CN213366608U - 集成电路 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例涉及一种集成电路。集成电路在半导体衬底中形成。单光子雪崩二极管的阵列在半导体衬底的前侧形成。该阵列包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管彼此相邻。布拉格反射镜被定位在第一二极管与第二二极管之间。布拉格反射镜被配置成防止光在第一二极管与第二二极管之间的传播。

Description

集成电路
技术领域
实施例涉及集成电路，特别地，涉及单光子雪崩二极管的阵列。
背景技术
单光子雪崩二极管通常被本领域技术人员称为SPAD。SPAD能够检测低强度的信号(诸如，单个光子)，并且能够以高时间分辨率发出该光子到达时间的信号。
特别地，SPAD利用p-n结的雪崩电流，该电流由入射光线触发。更特别地，SPAD被反向偏置成超过其击穿电压。
高反向偏置电压生成足够高的电场，以使被引入到SPAD的耗尽区域的单个电荷载流子能够引起雪崩，该雪崩经由每次撞击一次电离而自我维持。
然后，雪崩被主动或被动地压制，从而允许SPAD被复位以检测其他光子。
初始电荷载流子可以通过单个入射光子撞击高场区域而光电地生成。这种用于检测单光子的操作模式通常被称为盖革(Geiger)模式。
在SPAD中的雪崩期间，高数目个热载流子被生成。这些热载流子通过在所有方向上发射处于红色或处于近红外的寄生光来弛豫。
在常规的SPAD阵列中，由阵列的SPAD中生成的热载流子所发射的光可以传播通过分离SPAD的硅的较大厚度，并且被相邻的SPAD吸收。
然后，相邻SPAD对寄生光的该吸收在该SPAD中生成不期望的雪崩。这种效应被称为电-光学串扰。
由该串扰引起的相邻SPAD中的雪崩可以引起电压降到击穿电压以下。因此，该相邻的SPAD不再能够检测光子。然后，需要对该相邻的SPAD进行再充电，以便将偏置电压增加到击穿电压的上方，从而使该SPAD能够再次检测光子。
这种再充电需要相当长的时间(几纳秒)，在此期间，SPAD不能检测光子。
由相邻SPAD生成的热载流子发出的不期望的光的传输所导致的这种再充电因此降低了SPAD阵列的性能。
为了使该串扰衰减，通常会降低SPAD的过量偏置电压。具体地，减小过量的偏置电压允许减少在雪崩期间所生成的热载流子的数目。但是，该解决方案导致SPAD阵列的SPAD的性能下降。
实用新型内容
发明人发现SPAD阵列中的相邻SPAD可能发生串扰。
本公开的实施例克服了上述缺点中的至少一些缺点。
在一方面中，提供了一种集成电路，包括：半导体衬底；单光子雪崩二极管的阵列，被形成在该半导体衬底的前侧，该阵列包括第一二极管和第二二极管，该第一二极管和该第二二极管彼此相邻；以及布拉格反射镜，被定位在该第一二极管与该第二二极管之间，该布拉格反射镜被配置成防止光在该第一二极管与该第二二极管之间的传播。
在一些实施例中，每个布拉格反射镜被配置成：防止具有如下波长的光的该传播：能够由热载流子的能量弛豫而生成的波长之中的波长，该热载流子由在该第一二极管或该第二二极管中被触发的雪崩效应生成。
在一些实施例中，每个布拉格反射镜包括多个层，并且被配置成反射具有如下入射角的光：在该布拉格反射镜上，相对于与该布拉格反射镜的材料的每个层正交的轴线，具有在0°和90°之间的入射角。
在一些实施例中，每个布拉格反射镜包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替的层，该层中的至少两个层在深度上如下延伸到该衬底中：从该前侧向下到底部绝缘区域，该底部绝缘区域限定每个二极管的底部，该底部绝缘区域将每个二极管与该衬底的其余部分电绝缘。
在一些实施例中，该层中的至少一个层在深度上从该前侧向下延伸到远端，该远端位于该前侧与该底部绝缘区域之间。
在一些实施例中，不同折射率的该至少两种材料的该至少三个交替的层包括硅的层、以及二氧化硅的层。
在一些实施例中，该集成电路还包括横向深沟槽隔离区域，其中该二氧化硅的层和该横向深沟槽隔离区域具有相同的深度和相同的结构。
本公开的实施例可以提供一种允许降低或甚至消除串扰的集成电路。
附图说明
通过审查对实施方式和实施例以及附图的完全非限制性的详细描述，本实用新型的其他优点和特征将变得明显，其中：
图1是根据本实用新型的一个实施例的集成电路的俯视图的示意表示；
图2是根据本实用新型的第一实施例的集成电路的局部截面的示意表示；
图3是根据本实用新型的第二实施例的集成电路的局部截面的示意表示；
图4是根据本实用新型的一个实施例的电子设备的示意表示；
图5图示了根据本实用新型的第一实施方式的用于制造集成电路的过程的各步骤的结果；以及
图6图示了根据本实用新型的第二实施方式的用于制造集成电路的过程的各步骤的结果。
具体实施方式
实施例可以提供一种包括高性能SPAD阵列的集成电路，该集成电路允许降低或甚至消除串扰。
根据一个方面，提供了一种集成电路。该集成电路包括半导体衬底，半导体衬底包含单光子雪崩二极管的阵列，单光子雪崩二极管包括至少两个二极管，该至少两个二极管彼此相邻。相应地，至少一个布拉格反射镜被定位在至少两个相邻的二极管之间。布拉格反射镜适于防止光在这两个二极管之间的传播。
以下，SPAD阵列也被称为光检测器阵列。因此，光检测器阵列包括多个SPAD。
根据该方面的集成电路可以包括一个或多个布拉格反射镜。每个布拉格反射镜因此具有第一横向侧和第二横向侧，第一横向侧与光检测器阵列的第一SPAD接触，第二横向侧与第一横向面相对，第二横向侧与光检测器阵列的第二SPAD接触，该第二SPAD与第一SPAD相邻。
因此，在根据该方面的集成电路中，布拉格反射镜被定位在其间的两个相邻SPAD之间的串扰能够被消除。具体地，当被放置在布拉格反射镜的一侧上的SPAD接收光子时，该布拉格反射镜允许由热载流子所发射的入射寄生光被反射和/或被吸收，热载流子在该接收器SPAD中的雪崩期间生成。
因此，寄生光不会被透射到被放置在布拉格反射镜的另一侧的相邻SPAD。因此，这两个SPAD可以同时操作，并且不会冒如下风险：被由这些SPAD中的一个SPAD所生成的寄生光去激活。
此外，将布拉格反射镜定位在SPAD之间使得可以继续采用高的过量偏置电压。具体地，在雪崩期间所生成的热载流子的数目不再具有对相邻的SPAD的任何影响。因此，可以设计和制造高性能的光检测器阵列。
根据一个实施例，每个布拉格反射镜被配置成：防止具有如下波长的光的传播：能够由热载流子的能量弛豫所生成的波长之中的波长，热载流子由在两个相应的二极管中的一个二极管中所触发的雪崩效应生成。
以指示的方式，例如，这种波长可以在500nm和2μm之间。
优选地，集成电路包括布拉格反射镜，被定位在光检测器阵列的每个相邻二极管之间。
因此，这种集成电路适于消除遍及光检测器阵列的串扰。因此，阵列的所有SPAD可以同时操作，并且不会冒被源自相邻SPAD的寄生光去激活的风险。
优选地，根据一个实施例，每个布拉格反射镜包括多个层，并且适于反射具有如下入射角的光，在布拉格反射镜上，相对于与布拉格反射镜的材料的每个层正交的轴线，具有在0°与90°之间的入射角。
这种布拉格反射镜于是适于防止最有害的光子的扩散。具体地，对于入射角在0°与90°之间的光子，串扰的风险最高。
根据一个实施例，半导体衬底具有前侧，每个布拉格反射镜包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替层，层中的至少两个层在深度上如下延伸到衬底中，从前侧向下到底部绝缘区域，底部绝缘区域限定每个二极管的底部，并且将每个二极管与衬底的其余部分电绝缘。
因此，每个二极管具有限定在衬底的前侧与衬底的后侧之间的高度，前侧旨在暴露于要被检测的光信号，后侧与绝缘区域接触。
根据一个实施例，层中的至少一个层在深度上从前侧向下延伸到远端，该远端位于前侧与底部绝缘区域之间。
特别地，这些层中的每个层在深度上延伸了足够的长度，以能够反射具有小于布儒斯特角的入射角的光。
有利地，根据一个实施例，不同折射率的至少两种材料包括硅和二氧化硅。
这些材料的折射率允许使用较小厚度的层，同时有利于反射能够由热载流子的能量弛豫而生成的光，该热载流子由在两个相应二极管中的一个二极管中所触发的雪崩效应生成。此外，硅和二氧化硅是本领域技术人员已经掌握的材料，该材料不昂贵。因此，用这种材料制造布拉格反射镜是有利的。
根据一个实施例，集成电路还包括横向深沟槽隔离，二氧化硅的层和横向深沟槽隔离具有相同的深度和相同的结构。
根据另一方面，提供了一种电子设备，该电子设备包括诸如上面所限定的集成电路。
根据另一方面，提供了一种用于制造集成电路的过程。包括彼此相邻的至少两个二极管的阵列在半导体衬底内形成。二极管是单光子雪崩二极管。至少一个布拉格反射镜在阵列的彼此相邻的至少两个二极管之间形成。该布拉格反射镜适于防止光在这两个二极管之间的传播。
根据一种实施方式，至少一个布拉格反射镜被形成，以使得其能够反射具有如下波长的光：能够由热载流子的能量弛豫所生成的波长之中的波长，热载流子由在两个相应的二极管中的一个二极管中所触发的雪崩效应生成。
根据一种实施方式，至少一个布拉格反射镜被形成，以使得其适于反射具有如下入射角的光：在布拉格反射镜上，具有在0°与90°之间的入射角。
根据一种实施方式，阵列的二极管的形成包括：形成底部绝缘区域，该底部绝缘区域限定每个二极管的底部，并且将每个二极管与衬底的其余部分电绝缘。
此外，根据一种实施方式，每个布拉格反射镜的形成包括：在两个相邻二极管之间形成折射率不同的至少两种材料的至少三个交替层，以使得层中的至少两个层在深度上如下延伸到衬底中：从衬底的前侧向下到底部绝缘区域。
根据一种实施方式，至少一个布拉格反射镜的形成包括：在两个相邻二极管之间，形成第一材料的初始体积。第一材料具有第一折射率。多个沟槽被蚀刻到第一材料的体积中。每个沟槽用第二材料来填充，第二材料具有不同于第一折射率的第二折射率，以便形成第二材料的层。第一材料的每个体积位于第二材料的两个层之间，从而形成第一材料的层。
因此，布拉格反射镜包括在如下层之间交替的层：在第一材料的层、以及通过利用至少一种其他材料填充沟槽而形成的层。
这种用于制造布拉格反射镜的过程允许单晶的第一材料被保持。具体地，第一材料的每个层从第一材料的初始体积获得。
根据后一种实施方式，被填充有第二材料的沟槽中的至少一个在深度上，从前侧向下延伸到远端，该远端位于前侧与底部绝缘区域之间。
由于不需要在二极管的整个高度上蚀刻第一材料的体积，因此可以容易和快速地形成这种沟槽。
作为变型，根据另一实施方式，至少一个布拉格反射镜的形成包括：在两个相邻二极管之间，形成第一材料的初始体积，第一材料具有第一折射率，将沟槽蚀刻到该第一材料中，该沟槽具有由第一材料界定的两个横向边缘，然后，从沟槽的侧向边缘相继地形成第二材料的层和第一材料的层的至少一个交替，直到沟槽被填充，第二材料具有与第一折射率不同的第二折射率。
