CN2829097Y - 具粗糙化平面的发光二极管 - Google Patents

具粗糙化平面的发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN2829097Y
CN2829097Y CNU200520003008XU CN200520003008U CN2829097Y CN 2829097 Y CN2829097 Y CN 2829097Y CN U200520003008X U CNU200520003008X U CN U200520003008XU CN 200520003008 U CN200520003008 U CN 200520003008U CN 2829097 Y CN2829097 Y CN 2829097Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
mould
backlight unit
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNU200520003008XU
Other languages
English (en)
Inventor
汪秉龙
庄峰辉
李恒彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harvatek Corp
Original Assignee
Harvatek Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harvatek Corp filed Critical Harvatek Corp
Priority to CNU200520003008XU priority Critical patent/CN2829097Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN2829097Y publication Critical patent/CN2829097Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种具粗糙化平面的发光二极管,包括:基板、设置于该基板上的至少一发光二极管芯片、以及包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型的封装体;其中,该封装体具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面,该粗糙化外表面具有一预定的表面粗糙度,该发光二极管芯片发射的光线经由该粗糙化外表面漫射出光。本实用新型具粗糙化平面的发光二极管可有效控制光线损耗,进一步提高发光效率与降低成本;以及可提高自体混光效率。

Description

具粗糙化平面的发光二极管
技术领域
本实用新型涉及一种具粗糙化平面的发光二极管,尤指一种可提高发光效率呈平面状的发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light Emitted Diode,LED)因其发光原理及结构与传统光源不同,不但具有体积小、高可靠度、适合大量生产等特性以及无灯丝、耗电量少、产品反应速度快、无须水银等有害物质等可克服传统光源缺陷的优点,在市场上的运用也相对多元化。
由于传统发光二极管的工作电流约为几十至几百毫安(mA),其亮度远低于大部分照明所需,但若组合大量的发光二极管以提高亮度,则必须考虑消耗功率大所伴随的热量问题,因此,提高单个发光二极管亮度或解决所伴随的热效应,以提高组合照明的照明质量,为市场竞争必然的趋势。目前所有发光二极管大厂皆着手持续提高发光二极管的发光效能,其中可行的方案有二,其一是改善发光二极管结构(着重于让发光二极管的光能无损耗地发出);其二便是改进封装技术(包含改进荧光粉和涂抹技术)。
此外,发光二极管的封装型态主要分为两种,一为灯型(Lamp type)是采用液体树脂灌注方式成型,另一种为表面贴装型(SMD type)则可采用液体树脂灌注方式或模注成型方式(molding)。一般在处理提高亮度的问题上,是在基板上成型一孔槽,再施以电镀金属反射层,再进一步固定芯片于该孔槽处、打线、封胶等步骤,利用该反射层能够反射发光二极管芯片所发射出来的光线,通过该封胶部分射出。然而,一种呈平面状的发光二极管在制模时,其模具必进行一抛光过程,使得发光二极管的模注表面平滑光亮,请参阅图1所示,发光二极管1包括基板10、设于该基板10上的发光二极管芯片11、以及包覆该发光二极管芯片11并呈平面状模注成型的封装体12,该发光二极管芯片11随材料组成不同而具有不同的出光角度,如图1的该封装体12,由于模具必须通过抛光制作的结果,造成该封装体12具有光滑平直的外表面(该内部因为由封装材料充填而与该发光二极管芯片11相邻接),当该发光二极管芯片11的发射光线超过临界角时,会在该封装体12内部成全反射状态,进而在该封装体12内部进行多次不等的反射才能出光,此种全反射会使光线于该封装体12内因反射次数过多而容易被吸收,造成光线损失,此外,光线在反射过程亦有可能不是由上表面(即预定的出光面)射出,此种光线为非可利用的光线,形成另一种程度的光线损耗,进一步造成整体亮度下降、发光效率无法提高。
