KR20110123670A - Vertical plating equipment and plating method thereof - Google Patents

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KR20110123670A
KR20110123670A KR1020110041603A KR20110041603A KR20110123670A KR 20110123670 A KR20110123670 A KR 20110123670A KR 1020110041603 A KR1020110041603 A KR 1020110041603A KR 20110041603 A KR20110041603 A KR 20110041603A KR 20110123670 A KR20110123670 A KR 20110123670A
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치아-텅 창
밍-다 청
밍-체 호
충-쉬 리우
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타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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Abstract

PURPOSE: A vertical plating device and a plating method thereof are provided to prevent irregular ion distribution by rotating a wafer on a vertical plane in a plating process. CONSTITUTION: A vertical plating device comprises a plating sink(110), a carrier(120) and a magnetism actuating unit(130). The plating sink accepts electrolyte(101). The carrier supports a wafer(10). The carrier revolves on a support stand. The wafer is dipped in electrolyte. The wafer revolves in the electrolyte in order to be uniformly plated. The wafer revolves on the vertical plane. The magnetism actuating unit comprises a permanent magnetic element(131) and an electromagnetism element(132). The permanent magnetic element surrounds the carrier. The electromagnetism element is arranged within the carrier.

Description

직립식 도금 장비 및 이를 위한 도금 방법{VERTICAL PLATING EQUIPMENT AND PLATING METHOD THEREOF}Upright plating equipment and plating method for the same {VERTICAL PLATING EQUIPMENT AND PLATING METHOD THEREOF}

본 출원은 2010년 5월 7일에 출원된 대만 특허 출원 제99114609호의 우선권을 청구하며, 이 대만 특허 출원은 본 명세서에서 그 전체 내용이 참조로서 병합된다.This application claims the priority of Taiwan Patent Application No. 99114609, filed May 7, 2010, which is hereby incorporated by reference in its entirety.

본 발명은 도금 장비에 관한 것이며, 특별하게는 직립식 도금 장비에 관한 것이다.The present invention relates to plating equipment, and more particularly, to an upright plating equipment.

통상적인 직립식 도금 장비에 있어서, 전해액 내의 도금 이온들은 전해액의 흐름 성질과 이온들의 중력으로 인해 비균일하게 분포된다. 비균일한 이온 분포는 불량한 도금 품질을 초래한다.In conventional upright plating equipment, the plating ions in the electrolyte are distributed non-uniformly due to the flow properties of the electrolyte and the gravity of the ions. Non-uniform ion distribution results in poor plating quality.

도 1은 통상적인 직립식 도금 장비를 이용한 도금 결과를 도시하는데, 직립식 전해액 농도의 차이는 웨이퍼의 표면상에서의 상이한 두께의 수평 도금층들을 생성시킨다. 비균일한 도금 결과는 제품 신뢰성을 감소시키고, 불규칙한 범프들, 범프 크랙들 및 과도한 로우 k 박리와 같은 문제들을 야기시킨다.Figure 1 shows the plating results using conventional upright plating equipment, wherein the difference in the upright electrolyte concentration produces horizontal plating layers of different thickness on the surface of the wafer. Uneven plating results reduce product reliability and cause problems such as irregular bumps, bump cracks and excessive low k peeling.

웨이퍼를 도금하기 위한 직립식 도금 장비가 제공된다. 직립식 도금 장비는 도금 싱크, 캐리어 및 자성 액추에이팅 유닛을 포함한다. 도금 싱크는 전해액을 수용한다. 캐리어는 웨이퍼를 지지하며, 웨이퍼는 전해액 내에 담궈진다. 자성 액추에이팅 유닛은 캐리어를 회전시키고, 웨이퍼는 균일하게 도금되도록 전해액 내에서 회전된다.Upright plating equipment is provided for plating wafers. The upright plating equipment includes a plating sink, a carrier and a magnetic actuating unit. The plating sink receives the electrolyte solution. The carrier supports the wafer and the wafer is immersed in the electrolyte. The magnetic actuating unit rotates the carrier, and the wafer is rotated in the electrolyte so as to uniformly plate.

