KR20120001736A - 압력 감지 터치 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 압력 감지 터치 장치는 제1 기판, 제1 기판 상에 형성된 전도층, 제2 기판, 제1 전극 패턴, 제2 전극 패턴, 및 마이크로프로세서를 포함한다. 전도층과 제1 전극 패턴이 서로 물리적 접촉을 하지 않을 정도로 사용자가 터치 장치의 터치 작동 표면을 터치하면, 터치 장치는 용량성 터치 위치 감지 모드로 설정된다. 사용자가 터치 장치의 터치 작동 표면을 세게 누르거나 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 수기 입력 작업을 수행하면, 전도층이 제1 전극 패턴과 물리적으로 접촉하게 되고, 터치 장치가 저항성 터치 위치 감지 모드로 설정된다.

Description

압력 감지 터치 제어 장치{PRESSURE SENSITIVE TOUCH CONTROL DEVICE}
본 발명은 터치 장치에 관한 것으로, 특히 용량성(capacitive) 및 저항성(resistive) 터치 제어 작동들을 결합한 압력 감지 터치 장치(pressure detectable touch device)에 관한 것이다.
저항성 터치 패널은 인듐-주석 산화물(Indium-Tin-Oxide; ITO) 필름 및 ITO 유리 같은 전기적 전도성 유리 시트(sheet)를 포함하는데, 이는 복수의 적절하게 분포된 절연 스페이서들(insulation spacers)에 의해 서로 이격된다. ITO 필름과 ITO 유리 사이에 적용되는 미리 결정된 구동 전압을 이용하여, 스타일러스(stylus)와 같은 터치 물체(touching object)가 ITO 필름을 터치하고 누르면, 아날로그 신호에서 디지털 신호로의 전환을 통하여, 터치되는 지점의 위치 좌표의 계산과 결정을 위해 프로세싱되는 마이크로프로세서에 적용되는 전압의 변화를 유도하는 아래에 위치한 ITO 글래스와 접촉하게 하는 국지적 눌림(local depression)이 형성된다.
용량성 터치 패널은 터치되는 지점의 위치 좌표가 결정될 수 있는 유도 전류를 생성하기 위해 일반적으로 투명 전극들과 전도체 사이에 배열된 전기적 용량 커플링의 변화를 이용한다. 용량성 터치 패널의 구조에서, 가장 바깥쪽 층은 경화 공정을 거친 실리콘 다이옥사이드(silicon dioxide)로 만들어진 얇은 투명 기판이고, 제2 층은 ITO층이다. 균일 전계가 유리 시트의 표면 상에 형성된다. 사용자의 손가락과 같은 터치 물체가 화면을 구성하는 투명 기판의 표면을 터치하게 되면, 터치 물체는 외부 전도층 상에서 전계와의 전기적 용량 커플링을 유도하여, 미세한 전류 변화를 가져온다. 각각의 전극은 각각의 모서리로부터의 전류 측정을 책임지고 그리고 나면 마이크로프로세서가 터치 물체의 위치 좌표를 결정하기 위한 계산을 수행한다.
그러나, 저항성 터치 패널과 용량성 터치 패널은 모두 그것의 작동에 있어서 어떠한 한계를 겪고 결점을 갖는다. 저항성 터치 패널은, 비록 저비용이라는 장점을 가질지라도, 그것의 작동 시에 구동 전도층과 감지 전도층 사이의 물리적 접촉의 유발을 필요로 한다. 그러므로, 압력이 상당한 정도로 적용되어야 한다. 이는 종종 전도층들의 손상을 가져 온다. 또한, 민감도가 낮다. 반면, 높은 민감도를 가졌을지라도, 용량성 터치 패널은, 그것의 작동 원리로 인해, 그것을 통해 전류를 전도하기 위해 사용자의 손가락 또는 터치 헤드(touch head)와 같은 도체의 터치 물체로 작동되어야 한다. 용량성 터치 패널은 절연의 터치 물체로 작동될 수 없다.
