KR20110115005A - 웨이퍼 레벨 테스트용 ｍｖｐ 프로브카드 보드 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ(Micro Via wire Plating) 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＭＶＰ 보드에 관한 것으로, 반도체 디바이스의 전기적 특성을 테스트하는 프로브 카드에 장착되어 메인 PCB와 통신하면서 신호처리하는 세라믹가이드로서, 서브 PCB를 구성하는 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ 제조방법에 있어서; 베이스가 되는 세라믹판에 미세한 관통홀을 가공하는 홀 가공단계와; 상기 홀 가공단계를 통해 형성된 상기 관통홀에 신호처리 및 전원, 접지용 에나멜 와이어를 삽입하는 와이어 삽입단계와; 상기에서 메인 PCB쪽에 삽입된 와이어를 전기적연결을 위해 메인 PCB의 홀과 와이어를 납땜하고 그 부위에 바로 혹은 옆에 노이즈제거 및 전원보충을 위한 캐패시터(Bypass Capacitor)을 접합시키는 신호연결단계와; 상기 관통홀의 내벽 및 세라믹 내부에 에폭시수지를 채워 고정성 및 절연성을 향상시키는 에폭시수지 도포단계와; 상기 와이어가 고정된 세라믹 단면을 연마하여 프로브 헤드(Probe Head)가 접촉할 수 있는 와이어의 단면 패드의 형상을 만드는 세라믹 연마 단계와; 상기 와이어의 단면 패드에 도금층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 와이어를 직접 관통하는 방식을 통해 최단 거리내에서 서브 PCB와 메인 PCB를 연결함으로써 고속처리, 고주파에서 안정된 신호전송 가능, 파인 피치 설계 가능 및 1A 이상의 고전류, 저저항, 저손실 구현이 가능하고, 구조가 간단하여 충분한 가격경쟁력을 확보하는 효과를 얻을 수 있다.

Description

웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ 프로브카드 보드 제조방법{MVP Probe Card Board Manufacturing Method For Wafer Level Test}

본 발명은 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ(Micro Via Wire Plating) 프로브카드 보드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연체로 코팅된 합금 와이어를 이용하여 세라믹으로부터 메인 PCB까지 최단 거리로 직접 연결하고 와이어의 길이를 감소시켜 프로프카드에서 요구하는 파인피치(fine pitch)에 대응할 수 있도록 하면서 하이스피드 및 고주파에서의 안정된 신호전송과 1A 이상의 고전류, 저저항, 저손실을 구현할 수 있도록 한 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ 프로브카드 보드에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 디바이스(LOGIC, CPU, Memory Device 등)는 웨이퍼(Wafer) 상에 패턴(pattern)을 형성시키는 패브리케이션(Fabrication) 공정과, 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩(Chip)으로 조립하는 어셈블리(Assembly) 공정을 통해서 제조된다.

그리고, 패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼를 구성하는 각 칩의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(EDS:Electrical Die Sorting)라는 공정이 있다.

이 EDS 공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 불량 칩을 판별하기 위한 공정으로서, 웨이퍼를 구성하는 칩들에 전기적 신호를 인가시켜 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량을 판단하게 되는 검사장치를 주로 이용한다.

웨이퍼를 구성하는 각 칩들의 전기적 검사는 이들 각 칩의 패턴과 접촉되어 전기적 신호를 인가하는 다수의 니들(Needle)을 구비하는 프로브 카드(Probe Card)라는 검사장치를 주로 이용하고 있으며, 이런 프로브 카드를 이용한 테스트의 결과가 양품으로 판정되면 반도체 디바이스는 패키징 등의 후공정에 의해서 완성품으로서 제작된다.

반도체 웨이퍼의 프로브 카드를 이용한 전기적 특성검사는 통상 웨이퍼의 각 디바이스의 전극패드에 프로브 카드의 니들이 접촉되게 하면서 이 니들을 통해 특정의 전류를 통전시켜 그때 출력되는 전기적 특성(예. 웨이퍼의 레벨 테스트)을 측정하는 것이다.