此外,发光二极管的发光一致性会因该封装体12内的磷光剂量的均匀性与浓度而不同,因其光线所穿过的磷光剂量的改变取决于光线所穿过并发散至该发光二极管之外的光学路径,当设置于其内的多个发光二极管芯片11以混光方式出光,则可于该发光二极管1的正上方察觉白光射出,然于各发光二极管芯片11的设置位置仍可能察觉各发光二极管芯片11本身颜色,而无法达到均匀混光的效果。
发明内容
本实用新型提供一种具粗糙化平面的发光二极管,可有效控制光线损耗,进一步提高发光效率与降低成本。
本实用新型提供一种具粗糙化平面的发光二极管,可提高自身混光效率。
为达上述目的,本实用新型提供一种具粗糙化平面的发光二极管,包括:基板、设置于该基板上的至少一发光二极管芯片、以及包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型的封装体;其中,该封装体具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面,该粗糙化外表面具有一预定的表面粗糙度,该发光二极管芯片发射的光线经由该粗糙化外表面漫射出光。
根据本实用新型的发光二极管,其中该模具为喷砂处理的模具、放电加工处理的模具、等离子体加工处理的模具、或化学蚀刻处理的模具。
根据本实用新型的发光二极管,其中该发光二极管包括红光二极管、绿光二极管、以及蓝光二极管。
根据本实用新型的发光二极管,其中该表面粗糙度为约3微米。
根据本实用新型的发光二极管,其中该粗糙化外表面形成于该封装体的上表面。
本实用新型具粗糙化平面的发光二极管具有以下优点:有效控制光线损耗,进一步提高发光效率与降低成本;以及可提高自体混光效率。
以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例,非因此拘限本实用新型的专利范围,故凡运用本实用新型说明书及附图内容所进行的等效结构变化,均同理包含于本实用新型的范围内。
附图说明
图1所示为公知发光二极管的侧视图;以及
图2所示为发光二极管的侧视图。
其中,附图标记说明如下:
1    公知发光二极管
10   基板                   11     发光二极管芯片
12   封装体
2    本实用新型具粗糙化平面的发光二极管
20   基板                   21     发光二极管芯片
22   封装体                 221    粗糙化外表面
具体实施方式
本实用新型具粗糙化平面的发光二极管是以模注成型方式(molding)成型,并呈平直表面的形式,并面临全反射造成光线损耗的困扰。请参阅图2所示的一种具粗糙化平面的发光二极管2,包括:基板20、设置于该基板20上的至少一发光二极管芯片21、以及包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型的封装体22;其中,该封装体22具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面221,该粗糙化外表面221具有一预定的表面粗糙度,该发光二极管芯片21发射的光线经由该粗糙化外表面221漫射出光。借此,利用模具表面经加工方式破坏全反射的临界角,其使部分光线因全反射造成的能量损耗,该粗糙化外表面221可使光线直接以漫射方式射出,进以提高发光效率。其中该模具可经由下列预定步骤,如喷砂(blasting)、放电加工(electrical discharge machining,EDM)、等离子体加工(plasma machining)、或化学蚀刻(chemical etching)等方式处理,将模具表面粗糙化,使该封装体22能于模注成型时同时形成该粗糙化外表面221。其中,该表面粗糙度的一实施例可约为3微米,容许误差的范围视制作精度来调整。其中,该粗糙化外表面221可形成于该封装体22的上表面、或进一步及于侧表面,可视发光需求而定。
此外,当该发光二极管2以多芯片组合方式取得所需规格,如由红光二极管、绿光二极管、以及蓝光二极管组成的白色混光二极管。此种单一封装体中具有多芯片的结构,因为直接漫射可达到均匀的自体混光效果,而减少点光源产生的光点状态(由该发光二极管外隐约看到的各个发光二极管的颜色),使得出光颜色均匀度较佳。
由前述可知,本实用新型具粗糙化平面的发光二极管具有以下优点:
1.有效控制光线损耗,进一步提高发光效率与降低成本;以及
2.可提高自体混光效率。
以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例,非以此局限本实用新型的专利范围,故凡运用本实用新型说明书及附图内容所进行的等效结构变化,均同理包含于本实用新型的范围内。

Claims (5)

