KR20120001654A

KR20120001654A - 성막 장치

Info

Publication number: KR20120001654A
Application number: KR1020110062792A
Authority: KR
Inventors: 도시아끼 구스노끼; 다쯔야 미야께; 겐이찌 야마모또; 다께시 다마꼬시
Original assignee: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Priority date: 2010-06-29
Filing date: 2011-06-28
Publication date: 2012-01-04
Also published as: KR101269738B1; JP2012012633A; CN102312207A; JP5352537B2; TW201215249A; CN102312207B

Abstract

성막 장치를 대형화하지 않고, 박막 유기 EL 재료 상에, 저데미지로 또한 고속의 스퍼터링 성막을 행한다. 타깃 재료(11)측이 개구이고, 기판측이 폐지면 내에 스퍼터링 입자를 통과시키는 슬릿을 갖는 가동식 실드 전극(13) 내에 마그네트론 플라즈마(20)를 가두고, 가동식 실드 전극(13)과 마그네트론(17)을 동시에 주사하여, 하층막에 대한 데미지가 적은 성막을 행하고, 그 후, 마그네트론(17)만 주사하여 마그네트론 플라즈마에 의한 고속의 성막을 행한다. 이에 의해, 하층막에 대하여 데미지가 적고, 또한, 고속의 성막을 행할 수 있다.

Description

성막 장치{FILM FORMING DEVICE}

본 발명은, 스퍼터링을 사용한 성막 장치에 관한 것으로, 성막면 특히 유기EL 등의 유기막에의 데미지가 적고, 또한 고속 성막이 가능한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.

유기 EL 소자는 표시 소자 혹은 조명용 소자로서 최근 주목받고 있다. 유기EL 소자의 디바이스 구조는, 대표적으로는 도 10에 도시한 바와 같이, 글래스 등의 기판(1) 상에 직접, 혹은 액티브 매트릭스 구동을 위한 TFT 소자가 형성되어 패시베이션(passivation)된 기판(1) 상에, 하부 전극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6), 전자 주입층(7), 상부 전극(8)을 적층한 톱(top) 캐소드형의 것이다. 이 외에 도 11에 도시한 바와 같이 하부 전극(2), 전자 주입층(7), 전자 수송층(6), 발광층(5), 정공 수송층(4), 정공 주입층(3), 상부 전극(8)을 적층한 톱 애노드형도 있다.

또 다른 분류 방법으로서 광(화살표)을 취출하는 방향의 차이로부터, 도 12에 도시한 바와 같이 하부 전극(2)에 투명 하부 전극(2-1), 상부 전극(8)에 Al 등의 반사 상부 전극(8-1)을 사용한 보톰(bottom) 에미션형이나, 하부 전극(2)에 Al 등의 반사 하부 전극(2-2), 상부 전극에 투명 상부 전극(8-2)을 사용한 톱 에미션형 등이 있다. 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6)은 유기막(9)이고, 정공 주입층(3), 전자 주입층(7)은 금속 등을 도프한 유기막, 또는 무기막으로 이루어진다.

도 12의 보톰 에미션형의 경우, 유기막(9) 상의 전자 주입층(7), 상부 반사 전극(8-1)의 성막에는, 통상 증착법이 사용된다. 구체적으로는 전자 주입층(7)에 LiF의 증착막, 상부 전극(8-1)에 Al이나 Ag 등의 증착막이 사용되는 예가 많다. 도 13의 톱 에미션형의 경우에는, 투명 상부 전극(8-2)은 보통 스퍼터링법에 의해 형성되지만, 전자 주입층(7)은 증착법이 사용된다.

구체적으로는 전자 주입층(7)은 얇고 반투명의 Mg-Ag 합금 등의 증착막, 투명 상부 전극(8-2)은 IZO나 ITO의 스퍼터막이 사용되는 경우가 많다. 이와 같이 보톰 에미션형, 톱 에미션형 모두 유기막(9) 상의 성막은 증착법이 채용되고 있다. 이와 같이 유기막(9) 상에의 성막에 증착법을 채용하는 이유는, 증착 입자가 중성이며 또한 저에너지의 입자이므로, 유기막(9)에의 데미지가 작기 때문이다.

