KR20120016272A - 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 엘이디 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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세미엘이디즈 옵토일렉트로닉스, 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명은 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치를 개시하고 있다. 상기 장치는, 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 제공되며 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩, 및 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하도록 마련되는 렌즈를 포함한다. 상기 렌즈는 미세 거친 구조(micro-roughness structure)를 가지는 표면을 포함한다. 상기 렌즈의 미세 거친 구조는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 가진다. 본 발명은 또한, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드를 제조하는 방법을 개시한다.

Description

광을 추출하는 거친 구조를 갖는 엘이디 장치 및 그 제조방법{LED device with light extracting rough structure and manufacturing methods thereof}
본 출원은 2009년 5월 11일에 출원된 대만 출원번호 98115567호를 우선권 주장한다. 상기 대만 출원의 모든 개시내용은 여기에 참조로 포함된다.
본 발명은 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 광을 추출하는 거친 구조는 광 추출 효율과 발광 다이오드의 균일성을 향상시키는 미크론 크기의(micron-scaled) 거칠기를 갖는다.
종래의 LED 장치에 있어서는, LED 상에 배치되는 렌즈 구조가 있다. 그러나, 상기 LED 구조에 있어서 전반사(total reflection) 효과는 광 추출 효율을 감소시킨다. 도 1은 종래의 LED 장치를 보여주는 개략도이다. 도 1에 도시된 것처럼, LED(110)는 렌즈(120)에 의해 봉지되어(encapsulated) 있다. 광이 LED로부터 발산될 때, 두 가지 현상이 있다. 만일 입사각이 임계각보다 작으면, 광은 표면(125)을 통과하여 전달된다(화살표 A에 의해 도시). 만일, 입사각이 임계각보다 크면, 광은 렌즈로 반사되어 돌아온다. 전반사는 LED 장치의 광 추출 효율을 감소시킨다.
본 발명은, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 LED 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 LED 장치를 제공한다. 상기 장치는, 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치되며 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩, 및 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하도록 마련되는 것으로서 미세 거친 구조(micro-roughness structure)를 갖는 렌즈를 포함한다. 상기 렌즈의 미세 거친 구조는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 가진다. 상기 장치는, 투명한 접착제( glue)로 만들어지고 상기 렌즈와 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩의 사이에 위치하여 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 보호하는 보호층을 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치를 생산하는 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 리드 프레임 상에 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 배치하고 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩이 리드 프레임에 전기적으로 연결되게 하여 반제품을 형성하는 단계; 미세 거친 구조를 내측 표면에 갖도록 처리된 몰드(mold) 내에 상기 반제품을 위치시키는 단계; 접착제를 상기 몰드에 주입하고 열에 의하여 상기 접착제를 양생(cure)하는 단계로서, 상기 접착제는 양생 후 렌즈로 형성되며, 상기 렌즈는 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하고 미세 거친 구조를 포함하는 표면을 갖는 단계; 및 상기 봉지된 발광 다이오드 칩과 리드 프레임을 상기 몰드로부터 회수하는 단계를 포함한다. 상기 미세 거친 구조는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 가진다. 또한, 상기 반제품을 몰드 내에 위치시키기 전에, 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 보호하기 위한 보호층이 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩 상에 제공될 수 있다. 상기 보호층은 투명한 접착제 또는 형광체와 혼합된 접착제일 수 있다.
본 발명은 또한, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치를 생산하는 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 리드 프레임 상에 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 배치하고 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩이 리드 프레임에 전기적으로 연결되게 하여 반제품을 형성하는 단계; 몰드(mold) 내에 상기 반제품을 위치시키는 단계; 접착제를 상기 몰드에 주입하고 열에 의하여 상기 접착제를 양생(cure)하는 단계로서, 상기 접착제는 양생 후 렌즈로 형성되며, 상기 렌즈는 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하는 단계; 상기 봉지된 발광 다이오드 칩과 리드 프레임을 상기 몰드로부터 회수하는 단계; 및 상기 렌즈의 표면을 거칠기 가공하여 미세 거친 구조를 형성하도록 하는 단계를 포함한다. 상기 렌즈의 미세 거친 구조는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 가진다. 또한, 상기 반제품을 몰드 내에 위치시키기 전에, 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 보호하기 위한 보호층이 상기 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩 상에 제공될 수 있다. 상기 보호층은 투명한 접착제 또는 형광체와 혼합된 접착제일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광을 추출하는 거친 구조는 광 추출 효율과 발광 다이오드의 균일성을 향상시킨다.
