JPH11233816A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11233816A JPH11233816A JP3120098A JP3120098A JPH11233816A JP H11233816 A JPH11233816 A JP H11233816A JP 3120098 A JP3120098 A JP 3120098A JP 3120098 A JP3120098 A JP 3120098A JP H11233816 A JPH11233816 A JP H11233816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor layer
- substrate
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 404
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 57
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 314
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる発光波長のＬＥＤを高密度に集積す
る。 【解決手段】 第１〜第５の半導体層１０４〜１０７，
１０３は、Ａｌ組成比が異なるＡｌＧａＡｓ層であり、
第１〜第５の半導体層１０４〜１０７，１０３のエネル
ギーバンドギャップをそれぞれＥｇ１，Ｅｇ２，Ｅｇ
３，Ｅｇ４，Ｅｇ５とすると、Ｅｇ１＜Ｅｇ２＜Ｅｇ３
＜Ｅｇ４、Ｅｇ１＜Ｅｇ５である。ｐ型領域１３０ａ，
１３０ｂ，１３０ｃと半導体基板１００のｎ型領域とに
よるｐｎフロント１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃは、そ
れぞれ第１の半導体層１０４内、第２の半導体層１０５
内、第３の半導体層１０６内に形成されている。ＬＥＤ
１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃは、ｐｎフロントが形成
されている半導体層のエネルギーバンドギャップに応じ
た波長で発光する。これらのＬＥＤは、ｐ型領域１３０
のピッチ寸法またはｐ型電極１１０のピッチ寸法で集積
されている。
る。 【解決手段】 第１〜第５の半導体層１０４〜１０７，
１０３は、Ａｌ組成比が異なるＡｌＧａＡｓ層であり、
第１〜第５の半導体層１０４〜１０７，１０３のエネル
ギーバンドギャップをそれぞれＥｇ１，Ｅｇ２，Ｅｇ
３，Ｅｇ４，Ｅｇ５とすると、Ｅｇ１＜Ｅｇ２＜Ｅｇ３
＜Ｅｇ４、Ｅｇ１＜Ｅｇ５である。ｐ型領域１３０ａ，
１３０ｂ，１３０ｃと半導体基板１００のｎ型領域とに
よるｐｎフロント１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃは、そ
れぞれ第１の半導体層１０４内、第２の半導体層１０５
内、第３の半導体層１０６内に形成されている。ＬＥＤ
１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃは、ｐｎフロントが形成
されている半導体層のエネルギーバンドギャップに応じ
た波長で発光する。これらのＬＥＤは、ｐ型領域１３０
のピッチ寸法またはｐ型電極１１０のピッチ寸法で集積
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｎ接合を有する
発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）等の
発光素子を半導体基板に集積した半導体発光装置に関す
る。
発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）等の
発光素子を半導体基板に集積した半導体発光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１４は従来の半導体発光装置における
ＬＥＤの構造を示す断面図である。図１４（ａ）のＬＥ
Ｄは、ＧａＰ基板１１上にｎ型ＧａＰ層１２／ｐ型Ｇａ
Ｐ層１３によるホモ接合を形成した半導体基板１０と、
ＬＥＤの個別電極となるｐ側電極１４と、複数のＬＥＤ
の共通電極となるｎ側電極１５とにより構成され、前記
ホモ接合面をｐｎ接合面１６とする構造である。
ＬＥＤの構造を示す断面図である。図１４（ａ）のＬＥ
Ｄは、ＧａＰ基板１１上にｎ型ＧａＰ層１２／ｐ型Ｇａ
Ｐ層１３によるホモ接合を形成した半導体基板１０と、
ＬＥＤの個別電極となるｐ側電極１４と、複数のＬＥＤ
の共通電極となるｎ側電極１５とにより構成され、前記
ホモ接合面をｐｎ接合面１６とする構造である。
【０００３】また、図１４（ｂ）のＬＥＤは、ＧａＡｓ
基板２１上にｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．３５）
層２２／ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．６５）層２
３のシングルヘテロ接合を形成した半導体基板２０と、
個別電極となるｎ側電極２４と、共通電極となるｐ側電
極２５とにより構成され、前記ヘテロ接合面をｐｎ接合
面とする構造である。
基板２１上にｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．３５）
層２２／ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．６５）層２
３のシングルヘテロ接合を形成した半導体基板２０と、
個別電極となるｎ側電極２４と、共通電極となるｐ側電
極２５とにより構成され、前記ヘテロ接合面をｐｎ接合
面とする構造である。
【０００４】また、図１４（ｃ）のＬＥＤは、ｐ型Ａｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．６５）層３１／ｐ型Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．３５）層２２／ｎ型Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．６５）層２３のダブルヘテロ接合を
形成した半導体基板３０と、ｎ側電極２４と、ｐ側電極
２５により構成され、ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．３５）層
３２／ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．６５）層３３のヘテロ接
合面をｐｎ接合面とする構造である。
x Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．６５）層３１／ｐ型Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．３５）層２２／ｎ型Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．６５）層２３のダブルヘテロ接合を
形成した半導体基板３０と、ｎ側電極２４と、ｐ側電極
２５により構成され、ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．３５）層
３２／ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．６５）層３３のヘテロ接
合面をｐｎ接合面とする構造である。
【０００５】ヘテロ接合構造の図１４（ｂ）および
（ｃ）のＬＥＤの場合には、発光波長は発光層であるｐ
型ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．３５）層２２のエネルギーバ
ンドギャップに応じた波長となる。
（ｃ）のＬＥＤの場合には、発光波長は発光層であるｐ
型ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．３５）層２２のエネルギーバ
ンドギャップに応じた波長となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置のＬＥＤは決められた単一波長で発光す
るものであり、上記従来の構造では異なる発光波長のＬ
ＥＤを高密度に集積することは困難であった。
来の半導体装置のＬＥＤは決められた単一波長で発光す
るものであり、上記従来の構造では異なる発光波長のＬ
ＥＤを高密度に集積することは困難であった。
【０００７】本発明はこのような従来の課題を解決する
ためになされたものであり、発光波長が異なるＬＥＤを
高密度に集積することができる半導体発光装置を提供す
ることを目的とする。
ためになされたものであり、発光波長が異なるＬＥＤを
高密度に集積することができる半導体発光装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の半導体発光装置は、半導体基板と、前記半
導体基板の第１導電型領域にコンタクトする第１導電側
電極と、前記半導体基板の複数の第２導電型領域にそれ
ぞれ個別にコンタクトする複数の第２導電側電極とを備
え、前記半導体基板が、発光層となる半導体層群と、半
導体層群を部分的に含む前記第１導電型領域と、それぞ
れ基板上面の一部から半導体層群に達する前記複数の第
２導電型領域と、前記第１導電型領域と前記複数の第２
導電型領域によりそれぞれ形成された複数のｐｎ接合面
とを有し、前記半導体層群が、エネルギーバンドギャッ
プの異なる複数の半導体層をエネルギーバンドギャップ
の小さい順に基板下面側から上面側に積層したものであ
り、それぞれの半導体層の内部または上面に、１個以上
のｐｎ接合面のフロント部が形成されていることを特徴
とするものである。
めに本発明の半導体発光装置は、半導体基板と、前記半
導体基板の第１導電型領域にコンタクトする第１導電側
電極と、前記半導体基板の複数の第２導電型領域にそれ
ぞれ個別にコンタクトする複数の第２導電側電極とを備
え、前記半導体基板が、発光層となる半導体層群と、半
導体層群を部分的に含む前記第１導電型領域と、それぞ
れ基板上面の一部から半導体層群に達する前記複数の第
２導電型領域と、前記第１導電型領域と前記複数の第２
導電型領域によりそれぞれ形成された複数のｐｎ接合面
とを有し、前記半導体層群が、エネルギーバンドギャッ
プの異なる複数の半導体層をエネルギーバンドギャップ
の小さい順に基板下面側から上面側に積層したものであ
り、それぞれの半導体層の内部または上面に、１個以上
のｐｎ接合面のフロント部が形成されていることを特徴
とするものである。
【０００９】また、本発明の半導体発光装置の製造方法
は、エネルギーバンドギャップの異なる複数の第１導電
型半導体層をエネルギーバンドギャップの小さい順に基
板下面側から上面側に積層した半導体層群を有する半導
体基板を用意する工程と、互いに分離された複数の基板
上面領域から異なる深さまで第２導電型不純物をドープ
することにより、前記半導体層のそれぞれの第１導電型
半導体の内部または上面に１個以上のｐｎ接合面のフロ
ント部が位置するように、複数の第２導電型領域と前記
半導体基板の第１導電型領域とによる複数のｐｎ接合面
を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
は、エネルギーバンドギャップの異なる複数の第１導電
型半導体層をエネルギーバンドギャップの小さい順に基
板下面側から上面側に積層した半導体層群を有する半導
体基板を用意する工程と、互いに分離された複数の基板
上面領域から異なる深さまで第２導電型不純物をドープ
することにより、前記半導体層のそれぞれの第１導電型
半導体の内部または上面に１個以上のｐｎ接合面のフロ
ント部が位置するように、複数の第２導電型領域と前記
半導体基板の第１導電型領域とによる複数のｐｎ接合面
を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】第１の実施形態 図１は第１の実施形態の半導体発光装置の構造を示す断
面図である。また、図２は本発明の第１の実施形態の半
導体発光装置の構造を示す上面図であり、上記図１は図
２のＡ−Ａ’間の断面図である。図１および図２の半導
体発光装置は、半導体基板１００と、層間絶縁膜１０９
と、ｐ側電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃと、ｎ側電
極１１１とを備えている。
面図である。また、図２は本発明の第１の実施形態の半
導体発光装置の構造を示す上面図であり、上記図１は図
２のＡ−Ａ’間の断面図である。図１および図２の半導
体発光装置は、半導体基板１００と、層間絶縁膜１０９
と、ｐ側電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃと、ｎ側電
極１１１とを備えている。
【００１１】半導体基板１００は、ｎ型ＧａＡｓ（砒化
ガリウム）基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１
０２、ｎ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ（砒素とガリウムとアル
ミニウムの混晶）層（第５の半導体層）１０３、ｎ型Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（第１の半導体層）１０４、ｎ型Ａ
ｌy Ｇａ1-y Ａｓ層（第２の半導体層）１０５、ｎ型Ａ
ｌz Ｇａ1-z Ａｓ層（第３の半導体層）１０６、ｎ型Ａ
ｌt Ｇａ1-t Ａｓ層（第４の半導体層）１０７、および
半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の各半導体層を積層し、ｐ型
領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃを形成したものであ
る。上記のｘ，ｙ，ｚ，ｔ，ｓはＡｓに対するＡｌの組
成比であり、１−ｘ，１−ｙ，１−ｚ，１−ｔ，１−ｓ
はＡｓに対するＧａの組成比である。第１〜第３の半導
体層１０４〜１０６は、発光層となる半導体層群１２０
を構成している。
ガリウム）基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１
０２、ｎ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ（砒素とガリウムとアル
