KR101330779B1 - 터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널 - Google Patents

터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR101330779B1
KR101330779B1 KR1020110094723A KR20110094723A KR101330779B1 KR 101330779 B1 KR101330779 B1 KR 101330779B1 KR 1020110094723 A KR1020110094723 A KR 1020110094723A KR 20110094723 A KR20110094723 A KR 20110094723A KR 101330779 B1 KR101330779 B1 KR 101330779B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
cells
lines
branches
conductive lines
Prior art date
Application number
KR1020110094723A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120132606A (ko
Inventor
유 징
예 후일린
왕 롱우
Original Assignee
티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드 filed Critical 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드
Publication of KR20120132606A publication Critical patent/KR20120132606A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101330779B1 publication Critical patent/KR101330779B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
    • H01L21/0425—Making electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
    • H01L21/0425—Making electrodes
    • H01L21/044—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/048—Making electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

전극 구조가 제공된다. 상기 전극 구조는, 서로 간에 분리되어 있으며 기판 상에 배치된 복수의 제1 전도성 (conductive) 셀들 및 제2 전도성 셀들; 상기 제1 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제1 전도성 라인들 및 상기 제2 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제2 전도성 라인들;을 포함하며, 상기 각 제2 전도성 라인은 적어도 하나의 전도 (conducting) 요소 및 상기 전도 요소의 두 측면에 배치된 적어도 한 쌍의 제2 전도성 브랜치 (branch)들을 포함하며 그리고 상기 전도 요소를 인접한 상기 제2 전도성 셀들에 연결시키며; 상기 제1 전도성 라인들과 상기 제2 전도성 라인들은 절연되어 있으며 그리고 교차된다. 전극 구조를 형상하는 방법이 또한 제공된다.

Description

터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널{Electrode structure of the touch panel, method thereof and touch panel}
본 발명은 터치 기기에 관련되며, 더 상세하게는 터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널에 관한 것이다.
터치 패널들은 근래에 다양한 전자 기기들에서 널리 사용되었다. 심지어는 이것들은 전자 기기들을 제어하기 위한 종래의 키보드들과 마우스들을 대체할 수 있다.
통상적인 터치 패널은 기판 상에 위치한 액티브 영역을 포함한다. 상기 액티브 영역은 투명한 전도성 필름으로 덮여있는 것이 보통이다. 손가락들이나 스타일러스가 상기 액티브 영역을 터치하면, 그 이후 프로세스들을 위해서 터치 신호들이 생성된다.
저항성 (resistive) 감지 유형, 용량성 (capacitive) 감지 유형, 음파 감지 유형, 광 감지 유형 및 유사한 것과 같은 많은 유형의 터치 감지 방법들이 존재한다. 용량성 감지 방법에 대해서, 상기 터치 패널은 금속들이나 손가락들과 같은 전도성 (conductive) 물체들의 근접으로 인한 커패시턴스에서의 변화를 탐지함으로써 터치 위치들을 감지한다. 용량성 터치 패널은 높은 정밀성, 정확함 그리고 긴 수명, 정확한 응답 시간, 동작 온도 및 초기화 힘과 같은 이점들 때문에 널리 채택된다.
터치 표면 상의 손가락들이나 전도성 물체들의 터치 위치들을 탐지하기 위해서 상이한 전극 패턴들을 구비한 다양한 유형의 터치 패널들이 새롭게 개발된다. 예를 들면, 미국 특허 번호 6,970,160의 특허는 터치-감지 표면 상의 터치 위치를 탐지하기 위한 격자 터치-감지 시스템을 개시했다. 상기 격자 터치-감지 시스템은 절연 재질에 의해서 분리된 두 개의 용량성 감지 레이어들을 포함할 수 있을 것이며, 이 경우 각 레이어는 실질적으로 평행한 전도 요소 (conducting element)들로 구성되며, 그리고 상기 두 개의 감지 레이어들의 상기 전도 요소들은 서로와 실질적으로 직교한다. 각 요소는 좁은 전도성 직사각형의 스트립들로 서로 연결된 일련의 다이아몬드 형상의 패치들을 포함한다. 주어진 감지 레이어의 각 전도 요소는 한 쪽 끝 또는 양쪽 끝에서 리드 라인들의 대응하는 세트의 리드 라인에 연결된다. 리드 라인들의 상기 대응 세트들을 통해서 전도 요소들의 양 세트들에 여기 (excitation) 신호를 제공하기 위해서, 상기 표면 상에 터치가 발생할 때에 센서에 의해서 생성된 감지 신호들을 수신하기 위해서, 그리고 그 감지 신호들로부터 상기 터치의 위치를 판별하기 위해서, 제어 회로 역시 포함될 수 있을 것이다.