일 실시예에서, 자성 액추에이팅 유닛은 영구 자성 엘리먼트와 복수의 전자기성 엘리먼트들을 포함하며, 영구 자성 엘리먼트는 캐리어를 둘러싸며, 전자기성 엘리먼트들은 캐리어 내에 배치되고, 전자기성 엘리먼트들은 지지대에 대해 캐리어를 회전시키도록 자기장 변동을 일으킨다.In one embodiment, the magnetic actuating unit comprises a permanent magnetic element and a plurality of electromagnetic elements, the permanent magnetic element surrounds the carrier, the electromagnetic elements are disposed in the carrier, and the electromagnetic elements are mounted on the carrier relative to the support. It causes magnetic field fluctuation to rotate.

또다른 실시예에서, 자성 액추에이팅 유닛은 영구 자성 엘리먼트와 복수의 전자기성 엘리먼트들을 포함하며, 영구 자성 엘리먼트는 지지대 내에 배치되고, 전자기성 엘리먼트들은 캐리어 내에 배치되고, 영구 자성 엘리먼트는 전자기성 엘리먼트들을 둘러싸며, 전자기성 엘리먼트들은 지지대에 대해 캐리어를 회전시키도록 자기장 변동을 일으킨다.In another embodiment, the magnetic actuating unit includes a permanent magnetic element and a plurality of electromagnetic elements, the permanent magnetic element is disposed in the support, the electromagnetic elements are disposed in the carrier, and the permanent magnetic element is the electromagnetic element. Electromagnetic elements cause magnetic field fluctuations to rotate the carrier relative to the support.

또다른 실시예에서, 자성 액추에이팅 유닛은 영구 자성 엘리먼트와 복수의 전자기성 엘리먼트들을 포함하며, 전자기성 엘리먼트들은 지지대 내에 배치되고, 영구 자성 엘리먼트는 캐리어 상에 배치되고, 영구 자성 엘리먼트는 전자기성 엘리먼트들을 둘러싸며, 전자기성 엘리먼트들은 지지대에 대해 캐리어를 회전시키도록 자기장 변동을 일으킨다.In another embodiment, the magnetic actuating unit includes a permanent magnetic element and a plurality of electromagnetic elements, the electromagnetic elements are disposed in the support, the permanent magnetic element is disposed on the carrier, and the permanent magnetic element is electromagnetic Surrounding the elements, the electromagnetic elements cause a magnetic field fluctuation to rotate the carrier relative to the support.

일 실시예에서, 캐리어는 1~50rpm의 속도로 회전되고, 전해액은 0.1~5.0wt%의 은 이온들을 포함한다.In one embodiment, the carrier is rotated at a speed of 1-50 rpm, and the electrolyte contains 0.1-5.0 wt% silver ions.

본 발명은 또한 웨이퍼를 도금하기 위한 도금 방법을 개시한다. 일 실시예에서, 제일 먼저, 도금 싱크가 제공되며, 도금 싱크 내에 전해액이 수용된다. 그런 후, 캐리어가 제공되고, 캐리어는 웨이퍼를 지지한다. 다음으로, 웨이퍼가 전해액 내에 담궈진다. 최종적으로, 캐리어가 회전되고, 웨이퍼는 균일하게 도금되도록 전해액 내에서 회전된다.The invention also discloses a plating method for plating a wafer. In one embodiment, first of all, a plating sink is provided, in which an electrolyte is contained. Then, a carrier is provided, and the carrier supports the wafer. Next, the wafer is immersed in the electrolyte solution. Finally, the carrier is rotated and the wafer is rotated in the electrolyte so as to plate evenly.

본 발명의 직립식 도금 장비를 활용함으로써, 도금 동안에 웨이퍼는 수직 평면상에서 회전된다. 따라서, 비균일한 이온 분포가 회피된다. 최종적인 제품의 신뢰성이 개선되고, 불규칙한 범프들, 범프 크랙들 및 과도한 로우 k 박리와 같은 문제들은 감소된다.By utilizing the upright plating equipment of the present invention, the wafer is rotated on a vertical plane during plating. Thus, nonuniform ion distribution is avoided. The reliability of the final product is improved and problems such as irregular bumps, bump cracks and excessive low k peeling are reduced.