한편, 스퍼터링법은, 고에너지의 이온이나 입자, 2차 전자선이 발생하므로, 유기막(9) 상에 직접 스퍼터링법에 의해 성막을 행하면 유기막(9)에 데미지를 주어, 유기 EL의 정상적인 발광이 얻어지지 않게 된다. 따라서, 스퍼터링법을 채용하는 경우에는, 증착법에 의해 형성한 Mg-Ag 등의 전자 주입층(7)을 완충층(버퍼)으로서 사용하거나, 데미지를 억제하기 위해서 특별한 고안이 실시된 스퍼터링 장치를 사용해야만 한다.

유기막(9)의 데미지를 억제하는 스퍼터링 장치로서는 다양한 것이 제안되어 있다. 예를 들어 특허 문헌 1에서는, 대향하는 한 쌍의 타깃 및 자계 발생 수단과, 타깃간의 공간과 대향하는 위치에 기판을 배치하는 대향 타깃식 스퍼터링 장치를 사용하고 있다. 또한, 특허 문헌 2에서는, 타깃과 기판 사이에 접지 전위 또는 정전위인 그리드 전극, 또는 타깃보다 작은 개구를 갖는 애퍼처를 설치하는 장치가 제안되어 있다. 이들 방법을 사용함으로써, 스퍼터링법에 의해 발생하는, 고에너지의 이온이나 입자, 2차 전자선의 영향을 없애거나, 또는 경감하는 것이 가능하다.

그러나, 이들 방법은 통상의 스퍼터링법에 비해, 성막 속도가 뒤떨어지는 과제가 있다. 그 때문에, 특허 문헌 3에 기재된 바와 같이 기판을 제1 및 제2 타깃으로 이루어지는 대향 타깃식 스퍼터부의 측방을 통과시켜, 적은 데미지로 성막한 후, 제3 타깃으로 이루어지는 평행 평판식 스퍼터부와 정면으로 마주 대하는 위치를 통과시켜, 큰 퇴적 속도로 박막을 적층하는 것이나, 특허 문헌 4에 기재된 바와 같이, 타깃과 기판 사이에 이동 가능한 그리드 전극을 형성하고, 그리드 전극이 타깃과 기판 사이에 있는 상태에서, 일정 시간 박막을 형성한 후, 타깃과 기판 사이에 그리드 전극을 개재시키지 않은 상태에서, 박막 형성을 더 행함으로써, 저데미지와 고속 성막을 양립시키고 있다.

일본 특허 출원 공개 평10-255987 일본 특허 출원 공개 평10-158821 일본 특허 출원 공개 제2007-39712 일본 특허 출원 공개 제2007-46124

유기 EL 표시 장치 제조 시의 기판 사이즈는 해마다 대형화되어, 스퍼터링 장치에도 대면적 기판에 고속 성막이 요구되고 있다. 한편, 설비 투자 규모의 삭감을 위해서 장치의 대형화는 가능한 한 억제할 필요가 있다. 특허 문헌 3의 방법은, 대면적 기판에의 고속 성막에의 대응은 가능하다고 생각되지만, 2개의 스퍼터링 방법을 병용하기 때문에, 장치의 대형화는 피할 수 없다. 특허 문헌 4의 방법도, 그리드 전극을 출입시키기 때문에, 장치의 대형화는 피할 수 없다.

본 발명의 목적은, 종래와 같은 장치 치수로, 저데미지와 고속 성막의 양립을 가능하게 하는 스퍼터링 장치를 제공하여, 생산성을 향상시키는 것에 있다.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위한 성막 장치로서, 유기 EL막 등 상에, 처음에 가동식 실드 전극을 사용함으로써, 유기막 등에 데미지를 주지 않는 제1 스퍼터링에 의한 성막을 행하고, 다음으로 가동식 실드 전극을 사용하지 않고 고속 성막이 가능한 제2 스퍼터링에 의한 성막을 행한다. 또한, 다른 형태의 장치로서, 1개의 장치로 2매의 기판에 스퍼터링할 수 있는 장치에 있어서, 1개의 가동식 실드 전극을 사용하여, 상기 제1 스퍼터링과 제2 스퍼터링을 교대로 행하여, 2매의 기판을 병행하여 성막한다. 대표적인 장치의 구성은 다음과 같다.

제1 수단은, 진공조 내에 제1 면에 타깃 재료를 배치한 타깃 전극과 제1 면에 기판을 배치한 기판 전극을 대향 배치하고, 상기 타깃 전극의 제2 면에 배치된 마그네트론에 의해, 상기 타깃 재료의 일부에 마그네트론 플라즈마를 발생시키고, 상기 마그네트론을 상기 타깃 전극의 제2 면에서 주사함으로써, 상기 타깃 전극 재료를 스퍼터링하여, 상기 기판에 타깃 재료를 성막하는 요동식 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 타깃 재료와의 사이에 마그네트론 플라즈마를 가두기 위한 가동식 실드 전극을 배치하고, 상기 가동식 실드 전극은 상기 타깃 재료측이 개구이고, 상기 기판측이 폐지면 내에 마그네트론 플라즈마로부터의 스퍼터링 입자를 통과시키는 슬릿을 갖고, 상기 기판에의 성막을, 우선 상기 마그네트론과 상기 가동식 실드 전극을 동기하여 스퍼터링 성막을 행하고, 계속해서, 가동식 실드 전극은 타깃 영역 밖에 대기시키고, 마그네트론을 주사하여 스퍼터링 성막을 행하는 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

제2 수단은, 진공조 내에 제1 면에 타깃 재료를 배치한 제1 및 제2 타깃 전극과 제1 면에 기판을 배치한 제1 및 제2 기판 전극을 대향 배치하고, 상기 제1 및 제2 타깃 전극의 제2 면에 배치된 제1 및 제2 마그네트론에 의해, 상기 제1 및 제2 타깃 전극의 일부에 마그네트론 플라즈마를 발생시키고, 상기 마그네트론을 상기 제1 및 제2 타깃 전극 배면에서 주사함으로써, 상기 제1 및 제2 타깃 재료를 스퍼터링하여, 상기 제1 기판 전극에 배치된 상기 제1 기판에 상기 제1 타깃 재료를 성막하고, 상기 제2 기판 전극에 배치된 상기 제2 기판에 상기 제2 타깃 재료를 성막하는 요동식 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 제1 또는 제2 타깃 재료와의 사이에 마그네트론 플라즈마를 가두기 위한 가동식 실드 전극을 배치하고, 상기 가동식 실드 전극은, 상기 제1 또는 제2 타깃 재료측이 개구이고, 상기 제1 또는 제2 기판측이 폐지면 내에 마그네트론 플라즈마로부터의 스퍼터링 입자를 통과시키는 슬릿을 갖고, 상기 제1 타깃 재료를 상기 제1 마그네트론과 상기 가동식 실드 전극을 동기하여 주사하여, 제1 스퍼터링 성막을 행하고 있을 때는, 상기 제2 타깃을, 상기 가동식 실드 전극을 사용하지 않고 상기 제2 마그네트론으로 주사하여 제2 스퍼터링 성막을 행하고, 계속해서 상기 가동식 실드 전극을 상기 제2 타깃 전극측으로 이동하여, 상기 제2 타깃 재료를 상기 제2 마그네트론과 상기 가동식 실드 전극을 동기하여 주사하여, 제1 스퍼터링 성막을 행하고 있을 때는, 상기 제1 타깃 재료를 상기 가동식 실드 전극을 사용하지 않고 상기 제1 마그네트론을 주사하여 제2 스퍼터링 성막을 행하는 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