비록 상기 터치-감지 시스템의 다이아몬드 형상의 패치들이 상기에서 언급된 패치에서 개시되지만, 상기 격자 터치-감지 시스템은 절연 재질에 의해서 분리된 두 개의 용량성 감지 레이어들을 포함한다. 그러므로, 상기 격자 터치-감지 시스템은 용량성 터치 패널의 두께를 줄이라는 요구 사항을 충족하기에는 너무 두껍다. 게다가, 기판의 두 측면들 상의 두 개의 용량성 감지 레이어들을 형성하고 그리고 일련의 다이아몬드 형상의 패치들을 기판 상의 홀들을 통해서 리드 라인들과 연결시켜서 상기의 통상적인 용량성 터치 패널이 제조된다. 그러므로, 제조하는 프로세스가 복잡하다.
U.S. patent No. 6,970,160
본 발명의 목적은 터치 패널의 두께를 줄이고 그리고 제조하는 프로세스를 단순화하기 위한 전극 구조를 제공하는 것이다.
상기 전극 구조는, 서로 간에 분리되어 있으며 기판 상에 배치된 복수의 제1 전도성 (conductive) 셀들 및 제2 전도성 셀들; 상기 제1 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제1 전도성 라인들 및 상기 제2 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제2 전도성 라인들;을 포함하며, 상기 각 제2 전도성 라인은 적어도 하나의 전도 (conducting) 요소 및 상기 전도 요소의 두 측면에 배치된 적어도 한 쌍의 제2 전도성 브랜치 (branch)들을 포함하며 그리고 상기 전도 요소를 인접한 상기 제2 전도성 셀들에 연결시키며; 상기 제1 전도성 라인들과 상기 제2 전도성 라인들은 절연되어 있으며 그리고 교차된다.
본 발명의 다른 목적은 전극 구조를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
전극 구조를 형성하는 상기 방법은, (a) 복수의 제1 전도성 셀들, 상기 복수의 제1 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제1 전도성 라인들 그리고 복수의 제2 전도성 셀들을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 전도성 라인들로부터 절연된 복수의 전도 요소들을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 제1 전도성 라인들을 통해서 제2 전도성 브랜치들의 복수의 쌍들을 형성하여 상기 제2 전도성 셀들에 상기 전도 요소들을 연결시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의해서, 상기 제1 전도성 셀들 및 제2 전도성 셀들은 상기 기판의 동일한 표면 상에 배치되며, 그래서 상기 전극 구조를 포함한 터치 패널의 두께가 줄어든다. 또한, 각 제2 전도성 라인은 전도 요소 그리고 제2 전도성 브랜치들의 쌍으로나누어지며, 그리고 제2 전도성 브랜치들의 쌍의 길이는 두 개의 인접한 제2 전도성 셀들 사이의 거리보다 더 작다. 그러므로, 상기 제2 전도성 라인들은 줄어들어서 상기 전극 구조를 포함한 터치 패널의 외형을 개선시킨다.
본 발명의 효과는 본 명세서의 해당되는 부분들에 개별적으로 명시되어 있다.