첨부 도면들을 참조하여 상세한 설명이 아래의 실시예들에서 주어진다.
본 발명은 첨부된 도면들을 참조하면서 후속하는 상세한 설명과 예시들을 판독함으로써 보다 완전하게 이해될 수 있다.
도 1은 통상적인 직립식 도금 장비를 이용한 도금 결과를 도시한다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예의 직립식 도금 장비를 도시한다.
도 2b는 캐리어 및 자성 액추에이팅 유닛의 전면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예의 직립식 도금 장비를 도시한다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예의 직립식 도금 장비를 도시한다.
도 5는 웨이퍼를 도금하기 위한 본 발명의 실시예의 도금 방법을 도시한다. A detailed description is given in the embodiments below with reference to the accompanying drawings.
The invention may be more fully understood by reading the following detailed description and examples, with reference to the accompanying drawings.
1 shows plating results using conventional upright plating equipment.
2A shows an upright plating equipment of a first embodiment of the present invention.
2B is a front view of the carrier and magnetic actuating unit.
3 shows an upright plating equipment of a second embodiment of the present invention.
4 shows an upright plating equipment of a third embodiment of the present invention.
5 shows a plating method of an embodiment of the present invention for plating a wafer.

이하의 설명은 본 발명을 수행하기 위한 최상의 구상 모드에 관한 것이다. 본 설명은 본 발명의 일반적인 원리들을 설명할 목적으로 기술된 것이며, 본 발명의 범위를 한정하는 의미로 받아들여서는 안된다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들에 대한 참조에 의해 최상으로 결정된다.The following description is directed to the best conception mode for carrying out the invention. This description has been described for the purpose of illustrating the general principles of the invention and should not be taken in a limiting sense of the invention. The scope of the invention is best determined by reference to the appended claims.

도 2a는 웨이퍼(10)를 도금하기 위한 본 발명의 제1 실시예의 직립식 도금 장비(100)를 도시한다. 직립식 도금 장비(100)는 도금 싱크(110), 캐리어(120), 자성 액추에이팅 유닛(130) 및 지지대(140)를 포함한다. 도금 싱크(110)는 전해액(101)을 수용한다. 캐리어(120)는 웨이퍼(10)를 지지하며, 웨이퍼(10)는 전해액(101) 내에 담궈진다. 자성 액추에이팅 유닛(130)은 캐리어(120)를 회전시키고, 웨이퍼(10)는 균일하게 도금되도록 전해액(101) 내에서 회전된다.2A shows an upright plating equipment 100 of a first embodiment of the present invention for plating wafer 10. The upright plating equipment 100 includes a plating sink 110, a carrier 120, a magnetic actuating unit 130, and a support 140. The plating sink 110 receives the electrolyte 101. The carrier 120 supports the wafer 10, and the wafer 10 is immersed in the electrolyte 101. The magnetic actuating unit 130 rotates the carrier 120, and the wafer 10 is rotated in the electrolyte 101 to uniformly plate.

웨이퍼(10)는 진공 흡입기를 통해 캐리어(120)상에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 캐리어(120)는 베르누이(Bernoulli) 캐리어일 수 있다. Wafer 10 may be attached onto carrier 120 via a vacuum inhaler. In one embodiment, the carrier 120 may be a Bernoulli carrier.

캐리어(120)는 지지대(140)상에서 회전가능하게 배치된다. 캐리어(120)는 플랜지(121), 몸체부(122) 및 샤프트(123)를 포함한다. 플랜지(121)는 몸체부(122)에 연결된다. 몸체부(122)는 샤프트(123)에 연결된다. 샤프트(123)는 지지대(140)에서 회전된다. The carrier 120 is rotatably disposed on the support 140. The carrier 120 includes a flange 121, a body portion 122, and a shaft 123. The flange 121 is connected to the body portion 122. The body portion 122 is connected to the shaft 123. The shaft 123 is rotated at the support 140.

자성 액추에이팅 유닛(130)은 영구 자성 엘리먼트(131)와 복수의 전자기성 엘리먼트들(132)을 포함하며, 영구 자성 엘리먼트(131)는 캐리어(120)를 둘러싸며, 전자기성 엘리먼트들(132)은 캐리어(120)의 몸체부(122) 내에 배치되고, 전자기성 엘리먼트들(132)은 지지대(140)에 대해 캐리어(120)를 회전시키도록 자기장 변동을 일으킨다. The magnetic actuating unit 130 includes a permanent magnetic element 131 and a plurality of electromagnetic elements 132, the permanent magnetic element 131 surrounding the carrier 120, the electromagnetic elements 132 ) Is disposed within the body portion 122 of the carrier 120, and the electromagnetic elements 132 cause magnetic field variations to rotate the carrier 120 relative to the support 140.