ミニウムの混晶）層（第５の半導体層）１０３、ｎ型Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（第１の半導体層）１０４、ｎ型Ａ
ｌy Ｇａ1-y Ａｓ層（第２の半導体層）１０５、ｎ型Ａ
ｌz Ｇａ1-z Ａｓ層（第３の半導体層）１０６、ｎ型Ａ
ｌt Ｇａ1-t Ａｓ層（第４の半導体層）１０７、および
半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の各半導体層を積層し、ｐ型
領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃを形成したものであ
る。上記のｘ，ｙ，ｚ，ｔ，ｓはＡｓに対するＡｌの組
成比であり、１−ｘ，１−ｙ，１−ｚ，１−ｔ，１−ｓ
はＡｓに対するＧａの組成比である。第１〜第３の半導
体層１０４〜１０６は、発光層となる半導体層群１２０
を構成している。
【００１２】半導体層群１２０は、エネルギーバンドギ
ャップの異なる半導体層をエネルギーバンドギャップの
小さい順に下から上に（半導体基板１００の下面（裏
面）側から上面（表面）側に）積層した構造を有するも
のであり、第１の半導体層１０４、第２の半導体層１０
５、第３の半導体層１０６の順にエネルギーバンドギャ
ップが大きくなる。第４の半導体層１０７および第５の
半導体層１０３は、クラッド層となる半導体層であり、
第４の半導体層１０７は第３の半導体層１０６よりもエ
ネルギーバンドギャップが大きく、第５の半導体層１０
３は第１半導体層１０４よりもエネルギーバンドギャッ
プが大きい。従って、第１の半導体層１０４〜第４の半
導体層１０７、第５の半導体層１０３のエネルギーバン
ドギャップをそれぞれＥｇ１，Ｅｇ２，Ｅｇ３，Ｅｇ
４，Ｅｇ５とすると、第１の半導体層１０４〜第４の半
導体層１０７、第５の半導体層１０３には、 Ｅｇ１＜Ｅｇ２＜Ｅｇ３＜Ｅｇ４ （１） Ｅｇ１＜Ｅｇ５ （２） となる半導体材料を用いる。
ャップの異なる半導体層をエネルギーバンドギャップの
小さい順に下から上に（半導体基板１００の下面（裏
面）側から上面（表面）側に）積層した構造を有するも
のであり、第１の半導体層１０４、第２の半導体層１０
５、第３の半導体層１０６の順にエネルギーバンドギャ
ップが大きくなる。第４の半導体層１０７および第５の
半導体層１０３は、クラッド層となる半導体層であり、
第４の半導体層１０７は第３の半導体層１０６よりもエ
ネルギーバンドギャップが大きく、第５の半導体層１０
３は第１半導体層１０４よりもエネルギーバンドギャッ
プが大きい。従って、第１の半導体層１０４〜第４の半
導体層１０７、第５の半導体層１０３のエネルギーバン
ドギャップをそれぞれＥｇ１，Ｅｇ２，Ｅｇ３，Ｅｇ
４，Ｅｇ５とすると、第１の半導体層１０４〜第４の半
導体層１０７、第５の半導体層１０３には、 Ｅｇ１＜Ｅｇ２＜Ｅｇ３＜Ｅｇ４ （１） Ｅｇ１＜Ｅｇ５ （２） となる半導体材料を用いる。
【００１３】第１の半導体層１０４〜第４の半導体層１
０７および第５の半導体層１０３の半導体材料であるＡ
ｌＧａＡｓは、Ａｌ組成比が大きいほどエネルギーバン
ドギャップが大きくなるので、第１〜第５の半導体層１
０４〜１０７，１０３におけるＡｌ組成比ｘ，ｙ，ｚ，
ｔ，ｓが （０≦）ｘ＜ｙ＜ｚ＜ｔ（≦１） （３） （０≦）ｘ＜ｓ（≦１） （４） となるようにする。例えば、ｘ＝０．１、ｙ＝０．２
５、ｚ＝０．４、ｔ＝ｓ＝０．６とすることができる。
０７および第５の半導体層１０３の半導体材料であるＡ
ｌＧａＡｓは、Ａｌ組成比が大きいほどエネルギーバン
ドギャップが大きくなるので、第１〜第５の半導体層１
０４〜１０７，１０３におけるＡｌ組成比ｘ，ｙ，ｚ，
ｔ，ｓが （０≦）ｘ＜ｙ＜ｚ＜ｔ（≦１） （３） （０≦）ｘ＜ｓ（≦１） （４） となるようにする。例えば、ｘ＝０．１、ｙ＝０．２
５、ｚ＝０．４、ｔ＝ｓ＝０．６とすることができる。
【００１４】ｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ
は、半導体基板１００の上面からｐ型不純物を選択的に
ドープすることにより形成されたものである。ｐ型不純
物には、例えばＺｎ（亜鉛）を用いる。第１のｐ型領域
１３０ａは、ＧａＡｓ層１０８および第４の半導体層１
０７〜第１の半導体層１０４の部分領域に形成されてい
る。第２のｐ型領域１３０ｂは、ＧａＡｓ層１０８およ
び第４の半導体層１０７〜第２の半導体層１０５の部分
領域に形成されている。第３のｐ型領域１３０ｃは、Ｇ
ａＡｓ層１０８および第４の半導体層１０７〜第３の半
導体層１０６の部分領域に形成されている。従って、第
１の半導体層１０４〜第４の半導体層１０７には、ｐ型
領域とｎ型領域とが形成されており、ＧａＡｓ層１０８
にはｐ型領域と半絶縁性領域とが形成されている。
は、半導体基板１００の上面からｐ型不純物を選択的に
ドープすることにより形成されたものである。ｐ型不純
物には、例えばＺｎ（亜鉛）を用いる。第１のｐ型領域
１３０ａは、ＧａＡｓ層１０８および第４の半導体層１
０７〜第１の半導体層１０４の部分領域に形成されてい
る。第２のｐ型領域１３０ｂは、ＧａＡｓ層１０８およ
び第４の半導体層１０７〜第２の半導体層１０５の部分
領域に形成されている。第３のｐ型領域１３０ｃは、Ｇ
ａＡｓ層１０８および第４の半導体層１０７〜第３の半
導体層１０６の部分領域に形成されている。従って、第
１の半導体層１０４〜第４の半導体層１０７には、ｐ型
領域とｎ型領域とが形成されており、ＧａＡｓ層１０８
にはｐ型領域と半絶縁性領域とが形成されている。
【００１５】第１のｐ型領域１３０ａと、第１の半導体
層１０３〜第４の半導体層１０７のｎ型領域とは第１の
ｐｎ接合面を形成している。第２のｐ型領域１３０ｂ
と、第２の半導体層１０５〜第４の半導体層１０７のｎ
型領域とは第２のｐｎ接合面を形成している。第３のｐ
型領域１３０ｃと、第３の半導体層１０６〜第４の半導
体層１０７のｎ型領域とは、第３のｐｎ接合面を形成し
ている。第１のｐｎ接合面のフロント部（ｐｎフロン
ト）１３１ａは第１の半導体層１０４の内部にあり、第
２のｐｎ接合面のフロント部１３１ｂは第２の半導体層
１０５の内部にあり、第３のｐｎ接合面のフロント部１
３１ｃは第３の半導体層１０６の内部にある。ここで、
ｐｎ接合面のフロント部（ｐｎフロント）は、ｐ型領域
１３０とｎ型領域とによるｐｎ接合面の、半導体基板１
００上面から最も深いところに位置する、半導体基板１
００上面に対して略平行な部分である。
層１０３〜第４の半導体層１０７のｎ型領域とは第１の
ｐｎ接合面を形成している。第２のｐ型領域１３０ｂ
と、第２の半導体層１０５〜第４の半導体層１０７のｎ
型領域とは第２のｐｎ接合面を形成している。第３のｐ
型領域１３０ｃと、第３の半導体層１０６〜第４の半導
体層１０７のｎ型領域とは、第３のｐｎ接合面を形成し
ている。第１のｐｎ接合面のフロント部（ｐｎフロン
ト）１３１ａは第１の半導体層１０４の内部にあり、第
２のｐｎ接合面のフロント部１３１ｂは第２の半導体層
１０５の内部にあり、第３のｐｎ接合面のフロント部１
３１ｃは第３の半導体層１０６の内部にある。ここで、
ｐｎ接合面のフロント部（ｐｎフロント）は、ｐ型領域
１３０とｎ型領域とによるｐｎ接合面の、半導体基板１
００上面から最も深いところに位置する、半導体基板１
００上面に対して略平行な部分である。
【００１６】層間絶縁膜１０９は、半導体基板１００の
上面（ＧａＡｓ層１０８の上面）に形成されている。こ
の層間絶縁膜１０９には、ｐ型領域１３０ａ，１３０
ｂ，１３０ｃの表面をそれぞれ露出させる開口部１１２
ａ，１１２ｂ，１１２ｃが形成されている。また、ｐ側
電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、層間絶縁膜１０
９が形成された半導体基板１００の上面側にそれぞれ個
別の電極として設けられている。第１のｐ側電極１１０
ａは第１の開口部１１２ａにおいて第１のｐ型領域１３
０ａにオーミックコンタクトしており、第２のｐ側電極
１１０ｂは第２の開口部１１２ｂにおいて第２のｐ型領
域１３０ｂにオーミックコンタクトしており、第３のｐ
側電極１１０ｃは第３の開口部１１２ｃにおいて第３の
ｐ型領域１３０ｃにオーミックコンタクトしている。な
お、半導体基板１００の最上層のＧａＡｓ層１０８は、
ｐ側電極１１０をｐ型領域１３０にオーミックコンタク
トさせるために設けられたものである。また、ｎ側電極
１１１は、半導体基板１００の下面（ｎ型ＧａＡｓ基板
１０１の下面）に共通の電極として設けられており、半
導体基板１００のｎ型領域（ｎ型ＧａＡｓ基板１０１）
にオーミックコンタクトしている。
上面（ＧａＡｓ層１０８の上面）に形成されている。こ
の層間絶縁膜１０９には、ｐ型領域１３０ａ，１３０
ｂ，１３０ｃの表面をそれぞれ露出させる開口部１１２
ａ，１１２ｂ，１１２ｃが形成されている。また、ｐ側
電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、層間絶縁膜１０
９が形成された半導体基板１００の上面側にそれぞれ個
別の電極として設けられている。第１のｐ側電極１１０
ａは第１の開口部１１２ａにおいて第１のｐ型領域１３
０ａにオーミックコンタクトしており、第２のｐ側電極
１１０ｂは第２の開口部１１２ｂにおいて第２のｐ型領
域１３０ｂにオーミックコンタクトしており、第３のｐ
側電極１１０ｃは第３の開口部１１２ｃにおいて第３の
ｐ型領域１３０ｃにオーミックコンタクトしている。な
お、半導体基板１００の最上層のＧａＡｓ層１０８は、
ｐ側電極１１０をｐ型領域１３０にオーミックコンタク
トさせるために設けられたものである。また、ｎ側電極
１１１は、半導体基板１００の下面（ｎ型ＧａＡｓ基板
１０１の下面）に共通の電極として設けられており、半
導体基板１００のｎ型領域（ｎ型ＧａＡｓ基板１０１）
にオーミックコンタクトしている。
【００１７】第１のｐ側電極１１０ａと第１のｐ型領域
１３０ａと半導体基板１００のｎ型領域とｎ側電極１１
１とは、第１のＬＥＤ１４０ａを構成している。第２の
ｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域１３０ｂと半導体基
板１００のｎ型領域とｎ側電極１１１とは、第２のＬＥ
Ｄ１４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃと
第１のｐ型領域１３０ｃと半導体基板１００のｎ型領域
とｎ側電極１１１とは、第３のＬＥＤ１４０ｃを構成し
ている。すなわち、図１および図２の半導体発光装置に
は、発光波長が異なる３種類（３個）のＬＥＤが集積さ
れている。また、これらのＬＥＤは、ｐ型領域１３０ま
たはｐ側電極１１０のピッチ寸法で高密度に集積されて
いる。
１３０ａと半導体基板１００のｎ型領域とｎ側電極１１
１とは、第１のＬＥＤ１４０ａを構成している。第２の
ｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域１３０ｂと半導体基
板１００のｎ型領域とｎ側電極１１１とは、第２のＬＥ
Ｄ１４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃと
第１のｐ型領域１３０ｃと半導体基板１００のｎ型領域
とｎ側電極１１１とは、第３のＬＥＤ１４０ｃを構成し
ている。すなわち、図１および図２の半導体発光装置に
は、発光波長が異なる３種類（３個）のＬＥＤが集積さ
れている。また、これらのＬＥＤは、ｐ型領域１３０ま
たはｐ側電極１１０のピッチ寸法で高密度に集積されて
いる。
【００１８】次に、図１および図２の半導体発光装置の
動作を説明する。図３は第１のＬＥＤ１４０ａ（ＬＥＤ
１）、第２のＬＥＤ１４０ｂ（ＬＥＤ２）、第３のＬＥ
Ｄ１４０ｃ（ＬＥＤ３）の電流−電圧特性を示す図であ
る。また、図４はＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３のエネ
ルギーバンド模式図であり、（ａ）はＬＥＤ１のエネル
ギーバンド図、（ｂ）はＬＥＤ２のエネルギーバンド
図、（ｃ）はＬＥＤ３のエネルギーバンド図である。図
４は外部から電圧を印加していないときのエネルギーバ
ンド図であり、ｐｎフロントを含む深さ方向のエネルギ
ーバンド図である。なお、図中のＥｆはフェルミ準位を
示す。
動作を説明する。図３は第１のＬＥＤ１４０ａ（ＬＥＤ
１）、第２のＬＥＤ１４０ｂ（ＬＥＤ２）、第３のＬＥ
Ｄ１４０ｃ（ＬＥＤ３）の電流−電圧特性を示す図であ
る。また、図４はＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３のエネ
ルギーバンド模式図であり、（ａ）はＬＥＤ１のエネル
ギーバンド図、（ｂ）はＬＥＤ２のエネルギーバンド
図、（ｃ）はＬＥＤ３のエネルギーバンド図である。図
４は外部から電圧を印加していないときのエネルギーバ
ンド図であり、ｐｎフロントを含む深さ方向のエネルギ
ーバンド図である。なお、図中のＥｆはフェルミ準位を
示す。
【００１９】図３に示すように、ＬＥＤ１は、閾値電圧
Ｖ１以上の電圧を第１のｐ側電極１１０ａとｎ側電極１
１１の間に印加すると電流が立ち上がり、波長λ１で発
光する。ＬＥＤ２は、閾値電圧Ｖ２以上の電圧を第２の
ｐ側電極１１０ｂとｎ側電極１１１の間に印加すると波
長λ２で発光する。ＬＥＤ３は、閾値電圧Ｖ３以上の電
圧を第１のｐ側電極１１０ａとｎ側電極１１１に印加す
ると波長λ３で発光する。ここで、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３で
ある。また、λ１＞λ２＞λ３である。例えば、第１の
半導体層１０４〜第３の半導体層１０６のＡｌ組成比
ｘ，ｙ，ｚが、ｘ＝０．１、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．４
であるときには、Ｖ１は約１．６［Ｖ］、Ｖ２は約１．
７［Ｖ］、Ｖ３は約１．９［Ｖ］となり、λ１は約７８
０［ｎｍ］、λ２は約７３０［ｎｍ］、λ３は約６５０
［ｎｍ］となる。
Ｖ１以上の電圧を第１のｐ側電極１１０ａとｎ側電極１
１１の間に印加すると電流が立ち上がり、波長λ１で発
光する。ＬＥＤ２は、閾値電圧Ｖ２以上の電圧を第２の
ｐ側電極１１０ｂとｎ側電極１１１の間に印加すると波
長λ２で発光する。ＬＥＤ３は、閾値電圧Ｖ３以上の電
圧を第１のｐ側電極１１０ａとｎ側電極１１１に印加す
ると波長λ３で発光する。ここで、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３で