본 발명이 속한 기술 분야에서의 통상의 지식을 가진 자는 아래에서 설명된 도면들이 예시의 목적만을 위한 것이라는 것을 이해할 것이다. 상기 도면들은 어떤 방식으로건 본 발명의 범위를 제한하려고 의도된 것이 아니다. 유사한 참조 번호들은 여러 모습들을 통해서 대응하는 부분들을 지시한다.
도 1은 본 발명의 전극 구조의 개략적인 모습이다.
도 2는 도 1의 부분 A의 개략적인 확장된 모습이다.
도 1은 전극 구조를 보여준다. 그리고, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 모습을 보여준다. 용량성 (capacitive) 터치 패널의 전극 구조 (300)는 유리와 같은 기판 (도시되지 않음) 상에 배치된다. 상기 전극 구조 (300)는 복수의 제1 유도성 셀들 (311) 그리고 제2 전도성 셀들 (321)을 포함하며, 그 셀들은 서로 분리되어 있다. 상기 제1 전도성 셀들 (311)은 제1 전극 그룹들 (310) 중의 적어도 하나의 그룹으로 구성되며, 상기 제2 전도성 셀들 (321)은 제2 전극 그룹들 (320) 중의 적어도 하나의 그룹으로 구성된다. 상기 제1 전극 그룹들 (310)은 상기 제2 전극 그룹들 (320)과는 절연되어 있다. 어느 하나의 제1 전극 그룹 (310) 내의 두 개의 인접한 제1 전도성 셀들 (311)은 복수의 제1 전도성 라인들 (312)에 의해서 연결되며, 그리고 어느 하나의 제2 전극 그룹 (320) 내의 두 개의 인접한 제2 전도성 셀들 (321)은 복수의 제2 전도성 라인들 (322)에 의해 연결된다. 상기 전극 구조의 가장자리 상에 배치된 복수의 신호 트레이스들 (도시되지 않음)은 상기 제1 전극 셀들 (311) 그리고 상기 제2 전극 셀들 (321)을 제어기 (도시되지 않음)에 연결시켜서, 터치 감지 신호들을 전송하도록 한다.
도 1 그리고 도 2를 참조하면, 각 제2 전도성 라인 (322)은 전도 요소 (324) 그리고 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍을 포함한다. 각 제1 전도성 라인 (312)에 윈도우 (341)가 형성되며, 그리고 전도 요소 (324)가 각 윈도우 (341)에 위치한다. 각 제1 전도성 라인 (312) 그리고 상기 전도 요소들 (324) 사이에 제1 전도성 라인 (312)에 관련하여 폐쇄 간극 (342)이 형성되어 상기 제1 전도성 라인 (312)이 상기 전도 요소 (324)와 분리되고 그리고 절연되도록 한다. 제2 전도성 브랜치들 (323)의 각 쌍 내의 두 개의 제2 전도성 브랜치들 (323)이 상기 전도 요소 (324)의 양 측면들에 배치되며 그리고 상기 전도 요소 (324)를 두 개의 인접한 제2 전도성 셀들 (321)로 연결시킨다. 다른 말로 하면, 각 개별 제2 전도성 브랜치 (323)의 한쪽 끝 부분은 하나의 전도 요소 (324)에 연결되며, 그것의 다른 끝 부분은 하나의 제2 전도성 셀 (321)로 연결된다. 그러므로, 상기 제2 전극 그룹들 (320) 중의 하나의 그룹 내의 상기 제2 전도성 셀들 (321)은 제2 전도성 브랜치들 (323)들의 쌍 그리고 상기 전도 요소들 (324)에 직렬로 연결되어 상기 터치 감지 신호들을 상기 제어기로 전송하도록 한다.
상기 제1 전도성 라인 (312)과 교차된 각 제2 전도성 브랜치 (323)는 절연 레이어 (330)에 의해서 상기 제1 전도성 라인 (312)으로부터 절연된다. 투명한 절연 재질로 만들어진 상기 절연 레이어 (330)는 각 제2 전도성 브랜치 (323)와 상기 제1 전도성 라인 (312)의 교차점에 위치한 복수의 절연 요소들 (331)을 포함하며, 그에 의해서 각 제2 전도성 브랜치 (323)는 상기 제1 전도성 라인들 (312)로부터 절연된다.
상기 제1 전도성 셀들 (311) 그리고 상기 제2 전도성 셀들 (321)은 상기 기판 (도시되지 않음)의 동일한 표면 상에 모두 위치하며, 그래서 상기 제1 전극 그룹들 (310) 그리고 상기 제2 전극 그룹들 (320)은 상기 기판의 표면 상에 위치한다. 그러므로, 상기 전극 구조 (300)를 포함하는 터치 패널의 두께는 축소될 수 있으며, 그리고 제조하는 프로세스가 단순하게 될 수 있다.
본 발명의 전극 구조 (300)를 구비한 터치 패널에 터치하면, 그 터치 위치는 상기 제1 전극 그룹들 (310)의 적어도 하나의 제1 유도성 셀 (311) 그리고 상기 제2 전극 그룹들 (320)의 적어도 하나의 제2 유도성 셀 (321)을 덮는다. 상기 덮혀진 제1 유도성 셀 (311) 그리고 상기 덮혀진 제2 유도성 셀 (321) 사이에서 생성된 상호 커패시턴스는 상기 신호 트레이스들에 의해 상기 제어기로 전송되는 터치 신호를 나타낸다. 그러므로, 상기 제어기에 의해서 상기 터치 위치가 계산되며 그리고 판별된다.
상기 제1 전도성 셀들 (311), 상기 제2 전도성 셀들 (321), 상기 제1 전도성 라인들 (312), 상기 전도 요소들 (324) 그리고 상기 개별적인 제2 전도성 라인들 (323)은 투명한 전도성 재질들로 만들어지며, 이는 인듐 주석 산화물 (Indium Tin Oxide (ITO)), 인듐 아연 산화물 (Indium Zinc Oxide (IZO)) 또는 알루미늄 아연 산화물 (Aluminum Zinc Oxide (AZO))의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 게다가, 상기 전도 요소들 (324)은 금속으로 만들어질 수 있다.
상기 제1 전도성 셀들 (311) 그리고 상기 제2 전도성 셀들 (321)의 기하학적인 외형은 다이아몬드, 육각형, 팔각형, 직사각형, 삼각형 등일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예가 제공되며, 상기에서 언급된 실시예와 대비되는 차이점은 상기 제1 전도성 라인들 (312) 그리고 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍이 반대의 순서로 위치한다는 것이다. 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들은 상기 기판의 표면 상에 위치한다. 상기 절연 요소들 (331)은 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들 상에 위치한다. 상기 제1 전도성 라인들 (312)은 상기 절연 요소들 (331) 상에 위치한다.
제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들은 구리, 은, 알루미늄들 등과 같은 금속으로 만들어지는 것이 바람직하다. ITO의 접속성 (connectivity)보다 더 양호한 접속성 때문에, 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들의 접속성은 증가하여, 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들 그리고 상기 절연 요소들 (331)의 정션 (junction)에서의 크래킹 (cracking)으로부터 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들을 보호한다. 게다가, 금속의 접속성은 ITO의 접속성보다는 또한 더 양호하다. 제2 전도성 브랜치들 (323)의 각 쌍이 상기 전도 요소 (324)에 의해서 연결되기 때문에, 두 개의 제2 전도성 브랜치들 (323)의 길이 D1 + D2는 두 개의 인접한 제2 전도성 셀들 (321) 사이의 거리 L보다 더 작으며, 이는 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)의 가시성을 줄어들게 한다.
다양한 설계 상의 요구 사항들에 따라서, 제2 전도성 라인들 (322)의 각 쌍에 속한 상기 두 개의 제2 전도성 브랜치들 (323)은 서로 정렬되거나 또는 엇갈려 위치할 수 있다. 게다가, 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)의 위치와 크기는 조절될 수 있다. 각 제2 전도성 라인들 (322)에 대해서, 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들의 개수는 하나보다 더 많을 수 있다. 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)의 쌍들이 더 많을수록, 상기 제2 전도성 라인들 (322)의 접속성이 더 양호하다. 상기 제2 전도성 브랜치들 (323) 중의 하나의 제2 전도성 브랜치가 부서지면, 다른 제2 전도성 브랜치가 상기 제2 전극 그룹들 (320)이 평상시처럼 동작하도록 여전히 유지할 수 있다.
본 발명에 의해서 제공되는 전극 구조 (300)는 에칭, 스퍼터링 (sputtering), 프린팅 등에 의해서 기판 상에 형성될 수 있다. 상기 전극 구조 (300)를 에칭하는 것은 상기 기판 상에 전극 구조 (300)를 형성하는 방법을 설명하기 위한 하나의 예로서 받아 들여진다. 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
먼저, (ITO와 같은) 전도성 필름이 청결하게 된 (유리와 같은) 기판 상에 코팅된다. 상기 전도성 필름의 표면 상에, 스크린 프린팅에 의해서 마스크가 프린트되어 상기 전도성 필름의 부분들을 덮으며 그리고 그 필름의 덮여지지 않은 부분들을 식각한다 (etch). 에칭 이후에, 상기 제1 전도성 셀들 (311), 상기 제2 전도성 셀들 (321) 그리고 인접한 제1 전도성 셀들 (311)을 연결시키는 제1 전도성 라인들 (312)이 상기 기판 상에 형성된다. 또한, 상기 윈도우 (341)는 각의 제1 전도성 라인들 (312)에 형성된다.
두 번째로, 각 전도 요소 (324)는 각 윈도우 (341)에 형성되며 그리고 상기 폐쇄 간극 (342)이 형성되어 관련된 각 제1 전도성 라인 (312)으로부터 각 전도 요소 (324)를 절연시킨다. 바람직한 실시예에서, 전도 요소들 (324)의 재질이 상기 제1 전도성 셀들 (311), 제2 전도성 셀들 (321) 그리고 상기 제1 전도성 라인들 (312)의 재질과 동일하면, 상기 전도 요소 (324)는 상기 제1 전도성 셀들 (311), 제2 전도성 셀들 (321) 그리고 상기 제1 전도성 라인들 (312)이 이전의 단계에서 형성될 때에 동시에 에칭에 의해서 형성될 수 있다. 그러므로, 상기 전극 구조 (300)를 형성하는 단계들이 줄어들 수 있다.
세 번째로, 복수의 절연 요소들 (331)을 포함하는 절연 레이어 (330)가 상기 에칭된 전도성 필름 상에 형성된다. 각 절연 요소 (331)는 상기 제1 전도성 라인들 (312) 상에 위치한다. 상기 절연 요소들 (331)은 투명한 절연 재질로 만들어진다.
마지막으로, 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)이 상기 절연 요소들 (331) 상에 형성된다. 각 제2 전도성 브랜치들 (323)의 한 쪽 끝 부분은 상기 제2 전도성 셀들 (321)에 연결되며, 다른 한쪽의 끝 부분은 상기 전도 요소 (324)에 연결되어서, 상기 제2 전도성 셀들 (321)은 직렬로 연결될 수 있다.
또한, 상기 전극 구조 (300)를 형성하는 방법은 상기 전극 구조 (300)의 가장자리 상에 상기 신호 트레이스들을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제1 전극 셀들 (310) 및 제2 전극 셀들 (320)은 주변 신호 트레이스들 각각에 연결된다 (도시되지 않음).
다른 실시예에서 제공된 상기 전극 구조 (300)를 형성하는 방법은 반대의 순서로 실시될 수 있다. 먼저, 상기 제2 전도성 브랜치들 (323)이 기판 상에 형성되고; 두 번째로, 상기 절연 레이어 (330)의 복수의 절연 요소들 (331)이 상기 제2 전도성 브랜치들 (323) 상에 형성되고; 세 번째로, 상기 제1 전도성 셀들 (311), 제2 전도성 셀들 (321), 상기 제1 전도성 라인들 (312) 그리고 상기 전도 요소들 (324)이 상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 전도성 라인들 (312)은 상기 절연 요소들 (331) 상에 위치한다.