도 2b는 캐리어(120) 및 자성 액추에이팅 유닛(130)의 전면도이다. 전자기성 엘리먼트들(132)은 캐리어(120)의 주변을 따라 배열된다. 영구 자성 엘리먼트(131)는 환상형이다. 영구 자성 엘리먼트(131)는 영구 자석일 수 있다. 전자기성 엘리먼트들(132)은 전자석일 수 있다. 2B is a front view of the carrier 120 and the magnetic actuating unit 130. Electromagnetic elements 132 are arranged along the periphery of carrier 120. The permanent magnetic element 131 is annular. The permanent magnetic element 131 may be a permanent magnet. Electromagnetic elements 132 may be electromagnets.

제1 실시예에서, 자성 액추에이팅 유닛은 캐리어를 1~50rpm의 속도로 회전시킨다. 전해액은 0.1~5.0wt%의 은 이온들을 포함한다. 하지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 최적의 도금 결과를 달성하기 위해 캐리어의 회전 속도는 전해액의 농도 및 성분에 따라 수정될 수 있다. In the first embodiment, the magnetic actuating unit rotates the carrier at a speed of 1-50 rpm. The electrolyte contains 0.1-5.0 wt% silver ions. However, the present invention is not limited to this. To achieve optimal plating results, the rotational speed of the carrier can be modified depending on the concentration and composition of the electrolyte.

본 발명의 직립식 도금 장비를 활용함으로써, 도금 동안에 웨이퍼는 수직 평면상에서 회전된다. 따라서, 비균일한 이온 분포가 회피된다. 최종적인 제품의 신뢰성이 개선되고, 불규칙한 범프들, 범프 크랙들 및 과도한 로우 k 박리와 같은 문제들은 감소된다. By utilizing the upright plating equipment of the present invention, the wafer is rotated on a vertical plane during plating. Thus, nonuniform ion distribution is avoided. The reliability of the final product is improved and problems such as irregular bumps, bump cracks and excessive low k peeling are reduced.

도 3은 본 발명의 제2 실시예의 직립식 도금 장비(100')를 도시하며, 여기서 영구 자성 엘리먼트(131)는 지지대(140) 내에 배치되고, 전자기성 엘리먼트들(132)은 캐리어(120)의 샤프트(123) 내에 배치되고, 영구 자성 엘리먼트(131)는 전자기성 엘리먼트들(132)을 둘러싸며, 전자기성 엘리먼트들(132)은 지지대(140)에 대해 캐리어(120)를 회전시키도록 자기장 변동을 일으킨다.3 shows the upright plating equipment 100 ′ of the second embodiment of the present invention, wherein the permanent magnetic element 131 is disposed within the support 140, and the electromagnetic elements 132 are the carrier 120. Disposed within the shaft 123, the permanent magnetic element 131 surrounds the electromagnetic elements 132, and the electromagnetic elements 132 rotate the magnetic field to rotate the carrier 120 relative to the support 140. Causes fluctuations.

도 4는 본 발명의 제3 실시예의 직립식 도금 장비(100'')를 도시하며, 여기서 자성 액추에이팅 유닛(130)은 영구 자성 엘리먼트(131)와 복수의 전자기성 엘리먼트들(132)을 포함하며, 영구 자성 엘리먼트(131)는 캐리어(120)상에 배치되고, 전자기성 엘리먼트들(132)은 지지대(140) 내에 배치되고, 영구 자성 엘리먼트(131)는 전자기성 엘리먼트들(132)를 둘러싸며, 전자기성 엘리먼트들(132)은 지지대(140)에 대해 캐리어(120)를 회전시키도록 자기장 변동을 일으킨다. 제3 실시예에서, 영구 자성 엘리먼트(131)는 플랜지(121)의 내면상에 배치되고, 내면은 지지대(140) 쪽으로 향해 있다.4 shows an upright plating equipment 100 ″ of a third embodiment of the present invention, wherein the magnetic actuating unit 130 includes a permanent magnetic element 131 and a plurality of electromagnetic elements 132. And a permanent magnetic element 131 is disposed on the carrier 120, the electromagnetic elements 132 are disposed in the support 140, and the permanent magnetic element 131 is the electromagnetic elements 132. Surrounding, the electromagnetic elements 132 cause magnetic field variations to rotate the carrier 120 relative to the support 140. In a third embodiment, the permanent magnetic element 131 is disposed on the inner surface of the flange 121, the inner surface facing towards the support 140.

