KR20120042627A - 열처리 장치 - Google Patents
열처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120042627A KR20120042627A KR1020110079553A KR20110079553A KR20120042627A KR 20120042627 A KR20120042627 A KR 20120042627A KR 1020110079553 A KR1020110079553 A KR 1020110079553A KR 20110079553 A KR20110079553 A KR 20110079553A KR 20120042627 A KR20120042627 A KR 20120042627A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- outer shell
- reaction tube
- shell
- insulation layer
- inner shell
- Prior art date
Links
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 10
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 claims description 3
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 240000008100 Brassica rapa Species 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(과제) 진공 단열층 형성체의 외측 셸의 좌굴 강도를 향상시킨 열처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 열처리 장치(1)는 통 형상의 반응관(3)과, 웨이퍼(W)를 장전하여 보지하는 보트(5)와, 반응관(3)의 외주에 설치된 히터(2)와, 히터(2)의 외주에 형성된 진공 단열층 형성체(10)를 구비하고 있다. 진공 단열층 형성체(10)는, 내측 셸(11)과, 내측 셸(11)과의 사이에서 진공 단열층(10a)을 형성하는 외측 셸(12)을 갖고 있다. 외측 셸(12)은 박판으로 이루어지며, 소성 가공이 행해져 그의 단면이 파상으로 되어 있다.
(해결 수단) 열처리 장치(1)는 통 형상의 반응관(3)과, 웨이퍼(W)를 장전하여 보지하는 보트(5)와, 반응관(3)의 외주에 설치된 히터(2)와, 히터(2)의 외주에 형성된 진공 단열층 형성체(10)를 구비하고 있다. 진공 단열층 형성체(10)는, 내측 셸(11)과, 내측 셸(11)과의 사이에서 진공 단열층(10a)을 형성하는 외측 셸(12)을 갖고 있다. 외측 셸(12)은 박판으로 이루어지며, 소성 가공이 행해져 그의 단면이 파상으로 되어 있다.
Description
본 발명은, 열처리 장치에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼의 산화, 확산, CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 열처리 공정을 행하는 진공 단열층을 구비한 열처리 장치에 관한 것이다.
종래의 이 종류의 열처리 장치로서는, 특허문헌 1에 개시된 종형(vertical) 열처리 장치가 있다. 이 종형 열처리 장치는, 가열 처리되는 웨이퍼가 수납되는 공간을 주위로부터 둘러싸도록 설치된 원통형의 반응관과, 반응관을 둘러쌈과 함께 반응관 내를 가열하는 히터를 구비하고 있다. 그리고 히터의 외주에 진공 단열층을 형성하는 진공 단열층 형성체가 형성되고, 이 진공 단열층 형성체의 진공 단열층에 의해 히터의 소비 전력을 저감하고 있다.
이와 같이 종래의 열처리 장치는 진공 단열층을 갖는 진공 단열층 형성체를 구비하고, 진공 단열층 형성체의 진공 단열층 내를 진공으로 유지하고 있다. 그런데, 진공 단열층 내를 고(高)진공으로 한 경우, 단열성 향상을 도모할 수 있지만, 진공 단열층 형성체를 구성하는 벽면, 특히 외측 벽면에 좌굴(buckling)이 발생하는 경우가 있다. 이러한 외측 벽면의 좌굴을 방지하기 위해 외측 벽면의 두께를 두껍게 하는 것도 생각할 수 있지만, 이것으로는 진공 단열층 형성체의 제조 비용이 증대된다.