한편, 최근의 반도체 디바이스는 디자인 룰이 더욱 미세화되면서 고집적화와 동시에 극소형화되고 있는 추세이므로 이러한 반도체 디바이스의 검사를 위해서는 그에 적절한 검사장치가 필요하게 된다.

이러한 검사공정에서 사용되는 프로브 카드는 크게 테스트하기 위한 웨이퍼의 패드들과 직접 접촉되는 복수의 프로브 니들, 프로브 니들을 지지하는 서포터(Support), 테스터(Tester)의 테스트 헤드(Test Head)와 프로브 니들 사이의 전기신호를 전달하도록 프로브 니들과 접속되어 있는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)으로 구성된다.

그런데, 앞서 설명하였듯이, 최근 반도체 디바이스의 고집적화에 따라 기판 상에 구현되는 피치 간격이 극도로 작아지고 있고, 이를 해결하기 위하여 프로브 카드의 형성 방법으로 반도체 식각 기술과 유사한 멤스(Micro electro mechanical system; MEMS) 공정을 이용하여 프로브 카드를 생산하는 방법이 시도되고 있다.

일 예로, MLC(Multi-Layered Ceramic) 혹은 MLO(Multi-Layered Organic) 등 고가의 제품인 서브 PCB를 사용하여 대응하고 있는 것을 들 수 있다.

MLC나 MLO 등의 경우에는 전기적 특성이나 속도에 있어 큰 문제가 없지만, 너무 고가여서 원가부담이 크고, 설계상 0.08mm 이하의 파인 피치(fine pitch)까지 구현하기도 쉽지 않아 갈수록 집적도가 커지는 향후 제품 등에서는 적용상 한계를 가질 수밖에 없는 문제점이 있었다.

그리고 가격이나 파인 피치(Fine pitch)의 문제를 해결하기 위해 세라믹에 와이어를 삽입하여 서브 PCB를 대치하는 방법이 등장했다.

그러나, 기존 세라믹 및 와이어를 이용한 방법에서는 연결길이 및 구조상의 한계를 가지므로 고속 특성, 저저항, 저손실을 구현하는데 있어 한계를 가진다.

예컨데, 도 1에 도시된 바와 같이, 메인 PCB(200)의 중앙에 넓은 홀을 만들고, 세라믹(100)으로부터 연결된 에나멜와이어(102)를 통과하여 메인 PCB(200)의 외곽측에 납땜(210)하여 고정 연결하는 구성으로 구현되는 것이다.

이와 같이, 종래의 프로브 카드에 개시된 세라믹(100)과 메인 PCB(200) 간의 신호선 연결구조는 상당히 길거나, 우회 설계되어 있어 신호처리 속도가 늦을 수밖에 없고, 이에 따라 신호전송시 안정성이 현저하게 떨어지며, 외부로 에나멜와이어(102)가 노출되어 단선 및 외관상 보기 좋지 못한 문제점이 있었다.

뿐만 아니라, 메인 PCB(200) 상의 가운데 홀과 외곽의 납땜(210)을 위한 홀이 중복되어 부품이 많이 실장되는 경우, 공간적 제약을 받을 수밖에 없는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 한계점들을 감안하여 이를 해결하고자 창출한 것으로, 반도체 디바이스의 특성 테스트를 위해 사용되는 프로프 카드용 테스트 보드로서 서브 PCB와 메인 PCB 간의 연결 구조를 간소화하고, 연결 거리를 단축시켜 고속처리가 가능하며, 고주파에서도 안정된 신호전송과 파인 피치(0.08mm 이하) 설계가 가능하며, 신호선은 1A 이상의 고전류 처리가 가능하고, 저저항, 저손실을 구현하여 현재 반도체 디바이스에 적절히 대응하며, 충분한 가격경쟁력을 가지면서 전기적, 물리적 특성을 개선할 수 있도록 한 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ 프로브카드 보드를 제공함에 그 주된 해결 과제가 있다.