또한, 터치 입력 수단들이 갖춰진 전자 장치에는, 수기 입력이 통상적으로 채택된다. 수기 입력을 수행하기 위해, 사용자는 보통 미리 결정된 압력으로 터치 스타일러스를 잡기 위해 손을 사용하고 규칙적인 방법으로 쓴다. 그러고 나면 전자 장치의 터치 작동 표면(touch operation surface)은 연속적인 위치 좌표들을 발생시킬 수 있고 마이크로프로세서는 감지된 위치 좌표들에 따라 터치 작동 표면 상의 쓰기 흔적(wriing trace)을 계산하고 결정한다. 수기 입력을 감지할 때에 용량성 터치 패널이 겪는 일반적인 문제들은 매끄럽지 않은 쓰기 동작과 좋지 못한 감지 결과이다.
그러므로, 본 발명의 목적은 사용자가 터치 장치를 터치하고 작동하는 서로 다른 방식에 따라 서로 다른 터치 위치 감지 모드들 사이에서 전환하는 터치 장치를 제공하는 것으로, 사용자가 터치 장치의 터치 작동 표면을 부드럽게 터치하면, 터치 장치는 용량성 터치 위치 감지 모드로 작동하고, 사용자가 터치 장치의 터치 작동 표면을 세게 누르거나 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 수기 입력 작업을 수행하면, 터치 장치는 저항성 터치 위치 감지 모드로 작동한다.
상술한 문제들을 극복하기 위해 본 발명에서 쓰는 기술적 해결책은 터치 물체에 의해 적용되는 터치 동작을 감지하기 위해 용량성 및 저항성 터치 작동 모드들을 결합하는 터치 장치이다. 터치 장치는 전도층, 제1 전극 패턴, 제2 전극 패턴, 및 마이크로프로세서를 포함한다. 전도층은 제1 기판 상에 형성되고 구동 전압이 적용된다. 제1 전극 패턴은 전도층에 대한 제1 정전용량(capacitance)을 형성하고 제2 전극 패턴은 전도층에 대한 제2 용량을 형성한다.
사용자가 터치 장치의 터치 작동 표면을 터치하면, 작동 위치에서 전도층이 눌려져서, 전도층과 제1 전극 패턴 사이의 거리 변화와 또한 전도층과 제2 전극 패턴 사이의 거리 변화를 야기한다. 그 결과, 전도층과 제1 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링 및 전도층과 제2 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링이 변화되고, 터치 장치가 용량성 터치 위치 감지 모드로 작동하도록 설정된다. 마이크로프로세서는 전도층과 제1 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화 및 전도층과 제2 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화에 따라 전도층 상에서의 터치 물체의 작동 위치를 계산하고 결정한다.
사용자가 터치 장치의 터치 작동 표면을 강하게 누르거나, 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 수기 입력 동작을 수행하면, 작동 위치에서 전도층이 눌려져서, 전도층이 제1 전극 패턴의 스트립형 전극들과 접촉하게 되어 그 사이의 거리가 0으로 되는데, 이는 터치 장치를 저항성 터치 위치 감지 모드로 작동하도록 설정한다. 눌려지는 전도층은 제1 전극 패턴과 물리적 접촉을 하고 마이크로프로세서는 눌려지는 제1 전극 패턴의 전압 변화에 따라 전도층 상에서의 터치 물체의 적어도 하나의 작동 위치를 계산하고 결정한다.
본 발명에서 쓰인 기술적 해결책을 이용하여, 본 발명의 압력 감지 터치 장치는, 간단한 스캐닝 감지 프로세스와 통합되어, 용량성 터치 패널 또는 저항성 터치 패널 중 어느 하나의 터치 작동 모드로 작동 가능하다. 종래의 저항성 터치 패널 또는 용량성 터치 패널에서 사용할 수 있는 터치 물체에 대한 제약이 제거될 수 있고 터치 장치의 터치 제어 작동이 간소화된다. 터치 장치는 서로 다른 작동 방식들에 따라 최적의 터치 제어 모드로 선택적으로 작동될 수 있다. 본 발명에 의해 제공되는 설계는 터치 장치 및 두 개의 터치 제어 작동 모드들의 조합에 대한 특성의 응용 범위를 넓힌다.
본 발명은 터치 장치를 이용하는 사용자의 서로 다른 작동 행태에 따라 적절한 터치 위치 감지 모드로 자동적으로 전환할 수 있다. 본 발명은 종래의 용량성 터치 패널들에서 발견되는 매끄럽지 못한 수기 입력 및 좋지 못한 감지 결과의 문제들을 효과적으로 해결하기 위해 수기 입력이 적용되는 터치 장치의 응용들에서 특히 적합하다.