ある。また、λ１＞λ２＞λ３である。例えば、第１の
半導体層１０４〜第３の半導体層１０６のＡｌ組成比
ｘ，ｙ，ｚが、ｘ＝０．１、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．４
であるときには、Ｖ１は約１．６［Ｖ］、Ｖ２は約１．
７［Ｖ］、Ｖ３は約１．９［Ｖ］となり、λ１は約７８
０［ｎｍ］、λ２は約７３０［ｎｍ］、λ３は約６５０
［ｎｍ］となる。
【００２０】なお、エネルギーバンドギャップが小さい
順に基板下面側から上面側に積層したＮ個（Ｎは２以上
の整数）の半導体層（基板下面側から順に第１の半導体
層〜第Ｎの半導体層とする）により半導体層群１２０を
構成し、第１〜第Ｎのｐ型領域および第１〜第Ｎのｐ側
電極を設け、第ｋ（ｋは１からＮまでの任意整数）のｐ
型領域による第ｋのｐｎフロントが第ｋの半導体層の内
部に位置するようにすれば、異なる発光波長のＮ個のＬ
ＥＤを集積することができる。
順に基板下面側から上面側に積層したＮ個（Ｎは２以上
の整数）の半導体層（基板下面側から順に第１の半導体
層〜第Ｎの半導体層とする）により半導体層群１２０を
構成し、第１〜第Ｎのｐ型領域および第１〜第Ｎのｐ側
電極を設け、第ｋ（ｋは１からＮまでの任意整数）のｐ
型領域による第ｋのｐｎフロントが第ｋの半導体層の内
部に位置するようにすれば、異なる発光波長のＮ個のＬ
ＥＤを集積することができる。
【００２１】本発明の半導体発光装置は、ｐｎフロント
が形成されている半導体層よりも上層（基板上面側）に
ある各半導体層のエネルギーバンドギャップが、ｐｎフ
ロントが形成されている半導体層のエネルギーバンドギ
ャップよりも大きい構造なので、ＬＥＤ１４０において
は、ｐｎフロント１３１がある半導体層よりも上層にあ
る半導体層に形成されたｐｎ接合を通してキャリアが注
入されることはなく、ほぼ全ての電流がｐｎフロント１
３１がある半導体層内のｐｎ接合を通して流れ、ｐｎフ
ロント１３１がある半導体層内のｐｎ接合近傍でほぼ全
ての光が発生する。これにより、ＬＥＤ１４０の発光波
長は、ｐｎフロント１３１がある半導体層（発光層）の
エネルギーバンドギャップに相当する波長となる。さら
に、発光層よりもエネルギーバンドギャップの大きい上
層においては、発光層で発生した光の吸収がないので、
発光効率を高くすることができる。また、発光層に注入
された電子は上層の半導体層のエネルギー障壁により閉
じ込められ、発光層に注入された正孔は下層の半導体層
のエネルギー障壁により閉じ込められるので、この注入
キャリアの閉じ込め効果によっても発光効率を高くする
ことができる。
が形成されている半導体層よりも上層（基板上面側）に
ある各半導体層のエネルギーバンドギャップが、ｐｎフ
ロントが形成されている半導体層のエネルギーバンドギ
ャップよりも大きい構造なので、ＬＥＤ１４０において
は、ｐｎフロント１３１がある半導体層よりも上層にあ
る半導体層に形成されたｐｎ接合を通してキャリアが注
入されることはなく、ほぼ全ての電流がｐｎフロント１
３１がある半導体層内のｐｎ接合を通して流れ、ｐｎフ
ロント１３１がある半導体層内のｐｎ接合近傍でほぼ全
ての光が発生する。これにより、ＬＥＤ１４０の発光波
長は、ｐｎフロント１３１がある半導体層（発光層）の
エネルギーバンドギャップに相当する波長となる。さら
に、発光層よりもエネルギーバンドギャップの大きい上
層においては、発光層で発生した光の吸収がないので、
発光効率を高くすることができる。また、発光層に注入
された電子は上層の半導体層のエネルギー障壁により閉
じ込められ、発光層に注入された正孔は下層の半導体層
のエネルギー障壁により閉じ込められるので、この注入
キャリアの閉じ込め効果によっても発光効率を高くする
ことができる。
【００２２】ＬＥＤ１においては、図４（ａ）に示すよ
うに、ｎ側電極１１１から第１の半導体層１０４に注入
された電子および第１のｐ側電極１１０ａから第１の半
導体層１０４に注入された正孔は、それぞれ第２の半導
体層１０５と第１の半導体層１０４の界面に形成された
エネルギー障壁（電導帯側のエネルギー障壁）および第
５の半導体層１０３と第１の半導体層１０４の界面に形
成されたエネルギー障壁（価電子帯側のエネルギー障
壁）により第１の半導体層１０４内に閉じ込められ、第
１の半導体層１０４内のｐｎ接合近傍で再結合し、光を
発生する。この光は第２の半導体層１０５〜第４の半導
体層１０７では全く吸収されずに通過し、第１の開口部
１１２ａおよびその周辺部から放射される。ＬＥＤ２に
おいては、図４（ｂ）に示すように、注入されたキャリ
アは、第２の半導体層１０５内に閉じ込められ、第２の
半導体層１０５内のｐｎ接合近傍で再結合し、光を発生
する。この光は第３の半導体層１０６〜第４の半導体層
１０７では全く吸収されずに通過し、第２の開口部１１
２ｂおよびその周辺部から放射される。ＬＥＤ３におい
ては、図４（ｃ）に示すように、注入されたキャリア
は、第３の半導体層１０６内に閉じ込められ、第３の半
導体層１０６内のｐｎ接合近傍で再結合し、光を発生す
る。この光は第４の半導体層１０７では全く吸収されず
に通過し、第３の開口部１１２ｃその周辺部から放射さ
れる。
うに、ｎ側電極１１１から第１の半導体層１０４に注入
された電子および第１のｐ側電極１１０ａから第１の半
導体層１０４に注入された正孔は、それぞれ第２の半導
体層１０５と第１の半導体層１０４の界面に形成された
エネルギー障壁（電導帯側のエネルギー障壁）および第
５の半導体層１０３と第１の半導体層１０４の界面に形
成されたエネルギー障壁（価電子帯側のエネルギー障
壁）により第１の半導体層１０４内に閉じ込められ、第
１の半導体層１０４内のｐｎ接合近傍で再結合し、光を
発生する。この光は第２の半導体層１０５〜第４の半導
体層１０７では全く吸収されずに通過し、第１の開口部
１１２ａおよびその周辺部から放射される。ＬＥＤ２に
おいては、図４（ｂ）に示すように、注入されたキャリ
アは、第２の半導体層１０５内に閉じ込められ、第２の
半導体層１０５内のｐｎ接合近傍で再結合し、光を発生
する。この光は第３の半導体層１０６〜第４の半導体層
１０７では全く吸収されずに通過し、第２の開口部１１
２ｂおよびその周辺部から放射される。ＬＥＤ３におい
ては、図４（ｃ）に示すように、注入されたキャリア
は、第３の半導体層１０６内に閉じ込められ、第３の半
導体層１０６内のｐｎ接合近傍で再結合し、光を発生す
る。この光は第４の半導体層１０７では全く吸収されず
に通過し、第３の開口部１１２ｃその周辺部から放射さ
れる。
【００２３】次に、図１および図２の半導体発光装置の
製造工程の一例を説明する。図５ないし図８は本発明の
第１の実施形態の半導体発光素子の製造工程を説明する
断面図である。まず、図５に示すように、半導体基板、
例えばｎ型ＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法に
より半導体層をエピタキシャル成長して半導体基板１０
０を作成する。すなわち、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上
に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型Ａｌs Ｇａ
1-s Ａｓ層（第５の半導体層）１０３、ｎ型ＡｌxＧａ
1-x Ａｓ層（第１の半導体層）１０４、ｎ型Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ層（第２の半導体層）１０５、ｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓ層（第３の半導体層）１０６、ｎ型Ａｌt Ｇａ
1-t Ａｓ層（第４の半導体層）１０７、および半絶縁性
ＧａＡｓ層１０８の各エピタキシャル層を順次形成す
る。ここでは、第１の半導体層１０４〜第４の半導体層
１０７および第５の半導体層１０３のＡｌ組成比を、ｘ
＝０．１、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．４、ｔ＝ｓ＝０．６
とする。また、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２の厚さを
約０．１［μｍ］、第１〜第４の半導体層１０４〜１０
７および第５の半導体層１０３をいずれも約０．３［μ
ｍ］、半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の厚さを約０．０５
［μｍ］とする。このとき、各エピタキシャル層の合計
の層厚は約１．６５［μｍ］となり、また基板上面から
第１の半導体層１０４までの合計の層厚は１．６［μ
ｍ］となる。
製造工程の一例を説明する。図５ないし図８は本発明の
第１の実施形態の半導体発光素子の製造工程を説明する
断面図である。まず、図５に示すように、半導体基板、
例えばｎ型ＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法に
より半導体層をエピタキシャル成長して半導体基板１０
０を作成する。すなわち、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上
に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型Ａｌs Ｇａ
1-s Ａｓ層（第５の半導体層）１０３、ｎ型ＡｌxＧａ
1-x Ａｓ層（第１の半導体層）１０４、ｎ型Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ層（第２の半導体層）１０５、ｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓ層（第３の半導体層）１０６、ｎ型Ａｌt Ｇａ
1-t Ａｓ層（第４の半導体層）１０７、および半絶縁性
ＧａＡｓ層１０８の各エピタキシャル層を順次形成す
る。ここでは、第１の半導体層１０４〜第４の半導体層
１０７および第５の半導体層１０３のＡｌ組成比を、ｘ
＝０．１、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．４、ｔ＝ｓ＝０．６
とする。また、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２の厚さを
約０．１［μｍ］、第１〜第４の半導体層１０４〜１０
７および第５の半導体層１０３をいずれも約０．３［μ
ｍ］、半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の厚さを約０．０５
［μｍ］とする。このとき、各エピタキシャル層の合計
の層厚は約１．６５［μｍ］となり、また基板上面から
第１の半導体層１０４までの合計の層厚は１．６［μ
ｍ］となる。
【００２４】次に半導体基板１００の上面（半絶縁性Ｇ
ａＡｓ層１０８の上面）に拡散マスク膜７０１（層間絶
縁膜１０９）を成膜し、この拡散マスク膜７０１に、半
導体基板１００上面の第１のｐ型予定領域（ｐ型不純物
をドープする基板上面領域）を露出させる第１の開口部
１１２ａと、第２のｐ型予定領域を露出させる第２の開
口部１１２ｂと、第３のｐ型予定領域を露出させる第３
の開口部１１２ｃとを形成する。拡散マスク膜７０１に
は、例えばＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）を用いる。な
お、拡散マスク膜７０１は、後述するｐ型不純物の拡散
工程においてｐ型不純物の半導体基板１００内への拡散
を阻止することができる絶縁膜であれば良い。
ａＡｓ層１０８の上面）に拡散マスク膜７０１（層間絶
縁膜１０９）を成膜し、この拡散マスク膜７０１に、半
導体基板１００上面の第１のｐ型予定領域（ｐ型不純物
をドープする基板上面領域）を露出させる第１の開口部
１１２ａと、第２のｐ型予定領域を露出させる第２の開
口部１１２ｂと、第３のｐ型予定領域を露出させる第３
の開口部１１２ｃとを形成する。拡散マスク膜７０１に
は、例えばＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）を用いる。な
お、拡散マスク膜７０１は、後述するｐ型不純物の拡散
工程においてｐ型不純物の半導体基板１００内への拡散
を阻止することができる絶縁膜であれば良い。
【００２５】次に図６に示すように、拡散制御膜（ドー
プ制御膜）７０２を形成する。拡散制御膜７０２として
は、例えばＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）を用いる。すな
わち、拡散マスク膜７０１および開口部１１２ａ，１１
２ｂ，１１２ｃの形成が済んだ半導体基板１００上に、
拡散制御膜７０２となる第１のＳｉＮ膜を約１００
［Å］を成膜し、第１の開口部１１２ａおよび第２の開
口部１１２ｂ上の第１のＳｉＮ膜を除去し、この上に拡
散制御膜７０２となる第２のＳｉＮ膜を約１００［Å］
を成膜し、第１の開口部１１２ａ上の第２のＳｉＮ膜を
除去する。これにより、第１の開口部１１２ａ内の第１
のｐ型予定領域が露出し、第２の開口部１１２ｂ内の第
２のｐ型予定領域が約１００［Å］の拡散制御膜７０２
で被覆され、第３の開口部１１２ｃ内の第１のｐ型予定
領域が約２００［Å］の拡散制御膜７０２で被覆された
構造ができる。なお、拡散制御膜７０２は、その膜厚を
変えることにより、後述するｐ型不純物の拡散工程にお
いてｐ型不純物の半導体基板１００内への拡散深さを制
御できる絶縁膜であれば良い。また、拡散制御膜７０２
として、例えばＳｉＯ2 膜を使用することも可能であ
る。
プ制御膜）７０２を形成する。拡散制御膜７０２として
は、例えばＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）を用いる。すな
わち、拡散マスク膜７０１および開口部１１２ａ，１１
２ｂ，１１２ｃの形成が済んだ半導体基板１００上に、
拡散制御膜７０２となる第１のＳｉＮ膜を約１００
［Å］を成膜し、第１の開口部１１２ａおよび第２の開
口部１１２ｂ上の第１のＳｉＮ膜を除去し、この上に拡
散制御膜７０２となる第２のＳｉＮ膜を約１００［Å］
を成膜し、第１の開口部１１２ａ上の第２のＳｉＮ膜を
除去する。これにより、第１の開口部１１２ａ内の第１
のｐ型予定領域が露出し、第２の開口部１１２ｂ内の第
２のｐ型予定領域が約１００［Å］の拡散制御膜７０２
で被覆され、第３の開口部１１２ｃ内の第１のｐ型予定
領域が約２００［Å］の拡散制御膜７０２で被覆された
