KR20120006011A - 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판 및 반사형 마스크블랭크 그리고 그것들의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
기판상에, 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성함으로써, 기준점 마크의 윗쪽에 다층 반사막이나 흡수체막 등을 형성해도, 검사광에 대한 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있어, 기준점 마크의 위치를 높은 정밀도로 식별할 수 있다.
Description
본 발명은 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판 및 반사형 마스크 블랭크 그리고 그것들의 제조 방법에 관한 것이다.
근래, 반도체 산업에 있어서, 반도체 디바이스의 고집적화에 수반하여 종래의 자외광을 이용한 포토리소그래피법의 전사 한계를 상회하는 미세 패턴이 필요하게 되고 있다. 이와 같은 미세 패턴의 전사를 가능하게 하기 위해, 보다 파장이 짧은 극단 자외광(Extreme Ultra Violet; 이하, EUV광이라고 부른다.)을 이용한 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시되고 있다. 또한 여기에서 EUV광이란, 연X선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장대의 빛을 가리키며, 구체적으로는 파장이 0.2nm∼100nm 정도인 빛이다.
이 EUV 리소그래피에 있어서 이용되는 노광용 마스크로는 기판(하지(下地) 기판) 상에 노광광인 EUV광을 반사하는 다층 반사막(다층막)을 갖고, 또한 다층 반사막 상에 EUV광을 흡수하는 흡수체막(금속막)이 패턴 형상으로 설치된 반사형 마스크가 통상 이용된다.
이와 같은 반사형 마스크를 탑재한 노광기(패턴 전사 장치)를 이용하여 패턴 전사를 실시하면, 반사형 마스크에 입사한 노광광은 흡수체막 패턴이 있는 부분에서는 흡수되고, 흡수체막 패턴이 없는 부분에서는 다층 반사막에 의해 반사된 빛이 반사 광학계를 통해 예를 들면 반도체 기판(레지스트 부착 실리콘 웨이퍼) 상에 전사된다.
한편, 포토리소그래피 공정에서의 미세화에 대한 요구가 높아짐에 따라, 반도체 제조 프로세스에 이용되고 있는 포토리소그래피 공정에서의 과제가 현저해지고 있다. 그 하나로서 포토리소그래피 공정에서 이용되는, 패턴이 형성된 포토마스크 기판의 결함에 관한 문제를 들 수 있다.
종래에는 포토마스크 기판의 결함 존재 위치를, 기판의 단면으로부터의 거리로 특정하고 있었다. 이 때문에, 위치 정밀도가 낮고, 결함을 피해 차광막에 패터닝하는 경우라도 ㎛오더에서의 회피는 곤란했다. 이 때문에, 패턴을 전사하는 방향을 바꾸거나, 전사하는 위치를 mm오더에서 러프하게 어긋나게 하여 결함을 회피해 왔다.
이와 같은 중에, 광투과형 마스크에 있어서의 결함 위치의 검사 정밀도를 올리는 것을 목적으로 투명기판 상에 기준 마크를 형성하고, 이것을 기준 위치로 하여 결함의 위치를 특정하는 시도가 있다(예를 들면, 일본국 특개2003-248299호 공보(특허 문헌 1) 참조). 이 공보 기재의 발명에서는 기준 마크인 오목부에 더스트가 모이지 않도록 매우 얕게 형성(깊이가 3㎛정도)되어 있다. 통상의 광투과형 마스크의 경우, 기준 마크의 상면에 차광막 등의 박막이 형성되지만, 단층 혹은 수층 정도이기 때문에 기준 마크의 깊이가 얕아도, 결함 검사 시의 검사광(190∼260nm 정도의 심(深)자외광 등)에서의 콘트라스트를 얻을 수 있어 기준 마크 위치를 인식할 수 있다.
그렇지만, 이 주표면 상에서 저부(底部)를 향하여 폭이 축소된 단면 형상의 오목부인 기준 마크를 반사형 마스크 블랭크에 적용하고자 하는 경우, 수십 주기의 적층막인 다층 반사막이 그 기준 마크의 상면에 적층되기 때문에, 같은 막 두께의 통상의 차광막에 비해 오목부의 깊이와 폭이 감소하기 쉽고, 깊이가 3㎛ 정도에서는 다층 반사막을 한층씩 적층해 갈 때마다 오목부의 깊이와 폭이 감소되어 검사광(190∼260nm 정도의 심자외광 등)에서의 콘트라스트를 얻을 수 없게 되어 버린다. 또한 이 다층 반사막 상에, 캡핑막, 버퍼막, 흡수체막이 성막되면, 오목부의 깊이는 더욱 감소되어 버린다. 또, 특허문헌 1과 같은 기준 마크를 YAG 레이저의 조사에 의해 형성하는 경우, 기준 마크를 형성한 부분의 에지 러프니스가 커서 이것에 기인하여 기준 마크의 검출 정밀도를 보다 고정밀도로 하는 것이 어려웠다.
광투과형 마스크 블랭크의 경우, 결함으로는 유리 기판에 존재하는 결함과 차광막에 존재하는 결함이 있다. 유리 기판의 결함은 유리 기판의 연마 공정이 종료된 후의 검사에서 결함의 수나 위치에 의해 사용 가부를 선별할 수 있다. 이 때문에, 차광막의 결함 회피가 중요시된다. 차광막의 결함에 대해서는 다 회피할 수 없는 부분에 FIB 등에 의한 결함 수정을 하는 것이 가능하다.
한편, 반사형 마스크 블랭크의 경우, EUV 노광광이 유리 기판을 투과하지 않는 것, 유리 기판 표면의 결함이 다층 반사막에 직접적으로 영향을 주는 것 때문에, 다층 반사막의 결함이 특히 문제가 된다. 다층 반사막 성막 후의 기판에 대해서도 결함 검사를 실시하지만, 다층 반사막의 결함은 기판의 표면 결함, 다층 반사막 성막시의 파티클의 혼입 등, 많은 요인이 있기 때문에, 광투과형 마스크 블랭크에 비해 결함의 발생율이 높아 선별 기준을 너무 엄격하게 하면 제품 수율이 큰 폭으로 악화되어 버린다.
이 때문에, 허용하는 결함의 기준을 내려 다층 반사막의 결함 개소를 노출시키지 않도록(즉, 결함 개소가 흡수체막으로 덮이도록) 전사 패턴을 배치하여 대응할 필요가 있지만, 여기에는 결함의 평면 위치를 높은 정밀도로 특정하는 것이 필수이다.
