KR20110120728A - Side view optical package and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A side view optical package and a manufacturing method thereof are provided to reduce the volume and the thickness of an entire package by forming a package with a lead frame mode into a side view optical package using a tape substrate. CONSTITUTION: An insulating layer(110), which includes a hole, is formed on a metal layer(120). A solder resist layer is formed in the upper side of the insulating layer. A connection unit(160) electrically connects an optical device and a circuit pattern. A resin unit(170) fills an optical device and the connection unit. A bent unit(180) is formed in an area in which the resin unit is not formed.

Description

사이드 뷰 광 패키지 및 그 제조 방법{SIDE VIEW OPTICAL PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Side view optical package and its manufacturing method {SIDE VIEW OPTICAL PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 사이드 뷰 광 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 넓은 지향각과 패키지의 부피 및 두께를 줄이고 집적도를 높일 뿐 아니라 광효율을 높이는 광 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a side-view optical package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an optical package and a method of manufacturing the same, which improves the light efficiency as well as reducing the volume and thickness of the package and the density and the density of the package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들어 내고, 이들의 재결합에 의하여 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 주어 발광시키는 금속간 화합물 접합 다이오드를 말한다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다. 이러한 LED는 일반적인 표시 장치는 물론이고 조명 장치나 LCD 표시 장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해지고 있다. 특히 LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점을 가지고 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 개발됨에 따라 현재 사용되고 있는 대부분의 광원 장치를 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있다.Light Emitting Diodes (LEDs) produce a small number of carriers (electrons or holes) injected using the pn junction structure of a semiconductor, and intermetallic compound junctions that emit light by converting electrical energy into light energy by recombination. Refers to a diode. In other words, when a forward voltage is applied to a semiconductor of a specific element, electrons and holes move through the junction of the anode and the cathode and recombine with each other, which is less energy than when the electrons and holes are separated. Release. Such LEDs are applied to a wide range of applications, such as not only general display devices but also lighting devices or backlight devices of LCD displays. In particular, LED has the advantage of low heat generation and long life due to high energy efficiency while being able to drive at a relatively low voltage, and most of the currently used technologies have been developed to provide high brightness of white light, which was difficult to implement in the past. It is expected to replace the light source device.

도 1a은 종래 기술의 일 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도를 나타낸다. 도 1a를 참조하면, LED 패키지는 발광하는 GaN 화학물 칩에 골드 와이어(102) 본딩을 통해 도선을 통전시켜 주며 하부에 히트싱크(10)를 형성하여 열방출을 할 수 있도록 구성된다. 또한, 외부 지지대 및 LED 패키지 부분에 금속 리드(20)를 와이어 본딩을 통해 전기를 가해주고 빛이 날 수 있는 구조로 되어 있다. 이러한 구조는 개별 칩(60)마다 하나의 패키지의 형태를 이루고 있다.1A shows a cross-sectional view of an LED package according to one embodiment of the prior art. Referring to FIG. 1A, the LED package is configured to conduct conductive wires through bonding a gold wire 102 to a light emitting GaN chemical chip and to form heat sinks 10 at a lower portion thereof to allow heat emission. In addition, the external support and the LED package portion of the metal lead 20 through the wire bonding to the electricity and the structure that can shine. This structure forms a package for each individual chip 60.

이와 같은 종래의 LED 패키지는 리드 프레임 타입의 패키지 형태를 이루고 있다. 그러나 리드 프레임 타입은 패키지 효용 영역이 높지 않아 LED 칩을 집적화하기 힘들며 지향각이 좁을 뿐 아니라 칩 사이즈 대비 패키지 사이즈가 상대적으로 크기 때문에 부품화하여 실제품에 장착시 제품의 두께나 외곽 면적이 커질 수 밖에 없다.Such a conventional LED package is in the form of a lead frame type package. However, the lead frame type does not have a high package utilization area, making it difficult to integrate LED chips, having a narrow orientation angle, and a relatively large package size compared to the chip size. none.

또한, LED 칩에서 발생된 열을 방출하기 위해 별도로 하부의 히트 싱크가 필요하여 그 만큼 두께 및 부피가 증가하게 된다.In addition, in order to dissipate the heat generated by the LED chip, a separate heat sink is required, thereby increasing thickness and volume.

도 1b는 종래 기술의 또 다른 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도를 나타낸다. 도 1b을 참조하면, 와이어(102) 본딩을 보호하는 봉지 공정에서 형광체 및 수지 복합체를 도포한 후에 빛에 직진성과 광효율을 높이기 위해 플라스틱 렌즈(25)를 사용한다. 이는 전술한 LED 패키지의 소형화의 한계의 원인으로 작용하며, 공정상 비용 문제를 발생시킨다.1B shows a cross-sectional view of an LED package according to another embodiment of the prior art. Referring to FIG. 1B, a plastic lens 25 is used to increase linearity and light efficiency to light after applying a phosphor and a resin composite in an encapsulation process to protect the bonding of the wire 102. This acts as a cause of the limitation of the miniaturization of the LED package described above, and causes a cost problem in the process.

따라서, 더욱 저렴한 비용으로 더욱 소형화되고 공정의 단순화를 꾀할 수 있는 LED 패키지를 제조할 수 있는 기술이 필요하다.Therefore, there is a need for a technology capable of manufacturing LED packages that can be miniaturized at a lower cost and simplify the process.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 더욱 저렴한 비용으로 광 패키지 자체의 부피를 줄이고 최종 제품의 두께 및 외각 부피를 줄임에 따라 소형화 및 집적화가 가능하게 할 뿐만 아니라 넓은 지향각을 통해 백라이트 유닛을 구성하는 패키지의 개수를 줄이며, 방열판 및 지지대 역할을 하는 금속층을 광 반사층으로 도금하고 절연층 표면에 화이트 반사층 또는 금속반사층과 도금층을 형성함으로써 절연층에의 광흡수를 줄이고 광효율을 높이는 사이드 뷰 광 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the present invention is to reduce the volume of the optical package itself and reduce the thickness and the outer volume of the final product at a lower cost, as well as miniaturization and integration Through the wide angle of view, the number of packages constituting the backlight unit is reduced, and the metal layer serving as the heat sink and the support plate is plated with the light reflecting layer, and the white layer or the metal reflecting layer and the plating layer are formed on the surface of the insulating layer to absorb light to the insulating layer. The present invention provides a side view optical package and a method of manufacturing the same that reduce and increase light efficiency.

상술한 과제를 해결하기 위하여 제공되는 본 발명의 구성은 회로패턴이 형성된 금속층; 상기 금속층 상에 형성되며 홀을 포함하는 절연층; 상기 홀에 의해 노출된 층에 다이본딩하여 실장한 광소자 및 상기 광소자와 회로패턴을 전기적으로 연결하는 연결부; 상기 광소자 및 연결부를 매립하는 수지부; 상기 수지부가 형성되지 않은 영역에 형성된 절곡부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지를 제공하여 리드 프레임을 사용하지 않고 테이프 타입의 절연막을 사용하여 광 패키지의 소형화 및 집적화를 실현하고, 넓은 지향각과 적은 부피를 구현할 수 있다.The configuration of the present invention provided to solve the above problems is a metal layer formed circuit pattern; An insulating layer formed on the metal layer and including a hole; An optical element mounted by die bonding to the layer exposed by the hole and a connection part electrically connecting the optical element and a circuit pattern; A resin part filling the optical element and the connection part; A bent portion formed in an area where the resin portion is not formed; provides a side view optical package, and realizes miniaturization and integration of the optical package using a tape type insulating film without using a lead frame, Azimuth angle and small volume can be achieved.

특히, 상기 절곡부는 상기 절연층에 홀 또는 홈을 형성하여 벤딩함으로써 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In particular, the bent portion may be formed by bending a hole or a groove in the insulating layer.

또한, 상기 홀에 의해 노출된 상부 금속층 또는 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하여 광효율을 높일 수 있으며, 이때 상기 광 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 도금층인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the light reflecting layer may further include a light reflecting layer on the upper metal layer exposed by the hole or the lower metal layer on which the circuit pattern is formed, wherein the light reflecting layer is silver (Ag) or a plating layer containing silver. It may be characterized by.

또한, 상기 절연층 상면에 형성되는 솔더 레지스트층을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.The method may further include a solder resist layer formed on an upper surface of the insulating layer.

아울러, 상기 절연층 상면 또는 절연층 표면에 형성되는 화이트 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the insulating layer may further include a white reflective layer formed on the upper surface or the insulating layer surface.

특히, 상기 절연층 표면에 형성되는 화이트 반사층은 상기 절연층 측면을 10㎛ ~100㎛ 두께로 매립하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 화이트 반사층은 상기 절연층 측면에 경사면이 존재하는 것이 바람직하다.In particular, the white reflective layer formed on the surface of the insulating layer may be characterized in that the side of the insulating layer is buried in a thickness of 10㎛ ~ 100㎛, the white reflective layer preferably has an inclined surface on the side of the insulating layer.

또한, 상기 화이트 반사층은 실버 페이스트(silver paste), 화이트 솔더 레지스트(white solder resist) 또는 화이트 에폭시(white epoxy) 중 어느 하나를 인쇄한 것을 특징으로 하여 광효율을 높일 수 있다.In addition, the white reflective layer may increase light efficiency by printing any one of a silver paste, a white solder resist, or a white epoxy.

또한, 상기 절연층 표면에 형성되는 금속반사층; 상기 금속반사층 및 금속층 상에 형성되는 도금층;을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 금속반사층은 은(Ag) 페이스트를 도포하여 인쇄하고, 상기 도금층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 도금층인 것이 바람직하다.In addition, the metal reflection layer formed on the surface of the insulating layer; The metal reflection layer and the plating layer formed on the metal layer; may be characterized in that it further comprises, the metal reflection layer is printed by applying a silver (Ag) paste, the plating layer is a silver (Ag) or a plating layer containing silver Is preferably.

또한, 상기 금속층은 구리(Cu)층이고, 상기 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film) 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the metal layer is a copper (Cu) layer, the insulating layer may be characterized in that the polyimide film (polyimide film).

또한, 상기 수지부는 볼록 렌즈 형상의 형광체 및 투명 레진(Resin)을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the resin part may be characterized in that it comprises a convex lens-shaped phosphor and a transparent resin (Resin).

본 발명에 따른 사이드 뷰 광 패키지의 제조 방법은 (a) 절연층에 광소자 실장 및 와이어 본딩을 위한 홀과 절곡부 형성을 위한 홀 또는 홈을 형성하는 단계; (b) 상기 절연층 하부에 금속층을 라미네이트하고 회로패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 홀에 의해 노출된 층에 광소자를 실장하고 상기 광소자와 회로패턴을 금(Au) 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결하는 단계; (d) 상기 광소자 및 금 와이어를 매립하여 수지부를 형성하는 단계;(e) 상기 비아홀을 벤딩하여 절곡부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Method for manufacturing a side view optical package according to the present invention comprises the steps of (a) forming a hole or groove for forming the hole and the bent portion for the optical device mounting and wire bonding in the insulating layer; (b) laminating a metal layer under the insulating layer and forming a circuit pattern; (c) mounting an optical device on a layer exposed by the hole and electrically connecting the optical device and a circuit pattern through gold (Au) wire bonding; (d) embedding the optical device and the gold wire to form a resin part; (e) bending the via hole to form a bent part.

특히, 상기 (b)단계 이후에, 상기 절연층 상에 솔더 레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 홀에 의해 노출된 금속층 및 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In particular, after step (b), forming a solder resist layer on the insulating layer; And forming a light reflection layer on the metal layer exposed by the hole and the lower metal layer on which the circuit pattern is formed.

또한, 상기 (b) 단계 이후에, (b-1) 상기 절연층 상면 또는 절연층 표면에 화이트 반사층을 형성하는 단계; 및 (b-2) 상기 홀에 의해 노출된 상부 금속층 및 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.Further, after the step (b), (b-1) forming a white reflective layer on the upper surface or the surface of the insulating layer; And (b-2) forming a light reflection layer on the upper metal layer exposed by the hole and the lower metal layer on which the circuit pattern is formed.

또한, 상기 (b) 단계 이후에, 상기 절연층 표면에 금속반사층을 형성하는 단계; 및 상기 금속반사층 및 금속층 상에 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, after the step (b), forming a metal reflection layer on the surface of the insulating layer; And forming a plating layer on the metal reflection layer and the metal layer.

또한, 상기 (a) 단계의 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film)이며, 상기 (b) 단계의 금속층은 구리(Cu)층인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the insulating layer of step (a) is a polyimide film (polyimide film), the metal layer of the step (b) may be characterized in that the copper (Cu) layer.

또한, 상기 (c) 단계는 광소자로서 LED 칩을 실장하되, 상기 (d) 단계는 형광체 및 투명 레진을 과도포하여 볼록 렌즈 형상의 수지부를 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.The step (c) may include mounting an LED chip as an optical device, and the step (d) may form a convex lens-shaped resin part by over-coating a phosphor and a transparent resin.

본 발명에 의하면, 기존의 리드 프레임 방식에 따른 패키지를 테이프 기판을 이용한 사이드 뷰 패키지로 형성함으로써 넓은 지향각과 적은 부피를 구현하여 백라이트 유닛을 구성하는 패키지의 개수를 줄이고, 전체 패키지의 부피 및 두께를 줄일 수 있다. 또한, 점발광 방식에서 면발광 방식의 패키지 형성이 가능하도록 하여 집적도가 높은 패키지 생산이 가능해 진다. 더욱이, 봉지와 렌즈를 동시에 제작하여 원가를 낮추고 공정을 단순화하여 생산성을 높일 수 있으며 금속층 상에 형성된 광반사층과 절연층 표면에 형성된 화이트 반사층 또는 금속반사층, 도금층을 통해 광효율을 높일 수 있다.According to the present invention, by forming a package according to the conventional lead frame method as a side view package using a tape substrate, to realize a wide orientation angle and a small volume to reduce the number of packages constituting the backlight unit, and to reduce the volume and thickness of the entire package Can be reduced. In addition, it is possible to form a package of the surface emitting method in the point emission method it is possible to produce a package of high integration. Furthermore, by simultaneously producing the bag and the lens, the cost can be reduced and the process can be simplified to increase the productivity, and the light efficiency can be improved through the light reflection layer formed on the metal layer and the white reflection layer or metal reflection layer or plating layer formed on the surface of the insulating layer.