본 발명의 이점과 특징은, 첨부된 도면과 함께 아래에 제시되는 다양한 실시예들을 통하여 이해될 것이다. 도면은 예시적이고 도식적인 것으로 간주 되어야 하며, 일정한 비율로 보여지는 것이 아니고 보여지는 대로 그대로 실시되는 것도 아니다. 또한, 도면 내에서 유사한 도면부호는 유사한 구성요소를 표시한다.
도 1은 종래의 LED 장치를 보여주는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 LED 장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 LED 장치의 개략도이다.
도 4a는 도 2의 거칠게 가공된 표면의 부분 확대 개략도이다.
도 4b는 도 3의 거칠게 가공된 표면의 부분 확대 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 LED 장치의 제조 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 제조 프로세스에 있어서 특정한 단계를 보여주는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 장치의 제조 흐름도이다.
도 8a 및 8b는 도 7에 도시된 제조 프로세스에 있어서 부분적으로 특정한 단계를 보여주는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LED 장치의 제조 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드(LED) 장치(200)의 개략도이다. 도 2에 도시된 것처럼, 상기 LED 장치(200)는, 리드 프레임(210), 상기 리드 프레임(210)에 전기적으로 연결되는 LED 칩(220), 및 상기 LED 칩(220)을 봉지하도록 마련되며 거칠게 가공된 표면(240)을 갖는 반구 형상의 렌즈(230)를 포함한다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 LED 장치(300)의 개략도이다. 도 3에 도시된 것처럼, LED 장치(300)는, 도 2의 LED 장치(200) 렌즈(230)는 반구 형상인데 반하여 도 3의 LED 장치(300) 렌즈(310)는 직사각형의 형상이라는 점을 제외하고는 도 2의 LED 장치(200)의 구조와 유사한 구조를 갖는다. 마찬가지로, 도 3의 렌즈(310)도 또한 거칠게 가공된 표면(320)을 갖는다. 거칠게 가공된 표면(240, 320)은 거칠기가 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이인 미세 거친 구조를 갖는다. 거칠게 가공된 표면(240, 320)은 광 추출 효율과 LED 장치(200, 300)의 균일성을 각각 향상시킬 수 있다. 구체적으로 말하면, 도 2에 도시된 것처럼, 광이 LED 칩(220)으로부터 발산될 때 반구 형상 렌즈(230)의 거친 표면(240)에 의하여 광이 LED 장치(200)의 밖으로 유도된다(도 2에서 화살표 E로 도시). 마찬가지로, 도 3에 도시된 것처럼, 광이 LED 칩(220)으로부터 발산될 때 직사각형 형상 렌즈(310)의 거친 표면(320)에 의하여 광이 LED 장치(300)의 밖으로 유도된다(도 3에서 화살표 E'로 도시). 또한, 도 2와 도 3에서, 상기 LED 칩(220)은 리드 프레임(210)에 와이어(wire)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있으나(도시되지 않음), 상기 연결은 와이어에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 상기 LED 칩(220)은 플립 칩 패키징(flip chip packaging)을 이용하여 리드 프레임(210)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 비록 도 2와 도 3에서는 한 개의 LED 칩(220)만이 도시되었지만, 본 발명에 따른 각각의 LED 장치(200, 300)는 실제로 한 개 또는 그 이상의 LED 칩(220)을 포함할 수 있다는 것으로 이해될 수 있을 것이다.
