KR20110102743A - 니켈 초내열 합금의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 생산성이 향상되도록 이루어진 니켈 초내열 합금의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 챔버 내부가 대기압보다 낮은 압력을 갖도록 하는 단계, 상기 챔버내에 구비되는 용해로에서 금속을 녹이는 용해 단계, 상기 금속이 녹은 용융 금속이 수용되는 턴디쉬를 예열하기 위한 예열 단계, 상기 턴디쉬의 하부에 구비되는 스캐닝 유닛에서 가스 분사가 이루어지는 단계, 상기 용융 금속이 상기 용해로에서 출탕되어 상기 턴디쉬로 수용되도록 하는 단계, 상기 턴디쉬에서 배출되는 상기 용융 금속이 상기 스캐닝 유닛에 의해 분무되어 적층 챔버내에 구비되는 기판에 적층되어 성형체가 형성되는 단계, 상기 기판에 적층된 성형체의 형상에 따라 상기 기판의 회전 및 승하강이 이루어지는 단계, 그리고, 상기 기판에 적층 형성된 성형체를 상기 적층 챔버의 외부로 반출하는 단계가 포함되어 이루어지며, 상기 성형체는 중량%로, 크롬(Cr): 18.0% ~ 21.0%, 티타늄(Ti): 1.8% ~ 2.8%, 알루미늄(Al): 1% ~ 1.8%, 철(Fe): 0% 초과 ~ 3.0% 이하, 탄소(C): 0% 초과 ~ 0.1% 이하, 규소(Si): 0% 초과 ~ 0.10% 이하, 인(P): 0% 초과 ~ 0.03% 이하, 황(S): 0% 초과 ~ 0.015% 이하, 코발트(Co): 0% 초과 ~ 2.0% 이하를 함유하고 나머지는 니켈(Ni)이 함유되어 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법을 제공한다.

Description

니켈 초내열 합금의 제조방법{Method for manufacturing of Ni based superalloys}
본 발명은 니켈 초내열 합금의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 생산성이 향상되도록 이루어진 니켈 초내열 합금의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 니켈 초내열 합금을 제조하기 위해서는 진공유도용해(VIM: Vacuum Induction Melting) 과정이 이루어지고 다음으로 일렉트로슬래그 재용해(ESR: Electroslag Remelting) 과정이 이루어지며 다음으로 진공아크 재용해(VAR: Vacuum Arc Remelting) 과정을 거쳐 니켈 초내열 합금을 생산하게 된다.
여기서, 진공유도용해는 고청정 용해 과정으로 진공유도용해 과정을 통해 니켈 초내열 합금을 생산함에 있어 기공의 결함과 편석 결함이 발생되는 문제가 있다.
이에, 세라믹 개재물의 제거가 이루어지도록 하는 일렉트로슬래그 재용해 과정이 이루어지게 된다.
그러나, 일렉트로슬래그 재용해 과정에서도 기공 결함과 편석 결함이 잔존하는 문제가 있다.
그래서, 불순물의 정련과 편석 제거가 이루어지도록 하는 진공아크 재용해 과정을 거쳐 니켈 초내열 합금을 생산하게 된다.
이와 같은, 진공유도용해과정, 일렉트로슬래그 재용해 과정 및 진공아크 재용해 과정의 다수의 공정을 통해 니켈 초내열 합금의 생산이 이루어지기에 제조 공정이 복잡하며 생산성이 떨어지는 문제가 있다.
또한, 니켈 초내열 합금을 생산하기 위해서는 진공유도용해장치, 일렉트로슬래그 재용해 장치 및 진공아크 재용해 장치가 필요하기에 설비 투자비가 많이 발생되는 문제도 있다.