这种用于制造布拉格反射镜的过程具有将一个且仅一个沟槽蚀刻到第一材料中的优点。
根据一种实施方式，第一材料和第二材料从硅和二氧化硅中选取。
根据一种实施方式，该制造过程还包括形成包括二氧化硅的横向深沟槽隔离，并且二氧化硅的层的形成与横向深沟槽隔离的形成同时地实施。
图1示出了根据本实用新型的集成电路CI的一个实施例。集成电路CI包括光检测器(photodetector)阵列RES。光检测器阵列RES包括多个单光子雪崩二极管(single-photon-avalanche diode)，即所谓的SPAD。在图2和图3中所示的实施例中，仅示出了两个二极管SPAD1、SPAD2。优选地，光检测器阵列RES的SPAD中的所有SPAD相同。特别地，每个SPAD具有平行四边形形状。优选地，光检测器阵列RES位于平面中。
SPAD允许光被检测到。特别地，SPAD利用由入射光子所触发的p-n结的雪崩电流，来检测该光子。
特别地，在图2和图3中所示的实施例中，每个SPAD被形成在半导体衬底SBT中。每个SPAD包括SPAD的第一区域REG1。该第一区域REG1是第一导电类型，例如n+型。该第一区域REG1被设计成捕获入射在半导体衬底SBT的一侧的该部分(被称为前侧FAV)上的光子。该前侧FAV特别地定界(bound)第一区域REG1。
半导体衬底SBT的前侧FAV承载集成电路的组件。特别地，前侧FAV是这样的一侧，在该一侧上，包含集成电路的电子元件(诸如晶体管和二极管)的集成电路的区域被制造。该区域也由针对“前道”(Front End Of Line)的常规首字母缩略词“FEOL”指代。要由阵列检测的光信号可以经由如下来接收：经由衬底SBT的前侧FAV、或经由后侧FAR，该后侧FAR与前侧FAV相对。
第一区域REG1连接到阴极接触。
每个SPAD还包括第二导电类型(例如，p-型)的第二区域REG2。该第二区域REG2横向地框住(frame)第一区域REG1。
每个SPAD还包括第三导电类型(例如，p型)的第三区域REG3，其连接到阳极接触。特别地，该第三区域REG3在第一区域REG1和第二区域REG2下方延伸。
每个SPAD还包括第二导电类型(例如，p-型)的深区域REG4。该深区域REG4被第三区域REG3围绕。
该深区域REG4搁置在底部绝缘区域ISO上，底部绝缘区域ISO在光检测器阵列RES的SPAD中的所有SPAD的下方延伸。因此，每个二极管具有适于捕获光子的高度，该高度被限定在衬底SBT的前侧FAV与衬底SBT的后侧FAR之间，后侧FAR与底部绝缘区域ISO接触。
每个SPAD被反向偏置。例如，n+型的REG1的第一区域被升高到20V，并且p型的第三区域REG3被保持在0V。特别地，每个SPAD被反向偏置成超过其击穿电压。
高反向偏置电压生成足够高的电场，以使被引入到SPAD的耗尽区域中的单个电荷载流子能够引起雪崩，该雪崩经由每次撞击一次电离而自我维持。
在SPAD中的雪崩期间，高数目个热载流子被生成。这些热载流子通过在所有方向上，发射处于红色或处于近红外的寄生光来弛豫。
为了避免阵列的SPAD之间的电-光学串扰，光检测器阵列RES还包括在光检测器阵列RES的每个SPAD之间的布拉格反射镜MB。具体地，每个布拉格反射镜MB允许由接收器SPAD所生成的寄生光被反射和/或吸收，以便防止该寄生光被传输到与该接收器SPAD相邻的SPAD。
图2和图3示出了两个实施例，其包括在两个二极管SPAD1与SPAD2之间的布拉格反射镜MB。在这两个实施例中，布拉格反射镜MB包括相继的、不同折射率的材料MAT1、MAT2的至少两层CO。相继的层CO允许入射在布拉格反射镜MB上的光被反射和/或被吸收。
特别地，层CO被定向，以便相对于衬底SBT的前侧FAV垂直地(即正交地)延伸。此外，布拉格反射镜MB的层CO的折射率与相邻的层CO的折射率不同。
每个布拉格反射镜MB因此具有第一横向侧CL1和第二横向侧CL2，第一横向侧CL1与光检测器阵列RES的第一二极管SPAD1接触，并且第二横向侧CL2与光检测器阵列RES的第二二极管SPAD2接触，第二横向侧CL2与第一横向侧CL1相对，第二二极管SPAD2与第一二极管SPAD1相邻。
更特别地，布拉格反射镜MB继而可以包括交替的、相继的硅的层CO和二氧化硅的层CO，硅和二氧化硅具有不同的折射率。这些材料拥有这样的折射率，以允许使用小厚度的层CO，同时有利于反射能够由热载流子的能量弛豫(relaxation)而生成的光，该热载流子由在两个相应的二极管中的一个二极管中所触发的雪崩效应而生成。此外，硅和二氧化硅是在半导体器件中被掌握和普遍使用的材料。因此，用这种材料来制造布拉格反射镜MB相对容易实施，并且特别是在节省成本方面是有利的。
布拉格反射镜MB所包括的层CO的数目越多，其以下关于如下的性能越高：防止两个二极管SPAD1、SPAD2之间的光子的扩散，该布拉格反射镜被定位在该两个二极管SPAD1、SPAD2之间。在图2和图3中所示的实施例中，布拉格反射镜MB包括二氧化硅的五层CO和硅的四层CO。
每个层的厚度可以使用以下布拉格关系选取：
L＝λ0/4n，
其中λ0是关注的波长，n是该层的折射率。
特别地，关注的波长可以使用以下公式计算：
等式1
Figure BDA0002744947260000101
为了反射能够在与接收光子的SPAD相邻的SPAD中引起雪崩的寄生光，λmin可以被选取为在500nm与600nm之间(红色)，并且λmax可以被选取为在1.1μm与1.2μm(近红外)之间。因此，λ0可以等于824nm。二氧化硅的层的厚度继而可以等于142nm，并且硅的层的厚度可以为56nm。
光检测器阵列RES的每个布拉格反射镜MB至少适于反射在布拉格反射镜MB上，具有在0°与60°之间的入射角的光。继而，每个布拉格反射镜MB适于防止最有害的光子的扩散。具体地，对于具有在0°和60°之间的入射角的光子，串扰的风险最高。
在上面参考图2描述的实施例中，层CO中的每个层CO在二极管的高度上延伸，布拉格反射镜MB被定位在该二极管之间。因此，每个层CO从衬底SBT的前侧FAV延伸到底部绝缘区域ISO。
作为变型，如图3中所示，布拉格反射镜MB的某些层CO’可以仅在二极管的高度的一分数上延伸，布拉格反射镜MB被定位在该二极管之间。特别地，在图3中所示的实施例中，二氧化硅的两个层CO’仅在二极管的高度的一分数上延伸。特别地，仅在二极管的高度的一部分上延伸的每个层CO’，在深度上，从前侧FAV向下延伸到一远端，该远端位于前侧FAV与底部绝缘区域ISO之间。
仅在SPAD的高度的一部分上延伸的每个层CO’适于防止如下光在二极管之间的扩散：具有小入射角的光，特别地，具有在0°与布儒斯特角之间的入射角的光。
因此，根据本实用新型的集成电路CI适于消除在其间布拉格反射镜MB被定位的两个相邻的SPAD之间的串扰。
当被放置在布拉格反射镜MB的CL1、CL2中一侧上的SPAD接收光子时，该布拉格反射镜MB允许由热载流子发射的入射寄生光被反射和/或被吸收，该热载流子在该接收器SPAD中的雪崩期间生成。
因此，寄生光不会透射到被放置在布拉格反射镜MB的CL1、CL2中的另一侧上的相邻SPAD。因此，这两个SPAD可以同时操作，并且不会冒如下风险：被这些SPAD中的一个SPAD所生成的寄生光去激活。
此外，将布拉格反射镜MB定位在SPAD之间使得可以继续采用高的过量偏置电压。具体地，在雪崩期间所生成的热载流子的数目不再具有对相邻的SPAD产生任何影响。因此，可以设计出高性能的光检测器阵列RES。
此外，集成电路可以包括如图2和图3中所示的横向深沟槽隔离DTI。深沟槽隔离对于本领域技术人员是众所周知的，本领域技术人员通过缩写词“DTI”来指代深沟槽隔离。
图4示出了包括根据本实用新型的集成电路CI的电子设备AE。电子设备AE可以是飞行时间传感器、或配备有飞行时间传感器的设备。
图5图示了根据第一实施方式的用于制造集成电路的过程的步骤的结果。
图6图示了根据第二实施方式的用于制造集成电路的过程的步骤的结果。
这两种实施方式首先包括形成彼此相邻的多个SPAD，以便形成光检测器阵列。特别地，例如硅的第一材料MAT1的初始体积也在阵列的每个相邻的二极管之间形成。
第一材料MAT1的每个初始体积在高度等于相邻SPAD的高度上，靠着与该初始体积相邻的SPAD延伸。每个布拉格反射镜然后由硅的该体积形成。
因此，图5和图6图示了两种实施方式，以用于从光检测器阵列的两个相邻二极管之间的第一材料MAT1的体积，制造布拉格反射镜。
图5中所示的实施方式包括步骤A，其中多个沟槽TR被蚀刻到第一材料MAT1中。在该实施方式中，第一材料MAT1是硅。特别地，在图5中，仅图示了两个沟槽TR。然而，在步骤A中可以蚀刻多于两个的沟槽TR。
在步骤B中，第二材料MAT2的层CO然后在所产生的沟槽TR中形成。该第二材料MAT2具有与第一材料MAT1的折射率不同的折射率。特别地，第二材料MAT2可以是二氧化硅。第二材料MAT2的这些层被形成，以便填充这些沟槽TR中的每个沟槽。
在步骤C中，另一个沟槽TR然后被蚀刻到第二材料MAT2的层之间的第一材料MAT1的体积中。接下来，在步骤D中，第二材料MAT2的另一个层在步骤C中所产生的沟槽TR中形成。第二材料MAT2的该层被形成，以便填充在步骤C中所产生的沟槽TR。
因此，每个沟槽TR蚀刻被用来形成第二材料MAT2的层。第一材料MAT1的层从第一材料MAT1的初始体积，而形成在第二材料MAT2的层之间。
因此，取决于第二材料MAT2的层所期望的厚度，沟槽TR的宽度被选取。特别地，当第二材料MAT2是二氧化硅时，每个沟槽TR的宽度是142nm。沟槽TR的布置被选取，以便当第一材料MAT1是硅时，形成56nm厚度的第一材料MAT1的层。
沟槽TR在两个不同的步骤(步骤A和步骤C)中产生，以便避免在这些沟槽TR用第二材料MAT2填充之前，形成在沟槽TR之间的、小厚度的第一材料MAT1的易碎层CO。在该实施方式中，第一材料MAT1的层全部从第一材料MAT1的初始体积形成。
因此，这种用于制造布拉格反射镜的过程可以允许第一材料MAT1的单晶层，并且特别地，硅的单晶层被保持。此外，在这种实施方式中，二氧化硅的层的形成可以与横向深沟槽隔离的形成同时地被实施。具体地，二氧化硅的层和横向深沟槽隔离具有相同的结构，并且因此可以在相同的制造步骤中被形成。
作为变型，图6中所示的实施方式包括：在步骤A’中，通过蚀刻形成足够宽度的沟槽TR，以包含布拉格反射镜的多个层CO，并且特别地包含层中的所有层。特别地，布拉格反射镜的材料MAT1、MAT2的层CO从该沟槽TR的横向边缘相继地形成在该沟槽TR中，直到沟槽TR被填充。例如，硅MAT1的层和二氧化硅MAT2的层在沟槽TR中相继地形成。
更特别地，在图6中所示的示例中，538nm的沟槽TR被蚀刻到硅的初始体积中。该宽度允许接收142nm的二氧化硅MAT2的三个层、以及56nm的硅MAT1的两个层。特别地，在步骤B’中，142nm的二氧化硅MAT2的两个层在沟槽TR的每个横向边缘上形成，以与硅的初始体积中的硅接触。