본 발명은 소정 위치에 기준점 마크가 붙여진 유리 기판 위에 다층 반사막이 성막된 다층 반사막 부착 기판 또는 그 위에 흡수체막이 성막된 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 결함 검사를 할 때에, 기준점 마크 상의 다층 반사막 또는 흡수체막의 가장 표면에 검사광을 조사해도 기준점 마크의 위치와 그 주위의 사이에서 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있어, 기준점 마크의 위치를 높은 정밀도로 식별할 수 있는 것을 제공하는 것을 목적으로 한다.
종래의 기준점 마크는 기판 주표면에 레이저로 물리적으로 단면 형상이 완만한 커브를 가진 오목형상을 형성한 구성이었기 때문에, 기판 주표면 상에서도 주표면과 측벽의 경계 부분인 에지의 콘트라스트는 얻기 어렵고, 주표면 상에 막이 형성된 마스크 블랭크 상태에서는 더욱 에지의 콘트라스트는 얻기 어려운 것이었다. 이 때문에, 결함 검사 장치는 막 면의 기준점 마크가 형성되어 있지 않은 부분과 오목형상의 깊은 부분의 콘트라스트로 기준점 마크를 검출하고 있다. 그러나, 상기와 같이, 반사형 마스크 블랭크의 경우, 다층 반사막, 캡핑막, 버퍼막, 흡수체막 등이 적층되는 구조 때문에, 깊이 3㎛ 정도에서는 흡수체막 면 상에서 콘트라스트를 얻는 것은 곤란했다. 또 기준 마크의 에지 러프니스가 커서 고정밀도의 마크 검출이 곤란했다.
그래서 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명자는 기준점 마크의 에지 부분에서 콘트라스트를 얻을 수 있도록 하기 위해, 기판 표면에 마크 패턴의 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상으로 함으로써, 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있는 기준점 마크를 생각했다. 또, 이와 같은 홈 형상의 기준점 마크로 한 경우, 그 오목형상인 경우의 깊이 또는 볼록형상인 경우의 높이를 30nm 보다 크게 하면, 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명에 관한 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판은 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판으로서, 상기 기판의 다층 반사막이 형성되는 측의 주표면에 있어서의 패턴 형성 영역의 외측 영역에, 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한 다층 반사막은 기준점 마크가 형성된 부분을 포함하는 주표면 상에 상기 다층 반사막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 하면, 다층 반사막을 형성하는 공정에 대해서는 종래와 바꿀 필요가 없다는 메리트가 있다.
반대로, 다층 반사막을 적어도 상기 기준점 마크가 형성된 부분의 주표면 상을 제외하고 형성하도록 해도 된다. 이와 같이 하면, 기준점 마크의 주사에 전자선을 이용한 경우, 열 데미지 등에 의해 영향을 주는 것을 억제할 수 있다.
상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판에 있어서는 기준점 마크를 전자선에 의한 주사로 검출 가능한 깊이로 할 수도 있다. 전자선에 의한 주사의 경우, 종래의 결함 검사에서 이용되는 검사광에 의한 주사에 비해, 기준점 마크와 그 주위의 높낮이 차이가 작아도 검출이 가능하다. 또, 주사하는 전자선의 선 폭이 작기 때문에, 보다 고정밀도의 위치 검출이 가능해진다.
상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판에 있어서는 기준점 마크를, 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상으로 했기 때문에, 에지 부분의 콘트라스트가 얻기 쉬워지므로, 오목형상의 깊이 또는 볼록형상의 높이를 30nm 보다 크게 하는 정도로도 기준점 마크로서 충분히 기능한다. 또한 전자선에 의한 주사의 경우에서, 보다 확실한 검출이 요구되는 경우에는 오목형상의 깊이 또는 볼록형상의 높이를 40nm 이상으로 하면 좋다. 또한 종래의 결함 검사에서 이용되는 검사광에 의한 주사의 경우에 있어서도 보다 확실한 검출이 요구되는 경우에는 50nm 보다 크게 하면 좋다.
상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판에 있어서는 기판과 다층 반사막의 사이에 마크 형성용 박막을 구비하고, 기준점 마크는 마크 형성용 박막에 형성되는 오목형상, 또는 마크 형성용 박막부터 기판에 걸쳐 형성되는 오목형상으로 해도 좋다. 이 경우, 마크 형성용 박막 상에 오목형상의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하고, 그것을 마스크로 하는 드라이 에칭에 의해 마크 형성용 박막에 오목형상을 형성하고, 혹은, 더 나아가 그대로 기판도 드라이 에칭하고, 마크 형성용 박막부터 기판에 걸쳐 오목형상을 형성하여 기준점 마크로 한다. 이에 따라, 기준점 마크를 형성 후, 마크 형성용 박막을 박리할 필요가 없어진다.
또, 마크 형성용 박막을, 기판을 에칭하는 에칭 가스에 대하여 내성을 가지는 재료로 형성해도 좋다. 이 경우, 마크 형성용 박막 상에 오목형상의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하고, 그것을 마스크로 하는 드라이 에칭에 의해 마크 형성용 박막에 오목형상을 형성하며, 혹은, 더 나아가 오목형상의 패턴이 전사된 마크 형성용 박막인 에칭 마스크 패턴을 마스크로 하여 기판을 드라이 에칭하고, 마크 형성용 박막부터 기판에 걸쳐 오목형상을 형성해 기준점 마크로 한다. 이것에 의해서도 기준점 마크를 형성 후, 마크 형성용 박막을 박리할 필요가 없어진다. 또한 레지스트 패턴의 막 두께를 얇게 할 수 있다.
마크 형성용 박막이 도전성을 가지는 재료로 이루어지는 경우는 이하의 효과도 이룬다. 이 다층 반사막 부착 기판 상에, 캡핑막, 버퍼막, 흡수체막 등을 형성하여 반사형 마스크 블랭크를 제조하고, 이것을 기초로 반사형 마스크를 제작한 경우, 반사형 마스크에 EUV 노광광을 계속 조사하면, 다층 반사막에 서서히 대전(帶電)해 간다. 이때 마크 형성용 박막이 도전성을 가지는 재료이면, 그곳으로부터 전자를 방출하는 것이 가능해진다. 특히, 반사형 마스크가 위상 시프트 효과를 이용하는 타입인 것이며, 블라인드 에어리어의 다층 반사막이 제거된 구성인 경우, 블라인드 에어리어 내측의 다층 반사막에 대전한 전자를 마크 형성용 박막으로부터 방출할 수 있어 보다 유효하다.