본 발명은 상기한 해결 과제를 달성하기 위한 수단으로, 반도체 디바이스의 전기적 특성을 테스트하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP(Micro Via Wire Plating) 프로브카드 보드 제조방법에 있어서; 베이스가 되는 세라믹에 미세한 관통홀을 가공하는 홀 가공단계와; 상기 홀 가공단계를 통해 형성된 상기 관통홀에 신호처리 및 전원, 접지용 절연체로 코팅된 합금 와이어를 세라믹과 메인 PCB에 직선 형태로 삽입하는 와이어 삽입단계와; 상기에서 메인 PCB쪽에 삽입된 와이어를 전기적연결을 위해 메인 PCB의 홀과 와이어를 납땜을 통해 접합시키는 신호연결단계와; 상기 삽입단계를 통해 삽입된 절연체로 코팅된 합금 와이어를 관통홀의 내벽과 세라믹의 빈공간 또는 메인 PCB의 에폭시수지 주입홀에 에폭시수지를 채워 와이어를 고정하고, 세라믹의 견고성을 높이는 에폭시 수지 도포단계와; 상기 절연체로 코팅된 합금 와이어가 고정된 세라믹 단면을 연마하여 프로브 헤드(Probe Head)가 접촉할 수 있는 절연체로 코팅된 합금 와이어의 단면에 평면 형상을 가지도록 단면 패드의 형상을 만드는 세라믹 연마 단계와; 상기 절연체로 코팅된 합금 와이어의 단면 패드에 도금층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 홀 가공단계는 세라믹에 삽입한 신호선인 절연체로 코팅된 합금 와이어를 상부 메인 PCB 에 연결하기 위하여, 하부 시그날선을 지지하는 가이드인 세라믹홀의 한 위치와 상단부 메인 PCB의 하부에서 상부로 지정된 관통홀에 시그널 선을 삽입하고, 메인 PCB 상부의 각 접점 부위를 납땜하여 연결하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 신호 연결 단계는 메인 PCB쪽에 삽입된 절연체로 코팅된 합금 와이어의 전기적연결을 위해, 메인 PCB의 상단에서 납땜하고, 그 부위 또는 그 측면에 노이즈제거 및 전원보충용 부품인 캐패시터(Bypass Capacitor)를 부착하여 구성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 에폭시 수지 도포 단계는 하단부 세라믹에서 상단부 메인 PCB사이를 연결하는 시그날선인 절연체로 코팅된 합금 와이어를 연결하기 위해, 세락믹의 표면에 1차 에폭시 수지를 도포한 다음 상부 메인 PCB의 에폭시 수지 주입홀을 통해 2차 도포하여 시그날선의 고정 및 절연성을 높이는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 절연체로 코팅된 합금 와이어를 관통홀에 직접 관통하는 방식을 통해 최단 거리내에서 서브 PCB와 메인 PCB를 연결함으로써 고속처리, 고주파에서 안정된 신호전송 가능, 파인 피치 설계 가능 및 1A 이상의 고전류, 저저항, 저손실 구현이 가능하고, 구조가 간단하여 충분한 가격경쟁력을 확보하는 효과를 얻을 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 프로브 카드를 나타낸 요부 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드의 제조 과정을 나타낸 순서도,
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드의 제조 과정을 나타낸 도면,
도 4는 본 발명에 따른 MVP 프로브카드 보드를 나타낸 요부 단면도이다.

이하에서는, 첨부도면을 참고하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.

본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＭＶＰ 프로브카드 보드는 ＭＶＰ(Micro Via Wire Plating)라는 독특한 설계 기술을 이용하여 파인 피치(fine pitch:0.08mm 이하)를 구현하도록 하는 것이다.

이때, 상기 ＭＶＰ(Micro Via Wire Plating)는 본 발명에 의해 정의된 용어로서, 세라믹(100)에 관통홀(110)을 가공하고, 이 관통홀(110)에 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 삽입하여 신호처리 가능하게 구현한 것을 말한다.

그리고, 상기 ＭＶＰ(Micro Via Wire Plating) 제조방법에 의해 제조된 ＭＶＰ 프로브카드 보드는 웨이퍼의 레벨 테스트용으로 활용되는 바, 이를 테면 프로브 헤드(Probe Head)에 장착하여 웨이퍼의 레벨 테스트용으로 사용되며, 앞서 설명한 MLC나 혹은 MLO와 동일하게 사용된다.

보다 구체적으로, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 테스트용 ＭＶＰ(Micro Via Wire Plating) 제조방법은 먼저, 베이스가 되는 세라믹(100)에 미세한 관통홀(110)을 가공하는 홀 가공단계를 거친다.(S210)

이때, 상기 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 세라믹(100)에 삽입하고 메인 PCB(200)에 연결할 때 기존과 같이 가운데 큰 홀을 통해 메인 PCB(200)의 상단으로 올라간 후 다시 외곽에서 삽입되는 구조와 달리 바로 각 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)의 정해진 메인 PCB(200)의 홀로 연결되는 구조에 그 특징이 있다

이때, 본 발명에 따른 ＭＶＰ 제조방법은 기존 PCB형 보드 제조방식처럼 폴리이미드(Polyimide)가 14~16층으로 연속하여 적층되고, 그 위에 패턴(Pattern)을 형성한 후, 에칭(식각)하는 형태가 아니라, 세라믹(100) 자체에 미세한 관통홀(110)을 드릴가공하여 형성함으로써, 가공의 용이성 및 두께를 두껍게 하지 않고 최소 두께만을 갖도록 구현할 수 있는 장점을 가진다.

이후, 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 세라믹(100)에 형성된 관통홀(110)에 삽입하고, 이에 대응되는 메인 PCB(200)에 형성된 홀 중, 삽입된 관통홀(110)과 가장 가까운 거리에 위치한 홀에 설치하는 와이어 삽입단계가 수행된다.(S220)

이와 같은 와이어 삽입단계는 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 세라믹(100)에 삽입하고, 메인 PCB(200)에 연결할 때, 종래와 같이 메인 PCB(200)의 중앙측에 형성된 큰 홀을 통해 메인 PCB(200)의 상단으로 관통한 후, 다시 메인 PCB(200)의 외곽에서 삽입되는 구조와 달리, 세라믹(100)에 삽입된 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)의 정해진 메인 PCB(200)의 홀에 직접 연결되는 것이다.

즉, 세라믹(100)에 삽입한 신호선인 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 상부 메인 PCB(200) 에 연결하기 위하여, 하부 시그날선을 지지하는 가이드인 세라믹(100)의 관통홀(110)의 한 위치와 상단부 메인 PCB(200)의 하부에서 상부로 지정된 관통홀(110)에 시그널 선을 삽입하고, 메인 PCB(200) 상부의 각 접점 부위를 납땜하여 연결하는 것으로서, 본 발명의 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)는 세라믹(100)과 메인 PCB(200)에 직선 형태로 연결되는 것이다.

이때, 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)는 고내열과 함께 기계적 물성이 우수하여 본 발명과 같은 고주파 신호처리시 내구성을 높이고, 사용수명을 연장하는데 적당하다.

여기에서, 상기 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 구성하는 고분자 소재로는 polyvinyl acetal, polyamide, polyurethane, polyester(glycerine), poly(imide), poly(ester-imide)(glycerine), poly(ester-imide)(THEIC), poly(amide-imide), polyester(THEIC) 중에서 선택된 어느 하나로 제조될 수 있다.

특히, 폴리아미드이미드로 제조된 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)의 경우 우수한 열적 성질, 화학적 및 마모 저항성, 낮은 마찰계수 등을 가지므로 본 발명에 적당하다.

아울러, 상기 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)는 도 3에 도시된 바와 같이, 메인 PCB(200)와 직접(direct) 접촉되게 설계되며, 접촉되는 부위 다시말해, 메인 PCB(200)와 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)이 납땜(210)에 의해 접합되어 전기적 연결이 이루어지도록 하는 신호 연결 단계가 수행된다.

