성함으로써, 발광구조물에 더 균일하게 전류를 제공할 수 있고, 이에 따라 광의 방출되는 발광구조물의 면적을 더 크게 하여 외부 양자효율을 증가시킬 수 있다.The light emitting diode according to the technical concept of the present invention can provide an even current to the light emitting structure more uniformly by forming an opening in the current spreading layer, thereby increasing the area of the light emitting structure emitting light to increase the external quantum efficiency. Can be increased.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1a)의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1b)의 상면도이다. 도 6은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 도 5의 선 VI-VI을 따라 절취된 발광 다이오드(1b)의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1c)의 상면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1d)의 상면도이다.
도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1a according to some embodiments of the present invention.
5 is a top view of the light emitting diode 1b according to some embodiments of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1b taken along the line VI-VI of FIG. 5, according to some embodiments.
7 is a top view of the light emitting diode 1c according to some embodiments of the present invention.
8 is a top view of the light emitting diode 1d according to some embodiments of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 명세서 전체에 걸쳐서 층, 영역, 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접적으로 연결되어", 또는 "직접적으로 하에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention; Embodiments of the present invention are provided to more fully explain the technical idea of the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in many different forms, and The scope of the technical idea is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of description. Like numbers refer to like elements herein. Throughout the specification, when referring to one component, such as a layer, region, or substrate, being located on, “connected”, or “under” another component, the one component is directly in another configuration. It may be interpreted that there may be other components in contact with or interposed between, or “on,” “connected”, or “under” an element. On the other hand, when one component is referred to as being located on another component "directly on", "directly connected", or "directly under", it is interpreted that there are no other components intervening therebetween. do.

도면에서 전류의 흐름은 실선 화살표로 도시되어 있고, 광의 진행은 점선 화살표로 도시되어 있다.In the figure the flow of current is shown by solid arrows and the progress of light is shown by dashed arrows.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 다이오드(1)는 기판(100) 및 기판(100)의 제1 면(102) 상에 위치한 발광구조물(110), 개구부(122)가 형성된 전류 분산층(120, current spreading layer), 제1 전극(130), 제2 전극(140)을 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), 기판(100)의 제2 면(104)에 위치한 제1 반사 부재(170), 제2 반사 부재(180), 또는 이들 모두를 더 포함할 수 있다.1 to 3, the light emitting diode 1 may include a light emitting structure 110 and an opening 122 formed on the substrate 100 and the first surface 102 of the substrate 100. 120, a current spreading layer), a first electrode 130, and a second electrode 140. In addition, the first reflective member 170, the second reflective member 180, or both may be further included on the second surface 104 of the substrate 100.

기판(100)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 탄화물(SiC), 갈륨 질화물(GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 질화물(AlN), 붕산 질화물(BN), 갈륨 인화물(GaP), 인듐 인화물(InP), 리튬-알루미늄 산화물(LiAl2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100)의 상면, 하면, 또는 이들 모두에는 광을 반사시킬 수 있는 요철 패턴(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 요철 패턴은 스트라이프 형태, 렌즈 형태, 기둥 형태, 뿔 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The substrate 100 includes sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), silicon (Si), germanium (Ge), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide ( MgO), aluminum nitride (AlN), borate nitride (BN), gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), and lithium-aluminum oxide (LiAl 2 O 3 ) may be included. Although not shown, an uneven pattern (not shown) capable of reflecting light may be formed on an upper surface, a lower surface, or both of the substrate 100, and the uneven pattern may have a stripe shape, a lens shape, a pillar shape, and an horn. It may have various shapes such as shape.

기판(100)의 제1 면(102) 상에는 기판(100)과 발광구조물(110) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(106)이 위치할 수 있다. 버퍼층(106)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, AlInN 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100) 또는 버퍼층(106) 상에 언도프드(undoped) 반도체층(미도시)이 위치할 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 GaN를 포함할 수 있다.A buffer layer 106 may be disposed on the first surface 102 of the substrate 100 to mitigate lattice mismatch between the substrate 100 and the light emitting structure 110. The buffer layer 106 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include, for example, at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, and AlInN. Although not shown, an undoped semiconductor layer (not shown) may be disposed on the substrate 100 or the buffer layer 106, and the undoped semiconductor layer may include GaN.

발광구조물(110)은 기판(100) 상에 위치할 수 있고, 또한 버퍼층(106) 상에 위치할 수 있다. 발광구조물(110)은 복수의 도전형 반도체층이 기판(100)을 기준으로 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이하에서는 발광구조물(110)이 n-p 접합 구조인 경우를 일 예로 설명하기로 한다.The light emitting structure 110 may be located on the substrate 100 and may also be located on the buffer layer 106. The light emitting structure 110 may have a plurality of conductive semiconductor layers formed of any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure based on the substrate 100. Hereinafter, a case in which the light emitting structure 110 is an n-p junction structure will be described as an example.

발광구조물(110)은 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다. 발광구조물(110)은, 예를 들어 전자빔 증착(electron beam evaporation), 물리기상증착(physical vapor deposition, PVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD, PECVD), 플라즈마 레이저 증착(plasma laser deposition, PLD), 듀얼 타입 열증착(dual-type thermal evaporator), 스퍼터링(sputtering), 유기금속 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductive semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive semiconductor layer 116 sequentially stacked. The light emitting structure 110 may include, for example, electron beam evaporation, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced CVD (PECVD), and the like. , Plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

발광구조물(110)에 순방향으로 전압을 인가하면, 활성층(114)의 전도대에 있는 전자와 가전자대에 있는 정공이 천이되어 재결합하고, 에너지 갭에 해당하는 에너지가 광으로 방출된다. 활성층(114)을 구성하는 물질의 종류에 따라서 방출되는 광의 파장이 결정된다. 또한, 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공을 활성층(114)에 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(112)과 제2 도전형 반도체층(116)은 서로 다른 도전형을 가지도록 서로 다른 불순물들을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 불순물들을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 불순물들을 포함할 수 있다. 이러한 경우에는, 제1 도전형 반도체층(112)는 전자를 제공할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 정공을 제공할 수 있다. 또한, 이와 반대로, 제1 도전형 반도체층(112)이 p형이고, 제2 도전형 반도체층(116)이 n형인 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 각각 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 갈륨 질화물계 물질을 포함할 수 있다.When a voltage is applied to the light emitting structure 110 in the forward direction, electrons in the conduction band of the active layer 114 and holes in the valence band transition and recombine, and energy corresponding to the energy gap is emitted as light. The wavelength of the emitted light is determined by the type of material constituting the active layer 114. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 112 and the second conductivity type semiconductor layer 116 may perform a function of providing electrons or holes to the active layer 114 according to the applied voltage. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may include different impurities to have different conductivity types. For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type impurities, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may include p-type impurities. In this case, the first conductivity type semiconductor layer 112 may provide electrons, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may provide holes. Conversely, the case where the first conductive semiconductor layer 112 is p-type and the second conductive semiconductor layer 116 is n-type is also included in the technical idea of the present invention. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may each include a group III-V compound material, and may include, for example, a gallium nitride-based material.