볼록형상의 기준점 마크의 경우에 있어서, 기판을 형성하는 재료와는 다른 재료로 형성해도 좋다. 이 경우, 기판의 주표면 상에 기판이 에칭되기 어려운 에칭 가스로 에칭 가능한 재료로 이루어지는 마크 형성용 박막을 형성하고, 마크 형성용 박막 상에 볼록형상의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하며, 그것을 마스크로 하는 드라이 에칭에 의해 마크 형성용 박막으로 볼록형상을 형성하고, 이것을 기준점 마크로 한다. 이에 따라, 볼록형상이 형성되는 부분 이외의 기판 주표면의 표면 조도(粗度)나 평탄도의 악화를 확실히 억제할 수 있다. 이 경우의 마크 형성용 박막 재료로서는, 기판에는 유리계 재료가 이용되는 경우가 많기 때문에 유리계 재료가 에칭되기 어려운 에칭 가스인 염소계 가스나, 염소계 가스와 산소의 혼합 가스로 에칭되는 재료가 바람직하다. 염소계 가스로 에칭 가능한 재료로는 산소를 실질적으로 함유하지 않는 탄탈계 재료(예를 들면, Ta, TaB, TaC, TaN, TaBN, TaCN, TaBCN 등)나, 탄탈계 합금 재료(TaHf, TaZr 등)를 들 수 있다. 염소계 가스와 산소의 혼합 가스로 에칭 가능한 재료로는 크롬계 재료(예를 들면, Cr, CrN, CrC, CrO, CrON, CrCN, CrOC, CrOCN 등)나 루테늄계 재료 등을 들 수 있다.
상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판에 있어서는 상기 기준점 마크가 형성되는 위치가 반사형 마스크의 패턴 형성 영역의 외측이며, 더 나아가서는 상기 기판의 바깥 가장자리에서부터 소정 폭만큼 내측이면 적합하다. 또, 기준점 마크는 기판의 주표면측에서 본 형상이 십자형상이면 좋다. 또, 상기 기준점 마크를 3개 이상 갖고, 상기 3개 이상의 기준점 마크가 일직선 상에 늘어서지 않는 위치에 형성되어 있으면 더욱더 적합하다.
또, 본 발명에 관한 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법은 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 주표면 상에, 기준점 마크의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 드라이 에칭하며, 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 기판 주표면의 표면 조도나 평탄도 악화의 우려가 없고, 기준점 마크 형성에 수반하는 결함수 증가도 억제할 수 있다.
또, 본 발명에 관한 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법은 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 주표면 상에, 마크 형성용 박막을 형성하는 공정과, 상기 마크 형성용 박막의 상면에, 기준점 마크의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 마크 형성용 박막을 드라이 에칭하여 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 마크 형성용 박막에 기준점 마크가 형성되기 때문에, 기판을 드라이 에칭하는 공정, 마크 형성용 박막을 박리하는 공정을 실시할 필요가 없는 메리트가 있다. 또, 레지스트 패턴의 박막화를 도모할 수 있다. 특히, 볼록형상의 기준점 마크를 형성하는 경우에는 기판의 평탄도나 표면 조도의 악화를 억제할 수 있다.
본 발명에 관한 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법은 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 주표면 상에, 기판을 에칭하는 에칭 가스에 대해 내성을 가지는 마크 형성용 박막을 형성하는 공정과, 상기 마크 형성용 박막의 상면에, 기준점 마크의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 마크 형성용 박막을 드라이 에칭해서 에칭 마스크 패턴을 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 드라이 에칭해서 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 마크 형성용 박막과 기판에 형성된 오목형상으로 기준점 마크를 형성하기 때문에, 마크 형성용 박막의 막 두께를 보다 얇게 할 수 있어 막응력을 보다 작게 할 수 있다.
상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법에 있어서는 기판에 기준점 마크를 형성 후, 마크 형성용 박막을 박리하는 공정을 가져도 좋다. 다층 반사막을 적어도 상기 기준점 마크가 형성된 부분의 주표면 상을 제외하고 형성하도록 해도 된다. 마크 형성용 박막은 Cr을 주성분으로 하는 재료로 구성되어 있으면 적합하다. Cr을 주성분으로 하는 재료로는 예를 들어 Cr, CrN, CrC, CrO, CrON, CrCN, CrOC, CrOCN 등을 들 수 있다. 크롬계 재료는 염소계 가스와 산소의 혼합 가스로 에칭되는 재료이며, 불소계 가스에 대한 에칭 내성이 매우 높다. 유리계 재료의 기판은 불소계 가스로 에칭되기 쉽고, 염소계 가스와 산소의 혼합 가스에 대한 에칭 내성이 높다. 이 때문에, 크롬계 재료는 유리계 재료의 기판에 대해 매우 높은 에칭 선택성이 얻어지며, 마크 형성용 박막을 박리하는 경우의 기판 주표면의 표면 조도나 평탄도의 악화를 확실히 억제할 수 있다.
이 외에 유리계 재료의 기판에 대한 에칭 선택성이 높은 재료로는 염소계 가스로 에칭 가능한 재료인, 산소를 실질적으로 함유하지 않는 탄탈계 재료(예를 들면, Ta, TaB, TaC, TaN, TaBN, TaCN, TaBCN 등)나, 탄탈계 합금 재료(TaHf, TaZr 등)를 들 수 있다. 또, 염소계 가스와 산소의 혼합 가스로 에칭 가능한 재료로는 루테늄계 재료 등을 들 수 있다. 또한 마크 형성용 박막을 박리하지 않는 경우로서 레지스트 패턴을 마스크로 하여 마크 형성용 박막에만 기준 마크를 형성하는 구성이나, 레지스트 패턴만을 마스크로 하여 마크 형성용 박막과 기판에 기준 마크를 형성하는 구성의 경우는 불소계 가스로 에칭 가능한 재료를 이용해도 문제없이 기준 마크를 형성할 수 있다.
본 발명에 관한 반사형 마스크 블랭크는 상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 위에 노광광을 흡수하는 흡수체막을 가지는 것을 특징으로 한다. 상기 다층 반사막과 상기 흡수체막 사이에 Cr을 주성분으로 하는 버퍼막 또는 Ru를 주성분으로 하는 캡핑막을 가지면 좋다.
본 발명에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법은 상기 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법에 의해 제조된 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 다층 반사막 위에 노광광을 흡수하는 흡수체막을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다. 또, 흡수체막을 형성하는 공정 전에, 상기 다층 반사막 위에 Cr을 주성분으로 하는 버퍼막 또는 Ru를 주성분으로 하는 캡핑막을 형성하는 공정을 가져도 좋다.
