KR20110090284A - 반도체 제조용 서셉터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 서셉터의 기체 배기 구조에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 제조용 서셉터에 있어서, 서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 상기 각각의 핀 삽입 홀의 주변에 복수 개의 배기구가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터를 제공한다.
따라서, 에이퍼 상에 에피택셜층을 증착하는 공정에서, 서셉터와 웨이퍼의 사이로 주입된 수소 기체와 실리콘 소스 가스 등이 정체되지 않고 홈 및/또는 배기구를 통하여 균일하게 확산 및 배기되어, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)가 발생하지 않는다.

Description

반도체 제조용 서셉터{Susceptor for manufacturing semiconductor}
본 발명은 반도체 제조용 서셉터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서셉터의 기체 배기 구조에 관한 것이다.
다결정 실리콘을 단결정 실리콘으로 만드는데 이용되는 가장 보편적인 방법이 초크랄스키(czochralski) 방법이다.
그리고, 초크랄스키 방법에 의해 성장된 원통형 잉고트를 절단기를 이용하여 디스크(disc) 모양으로 얇게 절단한 후에 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 얇은 웨이퍼를 만든다. 이때, 웨이퍼의 종류는 첨가된 불순물의 종류와 그 양에 의하여 결정되는데, 주기율 5족 물질인 인(Phosphorus, P) 또는 비소(Arsenic, As)와 같은 n형 불순물이 첨가되면 n형 웨이퍼로, 주기율 3족 물질인 붕소(Boron, B)와 같은 p형 불순물이 첨가되면 p형 웨이퍼로 만들어진다. 불순물은 실리콘 웨이퍼 전체에 골고루 분포되어야 하며, 불순물의 농도에 따라서 기판의 저항값은 좌우된다.
한편, 초크랄스키 방법을 통해 성장시키는 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 결정 방향(crystal orientation)을 맞추어서 새로운 고순도의 결정층을 형성하는 공정을 에피택셜 성장법(epitaxial growth) 또는 에피택셜 (epitaxial)법이라 하고, 이렇게 형성된 층을 에피택셜층(epitaxial layer) 또는 에피층(epi-layer)이라고 한다.
상술한 에피택셜층을 증착하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
에피택셜 웨이퍼는 기판으로 사용되는 폴리쉬드 웨이퍼 (Polished Wafer)에 대략 1130도(℃)의 고온으로 가열된 반응기의 화학 기상 증착법에 의해 얇은 단결정 층을 형성한 웨이퍼이다. 이때 화학 기상 증착 법은 원료로 사용되는 가스를 기상에서 고상으로 상변이를 유도하기 때문에, 원료 가스의 유체 흐름, 기판 웨이퍼를 지지해 주는 서셉터의 재질 및 모형, 원료 가스를 라디컬로 분해 시켜주는 에너지 원의 조화가 중요하다. 특히 300mm의 대구경 웨이퍼에서는 웨이퍼 끝 (Edge) 부분까지 균일한 에피탁셜 층 증착이 어렵기 때문에 반응기 내 가스의 유체 흐름과 서셉터 모형이 중요한 변수이다.
도 1은 종래의 서셉터의 문제점을 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 서셉터 상에 웨이퍼가 안착된다. 여기서, 상기 웨이퍼는 경면 가공된 반도체 웨이퍼에 단결정의 얇은 에피택셜 막을 성장시킨 것이다.
그리고, 고온으로 가열된 반응기 내에 상기 서셉터를 반입하여 3점 지지 형식의 리프트 핀(lift pin) 위에 놓고, 상기 서셉터 상에 놓인 웨이퍼를 고온으로 가열 한 뒤 수소 기체 등의 소스 가스(Source gas)를 흘려주어 웨이퍼 위에 단결정 막이 성장되게 하는 것이 CVD 방법으로 알려져 있다.
