KR20120025480A - 금속 코팅된 강철 스트립 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 크기가 ≤2㎛이고 구형 형태를 갖는 Mg2Si 상 입자를 구비한 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅된 스트립을 제공한다. Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅된 스트립을 형성하는 방법은 (a) 코팅물 중의 Mg2Si 상 입자의 구형화를 촉진하기 위해 고형화된 코팅물을 열처리하는 단계 및/또는 (b) 코팅 전해조 화학성질을 변경하여, 코팅물의 고형화 시에 작은 Mg2Si 입자가 형성되도록, Mg2Si 상 입자에 대한 핵화 부위로서 작용하는 금속간 화합물 상을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

금속 코팅된 강철 스트립{METAL-COATED STEEL STRIP}
본 발명은 내부식성 금속 합금 코팅물을 갖는 스트립, 전형적으로는 강철 스트립에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 합금 중에 주요 성분으로서 알루미늄(Al)-아연(Zn)-실리콘(Si)-마그네슘(Mg)을 함유하고, 이러한 근거로 이하에서 "Al-Zn-Si-Mg 합금"으로서 지칭되는 내부식성 금속 합금 코팅물에 관한 것이다. 합금 코팅물은 의도된(deliberate) 합금용 성분 또는 불가피한 불순물로서 존재하는 기타 성분을 함유할 수 있다.
배타적이진 않지만 특히, 본 발명은 상술한 Al-Zn-Si-Mg 합금으로 코팅된 강철 스트립에 관한 것이다. 이들 코팅물에 대한 하나의 중요한 적용은 부식에 대한 보호를 제공하기 위한 강철 스트립 표면상의 얇은 코팅물(즉, 2 내지 100㎛, 전형적으로는 3 내지 30㎛의 두께)이다. 이러한 스트립은 (예를 들어, 롤 성형에 의해) 지붕재 제품과 같은 최종용도 생성물로 냉각-성형될 수 있다.
이하 기술되는 "Al-Zn-Si-Mg 합금"이란 용어는 20 내지 95%의 Al, 최대 5%의 Si 및 최대 10%의 Mg, 나머지로서 각각의 성분에 대하여 소량, 전형적으로는 0.5% 미만으로 존재하는 기타 성분과 함께 Zn을 포함하는 합금을 의미하는 것으로 이해된다.
상기 기타 성분은 Fe, Mn, Ni, Sn, Sr, V, Ca 및 Sb 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. Fe의 경우에, 전형적으로는 Fe는 그 양이 최대 1.5%이고, 통상적인 용융 코팅법(hot-dip coating method)에 의해 코팅물이 형성되는 상황에서 불순물로 존재한다.
달리 구체적으로 언급하지 않는 한, 본 명세서에서 성분의 비율(%)에 대한 모든 언급은 중량%에 대한 것으로 주지된다.
전형적으로는, Al-Zn-Si-Mg 합금은 하기 성분을 기재된 범위 내에서 주요 성분으로서 포함한다:
Al: 40 내지 60 중량%.
Zn: 40 내지 60 중량%.
Si: 0.3 내지 3 중량%.
Mg: 0.3 내지 10 중량%.
전형적으로는, 내부식성 금속 합금 코팅물은 용융 코팅법에 의해 강철 스트립 상에 형성된다.
통상적인 용융 금속 코팅법에서, 강철 스트립은 일반적으로 하나 이상의 열처리로(heat treatment furnace)를 통과하고, 이후에 코팅 용기(coating pot)에 수용된 용융된 금속 합금의 전해조(bath) 내로 유입되어 이를 통과한다. 코팅 용기에 인접한 열처리로는 상기 전해조의 상부 표면에 근접한 위치를 향해 하방으로 확장되어 있는 출구 돌출부(outlet snout)를 구비하고 있다.
통상적으로 금속 합금은 가열 유도체를 이용하여 코팅 용기 내에서 용융된 상태로 유지된다. 상기 스트립은 일반적으로 전해조 내에 담겨 있는 연장형 노 출구 슈트(furnace exit chute) 또는 돌출부의 형태인 출구 단부를 통해 열처리로를 빠져 나간다. 전해조 내부에서는 상기 스트립이 하나 이상의 싱크롤(sink roll) 둘레를 통과하고, 전해조 외부로 상방으로 인출되며, 상기 스트립이 전해조를 통과함에 따라 금속 합금으로 코팅된다.