도 1a는 종래 기술의 일 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 1b는 종래 기술의 또 다른 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 서로 다른 일 실시형태에 따른 사이드 뷰 광 패키지의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 서로 다른 일 실시형태에 따른 사이드 뷰 광 패키지 제조 공정의 단면도이다.
1A is a cross-sectional view of an LED package according to one embodiment of the prior art.
1B is a cross-sectional view of an LED package according to another embodiment of the prior art.
2A-2C are cross-sectional views of side view light packages according to another embodiment of the present invention.
3A-3C are cross-sectional views of a side view optical package manufacturing process according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description, and elements denoted by the same symbols in the drawings denote the same elements.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 서로 다른 일 실시형태에 따른 사이드 뷰 광 패키지의 단면도를 도시한 도면이다. 도 2a를 참조하면, 본 발명의 구조는 회로패턴이 형성된 금속층(120)상에 홀(115, 116)이 포함된 절연층(110)이 형성되어 있고, 상기 절연층(110)에 펀칭을 통해 홀 또는 홈(117)을 형성하고 이를 벤딩함으로써 형성된 절곡부(180)를 구비하며 광소자(150)와 연결부(160) 및 상기 광소자(150)와 연결부(160)를 매립한 수지부(170)를 포함한다. 이때, 상기 절연층(110) 상에는 도면과 같이 솔더 레지스트층(131)을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 절연층(110)은 폴리이미드 필름인 것이 바람직하며, 상기 금속층(120)은 구리층인 것이 바람직하다. 또한, 상기 홀(115, 116)에 의해 노출된 상부 금속층 또는 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층(140)을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 광 반사층(140)의 도금은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같이 와이어 본딩을 위한 금(Au) 도금을 배제하고 은 도금층(140)을 형성함으로써 휘도가 향상되며 열전도도가 높아져 LED 칩에서 발생하는 열에 따른 방열효과가 증대되며, 반사율이 높아져 광흡수를 막고 광효율을 극대화할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 상기 광 반사층(140)에 광소자(150)로서 LED 칩이 실장되어 상기 칩(150)과 회로패턴과의 전기적 연결을 위해 금(Au) 와이어 본딩을 실시하고 상기 LED 칩(150) 및 금 와이어(160)를 수지부(170)를 통해 매립하는 사이드 뷰 테이프 타입 LED 패키지의 형태로 이루어져 있다. 이때, 상기 수지부(170)는 볼록 렌즈 형상으로 이루어져 형광체 및 투명 레진(Resin)을 포함하며 상기 투명 레진은 실리콘(Si)인 것이 바람직하다. 아울러, 본 발명에서의 절곡부는 절연층에 홀 또는 홈(117)을 형성하여 벤딩함으로써 형성되는 것으로 이를 통해 보다 넓은 지향각을 확보할 수 있게 된다. 이렇게 본 발명은 하부 히트 싱크 및 금속 리드부를 사용하지 않고 필름 형태의 절연막과 하부의 회로패턴층을 통해 소형화 및 집적화된 절곡부가 형성된 사이드 뷰 광 패키지를 구현할 수 있으며 상기 절곡부에 의한 넓은 지향각을 통해 백라이트 유닛을 구성하는 패키지의 개수를 줄일 수 있게 된다. 또한, 회로패턴층이 절연층 하부에 형성되어 있고 상기 회로패턴층은 회로판 뿐 만 아니라 방열판의 역할도 하게 된다. 아울러 와이어 본딩의 경우 표면의 거칠기에 따른 RZ의 차이로 본딩력이 우수한 효과도 있다.2A-2C are cross-sectional views of side view light packages according to another embodiment of the invention. Referring to FIG. 2A, in the structure of the present invention, an insulating layer 110 including holes 115 and 116 is formed on a metal layer 120 on which a circuit pattern is formed, and punching the insulating layer 110. A resin unit 170 having a bent portion 180 formed by forming a hole or a groove 117 and bending the same, and embedding the optical element 150 and the connection unit 160 and the optical element 150 and the connection unit 160. ). In this case, it is preferable to further include a solder resist layer 131 on the insulating layer 110, the insulating layer 110 is preferably a polyimide film, the metal layer 120 is a copper layer It is preferable. In addition, the light reflecting layer 140 may be further included in the upper metal layer or the lower metal layer on which the circuit patterns exposed by the holes 115 and 116 are formed. The plating of the light reflecting layer 140 may include silver (Ag) or It is preferable to include silver. In this way, the silver plating layer 140 is formed by excluding gold plating for wire bonding, thereby improving brightness and increasing thermal conductivity, thereby increasing heat dissipation effect due to heat generated from the LED chip, and increasing reflectance to prevent light absorption. The light efficiency can be maximized. In addition, the present invention is mounted LED chip as the optical element 150 in the light reflecting layer 140 to perform gold (Au) wire bonding for the electrical connection between the chip 150 and the circuit pattern and the LED chip ( 150) and the gold wire 160 is formed in the form of a side view tape type LED package for embedding through the resin unit 170. In this case, the resin unit 170 is formed in a convex lens shape and includes a phosphor and a transparent resin (Resin), the transparent resin is preferably silicon (Si). In addition, the bent portion in the present invention is formed by bending the hole or the groove 117 in the insulating layer through which it is possible to secure a wider angle of view. As described above, the present invention can realize a side view optical package in which the bent portion is miniaturized and integrated through the film-type insulating layer and the lower circuit pattern layer without using the lower heat sink and the metal lead portion. Through this, the number of packages constituting the backlight unit can be reduced. In addition, a circuit pattern layer is formed under the insulating layer, and the circuit pattern layer serves as a heat sink as well as a circuit board. In addition, in the case of wire bonding, the bonding force is excellent due to the difference in RZ according to the roughness of the surface.