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 히터에 의한 소비 전력을 저감시키기 위해 진공 단열층을 형성하는 진공 단열층 형성체를 갖고, 또한 진공 단열층 형성체의 제조 비용 저감을 도모할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 하단부에 플랜지를 가짐과 함께 하방이 개구된 통 형상의 반응관과, 웨이퍼를 장전(load)하여 반응관 내에 수납되는 보트와, 반응관을 둘러쌈과 함께 반응관 내를 가열하는 히터와, 히터 외주에 형성되어, 내측 셸(shell)과 이 내측 셸과의 사이에서 진공 단열층을 형성하는 외측 셸을 갖는 진공 단열층 형성체를 구비하고, 내측 셸 및 외측 셸은, 각각 원통체와, 원통체 상부를 덮는 천정판을 갖고, 외측 셸은 박판(thin plate)으로 이루어지며, 소성(塑性) 가공이 행해져 파상(波狀) 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 하단부에 플랜지를 가짐과 함께 하방이 개구된 통 형상의 반응관과, 웨이퍼를 장전하여 반응관 내에 수납되는 보트와, 반응관을 둘러쌈과 함께 반응관 내를 가열하는 히터와, 히터 외주에 형성되어, 내측 셸과 이 내측 셸과의 사이에서 진공 단열층을 형성하는 외측 셸을 갖는 진공 단열층 형성체를 구비하고, 내측 셸 및 외측 셸은, 각각 원통체와, 원통체 상부를 덮는 천정판을 갖고, 외측 셸은 박판으로 이루어지며, 외측 셸에 원주 방향으로 연장되는 복수의 보강 리브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 내측 셸 및 외측 셸은, 각각의 하단부가 저판(bottom plate)에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 내측 셸의 외면과 외측 셸의 내면은, 연마(polishing) 또는 도장(coating)되어 반사면을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 외측 셸의 내면에 원주 방향으로 연장되는 복수의 보강 리브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 내측 셸과 외측 셸의 사이는 중공(hollow space)으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 내측 셸과 외측 셸과의 사이에 서로 평행으로 배치된 복수의 반사판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 각 반사판은, 주름을 갖는 박재(wrinkled foil)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 내측 셸과 외측 셸의 사이에, 반사판과 추가의 단열재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명은, 내측 셸 및 외측 셸은, 하스텔로이(hastelloy), 인코넬(inconel), 또는 SUS310으로 이루어지는 박판 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명에 의하면, 외측 셸은 박판으로 이루어지며, 소성 가공이 행해져 파상 단면을 갖거나, 혹은 외측 셸에 보강 리브가 설치되어 있기 때문에, 외측 셸의 좌굴 강도를 높일 수 있다. 이 때문에 진공 단열층 형성체 내부의 진공도가 높아져도 외측 셸이 좌굴되는 일은 없다.
도 1은 본 발명에 의한 열처리 장치의 일 실시 형태를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 열처리 장치의 확대도이다.
도 3은 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면으로, 도 2에 대응하는 도면이다.
도 6은 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면으로, 도 2에 대응하는 도면이다.
도 2는 도 1에 나타내는 열처리 장치의 확대도이다.
도 3은 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면으로, 도 2에 대응하는 도면이다.
도 6은 본 발명에 의한 열처리 장치의 변형예를 나타내는 도면으로, 도 2에 대응하는 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 여기에서 도 1은 본 발명에 의한 열처리 장치의 일 실시 형태를 나타내는 개략적인 단면도이고, 도 2는 그의 확대도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 의한 열처리 장치는 종형 열처리 장치(1)로 이루어지며, 이 열처리 장치(1)는, 상면 및 측면을 일체로 형성하고, 또한 하면을 개구한 통 형상의 반응관(3)과, 웨이퍼(W)를 장전하여 반응관(3) 내에 수납되는 보트(5)와, 반응관(3)을 둘러쌈과 함께 이 반응관(3)의 내부를 가열하는 히터(2)와, 히터(2) 외주에 형성되어 반응관(3)의 상면 및 측면의 주위를 덮도록 배치된 진공 단열층 형성체(10)를 구비하고 있다.
이 중 통 형상의 반응관(3)은, 하단부에 플랜지(3a)를 갖고, 웨이퍼(W)를 장전한 보트(5)가 내부에 수납된다.
또한 진공 단열층 형성체(10)는 내측 셸(11)과, 이 내측 셸(11)과의 사이에서 진공 단열층(10a)을 형성하는 외측 셸(12)을 갖고 있다. 또한 내측 셸(11)은 내측 셸(11)의 측면을 구성하는 원통체(11a)와, 원통체(11a)의 상부를 덮는 천정판(11b)을 갖고, 외측 셸(12)은 외측 셸(12)의 측면을 구성하는 원통체(12a)와, 원통체(12a)의 상부를 덮는 천정판(12b)을 갖고 있다. 또한 내측 셸(11)과 외측 셸(12)은, 그의 하단부에 있어서, 저판(13)에 의해 서로 연결되어 있다. 이러한 구성으로 이루어지는 진공 단열층 형성체(10)는, 전체적으로 반응관(3)의 플랜지(3a) 상에 올려놓여져 있다. 또한 진공 단열층 형성체(10)는, 반응관(3)의 플랜지(3a) 상으로부터 떼어낼 수도 있다.
그리고 또한 히터(2)는 세라믹 섬유제의 단열재(2a)와, 이 단열재(2a) 내면에 보지(holding)된 히터 엘리먼트(2b)로 이루어져, 반응관(3) 내를 가열하도록 되어 있다.
또한, 저온 처리시(0?600℃)에서는 열용량을 줄이기 위해, 반드시 히터(2)는 단열재(2a)를 가질 필요는 없다.
반도체 제조 프로세스의 하나로서, 실리콘 웨이퍼의 산화, 확산, CVD 등을 행하는 열처리 공정이 있고, 이 공정은 이러한 종형 열처리 장치(1)를 사용하여 행해진다.
전술한 바와 같이 히터(2)의 주위는 진공 단열층 형성체(10)로 덮여 있다. 이 때문에 히터(2)는 진공 단열층 형성체(10)의 내측에 위치함과 함께, 히터(2)는 상하에 복수로 분할되어 있다.
반응관(3)의 하부에는, 가스 도입관(가스 도입 통로)(7)과, 배기관(가스 배기 통로)(8)이 접속되어 있다. 그리고, 가스 도입관(7)은 도시하지 않은 반응 가스 공급원에 접속되고, 배기관(8)은 도시하지 않은 배기 장치에 각각 접속된다.
반응관(3)은 하단이 개구하여 개구(3A)를 형성하고, 이 개구(3A)로부터 복수매 장전된 웨이퍼(W)를 보지하는 보트(5)가 도입되도록 되어 있다. 즉, 보트(5)는, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 상승시킴으로써 반응관(3) 내에 하방으로부터 도입되고, 또한, 이 보트(5)를 하강시킴으로써 반응관(3)으로부터 취출할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 반응관(3)의 하단부에는 개구(3A)가 형성되어 있어, 이 개구(3A)를 로(furnace) 입구 덮개(31)에 의해 닫았을 때, 기밀 시일(예를 들면 O링)(33)에 의해 반응관(3)과 로 입구 덮개(31)가 시일된다.
또한, 전술한 바와 같이 진공 단열층 형성체(10)는 반응관(3)의 플랜지(3a) 상으로부터 떼어낼 수 있지만, 플랜지(3a)와 진공 단열층 형성체(10)의 저판(13)과의 사이도, 기밀 시일(예를 들면 O링)로 시일되도록 되어 있다.
또한 히터(2)의 단열재(2a)와 플랜지(3a)와의 사이도 기밀하게 되어 있고, 단열재(2a)와 플랜지(3a)와의 사이가 기밀하게 되어 있으면, 반드시 저판(13)과 플랜지(3a)가 기밀하게 되어 있지 않아도 좋다.
그런데 웨이퍼(W)에 대하여 CVD 처리를 행하는 경우, 히터(2)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 온도까지 가열 유지하고, 그 상태에서 원료 가스를 가스 도입관(7)으로부터 반응관(3) 내에 공급한다. 그리고, 원료 가스가 반응하여, 웨이퍼(W)의 표면에 CVD막이 형성된다. 반응 후의 가스는 배기관(8)을 통하여 배기된다.
또한, 웨이퍼(W)의 면내 온도 분포를 균일하게 하기 위해, 보트(5)는 회전 기구(30) 상에 보온통(38)을 개재하여 설치되어 있다. 이 보온통(38)은 보트(5) 내에 배치된 웨이퍼(W)의 상하 방향의 온도 분포의 불균일화를 방지하기 위해 설치되는 것이다.
그런데, 반응관(3)의 플랜지(3a)에는, 진공 단열층 형성체(10)와 반응관(3)과의 사이의 공간을 냉각하기 위한 공기 공급 라인(35)이 형성되고, 진공 단열층 형성체(10)와 반응관(3)과의 사이의 공간 내의 공기는 공기 배출 라인(36)으로부터 배출된다.
다음으로 진공 단열층 형성체(10)에 대해서 추가로 설명한다. 진공 단열층 형성체(10)는 내측 셸(11)과, 외측 셸(12)과, 내측 셸(11)과 외측 셸(12)의 하단부를 연결하는 저판(13)을 갖고, 내부에 진공 단열층(10a)이 형성되며, 이 진공 단열층(10a)에 의해, 히터(2)에 의해 가열된 진공 단열층 형성체(10) 내부의 열이 외부로 달아나지 않도록 되어 있다.
진공 단열층 형성체(10)에는, 진공 펌프(20)가, 밸브(21)를 갖는 진공 라인(22)을 개재하여 접속되어 있고, 밸브(21)를 열어 진공 펌프(20)를 작동시킴으로써 내부의 진공 단열층(10a)이 진공 단열 기능을 발휘한다.
또한 진공 단열층 형성체(10)의 내부에 형성된 진공 단열층(10a) 내에 복수열, 예를 들면 3열에 걸쳐 반사판(15)이 서로 평행으로 배치되어 있다.
진공 단열층 형성체(10)의 내부에 형성된 3열의 반사판(15)은, 히터(2)로부터 발생하여 내측 셸(11)을 통하여 외방(outward)으로 전달되는 열을 진공 단열층(10a)과 함께 차단하는 것이며, 구체적으로는 히터(2)로부터 발생한 복사열의 확산을 방지한다.
이러한 반사판(15)으로서는, 반사율이 높은 알루미늄, 은, 금 등의 재료에 의해 형성된 것을 이용할 수 있으며, 이들 재료는 사용시에 반사율을 높이기 위해, 추가로 그의 표면이 연마된다.
혹은 반사판(15)을, 고온 강도를 유지하기 위한 내열성 기재(예를 들면 하스텔로이, 인코넬, SUS310)와, 이 내열성 기재 상에 증착된 알루미늄, 은, 금 등으로 이루어지는 증착층으로 구성해도 좋다.
그리고 또한 반사판(15)을 알루미늄, 은, 금 등으로 이루어지는 극히 얇은 두께의 박재로 형성함과 함께, 이 박재에 주름을 잡아, 반사판(15)끼리를 점접촉(point contact)시켜, 열전도를 방지하도록 해도 좋다.
또한, 전술한 바와 같이 진공 단열층 형성체(10) 내에 3열의 반사판(15)을 설치한 예를 나타냈지만, 이에 한하지 않고 반사판(15)을 4열?5열에 걸쳐 설치해도 좋고, 또한 내측 셸(11)과 반사판(15)과의 사이 혹은 외측 셸(12)과 반사판(15)과의 사이에, 열전도를 방지하는 알루미늄 실리카 단열재로 이루어지는 추가의 단열재(10A)를 설치해도 좋고, 반사판(15) 간에 알루미늄 실리카 단열재로 이루어지는 추가의 단열재(10A)를 설치해도 좋다(도 5 참조).
혹은, 내측 셸(11)과 외측 셸(12)과의 사이로부터 반사판(15)을 떼어내어, 내측 셸(11)과 외측 셸(12)과의 사이를 중공으로 유지해도 좋다(도 6 참조).
다음으로 진공 단열층 형성체(10)를 구성하는 내측 셸(11)과 외측 셸(12)과 저판(13)의 구조에 대해서 서술한다.
내측 셸(11), 외측 셸(12) 및 저판(13)을 형성하는 재료로서는, 예를 들면 내열성을 갖는 스테인리스제 재료(SUS304)로 이루어지는 박판 재료를 이용할 수 있다. 또는 그 외의 내열성 재료, 예를 들면 하스텔로이, 인코넬, SUS310 등의 내열성 재료로 이루어지는 박판 재료를 이용할 수 있다.
또한 내측 셸(11)의 외면 및, 외측 셸(12)의 내면, 즉 진공 단열층 형성체(10)의 내면에는, 연마 처리가 시행되어 반사면이 형성되고, 이에 따라 진공 단열층 형성체(10) 내에 있어서 복사열이 외방으로 방출하는 일 없이 이 복사열을 가두어 둘 수 있다. 또한, 내측 셸(11)의 외면 및 외측 셸(12)의 내면에 연마 처리를 시행하는 대신에, 도장에 의해 반사면을 형성해도 좋다.
