KR20120052994A - 링 조명을 갖는 다크 필드 검사 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
도 1b는 도 1a의 조명 링이 경사각으로 웨이퍼를 조사할 수 있다는 것을 도시한다.
도 2는 스캔 방향으로 복수의 TDI 스테이지를 사용하여 스캔될 수 있는 오버필드 조명 영역을 도시한다.
도 3은 도 2의 구성에 비해 사실상 감소된 개수의 TDI 스테이를 사용하여 스캔될 수 있는 언더필드 조명 영역을 도시한다.
도 4는 웨이퍼 상에 복합 조명 필드를 형성하기 위해 광 비임에 대해 기울어지고 회전되는 3개의 원통형 렌즈를 포함하는 예시적인 조명 구성을 도시한다.
도 5 및 도 6은 원통형 렌즈의 배향이 조명 필드 생성을 위해 방위각 및 편각에 기초하여 어떻게 결정되는지를 도시한다.
도 7은 복수의 조명 필드 길이를 제공하기 위해 3개의 원통형 렌즈를 포함하는 예시적인 비임 형성 경로를 도시한다.
도 8은 도넛 형상 이미징을 나타내는 4개의 파티클 및 배경 스펙클을 포함하는 비패턴 웨이퍼 표면의 이미징 센서 출력 표상을 도시한다.
도 9는 평준화 효과를 증가시키기 위해 다모드 섬유를 통해 전달되는 복수의 레이저로부터의 레이저 비임을 변조(예컨대, 쉐이킹)할 수 있는 예시적인 검사 시스템을 도시한다.
도 10은 광대역 광원에 의해 생성된 광을 최종 조명경에 보다 효율적으로 전달하기 위해 광대역 광원에 의해 생성된 광을 시준할 수 있는 예시적인 검사 시스템을 도시한다.
도 11은 평준화 효과를 증가시키고 결함 식별을 개선하기 위해 상이한 파장의 레이저 비임을 결합시키는 방법을 도시한다.
도 12는 평준화 효과를 증가시키고 결함 식별을 개선하기 위해 상이한 편각으로 삽입 배치된 상이한 파장의 레이저 비임을 사용하는 방법을 도시한다.
도 13은 복수의 검사 채널을 포함하는 예시적인 검사 시스템(1300)을 도시한다.
도 14는 레이저로부터 간섭성 광을 수신하고 비간섭성 광을 생성할 수 있는 디퓨저를 포함하는 예시적인 검사 시스템을 도시한다.
102 : 광원
103 : 조명 광학계
104 : 웨이퍼
105 : 조명 라인
110 : 이미징 센서
111 : 대물 렌즈
Claims (36)
- 웨이퍼 상에 복합 집속 조명 라인을 생성하고, 각각 경사각으로 웨이퍼를 조사하며, 링 조명을 형성하는 복수의 비임 형성 경로와,
웨이퍼로부터 산랑 광을 캡쳐하기 위한 대물 렌즈와,
대물 렌즈의 출력을 수신하기 위한 이미징 센서를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제1항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로 각각은 광원을 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제2항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로 각각은 원통형 렌즈를 포함하고, 각각의 원통형 렌즈는 대응하는 광원으로부터의 광 비임에 대해 기울어지고 회전되는,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 샘플 표면 정규에 대한 경사각은 60° 내지 85°인,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 대물 렌즈의 개구수(NA)는 적어도 0.5인,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 각각의 원통형 렌즈는 조명 라인에 평행하게 위치설정되는 원통 축을 갖는,
다크 필드 검사 시스템. - 제6항에 있어서, 각각의 원통형 렌즈는 수차를 최소화하기 위해 각각의 원통형 렌즈의 원통 축을 중심으로 회전되는,
다크 필드 검사 시스템. - 제6항에 있어서, 적어도 하나의 비임 형성 경로는 제1, 제2 및 제3 원통형 렌즈를 포함하고, 제1 원통형 렌즈와 제2 원통형 렌즈 중 하나는 적시에 임의의 지점에서 비임 형성 경로에 존재하고, 제1 원통형 렌즈 및 제2 원통형 렌즈 각각은 조명 라인의 길이를 결정하고, 제3 원통형 렌즈는 조명 라인의 폭을 결정하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제6항에 있어서, 적어도 하나의 비임 형성 경로는 연속 줌 렌즈 및 원통형 렌즈를 포함하고, 연속 줌 렌즈는 소정의 범위 내에서 특유한 조명 라인 길이의 선택을 허용하고, 원통형 렌즈는 조명 라인의 폭을 결정하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 이미징 센서는 웨이퍼 상의 파티클의 형상을 정합시키는 디지털 이미지 처리 필터를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제9항에 있어서, 형상은 도넛 형상인,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 각각의 광원은 레이저인,
다크 필드 검사 시스템. - 제1항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로는,
복수의 레이저와,
복수의 레이저에 결합되는 다중 모드 섬유와,
다중 모드 섬유에 의해 전달되는 비임을 변조시키기 위한 변조기와,
조명 라인을 생성하기 위해 비임을 반사시키고 유도하기 위한 미러를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제13항에 있어서, 미러는 비구면 링 미러를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제1항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로는,