또한, 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)와 메인 PCB(200)의 납땜(210) 부위 또는 그 측면에 노이즈 제거 및 전원 보충용 부품인 캐패시터(Bypass Capacitor: 150)를 결합하는 구조로 설계될 수 있다.

이어, 상기 관통홀(110)의 내벽에 에폭시 수지(120)를 도포하는 단계가 수행된다.(S230)

상기 에폭시 수지(120)는 상기 관통홀(110)에 삽입될 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 고정함과 동시에 충분한 절연성을 유지하기 위한 것이다.

아울러, 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 고정하기 위해 세라믹(100)의 표면과 메인 PCB(200) 상에 별도 에폭시수지를 주입할 수 있는 홀을 에폭시수지 주입홀(220)을 통해 2회에 걸쳐 도포할 수도 있다.

즉, 에폭시 수지 도포 단계는 세라믹(100)에서 메인 PCB(200)사이를 연결하는 시그날선인 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)를 연결하기 위해, 세라믹(100)의 표면에 1차 에폭시 수지를 도포한 다음, 메인 PCB(200)의 에폭시수지 주입홀(220)을 통해 2차 도포함으로써, 시그날선인 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)의 고정 및 절연성을 높일 수 있을 것이다.

이와 같은 단계를 통해, 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)가 고정되면 이후 세라믹(100)면을 돌출된 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)와 함께 평면 연삭을 통해 연마하여 프로브 헤드(Probe Head)가 접촉할 수 있도록 평면의 형상을 가지는 단면 패드를 만드는 단계를 수행한다.(S240)

이어, 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)의 상단면에 도금을 행하여 도금층(Plating Layer)(140)인 골드패드(Gold PAD)를 형성하는 단계를 거쳐 접촉성 및 통전성을 높이게 된다.(S250)

이 경우, 상기 도금층(140)은 상기 절연체로 코팅된 합금 와이어(130)의 상단으로부터 순차로 구리층(Cu Layer), 니켈층(Ni Layer), 금층(Au Layer)의 순서로 적층되게 도금됨이 특히 바람직하다.

아울러, 상기 도금층(140)은 손상시마다 연마하여 재생할 수 있도록 구성되는데, 1회 재생시마다 0.05mm씩 연마하여 사용할 수 있으므로 10회 이상에 걸쳐 연마 사용이 가능하므로 매우 효율적이고, 비용을 절감시키며 수명이 연장되는 장점을 가진다.

이와 같은 방식으로 제조된 ＭＶＰ 프로브카드 보드는 프로브 헤드(Probe Gead)와 결합되어 반도체 디바이스의 특성 테스트에 활용될 수 있다.

여기에서, 이러한 ＭＶＰ 프로브카드 보드에 의한 프로브 카드의 성능을 기준 스펙에 맞는 시험장비로 기존 조건과 동일하게 유지한 상태에서 테스트한 결과 하기한 표 1과 같은 특성을 나타내었다.

Item	Details	Results
Gold Pad thickness	Soft Electric plating	3~5㎛
Contact Resistance	0.1m-ohm	Under 0.1m-ohm
Current	100㎛	1.2A
Rattern Resistance	5mm (including pad thickness)	Under 1 ohm
Speed	10mm pattern length	Over 2Ghz
Touch down strength	Cobra tip condition	Over 200k
Repairable	Damaged Pad by hard thing	Can
Min Pitch	Over 80㎛ pitch	Possible

상기 표 1에서와 같이, 본 발명에 따른 방법에 의해 0.08mm 이상의 파인 피치를 구현할 수도 있고, 1A 이상의 고전류 처리도 가능하며, 접촉 사용시 손상된 부위를 연마한 후 재생(1회 연마시 0.05mm, 총 10회 이상에 걸쳐 연마 재생하여 재사용할 수 있음)하는 형태로 재생하여 다시 사용할 수 있으므로, 비용절감은 물론 재료절감에도 기여할 수 있음은 물론이다.