여기서, 에피택셜 반응기의 경우 실리콘 웨이퍼가 반응기 내에 안착할 수 있는 서셉터는 리프트 핀이 위/아래로 움직일 수 있도록, 상기 리트프 핀의 반경만큼의 구멍을 가지게 된다.
이때, 웨이퍼는 에피택셜 공정 진행 전에는 자연 산화막 층으로 덮여 있어 에피택셜 공정을 진행하면 다결정의 에피택셜 층이 형성된다. 따라서, 자연산화막 제거를 위해 웨이퍼의 표면을 1150℃ 정도의 고온에서 H2 (Hydrogen) 가스에 노출시키는 과정을 거치게 된다. 이 과정 동안 웨이퍼 표면의 자연 산화막은 고르게 제거되나, 웨이퍼의 후면은 에지 영역 및 서셉터와 리프트 핀 사이의 공간으로 유입된 수소 가스에 의해 부분적으로 자연 산화막이 제거된다.
즉, 오토 도핑(Autodoping) 제어를 위해 웨이퍼의 후면이 저온에서 형성된 실리콘 산화물(SiO2)로 덮여 있는 구조의 웨이퍼는 수소 가스와 반응율이 낮으므로 크게 문제되지 않으나, 후면이 경면처리 되어있는 웨이퍼에서는 국부적으로 자연 산화막이 제거되는 문제가 발생한다.
즉, 경면 처리된 웨이퍼에 수소 가스와 (SiHCl3)가스가 유입되면, 산화막이 제거된 영역에는 실리콘 에피택셜 층이 형성되지만 산화막이 남아 있는 영역에는 다결정의 실리콘층이 형성된다.
따라서, 경면 처리된 웨이퍼의 후면은 불균일한 에피택셜층 성장에 의해 에지 영역 및 리프트 핀 주위에 흐리게 관찰되는 영역(Halo) 이 발생한다. 또한, 반응기에 웨이퍼가 반입되어 서셉터에 안착될 때 반응 가스가 웨이퍼와 서셉터 사이에 유입되어 배기되기 못하면 웨이퍼의 중앙 부분에도 헤일로(halo)가 발생한다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 에이퍼 상에 에피택셜층을 증착하는 공정에서, 서셉터와 웨이퍼의 사이로 주입된 수소 기체와 실리콘 소스 가스 등을 정체되지 않고 균일하게 확산 및 배기하여, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)를 예방하고자 하는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은, 반도체 제조용 서셉터에 있어서, 서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 상기 각각의 핀 삽입 홀의 주변에 복수 개의 배기구가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터를 제공한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 반도체 제조용 서셉터에 있어서, 서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 상기 바디의 에지에 복수 개의 배기구가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터를 제공한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 반도체 제조용 서셉터에 있어서, 서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 웨이퍼와 대향하는 상기 바디 상에 복수 개의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터를 제공한다.
여기서, 상기 배기구는 수직 방향에 대하여 15~45도로 경사지게 형성된다.
그리고, 웨이퍼와 대향하는 상기 바디 상에 복수 개의 홈이 형성된다.
또한, 상기 복수 개의 홈 사이의 상기 바디가 함몰되어 상기 복수 개의 홈을 연결한다.
상술한 본 발명에 따른 반도체 제조용 서셉터의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 웨이퍼 상에 에피택셜층을 증착하는 공정에서, 서셉터와 웨이퍼의 사이로 주입된 수소 기체와 실리콘 소스 가스 등이 정체되지 않고 홈 및/또는 배기구를 통하여 균일하게 확산 및 배기되어, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)가 발생하지 않는다.
둘째, 서셉터 상의 배기구가 바디와 소정 각도 경사지게 형성되어, 서셉터 상의 웨이퍼에 램프의 열이 직접 전달되지 않는다.
