KR20110128179A - 탄소 나노재료 형성에 사용하기 위한 가스 제공 - Google Patents

탄소 나노재료 형성에 사용하기 위한 가스 제공 Download PDF

Info

Publication number
KR20110128179A
KR20110128179A KR1020117019791A KR20117019791A KR20110128179A KR 20110128179 A KR20110128179 A KR 20110128179A KR 1020117019791 A KR1020117019791 A KR 1020117019791A KR 20117019791 A KR20117019791 A KR 20117019791A KR 20110128179 A KR20110128179 A KR 20110128179A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
vapor deposition
chemical vapor
acetone
carbon
Prior art date
Application number
KR1020117019791A
Other languages
English (en)
Inventor
벤 포울 젠센
쿠안 요우 첸
Original Assignee
서레이 나노시스템즈 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서레이 나노시스템즈 리미티드 filed Critical 서레이 나노시스템즈 리미티드
Publication of KR20110128179A publication Critical patent/KR20110128179A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/152—Fullerenes
    • C01B32/154—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/602—Nanotubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

탄소 나노재료를 형성하기 위한 화학 기상 증착(CVD) 공정에서, 촉매 가스 공급원(10)은 아세틸렌이 질량 유동 제어기(14)로 공급되기 이전에 휘발성 탄화수소 가스를 제거하기 위해 필터(12)에 의해 여과된다. 질량 유동 제어기(14)는 여과된 아세틸렌 가스를 휘발성 탄화수소 가스 공급원과 혼합됨으로써 가스 혼합물은 예정된 비율의 휘발성 탄화수소 가스를 가진다. 필터(12)는 활성 탄소 위로 아세틸렌 가스를 통과시킴으로써 여과를 수행한다.

Description

탄소 나노재료 형성에 사용하기 위한 가스 제공 {PROVIDING GAS FOR USE IN FORMING A CARBON NANOMATERIAL}
본 발명은 탄소 나노재료를 형성하기 위한, 화학 기상 증착(CVD) 방법 및 CVD 장치에 사용하기 위한 가스를 제공하는 것에 관한 것이다. 통상적으로, 탄소 나노재료는 탄소 나노튜브(CNT)이다.
탄소 나노튜브(CNTs)와 같은 탄소 나노재료는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 형성될 수 있다. CNTs가 형성되는 CVD 조건들을 선택함으로써, CNTs의 특성들이 제어될 수 있다. 그러나, CNTs 형성의 재현성은 다양한 인자들에 의존할 수 있다. 분명 동일하게 선택된 CVD 조건 하에서라도, 한 번에 형성된 CNTs의 특성들은 다음 번(때)에 형성된 CNTs의 특성들과 상당히 변화될 수 있다. 그러므로 CNTs 형성 공정들은 CNTs가 형성되는 CVD 조건들에 있어서 매우 미세한 편차에 아주 민감하다. 이는 산업용 등급으로 CNTs를 제작하고자 하는 경우에 큰 문제일 수 있다.
아세틸렌은 CNTs를 형성하기 위해 CVD에 사용되는 공급원료 가스의 공통의(C2H2) 구성 요소이다. 아세틸렌은 보통 아세톤(CH3COCH3)으로 저장된다. 특히, 아세틸렌 가스는 가압 용기 내의 다공성 재료에 흡수된 아세톤 액체 내에서 용해된다. 이는 아세틸렌 가스가 가압 용기로부터 추출될 때, 일반적으로 일부의 아세톤 가스도 동시에 추출된다는 것을 의미한다. 몇몇 예에서, 다른 휘발성 탄화수소가 이러한 목적을 위해 아세톤 대신에 사용된다. 예를 들어, 디메틸포름아미드((CH3)2NC(O)H)가 아세톤 대신에 사용되어 왔다.