이에, 니켈 초내열 합금의 생산성이 향상되며 제조 공정이 단순하고 설비비를 감축할 수 있는 니켈 초내열 합금의 제조방법에 관한 다양한 연구 개발이 이루어지고 있는 실정이다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 제조 공정을 단축하여 생산성을 향상시키며, 설비 투자비를 감축하는 니켈 초내열 합금의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 챔버 내부가 대기압보다 낮은 압력을 갖도록 하는 단계, 상기 챔버내에 구비되는 용해로에서 금속을 녹이는 용해 단계, 상기 금속이 녹은 용융 금속이 수용되는 턴디쉬를 예열하기 위한 예열 단계, 상기 턴디쉬의 하부에 구비되는 스캐닝 유닛에서 가스 분사가 이루어지는 단계, 상기 용융 금속이 상기 용해로에서 출탕되어 상기 턴디쉬로 수용되도록 하는 단계, 상기 턴디쉬에서 배출되는 상기 용융 금속이 상기 스캐닝 유닛에 의해 분무되어 적층 챔버내에 구비되는 기판에 적층되어 성형체가 형성되는 단계, 상기 기판에 적층된 성형체의 형상에 따라 상기 기판의 회전 및 승하강이 이루어지는 단계, 그리고, 상기 기판에 적층 형성된 성형체를 상기 적층 챔버의 외부로 반출하는 단계가 포함되어 이루어지며, 상기 성형체는 중량%로, 크롬(Cr): 18.0% ~ 21.0%, 티타늄(Ti): 1.8% ~ 2.8%, 알루미늄(Al): 1% ~ 1.8%, 철(Fe): 0% 초과 ~ 3.0% 이하, 탄소(C): 0% 초과 ~ 0.1% 이하, 규소(Si): 0% 초과 ~ 0.10% 이하, 인(P): 0% 초과 ~ 0.03% 이하, 황(S): 0% 초과 ~ 0.015% 이하, 코발트(Co): 0% 초과 ~ 2.0% 이하를 함유하고 나머지는 니켈(Ni)이 함유되어 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 용해로의 온도는 1700 ~ 1750℃로 유지되어 금속재료의 용해가 이루어진다.
그리고, 상기 용해 단계에서의 상기 챔버내의 진공도는 0.05 torr 이하로 이루어진다.
또한, 상기 성형체가 형성되는 단계에서의 상기 적층 챔버내의 진공도는 500 ~ 760 torr 로 이루어진다.
한편, 상기 성형체를 이루는 평균 결정입자 크기는 25㎛±5㎛ 로 이루어진다.
상기에서 설명한 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금의 제조방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 진공 분무 주조장치만으로도 니켈 초내열 합금의 제조가 가능하므로써 제조 공정이 단순하다.
이는, 니켈 초내열 합금을 제조함에 있어 제조 시간을 단축할 수 있으며 니켈 초내열 합금의 생산성을 향상시킬 수 있다.
둘째, 진공 분무 주조장치만으로도 니켈 초내열 합금의 제조가 가능하기에 진공유도용해장치, 일렉트로슬래그 재용해 장치 및 진공아크 재용해 장치와 같은 다수의 장치가 필요 없기에 설비 투자비를 감축할 수 있다.
셋째, 진공 분무 주조장치에 의해 제조되는 니켈 초내열 합금은 균일한 형태의 결정입자가 형성되기에 양질의 니켈 초내열 합금이 제조될 수 있다.
도 1은 본 발명의 진공 분무 주조장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 니켈 초내열 합금의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 3a는 VIM-VAR-ESR의 제조 공정에 따라 생산된 니켈 초내열 합금의 결정입자에 대한 확대도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금의 결정입자에 대한 확대도이다.
상술한 과제를 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 진공 분무 주조장치의 구성도이고, 도 2는 본 발명의 니켈 초내열 합금의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 1과 도 2에서 보는 바와 같이 용해로(200)에서 용융된 금속은 턴디쉬(300)에 수용되고 상기 턴디쉬(300)에 수용된 용융 금속은 스캐닝 유닛(400)에 의해 분무되어 기판(500)에 적층되므로써 니켈 초내열 합금으로 제조된다.