構造ができる。なお、拡散制御膜７０２は、その膜厚を
変えることにより、後述するｐ型不純物の拡散工程にお
いてｐ型不純物の半導体基板１００内への拡散深さを制
御できる絶縁膜であれば良い。また、拡散制御膜７０２
として、例えばＳｉＯ2 膜を使用することも可能であ
る。
【００２６】次に図７に示すように、ｐ型不純物を拡散
させるための拡散源膜７０４およびアニールキャップ膜
７０５を成膜する。拡散源膜７０４は、上記のｐ型不純
物を含む膜である。また、拡散源膜７０４上にこれを被
覆するように形成されるアニールキャップ膜７０５は、
ｐ型不純物が拡散炉を汚染するのを防止するための絶縁
膜である。ｐ型不純物として、ここではＺｎ（亜鉛）を
用いる。また、拡散源膜７０４として、ここではＺｎＳ
ｉＯ膜（Ｚｎを含むＳｉＯ2 膜）を用いる。また、アニ
ールキャップ膜７０５には、例えばＡｌＮ膜（窒化アル
ミ膜）を用いる。
させるための拡散源膜７０４およびアニールキャップ膜
７０５を成膜する。拡散源膜７０４は、上記のｐ型不純
物を含む膜である。また、拡散源膜７０４上にこれを被
覆するように形成されるアニールキャップ膜７０５は、
ｐ型不純物が拡散炉を汚染するのを防止するための絶縁
膜である。ｐ型不純物として、ここではＺｎ（亜鉛）を
用いる。また、拡散源膜７０４として、ここではＺｎＳ
ｉＯ膜（Ｚｎを含むＳｉＯ2 膜）を用いる。また、アニ
ールキャップ膜７０５には、例えばＡｌＮ膜（窒化アル
ミ膜）を用いる。
【００２７】次に開管法により基板をアニールして、Ｚ
ｎを半導体基板１００中に拡散させ、半導体基板１００
中の上面および内部にｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１
３０ｃを形成する。すなわち、アニールキャップ膜７０
５の成膜が済んだ半導体基板１００を拡散アニールする
ことにより、Ｚｎを開口部１１２ａ，１１２ｂ，１１２
ｃの第１〜第３のｐ型予定領域のみから半導体基板１０
０中にそれぞれ拡散制御膜７０２の膜厚に応じた異なる
深さまで拡散させ、第１の半導体層１０４内にｐｎフロ
ント１３１ａがある第１のｐ型領域１３０ａと、第２の
半導体層１０５内にｐｎフロント１３１ｂがある第２の
ｐ型領域１３０ｂと、第３の半導体層１０６内にｐｎフ
ロント１３１ｃがある第３のｐ型領域１３０ｃとを形成
する。ここでは、窒素雰囲気中において６５０［℃］で
４時間アニールする拡散アニール条件を用いる。基板上
面から第１の半導体層１０４までの合計の層厚は上述し
たように１．６［μｍ］と薄いので、横方向拡散距離は
小さい。なお、上記の拡散制御膜７０２の膜厚および拡
散条件は一例であり、所望の拡散深さが得られる膜厚お
よび条件を適宜設定すれば良い。
ｎを半導体基板１００中に拡散させ、半導体基板１００
中の上面および内部にｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１
３０ｃを形成する。すなわち、アニールキャップ膜７０
５の成膜が済んだ半導体基板１００を拡散アニールする
ことにより、Ｚｎを開口部１１２ａ，１１２ｂ，１１２
ｃの第１〜第３のｐ型予定領域のみから半導体基板１０
０中にそれぞれ拡散制御膜７０２の膜厚に応じた異なる
深さまで拡散させ、第１の半導体層１０４内にｐｎフロ
ント１３１ａがある第１のｐ型領域１３０ａと、第２の
半導体層１０５内にｐｎフロント１３１ｂがある第２の
ｐ型領域１３０ｂと、第３の半導体層１０６内にｐｎフ
ロント１３１ｃがある第３のｐ型領域１３０ｃとを形成
する。ここでは、窒素雰囲気中において６５０［℃］で
４時間アニールする拡散アニール条件を用いる。基板上
面から第１の半導体層１０４までの合計の層厚は上述し
たように１．６［μｍ］と薄いので、横方向拡散距離は
小さい。なお、上記の拡散制御膜７０２の膜厚および拡
散条件は一例であり、所望の拡散深さが得られる膜厚お
よび条件を適宜設定すれば良い。
【００２８】次に図８に示すように、アニールキャップ
膜７０５、拡散源膜７０４、および拡散制御膜７０２を
除去し（拡散マスク膜７０１は層間絶縁膜１０９として
残す）、半導体基板１００の上面側にｐ側電極１１０
ａ，１１０ｂ，１１０ｃを形成する。このｐ側電極１１
０には、例えばＡｌを用いる。すなわち、拡散制御膜７
０２の除去が済んだ半導体基板１００の上面側にＡｌ膜
を成膜し、このＡｌ膜をパターニングしてｐ側電極パタ
ーンを形成し、そのあとシンタすることにより、第１の
開口部１１２ａ内において第１のｐ型領域１３０ａにオ
ーミックコンタクトする第１のｐ側電極１１０ａと、第
２の開口部１１２ｂ内において第２のｐ型領域１３０ｂ
にオーミックコンタクトする第２のｐ側電極１１０ｂ
と、第３の開口部１１２ｃ内において第３のｐ型領域１
３０ｃにオーミックコンタクトする第３のｐ側電極１１
０ｃとを形成する。なお、ｐ側電極１１０の金属材料
は、半絶縁性ＧａＡｓ層１０８に形成されたｐ型領域１
３０にオーミックコンタクトできる金属であれば良く、
例えばＡｌを含む金属でも良い。
膜７０５、拡散源膜７０４、および拡散制御膜７０２を
除去し（拡散マスク膜７０１は層間絶縁膜１０９として
残す）、半導体基板１００の上面側にｐ側電極１１０
ａ，１１０ｂ，１１０ｃを形成する。このｐ側電極１１
０には、例えばＡｌを用いる。すなわち、拡散制御膜７
０２の除去が済んだ半導体基板１００の上面側にＡｌ膜
を成膜し、このＡｌ膜をパターニングしてｐ側電極パタ
ーンを形成し、そのあとシンタすることにより、第１の
開口部１１２ａ内において第１のｐ型領域１３０ａにオ
ーミックコンタクトする第１のｐ側電極１１０ａと、第
２の開口部１１２ｂ内において第２のｐ型領域１３０ｂ
にオーミックコンタクトする第２のｐ側電極１１０ｂ
と、第３の開口部１１２ｃ内において第３のｐ型領域１
３０ｃにオーミックコンタクトする第３のｐ側電極１１
０ｃとを形成する。なお、ｐ側電極１１０の金属材料
は、半絶縁性ＧａＡｓ層１０８に形成されたｐ型領域１
３０にオーミックコンタクトできる金属であれば良く、
例えばＡｌを含む金属でも良い。
【００２９】次に半導体基板１００の裏面（下面）にｎ
側電極１１１を形成する。このｎ側電極１１１には、例
えばＡｕ（金）合金を用いる。すなわち、ｐ側電極１１
０の形成が済んだ半導体基板１００の裏面（ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１０１）を研磨し、研磨が済んだ裏面にＡｕ合金
膜を形成し、そのあとシンタすることにより、半導体基
板１００の裏面全面にｎ型ＧａＡｓ基板１０１にオーミ
ックコンタクトするｎ側電極１１１を形成する。以上の
工程により、第１のＬＥＤ１４０ａと、第２のＬＥＤ１
４０ｂと、第３のＬＥＤ１４０ｃとを集積した図１およ
び図２の半導体発光装置が完成する。
側電極１１１を形成する。このｎ側電極１１１には、例
えばＡｕ（金）合金を用いる。すなわち、ｐ側電極１１
０の形成が済んだ半導体基板１００の裏面（ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１０１）を研磨し、研磨が済んだ裏面にＡｕ合金
膜を形成し、そのあとシンタすることにより、半導体基
板１００の裏面全面にｎ型ＧａＡｓ基板１０１にオーミ
ックコンタクトするｎ側電極１１１を形成する。以上の
工程により、第１のＬＥＤ１４０ａと、第２のＬＥＤ１
４０ｂと、第３のＬＥＤ１４０ｃとを集積した図１およ
び図２の半導体発光装置が完成する。
【００３０】このように第１の実施形態の半導体発光装
置によれば、半導体基板に、エネルギーバンドギャップ
が異なるＮ個の半導体層をエネルギーバンドギャップが
小さい順に基板下面側から上面側に順に大きくなるよう
に積層した半導体層群１２０と（基板下面側から順に第
１の半導体層〜第Ｎの半導体層とする）、第１〜第Ｎの
ｐ型領域とを設け、半導体基板のｎ型領域と第ｋのｐ型
領域による第ｋのｐｎフロントが第ｋの半導体層の内部
に位置する構造としたことにより、互いに異なる発光波
長を有する第１〜第ＮのＬＥＤをｐ型領域またはｐ側電
極のピッチ寸法で高密度に集積することができる。
置によれば、半導体基板に、エネルギーバンドギャップ
が異なるＮ個の半導体層をエネルギーバンドギャップが
小さい順に基板下面側から上面側に順に大きくなるよう
に積層した半導体層群１２０と（基板下面側から順に第
１の半導体層〜第Ｎの半導体層とする）、第１〜第Ｎの
ｐ型領域とを設け、半導体基板のｎ型領域と第ｋのｐ型
領域による第ｋのｐｎフロントが第ｋの半導体層の内部
に位置する構造としたことにより、互いに異なる発光波
長を有する第１〜第ＮのＬＥＤをｐ型領域またはｐ側電
極のピッチ寸法で高密度に集積することができる。
【００３１】また、第１の実施形態の製造工程によれ
ば、拡散アニールの前にｐ型不純物をドープする第１〜
第Ｎの基板上面領域上に膜厚の異なる拡散制御膜をそれ
ぞれ形成し（拡散制御膜を形成しない基板上面領域もあ
る）、１回の拡散アニールでｐｎフロントの深さが異な
る第１〜第Ｎのｐ型領域を同時に形成するようにしたこ
とにより、ｐｎフロントの深さを正確に制御することが
できる。また、固相拡散法を用いたことにより、ｐｎフ
ロント位置が浅く、高濃度（低抵抗）のｐ型領域を容易
に形成することができるとともに、基板上面にエッチン
グ溝などの凹凸が形成されないので、そのあとのｐ側電
極（あるいはｐ側電極およびｎ側電極）の形成が容易に
なる。また、各半導体層をＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ
法により形成した半導体エピタキシャル層としたことに
より、基板上面から半導体層群までの合計の層厚を精度
良くかつ薄く形成することができ、これにより浅いｐｎ
接合形成が可能となって横方向拡散を小さくできるの
で、ＬＥＤを高密度に集積することができる。
ば、拡散アニールの前にｐ型不純物をドープする第１〜
第Ｎの基板上面領域上に膜厚の異なる拡散制御膜をそれ
ぞれ形成し（拡散制御膜を形成しない基板上面領域もあ
る）、１回の拡散アニールでｐｎフロントの深さが異な
る第１〜第Ｎのｐ型領域を同時に形成するようにしたこ
とにより、ｐｎフロントの深さを正確に制御することが
できる。また、固相拡散法を用いたことにより、ｐｎフ
ロント位置が浅く、高濃度（低抵抗）のｐ型領域を容易
に形成することができるとともに、基板上面にエッチン
グ溝などの凹凸が形成されないので、そのあとのｐ側電
極（あるいはｐ側電極およびｎ側電極）の形成が容易に
なる。また、各半導体層をＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ
法により形成した半導体エピタキシャル層としたことに
より、基板上面から半導体層群までの合計の層厚を精度
良くかつ薄く形成することができ、これにより浅いｐｎ
接合形成が可能となって横方向拡散を小さくできるの
で、ＬＥＤを高密度に集積することができる。
【００３２】なお、この第１の実施形態では、ＬＥＤが
一列に配置された場合（発光素子アレイ）を例にとって
説明しているが、本発明の半導体発光装置は、ＬＥＤが
１列に配置されていないものであっても良い。
一列に配置された場合（発光素子アレイ）を例にとって
説明しているが、本発明の半導体発光装置は、ＬＥＤが
１列に配置されていないものであっても良い。
【００３３】また、この第１の実施形態では、Ｎ個異な
る発光波長を有する第１〜第ＮのＬＥＤをそれぞれ１個
ずつ集積した場合を例にとって説明しているが、本発明
の半導体発光装置は、ＬＥＤの合計個数が発光波長の個
数（半導体層群の半導体層の個数）よりも多くても良
い。例えば第１〜第ＮのＬＥＤをそれぞれ２個ずつ集積
したものであっても良い。また、発光層となる半導体層
群を構成する各半導体層は、エネルギーバンドギャップ
が異なる半導体材料であれば良く、Ａｌ組成比の異なる
ＡｌＧａＡｓに限定されるものではない。また、上記第
１の実施形態の製造工程では、固相拡散法を用いてｐ型
領域を形成したが、気相拡散法またはイオンインプラン
テーション法を用いてｐ型領域を形成しても良い。
る発光波長を有する第１〜第ＮのＬＥＤをそれぞれ１個
ずつ集積した場合を例にとって説明しているが、本発明
の半導体発光装置は、ＬＥＤの合計個数が発光波長の個
数（半導体層群の半導体層の個数）よりも多くても良
い。例えば第１〜第ＮのＬＥＤをそれぞれ２個ずつ集積
したものであっても良い。また、発光層となる半導体層
群を構成する各半導体層は、エネルギーバンドギャップ
が異なる半導体材料であれば良く、Ａｌ組成比の異なる
ＡｌＧａＡｓに限定されるものではない。また、上記第
１の実施形態の製造工程では、固相拡散法を用いてｐ型
領域を形成したが、気相拡散法またはイオンインプラン
テーション法を用いてｐ型領域を形成しても良い。
【００３４】第２の実施形態 図９は本発明の第２の実施形態の半導体発光装置の構造
を示す断面図である。なお、図９において、図１と同じ
ものには同じ符号を付してある。また、第２の実施形態
の半導体発光装置の上面図は、図２において、ｐ型領域
およびｐ型電極をそれぞれｎ型領域およびｎ側電極とし
たものである。図９の半導体発光装置は、図１において
ｐ型領域とｎ型領域を反転させ、ｐ側電極とｎ側電極を
反転させたものである。つまり、図１の半導体発光装置
が半導体基板のｎ型領域にｐ型不純物をドープしてｐｎ
接合を形成したものであるに対し、図９の半導体発光装
置は、半導体基板のｐ型領域にｎ型不純物をドープして
ｐｎ接合を形成したものである。
を示す断面図である。なお、図９において、図１と同じ
ものには同じ符号を付してある。また、第２の実施形態
の半導体発光装置の上面図は、図２において、ｐ型領域
およびｐ型電極をそれぞれｎ型領域およびｎ側電極とし
たものである。図９の半導体発光装置は、図１において
ｐ型領域とｎ型領域を反転させ、ｐ側電極とｎ側電極を
反転させたものである。つまり、図１の半導体発光装置
が半導体基板のｎ型領域にｐ型不純物をドープしてｐｎ
接合を形成したものであるに対し、図９の半導体発光装
置は、半導体基板のｐ型領域にｎ型不純物をドープして
ｐｎ接合を形成したものである。
【００３５】図９の半導体発光装置は、半導体基板２０
０と、層間絶縁膜１０９と、ｎ側電極２１０ａ，２１０
ｂ，２１０ｃと、ｐ側電極２１１とを備えている。半導
体基板２００は、ｐ型ＧａＡｓ基板２０１上に、ｐ型Ｇ
ａＡｓバッファ層２０２、ｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層
（第５の半導体層）２０３、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層