도 4a는 도 2의 거칠게 가공된 표면(240)의 부분 확대 개략도이다(즉, 부호 C로 표시된 원으로 도시된 부분). 도 4b는 도 3의 거칠게 가공된 표면(320)의 부분 확대 개략도이다(즉, 부호 D로 표시된 원으로 도시된 부분). 거칠게 가공된 표면(240, 320)은 불 규칙적인 삐죽삐죽한 형상(jagged shape)을 갖는 것을 도 4a 및 도 4b에서 명확히 볼 수 있다. LED 칩(220)이 광을 발산할 때, 거칠게 가공된 표면 상의 이러한 불 규칙적인 삐죽삐죽한 형상이 렌즈에서 발생하는 전반사를 감소시키는데 도움을 줄 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 LED 장치의 제조 흐름도이다. 도 5에 도시된 것처럼, LED 칩은 단계(510)(칩 본딩 단계)에서 리드 프레임 상에 배치된다. 단계(520)에서, 상기 LED 칩은 예를 들면 금(Au)으로 만들어진 와이어를 통하여 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되어 LED 장치의 반제품을 형성한다(와이어 본딩 단계). 단계(530)에서, 상기 반제품은 접착제가 몰드 또는 템플릿(template)에 주입되어 열에 의해 양생 되기 전에 처리된(거칠기 가공된) 몰드 또는 템플릿(template) 내에 위치되고, 그리고 나서 완제품이 상기 몰드 또는 템플릿으로부터 회수된다(접착제 주입 및 봉지 단계).
도 6a 내지 6d는 도 5에 도시된 제조 프로세스에 있어서 특정한 단계를 보여주는 개략도이다. 도 6a는 도 5에서 도시된 특정 단계(510, 520)를 보여준다. 도 6a에 도시된 것처럼, LED 칩(620)은 리드 프레임(610) 상에 배치되고 와이어(630)를 통하여 상기 리드 프레임(610)에 전기적으로 연결되어 LED 반제품을 형성한다. 도 6b 내지 6d는 도 5에서 도시된 특정 단계(530)를 보여준다. 도 6b 내지 6d에 도시된 것처럼, 도 6a의 상기 반제품(리드 프레임(610), LED 칩(620) 및 와이어(630)로 구성)은 처리(거칠게 가공)된 몰드 또는 템플릿(640) 내에 위치된다. 상기 몰드 또는 템플릿은 불 규칙적으로 삐죽삐죽한 내측 표면(650)을 가진다(도 6b에서 원으로 표시된 확대된 부분으로 도시). 상기 몰드 또는 템플릿(640)이 거칠게 가공된 후, 상기 삐죽삐죽한 내측 표면(650)은 거칠기가 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이인 미세 거친 구조를 가질 수 있다. 다음으로, 도 6c에 도시된 것처럼, 에폭시 또는 실리콘과 같은 접착제가 상기 몰드 또는 템플릿(640)에 주입되고, 열에 의해 양생된다. 마지막으로, 도 6d에 도시된 것처럼, 완제품이 상기 몰드 또는 템플릿(640)으로부터 분리된다. 상기 완제품은, 리드 프레임(610), LED 칩(620), 와이어(630) 및 렌즈(660)로 구성되며, 상기 렌즈(660)는 접착제를 가열함으로써 양생된다. 상기 렌즈는, 상기 몰드 또는 템플릿(640)의 삐죽삐죽한 내측 표면(650)으로부터 기인한 불 규칙적으로 삐죽삐죽한 표면(670)(도 6d에서 원으로 표시된 확대된 부분으로 도시)을 갖는다. 상기 삐죽삐죽한 표면(670)도 또한 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 미세 거친 구조를 갖는다. 상기 몰드 또는 템플릿(640)의 삐죽삐죽한 내측 표면(650)은 샌드 블라스트(sand blasting), 화학 에칭 및 전기화학 에칭 중 어느 한 가지를 사용하여 형성되며, 따라서 삐죽삐죽한 내측 표면(650)은 거칠기가 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이인 미세 거친 구조를 갖는다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 장치의 제조 흐름도이다. 도 7에 도시된 것처럼, LED 칩은 단계(710)(칩 본딩 단계)에서 리드 프레임 상에 배치된다. 단계(720)에서, 상기 LED 칩은 예를 들면 금(Au)으로 만들어진 와이어를 통하여 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결된다(와이어 본딩 단계). 단계(730)에서, 형광체를 선택적으로 포함하는 투명한 접착제가 LED 칩을 완전하게 봉지하고 와이어를 부분적으로 봉지하기 위하여 LED 칩 및 와이어에 코팅되어(접착제 제공 단계) LED 장치의 반제품을 형성하는, 접착제 제공 공정이 수행된다. 단계(730)에서 사용되는 투명 접착제는 LED 칩 및 와이어를 위한 보호층으로 마련될 수 있다. 상기 투명 접착제는 또한, LED 장치가 다른 파장을 갖는 광을 발산하는 다른 종류의 형광체를 필요로 할 때 형광체의 캐리어층(carrier layer)을 보호하도록 마련될 수 있다. 상기 투명 접착제는 실리콘일 수 있다. 단계(740)에서, 상기 반제품은 접착제가 상기 몰드 또는 템플릿에 주입되어 가열되기 전에 처리된(거칠게 가공) 몰드 또는 템플릿 내에 위치되고, 상기 접착제가 가열된 후 양생 되면 완제품이 상기 몰드 또는 템플릿으로부터 회수된다(접착제 주입 및 봉지 단계). 도 7에 도시된 제조 흐름도는, 도 7에서 LED 칩 및 와이어가 선택적으로 형광체를 포함하는 투명한 접착제로 코팅된다는 것을 제외하고는 도 5와 유사하다(즉 접착제 제공 단계).
도 8a는 도 7에 도시된 제조 프로세스에 있어서 부분적으로 특정한 단계(710 내지 730)를 보여주는 개략도이다. 도 8b는 도 6b에서 도시된 반제품이 동일한 몰드 또는 템플릿(640) 내에 위치되는 것을 보여준다. 도 6a와 비교할 때, 도 8a의 LED 장치 반제품은, 리드 프레임(610), LED 칩(620), 와이어(630) 및 선택적으로 형광체를 포함하는 보호층(810)(및/또는 캐리어층)으로 구성될 수 있다. 도 7에서, 단계(730)를 제외한 모든 단계가 도 5에서와 유사하다. 이것은, 단계(710)가 단계(510)에 대응하고, 단계(720)가 단계(520)에 대응하며, 단계(740)가 단계(530)에 대응하는 것을 의미(도 6c 및 6d에 도시된 것처럼)하므로, 상기 단계들은 간결함을 위하여 여기서 더 이상 설명되지 않을 것이다. 비록 도 6a와 도 8a는 각각의 LED 장치가 한 개의 LED 칩(620)만을 가지는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명의 LED 장치는 실제로 한 개 또는 그 이상의 LED 칩(620)을 가질 수 있다고 이해될 것이다.
본 발명의 다른 실시예에서, 상기 처리(거칠게 가공)된 몰드 또는 템플릿은 요구되지 않을 수 있다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LED 장치의 제조 흐름도이다. 도 9에 도시된 것처럼, LED 칩은 단계(910)에서 리드 프레임 상에 배치된다(칩 본딩 단계). 단계(920)에서, 상기 LED 칩은 예를 들면 금(Au)으로 만들어진 와이어를 통하여 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되어 LED 장치의 반제품을 형성한다(와이어 본딩 단계). 단계(930)에서, LED 칩을 완전히 봉지하고 와이어를 부분적으로 봉지하기 위하여 선택적으로 형광체를 포함하는 투명 접착제가 LED 칩 및 와이어에 코팅되는 접착제 제공공정이 수행된다(접착제 제공 단계). 그러나, 단계(930)는 필수적이지 않으며 다른 실시예에서 생략될 수 있다. 단계(940)에서, 삐죽삐죽한 표면을 가지지 않는 렌즈가 상기에서 언급된 열에 의한 양생 단계를 이용하여 형성되기 이전에, 상기 LED 장치의 반제품이, 처리된 내측 표면을 가지지 않는 몰드 또는 템플릿의 내부에 위치되고, 그리고 나서 완제품이 상기 몰드 또는 템플릿으로부터 회수된다(접착제 주입 및 봉지 단계). 마지막으로, 단계(950)에서, 렌즈의 표면이 에칭 또는 임프린팅(imprinting)과 같은 방법에 의해 거칠게 가공되어, 불 규칙적으로 삐죽삐죽한 형상을 갖는 렌즈 표면을 형성한다(표면의 거칠기 가공 단계). 거칠게 가공된 후, 렌즈의 표면은 거칠기가 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이인 미세 거친 구조를 갖는다. 에칭은 희망하는 거칠기를 달성하도록 수행될 수 있는데, 예를 들면, 실온에서 약 60℃까지 메틸벤젠(methylbenzene)을 이용하여 약 30초에서 1시간가량 에칭하는 것을 들 수 있다. 반면에, 임프린팅은 희망하는 거칠기를 달성하도록 수행될 수 있는데, 예를 들면, 렌즈의 표면에 실리콘을 선별적으로 프린팅하고 약 150℃에서 약 30분간 양생하는 것을 들 수 있다.