또한 내측 셸(11)의 내면, 즉 내측 셸(11)의 히터(2)측의 면에는, 내측 셸(11)의 산화를 방지하기 위해, SiO2 코팅이 시행되어 있어도 좋다.
그런데, 진공 단열층 형성체(10)의 내측 셸(11), 외측 셸(12), 저판(13)은, 전술한 바와 같이 내열성을 갖는 박판 재료로 이루어지지만, 진공 단열층(10a)의 진공도가 커지면, 내측 셸(11)에 대해서는 외방으로 향하는 인장력(tensile force)이 발생하고, 외측 셸(12)에 대해서는 내방으로 향하는 좌굴력(buckling force)이 발생한다.
이 경우, 내측 셸(11)에 대하여 외측을 향하는 인장력이 작용하게 되지만, 내측 셸(11)은 설령 박판 재료로 이루어져 있어도 일정한 인장 강도를 갖기 때문에, 진공 단열층(10a)의 진공도에 대해서는 충분히 견딜 수 있다.
한편, 외측 셸(12)에 대하여 좌굴력이 발생하기 때문에, 외측 셸(12) 중, 특히 원통체(12a)는 그의 단면 형상이 파상이 되도록 소성 가공이 행해져 있다(도 2).
이와 같이 외측 셸(12)의 원통체(12a)에 소성 가공을 행하여 단면 형상을 파상으로 함으로써, 외측 셸(12)의 원통체(12a)에 대하여, 진공 단열층(10a)측으로부터 전체적으로 내측을 향하는 좌굴력을 견뎌낼 수 있게 한다.
또한 외측 셸(12)의 천정판(12b)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 반원구 형상체로 되어 있고, 이와 같이 천정판(12b)이 반원구 형상체로 되어 있기 때문에, 이 천정판(12b)의 좌굴 강도를 높일 수 있다.
또한, 외측 셸(12)의 원통체(12a)에 소성 가공을 행하여 원통체(12a)의 단면을 파상으로 한 예를 나타냈지만, 원통체(12a) 및 천정판(12b)에 소성 가공을 행하여, 원통체(12a)와 천정판(12b)의 쌍방이 파상 단면을 갖도록 해도 좋다.
다음으로 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시 형태의 작용에 대해서 설명한다.
우선 다수의 웨이퍼(W)가 장전된 보트(5)가 보온통(38) 상에 올려놓여지고. 보온통(38) 및 노 입구 덮개(31)가 상승하여 웨이퍼(W)를 장전 보지한 보트(5)가 반응관(3) 내에 수납된다.
다음으로 노 입구 덮개(31)에 의해 반응관(3)의 개구(3A)가 밀봉된다. 다음으로 히터(2)가 ON으로 되어 반응관(3) 내의 웨이퍼(W)가 가열되고, 동시에 가스 도입관(7)으로부터 원료 가스가 반응관(3) 내에 공급되어, 웨이퍼(W)에 대하여 열처리가 시행된다.
이 동안, 보트(5)는 회전 기구(30)에 의해 회전하여, 웨이퍼(W)에 대하여 균일한 열처리가 시행된다. 또한 반응관(3) 내의 가스는 그 후 배기관(8)으로부터 배기된다.
또한 히터(2)에 의해 반응관(3) 내가 가열되지만, 히터(2)는 내측 셸(11)과, 외측 셸(12)과, 저판(13)으로 이루어지며 내부에 진공 단열층(10a)을 형성하는 진공 단열층 형성체(10)에 의해 덮여 있기 때문에, 히터(2)에 의해 발생한 열이 외방으로 방출되는 일은 없고, 히터(2)에 의해 발생한 열을 이용하여 효율 좋게 반응관(3) 내를 가열할 수 있다.
다음으로 웨이퍼(W)에 대한 열처리가 종료되면, 히터(2)가 OFF로 되어 반응관(3) 내의 웨이퍼(W)가 냉각된다.