（第１の半導体層）２０４、ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層
（第２の半導体層）２０５、ｐ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ層
（第３の半導体層）２０６、ｐ型Ａｌt Ｇａ1-tＡｓ層
（第４の半導体層）１０７、および半絶縁性ＧａＡｓ層
１０８の各半導体層を積層し、これにｎ型不純物をドー
プすることにより、ｎ型領域２３０ａ，２３０ｂ，２３
０ｃを形成したものである。第１〜第３の半導体層２０
３〜２０５は、発光層となる半導体層群２２０を構成し
ている。第１〜第５の半導体層２０４〜２０７，２０３
のエネルギーバンドギャップＥｇ１，Ｅｇ２，Ｅｇ３，
Ｅｇ４，Ｅｇ５およびＡｌ組成比ｘ，ｙ，ｚ，ｔ，ｓ
は、上記の（１）〜（４）式の条件を満たしている。
０と、層間絶縁膜１０９と、ｎ側電極２１０ａ，２１０
ｂ，２１０ｃと、ｐ側電極２１１とを備えている。半導
体基板２００は、ｐ型ＧａＡｓ基板２０１上に、ｐ型Ｇ
ａＡｓバッファ層２０２、ｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層
（第５の半導体層）２０３、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層
（第１の半導体層）２０４、ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層
（第２の半導体層）２０５、ｐ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ層
（第３の半導体層）２０６、ｐ型Ａｌt Ｇａ1-tＡｓ層
（第４の半導体層）１０７、および半絶縁性ＧａＡｓ層
１０８の各半導体層を積層し、これにｎ型不純物をドー
プすることにより、ｎ型領域２３０ａ，２３０ｂ，２３
０ｃを形成したものである。第１〜第３の半導体層２０
３〜２０５は、発光層となる半導体層群２２０を構成し
ている。第１〜第５の半導体層２０４〜２０７，２０３
のエネルギーバンドギャップＥｇ１，Ｅｇ２，Ｅｇ３，
Ｅｇ４，Ｅｇ５およびＡｌ組成比ｘ，ｙ，ｚ，ｔ，ｓ
は、上記の（１）〜（４）式の条件を満たしている。
【００３６】図９の半導体発光装置の製造工程は、例え
ば上記第１の実施形態と同様に、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法などの半導体エピタキシャル法を用いて半導体基板２
００を作製し、この半導体基板２００に固相拡散法を用
いてｎ型領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃを形成する
ものである。第１〜第５の半導体層２０４〜２０７，２
０３のＡｌ組成比は、例えば上記第１の実施形態と同様
に、ｘ＝０．１、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．４、ｔ＝ｓ＝
０．６とする。また、ｎ型不純物としては、例えばＳｎ
（すず）またはＳｉ（珪素）を用いる。なお、図９の半
導体発光装置の動作は上記第１の実施形態と同様なので
その説明を省略する。
ば上記第１の実施形態と同様に、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法などの半導体エピタキシャル法を用いて半導体基板２
００を作製し、この半導体基板２００に固相拡散法を用
いてｎ型領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃを形成する
ものである。第１〜第５の半導体層２０４〜２０７，２
０３のＡｌ組成比は、例えば上記第１の実施形態と同様
に、ｘ＝０．１、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．４、ｔ＝ｓ＝
０．６とする。また、ｎ型不純物としては、例えばＳｎ
（すず）またはＳｉ（珪素）を用いる。なお、図９の半
導体発光装置の動作は上記第１の実施形態と同様なので
その説明を省略する。
【００３７】この第２の実施形態のように、半導体基板
のｐ型領域にｎ型不純物のドープにより第１〜第Ｎのｎ
型領域を形成した構造としても、上記第１の実施形態と
同様に、互いに異なる発光波長を有する第１〜第ＮのＬ
ＥＤを高密度に集積することができる。
のｐ型領域にｎ型不純物のドープにより第１〜第Ｎのｎ
型領域を形成した構造としても、上記第１の実施形態と
同様に、互いに異なる発光波長を有する第１〜第ＮのＬ
ＥＤを高密度に集積することができる。
【００３８】第３の実施形態 図１０は本発明の第３の実施形態の半導体発光装置の構
造を示す断面図である。なお、図１０において、図１と
同じものには同じ符号を付してある。また、図１０の半
導体発光装置の上面図は、図２と同じである。図１０の
半導体発光装置は、図１において、ｐｎフロントを発光
層となる半導体層の上面に形成したものである。つま
り、図１の半導体装置が半導体層群の第１の半導体層１
０４〜第３の半導体層１０６の内部にそれぞれｐｎフロ
ントを形成したものであるのに対し、図１０の半導体装
置は第１の半導体層１０４〜第３の半導体層１０６の上
面（その上層の半導体層との界面）にｐｎフロントを形
成したものである。
造を示す断面図である。なお、図１０において、図１と
同じものには同じ符号を付してある。また、図１０の半
導体発光装置の上面図は、図２と同じである。図１０の
半導体発光装置は、図１において、ｐｎフロントを発光
層となる半導体層の上面に形成したものである。つま
り、図１の半導体装置が半導体層群の第１の半導体層１
０４〜第３の半導体層１０６の内部にそれぞれｐｎフロ
ントを形成したものであるのに対し、図１０の半導体装
置は第１の半導体層１０４〜第３の半導体層１０６の上
面（その上層の半導体層との界面）にｐｎフロントを形
成したものである。
【００３９】図１０の半導体発光装置の半導体基板３０
０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層１０２〜半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の各半導体層
を積層し、上面からｐ型不純物（例えばＺｎ）を選択的
にドープすることにより、ｐ型領域３３０ａ，３３０
ｂ，３３０ｃを形成したものである。第１のｐ型領域３
３０ａによる第１のｐｎフロント３３１ａは、第１の半
導体層１０４の上面（第１の半導体層１０４と第２の半
導体層１０５の界面）に形成されている。第２のｐ型領
域３３０ｂによる第２のｐｎフロント３３１ｂは、第２
の半導体層１０５の上面（第２の半導体層１０５と第３
の半導体層１０６の界面）に形成されている。第３のｐ
型領域３３０ｃによる第３のｐｎフロント３３１ｃは、
第３の半導体層１０６の上面（第３の半導体層１０６と
第４の半導体層１０７の界面）に形成されている。ｐｎ
フロントが半導体層の界面にあるｐ型領域３３０ａ，３
３０ｂ，３３０ｃは、例えば上記第１の実施形態で説明
した固相拡散法を用いた製造工程により形成することが
できる。
０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層１０２〜半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の各半導体層
を積層し、上面からｐ型不純物（例えばＺｎ）を選択的
にドープすることにより、ｐ型領域３３０ａ，３３０
ｂ，３３０ｃを形成したものである。第１のｐ型領域３
３０ａによる第１のｐｎフロント３３１ａは、第１の半
導体層１０４の上面（第１の半導体層１０４と第２の半
導体層１０５の界面）に形成されている。第２のｐ型領
域３３０ｂによる第２のｐｎフロント３３１ｂは、第２
の半導体層１０５の上面（第２の半導体層１０５と第３
の半導体層１０６の界面）に形成されている。第３のｐ
型領域３３０ｃによる第３のｐｎフロント３３１ｃは、
第３の半導体層１０６の上面（第３の半導体層１０６と
第４の半導体層１０７の界面）に形成されている。ｐｎ
フロントが半導体層の界面にあるｐ型領域３３０ａ，３
３０ｂ，３３０ｃは、例えば上記第１の実施形態で説明
した固相拡散法を用いた製造工程により形成することが
できる。
【００４０】第１のｐ側電極１１０ａと第１のｐ型領域
３３０ａと半導体基板３００のｎ型領域とｎ側電極１１
１とは、第１のＬＥＤ３４０ａを構成している。第２の
ｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域３３０ｂと半導体基
板３００のｎ型領域とｎ側電極１１１とは、第２のＬＥ
Ｄ３４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃと
第１のｐ型領域３３０ｃと半導体基板３００のｎ型領域
とｎ側電極１１１とは、第３のＬＥＤ３４０ｃを構成し
ている。
３３０ａと半導体基板３００のｎ型領域とｎ側電極１１
１とは、第１のＬＥＤ３４０ａを構成している。第２の
ｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域３３０ｂと半導体基
板３００のｎ型領域とｎ側電極１１１とは、第２のＬＥ
Ｄ３４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃと
第１のｐ型領域３３０ｃと半導体基板３００のｎ型領域
とｎ側電極１１１とは、第３のＬＥＤ３４０ｃを構成し
ている。
【００４１】本発明の半導体発光装置は、ｐｎフロント
の上層（基板上面側）にある各半導体層エネルギーバン
ドギャップが、ｐｎフロントが形成されている半導体層
（この第３の実施形態においてはｐｎフロント下面の半
導体層）のエネルギーバンドギャップよりも大きい構造
なので、ＬＥＤ３４０においては、ｐｎフロント３３１
の上層にある半導体層に形成されたｐｎ接合を通して電
子が注入されることはなく、ほぼ全ての電流がｐｎフロ
ント３３１を通して流れる。ｐ型領域３３０のエネルギ
ーバンドギャップが、このｐ型領域３３０とｐｎフロン
ト３３１を形成するｎ型領域のエネルギーバンドギャッ
プよりも大きいので、ｐｎフロント３３１近傍のｎ型領
域でほぼ全ての光が発生する。例えばＬＥＤ３０４ａで
は、ｐｎフロント３３１ａ近傍の第１の半導体層１０４
で光が発生し、この光は第２の半導体層１０５〜第４の
半導体層１０７では全く吸収されずに通過し、第１の開
口部１１２ａおよびその周辺部から放射される。
の上層（基板上面側）にある各半導体層エネルギーバン
ドギャップが、ｐｎフロントが形成されている半導体層
（この第３の実施形態においてはｐｎフロント下面の半
導体層）のエネルギーバンドギャップよりも大きい構造
なので、ＬＥＤ３４０においては、ｐｎフロント３３１
の上層にある半導体層に形成されたｐｎ接合を通して電
子が注入されることはなく、ほぼ全ての電流がｐｎフロ
ント３３１を通して流れる。ｐ型領域３３０のエネルギ
ーバンドギャップが、このｐ型領域３３０とｐｎフロン
ト３３１を形成するｎ型領域のエネルギーバンドギャッ
プよりも大きいので、ｐｎフロント３３１近傍のｎ型領
域でほぼ全ての光が発生する。例えばＬＥＤ３０４ａで
は、ｐｎフロント３３１ａ近傍の第１の半導体層１０４
で光が発生し、この光は第２の半導体層１０５〜第４の
半導体層１０７では全く吸収されずに通過し、第１の開
口部１１２ａおよびその周辺部から放射される。
【００４２】ＬＥＤ３４０の発光波長は、ｐｎフロント
３３１下面の半導体層（発光層）のエネルギーバンドギ
ャップに相当する波長となるので、第１のＬＥＤ３４０
ａの発光波長は図１の第１のＬＥＤ１４０ａと同じであ
り、第２のＬＥＤ３４０ｂの発光波長は図１の第２のＬ
ＥＤ１４０ｂと同じであり、第３のＬＥＤ３４０ｃの発
光波長は図１の第３のＬＥＤ１４０ｃと同じである。
３３１下面の半導体層（発光層）のエネルギーバンドギ
ャップに相当する波長となるので、第１のＬＥＤ３４０
ａの発光波長は図１の第１のＬＥＤ１４０ａと同じであ
り、第２のＬＥＤ３４０ｂの発光波長は図１の第２のＬ
ＥＤ１４０ｂと同じであり、第３のＬＥＤ３４０ｃの発
光波長は図１の第３のＬＥＤ１４０ｃと同じである。
【００４３】発光層よりもエネルギーバンドギャップの
大きい上層においては、発光層で発生した光の吸収はな
く、また発光層の上層および下層の半導体層のエネルギ
ー障壁により注入キャリアが発光層内に閉じ込められる
ので、上記第１の実施形態と同様に発光効率を高くする
ことができる。さらに、発生した光が、発光層のｐ型領
域を通過しない構造であり、発光層内のｐ型領域におけ
る光の吸収がないので、上記第１の実施形態よりもさら
に発光効率を高くすることができる。
大きい上層においては、発光層で発生した光の吸収はな
く、また発光層の上層および下層の半導体層のエネルギ
ー障壁により注入キャリアが発光層内に閉じ込められる
ので、上記第１の実施形態と同様に発光効率を高くする
ことができる。さらに、発生した光が、発光層のｐ型領
域を通過しない構造であり、発光層内のｐ型領域におけ
る光の吸収がないので、上記第１の実施形態よりもさら
に発光効率を高くすることができる。
【００４４】このように第３の実施形態によれば、ｐｎ
フロントを発光層となる半導体層の上面に形成すること
により、ＬＥＤの発光効率を上記第１の実施形態よりも
さらに高くすることができる。
フロントを発光層となる半導体層の上面に形成すること
により、ＬＥＤの発光効率を上記第１の実施形態よりも
さらに高くすることができる。
【００４５】第４の実施形態 図１１は本発明の第４の実施形態の半導体発光装置の構
造を示す上面図である。また、図１２は第４の実施形態
の半導体発光装置の構造を示す断面図であり、図１１に
おけるＢ−Ｂ’間の断面図である。なお、図１１および
図１２において、図１または図２と同じものには同じ符
号を付してある。図１１および図１２の半導体発光装置
は、図１および図２において、ｎ側電極を基板下面では
なく基板上面側に設けたものである。
造を示す上面図である。また、図１２は第４の実施形態
の半導体発光装置の構造を示す断面図であり、図１１に
おけるＢ−Ｂ’間の断面図である。なお、図１１および
図１２において、図１または図２と同じものには同じ符
号を付してある。図１１および図１２の半導体発光装置
は、図１および図２において、ｎ側電極を基板下面では
なく基板上面側に設けたものである。
【００４６】図１１および図１２の半導体発光装置は、
半導体基板５００と、層間絶縁膜１０９と、ｐ側電極１