제1 도전형 반도체층(112)은 n형 도펀트(dopant)가 도핑된 n-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 n-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 112 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant, for example, n-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type GaN. The n-type dopant may be at least one of silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

제2 도전형 반도체층(116)은 p형 도펀트가 도핑된 p-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 p-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2 도전형 반도체층(116)은 p-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 p형 도펀트는 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 베릴륨(Be), 및 바륨(Ba) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제2 도전형 반도체층(116)은 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 116 may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, for example, p-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the second conductivity-type semiconductor layer 116 may include p-type GaN. The p-type dopant may be at least one of magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), beryllium (Be), and barium (Ba). Although not shown, the second conductive semiconductor layer 116 may have an uneven pattern (not shown) formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 116 to scatter and refract light to be emitted to the outside.

활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)에 비하여 낮은 에너지 밴드갭을 가지므로 발광을 활성화할 수 있다. 활성층(114)은 다양한 파장의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어 적외선, 가시 광선, 또는 자외선을 방출할 수 있다. 활성층(114)은 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있고, 예를 들어 InGaN 또는 AlGaN을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(114)은 단일양자우물(single quantum well, SQW) 또는 다중양자우물(multi quantum well, MQW)을 포함할 수 있다. 활성층(114)은 양자 우물층과 양자 장벽층의 적층 구조를 가질 수 있고, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 갯수는 설계 상의 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 활성층(114)은, 예를 들어 GaN/InGaN/GaN MQW 구조 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 활성층(114)은 구성 물질에 따라 방출되는 광의 파장이 달라지며, 예를 들어, 인듐의 양이 약 22%의 경우에는 청색 광을 발광할 수 있고, 약 40%의 경우에는 녹색 광을 발광할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상은 활성층(114)의 구성 물질에 대해 한정하는 것은 아니다.Since the active layer 114 has a lower energy band gap than the first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116, light emission may be activated. The active layer 114 may emit light of various wavelengths, and may emit infrared light, visible light, or ultraviolet light, for example. The active layer 114 may comprise a Group III-V compound material, for example AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1), for example It may include InGaN or AlGaN. In addition, the active layer 114 may include a single quantum well (SQW) or a multi quantum well (MQW). The active layer 114 may have a stacked structure of a quantum well layer and a quantum barrier layer, and the number of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be variously changed according to design needs. In addition, the active layer 114 may include, for example, a GaN / InGaN / GaN MQW structure or a GaN / AlGaN / GaN MQW structure. However, this is exemplary, and the active layer 114 has a wavelength of light emitted according to a constituent material, for example, when the amount of indium is about 22%, it may emit blue light, and about 40% It can emit green light. The technical spirit of the present invention is not limited to the constituent materials of the active layer 114.

발광구조물(110)은 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역이 제거된 메사(mesa) 영역을 가질 수 있고, 또한 제1 도전형 반도체층(112)의 일부가 제거될 수 있다. 활성층(114)은 상기 메사 영역에 한정되어 광을 방출할 수 있다. 상기 메사 영역을 형성함에 따라, 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역이 노출될 수 있다. 상기 메사 영역을 형성하기 위하여 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE), 습식 식각 또는 건식 식각을 이용할 수 있다.The light emitting structure 110 may have a mesa region in which some regions of the active layer 114 and the second conductive semiconductor layer 116 are removed, and a portion of the first conductive semiconductor layer 112 is removed. Can be. The active layer 114 may be limited to the mesa region to emit light. As the mesa region is formed, a portion of the first conductivity type semiconductor layer 112 may be exposed. In order to form the mesa region, inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), wet etching, or dry etching may be used.

전류 분산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 위치할 수 있다. 전류 분산층(120)은 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류를 제2 도전형 반도체층(116)에 대하여 균일하게 분산하는 기능을 수행할 수 있다. 전류 분산층(120)은 전체적으로 패턴이 없는 박막 형태를 가지거나 또는 일정한 패턴 형태를 가질 수 있다. 전류 분산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116)과의 접착성을 위해 메쉬(mesh) 구조의 패턴으로 형성될 수 있다. 전류 분산층(120)에는 전류 분산층(120)을 관통하는 개구부(122)가 형성될 수 있다. 개구부(122)를 통하여, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 또는 후술할 전류 저지층(160)의 일부가 노출될 수 있다. The current spreading layer 120 may be located on the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may uniformly distribute the current injected from the second electrode 140 with respect to the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may have a thin film shape without a pattern as a whole or may have a predetermined pattern shape. The current spreading layer 120 may be formed in a pattern of a mesh structure for adhesion to the second conductive semiconductor layer 116. An opening 122 penetrating the current spreading layer 120 may be formed in the current spreading layer 120. A portion of the second conductivity-type semiconductor layer 116 or a portion of the current blocking layer 160 to be described later may be exposed through the opening 122.

전류 분산층(120)은 투명하고 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 투명 전극층으로 지칭될 수 있다. 전류 분산층(120)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 니켈(Ni)과 금(Au)의 복합층일 수 있다. 또한, 전류 분산층(120)은 산화물을 포함할 수 있고, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IGO(indium gallium oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(aluminum tin oxide), IWO(indium tungsten oxide), CIO(cupper indium oxide), MIO(magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전류 분산층(120)은 예를 들어 증착(Evaporation) 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전류 분산층(120)은 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다. The current spreading layer 120 may include a transparent and conductive material, and may be referred to as a transparent electrode layer. The current spreading layer 120 may include a metal, and may be, for example, a composite layer of nickel (Ni) and gold (Au). In addition, the current spreading layer 120 may include an oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), or IAZO ( indium aluminum zinc oxide (GZO), gallium zinc oxide (GZO), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum tin oxide (ATO), indium tungsten oxide (IWO), It may include at least one of cupper indium oxide (CIO), magnesium indium oxide (MIO), MgO, ZnO, In2O 3 , TiTaO 2 , TiNbO 2 , TiOx, RuOx, and IrOx. The current spreading layer 120 may be formed using, for example, evaporation or sputtering, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto. In addition, the current spreading layer 120 may be formed on the upper surface of the concave-convex pattern (not shown) to scatter and refract light to the outside.

제1 전극(130)은 상기 메사 영역으로부터 노출된 제1 도전형 반도체층(112) 상에 위치할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(112)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 포함할 수 있다. 제1 전극(130)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ti/Al, Cr/Au, Ti/Au, Au/Sn과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 전극(130)는 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The first electrode 130 may be positioned on the first conductive semiconductor layer 112 exposed from the mesa region, and may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 112. The first electrode 130 may include a material forming an ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 112. For example, gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and palladium (Pd) may be used. ), Titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh) ), Ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or alloys thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The first electrode 130 may be composed of a single layer or multiple layers, for example, may be composed of multiple layers such as Ti / Al, Cr / Au, Ti / Au, Au / Sn. The bonding electrode may be connected to the first electrode 130 in the packaging process.

제2 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(114) 상에 위치할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 전극(140)은 전류 분산층(120) 상에 위치하여, 전류 분산층(120)을 통하여 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 서로 대향하도록 위치할 수 있다. 제2 전극(140)은 전류 분산층(120)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브를 포함할 수 있다. 제2 전극(140)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ni/Au, Pd/Au, Pd/Ni 과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 전극(140)은 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The second electrode 140 may be positioned on the second conductive semiconductor layer 114 and may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114. In addition, the second electrode 140 may be positioned on the current spreading layer 120 and electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114 through the current spreading layer 120. The first electrode 130 and the second electrode 140 may be positioned to face each other. The second electrode 140 may include a material forming an ohmic contact with the current spreading layer 120. For example, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or an alloy thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The second electrode 140 may be composed of a single layer or multiple layers. For example, the second electrode 140 may be formed of multiple layers such as Ni / Au, Pd / Au, and Pd / Ni. Bonding wires may be connected to the second electrode 140 in a package process.

제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 열증착, 전자빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 리프트 오프(lift-off), 도금법 등 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 오믹 콘택을 향상시키기 위하여 열처리될 수 있다.The first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed using thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering, or chemical vapor deposition. The technical idea of the present invention is not limited thereto. In addition, the first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed using various methods such as a lift-off and a plating method. In addition, the first electrode 130 and the second electrode 140 may be heat treated to improve ohmic contact.

제2 전극(140)은 본딩 와이어가 연결되는 본딩 패드(142) 및 제1 전극(130)을 향하여 연장된 핑거(144)를 더 포함할 수 있다. 핑거(144)는 전류를 전류 분산층(120)에 더 균일하게 분산시킬 수 있다. 본딩 패드(142)와 핑거(144)는 동일한 물질로 형성될 수 있고, 동시에 형성될 수 있다. 제1 전극(130)이 발광구조물(110)의 일측에 위치하고, 제2 전극(140) 중 본딩 패드(142)가 발광구조물(110)의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하도록 위치하는 경우, 핑거(144)는 본딩 패드(142)로부터 제1 전극(130)을 향하는 방향인 제1 방향(x 방향)으로 연장될 수 있다. The second electrode 140 may further include a bonding pad 142 to which the bonding wire is connected and a finger 144 extending toward the first electrode 130. Finger 144 may distribute the current more evenly in the current spreading layer 120. The bonding pads 142 and the fingers 144 may be formed of the same material and may be simultaneously formed. When the first electrode 130 is positioned on one side of the light emitting structure 110, and the bonding pad 142 of the second electrode 140 is adjacent to the other side of the light emitting structure 110 opposite to the one side, the finger is positioned. 144 may extend from the bonding pad 142 in a first direction (x direction), which is a direction toward the first electrode 130.

제2 전극(140)의 하측에는 반사 전극층(148)을 더 포함할 수 있다. 반사 전극층(148)은 광을 반사하여 제2 전극(140)이 광을 흡수하는 것을 방지할 수 있다. 반사 전극층(148)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 이들의 합금, 은(Ag)계 산화물(Ag-O) 또는 APC 합금(Ag, Pd, Cu를 포함하는 합금)을 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 전류 분산층(120)과 제2 전극(140) 사이의 오믹 접촉을 증가시키는 물질로 구성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 이러한 반사 전극층(148)은 제1 전극(130)의 하측에도 형성될 수 있다.The reflective electrode layer 148 may be further included below the second electrode 140. The reflective electrode layer 148 may reflect light to prevent the second electrode 140 from absorbing light. The reflective electrode layer 148 may include aluminum (Al), silver (Ag), alloys thereof, silver (Ag) oxides (Ag-O), or APC alloys (alloys including Ag, Pd, and Cu). . In addition, the reflective electrode layer 148 may further include at least one of rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and platinum (Pt). Can be. In addition, the reflective electrode layer 148 may be formed of a material for increasing ohmic contact between the current spreading layer 120 and the second electrode 140. Although not shown, the reflective electrode layer 148 may also be formed under the first electrode 130.

선택적으로, 제2 전극(140)의 하측에 전류 저지층(160)이 위치할 수 있다. 또한, 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 하측에서, 전류 분산층(120)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 위치할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)으로부터 직접적으로 하측 방향으로의 전류의 흐름을 저지시킬 수 있고 제1 전극(130)과 상대적으로 가까운 제2 전극(140)의 부분에 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 전류 저지층(160)은 제2 도전형 반도체층(116)에 전류가 균일하게 분산되는 기능을 할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)에 전체적으로 대응하여 형성될 수 있고, 제2 전극(140)의 면적과 동일한 면적을 가지거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 본딩 패드(142) 및 핑거(144)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 핑거(144)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 좁은 폭을 가질 수 있고, 본딩 패드(142)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 넓은 폭을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물과 같은 절연체일 수 있다. 전류 저지층(160)은 불투명하거나 또는 투명할 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물 또는 질화물일 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역을 산소 플라즈마 공정을 이용하여 산화시켜 형성한 갈륨 산화물(GaxOy)일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역에 불순물을 주입하여 도전형을 바꾼 부분일 수 있다. 이와 같은 전류 저지층(160)을 구성하는 물질은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.Optionally, the current blocking layer 160 may be positioned below the second electrode 140. In addition, the current blocking layer 160 may be positioned between the current spreading layer 120 and the second conductivity type semiconductor layer 116 under the second electrode 140. The current blocking layer 160 may block the flow of current in the downward direction directly from the second electrode 140, and current is concentrated in a portion of the second electrode 140 relatively close to the first electrode 130. It can be prevented from flowing. Accordingly, the current blocking layer 160 may function to uniformly distribute the current in the second conductive semiconductor layer 116. The current blocking layer 160 may be formed to correspond to the second electrode 140 as a whole, and may have an area equal to or larger than that of the second electrode 140. The current blocking layer 160 may have a shape corresponding to that of the second electrode 140, and may have a shape corresponding to that of the bonding pad 142 and the finger 144, for example. Accordingly, the current blocking layer 160 positioned below the finger 144 may have a relatively narrow width, and the current blocking layer 160 positioned below the bonding pad 142 may have a relatively wide width. Can be. The current blocking layer 160 may be an insulator such as an oxide, for example. The current blocking layer 160 may be opaque or transparent. The current blocking layer 160 may be, for example, an oxide or a nitride, and may be, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like. It may be a gallium oxide (GaxOy) formed by oxidizing using the metal oxide, and may be a portion in which a conductive type is changed by injecting impurities into a portion of the second conductive semiconductor layer 116. The material constituting the current blocking layer 160 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