이 경우, 공기 공급 라인(35)으로부터 진공 단열층 형성체(10)와 반응관(3)과의 사이의 공간 내에 냉각용 공기가 공급되어, 반응관(3) 내의 웨이퍼(W)가 강제적으로 냉각된다. 진공 단열층 형성체(10)와 반응관(3)과의 사이의 공간 내의 공기는, 그 후 공기 배출 라인(36)으로부터 배출된다.
그런데, 전술한 바와 같이 히터(2)는 진공 단열층 형성체(10)에 의해 덮여 있고, 진공 단열층 형성체(10) 내의 진공 단열층(10a)의 진공도를 높임으로써, 히터(2)로부터 발생하는 열의 외방으로의 방출을 방지할 수 있다.
진공 단열층(10a)의 진공도를 높인 경우, 진공 단열층 형성체(10)의 특히 외측 셸(12)에 좌굴이 발생하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 본 실시 형태에 의하면, 외측 셸(12)의 원통체(12a)에는 소성 가공이 행해지고, 원통체(12a)의 단면은 파상으로 형성되어 있다. 이와 같이, 외측 셸(12)의 좌굴 강도를 전체적으로 높일 수 있기 때문에, 진공 단열층(10a)의 진공도를 높여도 외측 셸(12)에 좌굴이 발생하는 일은 없다.
또한 외측 셸(12)은 원통체(12a)의 단면을 파상으로 형성함으로써 좌굴 강도를 높일 수 있기 때문에, 외측 셸(12)로서 특히 좌굴 강도를 높이기 위해 재료를 두껍게 할 필요는 없고, 박판 재료를 이용하고, 이 박판 재료에 대하여 소성 가공을 행하는 것만으로 외측 셸(12)을 제작할 수 있다. 이 때문에 외측 셸(12) 및 진공 단열층 형성체(10)의 제조 비용을 저감할 수 있고, 또한 가볍게 형성할 수 있다.
다음으로 도 3 및 도 4에 의해 본 발명의 변형예에 대해서 설명한다.
상기 실시 형태에 있어서 진공 단열층 형성체(10)의 외측 셸(12)에 소성 가공을 행하여, 외측 셸(12)의 단면 형상을 파상으로 하고, 이것에 의해 외측 셸(12)의 좌굴 강도를 향상시킨 예를 나타냈지만, 이에 한하지 않고 도 3에 나타내는 바와 같이 외측 셸(12)의 원통체(12a)의 외면에, 원주 방향으로 연장되는 복수의 원주 형상 보강 리브(40a)를 용접에 의해 부착하여, 이 보강 리브(40a)에 의해 외측 셸(12)의 원통부(12a)의 좌굴 강도를 향상시켜도 좋다.
또한 도 4에 나타내는 바와 같이, 외측 셸(12)의 원통체(12a)의 내면에, 원주 방향으로 연장되는 복수의 원주 형상 보강 리브(40b)를 용접에 의해 부착하여, 이 보강 리브(40b)에 의해 외측 셸(12)의 원통체(12a)의 좌굴 강도를 향상시켜도 좋다.