CNTs를 형성하기 위해 CVD에 사용된 공급원료 가스를 여과하는 것이 제안되어 왔다. 카본 제 1권 7호(1997), 951-966 페이지의 뮐러 등의 논문 "아세톤의 촉매 열분해를 통한 나노튜브의 합성"에서, 드라이 아이스(즉, 고체 이산화탄소(CO2)) 내에 침지된 트랩(trap)을 통과함으로써 아세톤 가스로부터 아세틸렌 가스를 분리하는 것이 제안되었다. 그 후 아세틸렌 가스는 불순물을 제거하기 위해 농축 황산(H2SO4)을 통해 기포화된다. 유사하게, 카본 제 39권(1847), 1835-1847 페이지의 쑤(Xu) 등의 논문 "893 및 1019 K에서 아세틸렌과 탄소 나노튜브 간의 상호작용"에서, 30,000 ppm 미만인 사전-정화된 아세틸렌 가스를 사용하며, 아세톤, 에탄(C2H6), 에틸렌(C2H4) 및 프로필렌(C3H6)의 몰 분률을 감소시키기 위해 이소프로판올(C3H8O)/드라이 아이스 트랩을 통해 상기 사전-정화된 아세틸렌 가스를 통과시키는 것이 제안되었다. 그러나, CNT 형성에 관련하여 공급원료 가스에 아세톤 가스의 존재, 부재 및 존재시 그 양에 관한 효과에 대해서는 이들 논문의 어디에도 고려되지 않았다. 이들 논문은 또한, 아세틸렌 가스와 아세톤 가스가 저장되는 용기로부터 추출되는 이들 가스의 상대적 비율이 용기 내측의 압력과 온도에 따라 변화되며, 이들 가스들이 용기 내에 남아 있는 아세틸렌과 아세톤의 양 또는 주위 온도의 변화와 같은 외부 영향에 대해 영향을 받을 수 있다는 것에 대해서는 인식하지 못했다. 이들 논문에 설명된 필터링의 경우에도, 공급원료 가스 내의 아세틸렌 가스와 아세톤 가스의 상대 비율은 이러한 외부 영향들로 인해 상당히 변화하여, CNT 형성의 재현성을 손상시킬 것이다. 게다가, 드라이 아이스의 승화점이 약 -78.5 ℃이고 아세톤의 비등점이 약 -84 ℃이므로, 분리 과정 중에 상기 트랩은 아세톤 이외에도 아세틸렌을 응축시킬 상당한 위험이 존재한다. 아세톤은 액체 형태에서 상당히 불안정하여, 전술한 트랩의 사용을 매우 위험하게 한다. 게다가, 아세틸렌이 제작되는 방식에 따라, 다수의 불순물이 존재할 가능성이 있으며, 이들 또한 이러한 형태의 트랩 내에 격리될 때 위험하다는 것이 입증되었다. 예를 들어, 탄화 칼슘과 물의 조합으로부터 형성된 아세틸렌은 물, 이산화탄소, 수소, 메탄, 실리콘 수화물(silicon hydride), 비소, 인, 암모니아, 수소 황화물 및 유기 황 화합물과 같은 폭넓은 범위의 불순물을 포함한다는 것이 발견되었다.
본 발명은 이들 문제점들을 극복하고자 하는 것이다.
본 발명의 제 1면에 따라, 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법이 제공되며, 상기 방법은
휘발성 탄화수소 가스를 제거하도록 아세톤 가스 공급원을 여과하는 단계와,
선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스를 갖는 가스 혼합물을 제공하도록 휘발성 탄화수소 가스 공급원과 여과된 아세톤 가스 공급원을 혼합하는 단계와,
상기 가스 혼합물을 챔버에 제공하는 단계, 및
상기 가스 혼합물의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하도록 상기 챔버 내에서 화학 기상 증착을 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 2면에 따라, 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치가 제공되며, 상기 장치는
휘발성 탄화수소 가스를 제거하도록 아세톤 가스 공급원을 여과하는 필터와,
선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스를 갖는 가스 혼합물을 제공하도록 휘발성 탄화수소 가스 공급원과 여과된 아세톤 가스 공급원을 혼합하는 질량 제어기, 및
상기 가스 혼합물의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하도록 상기 화학 기상 증착이 상기 챔버 내에서 수행되도록 상기 가스 혼합물을 챔버에 제공하는 입구를 포함한다.
따라서, 본 발명은 탄소 나노재료의 형성에 사용되는 가스 혼합물 내의 휘발성 탄화수소 가스의 양에 대한 적절한 제어를 가능하게 한다. 아세틸렌 가스의 공급원 내에 존재하는 휘발성 탄화수소가스는 충분히 제거될 수 있다. 선택된 양의 휘발성 탄화수소 가스가 필요하다면, 아세틸렌 가스와 혼합될 수 있다. 따라서, 아세틸렌 가스와 휘발성 탄화수소 가스의 상대 비율이 외부 영향에 무관하게 선택될 수 있다. 이는 탄소 재료의 형성과 관련한 재현성을 상당히 개선한다.
휘발성 탄화수소는 아세틸렌이 저장될 수 있는 임의의 물질이다. 몇몇 예에서, 휘발성 탄화수소 가스는 디메틸포름아미드((CH3)2NC(O)H) 가스이다. 그러나, 보다 일반적인 휘발성 탄화수소 가스는 아세톤 가스이다.