본 발명은 도면들을 참고로 하여 그것의 바람직한 실시예들에 대한 다음의 설명을 읽음으로써 당업자들에게 명백할 것으로, 여기서:
도 1은 본 발명에 따른 제1 실시예의 시스템 블록도를 도시하며;
도 2는 도 1의 주요 구성 요소들의 분해도를 도시하며;
도 3은 도 1의 제1 기판 및 제2 기판이 서로 본딩된 이후의 제1 전극 패턴 및 제2 전극 패턴 사이의 상대적 위치 관계를 도시하며;
도 4는 도3의 4-4 선에 따른 단면도를 도시하며;
도 5는 본 발명의 제1 실시예의 제2 기판의 상면도를 도시하며;
도 6은 본 발명의 제2 실시예의 제2 기판의 상면도를 도시하며;
도 7a 및 7b는 사용자의 손가락에 의해 작동되는 본 발명에 따른 터치 장치를 도식적으로 도시하며;
도 8은 도 7a 및 7b에서 도시된 각각의 터치 위치에 대응하는 정전용량을 열거하는 표를 보여주며;
도 9는 터치 물체로 작동되는 본 발명의 터치 장치를 도식적으로 도시하며;
도 10은 도 9의 터치 물체 사용에 의한 작동을 도시하는 본 발명의 시스템 블록도를 도시하며;
도 11a, 11b, 및 11c는 본 발명에 따른 터치 장치 상에서의 터치 물체 사용에 의한 수기 입력 작동을 도시하며;
도 12는 도 11a, 11b, 및 11c에 도시된 수기 작동에 관련한 시스템 블록도를 도시하며;
도 13은 본 발명에 따른 제3 실시예의 시스템 블록도를 도시하고;
도 14는 본 발명의 제3 실시예의 단면도를 도시한다.
도면들 및 특히 본 발명에 따른 제1 실시예의 시스템 블록도를 도시하는 도 1, 도 1의 주요 구성 요소들의 분해도를 도시하는 도 2와 관련하여, 본 발명은 제1 기판(10), 제2 기판(20), 및 마이크로프로세서(30)를 포함하는 터치 장치(100)를 제공한다.
제1 기판(10)은 전도층 본딩면(conductive layer bonding surface, 11) 및 터치 작동 표면(12)을 갖는 투명 절연 필름을 포함한다(도 4에서도 역시 도시됨). 제1 기판(10)의 전도층 본딩면(11)은 그 위에 전도층(13)을 형성하는데, 이는 주로 전도성 물질로 만들어진다. 전도성 물질은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)일 수 있으며, 이는 투명 전기-전도층을 형성한다.
구동 전압 공급 회로(driving voltage supply circuit, 40)는 전도층(13)에 구동 전압(V)을 생성하고 적용하기 위해 마이크로프로세서(microprocessor, 30)에 의해 제어되어, 전도층(13)은 저항성 터치 작동에 대해 구동 전도층으로 쓰일 수 있다.
제 2 기판(20)은 제1 기판(10)의 전도층 본딩면(11)에 마주하는 전극 패턴 본딩면(21)을 포함한다. 제1 전극 패턴(22)과 제2 전극 패턴(23)은 전극 패턴 본딩면(21) 상에 형성된다. 도 2 및 4에서 도시된 바와 같이, 절연층(insulation layer, 24)이 제1 전극 패턴(22)과 제2 전극 패턴(23)의 서로로부터의 공간 사이에 배치된다. 제1 전극 패턴(22)과 제1 기판(10)의 전도층(13) 사이의 거리는 제1 미리 결정된 거리(d1)로 표시될 것이며, 반면 제2 전극 패턴(23)과 제1 기판(10)의 전도층(13) 사이의 거리는 제2 미리 결정된 거리(d2)로 표시될 것이다.
제1 전극 패턴(22)은 복수의 스트립형 전극들(strip-like electrodes; s1, s2, s3, s4, s5, s6)을 포함하고, 제1 기판(10)의 전도층(13)에 대한 제1 정전용량(Cx)을 유도한다. 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)은 대체로 서로 평행하고 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)이 서로에게서 이격되는 방식으로 절연층(24) 상에 형성된다. 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)이 위치하지 않은 절연층(24)과 제1 기판(10)의 전도층(13) 사이의 각각의 국지적 영역(local area) 상에, 적어도 하나의 절연 스페이서(60)가 제공된다. 절연 스페이서들(60)은 제1 기판(10)의 전도층(13)이 제1 전극 패턴(22)에 직접적으로 접촉하는 것을 막도록 기능한다.
제2 전극 패턴(23)은 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')을 포함하고 제1 기판(10)의 전도층(13)에 대한 제2 정전용량(Cy)을 유도한다. 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')은 대체로 서로 평행하고 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')이 서로에게서 이격되는 방식으로 제2 기판(20)의 전극 패턴 본딩면(21) 상에 배열된다.
도시된 일 실시예에서, 제1 전극 패턴(22) 및 제2 전극 패턴(23)에는 각각 도식적으로 6개의 스트립형 전극들이 포함되어 있지만, 스트립형 전극들의 개수는 이러한 개수보다 더 많이 또는 더 적게 변화될 수 있다는 것이 명백하다.
제1 전극 패턴(22)에서, 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)은 대체로 서로 평행하고 미리 결정된 거리에 의해 서로에게서 이격되고 제1 축(Y)을 따라 연장된다. 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')도 역시 서로 평행하며, 미리 결정된 거리에 의해 서로에게서 이격되고 제2 축(X)을 따라 연장된다. 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)은 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')에 대해 직각이거나 다른 각도일 수 있는 각을 이루며 배치된다.
제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)은 제1 스캐닝 회로(scanning circuit, 51)를 통해 마이크로프로세서(30)에 연결되고 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')은 제2 스캐닝 회로(52)를 통해 마이크로프로세서(30)에 연결된다.
도 3 및 5와 관련하여, 도 3은 제1 기판(10)이 제2 기판(20)에 본딩된 이후의 제 1 전극 패턴(22)과 제2 전극 패턴(23) 사이의 상대적 위치 관계를 도시하고, 도 5는 본 발명의 제1 실시예의 제2 기판의 상면도를 도시한다. 도시된 바와 같이, 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)과 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')은 터치 장치(100)의 다수의 터치 지점들 중의 하나를 나타내는 각 교차 지점에서 교차하고 서로 중복되는 배열을 보인다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 제2 기판의 상면도를 도시하는 도 6과 관련하여, 제2 실시예의 제2 기판(20)은 제1 실시예에서 그것의 대응되는 부분과 대체로 동일하게 구성되는데, 동일한 부분들은 동일한 참조 부호들로 표시되고 그것에 관한 기술은 생략될 것이다. 제1 및 제2 실시예 사이의 차이점은 제1 전극 패턴(22a)이 스트립형 전극들(s1", s2", s3", s4", s5", s6")을 포함한다는 점에 있는데, 이는 제1 전극 패턴(22a)이 제2 전극 패턴(23) 상에서 야기할 수 있는 차폐(shielding)를 줄이기 위해 제1 전극 패턴(22a)의 각각의 스트립형 전극들이 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6')에 대해 그것의 교차 지점들에 대응하는 리세스부들(recessed portions, 221)을 형성하는 방식으로 구성되고 따라서 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23) 사이의 전기적 용량 커플링을 개선한다.
도 7a, 7b, 및 8과 관련하여, 도 7a 및 7b는 사용자의 손가락에 의해 작동되는 본 발명의 터치 장치를 도시하고 도 8은 도 7a 및 7b에서 도시된 각각의 터치 위치에 대응하는 정전용량을 열거하는 표를 보여준다.
우선, 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s3)과 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극(s3') 사이의 교차 지점에서 발생하는 작동 위치는 작동 위치 P1으로 표시되고, 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s5)과 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극(s3') 사이의 교차 지점에서 발생하는 작동 위치는 작동 위치 P2로 표시된다(이러한 작동 위치들의 지점들에 대한 상면도가 도 3에서 보여짐). 도시된 예시에서, 터치 장치(100)를 작동하기 위해 이용되는 터치 물체(7)는 예를 들어, 손가락, 전도성 물체, 또는 다른 적절한 작동 물체들일 수 있다.
이제 본 발명의 작동이 기술될 것이다.
유휴 조건에서, 어떠한 작동도 활성화되지 않은 상태에서, 전도층(13)은 제1 전극 패턴(22) 및 제2 전극 패턴(23) 각각에 대한 전기적 용량 커플링을 제공하여, 제1 정전용량(Cx)이 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이에 제공되고 제2 정전용량(Cy)이 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23) 사이에 제공된다. 전도층(13), 제1 전극 패턴(22) 및 제2 전극 패턴(23)이 터치되거나/눌리지 않으면, 그들 사이에서 어떠한 거리 변화도 일어나지 않고 그 결과 전기적 용량 커플링을 변화하지 않은 채로 유지한다.
전도층(13)이 제1 전극 패턴(22)과 물리적으로 접촉하지 않는 정도로 터치 물체(7)가 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12) 상에서 작동 위치(P1)를 터치하면(도 7a에 도시됨), 작동 위치(P1)에서 전도층(13)이 눌려져서 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 제1 미리 결정된 거리(d1)가 o<d1'<d1인 d1'로 변하고, 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23) 사이의 제2 미리 결정된 거리(d2)가 o<d2'<d2인 d2'로 변한다. 그 결과, 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 제1 정전용량 Cx는 제1 정전용량 Cx1로 변하고 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23) 사이의 제2 정전용량 Cy는 제2 정전용량 Cy1로 변한다.
이러한 조건 하에서, 터치 장치(100)는 용량성 터치 위치 감지 모드로 작동되는데, 여기서 제1 스캐닝 회로(51)는 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22)의 각각의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6) 사이의 전기적 용량 커플링 변화를 스캐닝하고 마이크로프로세서(30)에 스캐닝 감지 신호(N1)를 내보낸다. 제2 스캐닝 회로(52)는 유사하게 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23)의 각각의 스트립형 전극들(s1', s2', s3', s4', s5', s6') 사이의 전기적 용량 커플링 변화를 스캐닝하고 마이크로프로세서(30)에 스캐닝 감지 신호(N2)를 내보낸다.
터치 장치(100)는 제1 정전용량(Cx1) 및 제2 정전용량(Cy1)에 대한 수신되는 전기적 용량 커플링의 변화에 응답하고 제2 방향(X)으로의 스트립형 전극(s3)과 제1 방향(Y)으로의 스트립형 전극(s3') 사이의 교차 지점에서 작동 위치(P1)에 대응하는 감지되는 작동 위치를 결정하기 위하여 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12)을 터치하는 터치 물체(7)의 작동 위치를 계산한다.
터치 물체(7)가 작동 위치 P1으로부터 작동 위치 P2로 이동 방향(L)을 따라 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12) 상에서 이동하면(도 7b에 도시됨), 작동 위치 P2에서 전도층(13)의 일부분에 압력이 가해져서, 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 제1 미리 결정된 거리(d1)가 0<d1'<d1인 d1'로 변경되도록 하고 또한 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23) 사이의 제2 미리 결정된 거리(d2)는 0<d2'<d2인 d2'로 변경되도록 한다. 그 결과, 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 제1 정전용량 Cx는 제1 정전용량 Cx2로 변하고 전도층(13)과 제2 전극 패턴(23) 사이의 제2 정전용량 Cy는 제2 정전용량 Cy2로 변한다. 상술한 것과 동일한 스캐닝 감지 프로세스가 터치 지점이 작동 위치 P2로 이동되는 것을 감지하기 위해 적용될 수 있으며, 그에 대한 동일한 설명은 여기서 필요하지 않다.
터치 물체에 의해 작동되는 본 발명의 터치 장치의 도식도를 도시하는 도 9와 관련하여, 우선, 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s4)과 제2 전극 패턴(23)의 스트립형 전극(s3') 사이의 교차 지점에서 발생하는 작동 위치는 작동 위치 P3로 표시된다. 현재에 대한 예시로, 터치 장치(100)를 작동하기 위해 이용되는 터치 물체(7a)는 (터치 스타일러스 또는 다른 적절한 물체들과 같은) 전도성 물체 또는 비전도성 물체일 수 있다.
도 9의 터치 물체(7a) 사용에 의한 작동을 도시하는 본 발명의 시스템 블록도를 도시하는 도 10과 관련하여, 사용자가 주어진 터치하는 방향(I)으로 세게 누르기 위해 터치 물체(7a)를 사용하면, 작동 위치 P3에서 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12), 작동 위치 P3에서 전도층(13) 및 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s4)이 눌려져서, 그들 사이의 제1 미리 정해진 거리(d1)가 d1=0으로 된다(도 4 참조).
이러한 조건 하에서, 터치 장치(100)는 저항성 터치 위치 감지 모드로 작동되는데, 여기서 구동 전압 공급 회로(40)는 제1 기판(10)의 전도층(13)에 구동 전압(V)을 공급하고 전도층(13)은 제1 전극 패턴(22) 상의 대응하는 위치로 구동 전압(V)을 전달한다. 그러므로, 제1 기판(10)의 전도층(13)이 눌림으로 인해 터치되는 위치에서 제1 전극 패턴(22)과 물리적으로 접촉하게 되면, 구동 전압(V)이 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s4)에 적용된다. 스캐닝 작업을 수행함으로써 제1 스캐닝 회로(51)는 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s4)에서의 전압 변화를 감지하고 그리고 나서 마이크로프로세서(30)에 스캐닝 감지 신호(N3)를 내보낸다. 마이크로프로세서(30)는 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s4)에서의 전압 변화에 응답하고 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12) 상에서 작동하는 터치 물체(7a)의 작동 위치(P3)를 계산한다.
도 11a, 11b, 및 11c는 터치 물체를 이용한 수기 입력 작업을 도시한다. 도 12는 도 11a, 11b, 및 11c에 도시된 수기 작업과 관련한 시스템 블록도를 도시한다.
사용자가 수기 입력을 수행하기 위한 동작을 가져오도록 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12)을 향해 터치 물체(7a)로 누르면, 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22)은 쓰기 흔적을 따라 작동 위치들에서 서로 물리적 접촉을 하게 되고 이는 터치 장치(100)가 저항성 터치 위치 감지 모드로 작동하도록 활성화시킨다. 수기 입력 작업은 이동 방향(L)으로 이동 위치를 따라 다수의 작동 위치들(P4, P5, P6)을 포함하는 흔적을 야기한다. 각각의 작동 위치들(P4, P5, P6)에서, 구동 전압 공급 회로(40)는 제1 기판(10)의 전도층(13)에 구동 전압(V)을 공급하는데, 이는 결국 제1 전극 패턴(22)의 대응하는 작동 위치로 구동 전압(V)을 전달한다. 그러므로, 제1 기판(10)의 전도층(13)이 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s3)과 물리적 접촉을 하게 되면, 구동 전압(V)이 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s3)에 적용되고 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s3)에서의 전압 변화가 제1 스캐닝 회로(51)의 스캐닝 작업에 의해 감지되는데, 이는 결국 마이크로프로세서(30)에 스캐닝 감지 신호(N4)를 내보낸다. 마이크로프로세서(30)는 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s3)에서의 전압 변화에 응답하고 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12) 상에서 작업하는 터치 물체(7a)의 작동 위치(P4)를 계산한다. 이러한 방식으로, 프로세스가 각각의 작동 위치들(P4, P5, P6)에 대해 반복되고 제1 스캐닝 회로(51)는 마이크로프로세서(30)에 적용되는 스캐닝 감지 신호(N4)를 순차적으로 스캔하고 감지한다. 마이크로프로세서(30)는, 감지되는 작동 위치들(P4, P5, P6)에 기초하여, 터치 물체(7a)가 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12) 상에서 작동시키는 수기 흔적을 계산한다.
도 13 및 14와 관련하여, 도 13은 본 발명에 따른 제3 실시예의 시스템 블록도를 도시하고 도 14는 도 13의 단면도를 도시한다. 도시된 바와 같이, 현재의 실시예에 따른 터치 장치(100a)는 이전 실시예의 터치 장치(100)의 그것과 유사한 구성를 가지며, 차이점은 현재의 실시예의 터치 장치(100a)가 복수의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)을 포함하는 제1 전극 패턴(22)을 단지 형성하는 제2 기판(20)을 포함한다는 것이며, 이는 미리 결정된 제3 거리(d3)에 의해 제1 기판(10)의 전도층(13)으로부터 이격되고 제1 스캐닝 회로(51)에 의해 마이크로프로세서(30)에 연결된다. 두 실시예들에서 동일한 나머지 요소들/구성들은 동일한 참조 번호들로 표시되고 그것에 대한 기술은 생략될 것이다.
현재의 실시예의 작동은 이전의 실시예의 그것과 동일하고, 용량성 및 저항성 터치 제어 모드들을 모두 포함한다. 터치 장치(100a)의 터치 작동 표면(12)이 눌림에 의해 작동되지 않으면, 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극들(s1, s2, s3, s4, s5, s6)은 미리 결정된 제3 거리(d3)에 의해 제1 기판(10)의 전도층(13)으로부터 이격되고, 제1 전극 패턴(22)과 전도층(13)은 그들 사이에 제1 정전용량(Cx)을 유도한다.
전도층(13)이 제1 전극 패턴(22)과 물리적 접촉을 하지 않을 정도로 터치 물체가 제1 기판(10)의 터치 작동 표면(12)을 터치하면, 전도층(13)이 작동 위치에서 눌려져서 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 제3 미리 결정된 거리(d3)가 변화되어, 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 전기적 용량 커플링의 변화를 가져와서 터치 장치(100a)가 용량성 터치 감지 모드로 작동하도록 설정된다. 제1 스캐닝 회로(51)는 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22) 사이의 전기적 용량 커플링의 변화를 감지하기 위해 스캐닝을 수행하고, 마이크로프로세서(30)에 스캐닝 감지 신호(N1)를 내보낸다. 마이크로프로세서(30)는 수신된 전기적 용량 커플링의 변화에 응답하고 눌려지거나 터치되는 작동 위치를 계산한다.
제1 실시예와 유사하게, 터치 물체가 터치 장치(100a)의 터치 작동 표면(12)을 세게 누르고 수기 입력 작동이 터치 장치(100a)의 터치 작동 표면(12) 상에서 수행되면, 전도층(13)과 제1 전극 패턴(22)이 작동 위치에서 눌려져서, 미리 결정된 제3 거리(d3)를 d3=0으로 만들고, 따라서 터치 장치(100a)는 저항성 터치 위치 감지 모드로 설정된다. 이러한 조건 하에서, 제1 기판(10)의 전도층(13)과 (스트립형 전극 s4와 같은) 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극들 중 하나는 서로 접촉되어, 구동 전압(V)이 스트립형 전극에 적용되도록 한다. 제1 전극 패턴(22)의 스트립형 전극(s4)에서의 전압 변화는 제1 스캐닝 회로(51)에 의해 스캐닝됨으로써 감지될 수 있고, 마이크로프로세서(30)는 터치되는 작동 위치를 계산하기 위해 전압 변화에 기초할 수 있다.
비록 본 발명이 그것의 바람직한 실시예들을 참조하여 기술되었을지라도, 다양한 수정과 변경이 수반되는 청구항들에 의해 한정되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있음이 당업자들에게 분명하다.

Claims (14)

  1. 구동 전압(driving voltage)이 적용된 전도층(conductive layer);
    상기 전도층 아래에 배치되고 상기 전도층으로부터의 제1 미리 결정된 거리를 제공하는 제1 전극 패턴(electrode pattern);
    상기 제1 전극 패턴 아래에 배치되고 상기 전도층으로부터의 제2 미리 결정된 거리를 제공하는 제2 전극 패턴; 및
    상기 전도층, 상기 제1 전극 패턴, 및 상기 제2 전극 패턴에 전기적으로 연결된 마이크로프로세서;
    를 포함하고,
    여기서, 터치 물체가 작동 위치에서 터치 장치의 터치 작동 표면을 터치하면, 상기 전도층이 작동 위치에서 눌려져서, 상기 전도층과 상기 제1 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링(electrical capacitive coupling)의 변화를 가져오는 상기 전도층과 상기 제1 전극 패턴 사이의 거리 변화를 야기하고,
    또한 상기 전도층과 상기 제2 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화를 가져오는 상기 전도층과 상기 제2 전극 패턴 사이의 거리 변화를 야기하는데,
    상기 터치 장치가 용량성 터치 위치 감지 모드(capacitive touch position detection mode)로 설정되는데, 여기서 상기 마이크로프로세서가 상기 전도층과 상기 제1 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화 및 상기 전도층과 상기 제2 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화에 따라 상기 터치 물체가 작동하는 터치 작동 표면의 작동 위치를 결정하고;
    여기서, 상기 터치 물체가 상기 터치 장치의 터치 작동 표면을 세게 누르거나 상기 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 수기 입력 동작이 수행되면, 작동 위치에서 상기 전도층이 눌려져서, 상기 전도층이 상기 제1 전극 패턴의 적어도 하나의 대응하는 지점과 물리적 접촉을 이루며, 상기 장치는 저항성(resistive) 터치 위치 감지 모드로 설정되는데, 이는 상기 전도층이 상기 구동 전압을 상기 제1 전극 패턴의 대응하는 위치에 적용하고 상기 마이크로프로세서가 상기 제1 전극 패턴에서의 전압 변화에 따라 상기 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 적어도 하나의 작동 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치(pressure detectable touch device).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴은 서로 평행하며 이격되는 복수의 스트립형(strip-like) 전극들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들은 제1 스캐닝 회로를 통해 상기 마이크로프로세서에 연결되고 상기 제2 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들은 제2 스캐닝 회로를 통해 상기 마이크로프로세서에 연결되는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 마이크로프로세서는 구동 전압 공급 회로를 통해 상기 전도층에 상기 구동 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