이를 통해 알 수 있듯이, 본 발명은 파인 피치를 구현하면서 처리속도는 높고, 고주파주에서의 안정성을 갖는 신호처리가 가능하며, 적어도 1A 이상의 고전류 처리가 가능한 프로브 카드를 구현할 수 있게 된다.

이와 같은 구성을 통해 본 발명이 목적하는 바를 달성할 수 있으며, 이를 통해 고집적화되어 가는 반도체 디바이스의 전기적 특성, 특히 웨이퍼의 레벨 테스트를 보다 신속하고 정교하며 안정적으로 테스트할 수 있게 된다.

뿐만 아니라, 구조가 간단하여 비교적 저렴한 비용으로 제조할 수 있어 원가절감 및 가격경쟁력을 확보할 수 있게 된다.

100 : 세라믹판 110 : 관통홀(Via Hole)
120 : 에폭시 수지 130 : 절연체로 코팅된 합금 와이어
140 : 도금층 150: 캐패시터(Bypass Capacitor)
200: 메인 PCB 220: 에폭시 주입 홀

Claims (4)

1. 반도체 디바이스의 전기적 특성을 테스트하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP(Micro Via Wire Plating) 프로브카드 보드 제조방법에 있어서;
   베이스가 되는 세라믹(100)에 미세한 관통홀을 가공하는 홀 가공단계와;
   상기 홀 가공단계를 통해 형성된 상기 관통홀에 신호처리 및 전원, 접지용 절연체로 코팅된 합금 와이어를 세라믹과 메인 PCB에 직선 형태로 삽입하는 와이어 삽입단계와;
   상기에서 메인 PCB쪽에 삽입된 와이어를 전기적연결을 위해 메인 PCB의 홀과 절연체로 코팅된 합금 와이어를 납땜을 통해 접합시키는 신호연결단계와;
   상기 삽입단계를 통해 삽입된 절연체로 코팅된 합금 와이어를 관통홀의 내벽과 세라믹의 빈공간 또는 메인 PCB의 에폭시수지 주입홀에 에폭시수지를 채워 절연체로 코팅된 합금 와이어를 고정하고, 세라믹의 견고성을 높이는 에폭시 수지 도포단계와;
   상기 절연체로 코팅된 합금 와이어가 고정된 세라믹 단면을 연마하여 프로브 헤드(Probe Head)가 접촉할 수 있는 절연체로 코팅된 합금 와이어의 단면에 평면 형상을 가지도록 단면 패드의 형상을 만드는 세라믹 연마 단계와;
   상기 절연체로 코팅된 합금 와이어의 단면 패드에 도금층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 홀 가공단계는 세라믹에 삽입한 신호선인 절연체로 코팅된 합금 와이어를 상부 메인 PCB 에 연결하기 위하여, 하부 시그날선을 지지하는 가이드인 세라믹홀의 한 위치와 상단부 메인 PCB의 하부에서 상부로 지정된 관통홀에 시그널 선을 삽입하고, 메인 PCB 상부의 각 접점 부위를 납땜하여 연결하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 신호 연결 단계는 메인 PCB쪽에 삽입된 절연체로 코팅된 합금 와이어의 전기적연결을 위해, 메인 PCB의 상단에서 납땜하고, 그 부위 또는 그 측면에 노이즈제거 및 전원보충용 부품인 캐패시터(Bypass Capacitor)를 부착하여 구성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 에폭시 수지 도포 단계는 하단부 세라믹에서 상단부 메인 PCB사이를 연결하는 시그날선인 절연체로 코팅된 합금 와이어를 연결하기 위해, 세락믹의 표면에 1차 에폭시 수지를 도포한 다음 상부 메인 PCB의 에폭시 수지 주입홀을 통해 2차 도포하여 시그날선의 고정 및 절연성을 높이는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 테스트용 MVP 프로브카드 보드 제조방법.

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