제1 수단에 의해, 성막 장치를 대형화하지 않고, 시료에의 데미지 억제와 고속 성막을 양립할 수 있는 스퍼터링 장치를 실현할 수 있다. 제2 수단에 의해, 처리량이 더욱 높은 스퍼터링 장치를 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 스퍼터링 장치의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 스퍼터링 장치의 진공조 내부의 타깃면측을 본 평면도.
도 3은 본 발명의 스퍼터링 장치의 진공조 외부의 요동 마그네트론측을 본 평면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 막에 대한 데미지가 적은 스퍼터링 방법을 설명하는 도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 고속 성막의 스퍼터링 방법을 설명하는 도면.
도 6은 본 발명의 제2 실시예의 스퍼터링 장치의 제1 공정에 있어서의 진공조 내부의 타깃면측을 본 평면도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예의 스퍼터링 장치의 제1 공정에 있어서의 진공조 외부의 요동 마그네트론측을 본 평면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예의 스퍼터링 장치의 제2 공정에 있어서의 진공조 내부의 타깃면측을 본 평면도.
도 9는 본 발명의 제2 실시예의 스퍼터링 장치의 제2 공정에 있어서의 진공조 외부의 요동 마그네트론측을 본 평면도.
도 10은 톱 캐소드형의 유기 EL 소자 구조의 예를 도시하는 도면.
도 11은 톱 애노드형의 유기 EL 소자 구조의 예를 도시하는 도면.
도 12는 보톰 에미션형의 유기 EL 소자 구조의 예를 도시하는 도면.
도 13은 톱 에미션형의 유기 EL 소자 구조의 예를 도시하는 도면.

이하, 본 발명의 실시 형태를 실시예에 기초하여 상세하게 설명한다.

[제1 실시예]

제1 실시예는 1매의 스퍼터링 타깃과 가동식 실드 전극을 갖는 요동식 마그네트론 스퍼터링 장치로, 마그네트론을 주사할 때의 왕로(往路)는 마그네트론과 가동식 실드 전극을 동기하여 저데미지의 스퍼터링 성막을 행하고, 복로는 마그네트론과 가동식 실드 전극을 동기하지 않고 통상의 평행 평판식의 스퍼터링 성막을 행하는 장치에 관한 것이다.

도 1에 본 발명의 스퍼터링 장치의 기본 구성의 단면 구조를 도시한다. 진공조(10) 중에는 타깃(11)과 타깃 전극(12), 가동식 실드 전극(13), 타깃(11) 주변의 고정식 실드 전극(14), 시료 기판(15), 기판 전극(16)이 배치된다. 또한 도시하지 않지만, 기판을 출입시키기 위한 반송 기구가 설치된다. 한편, 진공조(10)의 밖에서는, 대기측에 노출되는 타깃 전극(12)의 배면 상에 요동식 마그네트론(17)이 배치되어, 타깃 상에 국소적인 마그네트론 플라즈마(20)를 생성한다. 가동식 실드 전극(13)은, 타깃(11)면측이 전체면 개방되고, 기판 전극(16)측에 좁은 슬릿이 형성된 상자형을 하고 있고, 마그네트론 플라즈마(20)를 가두는 구조로 되어 있다.

도 2는 진공조(10) 내부의 타깃(11)면측을 본 평면도이다. 가동식 실드 전극(13)은 가는 슬릿이 형성된 직사각형 형상이고, 타깃(11)면을 단부부터 단부까지 주사할 수 있도록 되어 있다. 도 3은 진공조(10) 외부의 요동식 마그네트론(17)측으로부터 본 평면도이다. 요동식 마그네트론(17)은 S극 자석군(18), N극 자석군(19)을 직사각형으로 배치하고, 요동 방향을 따른 자장을 발생한다. 또한 요동(주사) 범위는 타깃(11)의 단부부터 단부까지이며, 상하로 요동함으로써, 타깃 전체면을 균일하게 스퍼터링할 수 있고, 또한 가동식 실드 전극(13)과 동기 주사할 수 있도록 되어 있다.

본 도면은 종형의 진공조 내에서 세로로 설치된 타깃(11)과 기판 전극(16)을 사용하는 방식을 도시하고 있지만, 타깃(11)이 아래에 있고, 기판 전극(16)이 위에 있는 스퍼터 업 방식이나, 타깃(11)이 위에 있고, 기판 전극(16)이 아래에 있는 스퍼터 다운 방식이어도 기본적인 구성은 동일하다.