본 발명의 방법에 따라, 광을 추출하는 동일한 거칠기의 거친 구조를 갖는 LED 장치가 대량생산에서 동시에 제조될 수 있다.
비록 상기의 발명들이 명확한 이해를 위하여 도면과 함께 바람직한 실시예로서 설명되었지만, 당업자에게 어느 정도의 변경과 수정은 첨부된 청구항의 범위 내에서 가능하다는 것은 분명하다. 따라서, 본 실시예들은 예시적인 것인지 한정적이지는 않은 것으로 고려되어야 하고, 본 발명은 여기에서의 상세한 사항들에 국한되지 않으며 첨부된 청구항 내지는 균등물의 범위 내에서 수정될 수 있다.

Claims (24)

  1. 리드 프레임;
    상기 리드 프레임 상에 배치되어 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩; 및
    상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하도록 마련되며, 미세 거친 구조를 포함하는 표면을 갖는 렌즈;를 포함하는 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈의 미세 거친 구조의 표면은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 갖는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    투명 접착제로 만들어지며, 상기 렌즈와 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩 사이에 위치하여 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 보호하는 보호층을 더 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 보호층은 형광체를 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명 접착제는 실리콘인, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 접착제로 만들어지는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 접착제는 에폭시 또는 실리콘인, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치.
  8. 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 리드 프레임 상에 배치하고 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되도록 하여 반제품을 형성하는 단계;
    상기 반제품을, 미세 거친 구조를 내측 표면에 갖도록 처리된 몰드 내부에 위치시키는 단계;
    접착제를 상기 몰드에 주입시키고 열에 의하여 양생시키며, 상기 접착제는 양생 후에 렌즈를 형성하고, 상기 렌즈는 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하며 표면에 미세 거친 구조를 가지게 되는 단계; 및
    봉지된 발광 다이오드 칩 및 리드 프레임을 상기 몰드로부터 회수하는 단계;를 포함하는 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 몰드의 내측 표면의 미세 거친 구조는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 갖는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 몰드의 처리는 샌드 블라스트, 화학 에칭 또는 전기화학 에칭을 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 렌즈의 미세 거친 구조의 표면은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 갖는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 반제품을 몰드 내부에 위치시키기 전에, 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 보호하기 위하여 투명한 접착제로 만들어지는 보호층을 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩 상에 제공하는 단계를 더 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 보호층은 형광체를 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 투명한 접착제는 실리콘인, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 접착제는 에폭시 또는 실리콘인, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  16. 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 리드 프레임 상에 배치하고 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되게 하여 반제품을 형성하는 단계;
    상기 반제품을 몰드 내부에 위치시키는 단계;
    접착제를 상기 몰드에 주입시키고 열에 의하여 양생시키며, 상기 접착제는 양생 이후에 렌즈를 형성하고, 상기 렌즈는 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 봉지하는 단계;
    봉지된 발광 다이오드 칩 및 리드 프레임을 상기 몰드로부터 회수하는 단계; 및
    상기 렌즈의 표면을 거칠게 가공하여 미세 거친 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 렌즈의 미세 거친 구조의 표면은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 사이의 거칠기를 갖는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 거칠게 가공하는 방법은 에칭 또는 임프린팅을 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 반제품을 몰드 내부에 위치시키기 전에, 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩을 보호하기 위하여 투명한 접착제로 만들어지는 보호층을 상기 한 개 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩 상에 제공하는 단계를 더 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 보호층은 형광체를 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 투명한 접착제는 실리콘인, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 접착제는 에폭시 또는 실리콘인, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 에칭은, 실온에서 약 60℃까지 메틸벤젠으로 렌즈의 표면을 약 30초에서 1시간가량 에칭하는 것을 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
  24. 제 18 항에 있어서,
    상기 임프린팅은, 실리콘을 렌즈의 표면에 선별적으로 프린팅하고 상기 실리콘을 약 150℃에서 30분간 양생하는 것을 포함하는, 광을 추출하는 거친 구조를 갖는 발광 다이오드 장치의 제조방법.
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