１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃと、ｎ側電極５１１とを備
えている。半導体基板５００は、半絶縁性ＧａＡｓ基板
５０１上に、半絶縁性ＧａＡｓバッファ層５０２、第５
の半導体層１０３〜半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の各半導
体層を積層し、基板上面からｐ型不純物を選択的にドー
プすることによりｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０
ｃを形成したものである。半導体基板５００のｎ側領域
は、第５の半導体層１０３と、第１〜第４の半導体層１
０４〜１０７のｐ型領域１３０以外の領域である。
半導体基板５００と、層間絶縁膜１０９と、ｐ側電極１
１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃと、ｎ側電極５１１とを備
えている。半導体基板５００は、半絶縁性ＧａＡｓ基板
５０１上に、半絶縁性ＧａＡｓバッファ層５０２、第５
の半導体層１０３〜半絶縁性ＧａＡｓ層１０８の各半導
体層を積層し、基板上面からｐ型不純物を選択的にドー
プすることによりｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０
ｃを形成したものである。半導体基板５００のｎ側領域
は、第５の半導体層１０３と、第１〜第４の半導体層１
０４〜１０７のｐ型領域１３０以外の領域である。
【００４７】ｎ側電極５１１は、半導体基板５００の上
面側に設けられており、第４の半導体層１０７のｎ型領
域にオーミックコンタクトしている。このｎ側電極５１
１は、層間絶縁膜１０９およびＧａＡｓ層１０８に第４
の半導体層１０７を露出させる開口部５１３を形成し、
この開口部５１３を含む基板上面側領域にｎ側電極５１
１となる金属（例えばＡｕ合金）をパターニングし、そ
のあとシンタすることにより形成できる。なお、ＧａＡ
ｓ層１０８を開口せずに、ＧａＡｓ層１０８に部分的に
形成した、第４の半導体層１０７に至るｎ型領域にｎ側
電極５１１をオーミックコンタクトさせた構造でも良
い。
面側に設けられており、第４の半導体層１０７のｎ型領
域にオーミックコンタクトしている。このｎ側電極５１
１は、層間絶縁膜１０９およびＧａＡｓ層１０８に第４
の半導体層１０７を露出させる開口部５１３を形成し、
この開口部５１３を含む基板上面側領域にｎ側電極５１
１となる金属（例えばＡｕ合金）をパターニングし、そ
のあとシンタすることにより形成できる。なお、ＧａＡ
ｓ層１０８を開口せずに、ＧａＡｓ層１０８に部分的に
形成した、第４の半導体層１０７に至るｎ型領域にｎ側
電極５１１をオーミックコンタクトさせた構造でも良
い。
【００４８】第１のｐ側電極１１０ａと第１のｐ型領域
１３０ａと半導体基板５００のｎ型領域とｎ側電極５１
１とは、図示しない第１のＬＥＤを構成している。第２
のｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域１３０ｂと半導体
基板５００のｎ型領域とｎ側電極５１１とは、第２のＬ
ＥＤ５４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃ
と第１のｐ型領域１３０ｃと半導体基板５００のｎ型領
域とｎ側電極５１１とは、図示しない第３のＬＥＤを構
成している。この第４の実施形態の半導体装置のＬＥＤ
においても、ｎ側電極５１１から半導体基板５００のｎ
型領域に注入されたほぼ全ての電子は、ｐｎフロント１
３１を通してｐ側領域１３０に注入されるので、上記第
１の実施形態と同様に、発光効率を高くすることができ
る。なお、ＧａＡｓバッファ層５０２およびＧａＡｓ基
板５０１は、ｎ型またはｐ型でも良い。ＧａＡｓバッフ
ァ層５０２を半絶縁性とすることにより、電子がＧａＡ
ｓバッファ層およびＧａＡｓ基板内に拡散しないので、
このキャリアの閉じ込め効果により発光効率をより高く
することができる。
１３０ａと半導体基板５００のｎ型領域とｎ側電極５１
１とは、図示しない第１のＬＥＤを構成している。第２
のｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域１３０ｂと半導体
基板５００のｎ型領域とｎ側電極５１１とは、第２のＬ
ＥＤ５４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃ
と第１のｐ型領域１３０ｃと半導体基板５００のｎ型領
域とｎ側電極５１１とは、図示しない第３のＬＥＤを構
成している。この第４の実施形態の半導体装置のＬＥＤ
においても、ｎ側電極５１１から半導体基板５００のｎ
型領域に注入されたほぼ全ての電子は、ｐｎフロント１
３１を通してｐ側領域１３０に注入されるので、上記第
１の実施形態と同様に、発光効率を高くすることができ
る。なお、ＧａＡｓバッファ層５０２およびＧａＡｓ基
板５０１は、ｎ型またはｐ型でも良い。ＧａＡｓバッフ
ァ層５０２を半絶縁性とすることにより、電子がＧａＡ
ｓバッファ層およびＧａＡｓ基板内に拡散しないので、
このキャリアの閉じ込め効果により発光効率をより高く
することができる。
【００４９】この第４の実施形態のように、ｎ側電極を
基板下面ではなく基板上面側に設けた構造としても、上
記第１の実施形態と同様に、互いに異なる発光波長を有
するＬＥＤを高密度に集積することができる。
基板下面ではなく基板上面側に設けた構造としても、上
記第１の実施形態と同様に、互いに異なる発光波長を有
するＬＥＤを高密度に集積することができる。
【００５０】第５の実施形態 図１３は本発明の第５の実施形態の半導体発光装置の構
造を示す断面図である。なお、図１３において、図１、
図１１、または図１２と同じものには同じ符号を付して
ある。また、第５の実施形態の半導体発光装置の上面図
は、図１１において、ｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１
３０ｃをそれぞれ６３０ａ，６３０ｂ，６３０ｃとした
ものであり、この上面図（図１１）のＡ−Ａ’間の断面
図が図１３である。図１３の半導体発光装置は、ｎ側電
極を基板上面側に設けた上記第４の実施形態の半導体発
光装置において、クラッド層となる第４の半導体層１０
７および第５の半導体層１０３を設けない構造である。
造を示す断面図である。なお、図１３において、図１、
図１１、または図１２と同じものには同じ符号を付して
ある。また、第５の実施形態の半導体発光装置の上面図
は、図１１において、ｐ型領域１３０ａ，１３０ｂ，１
３０ｃをそれぞれ６３０ａ，６３０ｂ，６３０ｃとした
ものであり、この上面図（図１１）のＡ−Ａ’間の断面
図が図１３である。図１３の半導体発光装置は、ｎ側電
極を基板上面側に設けた上記第４の実施形態の半導体発
光装置において、クラッド層となる第４の半導体層１０
７および第５の半導体層１０３を設けない構造である。
【００５１】図１３の半導体装置は、半導体基板６００
と、層間絶縁膜１０９と、ｐ側電極１１０ａ，１１０
ｂ，１１０ｃと、ｎ側電極５１１（図１１参照、図１３
には図示していない）とを備えている。半導体基板６０
０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板５０１上に、半絶縁性Ｇａ
Ａｓバッファ層５０２、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（第
１の半導体層）１０４、ｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層（第
２の半導体層）１０５、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ層（第
３の半導体層）１０６、および半絶縁性ＧａＡｓ層１０
８の各半導体層を積層し、基板上面からｐ型不純物（例
えばＺｎ）を選択的にドープすることにより、ｐ型領域
６３０ａ，６３０ｂ，６３０ｃを形成したものである。
と、層間絶縁膜１０９と、ｐ側電極１１０ａ，１１０
ｂ，１１０ｃと、ｎ側電極５１１（図１１参照、図１３
には図示していない）とを備えている。半導体基板６０
０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板５０１上に、半絶縁性Ｇａ
Ａｓバッファ層５０２、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（第
１の半導体層）１０４、ｎ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層（第
２の半導体層）１０５、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ層（第
３の半導体層）１０６、および半絶縁性ＧａＡｓ層１０
８の各半導体層を積層し、基板上面からｐ型不純物（例
えばＺｎ）を選択的にドープすることにより、ｐ型領域
６３０ａ，６３０ｂ，６３０ｃを形成したものである。
【００５２】第１のｐ型領域６３０ａは、ＧａＡｓ層１
０８および第３の半導体層１０６〜第１の半導体層１０
４の部分領域に形成されている。第２のｐ型領域６３０
ｂは、ＧａＡｓ層１０８および第３の半導体層１０６〜
第２の半導体層１０５の部分領域に形成されている。第
３のｐ型領域６３０ｃは、ＧａＡｓ層１０８および第３
の半導体層１０６の部分領域に形成されている。ｐ型領
域６３０ａ，６３０ｂ，６３０ｃによるｐｎフロント１
３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃは、上記第１または第４の
実施形態と同様に、第１の半導体層１０４、第２の半導
体層１０５、第３の半導体層１０６の内部にそれぞれ形
成されている。半導体基板６００のｎ側領域は、第１〜
第３の半導体層１０４〜１０６のｐ型領域６３０以外の
領域である。また、ｎ側電極５１１は、半導体基板６０
０の上面側に設けられており、第３の半導体層１０６の
ｎ型領域またはＧａＡｓ層１０８に部分的に形成され
た、第３の半導体層１０６に至るｎ型領域にオーミック
コンタクトしている。
０８および第３の半導体層１０６〜第１の半導体層１０
４の部分領域に形成されている。第２のｐ型領域６３０
ｂは、ＧａＡｓ層１０８および第３の半導体層１０６〜
第２の半導体層１０５の部分領域に形成されている。第
３のｐ型領域６３０ｃは、ＧａＡｓ層１０８および第３
の半導体層１０６の部分領域に形成されている。ｐ型領
域６３０ａ，６３０ｂ，６３０ｃによるｐｎフロント１
３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃは、上記第１または第４の
実施形態と同様に、第１の半導体層１０４、第２の半導
体層１０５、第３の半導体層１０６の内部にそれぞれ形
成されている。半導体基板６００のｎ側領域は、第１〜
第３の半導体層１０４〜１０６のｐ型領域６３０以外の
領域である。また、ｎ側電極５１１は、半導体基板６０
０の上面側に設けられており、第３の半導体層１０６の
ｎ型領域またはＧａＡｓ層１０８に部分的に形成され
た、第３の半導体層１０６に至るｎ型領域にオーミック
コンタクトしている。
【００５３】第１のｐ側電極１１０ａと第１のｐ型領域
６３０ａと半導体基板６００のｎ型領域とｎ側電極５１
１とは、第１のＬＥＤ６４０ａを構成している。第２の
ｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域６３０ｂと半導体基
板６００のｎ型領域とｎ側電極５１１とは、第２のＬＥ
Ｄ６４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃと
第１のｐ型領域６３０ｃと半導体基板６００のｎ型領域
とｎ側電極５１１とは、第３のＬＥＤ６４０ｃを構成し
ている。
６３０ａと半導体基板６００のｎ型領域とｎ側電極５１
１とは、第１のＬＥＤ６４０ａを構成している。第２の
ｐ側電極１１０ｂと第２のｐ型領域６３０ｂと半導体基
板６００のｎ型領域とｎ側電極５１１とは、第２のＬＥ
Ｄ６４０ｂを構成している。第３のｐ側電極１１０ｃと
第１のｐ型領域６３０ｃと半導体基板６００のｎ型領域
とｎ側電極５１１とは、第３のＬＥＤ６４０ｃを構成し
ている。
【００５４】ＬＥＤ６４０においても、上記第１の実施
形態のＬＥＤと同様に、ｐｎフロント１３１がある半導
体層よりも上層にある半導体層に形成されたｐｎ接合を
通してキャリアが注入されることはなく、ほぼ全ての電
流がｐｎフロント１３１がある半導体層内のｐｎ接合を
通して流れる。ＬＥＤ６４０の発光波長は、ｐｎフロン
ト１３１が形成された半導体層（発光層）のエネルギー
バンドギャップに相当する波長となるので、ＬＥＤ６４
０ａ，６４０ｂ，６４０ｃの発光波長は、それぞれ図１
のＬＥＤ１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと同じである。
また、発光層よりもエネルギーバンドギャップの大きい
上層においては、発光層で発生した光の吸収がないの
で、発光効率を高くすることができる。
形態のＬＥＤと同様に、ｐｎフロント１３１がある半導
体層よりも上層にある半導体層に形成されたｐｎ接合を
通してキャリアが注入されることはなく、ほぼ全ての電
流がｐｎフロント１３１がある半導体層内のｐｎ接合を
通して流れる。ＬＥＤ６４０の発光波長は、ｐｎフロン
ト１３１が形成された半導体層（発光層）のエネルギー
バンドギャップに相当する波長となるので、ＬＥＤ６４
０ａ，６４０ｂ，６４０ｃの発光波長は、それぞれ図１
のＬＥＤ１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと同じである。
また、発光層よりもエネルギーバンドギャップの大きい
上層においては、発光層で発生した光の吸収がないの
で、発光効率を高くすることができる。
【００５５】図１３の半導体発光装置においては、クラ
ッド層となる第４の半導体層１０７（図１または図１２
参照）を設けていないが、半絶縁性であるＧａＡｓ層１
０８によって第３のＬＥＤ６４０ｃにおける注入された
電子の閉じ込め効果がある。また、クラッド層となる第
５の半導体層１０３（図１または図１２参照）を設けて
いないが、ＧａＡｓバッファ層５０２とＧａＡｓ基板５
０１は半絶縁性なので、第１のＬＥＤ６４０ａにおける
注入された正孔の閉じ込め効果がある。第１の半導体層
１０４下面のＧａＡｓバッファ層５０２を半絶縁性とし
ているので、この半絶縁性ＧａＡｓバッファ層５０２の
エネルギー障壁により、第１の半導体層１０４へ注入さ
れた正孔は、ＧａＡｓバッファ層５０２およびＧａＡｓ
基板５０１内へ拡散することができないので、第１の半
導体層１０４のｎ型領域に閉じ込めることができる。
ッド層となる第４の半導体層１０７（図１または図１２
参照）を設けていないが、半絶縁性であるＧａＡｓ層１
０８によって第３のＬＥＤ６４０ｃにおける注入された
電子の閉じ込め効果がある。また、クラッド層となる第
５の半導体層１０３（図１または図１２参照）を設けて
いないが、ＧａＡｓバッファ層５０２とＧａＡｓ基板５
０１は半絶縁性なので、第１のＬＥＤ６４０ａにおける
注入された正孔の閉じ込め効果がある。第１の半導体層
１０４下面のＧａＡｓバッファ層５０２を半絶縁性とし
ているので、この半絶縁性ＧａＡｓバッファ層５０２の
エネルギー障壁により、第１の半導体層１０４へ注入さ
れた正孔は、ＧａＡｓバッファ層５０２およびＧａＡｓ
基板５０１内へ拡散することができないので、第１の半
導体層１０４のｎ型領域に閉じ込めることができる。
【００５６】また、図１３の半導体発光装置において
は、第４の半導体層１０７および第５の半導体層１０３
を設けないので、各半導体層の合計の層厚を上記第１の
実施形態よりも薄くすることができる。例えば、各半導
体層をエピタキシャル層とし、上記第１の実施形態で説
明したエピタキシャル法により、各半導体層を形成する
ものとし、上記第１の実施形態と同様に第１〜第３の半
導体層１０４〜１０６の層厚をそれぞれ０．３［μ
ｍ］、ＧａＡｓバッファ層５０２の層厚を０．１［μ
ｍ］、ＧａＡｓ層１０８の層厚を０．０５［μｍ］とす
れば、合計の層厚を約１［μｍ］とすることができる。
特に第１の半導体層１０４〜ＧａＡｓ層１０８の合計の
層厚を薄くできることにより、ｐ型領域６３０ａ，６３
０ｂ，６３０ｃの拡散深さを上記第１の実施形態のｐ型
領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃよりも浅くできるの
で、横方向拡散が小さくなり、より高密度にＬＥＤを集
積することができる。また、ＧａＡｓ基板５０１に各半
導体層を形成する工程を簡略化でき、この工程およびｐ
型領域を形成する工程にかかる時間を短縮することがで
きるので、製造コストを安くすることができる。
は、第４の半導体層１０７および第５の半導体層１０３
を設けないので、各半導体層の合計の層厚を上記第１の
実施形態よりも薄くすることができる。例えば、各半導
体層をエピタキシャル層とし、上記第１の実施形態で説
明したエピタキシャル法により、各半導体層を形成する
ものとし、上記第１の実施形態と同様に第１〜第３の半
導体層１０４〜１０６の層厚をそれぞれ０．３［μ
ｍ］、ＧａＡｓバッファ層５０２の層厚を０．１［μ
ｍ］、ＧａＡｓ層１０８の層厚を０．０５［μｍ］とす
れば、合計の層厚を約１［μｍ］とすることができる。
特に第１の半導体層１０４〜ＧａＡｓ層１０８の合計の
層厚を薄くできることにより、ｐ型領域６３０ａ，６３
０ｂ，６３０ｃの拡散深さを上記第１の実施形態のｐ型
領域１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃよりも浅くできるの
で、横方向拡散が小さくなり、より高密度にＬＥＤを集
積することができる。また、ＧａＡｓ基板５０１に各半
導体層を形成する工程を簡略化でき、この工程およびｐ
型領域を形成する工程にかかる時間を短縮することがで
きるので、製造コストを安くすることができる。
【００５７】このように第５の実施形態によれば、発光
層となる半導体層群１２０の上面および下面にクラッド
層となる半導体層を設けず、半導体層群１２０下面のＧ
ａＡｓバッファ層５０２を半絶縁性としたことにより、
より高密度にＬＥＤを集積することができるとともに、
製造コストを安くすることができる。
層となる半導体層群１２０の上面および下面にクラッド
層となる半導体層を設けず、半導体層群１２０下面のＧ
ａＡｓバッファ層５０２を半絶縁性としたことにより、
より高密度にＬＥＤを集積することができるとともに、
製造コストを安くすることができる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ネルギーバンドギャップが異なるＮ個の半導体層をエネ
ルギーバンドギャップが小さい順に基板下面側から上面
側に順に大きくなるように積層した半導体層群（基板下
面側から順に第１の半導体層〜第Ｎの半導体層とする）
を有する半導体基板に、深さの異なる第１〜第Ｎのｐ型
領域を形成し、半導体基板の第１導電型領域と第ｋのｐ
型領域による第ｋのｐｎフロントが第ｋの半導体層の内
部または上面に位置する構造としたことにより、互いに
異なる発光波長を有する第１〜第ＮのＬＥＤをｐ型領域
またはｐ側電極のピッチ寸法で高密度に集積することが
できるという効果がある。
ネルギーバンドギャップが異なるＮ個の半導体層をエネ
ルギーバンドギャップが小さい順に基板下面側から上面
側に順に大きくなるように積層した半導体層群（基板下
面側から順に第１の半導体層〜第Ｎの半導体層とする）
を有する半導体基板に、深さの異なる第１〜第Ｎのｐ型
領域を形成し、半導体基板の第１導電型領域と第ｋのｐ
型領域による第ｋのｐｎフロントが第ｋの半導体層の内
部または上面に位置する構造としたことにより、互いに
異なる発光波長を有する第１〜第ＮのＬＥＤをｐ型領域
またはｐ側電極のピッチ寸法で高密度に集積することが
できるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の構
造を示す上面図である。
造を示す上面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置にお
けるＬＥＤの電流−電圧特性を示す図である。
けるＬＥＤの電流−電圧特性を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置にお
けるＬＥＤのエネルギーバンド模式図である。
けるＬＥＤのエネルギーバンド模式図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の製
造工程の一例を説明する断面図である（その１）。
造工程の一例を説明する断面図である（その１）。
【図６】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の製
造工程の一例を説明する断面図である（その２）。
造工程の一例を説明する断面図である（その２）。
【図７】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の製
造工程の一例を説明する断面図である（その３）。
造工程の一例を説明する断面図である（その３）。
【図８】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の製
造工程の一例を説明する断面図である（その４）。
造工程の一例を説明する断面図である（その４）。
【図９】本発明の第２の実施形態の半導体発光装置の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態の半導体発光装置の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図１１】本発明の第４および第５の実施形態の半導体
発光装置の構造を示す上面図である。
発光装置の構造を示す上面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態の半導体発光装置の
構造を示すＢ−Ｂ’間の断面図である。
構造を示すＢ−Ｂ’間の断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態の半導体発光装置の
構造を示すＡ−Ａ’間の断面図である。
構造を示すＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１４】従来の半導体発光装置の構造を示す断面図で
ある。
ある。
１００，２００，３００，５００，６００ 半導体基
板、 １０３，２０３Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層（第５の半
導体層）、 １０４，２０４ Ａｌx Ｇａ1-xＡｓ層
（第１の半導体層）、 １０５，２０５ Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ層（第２の半導体層）、 １０６，２０６ Ａ
ｌz Ｇａ1-z Ａｓ層（第３の半導体層）、１０７，２０
７ Ａｌt Ｇａ1-t Ａｓ層（第４の半導体層）、 １０
８ ＧａＡｓ層、 １１０，２１１ ｐ側電極、 １１
１，２１０，５１１ ｎ側電極、１１２，５１３ 開口
部、 １２０，２２０ 半導体層群、 １３０，３３
０，６３０ ｐ型領域、 １３１，３３１ ｐｎフロン
ト、 １４０，３４０，５４０，６４０ ＬＥＤ、 ２
３０ ｎ型領域、 ５０２ 半絶縁性ＧａＡｓバッファ
層、 ７０１ 拡散マスク膜、 ７０２ 拡散制御膜、
７０４ 拡散源膜、７０５ アニールキャップ膜。
板、 １０３，２０３Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層（第５の半
導体層）、 １０４，２０４ Ａｌx Ｇａ1-xＡｓ層
（第１の半導体層）、 １０５，２０５ Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ層（第２の半導体層）、 １０６，２０６ Ａ
ｌz Ｇａ1-z Ａｓ層（第３の半導体層）、１０７，２０
７ Ａｌt Ｇａ1-t Ａｓ層（第４の半導体層）、 １０
８ ＧａＡｓ層、 １１０，２１１ ｐ側電極、 １１
１，２１０，５１１ ｎ側電極、１１２，５１３ 開口
部、 １２０，２２０ 半導体層群、 １３０，３３
０，６３０ ｐ型領域、 １３１，３３１ ｐｎフロン
ト、 １４０，３４０，５４０，６４０ ＬＥＤ、 ２
３０ ｎ型領域、 ５０２ 半絶縁性ＧａＡｓバッファ
層、 ７０１ 拡散マスク膜、 ７０２ 拡散制御膜、
７０４ 拡散源膜、７０５ アニールキャップ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷中 真澄 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】 発光波長が異なる複数の発光素子を有す
る半導体発光装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板の第１導電型領域にコンタクトする第１
導電側電極と、 前記半導体基板の複数の第２導電型領域にそれぞれ個別
にコンタクトする複数の第２導電側電極とを備え、 前記半導体基板が、 発光層となる半導体層群と、 半導体層群を部分的に含む前記第１導電型領域と、 それぞれ基板上面の一部から半導体層群に達する前記複
数の第２導電型領域と、 前記第１導電型領域と前記複数の第２導電型領域により
それぞれ形成された複数のｐｎ接合面とを有し、 前記半導体層群が、エネルギーバンドギャップの異なる
複数の半導体層をエネルギーバンドギャップの小さい順
に基板下面側から上面側に積層したものであり、 それぞれの半導体層の内部または上面に、１個以上のｐ
ｎ接合面のフロント部が形成されていることを特徴とす
る半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記半導体層群は、Ａｌ組成比の異なる
複数のＡｌＧａＡｓ層をＡｌ組成比が小さき順に基板下
面側から上面側に積層したものであることを特徴とする
請求項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記半導体基板が、さらに、前記半導体
層群の上面に位置し、前記半導体群内の最上層の半導体
層よりもエネルギーバンドギャップが大きい半導体層を
有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装
置。 - 【請求項４】 前記半導体層群は、Ａｌ組成比の異なる
複数のＡｌＧａＡｓ層をＡｌ組成比が小さき順に基板下
面側から上面側に積層したものであり、 前記エネルギーバンドギャップが大きい半導体層は、前
記半導体群内の最上層のＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌ組成
比が大きいＡｌＧａＡｓ層であることを特徴とする請求
項４記載の半導体発光装置。 - 【請求項５】 前記半導体基板が、さらに、前記半導体
層の下面に位置し、前記半導体層群内の最下層の半導体
層よりもエネルギーバンドギャップが大きい半導体層を
有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装
置。 - 【請求項６】 前記半導体層群は、Ａｌ組成比の異なる
複数のＡｌＧａＡｓ層をＡｌ組成比が小さき順に基板下
面側から上面側に積層したものであり、 前記エネルギーバンドギャップが大きい半導体層は、前
記半導体群内の最下層のＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌ組成
比が大きいＡｌＧａＡｓ層であることを特徴とする請求
項５記載の半導体発光装置。 - 【請求項７】 前記半導体基板が、さらに、前記半導体
層群よりも基板下面側に形成された半絶縁性半導体層を
有し、 前記第１導電側電極および前記第２導電側電極が、前記
半導体基板の上面側に形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項８】 前記半導体基板が、さらに、最上層に、
前記第２導電側電極とのオーミックコンタクトを形成す
るための半導体層を有し、 前記オーミックコンタクトを形成するための半導体層
が、第２導電型領域と、半絶縁性領域とにより構成され
ていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装
置。 - 【請求項９】 前記第２導電型領域は、基板上面から第
２導電型不純物を選択的にドープすることにより形成さ
れたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体
発光装置。 - 【請求項１０】 前記半導体基板が、III −Ｖ族半導体
であり、 前記第１導電型が、ｎ型であり、 前記第２導電型不純物が、Ｚｎである、 ことを特徴とする請求項９の半導体発光装置。 - 【請求項１１】前記半導体基板が、III −Ｖ族半導体で