선택적으로(optionally), 반사 방지층(190)이 전류 분산층(120) 상에 위치할 수 있다. 반사 방지층(190)은 설명은 편의를 위하여 도 3에만 도시되었으나, 도 1 또는 도 2에도 전류 분산층(120) 상에 형성될 수 있으며, 도 3에서도 반사 방지층(190)은 형성되지 않고 생략될 수 있다. 반사 방지층(190)은 광의 내부 반사를 감소시키고, 내부에서 방출된 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 더 용이하게 방출시키는 기능을 할 수 있다. 반사 방지층(190)은 울퉁불퉁한(roughened) 표면을 가질 수 있고, 규칙적인 패턴 또는 불규칙적 패턴일 수 있고, 또는 광결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있다. 반사 방지층(190)은 투명한 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 다공질 SiO2, KH2PO4(KDP), NH4H2PO4, CaCO3, BaB2O4, NaF, 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 반사 방지층(190)은 전류 분산층(120) 상에 투명한 절연층을 형성하고, 상기 투명한 절연층을 식각하여 형성할 수 있다. 전류 분산층(120)이 형성되지 않은 경우, 반사 방지층(190)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 형성될 수 있다. 반사 방지층(190)은 빛이 나오는 부분, 예를 들면 전류 분산층(120) 또는 제2 도전형 반도체층(116)보다는 굴절률이 작고, 빛이 나가는 부분, 즉 발광 다이오드(1)의 외부(예를 들면, 대기 또는 봉지재)보다는 굴절률이 큰 물질로 이루어질 수 있다. Optionally, an antireflection layer 190 may be located on the current spreading layer 120. Although the anti-reflection layer 190 is shown in FIG. 3 for convenience, the anti-reflection layer 190 may be formed on the current dispersion layer 120 in FIG. 1 or 2, and the anti-reflection layer 190 is not formed in FIG. 3 and may be omitted. Can be. The anti-reflection layer 190 may function to reduce internal reflection of the light and to scatter and refract the light emitted therein to more easily emit it to the outside. The antireflective layer 190 may have a roughened surface, may be a regular pattern or an irregular pattern, or may have a photonic crystal structure. The anti-reflection layer 190 may include a transparent insulator, for example silicon oxide (SiO 2 ), porous SiO 2 , KH 2 PO 4 (KDP), NH 4 H 2 PO 4 , CaCO 3 , BaB 2 O 4 It may include at least any one of, NaF, and Al 2 O 3 . The anti-reflection layer 190 may be formed by forming a transparent insulating layer on the current spreading layer 120 and etching the transparent insulating layer. When the current spreading layer 120 is not formed, the antireflection layer 190 may be formed on the second conductive semiconductor layer 116. The anti-reflection layer 190 has a smaller refractive index than the light emitting portion, for example, the current spreading layer 120 or the second conductive semiconductor layer 116, and the light emitting portion, that is, the outside of the light emitting diode 1 (for example, For example, it may be made of a material having a refractive index higher than that of air or an encapsulant.

제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)는 기판(100)의 제2 면(104) 상에 위치할 수 있고, 활성층(114)으로부터 방출된 광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 도면에서는, 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치하고 있으나, 이와 반대로 제2 반사 부재(180)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치할 수 있다.The first reflecting member 170 and the second reflecting member 180 may be positioned on the second surface 104 of the substrate 100 and may function to reflect light emitted from the active layer 114. have. In the drawing, although the first reflective member 170 and the second reflective member 180 are positioned in order from the second surface 104 of the substrate 100, the second reflective member 180 and the second reflective member are opposite to each other. It may be located in the order of 180.

제1 반사 부재(170)는 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector, DBR)일 수 있다. 제1 반사 부재(170)는 "mλ/4n" 의 두께를 각각 가지고 교대로 적층된 복수의 층들로 구성될 수 있다. 여기에서, λ는 방출되는 광의 파장, n은 매질의 굴절률, m은 홀수이다. 제1 반사 부재(170)은 저굴절률층(172)과 고굴절률층(174)의 적층 구조가 연속적으로 반복되어 적층 구조를 가질 수 있다. 저굴절률층(172)은, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2, 굴절률 1.4) 또는 알루미늄 산화물(Al2O3, 굴절률 1.6)을 포함할 수 있다. 고굴절률층(174)은, 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4, 굴절률 2.05~2.25) 티타늄 질화물(TiO2, 굴절률 2 이상), 또는 Si-H(굴절률 3 이상)를 포함할 수 있다.The first reflecting member 170 may be a distributed Bragg reflector (DBR). The first reflective member 170 may be composed of a plurality of layers alternately stacked with a thickness of “mλ / 4n”. Is the wavelength of the emitted light, n is the refractive index of the medium, and m is the odd number. The first reflective member 170 may have a stacked structure by repeatedly stacking the low refractive index layer 172 and the high refractive index layer 174. The low refractive index layer 172 may include, for example, silicon oxide (SiO 2 , refractive index 1.4) or aluminum oxide (Al 2 O 3 , refractive index 1.6). The high refractive index layer 174 may include, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 , refractive index 2.05 to 2.25) titanium nitride (TiO 2 , refractive index 2 or more), or Si—H (refractive index 3 or more). .

제2 반사 부재(180)는, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 이들을 합금을 포함할 수 있다. 제2 반사 부재(180)는 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있다.The second reflective member 180 may include, for example, a metal, for example, silver (Ag), aluminum (Al), rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), or nickel (Ni). ), Ruthenium (Ru), iridium (Ir), platinum (Pt) or an alloy thereof. The second reflective member 180 may be composed of a single layer or multiple layers.

도시되지는 않았지만, 외부로부터의 전기적 단락 방지와 충격 방지를 위하여, 실리콘 산화막과 같은 봉지 부재(미도시)로 발광 다이오드(1)의 전체 구조를 덮을 수 있다.Although not shown, the entire structure of the light emitting diode 1 may be covered with an encapsulation member (not shown), such as a silicon oxide film, in order to prevent electrical shorts and impacts from the outside.

전류 분산층(120)에 형성된 개구부(122)는 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류가 제1 전극(130)에 인접한 부분으로 집중되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 전류 분산층(120)이 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류를 제2 도전형 반도체층(116)에 대하여 균일하게 분산하는 기능을 수행하나, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)이 가장 인접하는 부분 근처로 전류가 집중되는 것을 방지하기 위하여, 제1 전극(130)에 인접하는 제2 전극(140)의 일단 주변의 전류 분산층(120)을 일부 제거하여 개구부(122)를 형성할 수 있다. The opening 122 formed in the current spreading layer 120 may prevent a current injected from the second electrode 140 from concentrating to a portion adjacent to the first electrode 130. The current spreading layer 120 uniformly distributes the current injected from the second electrode 140 with respect to the second conductive semiconductor layer 116, but the first electrode 130 and the second electrode 140 In order to prevent the current from concentrating near the most adjacent portion, the current dispersion layer 120 around one end of the second electrode 140 adjacent to the first electrode 130 is partially removed to open the opening 122. Can be formed.

제2 전극(140)은 개구부(122)로 연장되도록 형성할 수 있다. 제2 전극(140)이 본딩 패드(142)와 핑거(144)로 이루어지는 경우, 핑거(144)의 일단은 개구부(122) 내까지 연장되어, 핑거(144)의 상기 일단이 개구부(122)의 테두리와 직접 접하지 않고 이격되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 핑거(144)가 본딩 패드(142)로부터 제1 전극(130)을 향하여 제1 방향(x 방향)으로 연장되는 경우, 핑거(144)의 제1 방향(x 방향)으로의 일단은 개구부(122) 내까지 연장되어, 핑거(144)의 제1 방향(x 방향)으로의 상기 일단이 개구부(122)의 테두리와 직접 접하지 않고 이격되도록 형성될 수 있다.The second electrode 140 may be formed to extend into the opening 122. When the second electrode 140 is formed of the bonding pad 142 and the finger 144, one end of the finger 144 extends into the opening 122, and the one end of the finger 144 of the finger 122 is extended from the opening 122. It may be formed to be spaced apart without directly contacting the rim. For example, when the finger 144 extends in the first direction (x direction) from the bonding pad 142 toward the first electrode 130, one end of the finger 144 in the first direction (x direction). May extend into the opening 122 so that one end of the finger 144 in the first direction (x direction) is spaced apart without directly contacting an edge of the opening 122.

제2 전극(140), 예를 들어 핑거(144)가 개구부(122) 내로 연장되는 경우, 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 형상과 대응하는 형상을 가지도록, 개구부(122) 내로 연장될 수 있다. 따라서, 전류 저지층(160)은 개구부(122) 외의 부분에서는 전류 분산층(120)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 위치하며, 개구부(122)에서는 제2 도전형 반도체층(116)과 제2 전극(140) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 전류 저지층(160)은 전류 분산층(120)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이로부터 개구부(122)로 연장되도록 형성될 수 있다. When the second electrode 140, for example the finger 144, extends into the opening 122, the current blocking layer 160 has a shape corresponding to the shape of the second electrode 140. ) May be extended into. Accordingly, the current blocking layer 160 is positioned between the current spreading layer 120 and the second conductive semiconductor layer 116 in a portion other than the opening 122, and in the opening 122, the second conductive semiconductor layer 116. ) And the second electrode 140. That is, the current blocking layer 160 may be formed to extend from the current spreading layer 120 and the second conductive semiconductor layer 116 to the opening 122.

따라서 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류는 개구부(122)로 인하여, 제1 전극(130)에 인접되는 부분에 집중되지 않고 더욱 분산될 수 있다. 따라서 발광구조물(110)에 포함되는 활성층(114)에 전류가 분산되어 공급될 수 있어, 활성층(114)으로부터 더욱 많은 빛이 방출될 수 있다. Therefore, the current injected from the second electrode 140 may be further dispersed without being concentrated on the portion adjacent to the first electrode 130 due to the opening 122. Therefore, current may be distributed and supplied to the active layer 114 included in the light emitting structure 110, and thus more light may be emitted from the active layer 114.

도 4는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1a)의 단면도이다. 도 4에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 보조 반사 방지층(192)이 추가로 형성된 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1a according to some embodiments of the present invention. The embodiment shown in FIG. 4 is related to the case where the auxiliary anti-reflection layer 192 is further formed as compared with the embodiment shown in FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 4를 참조하면, 발광 다이오드(1a)은 반사 방지층(190)뿐만 아니라 보조 반사 방지층(192)을 더 포함할 수 있다. 보조 반사 방지층(192)은 반사 방지층(190)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또는 보조 반사 방지층(192)은 반사 방지층(190)과 함께 형성될 수 있다. 따라서 설명의 편의를 위하여, 필요한 경우 반사 방지층(190)과 보조 반사 방지층(192)을 함께 반사 방지층(190, 192)이라 호칭할 수 있다. Referring to FIG. 4, the light emitting diode 1a may further include an auxiliary antireflection layer 192 as well as an antireflection layer 190. The auxiliary antireflection layer 192 may be made of the same material as the antireflection layer 190. Alternatively, the auxiliary anti-reflection layer 192 may be formed together with the anti-reflection layer 190. Therefore, for convenience of description, the antireflection layer 190 and the auxiliary antireflection layer 192 may be referred to as antireflection layers 190 and 192 when necessary.

반사 방지층(190)은 전류 분산층(120) 상에 형성되나, 보조 반사 방지층(192)은 개구부(122) 내에 노출된 제2 도전형 반도체층(116) 상에 형성될 수 있다. 평면도를 도시하지는 않았으나, 보조 반사 방지층(192)은 개구부(122) 내에 노출된 제2 도전형 반도체층(116)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 또는 보조 반사층(192)은 개구부(122) 내에 노출된 제2 도전형 반도체층(116) 및 전류 저지층(160)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. The anti-reflection layer 190 is formed on the current spreading layer 120, but the auxiliary anti-reflection layer 192 may be formed on the second conductive semiconductor layer 116 exposed in the opening 122. Although not illustrated, the auxiliary anti-reflection layer 192 may be formed to cover all of the second conductivity-type semiconductor layers 116 exposed in the opening 122. Alternatively, the auxiliary reflective layer 192 may be formed to cover both the second conductivity-type semiconductor layer 116 and the current blocking layer 160 exposed in the opening 122.

도 5는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1b)의 상면도이다. 도 6은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 도 5의 선 VI-VI을 따라 절취된 발광 다이오드(1b)의 단면도이다. 도 5 및 도 6에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 전류 저지층(160)이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.5 is a top view of the light emitting diode 1b according to some embodiments of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1b taken along the line VI-VI of FIG. 5, according to some embodiments. 5 and 6 relate to the case where the current blocking layer 160 is different from that shown in FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 발광 다이오드(1b)는 개구부(122)를 모두 덮는 전류 저지층(160)을 포함한다. 전류 저지층(160)이 개구부(122)를 모두 덮음으로, 제2 도전형 반도체층(116)이 노출되는 것을 방지할 수 있으며, 개구부(122) 하부의 제2 도전형 반도체층(116)으로 전류가 주입되는 것을 더욱 방지하여, 제2 전극(140)과 제1 전극(130)이 인접한 부분에서 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다. 5 and 6, the light emitting diode 1b includes a current blocking layer 160 covering all of the openings 122. Since the current blocking layer 160 covers all of the openings 122, the second conductive semiconductor layer 116 may be prevented from being exposed to the second conductive semiconductor layer 116 under the opening 122. By further preventing the injection of current, it is possible to prevent the current from being concentrated in a portion adjacent to the second electrode 140 and the first electrode 130.

또한 도시하지는 않았으나, 개구부(122)에 의하여 노출되는 전류 저지층(160) 상에도 도 4에서 보인 보조 반사 방지층(192)이 형성될 수 있다. Although not shown, the auxiliary anti-reflection layer 192 shown in FIG. 4 may also be formed on the current blocking layer 160 exposed by the opening 122.

도 7은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1c)의 상면도이다. 도 7에서 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 개구부(122)와 제2 전극(140)이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.7 is a top view of the light emitting diode 1c according to some embodiments of the present invention. The embodiment illustrated in FIG. 7 relates to a case where the opening 122 and the second electrode 140 are different from each other as illustrated in FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 7을 참조하면, 발광 다이오드(1c)에는 본딩 패드(142), 핑거(144) 및 수직 핑거(146)를 포함하는 제2 전극(140)이 형성된다. 핑거(144)의 제1 전극(130)을 향하는 일단, 즉 핑거(144)의 제1 방향(x 방향)으로의 일단에는 수직 핑거(146)이 연결된다. 수직 핑거(146)는 제1 방향(x 방향)과 수직인 제2 방향(y 방향)으로 연장될 수 있다. Referring to FIG. 7, a second electrode 140 including a bonding pad 142, a finger 144, and a vertical finger 146 is formed in the light emitting diode 1c. The vertical finger 146 is connected to one end of the finger 144 toward the first electrode 130, that is, one end of the finger 144 in the first direction (x direction). The vertical finger 146 may extend in a second direction (y direction) perpendicular to the first direction (x direction).

개구부(122)는 수직 핑거(146)의 제1 전극(130)을 향하는 측면, 즉 제1 방향(x 방향)으로의 측면을 감싸도록 형성될 수 있다. 도 1 내지 도 3에 개시된 제2 전극(140)과 비교하면, 도 7에 개시된 제2 전극(140)은 수직 핑거(146)가 형성되어, 핑거(144)의 제1 방향(x 방향)의 일단이 제2 방향(y 방향)으로 확장된 형상을 가진다. 또한 개구부(122) 또한 수직 핑거(146)를 따라서 제2 방향(y 방향)으로 연장되므로, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)이 인접하는 부분에서 전류가 집중되지 않고 더 넓게 분산시킬 수 있다. 전류 저지층(160)은 수직 핑거(146)를 포함하는 제2 전극(140)의 형상에 대응되도록 형성될 수 있다. The opening 122 may be formed to surround the side of the vertical finger 146 facing the first electrode 130, that is, the side in the first direction (x direction). Compared to the second electrode 140 disclosed in FIGS. 1 to 3, the second electrode 140 illustrated in FIG. 7 has a vertical finger 146 formed therein, and thus, in the first direction (x direction) of the finger 144. One end has a shape extended in the second direction (y direction). In addition, since the opening 122 also extends along the vertical finger 146 in the second direction (y direction), current is not concentrated in a portion where the first electrode 130 and the second electrode 140 are adjacent to each other, so that the current is more widely distributed. You can. The current blocking layer 160 may be formed to correspond to the shape of the second electrode 140 including the vertical finger 146.

도 8은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1d)의 상면도이다. 도 8에서 도시된 실시 예는 도 7에 도시된 실시 예와 비교하여 보조 개구부(122a, 122b)와 보조 수직 핑거(146a, 146b)이 추가로 형성되어 있는 경우에 관한 것이다. 따라서 도 7을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.8 is a top view of the light emitting diode 1d according to some embodiments of the present invention. The embodiment shown in FIG. 8 is related to the case where the auxiliary openings 122a and 122b and the auxiliary vertical fingers 146a and 146b are further formed as compared with the embodiment shown in FIG. 7. Therefore, a description overlapping with the embodiment described with reference to FIG. 7 may be omitted.

도 8을 참조하면, 발광 다이오드(1d)에는 본딩 패드(142), 핑거(144), 수직 핑거(146) 및 적어도 하나의 보조 수직 핑거(146a, 146b)를 포함하는 제2 전극(140)이 형성된다. 보조 수직 핑거(146a, 146b)는 핑거(144)를 가로지르며 핑거(144)와 연결되도록 형성될 수 있다. 보조 수직 핑거(146a, 146b)는 수직 핑거(146)와 같은 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 보조 수직 핑거(146a, 146b)는 2개가 형성된 것으로 도시되었으나 이에 제한되지 않으며, 1개 또는 3개 이상이 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 8, the light emitting diode 1d includes a second electrode 140 including a bonding pad 142, a finger 144, a vertical finger 146, and at least one auxiliary vertical finger 146a and 146b. Is formed. Auxiliary vertical fingers 146a and 146b may be formed to cross the finger 144 and connect with the finger 144. The auxiliary vertical fingers 146a and 146b may be formed to extend in the same direction as the vertical fingers 146. Although two auxiliary vertical fingers 146a and 146b are illustrated as being formed, but not limited thereto, one or three or more may be formed.

보조 수직 핑거(146a, 146b)는 수직 핑거(146)에 비하여, 본딩 패드(142)에 인접하도록 형성될 수 있다. 또한 보조 수직 핑거(146a, 146b) 및 수직 핑거(146)는 본딩 패드(142)로부터 일정한 간격을 가지고 핑거(144)에 연결되도록 형성될 수 있다. 그러나 보조 수직 핑거(146a, 146b) 및 수직 핑거(146)는 본딩 패드(142)로부터 임의의 간격을 가지고 핑거(144)에 연결되도록 형성할 수도 있다. The auxiliary vertical fingers 146a and 146b may be formed to be adjacent to the bonding pad 142 as compared to the vertical finger 146. In addition, the auxiliary vertical fingers 146a and 146b and the vertical finger 146 may be formed to be connected to the finger 144 at regular intervals from the bonding pad 142. However, the auxiliary vertical fingers 146a and 146b and the vertical finger 146 may be formed to be connected to the finger 144 at any distance from the bonding pad 142.