1 : 열처리 장치
2 : 히터
3 : 반응관
5 : 보트
7 : 가스 도입관
8 : 배기관
10 : 진공 단열층 형성체
10a : 진공 단열층
10A : 추가의 단열재
11 : 내측 셸
11a : 원통체
11b : 천정판
12 : 외측 셸
12a : 원통체
12b : 천정판
13 : 저판
15 : 반사판
20 : 진공 펌프
21 : 밸브
22 : 진공 라인
35 : 공기 공급 라인
36 : 공기 배출 라인
40a : 보강 리브
40b : 보강 리브
2 : 히터
3 : 반응관
5 : 보트
7 : 가스 도입관
8 : 배기관
10 : 진공 단열층 형성체
10a : 진공 단열층
10A : 추가의 단열재
11 : 내측 셸
11a : 원통체
11b : 천정판
12 : 외측 셸
12a : 원통체
12b : 천정판
13 : 저판
15 : 반사판
20 : 진공 펌프
21 : 밸브
22 : 진공 라인
35 : 공기 공급 라인
36 : 공기 배출 라인
40a : 보강 리브
40b : 보강 리브
Claims (11)
- 하단부에 플랜지를 가짐과 함께 하방이 개구된 통 형상의 반응관과,
웨이퍼를 장전(load)하여 반응관 내에 수납되는 보트와,
반응관을 둘러쌈과 함께 반응관 내를 가열하는 히터와,
히터 외주에 형성되어, 내측 셸(shell)과 이 내측 셸과의 사이에서 진공 단열층을 형성하는 외측 셸을 갖는 진공 단열층 형성체를 구비하고,
내측 셸 및 외측 셸은, 각각 원통체와, 원통체 상부를 덮는 천정판을 갖고,
외측 셸은 박판으로 이루어지며, 소성 가공이 행해져 파상 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 하단부에 플랜지를 가짐과 함께 하방이 개구된 통 형상의 반응관과,
웨이퍼를 장전하여 반응관 내에 수납되는 보트와,
반응관을 둘러쌈과 함께 반응관 내를 가열하는 히터와,
히터 외주에 형성되어, 내측 셸과 이 내측 셸과의 사이에서 진공 단열층을 형성하는 외측 셸을 갖는 진공 단열층 형성체를 구비하고,
내측 셸 및 외측 셸은, 각각 원통체와, 원통체 상부를 덮는 천정판을 갖고,
외측 셸은 박판으로 이루어지며, 외측 셸에 원주 방향으로 연장되는 복수의 보강 리브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
내측 셸 및 외측 셸은, 각각의 하단부가 저판(bottom plate)에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
내측 셸의 외면과 외측 셸의 내면은, 연마 또는 도장되어 반사면을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제2항에 있어서,
외측 셸의 내면에 원주 방향으로 연장되는 복수의 보강 리브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제2항에 있어서,
외측 셸의 외면에 원주 방향으로 연장되는 복수의 보강 리브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
내측 셸과 외측 셸의 사이는 중공(hollow space)으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
내측 셸과 외측 셸과의 사이에 서로 평행으로 배치된 복수의 반사판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제8항에 있어서,
각 반사판은, 주름을 갖는 박재(wrinkled foil)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
내측 셸과 외측 셸의 사이에, 반사판과 추가의 단열재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
내측 셸 및 외측 셸은, 하스텔로이(hastelloy), 인코넬(inconel), 또는 SUS310으로 이루어지는 박판 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010191004A JP5496828B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 熱処理装置 |
| JPJP-P-2010-191004 | 2010-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120042627A true KR20120042627A (ko) | 2012-05-03 |
| KR101435547B1 KR101435547B1 (ko) | 2014-08-29 |
Family
ID=45697727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110079553A KR101435547B1 (ko) | 2010-08-27 | 2011-08-10 | 열처리 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120052457A1 (ko) |
| JP (1) | JP5496828B2 (ko) |
| KR (1) | KR101435547B1 (ko) |
| CN (1) | CN102383112B (ko) |
| TW (1) | TWI497599B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101512330B1 (ko) * | 2013-06-11 | 2015-04-15 | 주식회사 테라세미콘 | 기판처리장치 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5731270B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2015-06-10 | 株式会社ミラプロ | 半導体ウェハ処理用減圧処理容器 |
| US10124445B2 (en) * | 2012-01-18 | 2018-11-13 | Halliburton Energy Services, Inc. | Heat containment apparatus |
| US9945048B2 (en) * | 2012-06-15 | 2018-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure and method |
| JP6030364B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-11-24 | 株式会社アルバック | 真空処理装置用の断熱材 |
| KR101439380B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-09-11 | 주식회사 사파이어테크놀로지 | 사파이어 단결정 열처리 방법 및 장치 |
| CN103774238B (zh) * | 2014-02-20 | 2016-09-07 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 热处理装置 |
| CN105401220B (zh) * | 2014-09-12 | 2018-07-17 | 浙江汇锋塑胶科技有限公司 | 一种消除蓝宝石薄片应力的方法及设备 |
| JP6378610B2 (ja) * | 2014-10-27 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR101545673B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2015-08-21 | (주)앤피에스 | 기판 처리 장치 |
| US20210317575A1 (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-14 | Wonik Ips Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2024522644A (ja) * | 2021-06-10 | 2024-06-21 | ホルテック インターナショナル | グリーンエネルギ蓄熱システム |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2024741A (en) * | 1934-03-24 | 1935-12-17 | Guth Stern & Co Inc | Container, dispenser, and the like |
| US4777022A (en) * | 1984-08-28 | 1988-10-11 | Stephen I. Boldish | Epitaxial heater apparatus and process |
| DE3736502C1 (de) * | 1987-10-28 | 1988-06-09 | Degussa | Vakuumofen zur Waermebehandlung metallischer Werkstuecke |
| JP3474258B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2003-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP2000120940A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Kazuhiro Oikawa | 真空断熱配管用外圧パイプ |
| US6651837B2 (en) * | 1999-04-21 | 2003-11-25 | Evac International Oy | Vacuum waste tank |
| JP4063661B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2008-03-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体の製造法 |
| US7221553B2 (en) * | 2003-04-22 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate support having heat transfer system |
| JP2005310478A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Naohisa Goto | プラズマ処理装置および処理方法、並びに、フラットパネルディスプレイの製造方法 |
| US9580836B2 (en) * | 2006-11-22 | 2017-02-28 | Soitec | Equipment for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials |
| KR20100139092A (ko) * | 2008-03-26 | 2010-12-31 | 지티 솔라 인코퍼레이티드 | 금-코팅된 폴리실리콘 반응기 시스템 및 방법 |
-
2010
- 2010-08-27 JP JP2010191004A patent/JP5496828B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-02 US US13/196,330 patent/US20120052457A1/en not_active Abandoned
- 2011-08-10 KR KR1020110079553A patent/KR101435547B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-24 TW TW100130298A patent/TWI497599B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-26 CN CN201110250003.7A patent/CN102383112B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101512330B1 (ko) * | 2013-06-11 | 2015-04-15 | 주식회사 테라세미콘 | 기판처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201212127A (en) | 2012-03-16 |
| JP2012049380A (ja) | 2012-03-08 |
| JP5496828B2 (ja) | 2014-05-21 |
| US20120052457A1 (en) | 2012-03-01 |
| TWI497599B (zh) | 2015-08-21 |
| CN102383112B (zh) | 2015-02-04 |
| KR101435547B1 (ko) | 2014-08-29 |
| CN102383112A (zh) | 2012-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20120042627A (ko) | 열처리 장치 | |
| TWI554641B (zh) | A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium | |
| US20050000430A1 (en) | Showerhead assembly and apparatus for manufacturing semiconductor device having the same | |
| US20060185795A1 (en) | Anodized substrate support | |
| US20100032425A1 (en) | Substrate processing apparatus, heating device, and semiconductor device manufacturing method | |
| US20110155058A1 (en) | Substrate processing apparatus having a radiant cavity | |
| US10508333B2 (en) | Heating apparatus and substrate processing apparatus having the same | |
| TWI458033B (zh) | 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體 | |
| JPWO2019053807A1 (ja) | 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法 | |
| KR20070013364A (ko) | 화학 기상 증착장치의 히터모듈 | |
| TWI780314B (zh) | 基板加熱裝置及使用其之基板處理裝置 | |
| JP4063661B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造法 | |
| TWI757742B (zh) | 用於熱處理的處理腔室 | |
| US20070042118A1 (en) | Encapsulated thermal processing | |
| JP5465828B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2002045683A (ja) | 基板処理装置 | |
| CN108456873B (zh) | 一种下电极结构及工艺腔室 | |
| JPWO2002072343A1 (ja) | 熱線反射材料及びそれを用いた加熱装置 | |
| JP2010206081A (ja) | 被加熱体の冷却方法、冷却システム及びその冷却システムを備えた基板処理装置 | |
| KR100351043B1 (ko) | 코팅된 반사판을 구비한 히터 조립체 | |
| KR100596503B1 (ko) | 기판 가열로 및 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치 | |
| TWI782318B (zh) | 半導體裝置之製造方法及製造裝置 | |
| US20230245868A1 (en) | Holding device, and use of the holding device | |
| KR100532142B1 (ko) | 화학 기상 증착용 석영몰드 히터 어셈블리 | |
| JP2002181459A (ja) | 熱処理炉 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170720 Year of fee payment: 4 |