상세히, 니켈 초내열 합금을 생산하기 위해 챔버(100) 내부가 대기압보다 낮은 압력이 조성되도록 상기 챔버(100) 내부의 공기를 외부로 배출하게 된다.(제1단계)(S100)
다음으로, 상기 챔버(100)내에 구비되는 상기 용해로(200)는 금속에 대해 용해 작업이 이루어진다.(제2단계)(S200)
다음으로, 상기 용해로(200)에 의해 용해가 이루어진 용융 금속이 수용되는 상기 턴디쉬(300)를 예열하게 된다.(제3단계)(S300)
다음으로, 상기 턴디쉬(300)의 하부에 구비되는 상기 스캐닝 유닛(400)은 가스 분사가 이루어진다.(제4단계)(S400)
다음으로, 상기 용융 금속이 상기 용해로(200)에서 출탕되어 상기 턴디쉬(300)에 수용된다.(제5단계)(S500)
다음으로, 상기 턴디쉬(300)에서 배출된 용용 금속이 상기 스캐닝 유닛(400)에 의해 분무되어 적층챔버(800)내에 구비되는 상기 기판(500)에 적층되어 성형체를 형성하게 된다.(제6단계)(S600)
다음으로, 상기 기판(500)의 회전 및 승하강이 이루어져 상기 기판(500)에 적층되는 성형체를 제조하게 된다.(제7단계)(S700)
다음으로, 상기 기판(500)에 적층 형성된 성형체를 상기 적층챔버(800)의 외부로 반출하게 된다.(제8단계)(S800)
구체적으로, 진공 분무 주조장치(1000)는 상기 챔버(100), 진공 펌프(600), 상기 용해로(200), 상기 턴디쉬(300), 턴디쉬 예열 유닛(700), 상기 스캐닝 유닛(400), 상기 적층 챔버(800), 구동 유닛(900), 배기 유닛(980) 그리고 제어 유닛(미도시)이 포함되어 이루어진다.
여기서, 상기 진공 펌프(600)는 상기 용해로(200)의 작동이 이루어지기 전에 상기 챔버(100) 내부의 공기를 외부로 배출하므로써 상기 챔버(100) 내부 압력이 대기압보다 낮은 압력이 되도록 한다.
그리고, 상기 진공 펌프(600)의 작동이 이루어져 상기 챔버(100)내부의 압력이 낮아지면 상기 용해로(200)에 가열이 이루어져 금속을 녹이게 된다.
이는, 상기 용해로(200)에서 금속을 녹일시 금속이 상기 챔버(100)내의 공기와 화학 반응, 즉 산화 반응이 일어나는 것을 방지하기 위함이다.
여기서, 상기 챔버(100)내의 진공도는 0.05 torr 이하로 이루어짐이 바람직하다.
이는, 용해 중 용탕안에 녹아있는 불순 가스에 대한 탈가스 및 정련처리가 이루어지도록 하며 용탕 및 첨가원소의 산화를 방지하기 위함이다.
이와 같이, 용해 단계에서의 상기 챔버(100)내의 진공도가 대기압보다 낮은 상태에서 용해 작업이 이루어짐에 따라 용해로의 탈가스 처리와 산화작용을 방지할 수 있다.
한편, 상기 용해로(200)는 전기를 열원으로 금속을 녹이는 전기로가 사용됨이 바람직하다.
이때, 상기 용해로(200)의 온도는 1700 ~ 1750℃로 유지되어 금속재료의 용해가 이루어짐이 바람직하다.
이는, 니켈 초내열 합금은 응고점이 1400℃ 정도로 상기 용해로(200)에서 용해된 금속재료가 턴디쉬(300)를 거쳐 상기 스캐닝 유닛(400)에 의해 분무가 이루어지는 동안에 최소 200℃의 온도 저하가 발생되기 때문에 상기 용해로(200)의 온도는 1700 ~ 1750℃로 유지되어 금속재료의 용해가 이루어짐이 바람직하다.
이러한, 용탕 처리가 이루어진 상기 용해로(200)의 용융 금속은 상기 턴디쉬(300)로 보내지게 된다.
여기서, 상기 용해로(200)는 동력부(미도시)와 결합된 체인과 연결형성되어 상기 동력부(미도시)의 작동에 의해 용융 금속은 상기 턴디쉬(300)로 보내지게 된다.
이때, 상기 용해로(200)는 상기 턴디쉬(300)로 20~30kg/min 으로 공급됨이 바람직하다.
한편, 상기 턴디쉬(300)는 상기 용해로(200)에서 용융 금속이 수용되기 전에 상기 턴디쉬 예열 유닛(700)에 의해 가열이 이루어지게 된다.
이는, 상기 용해로(200)의 용융 금속과 상기 턴디쉬(300)의 온도 차이를 줄이기 위함이다.
그래서, 상기 용해로(200)로에서 공급되는 용융 금속이 상기 턴디쉬(300)에 응고되지 않도록 하기 위함이다.
또한, 상기 턴디쉬(300)가 용융 금속에 의해 막히는 것을 방지할 수 있다.
이러한, 상기 턴디쉬 예열 유닛(700)은 전극부에서 플라즈마 토치 방식에 의해 상기 턴디쉬(300)를 가열하게 된다.
이러한, 화학 반응에 영향을 미치지 않은 플라즈마 토치 방식이 적용되므로써 상기 턴디쉬(300)로 수용되는 용융 금속에 별다른 반응이 일어나지 않는다.
또한, 플라즈마 토치 방식은 배기 가스를 적게 발생시키기에 상기 챔버(100)내에 구비된 상기 턴디쉬(300)를 가열하기에 바람직하다.
한편, 상기 턴디쉬(300)로 공급된 용융 금속은 가스 분사가 이루어지는 상기 스캐닝 유닛(400)에 의해 분무가 이루어진다.
여기서, 상기 스캐닝 유닛(400)으로부터 공급되는 가스는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스가 공급됨이 바람직하다.
그리고, 상기 스캐닝 유닛(400)에 의해 용융 금속의 분무가 이루어지는 경우에 상기 적층 챔버(800)내의 압력은 500 ~ 760 torr 로 이루어짐이 바람직하다.
이는, 첨가원소들이 용해된 용탕의 안정화를 위한 불활성가스 분위기를 만들어 주며 상기 적층 챔버(800)내의 진공도가 대기압에 가까운 상태를 유지하여 분무를 위한 가스 흐름에 영향이 없도록 하기 위함이다.
그리고, 상기 스캐닝 유닛(400)으로부터 분무된 용융 금속은 상기 적층 챔버(800) 내부에 구비된 상기 기판(500)에 적층되어 성형체를 형성하게 된다.
이때, 상기 기판(500)의 하부에는 상기 구동 유닛(900)이 설치되어 상기 기판(500)이 회전 및 승하강이 가능하게 된다.
그리고, 분무 주조 공정중 상기 적층 챔버(800) 내부에서 발생되는 가스는 상기 배기 유닛(980)을 통해 외부로 배출이 이루어진다.
여기서, 상기 배기 유닛(980)는 필터부가 구비되어 외부로 배출시 정화가 이루어져 외부로 배출된다.
또한, 상기 기판(500)의 승하강이 이루어지는 상기 적층 챔버(800)의 일측에는 상기 성형체 반출이 가능하도록 반출통로(미도시)가 구비된다.
이에, 상기 기판(500)에 성형이 완성된 니켈 초내열 합금은 상기 반출통로(미도시)를 통해 외부로 수월하게 반출이 이루어질 수 있다.
이와 같은, 진공 분무 주조장치에 의해 제조되는 니켈 초내열 합금은 진공유도용해장치(VIM: Vacuum Induction Melting), 일렉트로슬래그 재용해 장치(ESR: Electroslag Remelting) 및 진공아크 재용해 장치(VAR: Vacuum Arc Remelting)에 의해 니켈 초내열 합금이 제조되는 공정에 비해 제조 공정이 단순하다.
이는, VIM-VAR-ESR 제조 공정을 거쳐 용체화처리를 통해 생성되는 니켈 초내열 합금은 상기 진공 분무 주조장치(1000)에서 바로 제작이 가능하기에 제조 공정을 단축할 수 있다.
이러한, 상기 진공 분무 주조장치(1000)를 통해 제조되는 니켈 초내열 합금은 니켈 초내열 합금을 제조함에 있어 제조 시간이 단축할 수 있기에 운영비용 및 니켈 초내열 합금의 생산성을 향상시킬 수 있다.
한편, 진공 분무 주조는 분무가스에 의해 용탕에 잔존하는 불순가스(산소, 수소, 황등)을 제거하고 분무가스의 급냉으로 결정조직이 미세화되어 열간단조로 이어지는 공정이 가능하다.
또한, 질소 또는 아르곤 가스에 의해 분사된 분무된 용융 금속은 상기 기판(500)에 도달하기 전에 일차적인 냉각과정이 이루어지고 분무된 용융 금속은 상기 기판(500)에 충돌과 동시에 고상의 재용융이 이루어지게 된다.
이러한, 진공분무주조 과정에서 미세하고 균일한 등축상의 결정립을 형성시키며 주조조직을 완전히 파괴하여 소재물성의 향상을 높일 수 있다.
그리고, 진공 분무 주조를 통해 얻어지는 상기 성형체는 응고조직이 완전히 파괴되어 별도의 열간 가공 처리 과정을 거치지 않고 열처리만으로도 사용이 가능하다.
한편, 진공 분무 주조에 의해 제조되는 니켈 초합금은 고속의 분사가스에 의해 급냉되어 적층됨과 동시에 파열되어 상기 성형체에 거시적인 편석이 제거되고 분무된 용융 금속의 고상/액상 계면 이동속도가 주조에 비해 빠르기 때문에 합금의 고용한도를 증가시킬 수 있다.
이러한, 고용한도의 증가에 따라 니켈 초합금은 강성증가 및 저밀도화를 이룰 수 있으며 균일한 입자 분포를 갖게됨에 따라 복합재료의 제조가 가능하다.
이와 같이, 진공 분무 주조장치에 의해 제조되는 상기 성형체는 니켈 초내열 합금으로 중량%로, 크롬(Cr): 18.0% ~ 21.0%, 티타늄(Ti): 1.8% ~ 2.8%, 알루미늄(Al): 1% ~ 1.8%, 철(Fe): 0% 초과 ~ 3.0% 이하, 탄소(C): 0% 초과 ~ 0.1% 이하, 규소(Si): 0% 초과 ~ 0.10% 이하, 인(P): 0% 초과 ~ 0.03% 이하, 황(S): 0% 초과 ~ 0.015% 이하, 코발트(Co): 0% 초과 ~ 2.0% 이하를 함유하고 나머지는 니켈(Ni)이 함유되어 이루어진다.
여기서, 본 발명의 니켈 초내열 합금 원소들의 함유량에 대해 구체적으로 살펴보면 다음과 같으며 여기서의 함유량은 합금원소의 중량비로 나타낸다.
크롬(Cr)의 함유량은 18.0% ~ 21.0%의 중량비를 가지며, 크롬(Cr)은 니켈(Ni)의 고용강화원소로 산화피막을 형성하여 내산화성 향상에 유효한 원소이다.
이러한, 크롬(Cr)은 고온강도가 높고 산이나 알칼리에 우수한 내식성을 가지고 원소이다.
그러나, 크롬(Cr)의 함유량은 18.0% 미만이면 고온에서 내산화성이 낮아지는 문제가 있고, 크롬(Cr)의 함유량은 21.0% 초과하면 취성이 큰 α상이 형성되는 문제가 있어 크롬(Cr)의 함유량은 18.0% ~ 21.0% 사이인 것이 바람직하다.
티타늄(Ti)의 함유량은 1.8% ~ 2.8%의 중량비를 가지며, 알루미늄(Al)의 함유량은 1% ~ 1.8%의 중량비를 가지도록 이루어진다.
이는, 니켈(Ni)의 석출강화의 감마프라임상은 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)의 금속간 화합물에 의해 이루어지며 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)은 구형이나 입방형태의 미세하고 균일한 석출을 가지도록 하는 원소이다.
이러한, 니켈 초내열 합금의 감마프라임상을 결정하는 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)의 투입량이 따라 감마프라임상은 변화하게 되며, 감마프라임상이 많을수록 가공성은 낮아지며 경도는 증가하게 된다.
이에, 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)의 함량이 많게되면 합금의 고온 강도는 증가되지만 합금의 연성이 나빠지게 되어 쉽게 깨지는 경향이 나타나므로 티타늄(Ti)의 함유량은 1.8% ~ 2.8% 사이를 이루고 알루미늄(Al)의 함유량은 1% ~ 1.8% 사이인 것이 바람직하다.
철(Fe)의 함유량은 0% 초과 ~ 3.0% 이하의 중량비를 가지며, 크리프 연성을 개선하고 크리프 파단 강도의 향상에 기여하는 것으로 상온 가공성의 개선에도 기여한다.
이러한, 철(Fe)의 함유량이 3.0%을 초과하면 크리프 파단 강도 및 열간 가공성을 저하시키므로 철(Fe)의 함유량은 0% 초과 ~ 3.0% 이하 사이인 것이 바람직하다.
탄소(C)의 함유량은 0% 초과 ~ 0.1% 이하의 중량비를 가지며, 강도보상을 위해 필수적으로 첨가되는 원소로 탄소(C)의 함유량은 0% 초과 ~ 0.1% 이하 사이인 것이 바람직하다.
규소(Si)의 함유량은 0% 초과 ~ 0.10% 이하의 중량비를 가지며, 규소(Si)는 탈산에 필수적인 원소이며 강도상승에 효과가 있다.
이러한, 규소(Si)는 강도상승 위한 것으로, 0.10%를 초과하면 인성 및 연성이 급격히 저하되는 문제가 있기에 규소(Si)의 함유량은 0% 초과 ~ 0.10% 이하 사이인 것이 바람직하다.
인(P)의 함유량은 0% 초과 ~ 0.03% 이하 중량비를 가지며, 인(P)은 충격인성을 저해하는 원소로 내부품질 및 가공성을 해치고 수소취성의 원인이 되기에 첨가되는 양은 최소한으로 억제하는 것이 좋으나, 탈인 설비 능력을 고려할 때 인(P)의 함유량은 0.03% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
황(S)의 함유량은 0% 초과 ~ 0.015% 이하의 중량비를 가지며, 입계에 편석하여 결정립의 결합력을 약하게 하고, 용접성을 열화시키는 유해한 원소로서, 상한치의 규제가 중요하다.
이러한, 연성을 저해하는 원소인 황은 니켈기 합금에서 입계 강화가 중요하기에 황(S)의 함유량은 0.015% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
코발트(Co)의 함유량은 0% 초과 ~ 2.0% 이하 중량비를 가지며, 코발트(Co)는 고용강화 및 탄화물 형성에 의한 석출강화 효과뿐만 아니라 고온에서의 내식성을 향상시키는데 효과적인 원소로 니켈 초내열 합금이 고온에서 사용될 수 있도록 고온 강도를 높이는 역할이 이루어진다.
이러한, 코발트(Co)는 가격이 타 원소에 비해 고가이므로, 코발트(Co)의 함유량은 2.0% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
VIM-VAR-ESR의 제조 공정에 따른 니켈 초내열 합금과 본 발명에 따라 제조되는 니켈 초내열 합금의 온도변화에 따른 압축항복강도는 표 1과 같다.
Figure pat00001
상기 표 1에서 보는 바와 같이 VIM-VAR-ESR의 제조 공정에 따라 생산된 니켈 초내열 합금의 온도변화에 따른 압축항복강도는 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금의 압축항복강도와 비교하여 볼 때 압축항복강도는 별다른 차이가 없음을 알 수 있다.
이는, 진공 분무 주조장치에 의해 제조되는 니켈 초내열 합금은 진공유도용해장치(VIM: Vacuum Induction Melting), 일렉트로슬래그 재용해 장치(ESR: Electroslag Remelting) 및 진공아크 재용해 장치(VAR: Vacuum Arc Remelting)에 의해 니켈 초내열 합금이 제조되는 공정에 비해 제조 공정이 단순한 반면에 동일한 압축항복강도를 발생시키는 효과가 있음을 알 수 있다.
그에 따라, VIM-VAR-ESR 제조 공정에 비해 진공 분무 주조 과정을 통해 니켈 초내열 합금을 제조함에 있어 제조 시간을 단축할 수 있고 운영비용이 낮출수 있으며 니켈 초내열 합금의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 3a는 VIM-VAR-ESR의 제조 공정에 따라 생산된 니켈 초내열 합금의 결정입자에 대한 확대도이며, 도 3b는 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금의 결정입자에 대한 확대도이다.
도 3a와 도 3b에서 보는 바와 같이 VIM-VAR-ESR의 제조 공정에 따라 생산된 니켈 초내열 합금의 결정입자와 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금의 결정입자크기에는 차이가 있다.
구체적으로, 진공 분무 주조장치에 의해 제조되는 니켈 초내열 합금의 평균결정입자 크기는 25㎛±5㎛ 로 균일한 결정입자로 이루어진 니켈 초내열 합금이 제조되는 반면에 VIM-VAR-ESR의 제조 공정에 따라 생산된 니켈 초내열 합금의 평균 결정입자는 크기는 57㎛±35㎛ 로 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금의 결정입자보다 불균일함을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금은 진공분무주조 공정을 통해 미세하고 균일한 결정립을 형성하며 소재의 물성을 향상시킬 수 있는 니켈 초합금을 제조할 수 있다.
이러한, 본 발명에 따른 니켈 초내열 합금은 열간단조처리를 거쳐 전기업셋성형, 형단조, 열처리, 황삭가공 및 정삭가공 처리를 거쳐 고강도와 내열성이 요구되는 터빈, 엔진, 밸브 등의 다양한 부품에 사용될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정한 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형의 실시가 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
<도면 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 챔버 200: 용해로
300: 턴디쉬 400: 스캐닝 유닛
500: 기판 600: 진공 펌프
700: 턴디쉬 예열 유닛 800: 적층 챔버
900: 구동 유닛 980: 배기 유닛

Claims (5)

  1. 챔버 내부가 대기압보다 낮은 압력을 갖도록 하는 단계;
    상기 챔버내에 구비되는 용해로에서 금속을 녹이는 용해 단계;
    상기 금속이 녹은 용융 금속이 수용되는 턴디쉬를 예열하기 위한 예열 단계;
    상기 턴디쉬의 하부에 구비되는 스캐닝 유닛에서 가스 분사가 이루어지는 단계;
    상기 용융 금속이 상기 용해로에서 출탕되어 상기 턴디쉬로 수용되도록 하는 단계;
    상기 턴디쉬에서 배출되는 상기 용융 금속이 상기 스캐닝 유닛에 의해 분무되어 적층 챔버내에 구비되는 기판에 적층되어 성형체가 형성되는 단계;
    상기 기판에 적층된 성형체의 형상에 따라 상기 기판의 회전 및 승하강이 이루어지는 단계; 그리고,
    상기 기판에 적층 형성된 성형체를 상기 적층 챔버의 외부로 반출하는 단계가 포함되어 이루어지며, 상기 성형체는 중량%로, 크롬(Cr): 18.0% ~ 21.0%, 티타늄(Ti): 1.8% ~ 2.8%, 알루미늄(Al): 1% ~ 1.8%, 철(Fe): 0% 초과 ~ 3.0% 이하, 탄소(C): 0% 초과 ~ 0.1% 이하, 규소(Si): 0% 초과 ~ 0.10% 이하, 인(P): 0% 초과 ~ 0.03% 이하, 황(S): 0% 초과 ~ 0.015% 이하, 코발트(Co): 0% 초과 ~ 2.0% 이하를 함유하고 나머지는 니켈(Ni)이 함유되어 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 용해로의 온도는 1700 ~ 1750℃로 유지되어 금속재료의 용해가 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 용해 단계에서의 상기 챔버내의 진공도는 0.05 torr 이하로 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 성형체가 형성되는 단계에서의 상기 적층 챔버내의 진공도는 500 ~ 760 torr 로 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 성형체를 이루는 평균 결정입자 크기는 25㎛±5㎛ 로 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957454B2 (en) 2011-03-03 2015-02-17 International Rectifier Corporation III-Nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayer transition modules
DE102015110610A1 (de) * 2015-07-01 2017-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102015011635B4 (de) 2015-09-11 2020-10-08 Azur Space Solar Power Gmbh lnfrarot-LED
CN114000121B (zh) * 2022-01-05 2022-03-15 武汉大学 一种基于mbe法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62279689A (ja) * 1986-05-29 1987-12-04 Fujitsu Ltd 半導体発光装置の製造方法
JPS6477118A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Hitachi Cable Manufacture of ga1-xalxas epitaxial wafer
JP3424315B2 (ja) * 1994-04-05 2003-07-07 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物混晶半導体薄膜の気相成長方法
JPH1168153A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Hitachi Ltd 発光ダイオードおよびその製造方法
JPH11233816A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP3936987B2 (ja) * 1998-07-30 2007-06-27 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 被処理体の処理方法
KR100308921B1 (ko) * 1999-03-17 2001-09-26 김효근 ｐ형 ＧａＮ계 반도체의 낮은 오믹 접촉 저항 형성을 위한 Ｅｐｉ구조 및 낮은 오믹접촉 저항 형성을 위한 Ｅｐｉ 구조 성장방법
JP2001060717A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光サイリスタおよび自己走査型発光装置
TW474033B (en) * 2000-11-03 2002-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED structure and the manufacturing method thereof
JP2002217105A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Sumitomo Chem Co Ltd ３−５族化合物半導体の製造方法
JP3967088B2 (ja) * 2001-05-09 2007-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP4459591B2 (ja) * 2003-10-10 2010-04-28 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 発光ダイオードからの二次発光の制御方法
JP2010226067A (ja) * 2008-06-03 2010-10-07 Sumitomo Electric Ind Ltd ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法
JP2010016353A (ja) * 2008-06-03 2010-01-21 Sumitomo Electric Ind Ltd ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法

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