KR20120070348A - 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어에 관한 것으로서, 트렌치 격리 구조를 통해 셀 고밀도화로 인해 불가항력적으로 수반되는 유효 수광 면적비의 감소를 줄여 광 검출 효율을 높게 유지함과 동시에 광도 측정의 동적 영역을 높일 수 있으며, 셀 사이에 누설되는 광자를 차단함과 동시에 트렌치에 소멸 저항 및 가드 링의 역할을 동시에 구현하여 다기능화 함으로써 셀간 이격 거리를 최소화하여 소자의 유효 수광 면적비를 증가시키고 성능을 향상시킬 수 있다.

Description

트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어{SILICON PHOTOMULTIPLIER WITH TRENCH ISOLATION}
본 발명은 구조 개선을 통해 성능을 향상시킨 실리콘 포토멀티플라이어(silicon photomultiplier)에 관한 것이다.
기존의 실리콘 포토멀티플라이어는 기본적으로 평면 다이오드 구성을 가지는데, 일반적으로 p+-p-n+ 혹은 n+-n-p+ 등으로 도핑된 다중층으로 이루어져 있어, 그와 같은 다이오드 구조에 역전압이 인가 및 증가됨에 따라 p+와 n+ 사이의 공핍층(depletion layer)이 확장되어 가다가 항복 전압(breakdown voltage) 이상에서 항복 현상(electrical breakdown)이 일어나도록 구성되어 있다.
애벌랜치 모드(avalanche mode)는 상기 소자가 항복 전압보다 약간 낮은 수준의 전압으로 인가되어 광 센서로서 작동하는 경우에, 입사되는 광자가 광 여기(photoexcitation)에 의해 반도체 내의 이송 전하(charge carrier)의 쌍으로 변환된 후, 내부 정전기장에 의한 가속의 결과로 발생하는 충돌 이온화(impact ionization)에 의해 수십~수백 정도의 이득(gain)으로 증폭되는 현상을 이용하는 것이다.
한편 실제로는 항복 전압보다 약간 높은 역전압에서도 외부 혹은 확률적인 요인에 의한 이송 전하의 여기(carrier excitation)가 없이는 항복 현상이 일어나지 않을 수 있다. 이렇게 항복 전압을 초과한 영역에서 소자를 작동하는 방식을 가이거 모드(Geiger mode)라 칭한다. 이 작동 방식에서는, 광 여기에 의해 이송 전하의 쌍이 발생하면 그들이 전기장 하에서 가속됨에 따라 속발하는 충돌 이온화(impact ionization)에 의해 그 수가 기하급수적으로 증가하여 다이오드 구조에서 축적된 전하가 일순 흐르는 항복 현상이 일어나게 되는데, 이를 통해 매우 높은 전류 대 광자 이득(current/photon gain)의 구현이 가능하므로 단일 광자 수준의 검출이 가능해진다.
이 작동 방식의 장점은, 비교적 단순한 소자의 구성에 의해서도 단일 광자 수준의 고감도 광 검출이 현실적으로 가능하다는 것이다. 이 방식의 검출기에서는, 하나의 소자를 병렬로 연결된 다중 셀로 구성하여 이로부터 동시에 발생한 전류 신호의 강도를 측정하여 당해 소자 영역에 입사된 광자의 수를 판별하게 된다.
따라서, 가이거 모드 포토멀티플라이어의 측정 광도(light intensity)에 대한 동적 범위(dynamic range)는 소자 전체 면적에 대비한 단일 셀의 면적 및 그 개수에 의해 좌우되며, 상기 동적 영역의 향상을 위해서는 고밀도의 셀 패턴을 구성하여야 한다. 특기할 점은, 하나의 셀에서 항복이 일어나면 그 셀은 당분간 작동 불가능하게 되며, 큰 전류가 연속적으로 흐르면 소자가 훼손될 수 있으므로, 빠른 시간 내에 소자가 항복 상태로부터 복구되도록 해야 한다는 것이다. 이를 위해 보통 소멸 저항(quench resistor)을 각 셀의 다이오드 구조에 직렬로 연결하는 수동 소멸(passive quenching) 방식을 적용하는데, 이 소멸 저항은 전기적 항복에 의한 순간 전류가 흐를 때 오옴 전압 강하(Ohmic voltage drop)를 유발하여 소자를 보호하고 셀 다이오드에 걸리는 전압을 항복 전압 이하로 내려 항복 상태를 해소시켜, 셀의 상태를 수광 대기상태로 신속히 되돌리는 역할을 한다.
도 1은 종래의 실리콘 포토멀티플라이어 소자를 예시한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 a-a' 절개선의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 셀 수광부(101), 소멸 저항(102), 금속 전극(103), 전극 접촉부(104)가 도시되어 있다.
실리콘 포토멀티플라이어 소자의 셀 수광부(101)는 평면 다이오드 구조로 구성되어 있으며, 여기서 이송 전하의 광 여기가 발생할 때 전기적 항복이 일어난다.
금속 전극(103)은 소자의 상부 패드를 소멸 저항들(102)까지 연결하고, 셀 내의 각 소멸 저항(102)과 다이오드 부위를 연결하는 역할을 한다.
전극 접촉부(104)는 절연층을 통과하여 금속 전극(103)과 기타 부위들을 연결한다.
전체 소자는 도 1에 도시된 것과 같이 다수의 셀이 병렬로 연결된 형태를 가지고 있다.
도 2를 참조하면, 소멸 저항(102), 금속 전극(103), 상부 도핑층(105), 중간층(106), 매몰층(buried layer)(107), 절연층(108), 가드 링(guard ring)(109)이 도시되어 있다.
여기서, 상부 도핑층(105), 중간층(106), 매몰층(107)은 수광 영역(101)의 다이오드 구조 내부를 도핑 정도와 역할에 따라 구분하여 나타낸 것이다.
상부 도핑층(105)은 n+로 도핑된 부분으로, 충돌 이온화가 이 영역의 바로 아래에서 가장 많이 일어나게 된다.
중간층(106)은 p로 약하게 도핑된 부분이며, 원래의 기판 영역에 해당하거나 혹은 매몰층(107)을 생성한 이후에 실리콘 에피택시(epitaxy)를 통해 성장시킨 부분이다.
매몰층(107)은 기판 하부의 전극과 동 전위로 작동하는 p+ 도핑된 매몰층이며, 고 에너지 이온 주입(ion implantation)이나, 불순물(dopant)을 고 함량으로 포함하는 실리콘 에피택시나, 기타 확산법 등을 이용하여 형성된다.
절연층(108)은 기판의 표면을 보호하고 소멸 저항(102) 및 금속 전극(103)으로부터 분리하기 위한 절연체로서, 통상적으로 이산화규소나 질화규소 등으로 이루어진다.
가드 링(109)은 상부 도핑층(105)의 가장자리 부분에서의 모서리 효과에 의한 전기장 집중을 해소하여, 전기적 항복이 모서리 부분에서만 낮은 전압에서 일어나는 조기 항복 현상(premature breakdown)을 방지하는 역할을 한다.
이와 같은 실리콘 멀티플라이어 소자를 이용하여 입사된 광자의 수를 가이거 모드로 계측하고자 할 때의 주의점은, 한 셀에서 광자 입사 신호가 발생했을 때 그 영향이 인접 셀로 전파되는 현상을 억제해야 한다는 것이다. 하나의 셀에서 애벌랜치 현상에 의해 항복이 일어나면 그에 수반되는 충돌 이온화 과정 등에서 다수의 광자가 발생할 수 있다. 대략 100,000 회의 충돌 이온화 과정에서 발생하는 광자 중 실리콘 갭 에너지 이상을 가지는 것은 약 3개에 해당한다. 이들이 주변 셀로 전파된다면 인접 셀들에서 항복 현상이 추가적으로 발생할 수 있다. 그 확률은 작동 전압의 크기에 따라 변화될 수 있으며, 그 값이 1에 근접하는 경우에는 항복 현상이 인근 셀로 연속적으로 전파되게 되므로, 소자를 다중 셀로 구성한 의의가 없어지게 된다.
따라서, 이와 같은 광 누설(optical crosstalk) 현상을 억제하기 위해 기존 기술에서는 셀 간의 거리를 충분히 떨어뜨리는 방법을 주로 채택하였으며, 추가적으로 트렌치 격리(trench isolation) 구조를 이용한 방법 또한 제안된 바 있다.
상기한 바와 같이 셀간 이격 확보에 의한 광 누설 억제 방안은 가장 자연스러운 해결책에 해당하나, 이는 셀 패턴을 고밀도화하고자 할 경우 큰 제약으로 작용하게 된다. 즉, 각 셀의 크기를 줄여 소자를 고밀도화하는 경우에는 상기한 소멸 저항 및 금속 전극에 덮이는 면적과 수광부 주위의 이격 면적 등의 영향으로 전체 소자 면적 대비 유효 수광부의 면적이 상당히 줄어들게 되어 소자의 광 검출 효율이 나빠지는 결과를 가져온다. 실제로 현재 기술로 제작된 고밀도 소자 중에는 유효 수광 면적비(effective fill factor)가 30% 수준으로 축소된 예도 존재한다.
이에 따라, 짧은 이격 거리에서도 효과적으로 광자를 차단하기 위해 트렌치 격리 구조가 제안된 바 있는데, 이 구조에서는 각 수광부의 사이에 실리콘 기판을 식각하고 질화막/산화막 등의 부도체 층과 폴리실리콘으로 채워 넣은 트렌치 격리부를 형성하여, 굴절률이 서로 다른 계면에서의 빛의 반사를 이용하여 인접 셀로 누설되는 광자를 차단하도록 하였다.
위에서 설명한 기술은 본 발명이 속하는 기술분야의 배경기술을 의미하며, 종래기술을 의미하는 것은 아니다.
본 발명은 트렌치 격리 구조를 통해 셀 고밀도화로 인해 불가항력적으로 수반되는 유효 수광 면적비의 감소를 줄여 광 검출 효율을 높게 유지함과 동시에 광도 측정의 동적 영역(light intensity dynamic range)을 높이는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 트렌치 격리 구조를 개선하고 다기능화함으로써 셀 사이에 누설되는 광자를 차단함과 동시에 소자의 유효 수광 면적비를 증가시켜 성능을 향상시킬 수 있는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 소자의 셀 형태 및 배치 구조를 개선하여 소자의 유효 수광 면적비를 추가적으로 높이고 수광부의 항복 특성을 균일화한 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 실리콘 포토멀티플라이어는 광 여기에 의한 항복 현상이 일어나는 복수의 셀 수광부; 및 상기 복수의 셀 수광부 사이에 형성되어 상기 복수의 셀 수광부를 분리하는 트렌치를 포함하되, 상기 트렌치는 그 내부가 반도체 혹은 저항체로 채워진 트렌치 저항과, 상기 트렌치의 격벽을 이루는 트렌치 절연막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기 트렌치 중 임의의 지점을 절연하는 트렌치 분리부; 및 상기 트렌치 저항을 상기 셀 수광부와 전기적으로 직렬 연결하는 전극 접촉부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기 트렌치의 깊이를 상기 실리콘 포토멀티플라이어의 매몰층 깊이의 20 내지 80% 내로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기 트렌치 저항과 인접한 상기 셀 수광부 사이의 거리를 상기 트렌치의 깊이의 30 내지 300% 내로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 복수의 셀 수광부 각각은 육각형 형상을 가지고, 벌집 모양으로 배열되는 것을 특징으로 한다.
이때 상기 트렌치의 수평 구조는 벌집 모양으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 트렌치 절연막은 산화실리콘, 질화실리콘 혹은 기타 절연체의 다층막 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같이 본 발명은 트렌치 격리 구조를 통해 셀 고밀도화로 인해 불가항력적으로 수반되는 유효 수광 면적비의 감소를 줄여 광 검출 효율을 높게 유지함과 동시에 광도 측정의 동적 영역을 높일 수 있다.
또한, 트렌치 격리 구조를 개선하여 셀 사이에 누설되는 광자를 차단함과 동시에 트렌치에 소멸 저항 및 가드 링의 역할을 동시에 구현하여 다기능화 함으로써 셀간 이격 거리를 최소화하여 소자의 유효 수광 면적비를 증가시키고 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 일반적인 사각형 형태의 셀 형태 및 배치 구조를 개선하여 육각 벌집형태의 셀 형상 및 배열을 채용함으로써 소자의 유효 수광 면적비를 추가적으로 높이고 수광부의 항복 특성을 균일화하는 것이 가능하다.
도 1은 종래 실리콘 포토멀티플라이어 소자의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 a-a' 절개선의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 포토멀티플라이어의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 b-b' 및 c-c' 절개선에 의한 단면도이다.
도 5는 실리콘 포토멀티플라이어의 셀 형태에 따른 유효 수광부 면적비의 비교 그래프이다.
도 6은 트렌치 구조에 대한 전산 모사 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 포토멀티플라이어의 개략적인 평면도이고, 도 4는 도 3의 b-b' 및 c-c' 절개선에 의한 단면도이며, 도 5는 실리콘 포토멀티플라이어의 셀 형태에 따른 유효 수광부 면적비의 비교 그래프이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 멀티플라이어의 기본적인 도핑층 구조는 수직 방향 n+-p-p+ 혹은 p+-n-n+의 다이오드 등으로 구성되는 기존 실리콘 포토멀티플라이어의 구성과 동일하나, 셀 사이에 절연막으로 분리된 트렌치를 형성하여 그 내부를 폴리실리콘 등의 반도체 혹은 저항체로 채워, 트렌치 벽에서의 광 반사 및 트렌치 내부에서의 광 흡수를 이용하여 셀간의 광자 누설을 차단하도록 한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 셀 수광부(201), 트렌치 절연막(trench isolation layer)(202), 트렌치 저항(trench resistor)(203), 트렌치 분리부(trench divider)(204), 전극 접촉부(205), 금속 전극(206), 상부 도핑층(207), 중간층(208), 매몰층(209), 상부 보호막(protection layer)(210)이 도시되어 있다.
셀 수광부(201)는 광 여기에 의한 항복 현상이 일어나는 수광 영역으로서, 개별 셀별로 형성되어 있다.
트렌치 절연막(202)은 트렌치 구조에서 트렌치 내부의 저항체 혹은 트렌치 저항(203)과 기판의 셀 수광부(201) 사이를 전기적으로 절연한다.
트렌치 절연막(202)은 셀 내의 다이오드 부위와 소멸 저항 사이를 전기적으로 절연하는 역할 뿐만 아니라, 절연체와 실리콘의 굴절률(refractive index) 차이에 의한 전반사 현상을 통해 셀간 광 누설을 차단하는 역할도 한다.
트렌치 절연막(202)은 산화실리콘, 질화실리콘 혹은 기타 절연체의 다층막으로 구성될 수 있다.
트렌치 저항(203)은 트랜치 내부를 채우는 저항체 혹은 폴리실리콘 등의 반도체로 구성되며, 상부 금속 전극(206)과 셀의 상부 도핑층(207)을 연결하는 소멸 저항으로 사용된다.
트렌치 분리부(204)는 망 상으로 연결된 트렌치 구조 내 임의의 위치에 형성되며, 트렌치 구조의 일부를 각 셀에 연결되는 개별적인 소멸 저항으로서 활용하고자 전기적으로 분리하기 위해 만들어진 격벽이다.
전극 접촉부(205)는 트렌치 저항(203)을 셀 수광부(201) 및 금속 전극(206)에 전기적으로 직렬 연결하기 위해 상부 보호막(210)을 통과하도록 형성된다.
금속 전극(206)은 소자 상부의 전기적 연결을 위해 형성된다.
본 실시예에 따르면, 트렌치 내부의 트렌치 저항(203)을 개별 셀에 대한 소멸 저항으로 이용하기 위해, 망 형태로 연결된 트렌치의 임의의 위치에 절연체로 이루어진 트렌치 분리부(204)를 형성하고, 트렌치 상부의 임의의 위치에 전극 접촉부들(205)을 추가로 마련하여 이들을 통해 각 셀의 셀 수광부(201)의 상부 도핑층 및 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결한다.
본 실시예에 따른 실리콘 포토멀티플라이어에서 셀 수광부(201)는 그 형태가 육각형이며, 복수의 셀들이 벌집 모양으로 배열되어 있는 것을 특징으로 한다.
우선 육각형 벌집 배열의 구성에서 셀 수광부(201)의 면적에 대비한 셀 사이 비활성 영역의 면적 비가 최소가 될 수 있다.
도 5를 참조하면, 동일한 셀 밀도를 가지는 정육각형 셀 소자와 정사각형 셀 소자에 대하여 각각의 수광부 면적비(fill factor)와 그 비율을 나타낸 그래프가 도시되어 있다.
셀의 유효 수광부 폭이 셀간 이격 거리에 비해 작아질수록, 즉 셀이 고밀도화 할수록 정육각형 셀 소자에서 더 높은 수광부 면적비를 얻을 수 있음을 알 수 있다.
다음으로, 셀의 유효 수광부 모서리들이 만나는 꼭지점에서의 각도가 정육각형 셀의 경우 120도로서, 정사각형 셀의 경우(90도)에 비해 둔각으로 형성되므로, 이 부분에서의 전기장 집중 효과(edge field effect)가 완화되어, 해당 부위에서의 국소적인 항복 전압 강하 현상이 줄어들게 된다.
일반적으로 수광 영역의 가장자리에서의 항복 전압 강하를 막기 위해서는 가드 링 등을 사용하여 인근의 전기장 분포를 조율하는 방법 등을 사용하는데, 그 결과로 해당 부분에서 가이거 항복 현상이 일어나지 않게 되는 부작용, 즉 유효 수광 면적의 감소가 발생할 수 있다. 따라서, 셀 가장자리에서의 전기장 구배를 감소시킬 수 있는 육각형 구성은 결과적으로 유효 수광 면적의 감소분을 줄이는 효과가 있다.
도 4의 (a)는 도 3의 b-b' 절개선에 의한 단면도이고, 도 4의 (b)는 도 3의 c-c' 절개선에 의한 단면도이다.
상부 도핑층(207)은 n+로 도핑된 부분으로, 충돌 이온화가 이 영역의 바로 아래에서 가장 많이 일어나게 된다.
중간층(208)은 p로 약하게 도핑된 부분이며, 원래의 기판 영역에 해당하거나 혹은 매몰층(209)을 생성한 이후에 실리콘 에피택시를 통해 성장시킨 부분이다.
매몰층(209)은 기판 하부의 전극과 동 전위로 작동하는 p+ 도핑된 매몰층이며, 고 에너지 이온 주입이나, 불순물(dopant)을 고 함량으로 포함하는 실리콘 에피택시나, 기타 확산법 등을 이용하여 형성된다.
상부 보호막(210)은 하부의 소자 표면을 보호하고, 추가적으로 입사광의 반사를 억제하기 위해 형성한 투명 절연체이다.
본 발명의 실제 적용 시 트렌치의 깊이 및 셀 수광부(201)의 상부 도핑층(207)과의 수평 거리를 적절히 조절하여 상부 도핑층(207)의 가장자리에서 발생하는 전기장 집중 현상을 억제하는 가드 링으로서의 역할 또한 수행할 수 있도록 트렌치를 구성할 수 있다.
여기서, 트렌치의 깊이, 상부 도핑층(207)과의 수평 거리 등은 매몰층(209)의 깊이와 상부 도핑층(207) 및 매몰층(209)의 도핑 정도 등을 고려하여 결정되어야 한다.
트렌치의 깊이는 매몰층(209)의 깊이의 20~80% 내로 형성하고, 트렌치 저항(203)과 인접 셀의 셀 수광부(201) 간의 거리는 트렌치 구조의 깊이의 30~300% 내로 형성하는 것이 바람직하다.