본 발명에 관한 반사형 마스크의 제조 방법은 상기 반사형 마스크 블랭크의 상기 흡수체막을 소정 형상으로 패터닝하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관한 다층 반사막 부착 기판에서는 기판상에 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성함으로써, 기준점 마크 위에 다층 반사막을 형성해도, 결함 검사의 검사광이나 전자선으로의 주사에 대한 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있어, 기준점 마크의 위치를 높은 정밀도로 식별할 수 있다. 이에 따라 결함의 위치를, 기준점 마크를 기준으로 ㎛오더의 정밀도로 특정할 수 있는 다층 반사막 부착 기판이 얻어진다. 또한 이 다층 반사막 부착 기판의 상면에 흡수체막 등을 형성하여 반사형 마스크 블랭크를 제작한 경우라도 흡수체막 위에서 검사광을 조사해도 기준점 마크와 그 주위의 사이에서 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있다. 결함의 위치를 ㎛오더의 정밀도로 특정할 수 있으므로, 흡수체막으로의 전사 패턴의 패터닝시, 결함을 정밀도 좋게 회피할 수 있어 결함 프리의 반사형 마스크를 제작할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 반사형 마스크 블랭크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 반사형 마스크 블랭크를 설명하기 위한 단면도이며, 도 1a의 Ib-Ib단면도이다.
도 2a는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 기준점 마크를 설명하기 위한 도면이며, 기준점 마크의 단면 확대도이다.
도 2b는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 기준점 마크를 설명하기 위한 도면이며, 기판 주표면의 윗쪽에서 본(평면에서 본) 도면의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 기준점 마크를 설명하기 위한 도면이다.
도 1b는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 반사형 마스크 블랭크를 설명하기 위한 단면도이며, 도 1a의 Ib-Ib단면도이다.
도 2a는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 기준점 마크를 설명하기 위한 도면이며, 기준점 마크의 단면 확대도이다.
도 2b는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 기준점 마크를 설명하기 위한 도면이며, 기판 주표면의 윗쪽에서 본(평면에서 본) 도면의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 기준점 마크를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면, 실시예 등을 사용해 설명한다. 또한 이러한 도면, 실시예 등 및 설명은 본 발명을 예시하는 것으로, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 발명의 취지에 합치하는 한 다른 실시 형태도 본 발명의 범주에 속할 수 있는 것은 말할 것도 없다.
본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 설명하기 위한 도면을 도 1에 나타낸다. 도 1a가 반사형 마스크 블랭크의 평면도이며, 도 1b가 도 1a의 Ib-Ib단면에 있어서의 단면도이다.
본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(10)는 도 1a에 나타내는 바와 같이, 반사형 마스크 블랭크(10) 위에 코스 얼라이먼트용의 사이즈가 비교적 큰 2개의 기준점 마크(11a)와 사이즈가 작은 기준 마크(11b)를 가진다. 동일 도면에 있어서는 일례로서 2개의 코스 얼라이먼트용 기준 마크(11a)와, 4개의 기준점 마크(11b)를 가지는 예를 나타낸다. 기준점 마크를 형성하는 영역으로는 반사형 마스크 블랭크(10)의 기판 주표면의 평탄도가 양호한 영역이 바람직하지만, 기판 주표면의 연마 공정에 있어서의 연마 특성상, 기판 주표면의 바깥 둘레가장자리측은 평탄도가 악화되기 쉽다. 그러나, 주표면의 중앙측(예를 들면, 기판 중심을 기준으로 한 132mm 사각 영역의 내측)은 반사형 마스크를 제작할 때의 패턴 형성 영역이 되기 때문에, 기준 마크(11a, 11b)를 설치하는 부분은 바깥 둘레가장자리측에 가능한 한 가까운 것이 좋다. 이러한 것을 고려하면, 기준 마크(11a, 11b)는 도 1a의 일점쇄선(A)으로 나타내는 바와 같은, 소정의 평탄도를 확보할 수 있는 영역(예를 들면, 152mm 사각 기판의 경우, 기판 중심을 기준으로 한 134mm 사각 영역)의 내측이며, 그 영역의 경계 근방에 배치하도록 하면 좋다. 또, 기판 주표면의 평탄도를 보다 양호하게 할 수 있는 경우에 있어서는 기준점 마크(11a, 11b)를 기판 주표면의 142mm 사각의 내측 영역에 설치해도 좋고, 또한 기판 주표면의 평탄도가 높은 경우는 146mm 사각의 내측 영역으로 해도 좋다.
또한 반사형 마스크 블랭크(10)의 기준점 마크를 형성하는 측(다층 반사막을 형성하는 측)의 주표면의 형상은 예를 들면 152mm 사각 기판의 경우에 있어서는 142mm 사각의 내측 에어리어에서의 평탄도가 0.3㎛ 이하이며, 또한, 그 형상이 중앙부에서 상대적으로 높고, 주연부에서 상대적으로 낮아지는 볼록형상인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(10)는 도 1b에 나타내는 바와 같이, 기판(12)과, 그 주표면 상에 형성된 다층 반사막(13)과, 그 위에 형성된 버퍼막(14)과, 또한 그 위에 형성된 흡수체막(15)을 가지고, 기판(12)의 이면에 도전막(16)을 적어도 가진다. 다층 반사막(13)은 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조를 가진다. 필요에 따라, 버퍼막(14)을 대신하여 혹은 다층 반사막(13)과 버퍼층 사이에 캡핑막을 가지고 있어도 좋다.
또한 버퍼막(14), 흡수체막(15) 및 도전막(16)을 형성하기 전의, 기판(12) 위에 다층 반사막(13)이 형성된 상태인 것을 다층 반사막 부착 기판이라고 부른다.
다음으로 도 2를 이용하여 기준점 마크(11b)의 형상을 설명한다. 도 2a는 기판(12)에 형성된 기준점 마크(11b)의 단면 확대도이며, 도 2b는 기판 주표면의 윗쪽에서 본(평면시) 도면의 확대도이다. 기준점 마크(11b)의 단면은 도 2b에 나타내는 바와 같이 측벽이 대략 직립한 홈 형상의 오목부(21)로 되어 있다. 또, 기준점 마크(11b)의 기판 주표면의 윗쪽에서 본 형상(평면시)은 도 2b에 나타내는 바와 같이 십자형상이다. 사이즈는 폭(도 2a에 WE로 나타낸다)이 4㎛이상인 것이 바람직하다. 단, 기준점 마크(11b)를 전자선으로 주사하는 경우에는 이 폭보다 작아도 검출은 가능하다. 또, 깊이(도 2a에 DE로 나타낸다)는 30nm 보다 크게 할 필요가 있다. 전자선을 이용한 주사의 경우로, 보다 확실한 검출이 요구되는 경우에는 40nm 이상으로 하면 좋다. 종래의 결함 검사에서 이용되고 있는 검사광에 의한 주사의 경우에 있어서는 50nm 보다 크게 하면 좋다. 특히, 기준점 마크(11b)를 전자선으로 주사하는 경우에 있어서는 기준점 마크(11b)의 깊이가 200nm 보다 크면 검출의 재현성이 저하되는 경향이 있다. 기준점 마크(11b)의 깊이는 적어도 200nm 이하로 하면 재현성이 쉽게 얻어지고, 150nm 이하로 하면 더욱 재현성이 향상되며, 150nm 미만(예를 들면 140nm 이하, 130nm 이하 등)으로 하면 적합하다. 또한 길이(도 2b에 LE로 나타낸다)는 100㎛ 이상이면 좋고, 400㎛ 이상이면 보다 바람직하다. 여기에서 측벽이 대략 직립한 홈 형상이란, 수직 방향(저면에 대해 90°)으로 한정되지 않고, 저면에 대해 80°∼100°정도의 경사 각도이면 기준점 마크로서 충분히 기능한다.
기준점 마크의 검사광이나 전자선으로의 주사를 실시하는 시점에 있어서는 기준점 마크가 있는 위치의 흡수체막(15) 상에 레지스트막이 없는 경우(흡수체막(15)의 전체면에 레지스트막이 형성되어 있지 않은 경우와 기준점 마크가 있는 위치를 포함하는 외주를 제외하는 영역에 레지스트막이 형성되어 있는 경우를 포함한다), 레지스트막이 형성되어 있는 경우, 레지스트막이 형성되고 또한 그 상층에 전자선 묘화시의 도전성 확보를 위한 도전성 코트막이 형성되어 있는 경우가 있다. 어떤 경우에 있어서도 상기의 조건이면 기준점 마크는 충분히 기능한다.
기준 마크(11b)는 사이즈가 작아 육안으로 위치를 어림잡는 것은 곤란하다. 또, 검사광이나 전자선으로 갑자기 기준 마크(11b)를 주사하는 방법도 있지만, 검출에 시간이 걸리는 것이나, 기준점 마크(11b) 위에 레지스트막이 형성되어 있는 경우에는 주사시의 검사광에 의해 레지스트 감도가 변화해 버리는 부분이 발생할 우려가 있으며, 특히 전자선에 의한 주사에서는 레지스트를 감광시켜 버리는 부분이 발생할 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다. 이 때문에, 기준 마크(11b)보다 사이즈가 큰 코스 얼라이먼트용의 기준 마크(11a)를 설치하는 것이 바람직하다. 기준점 마크(11a)의 폭(WE)이나 깊이(DE)에 대해서는 기준 마크(11b)와 동일한 정도 이상의 크기이면 충분히 검출 가능하다. 또, 길이(LE)에 대해서는 기준 마크(11a)의 10배 이상(1000㎛ 이상, 보다 바람직하게는 4000㎛ 이상) 이면 좋다. 또, 도 1a에서는 기준 마크(11a)를 2개소 설치하는 구성으로 했지만, 3개소 혹은 4개소 이상으로 해도 된다. 또, 기준 마크(11b)에 대해서도 도 1a에서는 4귀퉁이에 1개소씩으로 했지만, 각 귀퉁이에 2개소 이상 설치해도 된다.
또한 기준점 마크(11a, 11b)로는 상기와 같은 평면시로 십자형상인 구성 외에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 기준점 마크의 중심으로 하고 싶은 중심점에 대해서 상하 좌우 등간격으로 직사각형상의 오목부(31)를 설치하고, 이것을 기준점 마크(11a, 11b)로 한 구성을 생각할 수 있다. 폭(WE), 깊이(DE), 길이(LE) 등의 사이즈는 도 2b에 나타내는 십자형상과 같은 것으로 좋다.
다음으로, 기판(12)에 기준점 마크(11a, 11b)를 형성하는 방법을 설명한다. 기준점 마크(11a, 11b)는 이하에 나타내는 공정에 따라 드라이 에칭에 의해 형성할 수 있다. 또한 여기에서는 기판(12)의 일례로서 유리 기판을 이용한 예를 나타낸다.
<기준점 마크 형성 프로세스>
(1) 기판(12) 상면에, 마크 형성용 박막으로서, Cr계 막(CrN, CrO, CrC, CrON, CrCN, CrOC, CrOCN 등을 들 수 있지만, 저막응력의 관점에서 고려하면 CrOCN가 최적이다)을 성막한다.
(2) 상기 Cr계 막의 상면에 전자선 묘화용 레지스트막(후지 필름 FEP-171 등)을 형성한다.
(3) 상기 레지스트막에, 기준점 마크(11)의 패턴을 전자선 묘화하고, 현상 처리를 실시하여, 기준점 마크(11) 이외의 부분에 현상 후의 레지스트막이 남는 패턴을 형성한다.
(4) Cl2가스와 O2가스의 혼합 가스로 Cr계 막을 드라이 에칭(혹은, 황산 제 2 세륨 암모늄과 과염소산의 혼합액 등의 웨트 에칭액으로 웨트 에칭)하여, Cr계 막에 기준점 마크의 에칭 마스크 패턴을 전사한다.
(5) 레지스트막을 박리한다.
(6) CF4가스 등의 불소계 가스와 He가스의 혼합 가스로 유리 기판을 드라이 에칭하여, 유리 기판에 기준점 마크(11)를 형성한다. 또한 Cr계 막은 이 혼합 가스에 대해 내성을 가지므로, 에칭 마스크로서 기능한다.
(7) Cr계 막을 웨트 에칭액으로 웨트 에칭에 의해 박리, 혹은 Cl2가스와 O2가스의 혼합 가스로 드라이 에칭에 의해 박리한다.
상기의 프로세스에 의해 유리 기판에 기준점 마크(11)를 형성할 수 있다.
또한 오목형상의 기준점 마크(11)를 형성 후, 마크 형성용 박막을 박리함으로써 기판 주표면의 표면 결함이 증가하는 경우가 있다. 표면 결함의 증가를 확실히 억제하고 싶은 경우에는 기준점 마크(11)를 형성 후, 기판 주표면의 가장 표층(예를 들면, 5∼10nm 정도)을 연마에 의해 제거하고, 종래와 같은 세정을 실시하는 것이 바람직하다. 이 경우의 연마로서는 콜로이달 실리카 등의 연마 지립를 이용한 비접촉 연마, 자성 유체를 이용한 MRF 연마, CMP, 콜로이달 실리카를 이용한 유성톱니바퀴 운동에 의한 단시간 연마 등을 들 수 있다. 또, 이 경우, 기준점 마크(11)의 깊이는 식별 가능한 깊이로 상기의 연마 여유분을 가산한 깊이로 하면 된다.
(실시예 1∼8, 비교예 1)
이하, 실시예 1∼8 및 비교예 1로서 도 2a, 도 2b에 나타내는 형상의 기준점 마크를 붙인 유리 기판을 이용하여 반사형 마스크 블랭크를 제작하고, 기준점 마크의 식별의 양부(良否)를 조사한 결과를 나타낸다. 우선, 기판으로서는 6인치 사각(약 152 mm×152mm×6.35mm)의 유리 기판을 이용하고, 기준점 마크(11a, 11b)를 기판 주표면의 중심을 기준으로 한 134mm 사각의 내측 에어리어로서, 기준점 마크(11a, 11b)의 바깥 둘레가장자리측이 그 에어리어의 경계에 접하도록, 도 1a에 나타내는 위치에 각각(기준점 마크(11a)를 2개소, 기준점 마크(11b)를 4개소) 설치했다.
기준점 마크는 상기에서 설명한 드라이 에칭을 이용한 프로세스로 오목부를 형성했다. 드라이 에칭의 조건 등을 바꿈으로써, 기준점 마크(11b)의 사이즈가 다른 여러 종류의 유리 기판을 준비했다.
기준점 마크(11a, 11b)의 형성은 최초로 기판의 주표면에, CrOCN(Cr:O:C:N=33:36:20:11 원자%비)로 이루어지는 마크 형성용 박막을 10nm의 막 두께로 저응력이 되도록 성막했다. 다음으로, 레지스트막으로서 마크 형성용 박막의 상면에 전자선 묘화용 화학 증폭형 레지스트(FEP-171: 후지 필름 일렉트로닉스 매트리얼사 제조)를 300nm의 막 두께로 형성했다. 그리고 레지스트막에 기준점 마크의 패턴을 전자선 묘화하고, 계속해서 현상 처리를 실시함으로써, 기준점 마크의 레지스트 패턴을 형성했다. 이때, 기준점 마크(11b)의 레지스트 패턴은 깊이(DE)를 100nm∼30nm의 여러 종류, 폭(WE)을 4㎛∼1㎛의 여러 종류로 하고, 십자형상의 길이(LE)를 400㎛로 했다. 또한 기준점 마크(11a)에 대해서는 기준점 마크(11b)보다 사이즈가 크기 때문에 비교 대상으로는 하지 않고, 레지스트 패턴을 깊이(DE)가 100nm, 폭(WE)이 4㎛, 길이(LE)가 4000㎛의 고정으로 했다.
다음으로, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 Cl2가스와 O2가스의 혼합 가스로 마크 형성용 박막을 드라이 에칭해서 마크 형성용 박막에 기준점 마크의 패턴을 전사했다. 또한 마크 형성용 박막의 패턴(에칭 마스크 패턴)을 마스크로 하여 CF4가스와 He가스의 혼합 가스로 유리 기판을, 주표면으로부터의 깊이(DE)가 100nm∼30nm가 되도록 드라이 에칭했다. 마지막으로, 남아 있는 에칭 마스크막을 Cl2가스와 O2가스의 혼합 가스로 드라이 에칭하여 박리했다.
이상의 프로세스에 따라, 유리 기판에 기준점 마크(11a, 11b)를 형성했다.
다음으로, 유리 기판의 기준점 마크(11a, 11b)를 형성한 주표면 상(기준점 마크를 형성한 부분을 포함한다)에 다층 반사막을 형성하여 다층 반사막 부착 기판을 제조했다. 다층 반사막 부착 기판의 제조는 우선 상기 기판상에, 이온 빔 스퍼터링에 의해, EUV 노광광의 파장인 13∼14nm 영역의 반사막으로서 적합한 Si층(저굴절률층)과 Mo층(고굴절률층)을 적층하여 합계 두께 291nm의 다층 반사막(최초로 Si층을 4.2nm 성막하고, 다음으로 Mo층을 2.8nm 성막하며, 이것을 1 주기로서 40 주기 적층한 후, 마지막에 Si막을 11nm 성막)을 형성했다. Mo층의 성막에 대해서는 Mo 타겟으로부터의 비산 입자가 기판의 수직 방향에 대해서 63°기울어져서 입사(사선 입사 성막)하도록 했다. 또, Si층의 성막에 대해서는 Si타겟으로부터의 비산 입자가 기판의 수직 방향으로 입사(직선 입사 성막)하도록 했다.
다음으로, 이 다층 반사막 부착 기판을 기초로 반사형 마스크 블랭크를 제조했다. 상기 다층 반사막의 상면에, 질화 크롬(CrN:N=10 원자%)으로 이루어지는 버퍼막을 형성했다. 성막은 DC마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 실시하고, 막 두께는 10nm로 했다. 또한 그 위에, 탄탈 붕소 질화물(TaBN)로 이루어지는 흡수체막을, 막 두께 50nm로 성막했다. 성막은 DC마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 실시하고, TaB 합금 타겟(Ta:B=80:20 원자%비)으로 스퍼터 가스로서 크세논(Xe) 가스와 질소 가스(N2)의 혼합 가스(Xe:N2=12.9:6 유량비)를 이용하여 실시했다.
또, 유리 기판의 이측(裏側)에는 질화 크롬(CrN:N=10 원자%)으로 이루어지는 도전막을 막 두께 70nm로 형성했다. 성막은 DC마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 실시했다.
상기와 같은 방법으로 제조한, 기준점 마크(11b)의 형상(폭(WE) 및 깊이(DE))이 다른 여러 종류의 반사형 마스크 블랭크에 대해 기준점 마크의 인식의 양부를 확인했다. 기준점 마크의 인식의 양부는 종래부터 이용되고 있는 검사광에 의한 결함 검사기의 하나인 KLA-Tencor사 제조의 마스크 검사기 KLA-5 Series를 이용한 경우와, 전자선을 이용한 경우의 각각의 검출 방법으로, 여러 가지 폭 및 깊이의 기준점 마크에 대해 확인했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 검사광을 이용한 기준점 마크 검출의 경우에는 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 60nm 이상인 것(실시예 1, 2)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게 인식할 수 있었지만, 깊이(DE)가 50nm 이하인 것(실시예 3, 4, 5, 비교예 1)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게는 인식할 수 없었다. 또, 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 60nm 이며, 폭(WE)을 4㎛∼1㎛로 폭을 좁게 하여도(실시예 2, 6, 7, 8) 양호하게 식별할 수 있어 차이는 없었다.
또, 전자선을 이용한 기준점 마크 검출의 경우에는 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 35nm 이상인 것(실시예 1, 2, 3, 4, 5)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게 인식할 수 있었지만, 깊이(DE)가 35nm 미만인 것(비교예 1)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게는 인식할 수 없었다. 또, 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 60nm 이며, 폭(WE)을 4㎛∼1㎛로 폭을 좁게 하여도(실시예 2, 6, 7, 8) 양호하게 식별할 수 있어 차이는 없었다.