본 발명의 실시예들에서, 영구 자성 엘리먼트(131) 및 전자기성 엘리먼트들(132)의 위치들은 교환될 수 있다. 영구 자성 엘리먼트(131) 및 전자기성 엘리먼트들(132)은 각각 지지대(140)와 캐리어(120) 내에 배치될 수 있거나, 또는 이들의 표면상에 배치될 수 있다. 위 실시예들에서 개시된 영구 자성 엘리먼트(131) 및 전자기성 엘리먼트들(132)의 위치들은 본 발명을 한정시키지 않는다. In embodiments of the present invention, the positions of the permanent magnetic element 131 and the electromagnetic elements 132 may be exchanged. The permanent magnetic element 131 and the electromagnetic elements 132 may be disposed in the support 140 and the carrier 120, respectively, or may be disposed on their surfaces. The positions of the permanent magnetic element 131 and the electromagnetic elements 132 disclosed in the above embodiments do not limit the present invention.

도 5는 웨이퍼를 도금하기 위한 본 발명의 실시예의 도금 방법을 도시한다. 제일 먼저, 도금 싱크가 제공되며, 도금 싱크 내에 전해액이 수용된다(S1). 그런 후, 캐리어가 제공되고, 캐리어는 웨이퍼를 지지한다(S2). 다음으로, 웨이퍼가 전해액 내에 담궈진다(S3). 최종적으로, 캐리어가 회전되고, 웨이퍼는 균일하게 도금되도록 전해액 내에서 회전된다(S4).5 shows a plating method of an embodiment of the present invention for plating a wafer. First, a plating sink is provided, and an electrolyte solution is accommodated in the plating sink (S1). Then, a carrier is provided, and the carrier supports the wafer (S2). Next, the wafer is immersed in the electrolyte (S3). Finally, the carrier is rotated, and the wafer is rotated in the electrolyte solution to be uniformly plated (S4).

청구 엘리먼트를 변경하기 위해 청구범위 내에서의 "제1", "제2", 및 "제3" 등과 같은 서수 용어들의 이용은 그 자체로 하나의 청구 엘리먼트에 대한 또다른 청구 엘리먼트의 어떠한 우선순위, 서열, 또는 순서나, 또는 방법의 동작들이 수행되는 임시적 순서를 의미하는 것은 아니며, 청구 엘리먼트들을 구별시키기 위해 어떠한 명칭을 갖는 하나의 청구 엘리먼트를 동일 명칭(하지만 서수 용어의 이용이 있음)을 갖는 또다른 엘리먼트로부터 구별시키기 위한 라벨들로서 단지 이용될 뿐이다.The use of ordinal terms such as "first", "second", "third", etc. within a claim to modify a claim element is itself any priority of another claim element over one claim element. Does not mean a sequence, or sequence, or a temporary order in which the operations of the method are performed, but having the same name (but with the use of ordinal terms) of one claim element with any name to distinguish the claim elements. It is merely used as labels to distinguish them from another element.

본 발명은 예시를 통해, 바람직한 실시예 측면에서 설명되었지만, 본 발명은 개시된 실시예들로 한정되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 이와는 달리, 본 발명은 (본 발명분야의 당업자에게 자명할) 다양한 변형들과 유사한 구성들을 커버하도록 의도되었다. 그러므로, 첨부된 청구항들의 범위는 이와 같은 변형들과 유사 구성들을 모두 포함하도록 하는 광범위 해석과 일치되어야 한다.While the invention has been described in terms of preferred embodiments by way of example, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. In contrast, the present invention is intended to cover similar variations and constructions as would be apparent to those skilled in the art. Therefore, the scope of the appended claims should be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and similar arrangements.

10: 웨이퍼; 100: 직립식 도금 장비
101: 전해액; 110: 도금 싱크
120: 캐리어; 121: 플랜지
122: 몸체부; 123: 샤프트
130: 자성 액추에이팅 유닛; 131: 영구 자성 엘리먼트
132: 전자기성 엘리먼트들; 140: 지지대10: wafer; 100: upright plating equipment
101: electrolyte solution; 110: plating sink
120: carrier; 121: flange
122: body portion; 123: shaft
130: magnetic actuating unit; 131: permanent magnetic element
132: electromagnetic elements; 140: support

Claims (12)

웨이퍼를 도금하기 위한 직립식 도금 장비에 있어서,
전해액을 수용하는 도금 싱크;
웨이퍼 - 상기 웨이퍼는 상기 전해액 내에 담궈짐 - 를 지지하는 캐리어; 및
상기 캐리어를 회전시키는 자성 액추에이팅 유닛
을 포함하며, 상기 웨이퍼는 균일하게 도금되도록 상기 전해액 내에서 회전되는 것인, 직립식 도금 장비.In the upright plating equipment for plating a wafer,
A plating sink containing an electrolyte solution;
A carrier for supporting a wafer, wherein the wafer is immersed in the electrolyte; And
Magnetic actuating unit for rotating the carrier
Wherein the wafer is rotated in the electrolyte to be uniformly plated. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 수직 평면상에서 회전되는 것인, 직립식 도금 장비.The upright plating equipment of claim 1, wherein the wafer is rotated on a vertical plane. 제1항에 있어서, 상기 자성 액추에이팅 유닛은 상기 캐리어를 1~50rpm의 속도로 회전시키는 것인, 직립식 도금 장비.The upright plating equipment of claim 1, wherein the magnetic actuating unit rotates the carrier at a speed of 1 to 50 rpm. 제1항에 있어서, 지지대를 더 포함하며, 상기 캐리어는 상기 지지대상에서 회전가능하게 배치되는 것인, 직립식 도금 장비.The upright plating equipment of claim 1, further comprising a support, wherein the carrier is rotatably disposed on the support. 제4항에 있어서, 상기 자성 액추에이팅 유닛은 영구 자성 엘리먼트와 복수의 전자기성 엘리먼트들을 포함하며, 상기 영구 자성 엘리먼트는 상기 캐리어를 둘러싸며, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 캐리어 내에 배치되고, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 지지대에 대해 상기 캐리어를 회전시키도록 자기장 변동을 일으키는 것인, 직립식 도금 장비.The magnetic actuating unit of claim 4, wherein the magnetic actuating unit comprises a permanent magnetic element and a plurality of electromagnetic elements, the permanent magnetic element surrounding the carrier, the electromagnetic elements disposed within the carrier, and the electronic The ready-made elements of the upright plating equipment that cause magnetic field fluctuations to rotate the carrier relative to the support. 제4항에 있어서, 상기 자성 액추에이팅 유닛은 영구 자성 엘리먼트와 복수의 전자기성 엘리먼트들을 포함하며, 상기 영구 자성 엘리먼트는 상기 지지대 내에 배치되고, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 캐리어 내에 배치되고, 상기 영구 자성 엘리먼트는 상기 전자기성 엘리먼트들을 둘러싸며, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 지지대에 대해 상기 캐리어를 회전시키도록 자기장 변동을 일으키는 것인, 직립식 도금 장비.The magnetic actuating unit of claim 4, wherein the magnetic actuating unit comprises a permanent magnetic element and a plurality of electromagnetic elements, the permanent magnetic element disposed in the support, the electromagnetic elements disposed in the carrier, the permanent And a magnetic element surrounds the electromagnetic elements, the electromagnetic elements causing magnetic field variations to rotate the carrier relative to the support. 제6항에 있어서, 상기 캐리어는 샤프트를 가지며, 상기 샤프트는 상기 지지대 내에 삽입되며, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 샤프트 내에 배치되는 것인, 직립식 도금 장비.The upright plating equipment of claim 6, wherein the carrier has a shaft, the shaft is inserted into the support, and the electromagnetic elements are disposed within the shaft. 제4항에 있어서, 상기 자성 액추에이팅 유닛은 영구 자성 엘리먼트와 복수의 전자기성 엘리먼트들을 포함하며, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 지지대 내에 배치되고, 상기 영구 자성 엘리먼트는 상기 캐리어 상에 배치되고, 상기 영구 자성 엘리먼트는 상기 전자기성 엘리먼트들을 둘러싸며, 상기 전자기성 엘리먼트들은 상기 지지대에 대해 상기 캐리어를 회전시키도록 자기장 변동을 일으키는 것인, 직립식 도금 장비.The magnetic actuating unit of claim 4, wherein the magnetic actuating unit comprises a permanent magnetic element and a plurality of electromagnetic elements, the electromagnetic elements disposed in the support, the permanent magnetic element disposed on the carrier, And a permanent magnetic element surrounding the electromagnetic elements, the electromagnetic elements causing magnetic field fluctuations to rotate the carrier relative to the support. 제8항에 있어서, 상기 캐리어는 플랜지와 몸체부를 포함하며, 상기 플랜지는 상기 몸체부에 연결되고, 상기 영구 자성 엘리먼트는 상기 플랜지의 표면상에 배치되며, 상기 표면은 상기 지지대쪽으로 향해 있는 것인, 직립식 도금 장비.9. The carrier of claim 8 wherein the carrier comprises a flange and a body portion, the flange is connected to the body portion, the permanent magnetic element is disposed on a surface of the flange and the surface is directed towards the support. , Upright plating equipment. 웨이퍼를 도금하기 위한 도금 방법에 있어서,
도금 싱크 - 상기 도금 싱크 내에 전해액이 수용됨 - 를 제공하고;
상기 웨이퍼를 지지하는 캐리어를 제공하고;
상기 웨이퍼를 상기 전해액 내에 담구며;
상기 캐리어를 회전시키는 것
을 포함하며, 상기 웨이퍼는 균일하게 도금되도록 상기 전해액 내에서 회전되는 것인, 웨이퍼를 도금하기 위한 도금 방법.In the plating method for plating a wafer,
Providing a plating sink, wherein an electrolyte solution is contained in the plating sink;
Providing a carrier for supporting the wafer;
Dipping the wafer into the electrolyte;
Rotating the carrier
Wherein the wafer is rotated in the electrolyte to be uniformly plated. 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼는 수직 평면상에서 회전되는 것인, 웨이퍼를 도금하기 위한 도금 방법.The method of claim 10, wherein the wafer is rotated on a vertical plane. 제10항에 있어서, 상기 캐리어는 1~50rpm의 속도로 회전되고, 상기 전해액은 0.1~5.0wt%의 은 이온들을 포함하는 것인, 웨이퍼를 도금하기 위한 도금 방법.The plating method of claim 10, wherein the carrier is rotated at a speed of 1 to 50 rpm and the electrolyte includes 0.1 to 5.0 wt% of silver ions.
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TW580745B (en) * 1997-12-15 2004-03-21 Ebara Corp Electroplating jig for semiconductor wafers and apparatus for electroplating wafers
JP3523197B2 (en) * 1998-02-12 2004-04-26 エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド Plating equipment and method
KR100516776B1 (en) * 1998-11-28 2005-09-26 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드 Method and apparaus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6610190B2 (en) * 2000-11-03 2003-08-26 Nutool, Inc. Method and apparatus for electrodeposition of uniform film with minimal edge exclusion on substrate
EP1470268A2 (en) 2000-10-03 2004-10-27 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
JP3860111B2 (en) * 2002-12-19 2006-12-20 大日本スクリーン製造株式会社 Plating apparatus and plating method
JP2005089812A (en) * 2003-09-17 2005-04-07 Casio Comput Co Ltd Plating apparatus, and method for plating semiconductor substrate
US20060219566A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for fabricating metal layer
KR100645630B1 (en) * 2005-09-16 2006-11-14 삼성전기주식회사 Method for electrolytic plating on printed circuit board using a periodic directional magnetic field
TWI290591B (en) * 2006-01-16 2007-12-01 Applied Materials Inc Electrochemical plating apparatus and method
KR101102328B1 (en) * 2008-08-07 2012-01-03 주식회사 케이씨텍 Wafer plating apparatus

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