코팅 전해조를 지나간 후, 금속 합금 코팅된 스트립은 가스 나이프 또는 가스 와이핑 스테이션(gas wiping station)과 같은 코팅 두께 제어 스테이션을 통과하며, 여기서 이의 코팅된 표면은 코팅물의 두께를 제어하기 위해 와이핑 가스의 제트흐름을 겪게 된다.
이어 금속 합금 코팅된 스트립은 냉각부를 통과하고, 강제 냉각을 겪게 된다.
그 이후, 냉각된 금속 합금 코팅된 스트립은 스킨 통과 롤링부(템퍼 롤링부(temper rolling section)로도 또한 공지됨) 및 장력 교정부(tension levelling section)를 통해 연속적으로 코팅된 스트립을 통과시킴으로써 임의적으로 컨디셔닝 될 수 있다. 컨디셔닝된 스트립은 코일링 스테이션에서 코일링된다.
최종용도 적용에 따라 금속 코팅된 스트립은 상기 스트립의 일면 또는 양면 상에, 예를 들어 고분자 페인트로 페인팅 될 수 있다.
호주 및 기타 지역에서 건축 자재, 특히 프로파일링된 벽 및 지붕 시트용으로 광범위하게 사용되는 하나의 내부식성 금속 코팅 조성물은 Si를 또한 포함하는 55% Al-Zn 코팅 조성물이다. 상기 프로파일링된 시트는 일반적으로 페인팅되고 금속 합금 코팅된 스트립을 냉각-성형함으로써 제조된다. 전형적으로는, 상기 프로파일링된 시트는 페인팅된 스트립을 롤-성형함으로써 제조된다.
고형화 이후, 55% Al-Zn 합금 코팅물은 정상적으로는 덴드라이트상간 영역(interdendritic region)에서 알파-Al 덴드라이트 및 베타-Zn 상으로 이루어져 있다. 용융 코팅법에서 강철 기판과 용융된 코팅물 사이의 과량의 합금 형성을 방지하기 위해 실리콘이 코팅 합금 조성물에 첨가된다. 상기 실리콘의 일부는 4성분 합금 층의 형성에 기여하지만, 대부분의 실리콘은 고형화 도중에 바늘 형태의 순수한 실리콘 입자로서 침전한다. 이러한 바늘 형태의 실리콘 입자는 덴드라이트상간 영역에서도 또한 존재한다.
Mg가 55% Al-Zn-Si 코팅 조성물에 포함되는 경우에 Mg는 형성된 부식 생성물의 특성을 변경하여, 절단된 가장자리 보호의 향상과 같은 생성물 성능에 어떤 유리한 효과를 야기한다는 것이 본 출원인에 의해 밝혀졌다.
그러나 Mg가 Si와 반응하여 Mg2Si 상을 형성하고, Mg2Si 상의 형성은 다수의 방식으로 상술한 Mg의 유리한 효과를 포함한다는 것이 본 출원인에 의해 또한 밝혀졌다. 특히, Mg2Si 상은 Si보다 그 부피가 크고, 부서지기 쉬우며, 날카로운 가장자리를 갖는 "차이니스 스크립트(Chinese script)" 형태를 갖는다. 이들 모든 인자는 잠재적으로 코팅 연성(coating ductility)에 유해하거나, 높은 변형 제조 시에 코팅물 균열(coating cracking)을 조장할 가능성이 있다. 본 출원인은 보다 큰 균열이 Mg가 페인트 필름 하부의 코팅된 스트립의 부식 성능에 미치는 유리한 효과를 상쇄함에 따라 특히 "산성비" 또는 "오염된" 환경에서 사용되는 경우에 상기 균열은 전-페인팅된 생성물에 대해 바람직하지 않다는 것을 발견하였다. 그 결과, 55% Al-Zn-Si 코팅 조성물에 Mg의 첨가는 연성의 측면에서 이점을 가지며, 이것이 부식 성능에 영향을 미칠 수 있다는 방법의 측면에서 이점을 갖는다.
상기 개시내용은 호주 또는 기타 지역에서 공통적이고 일반적인 공지사항의 허용으로서 받아들여지는 것은 아니다.
본 발명은 하기 특징들 중 임의의 하나 이상을 갖는 코팅물에 분산된 Mg2Si 상 입자를 갖는 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅된 스트립을 제공한다:
(a) ≤2㎛의 입자 크기, 및
(b) 상술한 "차이니스 스크립트" 입자보다 더 구형인 형태.
또한, 본 발명은 코팅물에 분산된 Mg2Si 상 입자를 갖는 이 같은 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅된 스트립을 형성하는 방법으로서,
(a) 코팅물 중의 Mg2Si 상 입자의 구형화(globularization)를 촉진하기 위해 고형화된 코팅물을 열처리하는 단계; 및/또는
(b) 코팅물의 고형화 시에 작은 Mg2Si 입자가 형성되는 결과를 얻기 위해, 코팅 전해조 화학성질을 변경하여 Mg2Si 입자를 위한 핵화 부위(nucleation site)로서 작용하는 금속간 화합물 상을 형성하는 단계를 포함하는 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅된 스트립의 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 강철 스트립과 같은 금속 코팅된 스트립을 형성하는 방법으로서,
(a) 스트립을 Al, Zn, Si, 및 Mg, 그리고 임의적으로는 기타 성분을 함유하는 용융 코팅 전해조에 통과시켜서, 상기 스트립 상에 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅물을 형성하는 단계;
(b) 상기 코팅된 스트립을 냉각시켜 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금을 상기 스트립 상에 고형화시키고, 알파-Al 상 덴드라이트, 덴드라이트상간 영역에서의 Zn-풍부 상 및 덴드라이트상간 영역에서의 Mg2Si 상 입자를 포함하는 미세 구조체를 갖는 고형화된 코팅물을 형성하는 단계;
(c) 주조된 바와 같은(as-cast) 상기 알파-Al 상 덴드라이트 및 Zn-풍부 덴드라이트상간 상의 미소 구조체로부터 Al-Zn 상 고체 용액을 형성하고 코팅물에 분산되어 있는 Mg2Si 상 입자의 구형화를 촉진하기 위한 온도 및 시간 동안에 상기 코팅된 스트립을 열처리하는 단계; 및
(d) 상기 열처리된 스트립을 냉각시키는 단계를 포함하는 금속 코팅된 스트립의 형성 방법이 제공된다.
열처리 단계 (c)는 적어도 300℃의 온도에서 이루어질 수 있다.
열처리 단계 (c)는 적어도 350℃의 온도에서 이루어질 수 있다.
열처리 단계 (c)는 적어도 450℃의 온도에서 이루어질 수 있다.
열처리 단계 (c)는 적어도 600℃의 온도에서 이루어질 수 있다.
열처리 단계 (c)는 적어도 15분 동안 이루어질 수 있다.
열처리 단계 (c)는 적어도 15 내지 30분 동안 이루어질 수 있다.
열처리 단계 (c)는 30분 미만 동안 이루어질 수 있다.
냉각 단계 (b)는 적어도 부분적으로는 단편인 Mg2Si 상 입자가 고형화된 코팅물에서 미세한 입자를 형성하거나 미세한 Mg2Si 상 입자를 우선적으로 형성하기에 충분히 높은 속도로 상기 스트립을 냉각시키는 단계를 포함할 수 있다.
미세한 Mg2Si 입자는 그 크기가 ≤2㎛ 미만일 수 있다.
냉각 단계 (b)는 적어도 초당 150℃의 속도로 상기 스트립을 냉각시키는 단계를 포함할 수 있다.
냉각 속도는 적어도 초당 200℃일 수 있다.
냉각 속도는 적어도 초당 400℃일 수 있다.
냉각 속도는 적어도 초당 600℃일 수 있다.
냉각 단계 (b)는 물 분무(water mist) 또는 냉동 가스로 상기 스트립을 냉각시키는 단계를 포함할 수 있다.
냉각 단계 (d)는 Mg2Si 상 입자의 성장을 최소화하고 열처리 단계 (c)에서 형성되는 보다 구형인 Mg2Si 상 입자를 적어도 실질적으로 유지하는 속도로 상기 열처리된 스트립을 냉각시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 코팅물은 그 두께가 3 내지 30미크론(micron)일 수 있다.
코팅 단계 (a)는 Mg2Si 입자를 위한 핵화 부위로서 작용할 수 있는 성분 또는 화합물을 용융 코팅 전해조에 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
기타 성분은 안티몬(antimony)일 수 있다.
상기 방법은 코팅된 스트립 상에 페인트의 코팅물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 강철 스트립과 같은 금속 코팅된 스트립을 형성하는 방법으로서,
(a) Al, Zn, Si, 및 Mg, Mg2Si 입자를 위한 핵화 부위로서 작용할 수 있는 다른 하나의 성분 또는 성분들 또는 단일 화합물 또는 화합물들, 및 임의의 기타 성분을 함유하는 용융 코팅 전해조를 통해 상기 스트립을 통과시키고, 상기 스트립 상에 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅물을 형성하는 단계, 및
(b) 상기 코팅된 스트립을 냉각시켜 상기 스트립 상의 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금을 고형화시키고, 알파-Al 상 덴드라이트, 덴드라이트상간 영역 중의 Zn-풍부 상 및 상기 코팅물의 덴드라이트상간 영역 중의 Mg2Si 상 입자를 포함하는 미세 구조체를 갖는 고형화된 코팅물을 형성하는 단계를 포함하는, 금속 코팅된 스트립의 형성 방법이 또한 제공된다.
기타 성분은 안티몬일 수 있다.
Mg2Si 입자는 그 크기가 ≤2㎛ 미만일 수 있다.
Mg2Si 입자는 날카로운 가장자리를 갖는 "차이니스 스크립트" 형태보다 더 구형이거나 덜 구형인 형태일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 스트립 상에 Al-Zn-Si-Mg 합금의 코팅물을 갖는, 강철 스트립과 같은 스트립이 제공되며, 상기 코팅물은 Al-Zn 상의 고체 용액을 포함하는 미세 구조체와 코팅물 내에 분산된 Mg2Si 상 입자의 분산액을 가지며, 상기 Mg2Si 입자는
(a)≤2㎛의 입자 크기, 및
(b) 구형 형태를 갖는다.
코팅물은 상기 스트립의 적어도 한쪽 면에서 5 내지 30미크론의 두께를 가질 수 있다.
본 발명에 의해 제조된 코팅 미세 구조체는 향상된 코팅 연성 및 증가된 내부식성의 측면에서 유리하다.
＊ 향상된 코팅 연성.
상술한 날카로운 가장자리를 갖는 "차이니스 스크립트" 형태보다 더 구형인 미세한 Mg2Si 입자는 높은 변형 제조 시에 응력 집중을 감소시키고, 따라서 균열 개시 및 확산에 대한 가능성을 감소시킨다.
＊ 향상된 코팅물 내부식성.
상술한 날카로운 가장자리를 갖는 "차이니스 스크립트" 형태보다 더 구형인 미세한 입자가 되도록 Mg2Si 상을 변형하는 것은 코팅물 균열에 대한 가능성을 감소시킨다. 상기 코팅물에서의 Mg2Si 상 입자의 보다 큰 분산은 부식 채널의 균일한 "차단" 및 "활성화"의 측면에서 또한 유리하다. 결과적으로, 상기 코팅물의 내부식성이 향상된다.
이하, 본 발명의 방법에 따른 강철 스트립 코팅된 Al-Zn-Si-Mg 합금을 제조하기 위한 연속 제조 공정의 일 실시형태의 개략적 도면인 첨부된 도면(도 1)을 참고하여 예로서 본 발명을 기술한다.
도면을 참고하면, 사용 시에는 냉각 롤링된 강철 스트립의 코일은 언코일링 스테이션(uncoiling station, 미도시)에서 언코일링되고, 연속적인 언코일링된 길이의 스트립은 용접기(welder, 미도시)에 의해 끝과 끝이 용접되고, 연속 길이의 스트립(3)을 형성한다.
이어, 스트립(3)은 축열기(accumulator, 미도시), 스트립 세정부(미도시) 및 노 조립체(4)를 연속적으로 통과한다. 노 조립체(4)는 예열기, 예열 환원로(preheat reducing furnace) 및 환원로(reducing furnace)를 포함한다.
상기 스트립은 공정 변수를 조심스럽게 제어함으로써 노 조립체(furnace assembly, 4)에서 열처리되며, 이때 상기 공정 변수로는 (i) 노 내에서의 온도 프로파일, (ii) 노 내의 환원 가스의 농축, (iii) 노를 통한 가스 유속, 및 (iv) 노 내의 스트립 체류 시간(즉, 선속)을 들 수 있다.
노 조립체(4)에서의 공정 변수는 상기 스트립의 표면으로부터 산화철 잔류물을 제거하고, 상기 스트립의 표면으로부터 잔류 오일 및 철 미립자를 제거하도록 제어된다.
이어, 열처리된 스트립은 출구 돌출부를 경유하여 코팅 용기(5)에 수용된 Al-Zn-Si-Mg 합금을 함유하는 용융된 전해조 내로 하방으로 유입되어 이를 통과하고, Al-Zn-Si-Mg 합금으로 코팅된다. 상기 전해조는 코팅물의 고형화 시에 작은 Mg2Si 입자가 형성된다는 결과로 인해 Mg2Si 입자를 위한 핵화 부위로서 작용하는 금속간 화합물 상의 형성을 촉진하는 하나 이상의 성분 또는 화합물을 함유할 수 있다. 바람직하게는, Al-Zn-Si-Mg 합금은 가열 유도체(미도시)를 사용함으로써 코팅 용기에서 용융된 상태로 유지된다. 전해조 내부에서는 상기 스트립이 싱크롤 둘레를 통과하고, 전해조 외부로 상방으로 인출된다. 상기 스트립의 양 표면은 스트립이 전해조를 통과함에 따라 알루미늄-아연-실리콘 합금으로 코팅된다.
코팅 전해조(5)를 지나간 후, 상기 스트립은 가스 와이핑 스테이션(6)을 수직으로 통과하며, 상기 가스 와이핑 스테이션(6)의 코팅된 표면은 코팅물의 두께를 제어하기 위해 와이핑 가스의 제트 흐름을 겪게 된다.
이어, 코팅된 스트립이 냉각부(7)를 통과하고, 강제 냉각을 겪게 된다. 바람직하게는, 적어도 부분적으로는 단편(fragment)인 Mg2Si 상 입자가 미세한 입자를 형성하거나 또는 고형화된 코팅물에서 우선적으로 미세한 Mg2Si 상 입자를 형성하기에 충분히 높은 속도로 상기 스트립을 냉각시킨다. 전형적으로는, 이는 적어도 초당 300℃의 속도로 상기 스트립을 냉각시킨다는 것을 의미할 것이다.
이어 상기 냉각되고 코팅된 스트립은 코팅된 스트립의 표면을 컨디셔닝하는 롤링부(8)를 통과한다.
최종적으로, 컨디셔닝된 스트립은 열처리로(9)를 통과하여, 상기 노에서 열처리된다. 구체적으로는, 상기 스트립은 코팅물 중의 Mg2Si 상 입자의 구형화를 촉진하기 의해 320 내지 500℃ 범위의 온도에서 15 내지 30분 동안 열처리되었다. 이어 열처리된 스트립은 냉각되며, 전형적으로는 물로 냉각되어 상기 Mg2Si 상 입자를 열처리 단계의 말기에 상기 크기 및 형태에 가능한 한 근접하게 유지한다.
본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않는 한, 상술한 바와 같이 본 발명에 대해 다양한 변형이 이루어질 수 있다.

Claims (15)

  1. (a) 스트립을 Al, Zn, Si, 및 Mg, 그리고 임의의 기타 성분을 함유하는 용융 코팅 전해조에 통과시켜서, 상기 스트립 상에 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅물을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 스트립을 냉각시켜 상기 스트립 상의 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금을 고형화시키고, 알파-Al 상 덴드라이트, 덴드라이트상간 영역에서의 Zn-풍부 상 및 덴드라이트상간 영역에서의 Mg2Si 상 입자를 포함하는 미세 구조체를 갖는 고형화된 코팅물을 형성하는 단계;
    (c) 주조된 상기 알파-Al 상 덴드라이트 및 Zn-풍부 덴드라이트상간 상의 미소 구조체로부터 Al-Zn 상 고체 용액을 형성하고 코팅물에 분산되어 있는 Mg2Si 상 입자의 구형화를 촉진하기 위한 온도 및 시간 동안에 상기 코팅된 스트립을 열처리하는 단계; 및
    (d) 상기 열처리된 스트립을 냉각시키는 단계를 포함하는, 강철 스트립과 같은 금속 코팅된 스트립을 형성하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 열처리 단계 (c)는 적어도 300℃의 온도에서 이루어지는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 열처리 단계 (c)는 600℃미만의 온도에서 이루어지는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 열처리 단계 (c)는 적어도 15분 동안 이루어지는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 열처리 단계 (c)는 30분 미만 동안 이루어지는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 단계 (b)는 적어도 부분적으로는 단편인 Mg2Si 상 입자가 고형화된 코팅물에서 미세한 입자를 형성하거나 미세한 Mg2Si 상 입자를 우선적으로 형성하기에 충분히 높은 속도로 상기 스트립을 냉각시키는 단계를 포함하는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 단계 (b)는 적어도 초당 150℃의 속도로 상기 스트립을 냉각시키는 단계를 포함하는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 단계 (b)는 적어도 초당 600℃의 속도로 상기 스트립을 냉각시키는 단계를 포함하는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 단계 (d)는 Mg2Si 상 입자의 성장을 최소화하고 열처리 단계 (c)에서 형성된 구형인 Mg2Si 상 입자를 적어도 실질적으로 유지하는 속도로 상기 열처리된 스트립을 냉각시키는 단계를 포함하는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 코팅 단계 (a)는 Mg2Si 입자를 위한 핵화 부위로서 작용할 수 있는 성분 또는 화합물을 용융 코팅 전해조에 제공하는 단계를 포함하는 것인 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  11. (a) 스트립을 Al, Zn, Si, 및 Mg, Mg2Si 입자를 위한 핵화 부위로서 작용할 수 있는 다른 하나의 성분 또는 성분들 또는 하나의 화합물 또는 화합물들, 및 임의의 기타 성분을 함유하는 용융 코팅 전해조에 통과시켜서, 상기 스트립 상에 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금 코팅물을 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 코팅된 스트립을 냉각시켜 상기 스트립 상의 용융된 Al-Zn-Si-Mg 합금을 고형화시키고, 알파-Al 상 덴드라이트, 덴드라이트상간 영역 중의 Zn-풍부 상 및 상기 코팅물의 덴드라이트상간 영역 중의 Mg2Si 상 입자를 포함하는 미세 구조체를 갖는 고형화된 코팅물을 형성하는 단계를 포함하는, 강철 스트립과 같은 금속 코팅된 스트립을 형성하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 기타 성분은 안티몬인, 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 Mg2Si 입자는 ≤2㎛ 미만인, 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Mg2Si 입자는 구형 형태인, 금속 코팅된 스트립의 형성 방법.
  15. 스트립 상에 Al-Zn-Si-Mg 합금의 코팅물을 갖는, 강철 스트립과 같은 스트립으로서, 상기 코팅물은 Al-Zn 상의 고체 용액을 포함하는 미세 구조체 및 코팅물 내에 Mg2Si 상 입자의 분산액을 가지며, 상기 Mg2Si 입자는
    (a)≤2㎛의 입자 크기, 및
    (b) 구형 형태를 갖는 것인, 스트립.
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