  5. 전도층 본딩면(bonding surface)과 터치 작동 표면을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 상기 전도층 본딩면 상에 형성된 전도층;
    전극 패턴 본딩면을 포함하는 제2 기판;
    상기 전도층 아래에 배치되고 상기 전도층으로부터의 제1 미리 결정된 거리를 제공하며 절연 스페이서들(insulation spacers)에 의해 상기 전도층으로부터 이격되는 제1 전극 패턴; 및
    상기 제1 전극 패턴 아래에 배치되고 상기 제2 기판의 전극 패턴 본딩면 상에 형성되며, 상기 전도층으로부터의 제2 미리 결정된 거리를 제공하며, 절연층(insulation layer)에 의해 상기 제1 전극 패턴으로부터 이격되는 제2 전극 패턴;
    을 포함하는 압력 감지 터치 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴은 서로 평행하고 이격되는 복수의 스트립형 전극들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 감지 터치 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들은 상기 제2 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들과의 교차 지점에 대응하는 리세스부들(recessed portions)을 형성하는 것을 특징으로 하는 압력 감지 터치 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 장치는 상기 제1 기판의 전도층, 상기 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴에 전기적으로 연결되는 마이크로프로세서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 감지 터치 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들은 제1 스캐닝 회로를 통해 상기 마이크로프로세서에 연결되고 상기 제2 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들은 제2 스캐닝 회로를 통해 상기 마이크로프로세서에 연결되는 것을 특징으로 하는 압력 감지 터치 장치.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 마이크로프로세서는 구동 전압 공급 회로를 통해 상기 전도층에 구동 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 압력 감지 터치 장치.
  11. 구동 전압이 적용된 전도층;
    상기 전도층 아래에 배치되고 상기 전도층으로부터의 제1 미리 결정된 거리를 제공하는 제1 전극 패턴;
    상기 전도층 및 상기 제1 전극 패턴에 전기적으로 연결되는 마이크로프로세서;
    를 포함하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치에 있어서,
    여기서, 터치 물체가 작동 위치에서 터치 장치의 터치 작동 표면을 터치하면, 작동 위치에서 상기 전도층이 눌려져서, 상기 전도층과 상기 제1 전극 패턴 사이의 거리 변화를 야기하는데, 이는 상기 전도층과 상기 제1 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화를 가져오며, 상기 터치 장치가 용량성 터치 위치 감지 모드로 설정되는데, 이는 상기 마이크로프로세서가 상기 전도층과 상기 제1 전극 패턴 사이의 전기적 용량 커플링의 변화에 따라 상기 터치 물체가 작동하는 터치 작동 표면의 작동 위치를 결정하는 것이고;
    여기서, 상기 터치 물체가 상기 터치 장치의 터치 작동 표면을 세게 누르거나 상기 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 수기 입력 동작이 수행되면, 작동 위치에서 상기 전도층이 눌려져서, 상기 전도층이 상기 제1 전극 패턴의 적어도 하나의 대응하는 지점과 물리적 접촉을 이루며, 상기 터치 장치는 저항성 터치 위치 감지 모드로 설정되는데, 이는 상기 전도층이 상기 구동 전압을 상기 제1 전극 패턴의 대응하는 위치에 적용하고 상기 마이크로프로세서가 상기 제1 전극 패턴에서의 전압 변화에 따라 상기 터치 장치의 터치 작동 표면 상에서 적어도 하나의 작동 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴은 서로 평행하며 이격되는 복수의 스트립형 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴의 상기 스트립형 전극들은 제1 스캐닝 회로를 통해 상기 마이크로프로세서에 연결되는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 마이크로프로세서는 구동 전압 공급 회로를 통해 상기 전도층에 상기 구동 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 터치 물체에 의해 작동되도록 맞춰진 터치 작동 표면을 갖는 압력 감지 터치 장치.
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