도 2b를 참조하면, 또 다른 일 실시 형태에 따른 본 발명의 구조는 회로패턴이 형성된 금속층(120) 상에 홀(115, 116)이 포함된 절연층(110)이 형성되어 있고, 상기 절연층(110) 표면에 화이트 반사층(132)이 형성되어 있으며, 상기 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120)에 광 반사층(140)이 도금되고, 절연층(110)에 홀 또는 홈(117)을 형성하여 벤딩함으로써 형성되는 절곡부(180)를 포함하며, 광소자(150)와 연결부(160) 및 상기 광소자(150)와 연결부(160)를 매립한 수지부(170)를 포함한다. 이때, 상기 절연층(110)은 폴리이미드 필름(polyimide film)인 것이 바람직하며, 상기 금속층(120)은 구리(Cu)층인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은 도 2a와는 달리 상기 절연층(110) 표면, 즉 상면과 측면에 화이트 반사층(132)이 형성되어 있는데, 상기 화이트 반사층(132)이 상기 절연층(110) 상면에만 형성되는 것도 가능함은 물론이다. 이때, 상기 화이트 반사층(132)은 실버 페이스트(silver paste), 화이트 솔더 레지스트(white solder resist) 또는 화이트 에폭시(white epoxy) 중 어느 하나를 인쇄하여 형성하는 것이 바람직하다. 일반적인 폴리이미드는 갈색이나 노란색 계열로서 빛을 반사하기 보다는 흡수하게 되므로 휘도가 떨어지는 문제점이 있으므로 녹색 계열의 솔더 레지스트가 아닌 화이트 반사층(132)을 절연층(110)의 상면 뿐 만 아니라 그 측면에도 형성함으로써 휘도를 높일 수 있도록 한다. 이때, 상기 화이트 반사층(132)은 휘도를 높이기 위해 상기 절연층(110)의 측면을 10㎛ ~ 100㎛의 두께로 매립하는 것이 바람직하며, 절연층(110)을 격벽 형식의 직각 형상으로 매립할 수도 있지만, 도면에서와 같이 절연층(110) 측면에 격벽각이 있도록, 즉 경사면이 존재하도록 형성되는 것이 바람직하며, 절연층(110)의 측면과 화이트 반사층(132)의 경사면 하부면과의 거리, 즉 도면에서의 X는 10㎛ ~ 100㎛의 두께인 것이 바람직하다. 이렇게 상기 화이트 반사층(132)의 경사면을 통해 광소자(150)에서 발생하는 빛이 경사면에 의해 상기 광소자의 상부로 반사되어 광효율을 높일 수 있게 되며 화이트 반사층(132)은 반사층의 역할을 하여 광효율을 높일 뿐 만 아니라 이후의 수지부(170) 형성시 격벽 역할과 경계를 구분하는 역할도 하게 된다. 또한, 상기 광 반사층(140)은 화이트 반사층(132)이 형성되지 않은 금속층(120) 중 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120) 상에 광 반사층(140)이 도금될 수도 있으며, 도면과 같이 절연층(110)이 적층된 금속층(120)의 이면에도 도금되는 것이 바람직하며, 상기 광 반사층(140)의 도금은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같이 와이어 본딩을 위한 금(Au) 도금을 배제하고 은 도금층(140)을 형성함으로써 휘도가 향상되며 열전도도가 높아져 LED 칩에서 발생하는 열에 따른 방열 효과가 증대되며, 반사율이 높아져 광흡수를 막고 광효율을 극대화할 수 있게 된다. 본 발명의 구성요소인 광소자(150), 연결부(160), 수지부(170) 및 절곡부(180)는 상기 도 2a에서와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 2B, according to another embodiment of the present invention, an insulation layer 110 including holes 115 and 116 is formed on a metal layer 120 on which a circuit pattern is formed. The white reflective layer 132 is formed on the surface of the (110), the light reflective layer 140 is plated on the metal layer 120 exposed by the holes 115 and 116, and the holes or grooves are formed in the insulating layer 110. And a bending part 180 formed by forming and bending 117, and includes an optical device 150 and a connection part 160, and a resin part 170 in which the optical device 150 and the connection part 160 are embedded. do. In this case, the insulating layer 110 is preferably a polyimide film, and the metal layer 120 is preferably a copper (Cu) layer. In addition, in the present invention, unlike the FIG. 2A, the white reflective layer 132 is formed on the surface of the insulating layer 110, that is, the upper surface and the side surface, and the white reflective layer 132 is formed only on the upper surface of the insulating layer 110. Of course it is possible. In this case, the white reflective layer 132 is preferably formed by printing any one of a silver paste, a white solder resist or a white epoxy. Since the general polyimide is brown or yellow based, it absorbs light rather than reflecting light, so that the luminance is lowered. Therefore, the white reflective layer 132 is formed on the side of the insulating layer 110 as well as on the upper surface of the insulating layer 110 instead of the green solder resist. In this way, the luminance can be increased. At this time, the white reflective layer 132 is preferably buried in the side of the insulating layer 110 to a thickness of 10㎛ ~ 100㎛ in order to increase the brightness, the insulating layer 110 to be buried in a rectangular shape of the partition wall type. Although it may be, as shown in the figure, it is preferable that the partition wall is formed on the side of the insulating layer 110, that is, the inclined surface is present, and the distance between the side surface of the insulating layer 110 and the lower surface of the inclined surface of the white reflective layer 132. That is, it is preferable that X in a figure is 10 micrometers-100 micrometers in thickness. Thus, the light generated from the optical device 150 through the inclined surface of the white reflective layer 132 is reflected to the upper portion of the optical device by the inclined surface to increase the light efficiency, and the white reflective layer 132 serves as a reflective layer to improve the light efficiency. Not only increases, but also serves to separate the role of the barrier and the boundary when forming the resin part 170 thereafter. In addition, the light reflection layer 140 may be plated with the light reflection layer 140 on the metal layer 120 exposed by the holes 115 and 116 of the metal layer 120 where the white reflection layer 132 is not formed. As shown in the drawing, the insulating layer 110 may be plated on the back surface of the metal layer 120 in which the layers are stacked. The plating of the light reflection layer 140 may include silver (Ag) or silver. As such, by removing the gold plating for wire bonding and forming the silver plating layer 140, the luminance is improved, the thermal conductivity is increased, and the heat dissipation effect due to the heat generated from the LED chip is increased, and the reflectance is increased to prevent light absorption. The light efficiency can be maximized. Since the optical device 150, the connection part 160, the resin part 170, and the bent part 180, which are the components of the present invention, are the same as in FIG. 2A, description thereof will be omitted.

도 2c를 참조하면, 또 다른 일 실시 형태에 따른 본 발명의 구조는 홀(115, 116)이 형성된 절연층(110) 하부에 회로패턴이 형성된 금속층(120)이 존재하고, 상기 절연층(110)의 표면에 금속반사층(133)이 형성되어 있으며 상기 금속반사층(133)과 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120) 상에 도금층(141)이 형성되어 있고, 상기 절연층(110)에 홀 또는 홈(117)을 형성하여 벤딩함으로써 형성되는 절곡부(180)를 포함하며, 광소자(150)와 연결부(160) 및 상기 광소자(150)와 연결부(160)를 매립한 수지부(170)를 포함한다. 이때, 상기 절연층(110)은 폴리이미드 필름(polyimide film)인 것이 바람직하며, 상기 금속층(120)은 구리(Cu)층인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은 도 2a 및 도 2 b와는 달리 상기 절연층(110) 표면, 즉 상면과 측면에 금속반사층(133)이 형성되는데, 상기 금속반사층(133)은 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au) 등의 도전성 페이스트를 도포하여 인쇄하는 것이 바람직한데, 그 중에서도 은 페이스트인 것이 가장 바람직하다. 일반적인 폴리이미드는 갈색이나 노란색 계열로서 빛을 반사하기 보다는 흡수하게 되므로 휘도가 떨어지는 문제점이 있으므로 폴리이미드(110)의 상면뿐 만 아니라 그 측면에도 금속반사층(133)과 도금층(141)을 형성함으로써 폴리이미드(110)에의 광흡수를 줄이고 광효율을 높일 수 있게 된다. 이때, 금속반사층(133)은 절연층(110)을 격벽 형식의 직각 형상으로 매립할 수도 있지만, 도면에서와 같이 절연층(110) 측면에 격벽각이 있도록, 즉 경사면이 존재하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이렇게 상기 금속반사층(133)의 경사면을 통해 광소자(150)에서 발생하는 빛이 경사면에 의해 상기 광소자(150)의 상부로 반사되어 광효율을 높일 수 있게 된다. 또한, 상기 도금층(141)은 상술한 바와 같이 상기 금속반사층(133)과 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120) 상에 형성될 수도 있으며, 도면에서와 같이 절연층(110)이 적층된 금속층(120)의 이면에도 도금되는 것이 바람직하며, 상기 도금층(141)은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 도금층인 것이 바람직하다. 이와 같이 와이어 본딩을 위한 금(Au) 도금을 배제하고 은 도금층(141)을 형성함으로써 휘도가 향상되며 열전도도가 높아져 LED 칩에서 발생하는 열에 따른 방열 효과가 증대되며, 반사율이 높아져 광흡수를 막고 광효율을 극대화할 수 있게 된다. 본 발명의 구성요소인 광소자(150), 연결부(160), 수지부(170) 및 절곡부(180)는 상기 도 2a에서와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 2C, in the structure of the present invention, a metal layer 120 having a circuit pattern is formed under the insulating layer 110 having the holes 115 and 116, and the insulating layer 110. The metal reflection layer 133 is formed on the surface of the metal sheet), and the plating layer 141 is formed on the metal layer 120 exposed by the metal reflection layer 133 and the holes 115 and 116, and the insulating layer 110 is formed. And a bent portion 180 formed by forming a hole or a groove 117 in the bend), and the optical element 150 and the connecting portion 160 and the optical element 150 and the connecting portion 160 are embedded. Branch 170 is included. In this case, the insulating layer 110 is preferably a polyimide film, and the metal layer 120 is preferably a copper (Cu) layer. 2A and 2B, the metal reflection layer 133 is formed on the surface of the insulating layer 110, that is, on the top and side surfaces thereof. The metal reflection layer 133 may be formed of silver (Ag) or nickel (Ni). ), Copper (Cu), palladium (Pd), platinum (Pt), gold (Au) and other conductive pastes are preferably applied and printed, of which silver paste is most preferred. Since a general polyimide is a brown or yellow series and absorbs light rather than reflecting light, there is a problem that the luminance is lowered, thereby forming the metal reflection layer 133 and the plating layer 141 not only on the upper surface of the polyimide 110 but also on the side thereof. It is possible to reduce the light absorption to the mead 110 and increase the light efficiency. In this case, the metal reflection layer 133 may be buried in a rectangular shape of the partition layer 110, but as shown in the figure, it is preferable that the partition wall is formed on the side of the insulating layer 110, that is, the inclined surface is present. Do. In this way, the light generated from the optical device 150 through the inclined surface of the metal reflection layer 133 is reflected by the inclined surface to the upper portion of the optical device 150 to increase the light efficiency. In addition, the plating layer 141 may be formed on the metal layer 120 exposed by the metal reflection layer 133 and the holes 115 and 116 as described above, and the insulating layer 110 may be formed as shown in the drawing. It is preferable to also plate the back surface of the stacked metal layer 120, and the plating layer 141 is preferably a plating layer containing silver (Ag) or silver. In this way, the silver plating layer 141 is formed by excluding gold plating for wire bonding, thereby improving brightness and increasing thermal conductivity, thereby increasing heat dissipation effect due to heat generated from the LED chip, and increasing reflectance to prevent light absorption. The light efficiency can be maximized. Since the optical device 150, the connection part 160, the resin part 170, and the bent part 180, which are the components of the present invention, are the same as in FIG. 2A, description thereof will be omitted.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 서로 다른 일 실시형태에 따른 사이드 뷰 광 패키지 제조 공정의 단면도를 도시한 도면이다. 도 3a를 참조하면, 먼저 절연성 필름(110)에 펀칭을 통해 광소자 실장과 와이어 본딩을 위한 홀(115, 116)과 절곡부 형성을 위한 홀 또는 홈(117)을 형성한다(S11). 이때, 상기 절연성 필름(110)은 폴리이미드 필름(polyimide film)인 것이 바람직하며, 상기 홀(115, 116)은 광소자가 위치할 중앙 홀인 디바이스 홀(115) 및 광소자(150)에 전원을 공급하기 위해 연결부(160)로서 와이어가 본딩 될 홀(116)을 포함한다. 그리고, 금속층(120)을 라미네이트하는데 상기 금속층(120)은 구리(Cu)층인 것이 바람직하다(S12). 이후, 여러 약품 처리를 통해 표면을 활성화 시킨 후, 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상공정을 수행한다. 현상공정이 완료된 후, 에칭 공정을 통해 필요한 회로를 형성하고 포토 레지스트를 박리함으로써 회로패턴층(120)을 형성한다. 다음으로 상기 절연층(110) 상에 즉, 본딩을 위한 표면(115) 및 외부 전원 공급을 위한 홀(116) 이외에는 솔더 레지스트를 도포하여 인쇄함으로써 솔더 레지스트층(131)을 형성하는 것이 바람직하며(S13), 상기 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120)을 도금하여 광 반사층(140)을 형성함으로써 본딩이 가능하도록 표면 처리를 한다(S14). 이 경우 상기 광 반사층(140)은 상기 절연층(110)이 적층된 금속층(120)의 이면인 회로면에도 도금하는 것이 바람직하다. 또한 상기 광 반사층(140)의 도금은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 것이 바람직하다. 이렇게 금(Au)도금을 배제하고 은도금을 실시함으로써 폴리이미드 필름(110)에의 광흡수를 줄이고 광효율을 높일 수 있게 된다. 이후, 상기 절연층(110)에 형성된 홀(115, 116) 중 광소자가 위치할 도금된 광 반사층(140) 상에 다이 본딩을 실시하여 광소자(150)를 실장하는데 상기 광소자는 LED 칩(150)으로서 접착제를 이용하여 칩(150)을 실장하는 것이 바람직하다. 이후, 은 도금된 광 반사층(140)에 와이어(160) 본딩을 실시함으로써 회로패턴층(120)과 LED 칩(150)을 전기적으로 연결하고(S15) 상기 LED 칩(150)과 와이어(160)를 매립하도록 수지부(170)를 형성한다(S16). 더욱 상세하게는 솔더 레지스트(131)의 경계부에 화이트 LED를 위해 제조된 형광체 및 투명 레진(Resin)을 과도포하여 볼록 렌즈 형상의 수지부(170)를 형성한다. 여기서 형광체 및 투명 레진을 과도포하는 경우 표면 장력으로 인해 도시된 바와 같은 볼록 렌즈 형상의 수지부(170)가 형성된다. 이에 의해, 기존의 봉지(Encapsulation) 및 플라스틱 렌즈를 동시에 형성할 수 있다. 이후, 상기 절연층(110)을 펀칭하여 형성된 비아홀(117)을 벤딩하여 절곡부(180)를 형성함으로써 사이드 뷰 광 패키지를 완성하게 되는데 이를 도광판(190)에 본딩하면 백라이트 유닛의 모듈이 된다(S17). 이렇게 본 발명은 절곡부(180)를 형성함으로써 리드 프레임 패키지와 대비하여 넓은 지향각과 적은 부피를 구현할 수 있게 된다.3A to 3C are cross-sectional views of a side view optical package manufacturing process according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3A, first, holes 115 and 116 for optical device mounting and wire bonding and holes or grooves 117 for forming bent portions are formed by punching the insulating film 110 (S 11 ). In this case, the insulating film 110 is preferably a polyimide film, and the holes 115 and 116 supply power to the device hole 115 and the optical device 150, which are central holes in which the optical device is to be located. In order to include a hole 116 to which a wire is to be bonded as the connection portion 160. In addition, the metal layer 120 is laminated, but the metal layer 120 is preferably a copper (Cu) layer (S 12 ). Then, after activating the surface through various chemical treatments, a photoresist is applied, and an exposure and development process are performed. After the development process is completed, the circuit pattern layer 120 is formed by forming a necessary circuit through the etching process and peeling off the photoresist. Next, the solder resist layer 131 may be formed on the insulating layer 110, that is, by applying and printing a solder resist except for the surface 115 for bonding and the hole 116 for external power supply ( S 13 ), the metal layer 120 exposed by the holes 115 and 116 is plated to form a light reflection layer 140, thereby performing surface treatment to enable bonding (S 14 ). In this case, the light reflection layer 140 may be plated on the circuit surface that is the back surface of the metal layer 120 in which the insulating layer 110 is stacked. In addition, the plating of the light reflection layer 140 preferably includes silver (Ag) or silver. In this way, silver plating is performed without gold plating, thereby reducing light absorption to the polyimide film 110 and increasing light efficiency. Thereafter, die bonding is performed on the plated light reflecting layer 140 where the optical device is to be located among the holes 115 and 116 formed in the insulating layer 110 to mount the optical device 150. The optical device is an LED chip 150. It is preferable to mount the chip 150 by using an adhesive as (). Thereafter, the wire pattern 160 is bonded to the silver-plated light reflecting layer 140 to electrically connect the circuit pattern layer 120 and the LED chip 150 (S 15 ), and the LED chip 150 and the wire 160. ) To form a resin portion 170 (S 16 ). In more detail, the convex lens-shaped resin part 170 is formed by over-coating a phosphor and a transparent resin manufactured for white LEDs at the boundary of the solder resist 131. In the case where the phosphor and the transparent resin are over-coated, the convex lens-shaped resin portion 170 is formed as shown due to the surface tension. As a result, an existing encapsulation and a plastic lens can be simultaneously formed. Thereafter, the via hole 117 formed by punching the insulating layer 110 is bent to form the bent portion 180, thereby completing the side view optical package, and bonding the light guide plate 190 becomes a module of the backlight unit (see FIG. S 17 ). Thus, by forming the bent portion 180, the present invention can realize a wide directing angle and a small volume as compared with the lead frame package.

도 3b를 참조하여 설명함에 있어, 이하에서는 도 3a의 제조 공정과의 차이점인 S23 단계를 위주로 설명하기로 한다. 먼저 절연성 필름(110)에 펀칭을 통해 광소자 실장과 와이어 본딩을 위한 홀(115, 116)과 절곡부 형성을 위한 홀 또는 홈(117)을 형성하고(S21), 금속층(120)을 라미네이트하여 회로패턴을 형성한다(S22). 그리고, 상기 절연층(110)의 상면 뿐 아니라 측면에도 화이트 반사층(132)을 형성한다(S23). 일반적으로 폴리이미드는 전기적으로는 안정적이지만 그 색깔이 갈색 혹은 노란색 계열로 반사율이 좋지 않아 광효율이 떨어지는 문제점이 있어 상기 화이트 반사층(132)을 통해 색을 입혀 광효율을 높일 수 있게 되는데, 상기 화이트 반사층(132)은 일반적 녹색 계열 솔더 레지스트가 아닌 실버 페이스트(silver paste), 화이트 솔더 레지스트(white solder resist) 또는 화이트 에폭시(white epoxy) 중 어느 하나를 도포하여 인쇄하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 화이트 반사층(132)은 절연층(110)의 측면을 10㎛ ~ 100㎛의 두께로 매립하는 것이 광효율을 높일 수 있게 되며, 절연층(110)을 격벽 형식의 직각 형상으로 매립할 수도 있지만, 도면에서와 같이 절연층(110) 측면에 경사면을 형성하여 광소자(150)에서의 빛을 광소자(150)의 상부로 반사시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하며, 절연층(110)의 측면과 화이트 반사층(132)의 경사면 하부면과의 거리, 즉 도면에서의 X는 10㎛ ~ 100㎛의 두께인 것이 바람직하다. 이후, 상기 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120) 중 화이트 반사층(132)이 형성되지 않은 금속층(120)을 도금하여 광 반사층(140)을 형성함으로써 본딩이 가능하도록 표면 처리를 한다(S24). 이 경우 상기 광 반사층(140)은 도면에서와 같이 상기 절연층(110)이 적층된 금속층(120)의 이면인 회로면에도 도금하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 광 반사층(140)의 도금은 은(Ag) 도금인 것이 바람직하다. 이렇게 금(Au) 도금을 배제하고 은 도금을 실시함으로써 폴리이미드 필름(110)에의 광흡수를 줄이고 광효율을 높일 수 있게 된다. 다음으로, 상기 절연층(110)에 형성된 홀 중 광소자(150)가 위치할 도금된 광 반사층(140) 상에 다이 본딩을 실시하여 광소자(150)로서 LED 칩을 실장하고, 상기 광 반사층(140)에 와이어(160) 본딩을 실시함으로써 회로패턴층(120)과 LED 칩(150)을 전기적으로 연결하고(S25) 상기 LED 칩(150)과 와이어(160)를 매립하도록 수지부(170)를 형성한다(S26). 이후, 상기 절연층(110)을 펀칭하여 형성된 홀 또는 홈(117)을 벤딩하여 절곡부(180)를 형성함으로써 사이드 뷰 광 패키지를 완성하게 되는데 이를 도광판(190)에 본딩하면 백라이트 유닛의 모듈이 된다(S27).In the following description with reference to FIG. 3B, the following description will focus on the step S 23 , which is different from the manufacturing process of FIG. 3A. First, holes (115, 116) for mounting the optical device and wire bonding and holes or grooves (117) for forming bent portions are formed by punching the insulating film (110) (S 21 ), and the metal layer 120 is laminated. By forming a circuit pattern (S 22 ). In addition, the white reflective layer 132 is formed not only on the upper surface of the insulating layer 110 but also on the side surface (S 23 ). In general, the polyimide is electrically stable, but the color is brown or yellow based, and thus the reflectance is not good. Therefore, the light efficiency is decreased, so that the color can be coated through the white reflective layer 132 to increase the light efficiency. 132 may be printed by applying any one of silver paste, white solder resist, or white epoxy, which is not a general green solder resist. In this case, embedding the side surface of the insulating layer 110 in a thickness of 10 μm to 100 μm may increase the light efficiency. The white reflective layer 132 may also fill the insulating layer 110 in a right angle shape of a partition wall type. However, it is preferable to form an inclined surface on the side of the insulating layer 110 to reflect the light from the optical device 150 to the upper portion of the optical device 150, as shown in the figure, the side of the insulating layer 110 And the distance between the bottom surface of the inclined surface of the white reflective layer 132, that is, X in the drawing, are preferably 10 μm to 100 μm thick. Thereafter, the metal layer 120 of the metal layers 120 exposed by the holes 115 and 116 is not plated with the white metal layer 120, thereby forming a light reflective layer 140, thereby performing surface treatment to enable bonding. (S 24 ). In this case, as shown in the drawing, the light reflecting layer 140 may be plated on a circuit surface that is the back surface of the metal layer 120 on which the insulating layer 110 is stacked. In addition, the plating of the light reflection layer 140 is preferably silver (Ag) plating. By removing the gold (Au) plating in this way it is possible to reduce the light absorption to the polyimide film 110 and increase the light efficiency. Next, an LED chip is mounted as the optical device 150 by die bonding on the plated light reflection layer 140 where the optical device 150 is to be located among the holes formed in the insulating layer 110. By bonding the wire 160 to the 140, the circuit pattern layer 120 and the LED chip 150 may be electrically connected to each other (S 25 ), and the resin part may be embedded to fill the LED chip 150 and the wire 160. 170 is formed (S 26 ). Subsequently, the side view optical package is completed by bending the hole or groove 117 formed by punching the insulating layer 110 to form the bent portion 180, and bonding the light guide plate 190 to the module of the backlight unit (S 27 ).

도 3c를 참조하여 설명함에 있어, 이하에서는 도 3a 및 도 3b의 제조 공정과의 차이점인 S33 단계를 위주로 설명하기로 한다. 먼저 절연성 필름(110)에 펀칭을 통해 광소자 실장과 와이어 본딩을 위한 홀(115, 116)과 절곡부 형성을 위한 비아홀(117)을 형성하고(S31), 금속층(120)을 라미네이트하여 회로패턴을 형성한다(S32). 그리고, 상기 절연층(110)의 상면 뿐 아니라 측면에도 금속반사층(133)을 형성한다(S33). 상기 금속반사층(133)은 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 카본 등의 도전성 페이스트를 도포하여 인쇄하는 것이 바람직한데, 그 중에서도 은 페이스트인 것이 가장 바람직하며, 상기 절연층(110)을 격벽 형식의 직각 형상으로 매립할 수도 있지만, 도면에서와 같이 절연층(110) 측면에 경사면을 형성하여 광소자(150)에서의 빛을 광소자의 상부로 반사시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이후, 상기 금속반사층(133)과 홀(115, 116)에 의해 노출된 금속층(120) 상에 도금층(141)을 형성함으로써 본딩이 가능하도록 표면 처리를 한다(S34). 이 경우, 상기 도금층(141)은 도면에서와 같이 상기 절연층(110)이 적층된 금속층(120)의 이면인 회로면에도 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 도금층(141)은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 도금층인 것이 바람직하다. 일반적으로 폴리이미드는 전기적으로는 안정적이지만 그 색깔이 갈색 혹은 노란색 계열로 반사율이 좋지 않아 광효율이 떨어지는 문제점이 있어 본 발명에서와 같이 은 페이스트를 도포하면 폴리이미드 영역(110)이 사라지고 상기와 같이 은 도금층(140)을 통해 광택도가 더 높아져 광효율을 더 높일 수 있게 된다. 다음으로, 상기 절연층(110)에 형성된 홀 중 광소자(150)가 위치할 도금층(141) 상에 다이 본딩을 실시하여 광소자(150)로서 LED 칩을 실장하고, 상기 도금층(141) 상에 금(Au) 와이어(160) 본딩을 실시함으로써 회로패턴층(120)과 LED 칩(150)을 전기적으로 연결하고(S35) 상기 LED 칩(150)과 와이어(160)를 매립하도록 수지부(170)를 형성한다(S36). 이후, 상기 절연층(110)을 펀칭하여 형성된 홀 또는 홈(117)을 벤딩하여 절곡부(180)를 형성함으로써 사이드 뷰 광 패키지를 완성하게 되는데 이를 도광판(190)에 본딩하면 백라이트 유닛의 모듈이 된다(S27).In the following description with reference to FIG. 3C, the following description will focus on the step S 33 , which is different from the manufacturing process of FIGS. 3A and 3B. First, holes are formed in the insulating film 110 to form holes 115 and 116 for mounting an optical device and wire bonding and via holes 117 for forming bent portions (S 31 ), and the metal layer 120 is laminated to form a circuit. A pattern is formed (S 32 ). In addition, the metal reflection layer 133 is formed on the side surface as well as the upper surface of the insulating layer 110 (S 33 ). The metal reflective layer 133 is preferably coated by applying a conductive paste such as silver (Ag), nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), platinum (Pt), gold (Au), and carbon. Among them, the silver paste is most preferable, and the insulating layer 110 may be buried in a right-angled shape in the form of a partition wall, but as shown in the drawing, an inclined surface is formed on the side of the insulating layer 110 in the optical device 150. It is desirable to be able to reflect the light to the top of the optical device. Subsequently, the plating layer 141 is formed on the metal layer 120 exposed by the metal reflection layer 133 and the holes 115 and 116, thereby performing surface treatment to enable bonding (S 34 ). In this case, the plating layer 141 is preferably formed on the circuit surface that is the back surface of the metal layer 120 in which the insulating layer 110 is laminated as shown in the figure. In addition, the plating layer 141 is preferably a plating layer containing silver (Ag) or silver. In general, the polyimide is electrically stable, but the color is brown or yellow series, and the reflectance is not good, so there is a problem in light efficiency. When the silver paste is applied as in the present invention, the polyimide region 110 disappears and the silver is as described above. Glossiness is higher through the plating layer 140 to further increase the light efficiency. Next, die bonding is performed on the plating layer 141 where the optical device 150 is to be located among the holes formed in the insulating layer 110 to mount an LED chip as the optical device 150, and then onto the plating layer 141. Bonding the circuit pattern layer 120 and the LED chip 150 by bonding gold (Au) wires 160 (S 35 ) and the resin part to fill the LED chip 150 and the wires 160. To form 170 (S 36 ). Subsequently, the side view optical package is completed by bending the hole or groove 117 formed by punching the insulating layer 110 to form the bent portion 180, and bonding the light guide plate 190 to the module of the backlight unit (S 27 ).