종래의 아세틸렌 공급원 내에 존재하는 아세틸렌과 아세톤의 비율에서의 변동은 극적(dramatic)일 수 있으며, CVD가 발생할 조건들을 상당히 변경시킨다는 것이 발견되었다. 예를 들어, 아세틸렌 공급 용기는 (1주일 이상의 휴지기 이후의)최초 턴온(turn on)시 아세틸렌의 농도보다 2 차수 더 큰 크기(two orders of magnitude higher)의 농도를 제공했으나, 2 시간 후에는 아세틸렌 농도보다 상당히 낮은 아세톤 농도를 제공했음을 발견했다. 분배된 아세틸렌과 아세톤의 비율은 공급 용기가 고온 또는 저온 날씨 중에 개방된 공기 중에서와 같은 제어되지 않은 환경에서 저장되면 상당히 변화될 수도 있다. 그 결과, CVD가 발생할 조건들은 불안정하여, 재현성 결핍과 수율 감소를 초래한다. 본 발명은 화학 기상 증착에 사용되는 가스 혼합물 내의 아세틸렌의 비율을 일정하게 확보함으로써 상기 단점들을 처리하고 있다.
여과된 아세틸렌 가스 공급원과 휘발성 탄화수소 가스 공급원은 선택된 비율의 휘발성 탄화수소를 갖는 가스 혼합물을 제공하기 위해 다른 가스 공급원과 추가로 혼합될 수 있다. 환언하면, 질량 제어기는 여과된 아세틸렌 가스 공급원과 휘발성 탄화수소 가스 공급원을 다른 가스 공급원과 혼합함으로써 선택된 비율의 휘발성 탄화수소를 갖는 가스 혼합물을 제공할 수 있다. 본 발명은 휘발성 탄화수소 가스의 비율을 실질적으로 0이 되도록 선택하는 것도 포함한다. 그러나, 휘발성 탄화수소 가스의 선택된 비율은 중량비로 0.1% 내지 25% 범위가 바람직하다.
아세틸렌 가스 공급원을 필터링하는 것은 바람직하게, 휘발성 탄화 수소 가스를 제거하기 위해 활성 탄소 위로 아세틸렌 가스를 통과시키는 것을 포함한다. 환언하면, 필터는 휘발성 탄화수소 가스를 제거하기 위해 아세틸렌 가스 공급원이 위로 통과하는 활성 탄소를 포함한다. 활성 탄소로 필터링하는 것은 가스 혼합물로부터 가스 아세톤과 같은 가스 휘발성 유기 화합물(즉, 휘발성 탄화수소 가스)을 제거하기 위한 매우 효율적인 방법이다. 게다가, 아세틸렌 가스는 활성 탄소에 의해 흡수되지 않는데, 이는 종래 기술에서 설명한 드라이 아이스 트랩과는 달리, 아세틸렌 액체를 수집하는데 따른 위험성이 없음을 의미하며, 부적절하게 수집된 아세틸렌 액체의 취급과 관련된 위험이 제거된다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 제 1 및 제 2면에 따라 대용 필터가 사용되며, 이는 드라이 아이스 트랩 및 제올라이트(zeolite) 필터가 포함되나 이에 한정되지 않는다.
활성 카본 필터의 사용은 그 자체가 신규한 것으로 고려되며, 본 발명의 제 3면에 따라 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법이 제공되며, 상기 방법은 휘발성 탄화수소를 제거하도록 활성 탄소 위로 아세톤 가스를 통과시키는 단계와, 여과된 상기 아세톤 가스를 챔버에 제공하는 단계, 및 여과된 상기 아세톤 가스의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하도록 상기 챔버 내에서 화학 기상 증착을 수행하는 단계를 포함한다.
유사하게, 본 발명의 제 4면에 따라 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치가 제공되며, 상기 장치는 휘발성 탄화수소를 제거하도록 아세톤 가스가 위로 통과하는 활성 탄소를 포함하는 필터, 및 여과된 상기 아세톤 가스의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하기 위해 상기 챔버 내에서 화학 기상 증착이 수행될 수 있도록 여과된 상기 아세톤 가스를 챔버에 제공하는 입구를 포함한다.
다른 형태가 사용될 수 있지만(예를 들어, 활성 탄소는 과립화(granulated)될 수 있다), 활성 탄소는 보통 분말화(powdered)된다. 그러나, 분말화된 활성 탄소는 안정화되는(settle) 경향을 가진다. 환언하면, 분말의 전체 체적이 방해받지 않는(undisturbed) 상태를 유지하는 시간 동안에 수축할 수 있다. 이는 챔버가 분말 활성 탄소로 초기에 채워지더라도, 챔버의 상부 공간이 분말 활성 탄소를 포함하지 않을 수 있게 한다. 여과될 가스가 챔버를 수평으로 통과할 수 있도록 챔버가 배열되면, 이러한 공간은 활성 탄소 위로 통과함이 없이 또는 적어도 분말 활성 탄소의 입자들 사이를 통과함이 없이 상기 가스들이 챔버를 통과할 수 있게 한다.
