KR20110129137A - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 GaAsP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/40—Materials therefor
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Abstract
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 전극패드로부터 분기된 투광성 날개전극을 포함한다.
Description
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Device: LED)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. LED는 화합물 반도체의 조성비 및 재질을 조절함으로써 다양한 색상 구현이 가능하다.
발광 다이오드는 순방향 전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 빛 에너지를 생성할 수 있다.
특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) LED, 녹색(Green) LED, 적색(Red) LED, 자외선(UV) LED 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예는 발광 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 전극패드로부터 분기된 투광성 날개전극을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자는 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상이한 두께를 갖는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 투명전극층; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드를 포함하며, 상기 투명전극층의 제2 영역은 상기 제2 전극패드로부터 분기된 형상을 갖는다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드와, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드와, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며 상기 제2 전극패드로부터 분기된 투광성 날개전극을 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예는 발광 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 상면도
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A'면을 나타내는 도면
도 3은 도 1의 발광 소자의 B-B'면을 나타내는 도면
도 4 내지 도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 투명전극층의 구조에 대한 다양한 예를 나타내는 도면
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 12는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A'면을 나타내는 도면
도 3은 도 1의 발광 소자의 B-B'면을 나타내는 도면
도 4 내지 도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 투명전극층의 구조에 대한 다양한 예를 나타내는 도면
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 12는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 상면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자(100)의 A-A'면을 나타내는 도면이고, 도 3은 도 1의 발광 소자(100)의 B-B'면을 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 기판(105)과, 상기 기판(105) 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물(110)과, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 형성된 제1 전극패드(130)와, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 형성된 투명전극층(120)과, 상기 투명전극층(120) 상에 제2 전극패드(140)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 투광전극층(120)은 투광성 도전층(122)과, 상기 투광성 도전층(122) 상에 형성되며 상기 제2 전극패드(140)로부터 분기된 투광성 날개전극(125)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 투명전극층(120)을 이처럼 상기 투광성 도전층(122)과 상기 투광성 날개전극(125)을 포함하도록 형성함으로써, 상기 발광구조물(110)에 전류를 원활히 스프레딩 하는 동시에, 상기 발광구조물(110)로부터 입사되는 빛이 상기 투명전극층(120)에 의해 손실되는 것을 최소화할 수 있다.이에 따라, 궁극적으로는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대해 각 구성 요소를 중심으로 상세히 설명한다.
상기 기판(105)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 또는 Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(105)의 상면은 상기 발광구조물(110)을 원활히 성장하고, 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시키기 위해 경사지게 형성되거나, 패턴이 형성될 수 있다.
상기 발광구조물(110)은 상기 기판(105) 상에 형성될 수 있다.
상기 발광구조물(110)은 적어도 상기 제1 도전형 반도체층(112), 상기 활성층(114) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광구조물(110)은 3족 내지 5족 화합물 반도체, 예를 들어, AlInGaN, GaAs, GaAsP, GaP 계열의 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있으며, 상기 제1,2 도전형 반도체층(112,116)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 상기 활성층(114)에서 재결합(Recombination) 됨으로써 빛 에너지를 생성할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에는 상기 활성층(114)이 형성될 수 있다. 상기 활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 화합물 반도체 재질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(114)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.
또한, 상기 활성층(114)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.
상기 활성층(114) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 p형 도펀트를 포함한다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 발광 구조물(110)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 n형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 p형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 상기 발광 구조물(110)은 np 접합, pn 접합, npn 접합 및 pnp 접합 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에는 상기 제1 전극패드(130)가 형성될 수 있다.
상기 제1 전극패드(130)를 형성하기 위해, 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상면을 메사 에칭(M)(Mesa Etching)을 통해 일부 노출시킬 수 있다. 상기 메사 에칭(M)은 상기 발광구조물(110)을 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상면이 노출될 때까지 에칭하는 공정이다.
상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에는 상기 투명전극층(120)이 형성될 수 있다.