이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and specification above. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

10: 히트 싱크 20: 금속 리드부
30: 스티치 본드 40: 실리콘 서브-마운트
50: 볼 본드 60: LED 칩
70: 솔더볼 90: 전기적/열적 전도성 에폭시
102: 금 와이어 110: 절연층
120: 금속층 131: 솔더 레지스트층
132: 화이트 반사층 133: 금속반사층
140: 광 반사층 141: 도금층
150: 광소자 160: 연결부
170: 수지부 180: 절곡부
190: 도광판
10: heat sink 20: metal lead portion
30: stitch bond 40: silicon sub-mount
50: ball bond 60: LED chip
70: solder ball 90: electrically / thermally conductive epoxy
102: gold wire 110: insulating layer
120: metal layer 131: solder resist layer
132: white reflective layer 133: metal reflective layer
140: light reflection layer 141: plating layer
150: optical element 160: connection portion
170: resin portion 180: bend portion
190: light guide plate

Claims (19)

회로패턴이 형성된 금속층;
상기 금속층 상에 형성되며 홀을 포함하는 절연층;
상기 홀에 의해 노출된 층에 다이본딩하여 실장한 광소자 및 상기 광소자와 회로패턴을 전기적으로 연결하는 연결부;
상기 광소자 및 연결부를 매립하는 수지부;
상기 수지부가 형성되지 않은 영역에 형성된 절곡부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
A metal layer on which a circuit pattern is formed;
An insulating layer formed on the metal layer and including a hole;
An optical element mounted by die bonding to the layer exposed by the hole and a connection part electrically connecting the optical element and a circuit pattern;
A resin part filling the optical element and the connection part;
A bent portion formed in a region where the resin portion is not formed;
Side view optical package comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 절곡부는,
상기 절연층에 홀 또는 홈을 형성하여 벤딩함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 1,
The bent portion,
And forming a hole or a groove in the insulating layer to bend the side view optical package.
청구항 1에 있어서,
상기 홀에 의해 노출된 상부 금속층 또는 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 1,
And a light reflecting layer on the upper metal layer exposed by the hole or the lower metal layer on which the circuit pattern is formed.
청구항 3에 있어서,
상기 광 반사층은,
은(Ag) 또는 은을 포함하는 도금층인 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 3,
The light reflection layer,
Side view optical package, characterized in that the plating layer containing silver (Ag) or silver.
청구항 3에 있어서,
상기 절연층 상면에 형성되는 솔더 레지스트층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 3,
Side view optical package, characterized in that it further comprises a solder resist layer formed on the insulating layer.
청구항 3에 있어서,
상기 절연층 상면 또는 절연층 표면에 형성되는 화이트 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 3,
And a white reflective layer formed on an upper surface of the insulating layer or a surface of the insulating layer.
청구항 6에 있어서,
상기 절연층 표면에 형성되는 화이트 반사층은,
상기 절연층 측면을 10㎛ ~100㎛ 두께로 매립하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method of claim 6,
The white reflective layer formed on the surface of the insulating layer,
Side-view optical package, characterized in that for embedding the insulating layer side to a thickness of 10㎛ ~ 100㎛.
청구항 7에 있어서,
상기 화이트 반사층은,
상기 절연층 측면에 경사면이 존재하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 7,
The white reflective layer,
And a sloped surface is present at the side of the insulating layer.
청구항 6에 있어서,
상기 화이트 반사층은,
실버 페이스트(silver paste), 화이트 솔더 레지스트(white solder resist) 또는 화이트 에폭시(white epoxy) 중 어느 하나를 인쇄한 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method of claim 6,
The white reflective layer,
A side view optical package characterized by printing any one of silver paste, white solder resist or white epoxy.
청구항 1에 있어서,
상기 절연층 표면에 형성되는 금속반사층; 및
상기 금속반사층 및 금속층 상에 형성되는 도금층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 1,
A metal reflection layer formed on a surface of the insulating layer; And
A plating layer formed on the metal reflection layer and the metal layer;
Side view light package, characterized in that it further comprises.
청구항 10에 있어서,
상기 금속반사층은 은(Ag) 페이스트를 도포하여 인쇄하고,
상기 도금층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 도금층인 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 10,
The metal reflection layer is printed by applying a silver (Ag) paste,
The plating layer is a side view optical package, characterized in that the plating layer containing silver (Ag) or silver.
청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 구리(Cu)층이고,
상기 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film) 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 1,
The metal layer is a copper (Cu) layer,
The insulating layer is a side view optical package, characterized in that the polyimide film (polyimide film).
청구항 1에 있어서,
상기 수지부는 볼록 렌즈 형상의 형광체 및 투명 레진(Resin)을 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지.
The method according to claim 1,
The resin unit comprises a convex lens-shaped phosphor and a transparent resin (Resin) side view optical package, characterized in that.
(a) 절연층에 광소자 실장 및 와이어 본딩을 위한 홀과 절곡부 형성을 위한 홀 또는 홈을 형성하는 단계;
(b) 상기 절연층 하부에 금속층을 라미네이트하고 회로패턴을 형성하는 단계;
(c) 상기 홀에 의해 노출된 층에 광소자를 실장하고 상기 광소자와 회로패턴을 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결하는 단계;
(d) 상기 광소자 및 와이어를 매립하여 수지부를 형성하는 단계;
(e) 상기 비아홀을 벤딩하여 절곡부를 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지 제조 방법.
(a) forming a hole or a groove for forming a hole and a bent portion for mounting an optical device and wire bonding in the insulating layer;
(b) laminating a metal layer under the insulating layer and forming a circuit pattern;
(c) mounting an optical device on the layer exposed by the hole and electrically connecting the optical device and a circuit pattern through wire bonding;
(d) embedding the optical device and the wire to form a resin part;
(e) bending the via holes to form bends;
Side view optical package manufacturing method comprising a.
청구항 14에 있어서,
상기 (b)단계 이후에,
상기 절연층 상에 솔더 레지스트층을 형성하는 단계; 및
상기 홀에 의해 노출된 금속층 및 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지 제조 방법.
The method according to claim 14,
After step (b),
Forming a solder resist layer on the insulating layer; And
Forming a light reflection layer on the metal layer exposed by the hole and the lower metal layer on which the circuit pattern is formed;
Side view optical package manufacturing method further comprising.
청구항 14에 있어서,
상기 (b) 단계 이후에,
(b-1) 상기 절연층 상면 또는 절연층 표면에 화이트 반사층을 형성하는 단계; 및
(b-2) 상기 홀에 의해 노출된 상부 금속층 및 회로패턴이 형성된 하부 금속층에 광 반사층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지 제조 방법.
The method according to claim 14,
After step (b),
(b-1) forming a white reflective layer on the insulating layer or on the insulating layer surface; And
(b-2) forming a light reflection layer on the upper metal layer exposed by the hole and the lower metal layer on which the circuit pattern is formed;
Side view optical package manufacturing method further comprising.
청구항 14에 있어서,
상기 (b) 단계 이후에,
상기 절연층 표면에 금속반사층을 형성하는 단계; 및
상기 금속반사층 및 금속층 상에 도금층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지 제조 방법.
The method according to claim 14,
After step (b),
Forming a metal reflection layer on the surface of the insulating layer; And
Forming a plating layer on the metal reflection layer and the metal layer;
Side view optical package manufacturing method further comprising.
청구항 14에 있어서,
상기 (a) 단계의 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film)이며,
상기 (b) 단계의 금속층은 구리(Cu)층인 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지 제조 방법.
The method according to claim 14,
The insulating layer of step (a) is a polyimide film (polyimide film),
The metal layer of step (b) is a side view optical package manufacturing method, characterized in that the copper (Cu) layer.
청구항 14에 있어서,
상기 (c) 단계는 광소자로서 LED 칩을 실장하되,
상기 (d) 단계는 형광체 및 투명 레진을 과도포하여 볼록 렌즈 형상의 수지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 사이드 뷰 광 패키지 제조 방법.
The method according to claim 14,
Step (c) is to mount the LED chip as an optical device,
The step (d) is a side view optical package manufacturing method, characterized in that to form a convex lens-shaped resin portion by over-coating a phosphor and a transparent resin.
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