따라서, 활성 탄소 위로 아세틸렌 가스를 통과시키는 것은 분말 활성 탄소를 수용하고 있는 챔버를 통해 아세틸렌 가스를 통과시키고 챔버의 벽을 내측으로 밀어 아세틸렌 가스가 챔버를 통과하는 경로의 전체 폭을 채우도록 챔버 내의 분말 활성 탄소가 이동할 수 있게 하는 것이 바람직하다. 환언하면, 필터는 바람직하게, 분말 활성 탄소를 수용하는 챔버를 포함하며, 아세틸렌 가스가 챔버를 통과하는 경로의 전체 폭을 채우도록 챔버 내의 분말 활성 탄소가 이동되도록 상기 챔버의 벽이 내측으로 밀리도록 배열된다. 이는 가스가 수평 또는 수직으로 통행하게 함으로써 필터링의 신뢰성을 향상시킨다.
본 발명의 방법 및 장치는 예를 들어, C60, C70, C76 및 C84 분자 형태인 풀러렌(fullerene)과 같은 다양한 나노재료를 형성하는데 사용될 수 있다. 이들은 또한, (반도체 또는 유전체 탄소 필름, 또는 다이아몬드와 같은)다양한 형태의 탄소 박막을 증착하는데 사용될 수 있다. 그러나, 이들은 탄소 나노튜브 또는 탄소 나노튜브들을 형성하는데 가장 적합하게 사용된다. 이들은 단일 벽 나노튜브(SWNTs) 또는 다중 벽 나노튜브(MWNTs)일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예들이 이후, 첨부 도면들을 참조하여 단지 예로서만 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 탄소 나노재료를 형성하기 위한 화학 기상 증착 장치의 개략적인 도면이며,
도 2는 도 1에 도시된 장치의 필터 효과에 대한 개략적인 도면이며,
도 3a 및 도 3b는 탄소 나노튜브(CNTs)의 성장시 도 1에 도시된 장치의 필터 효과를 도시하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 열적 화학 기상 증착(TCVD) 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 적합한 장치(1)는 기판이 상부에 장착되는 척(3)을 수용하는 챔버(2)를 도시한다. 척(3)은 히터로서 작용할 수 있다. 기판(4)에는 화학 기상 증착 공정 중에 탄소 나노재료의 성장을 위한 촉매로서 작용하는 금속 코팅이 제공된다. 이러한 실시예에서, 기판(4)은 니켈(Ni) 코팅을 갖는 실리콘이다.
챔버(2)의 상부에는 가스 입구 및 애노드로서의 역할을 하는 샤워헤드(5)이다. 특히, 샤워헤드(5)는 CVD 공정에 사용하기 위한 공급원료 가스(feedstock gas)를 수용하는 입구(6) 및 상기 공급원료 가스가 샤워헤드(5) 및 챔버(2) 내외측으로 통과하는 복수의 출구(7)를 가진다. 샤워헤드는 바람직하게 금속이다. 척이나 샤워헤드(5)에 약 1000 V까지의 전압을 인가할 수 있는 전력 공급원(8)이 제공된다. 일 실시예에서, 전력 공급원(8)은 약 1000 V까지의 직류(DC)를 인가할 수 있다. 다른 실시예에서, 전력 공급원은 고주파 또는 극초단파에서 약 1000 V까지의 교류(AC)를 인가할 수 있다.
스위치(23)는 척(3) 또는 샤워헤드(5)에 전압을 인가하기 위해 전력 공급원(8)을 스위칭하도록 제공된다. TCVD에서, 스위치(23)는 전력 공급원(8)이 전압을 척(3)에 인가하도록 설정된다. 이는 기판(4)을 가열하기 위해 척(3)에 충분한 전력을 제공한다. 대조적으로, PECVD에서 스위치(23)는 전력 공급원(8)이 척(3) 또는 샤워헤드(5)에 전압을 인가하도록 설정될 수 있다. PECVD에서 플라즈마 충돌은 TCVD에서 척(3)에 의해 제공된 가열 효과를 제공하는데 사용될 수 있다.
챔버(2)의 바닥에는 가스 출구(8)가 있으며 상기 가스 출구를 통해서 챔버(2) 내의 가스가 진공 펌프(9)를 사용하여 배기될 수 있다. 이러한 실시예에서, 진공 펌프(9)는 터보 분자펌프이다. 다른 실시예에서, 진공 펌프(9)는 회전 펌프이다. 진공 펌프(9)는 챔버(2) 내의 압력을 약 5e-7 토르 정도로 낮게 감소시킬 수 있다.