광대역 광원과,
광대역 광원의 출력을 수신하는 광 파이프와,
광 파이프의 출력을 시준하기 위한 집광 렌즈와,
조명 라인을 생성하기 위해 집광 렌즈로부터의 출력을 반사시키고 유도하기 위한 미러를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제15항에 있어서, 미러는 비구면 링 미러를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제2항에 있어서, 적어도 하나의 광원은 복수의 파장을 갖는 레이저 비임을 생성하기 위해 복수의 레이저 및 이색성 비임 결합기를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제2항에 있어서, 각각의 광원은 레이저이고, 인접한 비임 형성 경로들은 다른 파장을 갖는 레이저를 갖는,
다크 필드 검사 시스템. - 제1항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로는,
레이저와,
레이저에 결합되는 디퓨저와,
디퓨저의 출력을 수신하기 위한 섬유 다발을 포함하고,
각각의 섬유는 조명 라인을 형성하기 위해 광을 제공하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 각각의 광원은 레이저인,
다크 필드 검사 시스템. - 제3항에 있어서, 각각의 광원은 레이저 다이오드인,
다크 필드 검사 시스템. - 제1항에 있어서, 대물 렌즈의 출력을 수신하도록 위치설정되는 비임 스플리터를 더 포함하고, 이미징 센서는 비임 스플리터에 의해 출력된 제1 파장의 광을 검출하기 위한 제1 이미징 센서 및 비임 스플리터에 의해 출력된 제2 파장의 광을 검출하기 위한 제2 이미징 센서를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제1항에 있어서, 대물 렌즈의 출력을 수신하도록 위치설정되는 비임 스플리터를 더 포함하고, 이미징 센서는 비임 스플리터에 의해 출력된 특유한 파장의 광을 각각 검출하기 위한 복수의 이미징 센서를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템. - 제23항에 있어서, 복수의 이미징 센서의 하위 세트가 이미지 분석을 위해 선택되는,
다크 필드 검사 시스템. - 링 조명을 형성하기 위해 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계를 포함하고,
각각의 비임 형성 경로는 경사각으로 웨이퍼를 조사하고,
복수의 비임 형성 경로의 출력은 웨이퍼 상에 집속 조명 라인을 형성하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계는, 각각의 비임 형성 경로에서 적어도 하나의 원통형 렌즈를 기울이고 회전시키는 단계를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제26항에 있어서, 각각의 원통형 렌즈는 조명 라인에 평행하게 위치설정되는 원통 축을 갖는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제27항에 있어서, 수차를 최소화하기 위해 적어도 하나의 원통형 렌즈를 적어도 하나의 원통형 렌즈의 원통 축을 중심으로 회전시키는 단계를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제26항에 있어서, 조명 라인의 길이를 결정하기 위해 제1 원통형 렌즈를 사용하고 조명 라인의 폭을 결정하기 위해 제2 원통형 렌즈를 사용하는 단계를 더 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제26항에 있어서, 조명 라인의 길이를 결정하기 위해 줌 렌즈를 사용하고 조명 라인의 폭을 결정하기 위해 원통형 렌즈를 사용하는 단계를 더 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계는,
다중 모드 섬유를 간섭성 광원의 출력에 결합시키는 단계와,
다중 모드 섬유에 의해 전달되는 비임을 변조시키는 단계와,
조명 라인을 생성하기 위해 변조된 비임을 반사시키고 유도하는 단계를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계는,
광 파이프를 비간섭성 광원의 출력에 결합시키는 단계와,
광 파이프의 출력을 시준하는 단계와,
조명 라인을 생성하기 위해 비임 시준된 출력을 반사시키고 유도하는 단계를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계는,
적어도 하나의 비임 형성 경로에서, 복수의 레이저로부터의 출력을 결합시키는 단계를 포함하고,
각각의 레이저는 다른 파장을 갖는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계는,
인접한 비임 형성 경로에 다른 파장을 갖는 레이저를 제공하는 단계를 포함하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 복수의 비임 형성 경로를 형성하는 단계는,
디퓨저를 레이저의 출력에 결합시키는 단계와,
섬유 다발을 디퓨저의 출력에 결합시키는 단계를 포함하고,
섬유 다발의 각각의 섬유는 조명 라인을 형성하기 위해 광을 제공하는,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법. - 제25항에 있어서, 경사각은 샘플 표면 정규에 대해 60° 내지 85°인,