또한, 본 발명은 상기 전극 구조 (300)를 포함하는 터치 패널을 또한 제공한다. 상기 터치 패널은 유리와 같은 기판 (도시되지 않음), 터치 감지 신호들을 생성하기 위한 전극 구조 (300), 그리고 상기 터치 감지 신호들을 수신하고 그리고 프로세싱하기 위한 제어기 (도시되지 않음)를 포함한다.
특정 실시예들이 보여지고 설명되었지만, 본 발명의 사상과 범위로부터 벗어나지 않으면서도 다양한 변형들 및 대체안들이 실시예들에 만들어질 수 있을 것이다. 그러므로, 본 발명은 예시로서 설명된 것이며 제한하려는 것이 아니라는 것이 이해되어야만 한다.
본 발명은 터치 패널에서 사용될 수 있으며, 그런 터치 패널을 사용하는 기기를 이용하는 분야에서 사용될 수 있다.

Claims (16)

  1. 서로 간에 분리되어 있으며 기판 상에 배치된 복수의 제1 전도성 (conductive) 셀들 및 제2 전도성 셀들;
    상기 제1 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제1 전도성 라인들 및 상기 제2 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제2 전도성 라인들;을 포함하는 전극 구조로서,
    상기 각 제2 전도성 라인은 적어도 하나의 전도 (conducting) 요소 및 상기 전도 요소의 두 측면에 배치된 적어도 한 쌍의 제2 전도성 브랜치 (branch)들을 포함하며 그리고 상기 전도 요소를 인접한 상기 제2 전도성 셀들에 연결시키며;
    상기 제1 전도성 라인들과 상기 제2 전도성 라인들은 절연되어 있으며 그리고 교차된, 전극 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전도 요소들은 상기 제1 전도성 라인들과는 분리되어 있으며 그리고 절연되어 있는, 전극 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 각 제1 전도성 라인에 윈도우가 형성되며, 그리고 상기 각 전도 요소는 상기 전도 요소와 상기 제1 전도성 라인 사이에 형성된 폐쇄된 간극을 두고 상기 윈도우에 위치한, 전극 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전도성 라인들과 상기 제2 전도성 브랜치들 사이에 절연 레이어가 배치된, 전극 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 절연 레이어는 복수의 절연 요소들을 포함하는, 전극 구조.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전도성 셀들과 상기 제2 전도성 라인들에 연결된 복수의 신호 트레이스 (trace)들을 더 포함하는, 전극 구조.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전도성 라인들은 상기 기판 상에 배치된, 전극 구조.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전도성 브랜치들은 상기 기판 상에 배치된, 전극 구조.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전도성 브랜치들의 각 쌍의 길이는 2개의 인접한 상기 제2 전도성 셀들 사이의 거리보다 더 작은, 전극 구조.
  10. (a) 복수의 제1 전도성 셀들, 상기 복수의 제1 전도성 셀들에 인접하여 연결된 복수의 제1 전도성 라인들 그리고 복수의 제2 전도성 셀들을 형성하는 단계;
    (b) 상기 제1 전도성 라인들로부터 절연된 복수의 전도 요소들을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 제1 전도성 라인들을 통해서 제2 전도성 브랜치들의 복수의 쌍들을 형성하여 상기 제2 전도성 셀들에 상기 전도 요소들을 연결시키는 단계;를 포함하는, 전극 구조 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 전도성 라인들과 상기 제2 전도성 브랜치들 사이에 절연 레이어를 형성하는 단계를 더 포함하는, 전극 구조 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 절연 레이어는 복수의 절연 요소들을 포함하는, 전극 구조 형성 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 (a) 단계 및 상기 (b) 단계는 같이 실행되는, 전극 구조 형성 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 전극 구조의 가장자리 상에서 상기 제1 전도성 셀들과 상기 제2 전도성 셀들을 연결하는 복수의 신호 트레이스들을 형성하는 단계를 더 포함하는, 전극 구조 형성 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 상기 제1 전도성 라인 각각에 윈도우가 형성되며; 그리고
    상기 (b) 단계에서 상기 각 전도 요소는 상기 전도 요소와 상기 제1 전도성 라인 사이에 형성된 폐쇄 간극을 두고 상기 윈도우에 위치한, 전극 구조 형성 방법.
  16. 터치 감지 신호들을 생성하기 위해 제1항의 전극 구조 및
    상기 터치 감지 신호들을 수신하고 프로세싱하기 위한 제어기를 포함하는 터치 패널.
KR1020110094723A 2011-05-28 2011-09-20 터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널 KR101330779B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110152884.9A CN102799301B (zh) 2011-05-28 2011-05-28 触控面板的电极结构、制造方法以及触控面板
CN201110152884.9 2011-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120132606A KR20120132606A (ko) 2012-12-06
KR101330779B1 true KR101330779B1 (ko) 2013-11-18

Family

ID=44785235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110094723A KR101330779B1 (ko) 2011-05-28 2011-09-20 터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8698001B2 (ko)
EP (1) EP2530565B1 (ko)
JP (1) JP5420709B2 (ko)
KR (1) KR101330779B1 (ko)
CN (1) CN102799301B (ko)
TW (2) TWI464656B (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200842681A (en) 2007-04-27 2008-11-01 Tpk Touch Solutions Inc Touch pattern structure of a capacitive touch panel
TWI374379B (en) 2007-12-24 2012-10-11 Wintek Corp Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof
JP5829206B2 (ja) 2009-03-20 2015-12-09 宸鴻科技（廈門）有限公司ＴＰＫ Ｔｏｕｃｈ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ（Ｘｉａｍｅｎ）Ｉｎｃ． 容量型タッチ回路パターン及びその製造方法
CN102279678A (zh) 2010-06-12 2011-12-14 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控电路图形结构及制造方法、触控面板及触控显示屏
CN102799301B (zh) * 2011-05-28 2015-05-20 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板的电极结构、制造方法以及触控面板
CN102866794A (zh) 2011-06-15 2013-01-09 宸鸿光电科技股份有限公司 触控感测层及其制造方法
JP5413443B2 (ja) * 2011-12-12 2014-02-12 株式会社デンソー 電子装置
US8895882B2 (en) * 2012-03-14 2014-11-25 Htc Corporation Touch panel
KR101389086B1 (ko) * 2012-04-12 2014-04-25 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드 정전용량식 터치 패널의 전도체 패턴 구조
JP6057332B2 (ja) * 2013-02-06 2017-01-11 アルプス電気株式会社 入力装置
CN103246420B (zh) * 2013-05-13 2016-08-10 苏州欧菲光科技有限公司 单层多点电容触摸屏
TWI492105B (zh) * 2013-10-25 2015-07-11 致伸科技股份有限公司 觸控滑鼠及應用於觸控滑鼠之觸控電路板
CN104932764B (zh) * 2015-06-25 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种电容式触控屏及其制备方法、显示装置
CN106873831B (zh) * 2017-02-07 2023-09-19 安徽精卓光显技术有限责任公司 触摸显示屏、压力感应触摸屏及其制作方法
KR102551226B1 (ko) * 2018-07-25 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 터치 부재 및 터치 부재를 구비하는 표시장치
KR20200060601A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 입력감지유닛 및 이를 포함하는 표시장치
TWI710937B (zh) * 2019-06-14 2020-11-21 友達光電股份有限公司 觸控裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011076155A (ja) 2009-09-29 2011-04-14 Seiko Epson Corp タッチパネル、タッチパネルの製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2011091237A (ja) 2009-10-23 2011-05-06 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法、タッチパネル、電気光学装置、電子機器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9406702D0 (en) 1994-04-05 1994-05-25 Binstead Ronald P Multiple input proximity detector and touchpad system
US6970160B2 (en) 2002-12-19 2005-11-29 3M Innovative Properties Company Lattice touch-sensing system
CN201078769Y (zh) * 2007-04-27 2008-06-25 宸鸿光电科技股份有限公司 电容式触控板的触控图型结构
TW200842681A (en) * 2007-04-27 2008-11-01 Tpk Touch Solutions Inc Touch pattern structure of a capacitive touch panel