(실시예 9∼16, 비교예 2)
이하, 실시예 9∼16 및 비교예 2로서, 도 2b에 나타내는 형상의 기준점 마크(11a, 11b)를 붙인 유리 기판을 이용하여 반사형 마스크 블랭크를 제작하고, 기준점 마크의 식별 양부를 조사한 결과를 나타낸다. 실시예 1∼8 및 비교예 1과 다른 점은 실시예 9∼16 및 비교예 2에 있어서는 기준점 마크가 부착된 부분에는 반사 다층막을 형성하지 않는 점이다.
본 실시예에서는 실시예 1∼8 및 비교예 1의 경우와 같은 기판을 이용하여 같은 방법으로 사이즈가 다른 기준점 마크(11a, 11b)를 형성하고, 여러 종류의 기판을 준비했다.
다음으로 실시예 1∼8 및 비교예 1의 경우와 같은 방법으로, 유리 기판의 기준점 마크를 형성한 주표면 상에 다층 반사막을 형성하여 다층 반사막 부착 기판을 제조했다. 단, 본 실시예에서는 기준점 마크를 형성한 부분에는 다층 반사막을 형성하지 않았다.
다음으로, 실시예 1∼8 및 비교예 1의 경우와 마찬가지로, 이 다층 반사막 부착 기판의 상면에 버퍼막, 흡수체막을 형성하고, 기판의 반대측의 주표면에 도전막을 형성하여 반사형 마스크 블랭크를 제조했다. 이때, 버퍼막, 흡수체막은 다층 반사막을 형성하지 않았던 부분(기준점 마크를 형성한 부분을 포함하는 영역)에도 형성하도록 했다.
상기와 같은 방법으로 제조한, 기준점 마크(11b)의 사이즈(폭(WE) 및 깊이(DE)가 다른 여러 종류의 반사형 마스크 블랭크에 대해서 기준점 마크의 인식의 양부를, 실시예 1∼8과 마찬가지의 방법으로 확인했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
표 2
표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 검사광을 이용한 기준점 마크 검출의 경우에는 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 60nm 이상인 것(실시예 9, 10)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게 인식할 수 있었지만, 깊이(DE)가 50nm 이하인 것(실시예 11, 12, 13, 비교예 2)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게는 인식할 수 없었다. 또, 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 60nm 이며, 폭(WE)을 4㎛∼1㎛로 폭을 좁게 해도(실시예 10, 14, 15, 16) 양호하게 식별할 수 있어 차이는 없었다.
또, 전자선을 이용한 기준점 마크 검출의 경우에는 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 35nm 이상인 것(실시예 9, 10, 11, 12, 13)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게 인식할 수 있었지만, 깊이(DE)가 35nm 미만인 것(비교예 2)에 대해서는 기준점 마크(11b)를 양호하게는 인식할 수 없었다. 또, 기준점 마크(11b)의 깊이(DE)가 60nm 이며, 폭(WE)을 4㎛∼1㎛로 폭을 좁게 해도(실시예 10, 14, 15, 16) 양호하게 식별할 수 있어 차이는 없었다.
이상의 결과에서는 기준점 마크(11b) 위에 다층 반사막을 형성한 경우와, 형성하지 않는 경우의 사이에서는 기준점 마크(11b)의 검출에 관해서는 특별히 차이는 생기지 않았다.
또한 본 발명에 관한 반사형 마스크 블랭크를 이용하여 반사형 마스크를 제조하기 위해서는 기준점 마크를 양호하게 인식할 수 있으므로, 반사형 마스크 블랭크 내의 결함의 위치를 정밀도 좋게 특정할 수 있고, 흡수체막으로의 전사 패턴의 패터닝 시에, 결함을 정밀도 좋게 회피한 다음 패터닝함으로써, 결함이 적은 반사형 마스크를 제조할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는 기준점 마크를, 측벽이 대략 직립한 오목형상으로 했지만, 이것에는 한정되지 않고, 측벽이 대략 직립한 볼록형상에서도 같은 효과가 얻어진다. 또, 다층 반사막과 흡수체막 사이에 질화 크롬으로 이루어지는 버퍼막을 형성했지만, 다층 반사막과 흡수체막 사이에 Ru를 주성분으로 하는 캡핑막을 형성해도 좋다. 이 캡핑막의 막 두께는 2nm 에서 5nm 정도의 범위로 하면 좋다.
또한, 흡수체층의 상면에 탄탈 붕소 산화물(TaBO)로 이루어지는 저반사층을 형성해도 좋다. 층의 두께를 15nm 로 하면 적합하고, 성막은 DC마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 실시하고, TaB 합금 타겟(Ta:B=80:20 원자%비)으로, 스퍼터 가스로서 아르곤(Ar) 가스와 산소 가스(O2)의 혼합 가스(Ar:O2=58:32.5 유량비)를 이용해 실시할 수 있다.
또, 상기 실시 형태에 있어서의 재료, 사이즈, 처리 순서 등은 일례이며, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에 있어서 여러 가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한, 적절히 변경하여 실시하는 것이 가능하다.
10: 반사형 마스크블랭크 11a, 11b: 기준점 마크
12: 기판 13: 다층 반사막
14: 버퍼막 15: 흡수체막
16: 도전막
12: 기판 13: 다층 반사막
14: 버퍼막 15: 흡수체막
16: 도전막
Claims (24)
- 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판으로서, 상기 기판의 다층 반사막이 형성되는 측의 주표면에 있어서의 패턴 형성 영역의 외측 영역에, 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크가 형성되어 있는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 다층 반사막은 상기 기준점 마크가 형성된 부분을 포함하는 주표면 상에 상기 다층 반사막이 형성되어 있는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 다층 반사막은 적어도 상기 기준점 마크가 형성된 부분의 주표면 상을 제외하고 형성되어 있는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기준점 마크는 전자선 주사로 검출 가능한 깊이의 오목형상 또는 전자선 주사로 검출 가능한 높이의 볼록형상을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기준점 마크는 오목형상의 깊이 또는 볼록형상의 높이가 30nm보다 큰 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판과 상기 다층 반사막 사이에 마크 형성용 박막을 구비하고, 상기 기준점 마크는 상기 마크 형성용 박막에 형성된 오목형상, 또는 상기 마크 형성용 박막으로부터 기판에 걸쳐 형성된 오목형상으로 이루어지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 6 항에 있어서,
상기 마크 형성용 박막은 기판을 에칭하는 에칭 가스에 대해서 내성을 가지는 재료로 형성되어 있는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기준점 마크는 볼록형상으로서 기판을 형성하는 재료와는 다른 재료로 형성되는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기준점 마크가 형성되는 위치가 상기 기판의 바깥 가장자리에서부터 소정 폭만큼 내측인 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기준점 마크는 기판의 주표면측에서 본 형상이 십자형상인 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기준점 마크를 3개 이상 갖고, 상기 3개 이상의 기준점 마크가 일직선상으로 늘어서지 않는 위치에 형성되어 있는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판. - 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 주표면 상에, 기준점 마크의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 드라이 에칭해서 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성하는 공정을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법.
- 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 주표면 상에, 마크 형성용 박막을 형성하는 공정과, 상기 마크 형성용 박막의 상면에, 기준점 마크의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 마크 형성용 박막을 드라이 에칭해서 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성하는 공정을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법.
- 기판과, 상기 기판의 주표면 상에, 고굴절률 재료를 주성분으로 하는 고굴절률층과 저굴절률 재료를 주성분으로 하는 저굴절률층이 교대로 적층된 구조의 다층 반사막을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법으로서, 상기 기판의 주표면 상에, 기판을 에칭하는 에칭 가스에 대해서 내성을 가지는 마크 형성용 박막을 형성하는 공정과, 상기 마크 형성용 박막의 상면에, 기준점 마크의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 마크 형성용 박막을 드라이 에칭해서 에칭 마스크 패턴을 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 드라이 에칭해서 측벽이 대략 직립한 오목형상 또는 볼록형상인 기준점 마크를 형성하는 공정을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,
기판에 기준점 마크를 형성 후, 마크 형성용 박막을 박리하는 공정을 가지는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법. - 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
다층 반사막을 형성하는 공정에서는 적어도 기준점 마크가 형성된 부분의 주표면 상을 제외하고 형성하는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법. - 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마크 형성용 박막은 Cr을 주성분으로 하는 재료로 구성되어 있는 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재한 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 위에 노광광을 흡수하는 흡수체막을 가지는 반사형 마스크 블랭크.
- 제 18 항에 있어서,
상기 다층 반사막과 상기 흡수체막 사이에 Cr을 주성분으로 하는 버퍼막을 가지는 반사형 마스크 블랭크. - 제 18 항에 있어서,
상기 다층 반사막과 상기 흡수체막 사이에 Ru를 주성분으로 하는 캡핑막을 가지는 반사형 마스크 블랭크. - 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재한 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 제조 방법에 의해 제조된 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판의 다층 반사막 위에 노광광을 흡수하는 흡수체막을 형성하는 공정을 가지는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제 21 항에 있어서,
상기 흡수체막을 형성하는 공정 전에, 상기 다층 반사막 위에 Cr을 주성분으로 하는 버퍼막을 형성하는 공정을 가지는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 21 항에 있어서,
상기 흡수체막을 형성하는 공정 전에, 상기 다층 반사막 위에 Ru를 주성분으로 하는 캡핑막을 형성하는 공정을 가지는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 18 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재한 반사형 마스크 블랭크의 상기 흡수체막을 소정의 형상으로 패터닝하는 공정을 가지는 반사형 마스크의 제조 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140121812A (ko) * | 2012-02-10 | 2014-10-16 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 마스크 블랭크 및 그들의 제조방법, 반사형 마스크 그리고 마스크 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012084363A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for monitoring the integrity of an article, and euv optical apparatus incorporating the same |
| US9875574B2 (en) * | 2013-12-17 | 2018-01-23 | General Electric Company | Method and device for automatically identifying the deepest point on the surface of an anomaly |
| US10586341B2 (en) | 2011-03-04 | 2020-03-10 | General Electric Company | Method and device for measuring features on or near an object |
| US10157495B2 (en) * | 2011-03-04 | 2018-12-18 | General Electric Company | Method and device for displaying a two-dimensional image of a viewed object simultaneously with an image depicting the three-dimensional geometry of the viewed object |
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| JP5935804B2 (ja) | 2011-09-01 | 2016-06-15 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2013135194A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
| JP6460619B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2019-01-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP6111243B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2017-04-05 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| US8962222B2 (en) * | 2012-06-13 | 2015-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask and method for forming the same |
| WO2014050891A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP6114009B2 (ja) * | 2012-11-13 | 2017-04-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| US10067419B2 (en) * | 2013-02-22 | 2018-09-04 | Hoya Corporation | Method for manufacturing reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask |
| JP5970021B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2016-08-17 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法 |
| US9818039B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-11-14 | General Electric Company | Method and device for automatically identifying a point of interest in a depth measurement on a viewed object |
| JP6469469B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2019-02-13 | 富士通コンポーネント株式会社 | 光導波路モジュール |
| JP6586934B2 (ja) | 2015-09-17 | 2019-10-09 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2017075997A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR20180072036A (ko) | 2016-12-20 | 2018-06-29 | 삼성전자주식회사 | 마스크 처리 장치 및 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100306471B1 (ko) * | 1990-07-16 | 2001-11-30 | 에이에스엠 리소그라피 비.브이. | 마스크패턴투영장치 |
| JP2003248299A (ja) | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Toshiba Corp | マスク基板およびその製造方法 |
| JP2004193269A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2007273678A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2008041740A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05158218A (ja) | 1991-12-10 | 1993-06-25 | Hitachi Ltd | マスク基板および描画方法 |
| JP2000077306A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 反射マスクおよびｘ線投影露光装置 |
| JP2001033941A (ja) | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び露光装置 |
| JP4594745B2 (ja) | 2005-01-14 | 2010-12-08 | パナソニック株式会社 | 反射防止構造体を有する部材の製造方法 |
| JP4693451B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-06-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| US7504185B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-03-17 | Asahi Glass Company, Limited | Method for depositing multi-layer film of mask blank for EUV lithography and method for producing mask blank for EUV lithography |
| WO2008129914A1 (ja) | 2007-04-17 | 2008-10-30 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖマスクブランク |
| JP4663749B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2011-04-06 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの検査方法および製造方法 |
-
2010
- 2010-03-23 WO PCT/JP2010/054923 patent/WO2010110237A1/ja active Application Filing
- 2010-03-23 JP JP2011506042A patent/JP5420639B2/ja active Active
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- 2010-03-23 KR KR1020117021769A patent/KR101650370B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-25 TW TW99108939A patent/TWI468852B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100306471B1 (ko) * | 1990-07-16 | 2001-11-30 | 에이에스엠 리소그라피 비.브이. | 마스크패턴투영장치 |
| JP2003248299A (ja) | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Toshiba Corp | マスク基板およびその製造方法 |
| JP2004193269A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2007273678A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2008041740A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140121812A (ko) * | 2012-02-10 | 2014-10-16 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 마스크 블랭크 및 그들의 제조방법, 반사형 마스크 그리고 마스크 |
| KR20210010669A (ko) * | 2012-02-10 | 2021-01-27 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 마스크 블랭크 및 그들의 제조방법, 반사형 마스크 그리고 마스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP5420639B2 (ja) | 2014-02-19 |
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