도 1은 종래의 서셉터의 문제점을 나타낸 도면이고,
도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 서셉터의 일실시예의 평면도 및 단면도이고,
도 3a 및 3b는 본 발명에 따른 서셉터의 다른 실시예의 평면도 및 단면도이고,
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 서셉터의 또 다른 실시예의 단면도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 서셉터의 일실시예의 평면도 및 단면도이다. 이하에서, 도 2a 및 2b를 참조하여 본 발명에 따른 서셉터의 일실시예를 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 서셉터(100)은 리프트 핀(lift fin) 삽입 홀(120)이 적어도 3개 형성되어 있다. 여기서, 바디(110) 상에 안착되는 웨이퍼(210)를 지지해야 하므로, 상기 리프트 핀(lift fin) 삽입 홀(120)은 적어도 3개가 구비되는 것이 바람직하다. 그리고, 서셉터(100)의 바디(110)는 소정 두께를 갖고 원반형으로 이루어진다.
상술한 서셉터는 웨이퍼의 표면에 에피택셜층을 화학기상 증착법 등으로 적층하는데 사용되며, 300 밀리미터(mm)의 웨이퍼에 사용하고자 하는 경우의 크기는 다음과 같다.
약 300 밀리미터의 직경을 갖는 웨이퍼(210)는 ±0.2 밀리미터의 공차를 갖는다. 그리고, 상기 리프트 핀 삽입 홀(120)을 연결하는 가상의 원은 약 227.8 밀리미터의 직경이면 충분하다.
그리고, 상기 리프트 핀 삽입 홀(120)의 주변에 배기구(130)가 형성된 것을 특징으로 한다. 여기서, 각각의 리프트 핀 삽입 홀(120)마다 주변에 배기구(130)가 형성되는 것이 바람직하다.
도 2b에서는 서셉터(100)의 일부분의 단면을 나타내고 있으며, 배기구(130)는 점선으로 도시하고 있다.
상기 배기구(130)는 상기 리프트 핀 삽입 홀(120) 등을 통하여 상기 서셉터(100)와 상기 웨이퍼(210) 사이로 주입된 수소 등의 기체를 배출하기 위한 것이다.
따라서, 상기 배기구(130)의 크기는 기체를 배기할 수 있으면 충분하며, 리프트 핀 삽입 홀(120)보다는 작은 것이 바람직하다. 그리고, 상기 배기구(130)의 형상은 원형이 바람직하나, 다른 형상이어도 기체 배기에 충분하다.
그리고, 상기 리프트 핀 삽입 홀(120)의 주변에 각각 5개의 배기구(130)가 도시되어 있으나, 개수는 그 이하/이상이어도 무방하다.
또한, 상기 각각의 배기구(130)는 수직 방향에 대하여 15~45도로 경사지게 형성될 수 있다. 여기서, 수직 방향이라 함은 서셉터(100)의 바디(110)와 수직한 방향을 의미하며, 상기 리프트 핀(200)과 나란한 방향이 된다.
여기서, 만일 상기 배기구(130)가 상기 리프트 핀 삽입 홀(120)과 평행하게 형성되면, 서셉터(100) 상의 웨이퍼(210)에 램프의 열이 직접 전달될 수 있으므로 비스듬하게 경사를 주어 열이 직접 웨이퍼(210)로 전달되는 것을 방지하고자 함이다.
즉, 웨이퍼(210)에 열이 직접 전달되면, 웨이퍼 상에 발생할 수 있는 슬립(slip)이나 데미지가 경미하더라도 웨이퍼의 스트레스(stress)가 심해질 수 있기 때문이다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 삽입 홀(120)을 통하여 상기 서셉터(100)와 상기 웨이퍼(210)의 사이로 주입된 수소(H2) 기체와 실리콘 소스 가스(Si source gas) 등이, 정체되지 않고 균일하게 확산되고 상기 배기구(130)를 통하여 배출되므로, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)를 예방할 수 있다.
그리고, 이러한 효과는 웨이퍼의 후면에 산화막이 형성되지 않은 Nonbackseal 웨이퍼의 경우에 현저하다 할 것이다.
도 3a 및 3b는 본 발명에 따른 서셉터의 다른 실시예의 평면도 및 단면도이다. 이하에서, 도 3a 및 3b를 참조하여 본 발명에 따른 서셉터의 다른 실시예를 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 서셉터(100)은 리프트 핀(lift fin) 삽입 홀(120)이 적어도 3개 형성되어 있다. 여기서, 바디(110) 상에 안착되는 웨이퍼(210)를 지지해야 하므로, 상기 리프트 핀(lift fin) 삽입 홀(120)은 적어도 3개가 구비되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 서셉터(100)의 바디(110)의 에지에 복수 개의 배기구(140)가 형성된다. 도 3b에서는 서셉터(100)의 일부분의 단면을 나타내고 있으며, 배기구(140)는 점선으로 도시하고 있다.
상기 배기구(140)는 상기 리프트 핀 삽입 홀(120) 등을 통하여 상기 서셉터(100)와 상기 웨이퍼(210) 사이로 주입된 수소 등의 기체를 배출하기 위한 것이다.
따라서, 상기 배기구(140)의 크기는 기체를 배기할 수 있으면 충분하며, 리프트 핀 삽입 홀(120)보다는 작은 것이 바람직하다. 그리고, 상기 배기구(140)의 형상은 원형이 바람직하나, 다른 형상이어도 기체 배기에 충분하다.
그리고, 상기 배기구(140)의 개수는 특별한 제한이 없으며, 수소 기체 등을 배출할 수 있으면 충분하다.
또한, 상기 각각의 배기구(140)는 수직 방향에 대하여 15~45도로 경사지게 형성될 수 있다. 여기서, 수직 방향이라 함은 서셉터(100)의 바디(110)와 수직한 방향을 의미하며, 상기 리프트 핀(200)과 나란한 방향이 된다.
여기서, 만일 상기 배기구(140)가 상기 리프트 핀 삽입 홀(120)과 평행하게 형성되면, 서셉터(100) 상의 웨이퍼(210)에 램프의 열이 직접 전달될 수 있으므로 비스듬하게 경사를 주어 열이 직접 웨이퍼(210)로 전달되는 것을 방지하고자 함이다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 삽입 홀(120)을 통하여 상기 서셉터(100)와 상기 웨이퍼(210)의 사이로 주입된 수소(H2) 기체와 실리콘 소스 가스(Si source gas) 등이, 정체되지 않고 균일하게 확산되고 상기 배기구(130)를 통하여 배출되므로, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)를 예방할 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 서셉터의 또 다른 실시예의 단면도이다. 이하에서 도 4a 및 4b를 참조하여, 본 발명에 따른 서셉터의 또 다른 실시예를 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 서셉터(100)은 리프트 핀(lift fin) 삽입 홀(120)이 적어도 3개 형성되어 있다. 여기서, 바디(110) 상에 안착되는 웨이퍼(210)를 지지해야 하므로, 상기 리프트 핀(lift fin) 삽입 홀(120)은 적어도 3개가 구비되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 웨이퍼(210)와 대향하는 상기 바디(110) 상에 복수 개의 홈(150)이 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 홈(150)은 상기 리프트 핀 삽입 홀(120) 등을 통하여 상기 서셉터(100)와 상기 웨이퍼(210) 사이로 주입된 수소 등의 기체의 통로로서의 역할을 할 수 있다.
즉, 도시된 바와 같이, 수소(H2) 기체와 실리콘 소스 가스(Si source gas) 등이 정체되지 않고 균일하게 확산되어, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)를 예방할 수 있다.
그리고, 상기 복수 개의 홈(150) 사이의 상기 바디(110)가 함몰되어 상기 복수 개의 홈(150)을 서로 연결할 수 있다. 즉, 각각의 홈(150)이 서로 분리되어 있으면 수소 기체 등의 이동이 원활하지 않을 수 있으므로, 각각의 홈(150)이 서로 연결되게 형성할 수 있다. 여기서, 각각의 홈(150)을 연결하는 통로는 상기 홈(150)보다 낮은 깊이에 형성되어도 충분하다.
도 4b는 상기 복수 개의 홈(150) 사이를 연결하는 다른 실시예를 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 상기 바디(110) 상의 홈(150)들은 그 저면에서 서로 연결되어 있다. 즉, 각각의 홈(150)들을 연결하는 통로(160)가 지하차도와 같이 형성되어 있다. 여기서, 점선으로 도시된 것은, 각각의 홈(150)이 서셉터(100)의 바디(110)에서 완전히 분리되지 않았음을 나타내고 있다.
그리고, 상술한 실시예들에서 리프트 핀 삽입 홀 주변의 배기구와, 서셉터 바디의 에지 상의 배기구, 및 서셉터 바디 상의 홈이 함께 형성될 수도 있으며, 이때 상술한 효과는 더욱 크다.
상술한 서셉터를 사용하여 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시키는 방법을 설명하면 다음과 같다.
챔버 내의 서셉터 상에 웨이퍼를 안착시킨다. 여기서, 서셉터의 구체적인 구성은 상술한 바와 같다. 그리고, 상기 서셉터는 지지대를 통하여 지지되고, 열원에서 방출된 열은 히팅 와이어을 통하여 서셉터를 거쳐서 웨이퍼에 전달된다.
상기 웨이퍼를 챔버 내의 서셉터에 안착한 후, 챔버 덮개로 밀봉하고 증착 화학 기상 증착 공정이 진행된다. 상기 공정은 1100℃~1200℃의 온도와 대기압 하에서 진행될 수 있고, 소스로서 SiHCl3과 도펀트로서 B2H6와 PH3와 메인 스트림으로서 H2가 포함된 가스를 주입하여 에피택셜층의 증착이 이루어진다.
그리고, 서셉터와 웨이퍼의 사이로 주입된 수소 기체와 실리콘 소스 가스 등이 정체되지 않고 홈 및/또는 배기구를 통하여 균일하게 확산 및 배기되어, 웨이퍼 후면에 실리콘이 이상 성장되는 헤일로(Halo)가 발생하지 않으며, 서셉터 상의 배기구가 바디와 소정 각도 경사지게 형성되어, 서셉터 상의 웨이퍼에 램프의 열이 직접 전달되지도 않는다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 서셉터 110 : 바디
120 : 리프트 핀 삽입 홀 130, 140 : 배기구
150 : 홈 160 : 통
200 : 리프트 핀 210 : 웨이퍼

Claims (10)

  1. 반도체 제조용 서셉터에 있어서,
    서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 상기 각각의 핀 삽입 홀의 주변에 복수 개의 배기구가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  2. 반도체 제조용 서셉터에 있어서,
    서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 상기 바디의 에지에 복수 개의 배기구가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 배기구는, 수직 방향에 대하여 15~45도로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    웨이퍼와 대향하는 상기 바디 상에 복수 개의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수 개의 홈 사이의 상기 바디가 함몰되어 상기 복수 개의 홈을 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  6. 반도체 제조용 서셉터에 있어서,
    서셉터의 바디에 웨이퍼를 지지하는 핀(fin) 삽입 홀이 적어도 3개 구비되고, 웨이퍼와 대향하는 상기 바디 상에 복수 개의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 각각의 핀 삽입 홀의 주변에 형성된 복수 개의 배기구를 더 포함하는 반도체 제조용 서셉터.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 바디의 에지에 형성된 복수 개의 배기구를 더 포함하는 반도체 제조용 서셉터.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 배기구는, 수직 방향에 대하여 15~45도로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
  10. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 개의 홈 사이의 상기 바디가 함몰되어 상기 복수 개의 홈을 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 서셉터.
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US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
CN100338734C (zh) * 2001-11-30 2007-09-19 信越半导体株式会社 基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延晶片的制造方法和外延晶片
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