보조 수직 핑거(146a, 146b)의 제2 방향(y 방향)으로의 연장 길이는 수직 핑거(146)의 제2 방향(y 방향)으로의 연장 길이보다 길도록 할 수 있다. 또한 보조 수직 핑거(146a, 146b)가 복수개인 경우, 상대적으로 본딩 패드(142)에 인접한 제2 보조 수직 핑거(146b)가 상대적으로 본딩 패드(142)로부터 멀리 배치된 제1 보조 수직 핑거(146a)보다 제1 방향(y 방향)으로 더 길게 연장될 수 있다. 따라서, 수직 핑거(146) 및 보조 수직 핑거(146a, 146b) 각각은 본딩 패드(142)로부터 멀어질수록 연장 길이는 짧고, 본딩 패드(142)에 인접할수록 연장 길이는 길어질 수 있다. The extension length of the auxiliary vertical fingers 146a and 146b in the second direction (y direction) may be longer than the extension length of the vertical fingers 146 in the second direction (y direction). Also, when there are a plurality of auxiliary vertical fingers 146a and 146b, the first auxiliary vertical finger 146a in which the second auxiliary vertical finger 146b relatively adjacent to the bonding pad 142 is relatively far from the bonding pad 142 is disposed. It may extend longer in the first direction (y direction) than). Accordingly, each of the vertical fingers 146 and the auxiliary vertical fingers 146a and 146b may have a shorter extension length as they move away from the bonding pads 142, and a longer extension length as they adjoin the bonding pads 142.

전류 분산층(120)에는 보조 수직 핑거(146a, 146b)에 대응하는 보조 개구부(122a, 122b)가 더 형성될 수 있다. 보조 개구부(122a, 122b)는 각각 보조 수직 핑거(146a, 146b)의 제1 전극(130)을 향하는 측면을 감싸도록 형성될 수 있다. Auxiliary openings 122a and 122b corresponding to the auxiliary vertical fingers 146a and 146b may be further formed in the current spreading layer 120. The auxiliary openings 122a and 122b may be formed to surround side surfaces of the auxiliary vertical fingers 146a and 146b facing the first electrode 130, respectively.

본딩 패드(142)에 인접하여 상대적으로 제2 방향(y 방향)으로 연장 길이가 긴 보조 수직 핑거(146b)는 전류를 상대적으로 더 멀리 분산시킬 수 있으며, 제1 전극(130)에 인접하여 상대적으로 제2 방향(y 방향)으로 연장 길이가 짧은 수직 핑거(146)는 전류를 상대적으로 덜 분산시킬 수 있다. The auxiliary vertical finger 146b having a long extension in the second direction (y direction) adjacent to the bonding pad 142 may disperse the current relatively farther, and may be relatively adjacent to the first electrode 130. As a result, the vertical finger 146 having a short extension length in the second direction (y direction) may relatively disperse current.

따라서 수직 핑거(146)와 보조 수직 핑거(146a, 146b)에 의하여 전류를 더 넓게 분사시킬 수 있다. Therefore, the current can be injected more widely by the vertical finger 146 and the auxiliary vertical fingers 146a and 146b.

도 2, 도 7 및 도 8을 함께 비교하면, 도 2에 도시된 발광 다이오드(1)에서 제1 전극(130)과 제2 전극(140)의 최단 거리인 제1 거리(L1), 도 7에 도시된 발광 다이오드(1c)에서 제1 전극(130)과 제2 전극(140)의 최단 거리인 제2 거리(L2) 및 도 8에 도시된 발광 다이오드(1d)에서 제1 전극(130)과 제2 전극(140)의 최단 거리인 제3 거리(L3)는 각각 다르도록 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 거리(L1)가 가장 크고, 제2 거리(L2)가 가장 작고, 제3 거리(L3)는 중간값을 가지도록 형성할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 2, 7, and 8, the first distance L1, which is the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140 in the light emitting diode 1 illustrated in FIG. 2, FIG. 7. The second distance L2 which is the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140 in the light emitting diode 1c shown in FIG. 8 and the first electrode 130 in the light emitting diode 1d shown in FIG. 8. The third distance L3, which is the shortest distance between the second electrode 140 and the second electrode 140, may be formed to be different from each other. For example, the first distance L1 may be the largest, the second distance L2 is the smallest, and the third distance L3 may be formed to have an intermediate value, but is not limited thereto.

예를 들면, 도 2에 도시된 발광 다이오드(1)는 핑거(144) 전체를 통하여 전류를 주입할 수 있기 때문에, 제1 거리(L1)가 가장 짧은 값을 가질 수 있다. 도 7에 도시된 발광 다이오드(1c)는 수직 핑거(146) 및 개구부(122)를 통하여 전류를 넓게 분산시킬 수 있기 때문에, 제2 거리(L2)가 가장 큰 값을 가질 수 있다. 도 8에 도시된 발광 다이오드(1d)는 수직 핑거(146) 및 보조 수직 핑거(146a, 146b)와 개구부(122) 및 보조 개구부(122a, 122b)가 단계적으로 전류를 넓게 분산시킬 수 있기 때문에 제3 거리(L3)가 중간값을 가질 수 있다. For example, since the light emitting diode 1 illustrated in FIG. 2 may inject current through the entire finger 144, the first distance L1 may have the shortest value. Since the light emitting diode 1c illustrated in FIG. 7 may widely distribute current through the vertical finger 146 and the opening 122, the second distance L2 may have the largest value. The light emitting diode 1d shown in FIG. 8 is formed because the vertical fingers 146 and the auxiliary vertical fingers 146a and 146b and the openings 122 and the auxiliary openings 122a and 122b can distribute the current widely in stages. Three distances L3 may have a median value.

도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

도 9를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1000)는 리드프레임(1100)상에 페이스트와 같은 접착 부재(1200)에 의해 부착된 발광 다이오드(1)를 포함한다. 발광 다이오드(1), 즉 발광 다이오드(1)의 전극들(130, 140)과 리드프레임(1100)은 본딩 와이어(1300)에 의하여 전기적으로 연결된다. 발광 다이오드(1)는 전체적으로 에폭시와 같은 투명 보호층(1400)으로 덮인다. 리드프레임(1100)을 통하여 전류가 제공되면, 발광 다이오드(1)의 발광구조물에서 광이 방출되고, 이어서 투명 보호층(1400)을 통하여 발광된다. 발광 다이오드(1)는 도 1 내지 도 3에서 개시된 발광 다이오드(1)뿐만 아니라, 도 4 내지 도 8에서 도시한 발광 다이오드(1a, 1b, 1c, 1d)들 또한 모두 적용 가능하다. 이러한, 발광 다이오드 패키지(1000)는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 9, the light emitting diode package 1000 includes a light emitting diode 1 attached to the lead frame 1100 by an adhesive member 1200 such as a paste. The light emitting diode 1, that is, the electrodes 130 and 140 and the lead frame 1100 of the light emitting diode 1 are electrically connected by the bonding wire 1300. The light emitting diode 1 is entirely covered with a transparent protective layer 1400 such as epoxy. When current is provided through the lead frame 1100, light is emitted from the light emitting structure of the light emitting diode 1, and then emitted through the transparent protective layer 1400. The light emitting diode 1 is applicable not only to the light emitting diode 1 disclosed in Figs. 1 to 3 but also to the light emitting diodes 1a, 1b, 1c, and 1d shown in Figs. The light emitting diode package 1000 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

상술한 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드가 래터럴(lateral) 형태를 가지는 경우에 대하여 설명되었으나, 이는 예시적이다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는 플립칩(flip-chip)형, 버티컬(vertical)형, 또는 다양한 형상을 가질 수 있음을 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 이해할 수 있다.In the above-described embodiments, the case where the light emitting diode has a lateral shape has been described, but this is exemplary. Those skilled in the art may understand that the light emitting diode according to the spirit of the present invention may have a flip-chip type, a vertical type, or various shapes.