아세틸렌(C2H2) 공급 용기(10)는 다공성 재료를 포함한다. 액체 휘발성 탄화수소가 상기 용기 내에 제공되며 아세틸렌 가스가 압력 하에서 휘발성 탄화수소로 용해되어 아세틸렌 공급 용기(10)의 출구(11)가 개방될 때 아세틸렌 공급 가스가 상기 용기를 빠져나온다. 이러한 실시예에서 휘발성 탄화수소는 아세톤(CH3COCH3)이다. 그러나, 디메틸포름아미드((CH3)2NC(O)H) 또는 다른 적합한 재료들이 대안이 될 수 있다. 아세틸렌 공급 용기(10)의 출구(11)는 아세틸렌 가스 공급원의 필터링을 위한 필터(12)에 연결된다. 필터(12)의 출구(13)는 질량 유동 제어기(14)에 연결된다. 보충 가스 공급 용기(15)도 질량 유동 제어기(14)에 연결된 출구(16)를 가진다. 보충 가스 공급 용기(15)는 보충 가스의 공급원을 제공한다. 이러한 실시예에서, 보충 가스는 (이러한 실시예에서 아세톤 가스인)휘발성 탄화수소 가스이다. 다른 실시예에서 보충 가스는 다스 가스이고/이거나 하나 또는 그보다 많은 추가의 보충 가스 공급 용기가 하나 또는 그보다 많은 추가의 보충 가스 또는 가스들을 제공한다. 추가의 보충 가스들에는 수소, 질소, 암모니아,헬륨 및 아르곤을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 질량 유동 제어기(14)는 필터된 아세톤 가스의 양을 제어하며 보충 가스 또는 가스들이 CVD 공정용 공급원료 가스로서 샤워헤드(5)의 입구(6)로 제공된다. 이러한 실시예에서 질량 유동 제어기(14)는 아세톤의 비율이 0.1% 내지 25% 범위인 공급원료 가스를 제공하도록 배열된다. 다른 실시예에서, 휘발성 탄화수소의 비율은 0.001% 이상, 또는 0.01% 이상일 수 있다. 더 바람직하게, 대체 실시예에서 휘발성 탄화수소의 비율은 0.001% 내지 25%, 또는 0.01% 내지 25% 범위이다.
도 2를 참조하면, 필터(12)는 분말화된 활성 탄소(18)를 수용하는 챔버(17)를 포함한다. 챔버(17) 측벽의 입구(22)에는 아세톤 공급 용기(10)로부터 챔버(17)로의 가스 유동을 가능하게 하나 챔버(17) 내에 활성 탄소를 유지하는 다공성 막(19)을 포함한다. 챔버(17)의 출구(13)에는 챔버(17)로부터 출구(13)를 통해 질량 유동 제어기(14)로의 가스 유동을 허용하는 챔버(17) 내에 활성 탄소를 유지하는 다른 다공성 막(20)을 가진다. 그러나, 출구(13)에 있는 다공성 막(20)은 챔버(17)에 가공성 막을 제공하도록 필터(12) 내에 미끄럼 장착된다. 이러한 실시예에서 두 개의 스프링인 탄성 수단(21)은 다공성 막(20)을 챔버(17)에 대해 내측으로 민다. 이는 분말 활성 탄소(18)가 챔버(17)의 전체 체적을 채울 수 있게 하는 효과를 가진다. 그러므로, 입구(22)로부터 출구(13)를 통과하는 가스는 가스 내의 휘발성 유기 화합물을 제거하는 효과를 가지는 활성 탄소 위를 통과한다. 특히, 임의의 아세톤 가스는 아세톤 공급 용기(10)로부터 추출되는데, 상기 아세톤 공급 용기에서는 아세톤 가스가 활성 탄소에 의해 흡수되어 질량 유동 제어기(14)로 제공된 여과된 아세톤 가스 내에는 아세톤 가스가 실질적으로 존재하지 않는다. 아세톤 공급 용기(10)를 이탈하는 임의의 다른 휘발성 탄화수소에 대해서도 동일한 효과가 달성된다.
필터(12)는 질량 유동 제어기(14)의 아세톤 공급 용기(10) 측에 놓인다. 이는 챔버(2)에 대한 진공 펌프(9)의 작용으로 아세톤이 증발하여 가스 공급원으로 재진입할 수 있을 정도로 필터(12) 내의 압력을 감소시키지 않도록 보장한다. 그러나, 필터(12)가 꽉차면 필터에 대한 압력은 아세톤을 방출시키도록 서서히 감소된다.
사용시, CVD 장치의 챔버(2)는 진공 펌프(9)에 의해 배기된다. 질량 유동 제어기(14)는 여과된 아세톤 가스와 보충 가스 또는 가스들이 챔버(2) 내에 실질적으로 일정한 압력을 진공 펌프(9)에 의해 유지할 수 있는 비율 및 선택된 부분으로 챔버(2) 내측으로 유동할 수 있게 한다. 압력은 드로틀 밸브(도시 않음)를 사용하여 이와는 달리 또는 보충적으로 제어될 수 있다.