도 4는 시료 기판(도시 생략)이 진공 용기(1)에 반입된 후의 제1 단계의 성막 공정(왕로)을 도시한 것이다. 우선, 가동식 실드 전극(13)과 요동식 마그네트론(17)이 연동하여, 타깃(11)의 상단부측부터 성막을 시작한다. 마그네트론 자장에 의해 폐색된 마그네트론 플라즈마(20)는, 가동식 실드 전극(13) 내에 갇혀져, 이온이나 2차 전자를 트랩하여, 시료 기판(도시 생략)에의 데미지를 억제한다. 가동식 실드 전극(13)과 요동식 마그네트론(17)은, 타깃 전극(12)의 표리를 따라서 동기하여 주사되어, 타깃(11)의 하단부까지 도달하여, 제1 단계의 성막을 완료한다. 제1 단계의 성막 속도는, 마그네트론 플라즈마(20)가 가동식 실드 전극(13)으로 덮여져, 가는 슬릿으로부터만 성막되기 때문에 느리지만, 여기서는 10㎚ 정도의 막 두께를 성막할 수 있으면 된다. 계속해서 도 5에 도시한 바와 같이, 이번에는 요동식 마그네트론(17)만을 상방향으로 주사하고, 가동식 실드 전극(13)은 대기시켜 통상의 고성막 속도의 스퍼터링을 행하여, 나머지의 필요 막 두께를 성막한다(복로). 이 2단계 성막을 행함으로써, 시료에의 데미지 억제와 고속 성막을 양립하는 것이 가능하다. 또한 성막이 끝나고 시료 기판(도시 생략)을 교체하는 동안에, 가동식 실드 전극(13)은 초기 위치로 복귀됨으로써, 반복하여 상기의 2단계 성막을 행하는 것이 가능하다.

제2 실시예는, 1개의 진공조에 2매의 스퍼터링 타깃과 1개의 가동식 실드 전극, 2개의 요동식 마그네트론을 갖는 요동식 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.

우선, 도 6, 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 타깃 전극(21)을 요동식 마그네트론(17)과 가동식 실드 전극(13)을 동기하여 주사하여 저데미지의 제1 단계의 스퍼터링 성막을 행한다. 그 동안, 제2 타깃 전극(22)에서는 하나 전에 진공조(10)에 반입되어, 이미 제1 단계의 성막이 끝나 있는 시료 기판(도시 생략)에 대하여, 마그네트론(17)만 주사하여 고성막 속도의 스퍼터링 성막을 행한다.

계속해서 제2 단계의 성막이 끝난 시료 기판(도시 생략)이 진공조(10)로부터 취출되고, 새로운 시료 기판(도시 생략)이 반입되는 사이에, 가동식 실드 전극(13)이 제2 타깃 전극(22)측으로 이동한다. 또한, 진공조에의 기판의 출입은 예비조(반송조)를 통하여 행하여지므로, 진공조의 진공은 깨뜨리지 않고, 스퍼터링을 행할 수 있다.

그리고 이번에는 도 8, 도 9에 도시한 바와 같이 제1 타깃 전극(21)에서는 요동식 마그네트론(17)만 주사하여 고성막 속도의 제2 단계의 스퍼터링 성막을 행하고, 제2 타깃 전극(22)에서는 요동식 마그네트론(17)과 가동식 실드 전극(13)을 동기하여 주사하여 저데미지의 성막을 행한다. 성막이 종료되면 다시, 시료 기판(도시 생략)의 출입 및 가동식 실드 전극(13)이 제1 타깃 전극(21)측으로 복귀되어, 초기 위치로 복귀된다.

이와 같이 제1 타깃 전극(21) 및 제2 타깃 전극(22)에서 교대로 저데미지, 저속도 성막과 고속도 성막의 2단계 성막을 반복함으로써, 시료에의 데미지 억제와 고속 성막을 양립하는 스퍼터링 장치를 실현할 수 있다.

본 발명은, 유기 EL 등의 유기층 상 등에 저데미지로 또한 고속으로 성막하는 것이 가능한 스퍼터링 장치이다.