1, 1a, 1b, 1c, 1d : 발광 다이오드,
100: 기판, 102: 제1 면, 104: 제2 면, 106: 버퍼층,
110: 발광구조물, 112: 제1 도전형 반도체층, 114: 활성층,
116: 제2 도전형 반도체층, 120: 전류 분산층, 122: 개구부
130: 제1 전극, 140: 제2 전극, 142: 본딩 패드, 144: 핑거, 146: 수직 핑거
160: 전류 저지층, 170: 제1 반사 부재, 172: 저굴절률층, 174: 고굴절률층,
180: 제2 반사 부재, 190: 반사 방지층1, 1a, 1b, 1c, 1d: light emitting diode,
100: substrate, 102: first side, 104: second side, 106: buffer layer,
110: light emitting structure, 112: first conductive semiconductor layer, 114: active layer,
116: second conductive semiconductor layer, 120: current spreading layer, 122: opening
130: first electrode, 140: second electrode, 142: bonding pad, 144: finger, 146: vertical finger
160: current blocking layer, 170: first reflective member, 172: low refractive index layer, 174: high refractive index layer,
180: second reflection member, 190: antireflection layer

Claims (11)

기판;
상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 개구부가 형성된 전류 분산층;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 상기 전류 분산층과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이로부터 상기 개구부로 연장되는 전류 저지층; 및
상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 전류 저지층에 대응되도록 상기 전류 분산층 상에서 상기 개구부로 연장되는 제2 전극;을 포함하는 발광 다이오드. Board;
A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A current dispersion layer disposed on the second conductivity type semiconductor layer, the opening having an opening;
A current blocking layer on the second conductive semiconductor layer, the current blocking layer extending from the current spreading layer to the opening between the second conductive semiconductor layer; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer and extending into the opening on the current spreading layer so as to correspond to the current blocking layer. 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 본딩 패드 및 핑거를 포함하며,
상기 제1 전극은 상기 발광구조물의 일측에 위치하고,
상기 본딩 패드는 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하도록 위치하며,
상기 핑거는 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하여 방향인 제1 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method according to claim 1,
The second electrode includes a bonding pad and a finger,
The first electrode is located on one side of the light emitting structure,
The bonding pad is located adjacent to the other side opposite to one side,
Wherein the finger extends from the bonding pad in a first direction toward the first electrode. 제2 항에 있어서,
상기 개구부는, 상기 제1 전극에 인접하도록 위치하며,
상기 핑거의 상기 제1 방향으로의 일단은, 상기 개구부의 테두리와 이격되도록, 상기 개구부 내까지 연장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 2,
The opening is located adjacent to the first electrode,
One end of the finger in the first direction extends into the opening so as to be spaced apart from the edge of the opening. 제1 항에 있어서,
상기 전류 저지층은 상기 개구부에 의하여 노출되는 상기 제2 도전형 반도체층을 모두 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The current blocking layer is formed to cover all of the second conductive semiconductor layer exposed by the opening. 제1 항에 있어서,
상기 개구부에 의하여 노출되는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되고, 빛의 산란을 유도하는 반사 방지층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And an anti-reflection layer formed on the second conductivity-type semiconductor layer exposed by the opening and inducing scattering of light. 제1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은, 상기 제2 전극에 의하여 노출되는 상기 전류 분산층 상에도 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method according to claim 1,
The anti-reflection layer is also formed on the current spreading layer exposed by the second electrode. 제2 항에 있어서,
상기 제2 전극은, 상기 제1 전극을 향하는 상기 핑거의 일단에 연결되며 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 수직 핑거를 더 포함하며,
상기 개구부는 상기 수직 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 측면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method of claim 2,
The second electrode further includes a vertical finger connected to one end of the finger facing the first electrode and extending in a second direction perpendicular to the first direction.
And the opening is formed to surround a side facing the first electrode of the vertical finger. 제7 항에 있어서,
상기 제2 전극은, 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 핑거를 가로지르면서 상기 핑거와 연결되는 적어도 하나의 보조 수직 핑거를 더 포함하며,
상기 전류 분산층은 상기 적어도 하나의 보조 수직 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 측면을 감싸도록 형성되는 적어도 하나의 보조 개구부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 7, wherein
The second electrode further includes at least one auxiliary vertical finger extending in the second direction and connected to the finger while crossing the finger.
And the current spreading layer further comprises at least one auxiliary opening formed to surround a side facing the first electrode of the at least one auxiliary vertical finger. 제8 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 보조 수직 핑거의 상기 제2 방향으로의 연장 길이는 상기 수직 핑거의 상기 제2 방향으로 연장 길이보다 긴 값을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 8,
And the extension length of the at least one auxiliary vertical finger in the second direction has a value longer than the extension length of the vertical finger in the second direction. 제9 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 보조 수직 핑거는 복수 개이며,
상기 복수개의 보조 수직 핑거의 상기 제2 방향으로의 연장 길이는, 상기 본딩 패드에 인접할수록 긴 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. 10. The method of claim 9,
The at least one auxiliary vertical finger is a plurality,
An extension length of the plurality of auxiliary vertical fingers in the second direction is longer as the bonding pad is closer to the bonding pad. 기판; 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 개구부가 형성된 전류 분산층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하되, 상기 전류 분산층과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이로부터 상기 개구부로 연장되는 전류 저지층; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 전류 저지층에 대응되도록 상기 전류 분산층 상에서 상기 개구부로 연장되는 제2 전극;을 포함하는 발광 다이오드;
상기 본딩 패드, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임; 및
상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;을 포함하는 발광 다이오드 패키지. Board; A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A current dispersion layer disposed on the second conductivity type semiconductor layer, the opening having an opening; A current blocking layer on the second conductive semiconductor layer, the current blocking layer extending from the current spreading layer to the opening between the second conductive semiconductor layer; And a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and extending to the opening on the current spreading layer to correspond to the current blocking layer.
A lead frame connected to the bonding pad, the second electrode, or both by wire; And
And a transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame.
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