TCVD의 경우에, 스위치(223)는 전력 공급원(8)이 기판(4)을 가열하도록 전압을 척(3)에 인가하도록 작동된다. 샤워헤드(5)와 기판(4) 사이의 전위차는 탄소 나노재료의 성장이 발생하는 기판(4)으로 이온 및 반응 종들이 도입될 수 있게 한다.
PECVD의 경우에, 스위치(23)는 전력 공급원(8)이 샤워헤드(5) 또는 척(3)에 전압을 인가하도록 작동된다. 플라즈마는 전력 공급원(8)에 의해 인가된 전압에 의해 충돌된다. 플라즈마는 필요하다면 기판(4)을 가열하는데 사용될 수 있다. TCVD에서처럼, 샤워헤드(5)와 기판(4) 사이의 전위차는 탄소 나노재료의 성장이 발생하는 기판(4)으로 이온 및 반응 종들이 도입될 수 있게 한다.
플라즈마 충돌의 장점은 장치의 필요한 작동 온도를 감소시킨다는 점이다. TCVD 공정은 통상적으로 450 ℃ 내지 1200 ℃에서 작동하나, PECVD는 그와 같이 높은 온도에서 작동할 필요가 없다. 게다가, PECVD의 사용은 전기장과 정렬되는 CNTs를 형성하는데 도움을 줄 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 전술한 방식으로 일정한 비율의 아세톤을 갖는 공급원료 가스를 챔버(2) 내에 제공하기 위한 아세톤 공급원의 여과 효과를 도시한다. 도시된 특정 예에서, TCVD에는 5 torr의 압력에서 약 600 ℃의 온도가 사용되었다. 보충 가스 공급용기(16)로부터 아세톤이 도입되지 않았다. 스퍼터링된 니켈의 2 mm 두께의 박막 촉매가 CNT 성장을 향상시키도록 기판에 가해졌다. 추가의 수소 보충 공급원은 챔버(2)로 진입하는 공급원료 가스가 약 95%의 수소를 포함하도록 제공 및 배열된다.
도 3a는 필터(12)가 사용되지 않음으로써, 챔버(2)로 진입하는 공급원료 가스 내의 아세톤 공급용기(10)로부터의 아세톤 가스 공급원이 여과되지 않은 CNTs의 성장을 도시한다. 대조적으로, 도 3b는 전술한 방식으로 아세톤 가스 공급원을 여과하는데 필터(12)가 사용되었을 때의 CNTs의 성장을 도시한다. 도 3a의 CNTs의 생성량은 도 3b의 것보다 상당히 낮으며 필터링 공정이 없는 경우에 더 많은 비정질 탄소가 증착됨을 알 수 있다. 이는 필터링 공정에 의해 제공된 공급원료 가스 내의 아세톤 비율을 제어했기 때문이다. 도 3a 및 도 3b에 의해 설명된 효과는 PECVD가 사용될 때 훨씬 더 많이 입증된다.
본 발명의 전술한 실시예들은 본 발명이 어떻게 실시되는지에 대한 단지 예에 불과하다. 전술한 실시예에 대한 변형, 변화 및 변경 예들이 적절한 기술과 지식을 갖는 자들에게 창안될 수 있을 것이다. 이들 변형, 변화 및 변경 예들은 특허청구범위에 정의된 본 발명의 범주 및 그의 균등물로부터 이탈함이 없이 창안될 수 있다.