1 : 기판
2 : 하부 전극
2-1 : 투명 하부 전극
2-2 : 반사 하부 전극
3 : 홀 주입층
4 : 홀 수송층
5 : 발광층
6 : 전자 수송층
7 : 전자 주입층
8 : 상부 전극
8-1 : 반사 상부 전극
8-2 : 투명 상부 전극
10 : 진공조
11 : 타깃
12 : 타깃 전극
13 : 가동식 실드 전극
14 : 고정 실드 전극
15 : 시료 기판
16 : 기판 전극
17 : 요동식 마그네트론
18 : S극 자석군
19 : N극 자석군
20 : 마그네트론 플라즈마
21 : 제1 타깃
22 : 제2 타깃

Claims

진공조 내에 제1 면에 타깃 재료를 배치한 타깃 전극과 제1 면에 기판을 배치한 기판 전극을 대향 배치하고, 상기 타깃 전극의 제2 면에 배치된 마그네트론에 의해, 상기 타깃 재료의 일부에 마그네트론 플라즈마를 발생시키고, 상기 마그네트론을 상기 타깃 전극의 제2 면에서 주사함으로써, 상기 타깃 전극 재료를 스퍼터링 하여, 상기 기판에 타깃 재료를 성막하는 요동식 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서,
상기 타깃 재료와의 사이에 마그네트론 플라즈마를 가두기 위한 가동식 실드 전극을 배치하고,
상기 가동식 실드 전극은 상기 타깃 재료측이 개구이고, 상기 기판측이 폐지면(閉止面) 내에 마그네트론 플라즈마로부터의 스퍼터링 입자를 통과시키는 슬릿을 갖고,
상기 기판에의 성막을, 우선 상기 마그네트론과 상기 가동식 실드 전극을 동기하여 스퍼터링 성막을 행하고, 계속해서, 가동식 실드 전극은 타깃 영역 밖에서 대기시키고, 마그네트론을 주사하여 스퍼터링 성막을 행하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
진공조 내에 제1 면에 타깃 재료를 배치한 제1 및 제2 타깃 전극과 제1 면에 기판을 배치한 제1 및 제2 기판 전극을 대향 배치하고, 상기 제1 및 제2 타깃 전극의 제2 면에 배치된 제1 및 제2 마그네트론에 의해, 상기 제1 및 제2 타깃 전극의 일부에 마그네트론 플라즈마를 발생시키고, 상기 제1 및 제2 마그네트론을 상기 제1 및 제2 타깃 전극 배면에서 주사함으로써, 상기 제1 및 제2 타깃 재료를 스퍼터링하여, 상기 제1 기판 전극에 배치된 상기 제1 기판에 상기 제1 타깃 재료를 성막하고, 상기 제2 기판 전극에 배치된 상기 제2 기판에 상기 제2 타깃 재료를 성막하는 요동식 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서,
상기 제1 또는 제2 타깃 재료와의 사이에 마그네트론 플라즈마를 가두기 위한 가동식 실드 전극을 배치하고,
상기 가동식 실드 전극은, 상기 제1 또는 제2 타깃 재료측이 개구이고, 상기 제1 또는 제2 기판측이 폐지면 내에 마그네트론 플라즈마로부터의 스퍼터링 입자를 통과시키는 슬릿을 갖고,
상기 제1 타깃 재료를 상기 제1 마그네트론과 상기 가동식 실드 전극을 동기하여 주사하여, 제1 스퍼터링 성막을 행하고 있을 때는, 상기 제2 타깃을, 상기 가동식 실드 전극을 사용하지 않고 상기 제2 마그네트론으로 주사하여 제2 스퍼터링 성막을 행하고,
계속해서 상기 가동식 실드 전극을 상기 제2 타깃 전극측으로 이동하여, 상기 제2 타깃 재료를 상기 제2 마그네트론과 상기 가동식 실드 전극을 동기하여 주사하여, 제1 스퍼터링 성막을 행하고 있을 때는, 상기 제1 타깃 재료를 상기 가동식 실드 전극을 사용하지 않고 상기 제1 마그네트론을 주사하여 제2 스퍼터링 성막을 행하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 스퍼터링 성막은 상기 제1 스퍼터링 성막보다도 고속으로 성막하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.