あり、 前記第１導電型が、ｐ型であり、 前記第２導電型不純物が、ＳｎまたはＳｉであることを
特徴とする請求項９の半導体発光装置。 - 【請求項１２】 発光波長が異なる複数の発光素子を有
する半導体発光装置の製造方法であって、 エネルギーバンドギャップの異なる複数の第１導電型半
導体層をエネルギーバンドギャップの小さい順に基板下
面側から上面側に積層した半導体層群を有する半導体基
板を用意する工程と、 互いに分離された複数の基板上面領域から異なる深さま
で第２導電型不純物をドープし、前記半導体基板に複数
の第２導電型領域を形成することにより、前記半導体層
群のそれぞれの半導体層の内部または上面に１個以上の
ｐｎ接合面のフロント部が位置するように、前記半導体
基板の第１導電型領域と前記第２導電型領域による複数
のｐｎ接合面を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記第１導電型半導体層が、エピタキ
シャル層であることを特徴とする請求項１２記載の半導
体発光装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記ｐｎ接合面を形成する工程が、 固相拡散法、気相拡散法、またはイオンインプランテー
ション法により第２導電型不純物をドープするものであ
ることを特徴とする請求項１２記載の半導体発光装置の
製造方法。 - 【請求項１５】 拡散アニールまたはイオンインプラン
テーションの前に、前記複数の基板上面領域に膜厚の異
なるドープ制御膜をそれぞれ形成し、１回の拡散アニー
ルまたはイオンインプランテーションでフロント部の深
さが異なる複数のｐｎ接合を同時に形成するものである
ことを特徴とする請求項１４記載の半導体発光装置の製
造方法。 - 【請求項１６】 前記ｐｎ接合面を形成する工程が、 前記半導体基板の上面に、前記基板上面領域をそれぞれ
露出させる複数の開口部を有する拡散マスク膜を形成す
る工程と、 前記複数の開口部上に膜厚の異なる拡散制御膜をそれぞ
れ形成する工程と、 この上に第２導電型不純物を含む拡散源膜を形成する工
程と、 この上にアニールキャップ膜を形成する工程と、 アニールキャップ膜の形成が済んだ半導体基板をアニー
ルし、前記拡散源膜の前記第２導電型不純物を前記開口
部のみから前記半導体基板中に拡散させる工程とを含む
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体発光装置の製
造方法。 - 【請求項１７】 さらに、 前記半導体基板の第１導電型領域にコンタクトする第１
導電側電極を形成する工程と、 前記半導体基板の複数の第２導電型領域にそれぞれ個別
にコンタクトする複数の第２導電側電極を形成する工程
とを含むことを特徴とする請求項１２記載の半導体発光
装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120098A JPH11233816A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US09/188,896 US6144043A (en) | 1998-02-13 | 1998-11-10 | Light emitting semiconductor device having plural light emitting elements with different junction depth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120098A JPH11233816A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233816A true JPH11233816A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12324786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3120098A Pending JPH11233816A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6144043A (ja) |
| JP (1) | JPH11233816A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081416A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光領域における横方向電流注入を備えた半導体発光装置 |
| JP2007273570A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子を含む電気回路装置 |
| JP2010232622A (ja) * | 2008-06-03 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法 |
| WO2011115414A2 (ko) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | 한국광기술원 | 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4116260B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2008-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| CN102683565A (zh) | 2006-10-05 | 2012-09-19 | 三菱化学株式会社 | 使用GaN LED芯片的发光器件 |
| JP4454689B1 (ja) * | 2009-09-10 | 2010-04-21 | 有限会社ナプラ | 発光ダイオード、発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯 |
| KR101150861B1 (ko) * | 2010-08-16 | 2012-06-13 | 한국광기술원 | 멀티셀 구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| US9948062B2 (en) * | 2015-09-14 | 2018-04-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lighting structure with light modulation control |
| DE102017112127A1 (de) | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4148045A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Multicolor light emitting diode array |
| US4199385A (en) * | 1977-09-21 | 1980-04-22 | International Business Machines Corporation | Method of making an optically isolated monolithic light emitting diode array utilizing epitaxial deposition of graded layers and selective diffusion |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP3120098A patent/JPH11233816A/ja active Pending
- 1998-11-10 US US09/188,896 patent/US6144043A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081416A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光領域における横方向電流注入を備えた半導体発光装置 |
| JP2007273570A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子を含む電気回路装置 |
| JP2010232622A (ja) * | 2008-06-03 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法 |
| WO2011115414A2 (ko) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | 한국광기술원 | 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
| WO2011115414A3 (ko) * | 2010-03-17 | 2011-12-29 | 한국광기술원 | 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
| US8765505B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-07-01 | Korea Photonics Technology Institute | Multi-luminous element and method for manufacturing same |
| US9508897B2 (en) | 2010-03-17 | 2016-11-29 | Korea Photonics Technology Institute | Multi-luminous element and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6144043A (en) | 2000-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4644378A (en) | Semiconductor device for generating electromagnetic radiation | |
| US7554109B2 (en) | Quantum dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth and methods of manufacture | |
| KR101358701B1 (ko) | 여러 파장의 광을 방출하도록 구성된 반도체 발광 장치 | |
| JP6701385B2 (ja) | 発光デバイスにおいて層を成長させるためにリモートプラズマ化学気相堆積およびスパッタリング堆積を使用するための方法 | |
| US7479731B2 (en) | Multicolor light-emitting lamp and light source | |
| EP2204854A1 (en) | Iii nitride semiconductor light emitting element | |
| US5008891A (en) | Semiconductor light-emitting devices | |
| JPH07183576A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP6745361B2 (ja) | 発光デバイスのｐ型層を形成する方法 | |
| JPH11233816A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| US6222208B1 (en) | Light-emitting diode and light-emitting diode array | |
| US11158666B2 (en) | Multiple wavelength light-emitting diode epitaxial structure with asymmetric multiple quantum wells | |
| KR100832670B1 (ko) | 화합물 반도체 발광 소자 | |
| JP3813010B2 (ja) | 発光ダイオード素子及び発光ダイオード素子アレイ | |
| US20230209676A1 (en) | Nitride-based multi-wavelength light emitting diode system and control method thereof | |
| JPH07169993A (ja) | 半導体構造体および半導体発光素子 | |
| KR102113104B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR100608919B1 (ko) | 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| JPH1197743A (ja) | 発光素子、発光素子アレイ及び発光素子の製造方法 | |
| JPH04253381A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| KR20210034073A (ko) | 반도체 콘택 층을 구비한 광전자 반도체 소자 및 상기 광전자 반도체 소자를 제조하기 위한 방법 | |
| CA3191933A1 (en) | Activation of p-type layers of tunnel junctions | |
| KR20200129216A (ko) | 웨이퍼 레벨 모노리식 다파장 발광 디바이스 및 그가 전사된 다파장 디스플레이 | |
| JP2001257378A (ja) | 発光素子アレイおよびその製造方法 | |
| JPH1174565A (ja) | 発光ダイオードアレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040819 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070323 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070710 |