US8711105B2 (en) * 2008-08-21 2014-04-29 Wacom Co., Ltd. Touchscreen with extended conductive pattern
TWI496038B (zh) * 2008-08-21 2015-08-11 Wacom Co Ltd 擴充觸控螢幕圖案
US8493337B2 (en) * 2008-09-22 2013-07-23 Ritfast Corporation Light transmission touch panel
CN101488066B (zh) 2009-03-09 2010-12-22 友达光电股份有限公司 触控显示面板与触控基板
KR101073333B1 (ko) * 2009-08-27 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
JP5251820B2 (ja) * 2009-10-15 2013-07-31 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するためのマトリックス型電極基板、及びその製造方法
KR101448251B1 (ko) * 2010-10-28 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 구비한 표시 장치
TW201241708A (en) * 2011-04-07 2012-10-16 Elan Microelectronics Corp Capacitance sensor structure
CN102799301B (zh) * 2011-05-28 2015-05-20 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板的电极结构、制造方法以及触控面板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011076155A (ja) 2009-09-29 2011-04-14 Seiko Epson Corp タッチパネル、タッチパネルの製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2011091237A (ja) 2009-10-23 2011-05-06 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法、タッチパネル、電気光学装置、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI464656B (zh) 2014-12-11
JP5420709B2 (ja) 2014-02-19
EP2530565A3 (en) 2014-01-22
TWM423866U (en) 2012-03-01
US20120298405A1 (en) 2012-11-29
US8698001B2 (en) 2014-04-15
TW201248481A (en) 2012-12-01
US20140166611A1 (en) 2014-06-19
US9153385B2 (en) 2015-10-06
EP2530565B1 (en) 2016-05-25
EP2530565A2 (en) 2012-12-05
KR20120132606A (ko) 2012-12-06
CN102799301A (zh) 2012-11-28
JP2012248181A (ja) 2012-12-13
CN102799301B (zh) 2015-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101330779B1 (ko) 터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널
US9454267B2 (en) Touch sensing circuit and method for making the same
KR102262548B1 (ko) 터치 윈도우
JP5439565B2 (ja) タッチパネル及びその製造方法
US8283935B2 (en) Method of forming touch sensing circuit pattern
KR101093651B1 (ko) 금속박막을 이용한 터치패널 및 그 제조방법
US10048820B2 (en) Touch panel and manufacturing method thereof
KR102303214B1 (ko) 터치 스크린 패널 및 그의 제조방법
US20130027118A1 (en) Capacitive touch panel and a method of manufacturing the same
KR20080096352A (ko) 용량성 터치 패널의 컨덕터 패턴 구조
CN102799332B (zh) 一种嵌入式单层电容触摸屏
US20170277308A1 (en) Capacitive touch screen and method of manufacturing the same and touch control device
US9058083B2 (en) Touch sensing structure and method for making the same
KR101368684B1 (ko) 터치 검지용 패널 및 그 제조 방법
US20160132180A1 (en) Capacitive Touch Circuit and Touch Sensor and Capacitive Touch System Using The Same
CN202189340U (zh) 触控面板的电极结构以及触控面板
TWI530835B (zh) 觸控面板、觸控顯示裝置及觸控面板之製造方法
KR20130008743A (ko) 터치 패널
JP3213947U (ja) 静電容量式タッチスイッチ電極
KR20130115561A (ko) 용량성 터치 패널의 전도체 패턴 구조
JP2016178071A (ja) 静電容量式タッチスイッチ電極
TWM495571U (zh) 觸控面板之連續線路結構

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161020

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171019

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180810

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191017

Year of fee payment: 7