1.一种具粗糙化平面的发光二极管,其特征在于包括:
基板;
至少一发光二极管芯片,设置于该基板之上;以及
封装体,包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型;
其中,该封装体具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面,该粗糙化外表面具有一预定的表面粗糙度,该发光二极管芯片发射的光线经由该粗糙化外表面漫射出光。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于该模具为喷砂处理的模具、放电加工处理的模具、等离子体加工处理的模具、或化学蚀刻处理的模具。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于该发光二极管包括红光二极管、绿光二极管、以及蓝光二极管。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于该表面粗糙度约为3微米。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于该粗糙化外表面形成于该封装体的上表面。
CNU200520003008XU 2005-01-25 2005-01-25 具粗糙化平面的发光二极管 Expired - Fee Related CN2829097Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU200520003008XU CN2829097Y (zh) 2005-01-25 2005-01-25 具粗糙化平面的发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU200520003008XU CN2829097Y (zh) 2005-01-25 2005-01-25 具粗糙化平面的发光二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN2829097Y true CN2829097Y (zh) 2006-10-18

Family

ID=37080647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU200520003008XU Expired - Fee Related CN2829097Y (zh) 2005-01-25 2005-01-25 具粗糙化平面的发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN2829097Y (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010075653A1 (zh) * 2008-12-31 2010-07-08 深圳市方大国科光电技术有限公司 通过发光二极管外延片表面粗化提高出光效率的方法
WO2010131090A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-18 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Led device with light extracting rough structure and manufacturing methods thereof
WO2013075393A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-30 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Led device with a light extracting rough structure and manufacturing methods thereof
CN103247726A (zh) * 2012-02-10 2013-08-14 苏州晶能科技有限公司 一种led模组及其封装方法
CN103367565A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN105895750A (zh) * 2016-04-28 2016-08-24 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法
CN111987081A (zh) * 2020-08-26 2020-11-24 天水华天科技股份有限公司 一种led显示模组的防串光格栅的成型方法及塑封模

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010075653A1 (zh) * 2008-12-31 2010-07-08 深圳市方大国科光电技术有限公司 通过发光二极管外延片表面粗化提高出光效率的方法
WO2010131090A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-18 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Led device with light extracting rough structure and manufacturing methods thereof
WO2013075393A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-30 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Led device with a light extracting rough structure and manufacturing methods thereof
CN103247726A (zh) * 2012-02-10 2013-08-14 苏州晶能科技有限公司 一种led模组及其封装方法
CN103367565A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN105895750A (zh) * 2016-04-28 2016-08-24 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法
CN111987081A (zh) * 2020-08-26 2020-11-24 天水华天科技股份有限公司 一种led显示模组的防串光格栅的成型方法及塑封模

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN2829097Y (zh) 具粗糙化平面的发光二极管
KR101468903B1 (ko) 일반 조명 어플리케이션을 위한 박형 조명 기기
KR101298406B1 (ko) 발광소자
US20120300430A1 (en) Light-emitting module and lighting apparatus
CN1847951A (zh) 发光板
US9368706B2 (en) Substrate, light-emitting device, illuminating light source, and lighting apparatus
CN1652366A (zh) 发光二极管
CN102853288B (zh) 光学元件及具有该光学元件的发光装置
CN1860620A (zh) 发光装置
CN1825647A (zh) 半导体发光器件和面发光器件
CN1848463A (zh) 基于金属线路板的led白光光源
US20140320781A1 (en) Light source unit and display device including the same
CN2720646Y (zh) 高功率发光二极管封装结构
CN1976069A (zh) 隔热式封装结构的白光led的制造方法
CN101598307A (zh) Led照明灯及其制造方法
TWI405355B (zh) A light emitting device, and a backlight, a liquid crystal display device, and a lighting device using the same
CN101566304A (zh) 发光二极管照明装置及制造方法
CN1941365A (zh) 发光二极管及光源装置
CN103178165B (zh) 发光二极管及其制作方法
CN1783521A (zh) 白光发光二极管
JP2014110301A (ja) 発光装置および照明用光源
KR100583023B1 (ko) 발광 다이오드의 패키징
WO2014033996A1 (ja) 電球形ランプ
CN203150540U (zh) 发光二极管封装结构
JP2013191667A (ja) 発光装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061018

Termination date: 20130125