KR20110123025A - 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 - Google Patents

금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110123025A
KR20110123025A KR1020100042440A KR20100042440A KR20110123025A KR 20110123025 A KR20110123025 A KR 20110123025A KR 1020100042440 A KR1020100042440 A KR 1020100042440A KR 20100042440 A KR20100042440 A KR 20100042440A KR 20110123025 A KR20110123025 A KR 20110123025A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
copper
etchant
weight
metal wiring
Prior art date
Application number
KR1020100042440A
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Inventor
홍선영
서남석
정종현
박홍식
송진호
김봉균
이왕우
이기범
조삼영
김도원
김상우
신현철
서원국
Original Assignee
삼성전자주식회사
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100042440A priority Critical patent/KR20110123025A/ko
Priority to CN2011101201396A priority patent/CN102234805A/zh
Publication of KR20110123025A publication Critical patent/KR20110123025A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/26Acidic compositions for etching refractory metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/18Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
KR1020100042440A 2010-05-06 2010-05-06 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 KR20110123025A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100042440A KR20110123025A (ko) 2010-05-06 2010-05-06 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
CN2011101201396A CN102234805A (zh) 2010-05-06 2011-05-06 金属布线蚀刻液以及利用该蚀刻液的金属布线形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100042440A KR20110123025A (ko) 2010-05-06 2010-05-06 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110123025A true KR20110123025A (ko) 2011-11-14

Family

ID=44885913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100042440A KR20110123025A (ko) 2010-05-06 2010-05-06 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20110123025A (zh)
CN (1) CN102234805A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9023735B2 (en) 2012-08-03 2015-05-05 Samsung Display Co., Ltd. Etchant composition and manufacturing method for thin film transistor using the same
US9136137B2 (en) 2013-09-24 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Etchant composition and methods of fabricating metal wiring and thin film transistor substrate using the same
KR20160112470A (ko) * 2015-03-19 2016-09-28 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101922625B1 (ko) * 2012-07-03 2018-11-28 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
TW201404936A (zh) * 2012-07-24 2014-02-01 Au Optronics Corp 蝕刻液與形成圖案化多層金屬層的方法
CN103668207B (zh) * 2012-09-24 2018-04-06 东友精细化工有限公司 蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法
CN103924243A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 上海飞凯光电材料股份有限公司 一种蚀刻液组合物
KR102293675B1 (ko) * 2015-03-24 2021-08-25 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102676675B1 (ko) * 2016-12-19 2024-06-19 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341525A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法
KR100505328B1 (ko) * 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
CN101098989A (zh) * 2005-03-29 2008-01-02 三菱化学株式会社 铜的蚀刻液以及蚀刻方法
KR101199533B1 (ko) * 2005-06-22 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR101310310B1 (ko) * 2007-03-15 2013-09-23 주식회사 동진쎄미켐 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물
KR100839428B1 (ko) * 2007-05-17 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 식각액, 및 이를 이용한 박막트랜지스터를 갖는 기판의제조 방법
JP2010044981A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Fujifilm Corp 表示装置
KR101507592B1 (ko) * 2008-09-12 2015-04-06 주식회사 동진쎄미켐 유기발광다이오드표시장치의 식각액 조성물
KR101582946B1 (ko) * 2009-12-04 2016-01-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9023735B2 (en) 2012-08-03 2015-05-05 Samsung Display Co., Ltd. Etchant composition and manufacturing method for thin film transistor using the same
US9136137B2 (en) 2013-09-24 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Etchant composition and methods of fabricating metal wiring and thin film transistor substrate using the same
KR20160112470A (ko) * 2015-03-19 2016-09-28 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN102234805A (zh) 2011-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110123025A (ko) 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
JP5735553B2 (ja) エッチング液及びこれを用いた金属配線の形成方法
KR101960342B1 (ko) 식각액 조성물, 이를 이용한 배선 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법
JP5559956B2 (ja) 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物
KR101619380B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법
KR101391603B1 (ko) 은함유 패턴의 식각액
KR101310310B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물
JP5867930B2 (ja) エッチング液組成物、及び多重金属膜のエッチング方法{etchantcomposition、andmethodforetchingamulti−layeredmetalfilm}
KR20140005411A (ko) 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
KR20140078924A (ko) 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
KR102660286B1 (ko) 구리계 금속막 및 금속 산화물막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
KR102091847B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102269327B1 (ko) 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102131394B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101939842B1 (ko) 금속 배선 형성방법
KR101369946B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물
KR102131393B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160112471A (ko) 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102142419B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20190111420A (ko) 구리계 금속막용 식각 조성물
KR102169571B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20150114248A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102092927B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101939841B1 (ko) 금속 배선 형성방법
KR101951044B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application