接下来，在步骤C’中，56nm的硅MAT1的两个层靠着在步骤B’中所形成的二氧化硅的层而形成。最后，在步骤D’中，142nm的二氧化硅MAT2的层形成在步骤C’中所形成的硅的层之间。
这种用于制造布拉格反射镜的过程具有在第一材料MAT1中蚀刻一个且仅蚀刻一个沟槽TR的优点。具体地，在第一材料MAT1中蚀刻多个沟槽TR会使第一材料MAT1变弱。
在图5和图6中所示的两种实施方式中，所蚀刻的特征的深度可以取决于布拉格反射镜的层(例如，二氧化硅的层)所期望的高度而被选取。因此，所蚀刻的特征可以在SPAD的高度上、或在SPAD的高度的一部分上形成。
特别地，仅在SPAD的高度的一部分上延伸的二氧化硅的层CO’可以容易并且迅速地形成。具体地，对于这种二氧化硅的层，不需要在二极管的整个高度上蚀刻第一材料MAT1的体积，并且由于该层的较小高度，二氧化硅的每个层的形成更快。
当然，对于本领域技术人员而言，本实用新型的各种变型和修改将是明显的。例如，没有什么能阻止使用包括氮化硅的层与锗的层的交替的布拉格反射镜，来代替包括硅的层和二氧化硅的层的交替的反射镜。

Claims (7)

1.一种集成电路，其特征在于，包括：
半导体衬底；
单光子雪崩二极管的阵列，被形成在所述半导体衬底的前侧，所述阵列包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管彼此相邻；以及
布拉格反射镜，被定位在所述第一二极管与所述第二二极管之间，所述布拉格反射镜被配置成防止光在所述第一二极管与所述第二二极管之间的传播。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，每个布拉格反射镜被配置成：防止具有如下波长的光的所述传播：能够由热载流子的能量弛豫而生成的波长之中的波长，所述热载流子由在所述第一二极管或所述第二二极管中被触发的雪崩效应生成。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，每个布拉格反射镜包括多个层，并且被配置成反射具有如下入射角的光：在所述布拉格反射镜上，相对于与所述布拉格反射镜的材料的每个层正交的轴线，具有在0°和90°之间的入射角。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，每个布拉格反射镜包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替的层，所述层中的至少两个层在深度上如下延伸到所述衬底中：从所述前侧向下到底部绝缘区域，所述底部绝缘区域限定每个二极管的底部，所述底部绝缘区域将每个二极管与所述衬底的其余部分电绝缘。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述层中的至少一个层在深度上从所述前侧向下延伸到远端，所述远端位于所述前侧与所述底部绝缘区域之间。
6.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，不同折射率的所述至少两种材料的所述至少三个交替的层包括硅的层、以及二氧化硅的层。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，还包括横向深沟槽隔离区域，其中所述二氧化硅的层和所述横向深沟槽隔离区域具有相同的深度和相同的结构。
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