다크 필드 검사 시스템 구성 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US22771309P | 2009-07-22 | 2009-07-22 | |
| US61/227,713 | 2009-07-22 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120052994A true KR20120052994A (ko) | 2012-05-24 |
| KR101803109B1 KR101803109B1 (ko) | 2017-11-29 |
Family
ID=43499363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020127004139A Active KR101803109B1 (ko) | 2009-07-22 | 2010-07-16 | 링 조명을 갖는 다크 필드 검사 시스템 |
Country Status (8)
| Country | Link |
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| US (1) | US9176072B2 (ko) |
| EP (1) | EP2457251A4 (ko) |
| JP (2) | JP5639169B2 (ko) |
| KR (1) | KR101803109B1 (ko) |
| CN (1) | CN102473663B (ko) |
| IL (1) | IL217178A (ko) |
| TW (1) | TWI536012B (ko) |
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-
2010
- 2010-07-16 US US12/919,760 patent/US9176072B2/en active Active
- 2010-07-16 KR KR1020127004139A patent/KR101803109B1/ko active Active
- 2010-07-16 EP EP10802700.4A patent/EP2457251A4/en not_active Withdrawn
- 2010-07-16 JP JP2012521696A patent/JP5639169B2/ja active Active
- 2010-07-16 WO PCT/US2010/042354 patent/WO2011011291A1/en not_active Ceased
- 2010-07-16 CN CN201080033782.9A patent/CN102473663B/zh active Active
- 2010-07-22 TW TW099124187A patent/TWI536012B/zh active
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2011
- 2011-12-25 IL IL217178A patent/IL217178A/en active IP Right Grant
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2014
- 2014-07-07 JP JP2014140065A patent/JP6072733B2/ja active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101969232B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2019-04-17 | 주식회사 이노비즈 | 측면 비전 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5639169B2 (ja) | 2014-12-10 |
| KR101803109B1 (ko) | 2017-11-29 |
| US9176072B2 (en) | 2015-11-03 |
| US20110169944A1 (en) | 2011-07-14 |
| WO2011011291A1 (en) | 2011-01-27 |
| CN102473663B (zh) | 2016-11-09 |
| TW201132960A (en) | 2011-10-01 |
| EP2457251A4 (en) | 2017-11-08 |
| CN102473663A (zh) | 2012-05-23 |
| JP6072733B2 (ja) | 2017-02-01 |
| IL217178A (en) | 2017-04-30 |
| TWI536012B (zh) | 2016-06-01 |
| JP2012533756A (ja) | 2012-12-27 |
| IL217178A0 (en) | 2012-02-29 |
| JP2014222239A (ja) | 2014-11-27 |
| EP2457251A1 (en) | 2012-05-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20201112 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20211109 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20221108 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| U11 | Full renewal or maintenance fee paid |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) Year of fee payment: 9 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |




