KR20120037951A - 타겟 냉각 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 증착 장치에 관한 것으로, 적어도 하나의 타겟과, 적어도 하나의 타겟에 대향하여 배열된 기판과, 레이저 비임을 발생시키는 레이저를 포함하며, 비임은 타겟 재료의 플라즈마 플럼이 발생되어 기판상에 증착되도록 타겟으로 유도되는 레이저 증착 장치는, 기부 프레임과, 기부 프레임에 배열된 적어도 2개의 타겟 홀더를 구비한 회전 가능한 타겟 프레임과, 기부 프레임에 배열된 적어도 하나의 냉각 장치를 더 포함하며, 냉각 장치는 냉각 장치가 타겟 프레임과 열교환 접촉되도록 타겟 프레임에 대해 이동될 수 있다.

Description

타겟 냉각 장치{TARGET COOLING DEVICE}
본 발명은 레이저 증착 장치에 관한 것으로, 레이저 증착 장치는 적어도 하나의 타겟과, 적어도 하나의 타겟에 대향하여 배치된 기판과, 레이저 비임을 발생시키는 레이저를 포함하고, 비임은 타겟 재료의 플라즈마 플럼이 발생되어 기판상에 증착되도록 타겟으로 유도된다.
레이저 증착, 특히 펄스 레이저 증착(PLD)은 대상에 코팅을 배열하기 위한 공지의 기술이다. 이런 기술을 통해 타겟 재료의 재료가 레이저에 의해 제거되고, 이에 따라 타겟 재료의 플라즈마 플럼이 발생된다. 이어서, 이런 플라즈마 플럼이 기판상에 증착되어 기판상에 타겟 재료의 코팅을 형성한다.
PLD는 처음에 소형 기판의 표면, 통상적으로 10밀리미터×10밀리미터의 표면을 코팅하기 위해 개발되었다. 이는 통상적으로 연구 환경에서 사용되며, 소형 기판은 모든 종류의 재료에 의해 고박막의 품질로 코팅된다.
대형 표면에 대한 코팅의 연구 필요성이 이런 연구결과로부터 비롯되었다. 이는 수 인치 이상의 통상적인 직경을 갖는 표면이 코팅될 수 있는 혁신적인 기술을 가져왔다.
결정 구조 및 결정 조직과 같은 정확한 재료 특성으로 일부 기판 재료를 PLD를 이용하여 코팅하기 위해서는 통상적으로 200℃ 내지 1000℃의 온도로 기판을 가열할 필요가 종종 있다.
약 10×10밀리미터의 소형 기판 표면이 200℃ 내지 1000℃의 온도로 가열되면, 열복사가 기판 재료에 대향하여 배열된 타겟 재료에 영향을 크게 미치지 않는다. 그러나, 기판 표면의 크기가 증가하면, 열복사 또한 증가하고 이로 인해 타겟 재료에 수용 불가한 영향을 야기한다. 이는 타겟 재료의 성분들의 조기 증발을 초래할 수 있고, 이로 인해 기판상에 증착된 코팅이 타겟 재료의 원래 성분이 아닌 다른 성분이 된다.
다른 문제는 타겟 균열이다. 타겟 재료는 불량한 열 전도성을 갖는 재료일 수 있다. 이런 재료가 가열되면, 재료의 온도 차이는 재료에 균열을 야기할 수 있다. 타겟 재료가 가열로 인해 상 전이를 경험하는 경우에도 균열이 발생할 수 있다. 또한, 타겟 재료와 타겟 플레이트 사이의 접합 재료가 다른 열 팽창 계수를 갖는 경우에도 균열이 발생할 수 있다.
다른 경우에, 타겟 재료는 사용된 PLD 기술의 결과로서 이동되거나 회전되어야만 한다. 이런 경우, 이동하는 타겟을 냉각하기 어렵다.
대형 기판 표면의 가열과 관련한 세 번째 문제는 타겟 재료뿐만 아니라 주변 진공 챔버와, 전기 모터 및 고무 피팅과 같은 열에 민감한 구성요소들이 원치않는 온도로 가열된다는 것이다.
전술한 단점들은 본 발명에 앞서 출원되었지만 아직 공개되지 않은 본 출원인의 다른 발명에 의해 적어도 부분적으로 해소된다. 앞서 출원된 발명에 따르면, 가열된 기판에 의해 타겟이 가열되는 것을 차단하기 위한 열 차폐부가 기판과 타겟 사이에 배열된다. 열 차폐부는 적어도 발생된 플라즈마 플럼의 통과를 위한 적어도 하나의 개구를 포함한다.
앞서 출원된 발명이 타겟 재료의 열을 상당히 감소시키지만, 특정 환경에서 타겟 재료는 원치않는 온도로 여전히 가열된다.
이에 따라, 본 발명의 목적은 타겟 재료의 열을 추가로 감소시키거나, 또는 심지어 억제하여 고온의 대형 영역에 대해 PLD를 가능하게 하는 것이다.
이런 목적은, 기부 프레임과, 기부 프레임에 배열된 적어도 2개의 타겟 홀더를 구비한 회전 가능한 타겟 프레임과, 기부 프레임에 배열된 적어도 하나의 냉각 장치를 포함하고, 냉각 장치는 냉각 장치가 타겟 프레임과 열교환 접촉되도록 타겟 프레임에 대해 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의해 달성된다.
냉각 수단을 기부 프레임에 배열함으로써, 냉각 수단은 고정된다. 이는 냉각 수단에 대해, 예컨대 공급 라인의 신뢰성 있는 연결을 가능하게 한다. 또한, 타겟 프레임에 대해 냉각 장치의 이동을 가능하게 함으로써, 냉각 수단은 타겟 프레임과 열교환 접촉될 수 있고, 기판의 대향하는 다른 타겟을 위치시키기 위해 타겟 프레임이 회전될 수 있도록 타겟 프레임과 접촉되지 않을 수도 있다.
타겟에 의해 흡수된 열은 타겟 프레임을 통해 냉각 수단으로 분산된다. 이는 증착 시에 타겟의 냉각을 보장한다.
본 발명에 따른 장치의 실시예에서, 타겟 홀더는 타겟 재료를 장착하기 위한 장착 기부와, 장착 기부에 배열된 축을 포함하며, 축은 회전 가능한 타겟 프레임에 장착된다.
특히, 대형 기판 표면에 대한 증착을 위해서는, 증착 시에 타겟을 회전시키는 것이 일반적이다. 이는 타겟으로부터 타겟 재료의 균일한 제거를 보장한다. 본 발명에 따르면, 타겟 재료는 장착 기부에 배열되고, 장착 기부는 장착 기부를 회전시키기 위한 축, 즉 타겟을 회전시키기 위한 축을 가진다.
바람직하게는, 타겟 홀더의 축의 단면과 타겟 홀더의 표면의 비율은 1:4보다 작다. 타겟의 표면에 대해 상대적으로 두꺼운 축을 가짐으로써, 타겟에 의해 유발된 열은 상대적으로 두꺼운 축을 통해 타겟 프레임으로 용이하게 분산되고, 이어서 타겟 프레임은 냉각 장치와 열교환 접촉된다.
본 발명에 다른 장치의 바람직한 실시예에서, 회전 가능한 타겟은 주축을 갖는 디스크를 포함하고, 적어도 2개의 타겟 홀더가 디스크에 배열된다.
디스크형 타겟 프레임은 큰 열용량의 장점을 가지며, 또한 디스크형 타겟 프레임의 대향 측면 상의 대상에 대해 열 차폐부를 제공하는 장점을 가진다. 또한, 타겟 및 다른 구성요소들에 대해 견고한 장착 기부를 제공하고, 냉각 장치를 위한 충분한 접촉 표면을 제공한다.
다른 바람직한 실시예에서, 냉각 장치 및/또는 회전 가능한 타겟 프레임은, 냉각 수단과 타겟 프레임 사이의 정렬 차이를 보상하기 위해 기부 프레임에 탄력적으로(flexibly) 배열된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 냉각 장치는 기부 프레임에 스프링 장착된다. 스프링을 이용하여 기부 프레임에 액체 냉각 블록을 배열함으로써, 냉각 블록과 타겟 프레임의 완전한 열 교환 접촉을 보장하기 위해 작은 치수 차이 및 정렬 차이를 냉각 블록이 보상하는 것을 가능케 한다. 레이저 증착이 진공 상태에서 통상적으로 수행되기 때문에, 대류에 의한 열 분산은 아주 적고 모든 열 교환은 직접적인 접촉에 의해 이루어진다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 냉각 장치는 적어도 하나의 액체 냉각 블록을 포함한다. 액체에 의해, 상당한 양의 열이 레이저 증착 장치의 외부로 용이하게 전달될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 본 발명에 따른 레이저 증착 장치는 기판을 가열하기 위한 가열기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 타겟 주위에 열 차폐부가 배열되고, 열 차폐부는 레이저 비임과 발생된 플라즈마 플럼의 통과를 위한 개구를 포함한다. 바람직하게는, 열 차폐부는 적어도 하나의 타겟을 수납하는 원통형 본체이다. 이런 열 차폐부는, 타겟의 가열을 추가로 감소시킬 뿐만 아니라, 열 차폐부가 타겟 프레임과 직접 접촉하기 때문에, 이에 따라 냉각 장치와 접촉하기 때문에 타겟 주위에 냉각된 챔버를 또한 제공한다.
본 발명의 이들 특징들 및 다른 특징들은 첨부한 도면을 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예의 단면 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 라인(Ⅱ-Ⅱ)을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예의 사시도이다.
도 4는 도 2에 따른 실시예의 변형 예를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예의 단면도이다.
도 1에는 본 발명의 제1 실시예(1)가 도시되어 있다. 이 실시예는 진공 챔버(2)를 포함한다. 챔버(2) 내에는 기부 프레임(3)이 배열된다. 기부 프레임(3)으로부터 타겟 프레임(4)이 현수된다. 타겟 프레임(4)은 축(5)을 가지며, 축은 기부 프레임(3)에 회전 가능하게 배열된다. 축(5)은 액추에이터(6)에 의해 구동되며, 액추에이터 또한 축(5)을 축 방향으로 이동시킬 수 있다.
4개의 타겟 홀더(7)는 각각의 축(8)에 의해 타겟 프레임(4)에 배열된다. 기어(9)는 각각의 축(8)의 단부에 배열된다. 기어(9)는 제2 기어(11)를 통해 모터(10)에 의해 구동된다.
기판(12)은 타겟 홀더(7)들 중 하나의 아래에 배열된다. 기판(12)은 축(13)에 장착되고, 축은 기어(15, 16)를 통해 모터(14)에 의해 구동된다.
레이저 증착이 적용되면, 레이저 비임(17)은 진공 챔버(2)의 창(18)을 통해 타겟(7)으로 유도된다. 타겟 재료는 가열되고 타겟 재료의 플럼(19)이 발생된다. 이어서, 플럼(19)은 기판(12)상에 증착된다. 기판(12)상에 균일한 층을 갖도록, 레이저 비임(17)은 타겟 표면(7)에 걸쳐 반경 방향으로 이동되고, 동시에 기판(12)이 모터(14)에 의해 회전된다. 이와 동시에, 타겟 재료가 레이저 비임(17)에 의해 균일하게 제거되도록 타겟 홀더(7)는 회전된다.
다수의 냉각 블록(20)은 타겟 재료를 냉각시키기 위해 타겟 프레임(4)과 접촉한다. 이들 냉각 블록(20)은 스프링(21)을 통해 기부 프레임(3)에 장착되고 액추에이터(6)에 의해 타겟 프레임(4)을 상향으로 견인함으로써 타겟 프레임(4)을 가압한다.
도 2에는 도 1의 라인(Ⅱ-Ⅱ)을 따라 취한 단면이 도시되어 있다. 도 2로부터, 타겟 프레임(4)을 상향으로 상승시킴으로써 냉각 블록(20)이 타겟 프레임(4)에 가압될 수 있다는 것이 명확하게 확인된다.
냉각 블록(20)은 구불구불한 채널(21)을 가지며, 채널에는 공급 라인(22)에 의해 냉각 유체가 공급된다. 타겟 재료(24)로부터의 열은 타겟 홀더(7)와, 상대적으로 두꺼운 축(8)과, 타겟 프레임(4)으로 분산된다. 타겟 프레임(4)은 타겟(24)으로부터 냉각 블록(20)으로 열을 전도하는 열 전도성 재료의 디스크이다. 따라서, 냉각 블록(20) 내 액체는 가열되고, 가열된 액체는 배출 라인(23)을 통해 배출된다.
본 발명의 장점은 냉각 블록(20)이 기부 프레임(3)에 부착될 수 있고, 동시에 타겟 프레임(4)이 회전될 수 있다는 것이다. 예컨대, 다른 타겟 재료(24)가 사용되어야 하는 경우, 타겟 프레임(4)은 액추에이터(6)에 의해 하강된 다음 정확한 타겟 재료(24)가 기판(12) 위에 위치하도록 회전되며, 마지막으로 정적 냉각 블록(20)이 열교환 접촉 상태로 타겟 프레임(4)에 대해 가압되도록 타겟 프레임(4)은 다시 상승된다.
도 3에는 본 발명의 제2 실시예(30)가 도시되어 있다. 이 실시예의 구성요소들이 도 1 및 도 2의 실시예의 구성요소들과 상응하기 때문에 회전 가능한 타겟 프레임(31)만이 도시되어 있다.
4개의 타겟 홀더(32)가 타겟 프레임(31)에 배열된다. 각각의 타겟 홀더(32)는 회전될 수 있고 타겟 재료(33)를 지지한다.
원통형 하우징(34)은 각각의 타겟 홀더(32) 주위에 배열된다. 원통형 하우징(34)은 각각의 타겟 홀더(32)를 수납하고 타겟 프레임(31)과 열교환 접촉 상태를 유지한다. 이는 타겟 홀더(32) 주위에 냉각 공간을 형성한다.
각각의 원통형 하우징(34)은 레이저 비임(35)과 타겟 재료(33)의 플라즈마 플럼(36)의 통과를 위한 슬롯형 개구(37)를 구비한다.
하우징(34)은 타겟 프레임(4)에 존재하는 4개의 타겟 재료(33)들 사이의 교차 오염을 감소시킨다.
선택적으로, 슬롯형 개구(37)는 사용되지 않는 타겟 홀더(32)에 대해서 폐쇄될 수 있다. 이 역시 타겟 재료(33)의 오염을 방지한다.
도 4에는 도 2에 따른 실시예의 변형 예가 도시되어 있다. 동일한 특징부들은 동일한 도면부호로 지시되어 있다.
도 2에 따른 실시예의 변형 예에서, 냉각 블록(20)은 기부 프레임(3)에 직접 배열된다. 치수 및 정렬의 차이점들을 또한 고려할 수 있도록, 타겟 프레임(4)의 축(5)을 회전시키고 병진 운동시키는 액추에이터(6)는 스프링(40)에 의해 기부 프레임(3)에 스프링 장착된다. 이에 따라, 타겟 프레임(4)은 기부 프레임(3)에 대해 기울어 질 수 있다.
도 5에는 본 발명에 따른 레이저 증착 장치의 제3 실시예(50)가 도시되어 있다. 도 2에 따른 실시예의 특징부들과 대응하는 제3 실시예의 특징부들은 동일한 도면부호로 지시되어 있다.
제3 실시예(50)에서, 기부 프레임(3)에는 수직 원주방향 벽(51)이 제공된다. 벽(51)은 타겟 프레임(4) 주위에 배열된다.
수직 벽(51)에는 2개의 냉각 블록(52)이 배열된다. 각각의 냉각 블록(52)은 하측 부분(53)을 가지며, 공급 라인(54)에 의해 공급되어 배출 라인(55)으로 유동하는 냉각 유체가 이 하측 부분을 통해 유동한다. 냉각 블록(52)의 상측 부분(56)은 로드(57)에 의해 하측 부분(53)으로 안내된다. 이 안내 로드(57)는 상측 부분(56)과 하측 부분(53)이 상호 정렬된 상태로 유지되는 것으로 보장하며, 또한 상측 부분(56)과 하측 부분(53) 사이의 양호한 열 전달에 기여한다.
도 2의 냉각 블록(20)과 유사하게, 상측 부분(56)이 독립된 냉각 라인에 의해 개별적으로 냉각될 수 있다. 마찬가지로, 이들 냉각 블록(20)이 기부 프레임(3)에 대해 정렬되도록 도 2의 냉각 블록(20)에 가이드 로드가 배열되는 것이 가능하다.
냉각 블록(52)의 상측 부분(56)과 타겟 프레임(4) 사이의 정렬 차이 또는 치수 차이가 고려될 수 있도록 스프링(58)은 상측 부분(56)과 하측 부분(53) 사이에 배열된다.

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 타겟과, 적어도 하나의 타겟에 대향하여 배열된 기판과, 레이저 비임을 발생시키는 레이저를 포함하고, 비임은 타겟 재료의 플라즈마 플럼이 발생되어 기판상에 증착되도록 타겟으로 유도되는, 레이저 증착 장치에 있어서,
    기부 프레임과, 기부 프레임에 배열된 적어도 2개의 타겟 홀더를 구비한 회전 가능한 타겟 프레임과, 기부 프레임에 배열된 적어도 하나의 냉각 장치를 포함하며, 냉각 장치는 냉각 장치가 타겟 프레임과 열교환 접촉되도록 타겟 프레임에 대해 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는, 레이저 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서, 타겟 홀더는 타겟 재료를 장착하기 위한 장착 기부와, 장착 기부에 배열된 축을 포함하며, 축은 회전 가능한 타겟 프레임에 장착되는, 레이저 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서, 타겟 홀더의 축의 단면과 타겟 홀더의 표면의 비율이 1:4보다 작은, 레이저 증착 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 회전 가능한 타겟 프레임은 주축을 갖는 디스크를 포함하고, 디스크에 적어도 2개의 타겟 홀더가 배열되는, 레이저 증착 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 장치 및/또는 회전 가능한 타겟 프레임은, 냉각 수단과 타겟 프레임 사이의 정렬 차이를 보상하기 위해 기부 프레임에 탄력적으로 배열되는, 레이저 증착 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 장치는 기부 프레임에 장착된 스프링인, 레이저 증착 장치.
  7. 제6항에 있어서, 냉각 장치는 적어도 하나의 액체 냉각 블록을 포함하는, 레이저 증착 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 기판을 가열하기 위한 가열기를 포함하는, 레이저 증착 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 타겟 주위에 열 차폐부가 배열되고, 열 차폐부는 레이저 비임과 발생된 플라즈마 플럼의 통과를 위한 개구를 포함하는, 레이저 증착 장치.
  10. 제9항에 있어서, 열 차폐부는 적어도 하나의 타겟을 수납하는 원통형 본체인, 레이저 증착 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104532194B (zh) * 2014-12-29 2017-05-10 深圳大学 激光沉积薄膜制备装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2555045B2 (ja) * 1987-01-19 1996-11-20 株式会社日立製作所 薄膜形成方法及びその装置
ATE95949T1 (de) * 1988-07-15 1993-10-15 Balzers Hochvakuum Haltevorrichtung fuer eine scheibe sowie anwendung derselben.
US5207884A (en) * 1990-12-24 1993-05-04 Conductus, Inc. Superconductor deposition system
JPH04329881A (ja) * 1991-05-01 1992-11-18 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置
JPH0532493A (ja) * 1991-07-29 1993-02-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法
JP3775847B2 (ja) * 1996-03-29 2006-05-17 大阪瓦斯株式会社 レーザーアブレーション装置
JPH10182281A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Shimadzu Corp 原子層制御薄膜作成装置
JP4130263B2 (ja) * 1998-12-03 2008-08-06 三菱伸銅株式会社 スパッタリング装置および水冷カソード
JP4066044B2 (ja) * 2002-11-08 2008-03-26 信行 高橋 成膜方法及びスパッタ装置
JP2005229043A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Sumitomo Electric Ind Ltd ヒータユニット及び該ヒータを搭載した装置
US20050236270A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Heraeus, Inc. Controlled cooling of sputter targets
JP2006111968A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Kanazawa Inst Of Technology マグネトロンスパッタリング装置
JP4667057B2 (ja) * 2005-02-08 2011-04-06 キヤノン株式会社 成膜装置および成膜方法
CN101348903B (zh) * 2008-08-29 2011-12-28 中国石油大学(北京) 多功能薄膜沉积设备

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