앞에서 설명한 것처럼, 상기 투명전극층(120)은 투광성 도전층(122)과, 상기 투광성 도전층(122) 상에 형성되며 상기 제2 전극패드(140)로부터 분기된 투광성 날개전극(125)을 포함할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 도 1에 도시된 것처럼 상기 투명전극층(120)은 상기 투광성 도전층(122) 만이 형성된 제1 영역(X)과, 상기 투광성 도전층(122) 및 상기 투광성 날개전극(125)이 중첩되는 제2 영역(Y)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(X)과 상기 제2 영역(Y)에서 상기 투명 전극층(120)은 상이한 두께를 갖게 되며, 이에 따라 상이한 전기 저항값 및 광 투과율을 가진다.
예를 들어, 상기 제2 영역(Y)의 두께(t2)는 상기 제1 영역(X)의 두께(t1)보다 두꺼울 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 영역(Y)의 횡 방향의 전기 저항값이 상기 제1 영역(X)의 횡 방향의 전기 저항값보다 작을 수 있다.
아래의 (식 1)과 같이, 전기 저항값은 면적에 반비례하므로, 상기 제1,2 영역(X,Y)의 횡 방향의 전기 저항값은 상기 제1,2 영역(X,Y)의 횡 방향의 면적, 즉, 두께에 반비례하기 때문이다.
(여기서, R: 전기 저항값, ρ: 비저항, l: 길이, A: 면적)
결과적으로, 상기 제2 영역(Y)은 상기 제1 영역(X)에 비해 낮은 전기 저항값으로 인해 상기 발광구조물(110)에 전류를 효과적으로 스프레딩 시킬 수 있다. 즉, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 투명전극층(120)의 두께 조절을 통해 상기 발광구조물(110)에 전류를 효과적으로 스프레딩(Spreading) 시킬 수 있는 것이다.
한편, 상기 제2 전극패드(140)를 통해 외부 전극으로부터 전류가 흐르므로, 원활한 전류 스프레딩을 위해 상기 투광성 날개전극(125)은 상기 제2 전극패드(140)와 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 영역(Y)이 상기 제1 영역(X)보다 두께가 두꺼운 경우, 상기 제1 영역(X)에 비해 빛의 투과율이 낮을 수 있다. 따라서, 상기 제2 영역(Y)을 상기 제2 전극패드(140)로부터 분기된 날개 형상으로 선택적으로 형성함으로써, 전류의 효과적인 스프레딩과 빛의 효과적인 투과를 동시에 만족시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 제2 영역(Y)은 광 투과율과 전류 스프레딩을 고려하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 영역(Y)의 형상은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 설계에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
상기 투명전극층(120)은 예를 들어, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO 또는 ATO 중 적어도 하나를 포함하는 투광성과 전도성을 갖는 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 투명전극층(120)을 이루는 상기 투광성 도전층(122) 및 상기 투광성 날개전극(125)이 서로 동일한 재질로 형성되거나, 상이한 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 투명전극층(120)의 재질 및 구조는 다양한 변형이 가능하다.
도 4 내지 도 6은 실시예에 따른 발광 소자에 있어서, 상기 투명전극층(120)의 구조에 대한 다양한 예를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 투광성 도전층(122)은 예를 들어, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO 또는 ATO 중 적어도 하나를 포함하는 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성되고, 상기 투광성 날개전극(125a)은 Ni, Au, Ag, Al, Cr 등의 금속 재질로 형성될 수 있다.
상기 투광성 날개전극(125a)을 상기 금속 재질로 형성하더라도, 두께(t3)가 1nm 내지 10nm인 박막으로 형성하는 경우 빛이 투과할 수 있기 때문이다.
도 5를 참조하면, 상기 투광성 날개전극(125b)은 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 투광성 날개전극(125b)의 제1층은 1nm 내지 10nm 두께의 박막으로 형성된 상기 금속 재질로 형성되고, 상기 제1층 상의 제2층은 상기 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다.
즉, 상기 투광성 날개전극(125b)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag, AZO/Ag 등의 다층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6을 참조하면, 박막으로 형성된 금속 재질의 투광성 날개전극(125c)과, 상기 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성된 투광성 도전층(122)은 서로 중첩되지 않고, 각각이 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 바로 형성될 수도 있다.
이 경우, 상기 투광성 날개전극(125c)의 두께는 상기 투광성 도전층(122)의 두께보다 얇을 수 있다. 다만, 이 경우에도 금속 재질이 금속 산화물 또는 금속 질화물 재질에 비해 전기 전도성이 우수하므로, 상기 투광성 날개전극(125c)을 통해 효과적으로 전류가 스프레딩 될 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 투명전극층(120) 상에는 상기 제2 전극패드(140)가 형성될 수 있다. 상기 제2 전극패드(140)는 상기 제1 전극패드(130)와 함께 외부 전극에 전기적으로 연결되어 실시예에 따른 발광 소자(100)에 전원을 제공할 수 있다.
앞에서 설명한 것처럼, 상기 제2 전극패드(140)는 전류의 효과적인 스프레딩을 위해 상기 투광성 날개전극(125c)과 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 형성되는 것이 바람직하지만, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2 전극패드(140)의 두께는 적어도 상기 투명전극층(120)의 제2 영역(B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극패드(140)의 두께는 50nm 내지 300nm 일 수 있다.
또한, 상기 제2 전극패드(140)는 예를 들어, Cu, Ag, Al, Ni, Ti, Cr, Pd, Au 또는 Sn 등의 금속 재질로 이루어진 군에서 적어도 하나를 포함하도록 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이하, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 7을 참조하면, 상기 기판(105) 상에 상기 발광구조물(110)을 형성할 수 있다.
상기 발광구조물(110)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy) 또는 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 적어도 하나의 성장 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8을 참조하면, 상기 발광구조물(110)에 메사 에칭(Mesa Etching)을 실시하여 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상면이 노출되도록 할 수 있다.
상기 메사 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 드라이 에칭 방법을 사용할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 9를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 상면에 상기 투광성 도전층(122)을 형성할 수 있다.
상기 투광성 도전층(122)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering) 및 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 공정에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 10을 참조하면, 상기 투광성 도전층(122) 또는 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 상기 투광성 날개전극(125)을 형성할 수 있다. 상기 투광성 도전층(122) 및 상기 투광성 날개전극(125)은 상기 투명전극층(120)을 이룬다. 다만, 설명의 편의를 위해 도 10은 발광 소자의 상면을 도시하였다.
상기 투광성 날개전극(125)은 상기 투광성 도전층(122) 또는 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 패턴 마스크층을 형성한 후, 상기 패턴 마스크층을 따라 증착 공정 등을 실시함으로써 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 제1 전극패드(130)를 형성하고, 상기 투명전극층(120) 상에 상기 제2 전극패드(140)를 형성함으로써 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.
이때, 상기 제2 전극패드(140)는 적어도 일부가 상기 투광성 날개전극(125)과 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다.
상기 제1,2 전극패드(130,140)는 예를 들어, 증착 또는 도금 공정에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
<발광 소자 패키지>
도 12는 실시예에 따른 발광 소자(100)를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(20)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
상기 몰딩 부재(40) 위에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 상기 몰딩 부재(40)의 표면에 접촉되거나 접촉되지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 렌즈는 오목한 렌즈, 볼록한 렌즈, 오목과 볼록이 혼합된 렌즈 형상을 선택적으로 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 전조등, 램프, 가로등, 조명 등과 같은 조명장치 및 신호 등과 같은 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등에 적용된 장치를 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광 소자 105 : 기판
110 : 발광구조물 120 : 투명전극층
122 : 투광성 도전층 125 : 투광성 날개전극
140 : 전극
110 : 발광구조물 120 : 투명전극층
122 : 투광성 도전층 125 : 투광성 날개전극
140 : 전극
Claims (20)
- 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드; 및
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 전극패드로부터 분기된 투광성 날개전극을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 투광성 도전층을 포함하며,
상기 제2 전극패드 및 상기 투광성 날개전극은 상기 투광성 도전층 또는 상기 제2 도전형 반도체층 중 어느 하나 상에 형성된 발광 소자. - 제 2항에 있어서,
상기 투광성 날개전극과 상기 투광성 도전층은 동일한 재질로 형성된 발광 소자. - 제 2항에 있어서,
상기 투광성 날개전극과 상기 투광성 도전층은 상이한 재질로 형성된 발광 소자. - 제 2항에 있어서,
상기 투광성 도전층 및 상기 투광성 날개 전극은 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성된 발광 소자. - 제 2항에 있어서,
상기 투광성 도전층은 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성되고, 상기 투광성 날개전극은 금속 박막으로 형성된 발광 소자. - 제 2항에 있어서,
상기 투광성 도전층은 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성되고, 상기 투광성 날개전극은 금속 박막, 금속 산화물 또는 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 다층 구조로 형성된 발광 소자. - 제 6항 또는 제 7항에 있어서,
상기 금속 박막의 두께는 1nm 내지 10nm 인 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제2 전극패드의 두께는 50nm 내지 300nm 인 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제2 전극패드와 상기 투광성 날개전극은 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 발광구조물 아래에 기판을 포함하는 발광 소자. - 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상이한 두께를 갖는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 투명전극층; 및
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드를 포함하며,
상기 투명전극층의 제2 영역은 상기 제2 전극패드로부터 분기된 형상을 갖는 발광 소자. - 제 12항에 있어서,
상기 제2 영역의 두께가 상기 제1 영역의 두께보다 두꺼운 발광 소자. - 제 12항에 있어서,
상기 제2 영역의 두께가 상기 제1 영역의 두께보다 얇으며, 상기 제2 영역은 금속 박막으로 형성되고, 상기 제1 영역은 금속 질화물 또는 금속 산화물로 형성된 발광 소자. - 제 12항에 있어서,
상기 제2 영역은 상기 제2 전극패드와 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되는 발광 소자. - 제 12항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 재질은 동일한 발광 소자. - 제 12항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 재질은 상이한 발광 소자. - 제 12항에 있어서,
상기 제2 영역은 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 박막 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 발광 소자. - 몸체;
상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및
상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하며,
상기 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 전극패드와, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 전극패드와, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며 상기 제2 전극패드로부터 분기된 투광성 날개전극을 포함하는 발광 소자 패키지. - 제 19항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 투광성 도전층을 포함하며,
상기 제2 전극패드 및 상기 투광성 날개전극은 상기 투광성 도전층 또는 상기 제2 도전형 반도체층 중 어느 하나 상에 형성된 발광 소자 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100048599A KR101125416B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-05-25 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100048599A KR101125416B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-05-25 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110129137A true KR20110129137A (ko) | 2011-12-01 |
| KR101125416B1 KR101125416B1 (ko) | 2012-03-27 |
Family
ID=45498412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100048599A KR101125416B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-05-25 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101125416B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101997804B1 (ko) * | 2018-07-24 | 2019-07-08 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| KR20200011172A (ko) * | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160118393A (ko) | 2015-03-16 | 2016-10-12 | 한국광기술원 | 개량형 발광소자 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691441B1 (ko) | 2005-11-15 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| KR100830643B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2008-05-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자의 제조 방법 |
| TWI366291B (en) * | 2007-03-30 | 2012-06-11 | Epistar Corp | Semiconductor light-emitting device having stacked transparent electrodes |
| JP2009094413A (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄膜能動素子、有機発光装置、表示装置、電子デバイスおよび薄膜能動素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-05-25 KR KR1020100048599A patent/KR101125416B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101997804B1 (ko) * | 2018-07-24 | 2019-07-08 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| KR20200011172A (ko) * | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101125416B1 (ko) | 2012-03-27 |
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