CN101598307A - Led照明灯及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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Abstract
本发明提供一种LED灯及其制造方法,所述制造方法包括以下步骤:将晶片或芯片(1)固定在支架(4)上;将固定在支架上的晶片插入一带有凹槽(1)且槽口朝上的透明体(7)中;以及向凹槽(1)中注入硅胶;固化硅胶。而且在透明体的底部覆上反射层,利用该方法制造的LED灯包括:晶片;透明体,所述晶片设置在透明体中,所述透明体具有凹槽,所述凹槽中填充有硅胶;和在透明体底部覆着的反射层。该LED灯具有色温稳定性好、光照均匀、光照角度大的特点。
Description
技术领域
本发明一般地涉及LED照明灯及其制造方法,更具体地,本发明涉及一种具有大照射角度和均匀光照强度的LED照明灯及其制造方法。
背景技术
随着发光二极管(LED)技术的发展,越来越多的大功率LED灯被设计用于照明,例如居家照明。相对于现有的白炽灯等照明光源,LED灯具有亮度充足、节能、可靠性高、寿命长等诸多优点,这使其在照明领域具有更广阔的应用前景。
对于大功率LED,封装成为决定其性能的重要因素。现有大功率LED封装技术主要是把LED晶片固定到基板上,然后焊接,最后增加散热层等器件做成成品,这种封装模式致使成本偏高,发光角度窄,且色温不统一等缺点。
而且,现有技术中封装LED晶片的方法大都是通过点胶机点胶实现,由于硅胶自身重力作用致使在晶片表面的硅胶分布不均匀,而且点胶机等不能精确控制点胶位置以及相对于晶片暴露面所施加的硅胶的厚度的非一致性,致使LED灯的色温不能很好地得到控制,因此,获得的光照不能均匀一致。而且LED灯的照射角度也有限。
发明内容
本发明提供一种大功率LED反向灌装硅胶和涂覆反射层的方法和由此制造的LED灯,由本发明的方法制造的LED灯可以克服现有技术的上述缺点以及相关的其它缺陷。
根据本发明的一个方面,提供一种LED灯制造方法,其特征在于包括以下步骤:将晶片或芯片1固定在支架4上;将在支架上的晶片插入一带有凹槽6且槽口朝上的透明体7中;向槽口朝上的凹槽6中注入硅胶;以及在透明体7的底部13覆上反射层8。
根据本发明的一个实施例,所述凹槽6的底部12面积占透明体的底部13面积的比例不大于三分之一。
根据本发明的一个实施例,所述凹槽6的深度不大于6毫米。
根据本发明的一个实施例,注入的硅胶的量占凹槽6的体积不大于99%。
根据本发明的一个实施例,所述硅胶中混有荧光粉。
根据本发明的一个实施例,将晶片面11到凹槽6的底部的距离控制在0.3-1毫米之间。
根据本发明的一个实施例,所述支架包括锁定臂2,用于将固定有晶片(1)的支架锁扣在透明体6上。
根据本发明的一个实施例,所述晶片1是被焊接在支架上的。
根据本发明的一个实施例,进一步包括:固化硅胶的步骤。
根据本发明的一个实施例,所述反射层8是在将支架4锁扣到透明体7上之前通过电镀和热转移覆到透明体底部13上的。
根据本发明的另一方面,提供一种LED灯,其包括:晶片1;一透明体7,所述晶片1设置在该透明体7中,所述透明体7具有凹槽6,所述凹槽6中填充有硅胶;以及在所述透明体7底部覆着的反射层8。
根据本发明的一个实施例,所述晶片固定在支架上。
根据本发明的一个实施例,进一步包括锁定臂2,用于将固定有晶片1的支架4锁扣在透明体7上。
根据本发明的一个实施例,所述凹槽6的底部12面积大致占透明体的底部面积的三分之一。
根据本发明的一个实施例,所述凹槽6的深度不大于6毫米。
根据本发明的一个实施例,注入的硅胶5的量占凹槽6的体积不大于99%。
根据本发明的一个实施例,所述硅胶5中混有荧光粉。
根据本发明的一个实施例,晶片面11到凹槽6的底部的距离在0.3-1毫米之间。
根据本发明的一个实施例,所述晶片1是被焊接在支架上的。
根据本发明的一个实施例,所述反射层8是通过喷镀实现的。
根据本发明的一个实施例,还包括固化硅胶的步骤。
根据本发明的一个实施例,在所述锁定臂在端部设置有勾状部分9,其与设置在透明体外壁上的凹进10相配合,以锁定带有晶片的支架。
利用本发明的方法制造的LED灯,可以使荧光粉硅胶在晶片上的厚度及形状得以有效控制,从而使LED晶片的光源色温达到一致、稳定。而且通过在透明体底部设置反射层,光照射透明体底部的反射层再反射回来,可以大大增大LED发光的角度,消除出射光死角,更好地保障了光照的平均强度、均匀性和光照角度。
附图说明
通过下面对本发明的详细说明并结合以下附图,本发明上述目的和特征、优点以及其它目的、优点和特征将变得明显,附图中相同的附图标记指代相同的部分,其中:
图1是根据本发明的LED灯制造方法的流程图;
图2A根据本发明实施例的固定在支架上的晶片的示意图;
图2B是根据本发明实施例的没有晶片放置在其中时透明体的侧视图;
图2C是根据本发明图2B的俯视图;
图2D是根据本发明实施例而覆有反射层的LED灯的侧视示意图;
图3是根据本发明实施例的LED灯的光照示意图。
具体实施方式
本发明提供一种LED灯及其制造方法,包括以下步骤:将晶片或芯片1固定在支架4上;将在支架上的晶片插入一带有凹槽6且槽口朝上的透明体7中;向槽口朝上的凹槽6中注入硅胶5;以及在透明体7的底部覆上反射层8。
下面将参考附图对本发明的LED灯制造方法以及制造的LED灯进行详细描述。
图1是根据本发明的LED晶片的反向灌装方法的流程图,根据该图,在步骤100,晶片1被设置在晶片支架4上,例如通过焊接活其它容易想到的固定方式固定在支架4上;在步骤110,将设置在支架上的晶片1插入带有凹槽6并且槽口朝上的透明体7中;在步骤120,向槽口朝上的凹槽中注入硅胶5;和在步骤130,在透明体的底部覆上反射层8。还可进一步包括固化硅胶的步骤,可以采用常用的固化步骤进行固化。根据一个实施例,晶片1通过健和线3例如金线连接到正负极,支架4通过提供的锁定臂2装在透明体7上,如在图2A-2D中所示的。
继续参见说明书附图2A-2D,如图所示,在上述反向灌装硅胶方法的实施过程中,将凹槽6的大小或底部12面积控制在占透明体底部13面积的比例不大于三分之一,深度控制在不大于6毫米,晶片面11到凹槽底部12的距离控制在0.3-1毫米之间,由于对凹槽深度的可控性,进而可以准确地控制诸如填充的硅胶5相对于晶片面11的厚度的一致性,从而有效地控制光的色温和光照的均匀性,而现有技术正向点胶的方法,不能实现这样的效果。也可控制注入的硅胶的量,例如占凹槽6的体积的不大于99%。还可将其中的硅胶例如混有荧光粉。还可设有锁定臂2,用于将固定有晶片的支架4锁扣在透明体7上。这样,就可控制荧光粉硅胶在晶片上的厚度一致性以及形状,从而使LED晶片的光源色温达到一致和稳定。使光照效果更加均匀。
此外,参看附图3,本发明在透明体的底部涂敷一层反射层8,根据一个实施例,反射层8是在锁定臂2将支架4锁扣到透明体7上之前,通过电镀和热转移覆到透明体底部13上的,然后再加上锁定臂2。由图3可以看出,通过施加反射层,LED晶片接通电源后发出的光通过反射层的反射再次从透明体中发射出去,从而增大了照射角度,避免了照射死角的出现,使光照角度更大,光照更均匀。
根据本发明的方法制造的LED灯,包括有晶片1,透明体7,晶片1设置在该透明体7中,例如通过焊接等常用连接方法固定在晶片支架上,所述透明体具有凹槽6,所述凹槽中填充有硅胶5,硅胶中可以混合有荧光粉,和在所述透明体底部的反射层8。
根据本发明第一个实施例,LED灯中凹槽的面积占透明体7的底部13面积的比例不大于三分之一,深度为小于6毫米,例如5,4,3毫米,但不限于此。凹槽6填充含有荧光粉的硅胶时需要预留空间以用于固定晶片的支架4的放入,因此,硅胶填充凹槽6的体积占凹槽体积的99%以下,例如98%,95%,90%等,如图2B、2D和图3所示。而且,根据一个实施例,可以设定晶片面11到凹槽底部12的距离在0.3-1毫米之间,例如为0.3毫米、0.5毫米,0.8毫米、1毫米等。支架4还可以设置锁定臂2,以将带有晶片1的支架4锁扣在透明体7上。锁定臂两端可以带有勾状端部分9,其和透明体侧面设置的小凹进10配合,以将带有晶片的支架稳固地固定在透明体上(参见图2D和图3)
对于本领域技术人员来说,通过阅读前述说明,可以想到许多修改和改进。本发明希望覆盖权利要求书的内容及任何等价物。这里所用的具体实施例只是为了帮助理解本发明,并不将其用于以比权利要求书及其等价物更窄的方式限制本发明的范围。另外,虽然在上面已通过优选实施例描述了本发明的具体特征,但某些具体特征可以变化而不偏离本发明的范围。
Claims (18)
1、一种LED灯制造方法,其特征在于包括以下步骤:
将晶片(1)固定在支架(4)上;
将在支架上的晶片插入一带有凹槽(6)且槽口朝上的透明体(7)中;
向槽口朝上的凹槽(6)中注入硅胶(5);以及
在透明体(7)的底部(13)覆上反射层(8)。
2.根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于,所述凹槽(6)的底部(12)面积占透明体(7)的底部(13)面积的比例不大于三分之一。
3、根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于:所述凹槽(6)的深度不大于6毫米。
4、根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于:注入的硅胶的量占凹槽(6)的体积不大于99%。
5、根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于:所述硅胶中混有荧光粉。
6、根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于:将晶片面(11)到凹槽(6)的底部(12)的距离控制在0.3-1毫米之间。
7、根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于:所述支架包括锁定臂(2),用于将固定有晶片(1)的支架锁扣在透明体(6)上。
8.根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于:所述晶片(1)是被焊接在支架上的。
9.根据权利要求1所述的LED灯,其特征在于进一步包括:固化硅胶的步骤。
10、根据权利要求7所述的LED灯,其特征在于:所述反射层(8)是在将支架(4)锁扣到透明体(7)上之前通过电镀和热转移覆到透明体底部(13)上的。
11.一种LED灯,包括:
晶片(1);
一透明体(7),所述晶片(1)设置在该透明体(7)中,所述透明体(7)具有凹槽(6),所述凹槽中填充有硅胶(5);以及
在所述透明体底部覆着的反射层。
12.根据权利要求11所述的LED灯,其特征在于,
所述凹槽(6)的底部(12)的面积占透明体的底部(13)面积的比例不大于三分之一,所述凹槽的深度小于6毫米。
13.根据权利要求11所述的LED灯,其特征在于,注入的硅胶的量占凹槽(6)的体积不大于99%。
14.根据权利要求11所述的LED灯,其特征在于,所述硅胶中混有荧光粉。
15.根据权利要求11所述的LED灯,其特征在于,晶片面(11)到凹槽(6)的底部的距离在0.3-1毫米之间。
16.根据权利要求11所述的LED灯,其特征在于,所述晶片固定在支架上。
17.根据权利要求16所述的LED灯,进一步包括锁定臂(2),用于将固定有晶片(1)的支架(4)锁扣在透明体(7)上。
18.根据权利要求17所述的LED灯,其特征在于,所述锁定臂在端部具有勾状部分(9),其与设置在透明体外壁上的凹进(10)相配合,以锁定带有晶片的支架。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2009101463546A CN101598307A (zh) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | Led照明灯及其制造方法 |
US12/819,110 US20100327303A1 (en) | 2009-06-24 | 2010-06-18 | Light-emitting diode lamp with uniform resin coating |
PCT/CN2010/000913 WO2010148641A1 (en) | 2009-06-24 | 2010-06-22 | Light-emitting diode lamp with uniform resin coating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2009101463546A CN101598307A (zh) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | Led照明灯及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101598307A true CN101598307A (zh) | 2009-12-09 |
Family
ID=41419846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2009101463546A Pending CN101598307A (zh) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | Led照明灯及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100327303A1 (zh) |
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WO2010148641A1 (en) | 2010-12-29 |
US20100327303A1 (en) | 2010-12-30 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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