도 6은 트렌치 구조에 대한 전산 모사 결과를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 트렌치 구조가 가드 링으로서의 역할을 적절히 수행하도록 구성된 소자에 대한 전산 모사 결과가 도시되어 있다.
도 6의 (a)에는 계산에 사용된 소자 구조의 크기 비율 및 도핑 분포도가 나타나 있고, 도 6의 (b)에는 상기 소자에 항복 전압에 근접하는 전압을 걸었을 때 발생하는 애벌랜치 전류의 경로와 이온화 적분값(ionization integral)이 표시되어 있다.
여기서, 구조의 최적화에 의해 상부 도핑층 바로 아래에서 균일한 이온화 적분값이 얻어지는 것을 확인할 수 있다. 전산 모사 결과에 따르면, 상부 도핑 영역과 트렌치 사이의 거리가 트렌치의 깊이와 비슷하게 구성된 경우에 가드 링으로서의 작용이 적절하게 이루어짐을 알 수 있다. 하지만 그 거리가 너무 가까우면 트렌치 절연막(202)과 중간층(208) 사이의 경계면이 소자의 특성에 악영향을 줄 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 하나의 트렌치 구조에 광 누설 차단벽, 소멸 저항, 가드 링으로서의 역할을 동시에 구현함으로써 원천적으로 셀 사이의 간격을 작게 유지할 수 있어 소자의 유효 수광 면적비를 향상시킬 수 있고, 원천적으로 셀 사이의 간격을 작게 유지할 수 있어 셀 밀도의 증가에 수반되는 광 검출 효율 저하의 문제를 완화시킬 수 있다.
또한, 셀의 유효 수광부의 면적을 최대로 하면서도 수광부 가장자리의 형상을 원형에 가깝게 하는 육각형 구조를 채택하고 수광부 셀들을 벌집 모양으로 배열함으로써, 수광부 가장자리에서의 전기장 집중 현상을 줄여 보다 균일한 항복 특성을 얻음으로써 광 검출 효율을 높일 수 있고, 유효 수광 면적비를 추가적으로 향상시키고 상부 도핑층 가장자리에서의 조기 항복 현상 또한 억제할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
101 : 셀 수광부
102 : 소멸 저항 (quench resistor)
103 : 금속 전극
104 : 전극 접촉부
105 : 상부 도핑층
106 : 중간층
107 : 매몰층 (buried layer)
108 : 절연층
109 : 가드 링 (guard ring)
201 : 셀 수광부
202 : 트렌치 절연막 (trench isolation layer)
203 : 트렌치 저항 (trench resistor)
204 : 트렌치 분리부 (trench divider)
205 : 전극 접촉부
206 : 금속 전극
207 : 상부 도핑층
208 : 중간층
209 : 매몰층
210 : 상부 보호막 (protection layer)

Claims (7)

  1. 광 여기에 의한 항복 현상이 일어나는 복수의 셀 수광부; 및
    상기 복수의 셀 수광부 사이에 형성되어 상기 복수의 셀 수광부를 분리하는 트렌치를 포함하되,
    상기 트렌치는 그 내부가 반도체 혹은 저항체로 채워진 트렌치 저항과, 상기 트렌치의 격벽을 이루는 트렌치 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 트렌치 중 임의의 지점을 절연하는 트렌치 분리부; 및 상기 트렌치 저항을 상기 셀 수광부와 전기적으로 직렬 연결하는 전극 접촉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 트렌치의 깊이를 상기 실리콘 포토멀티플라이어의 매몰층 깊이의 20 내지 80% 내로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 트렌치 저항과 인접한 상기 셀 수광부 사이의 거리를 상기 트렌치의 깊이의 30 내지 300% 내로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 수광부 각각은 육각형 형상을 가지고, 벌집 모양으로 배열되는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 트렌치의 수평 구조는 벌집 모양으로 구성되는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 트렌치 절연막은 산화실리콘, 질화실리콘 혹은 기타 절연체의 다층막 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어.
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