Claims (18)

  1. 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법으로서,
    휘발성 탄화수소 가스를 제거하도록 아세톤 가스 공급원을 여과하는 단계와,
    선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스를 갖는 가스 혼합물을 제공하도록 휘발성 탄화수소 가스 공급원과 여과된 아세톤 가스 공급원을 혼합하는 단계와,
    상기 가스 혼합물을 챔버에 제공하는 단계, 및
    상기 가스 혼합물의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하도록 상기 챔버 내에서 화학 기상 증착을 수행하는 단계를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    선택된 비율의 상기 아세톤 가스를 갖는 상기 가스 혼합물을 제공하도록 상기 여과된 아세톤 가스 공급원 및 휘발성 탄화수소 가스 공급원을 다른 가스 공급원과 혼합하는 단계를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스는 중량비로 0.1% 내지 25% 범위인,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 아세톤 가스 공급원을 여과하는 단계는 상기 휘발성 탄화수소 가스를 제거하도록 활성 탄소 위로 상기 아세톤 가스를 통과시키는 단계를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  5. 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법으로서,
    휘발성 탄화수소를 제거하도록 활성 탄소 위로 아세톤 가스를 통과시키는 단계와,
    여과된 상기 아세톤 가스를 챔버에 제공하는 단계, 및
    여과된 상기 아세톤 가스의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하도록 상기 챔버 내에서 화학 기상 증착을 수행하는 단계를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    활성 탄소 위로 아세톤 가스를 통과시키는 단계는,
    분말화된 활성 탄소를 수용하는 챔버를 통해 상기 아세톤 가스를 통과시키는 단계, 및
    상기 아세톤 가스가 챔버를 통과하는 경로의 전체 폭을 채우기 위해 상기 챔버 내의 분말화된 활성 탄소가 이동하도록 상기 챔버의 벽을 내측으로 미는 단계를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  7. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 나노재료는 탄소 나노튜브인,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  8. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 휘발성 탄화수소 가스는 아세톤(CH3COCH3) 또는 디메틸포름아미드((CH3)2NC(O)H)인,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  9. 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치로서,
    휘발성 탄화수소 가스를 제거하도록 아세톤 가스 공급원을 여과하는 필터와,
    선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스를 갖는 가스 혼합물을 제공하도록 휘발성 탄화수소 가스 공급원과 여과된 아세톤 가스 공급원을 혼합하는 질량 제어기, 및
    상기 가스 혼합물의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하도록 상기 화학 기상 증착이 상기 챔버 내에서 수행되도록 상기 가스 혼합물을 챔버에 제공하는 입구를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 질량 제어기는 선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스를 갖는 가스 혼합물을 제공하도록 여과된 상기 아세톤 가스 공급원 및 휘발성 탄화수소 가스 공급원을 다른 가스 공급원과 혼합하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    선택된 비율의 상기 휘발성 탄화수소 가스는 중량비로 0.1% 내지 25% 범위인,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터는 상기 휘발성 탄화수소 가스를 제거하도록 상기 아세톤 가스 공급원이 위로 통과하는 활성 탄소를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  13. 탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치로서,
    휘발성 탄화수소를 제거하도록 아세톤 가스가 위로 통과하는 활성 탄소를 포함하는 필터, 및
    여과된 상기 아세톤 가스의 사용으로 상기 탄소 나노재료를 형성하기 위해 상기 챔버 내에서 화학 기상 증착이 수행될 수 있도록 여과된 상기 아세톤 가스를 챔버에 제공하는 입구를 포함하는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 필터는 분말화된 활성 탄소를 수용하는 챔버를 포함하며, 상기 아세톤 가스가 챔버를 통과하는 경로의 전체 폭을 채우기 위해 상기 챔버 내의 분말화된 활성 탄소가 이동하도록 상기 챔버의 벽이 내측으로 밀리도록 배열되는,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  15. 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 나노재료는 탄소 나노튜브인,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 방법.
  16. 제 9 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 휘발성 탄화수소 가스는 아세톤(CH3COCH3) 또는 디메틸포름아미드((CH3)2NC(O)H)인,
    탄소 나노재료의 형성을 위한 화학 기상 증착 장치.
  17. 실질적으로 첨부 도면을 참조하여 설명한 바와 같은 방법.
  18. 실질적으로 첨부 도면을 참조하여 설명한 바와 같은 장치.
KR1020117019791A 2009-01-28 2010-01-28 탄소 나노재료 형성에 사용하기 위한 가스 제공 KR20110128179A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0901409A GB2467320A (en) 2009-01-28 2009-01-28 Two methods of forming carbon nano-materials using filtered acetylene gas
GB0901409.3 2009-01-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110128179A true KR20110128179A (ko) 2011-11-28

Family

ID=40469215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117019791A KR20110128179A (ko) 2009-01-28 2010-01-28 탄소 나노재료 형성에 사용하기 위한 가스 제공

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110311724A1 (ko)
EP (1) EP2382157A2 (ko)
JP (1) JP2012516278A (ko)
KR (1) KR20110128179A (ko)
CN (1) CN102292287A (ko)
GB (1) GB2467320A (ko)
SG (1) SG173082A1 (ko)
WO (1) WO2010086600A2 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SI3067417T1 (sl) 2009-06-16 2018-11-30 Genzyme Corporation Izboljšani postopki čiščenja vektorjev rekombinantnega AAV
WO2012068782A1 (en) * 2010-11-25 2012-05-31 Ka Chun Kalvin Tse System and method for hydrogen production
FR2984867B1 (fr) * 2011-12-23 2014-03-07 Commissariat Energie Atomique Procede de synthese physique de nanopoudres de carbure de silicium permettant de maintenir les caracteristiques physico-chimiques du carbure de silicium au cours de la synthese.
WO2014039509A2 (en) 2012-09-04 2014-03-13 Ocv Intellectual Capital, Llc Dispersion of carbon enhanced reinforcement fibers in aqueous or non-aqueous media
GB201515271D0 (en) * 2015-08-27 2015-10-14 Surrey Nanosystems Ltd Ultra low reflectivity coating and method therefor
CN106756883A (zh) * 2016-11-18 2017-05-31 上海华力微电子有限公司 Apf薄膜沉积设备以及apf薄膜沉积通气方法
CN117858748A (zh) * 2021-08-23 2024-04-09 朗姆研究公司 共定位于衬底处理系统上的紧凑型气体分离器设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH062682B2 (ja) * 1985-07-18 1994-01-12 日合アセチレン株式会社 アセチレンの精製法およびそれに用いる装置
EP1069610A2 (en) * 1990-01-08 2001-01-17 Lsi Logic Corporation Refractory metal deposition process for low contact resistivity to silicon and corresponding apparatus
JP3782118B2 (ja) * 1991-09-10 2006-06-07 高圧ガス工業株式会社 フラーレン類の製造方法
US6334889B1 (en) * 1999-09-01 2002-01-01 Praxair Technology, Inc. Bed restraint for an adsorber
US7008470B2 (en) * 2000-12-25 2006-03-07 Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha Canister
JP4314015B2 (ja) * 2002-10-31 2009-08-12 ニチゴー日興株式会社 可搬式超高純度アセチレン供給装置
US6841002B2 (en) * 2002-11-22 2005-01-11 Cdream Display Corporation Method for forming carbon nanotubes with post-treatment step
US7005001B2 (en) * 2004-02-26 2006-02-28 Dayco Products, Llc X-spring volume compensation for automotive carbon canister
US7811632B2 (en) * 2005-01-21 2010-10-12 Ut-Battelle Llc Molecular jet growth of carbon nanotubes and dense vertically aligned nanotube arrays
JP4678687B2 (ja) * 2006-02-24 2011-04-27 公立大学法人大阪府立大学 カーボンナノ構造物の製造方法及び同製造装置
US20080242912A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Olivier Letessier Methods and Apparatus for Providing a High Purity Acetylene Product
JP4280782B2 (ja) * 2007-04-10 2009-06-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のガス供給システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20110311724A1 (en) 2011-12-22
CN102292287A (zh) 2011-12-21
JP2012516278A (ja) 2012-07-19
EP2382157A2 (en) 2011-11-02
SG173082A1 (en) 2011-08-29
WO2010086600A3 (en) 2010-09-23
GB2467320A (en) 2010-08-04
GB0901409D0 (en) 2009-03-11
WO2010086600A2 (en) 2010-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110128179A (ko) 탄소 나노재료 형성에 사용하기 위한 가스 제공
JP6752782B2 (ja) グラフェンを含む黒鉛生成物のプラズマ合成のための装置および方法
Stehle et al. Synthesis of hexagonal boron nitride monolayer: control of nucleation and crystal morphology
US7504570B2 (en) Method of manufacturing carbon nanotubes
US8679438B2 (en) Plasma processes for producing silanes and derivatives thereof
Wang et al. Catalysts for chirality selective synthesis of single-walled carbon nanotubes
CA2072117C (en) Form of carbon
Hofmann et al. Surface diffusion: the low activation energy path for nanotube growth
RU2573035C2 (ru) Способ получения углеродных наноструктур и аппарат
Gonçalves et al. Modification of activated carbon hydrophobicity by pyrolysis of propene
EP0796134A1 (fr) Procede et dispositif de traitement du gaz naturel contenant de l'eau et des hydrocarbures condensables
CN109205593A (zh) 制造和纯化碳纳米管的方法
JP2005097014A (ja) カーボンナノチューブの製造装置および製造方法、並びにそれに用いるガス分解器
US20170314122A1 (en) Method for separating a carbon structure from a seed structure
WO2020050137A1 (ja) ピペリレンの製造方法
JP5036564B2 (ja) プレートレット型スリット気相法炭素繊維の製造方法
Strehle et al. Growth of the Initial Atomic Layers of Ta‐N Films During Atomic Layer Deposition on Silicon‐Based Substrates
Hernadi et al. Catalytic carbon nanotube and fullerene synthesis under reduced pressure in a batch reactor
WO2007097339A1 (ja) 炭素系物質、単環式炭化水素化合物又は多環式炭化水素化合物の製造方法及び製造装置
Nguyen et al. Synthesis of single-walled carbon nanotubes over Co–Mo/Al2O3 catalyst by the catalytic chemical vapor deposition of methane
Musso et al. Gas chromatography study of reagent degradation during chemical vapor deposition of carbon nanotubes
Dhar et al. Thermodynamic Modeling of WCOHS System for Controlled Growth of WS2 Atomic Layers by True CVD
CA2517965C (en) New form of carbon
JP2002088591A (ja) 微細炭素繊維の製造方法
EP3382057A1 (en) Apparatus for depositing under ultra-high vacuum conditions

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid