KR20110082834A - 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법 - Google Patents

패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110082834A
KR20110082834A KR1020100002742A KR20100002742A KR20110082834A KR 20110082834 A KR20110082834 A KR 20110082834A KR 1020100002742 A KR1020100002742 A KR 1020100002742A KR 20100002742 A KR20100002742 A KR 20100002742A KR 20110082834 A KR20110082834 A KR 20110082834A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
pattern
electromagnet
patterning
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020100002742A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101084185B1 (ko
Inventor
이현철
박재석
노철래
임원규
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020100002742A priority Critical patent/KR101084185B1/ko
Priority to JP2010155912A priority patent/JP5017430B2/ja
Priority to US12/929,209 priority patent/US8420156B2/en
Publication of KR20110082834A publication Critical patent/KR20110082834A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101084185B1 publication Critical patent/KR101084185B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법이 개시된다. 전류가 흐르는 위치를 선택적으로 제어함으로써 전기장이 발생되는 위치를 선택적으로 제어할 수 있는 전자석 기판을 제공하는 단계, 패턴이 형성될 수 있는 패터닝 기판을 제공하고 패터닝 기판의 일면에 전자석 기판을 정렬시키는 단계, 전자석 기판에 선택적으로 전류를 가하고 패터닝 기판의 타면에 전기장에 반응하는 마스킹 분말을 근접시키는 단계, 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계, 전자석 기판에 흐르는 전류를 차단하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법은, 대형 기판에 정밀도 높은 패턴을 구현할 수 있고, 패턴 형성 후 마스킹 분말의 제거가 용이하여 기판의 오염을 방지할 수 있다.

Description

패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법{Method for forming pattern and manufacturing method for organic light emitting device}
본 발명은 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자석 기판에서 발생되는 전기장을 이용한 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 자발 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다.
이러한 유기 발광 소자에서 유기막을 이루는 유기 발광재료는 소정의 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 진공 중에서 증착하는 방법을 많이 사용하고 있다. 상기와 같이 마스크를 이용하여 유기막을 패터닝하는 방법에 있어서, 발광층인 유기막을 패터닝시키는 기술은 풀 칼라 유기 발광 소자를 제조하는 데 있어서 매우 중요한 기술이다.
한편, 통상적으로 유기 발광 소자의 제조과정에서 사용되는 기판은 한번의 공정으로 여러 개의 유기 발광 소자를 제조할 수 있도록 대형 기판이 사용된다. 또한, 대형 디스플레이에 대한 요구가 커지면서 디스플레이 자체도 대형화되고 있는 추세이다.
그런데, 이러한 대형 기판은 그 크기가 커질수록 증착 공정에서 중력에 의해 쳐지기 때문에, 상기와 같이, 마스크를 개재하여 증착할 때에, 패턴의 정밀도를 높이기 어려운 문제가 있다.
본 발명은 전자석 기판을 이용하여 정밀도 높게 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 대형 기판에 대한 패턴 형성에 더욱 적합한 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 전류가 흐르는 위치를 선택적으로 제어함으로써 전기장이 발생되는 위치를 선택적으로 제어할 수 있는 전자석 기판을 제공하는 단계, 패턴이 형성될 수 있는 패터닝 기판을 제공하고 패터닝 기판의 일면에 전자석 기판을 정렬시키는 단계, 전자석 기판에 선택적으로 전류를 가하고 패터닝 기판의 타면에 전기장에 반응하는 마스킹 분말을 근접시키는 단계, 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계, 전자석 기판에 흐르는 전류를 차단하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 전류가 흐르는 위치를 선택적으로 제어함으로써 전기장이 발생되는 위치를 선택적으로 제어할 수 있는 전자석 기판을 제공하는 단계, 복수의 화소전극이 구비된 패터닝 기판을 준비하는 단계, 패터닝 기판의 일면에 전자석 기판을 정렬시키는 단계, 전자석 기판에 선택적으로 전류를 가하고, 패터닝 기판의 타면의 적어도 화소전극의 일부에 전기장에 반응하는 마스킹 분말을 근접시키는 단계, 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계, 전자석 기판에 흐르는 전류를 차단하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법이 제공된다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면 전기장에 반응하는 마스킹 분말을 사용하여 마스크를 형성함으로써 대형 기판에 정밀도 높은 패턴을 구현할 수 있고, 패턴 형성 후 마스킹 분말의 제거가 용이하여 기판의 오염을 방지할 수 있다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 나타낸 순서도.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 나타낸 흐름도.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법을 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 나타낸 순서도이고, 도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 도 2와 같이 전자석 기판(10)을 제공한다(S100). 여기에서 전자석 기판은 전류의 흐름에 따라 전기장을 발생시키는 장치이며, 전류의 흐름을 제어함으로써 전자석 기판에 발생하는 전기장을 제어할 수 있다. 그리고 본 발명의 일 실시예에 따르면 도 2에 도시된 바와 같이 전자석 기판은 기판(11)에 복수의 전선(12)이 결합된 구조가 사용될 수 있다. 전선은 기판에 부착되거나 권선된 형태, 또는 기판 내부에 함몰된 구조일 수 있다. 기판은 부착된 전선에 의해 전기장을 형성할 수 있는 물질로 형성된다. 복수의 전선에는 각각 독립적으로 전류가 흐르며, 이러한 전류의 흐름은 사용자의 선택적에 따라 임의로 제어될 수 있다.
이러한 전자석 구조로 인해 전류가 흐르는 위치를 선택적으로 제어할 수 있으며, 그에 따라 전자석 기판(10)에 발생하는 전기장은 전류가 흐르는 위치에 상응하는 곳에서 선택적으로 발생하게 된다. 그리고 전자석 기판에 발생하는 전기장의 크기는 전자석 기판에 결합된 전선(12)의 굵기 또는 전선에 흐르는 전류의 세기에 따라 조절될 수 있다. 즉, 전선을 굵게 설계하거나 전선에 흐르는 전류의 세기를 크게 할수록 전자석 기판에 선택적으로 발생하는 전기장의 크기는 커질 수 있다.
상기 전선(12)의 패턴은 후술하는 패터닝 기판(20)에 형성될 패턴과 관련되도록 형성할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 패턴이 형성될 수 있는 패터닝 기판(20)을 제공하고, 패터닝 기판의 일면에 전술한 전자석 기판을 정렬시킨다(S200). 본 발명의 일 실시예에 따르면 패터닝 기판은 유기 발광 소자(OLED)를 제조할 수 있는 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS) 기판이 될 수 있다. 본 실시예에서 저온 폴리 실리콘 기판은 다수의 유기 발광 소자가 형성될 수 있는 대평 기판으로, 후술하는 공정에 의해 유기화합물의 패턴층이 형성되는 패터닝 기판이 될 수 있다.
도 4는 상기 패터닝 기판(20)의 보다 구체적인 일 실시예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 화소 전극(60) 위에 유기 발광층이 패터닝되어 AM(Active Matrix) 방식의 유기 발광 소자가 형성될 수 있는 패터닝 기판(20)의 구조가 개시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 패터닝 기판은 글래스(Glass, 21) 위에 버퍼 절연막(22)을 적층하고 그 위에 활성층(Active layer, 23)을 형성한 뒤, 활성층을 게이트 절연막(24)으로 커버하는 구조가 될 수 있다. 활성층은 a-si의 증착 후 결정화 공정을 거쳐 Poly-si 구조를 나타낼 수 있다.
그리고 그 위에 게이트 전극(25)을 형성하고 그 위에 층간 절연막(26)을 적층한 뒤, 드레인(Drain) 전극(27)과 소스(Source) 전극(28)을 형성하도록 되어 있다. 이러한 드레인 전극(27)과 소스 전극(28)은 층간 절연막을 관통하여 활성층과 접촉되며, 패시베이션막(29)에 의해 커버된다. 여기에서 드레인 전극은 패시베이션막 위에 형성되는 화소 전극(60)과 연결되어 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 전압을 전달한다.
그리고 화소 정의막(61)은 화소 전극이 개방되도록 기판 상부에 형성되는데, 이 개방된 화소 전극(60) 위에 유기 발광층이 패터닝될 수 있다. 유기 발광층이 패터닝 된 후, 유기 발광층 위에 화소 전극과 교차하는 방향으로 제2 전극이 형성됨으로써 유기 발광 소자가 완성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 패터닝 기판(20)은 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광층이 패터닝되기 이전의 상태로 사용되며, 후술하는 패턴 형성 공정을 통하여 개방된 화소 전극 위에 유기 발광층이 형성될 수 있는 구조이다.
이러한 패터닝 기판(20)의 일면에 전자석 기판(10)을 도 3과 같이 정렬시킨다. 전자석 기판은 패터닝 기판의 타면에 형성될 패턴의 위치에 상응하도록 정렬되며, 패터닝 기판의 타면에서 전자석 기판에서 발생하는 전기장이 형성될 수 있도록 배치된다.
그리고 나서, 도 5에 도시된 바와 같이, 전자석 기판(10)에 선택적으로 전류를 가하고, 패터닝 기판(20)의 타면에 마스킹 분말(30)을 근접시킨다(S300).
패터닝 기판과 전자석 기판이 정렬된 상태에서 전자석 기판에 선택적으로 전류를 흘려 보내면, 도 5의 A와 같이 전류가 흐르는 위치에 상응하는 곳에만 전기장이 형성된다. 그리고 나서, 마스킹 분말(30)을 부분적으로 전기장이 형성된 패터닝 기판의 타면에 공급한다. 마스킹 분말(30)을 패터닝 기판의 타면에 근접시키면 마스킹 분말은 전기장에 반응하여 도 5와 같이 전기장이 형성된 위치에서만 패터닝 기판(20)에 붙게 되고, 후술하는 증착 또는 스퍼터링 공정에서 차폐부(32) 역할을 수행한다. 따라서, 전선(12)의 패턴은 패터닝 기판(20)에 형성될 패턴 이외의 부분에 상기 마스킹 분말(30)이 부착되도록 하는 패턴이 되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 패터닝 기판(20)에 형성될 패턴 이외의 부분에 전기장을 형성시킬 수 있는 패턴이면 어떤 패턴이나 적용 가능하다.
여기에서 마스킹 분말(30)은 전기장에 반응하며, 패턴 형성 공정에서 패턴 형성을 억제하는 레지스트 역할을 수행할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 즉 마스킹 분말(30)은 전기장에 의해 패터닝 기판에 달라 붙어 패턴 형성 물질을 차단할 수 있는, 자성을 지닌 금속 분말이 될 수 있다. 금속 분말은 형성하고자 하는 패턴의 크기에 상응하여 미세한 크기로 사용될 수 있고, 공정 후 패터닝 기판의 오염 없이 제거가 용이하며 재사용이 가능하다. 이러한 마스킹 분말(30)은 뚜꺼운 막을 형성할 필요가 없으며, 패턴 형성 물질이 차단될 정도의 막을 형성하는 것으로 충분하다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질(40)을 공급한다(S400). 패턴 형성 물질은 패터닝 기판의 표면 중에서 차폐부(32)가 형성되지 않은 곳에 결합하여 패턴을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 패턴 형성 물질(40)은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon) 기판에 유기 발광층을 형성할 수 있는 유기 화합물이며, 특히, 유기 발광 소자(OLED)의 색상을 발하기 위하여 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 중 어느 하나의 화소를 나타내는 발광층 물질이 선택될 수 있다. 선택된 유기 화합물에 따라 유기 발광 소자(OLED)에서 발생되는 색상이 결정될 수 있다. 그리고 유기 화합물과 같은 패턴 형성 물질(40)은 증착 또는 스퍼터링 방식으로 패터닝 기판(20)의 타면에 공급될 수 있다. 즉 패턴 형성 물질(40)을 차폐부(32)가 형성된 패터닝 기판 표면에 진공 증착시키거나 스퍼터링함으로써, 패턴 형성 물질이 패터닝 기판 표면에 부분적으로 형성될 수 있다. 도 6은 증착 또는 스퍼터링 방식에 의해 패터닝 기판의 표면에 패턴 형성 물질이 형성된 것을 나타낸다.
상기와 같이 패턴 형성 물질의 형성이 완료된 이후, 도 7과 같이 전자석 기판(10)에 흐르는 전류를 차단한다(S500). 선택적으로 전류를 흘려 일부에만 전기장이 형성됨으로써 패터닝 기판의 표면에 붙어서 패턴 형성 물질의 성장을 차단했던 차폐부(32)는, 전류가 차단됨으로써 패터닝 기판(20)과 분리된다. 그리고 이와 동시에 차폐부 위에 형성되었던 패턴 형성 물질 또한 함께 분리된다. 이러한 공정으로 패터닝 기판에는 차폐부가 형성되지 않은 곳에만 패턴(50)이 형성될 수 있다.
그리고 전술한 도 2 내지 도 7의 공정을 반복 수행함으로써 도 8과 같이 패터닝 기판(20)의 원하는 곳에 선택적으로 패턴(50)을 형성할 수 있으며, 패턴을 형성하는 물질은 필요에 따라 선택될 수 있다.
이렇게 유기 발광 소자의 적색, 녹색, 청색 중 하나의 발광층을 형성하는 경우, 상기 전선(12)은 적색, 녹색, 청색 모든 화소들에 대응되는 패턴으로 형성한 후, 적색 발광층의 형성 시에는 녹색 및 청색 화소들에 대응되는 전선에 전기장을 인가하고, 녹색 발광층의 형성 시에는 적색 및 청색 화소들에 대응되는 전선에 전기장을 인가하며, 청색 발광층의 형성 시에는 적색 및 녹색 화소들에 대응되는 전선에 전기장을 인가하는 방식으로 순차적으로 적색, 녹색, 및 청색 발광층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 대한 설명에서는 유기 발광 소자의 제조에 필요한 유기층의 패턴(50) 형성 공정을 설명하였다. 유기 발광소자를 제작함에 있어서, 상기와 같은 유기층은 수분에 매우 취약하여 그 제조 과정과 제조 후에도 수분으로부터 철저히 격리시켜야 하는 바, 레지스트 박리 과정과 식각 과정에서 수분에 노출되는 포토 리소그래피법은 유기층 패턴 형성 공정에 적합하지 않다. 따라서 본 발명은 수분의 접촉없이 유기층을 패터닝하고, 마스크의 처짐 현상을 제거하여 대형 유기 발광 장치를 제조하는데 효과적으로 이용될 수 있다.
한편 전술한 패턴 형성 공정은 습식 공정이 곤란한 패턴 형성 과정에 다양하게 적용될 수 있다. 즉 절연체로 이루어진 패터닝 기판에 도전성의 패턴 형성 물질을 사용함으로써 인쇄회로기판의 회로패턴을 형성하는 공정에 본 발명이 사용될 수 있다. 또한 증착 또는 스퍼터링 방식으로 마스크를 사용하여 임의의 패턴을 형성하는 공정에 본 발명이 사용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
10: 전자석 기판 11: 기판
12: 전선 20: 패터닝 기판
21: 글래스 22: 버퍼 절연막
23: 활성층 24: 게이트 절연막
25: 게이트 전극 26: 층간 절연막
27: 드레인 전극 28: 소스 전극
29: 패시베이션막 30: 마스킹 분말
32: 차폐부 40: 패턴 형성 물질
50: 패턴 60: 화소 전극
61: 화소 정의막

Claims (10)

  1. 전류가 흐르는 위치를 선택적으로 제어함으로써 전기장이 발생되는 위치를 선택적으로 제어할 수 있는 전자석 기판을 제공하는 단계;
    패턴이 형성될 수 있는 패터닝 기판을 제공하고, 상기 패터닝 기판의 일면에 상기 전자석 기판을 정렬시키는 단계;
    상기 전자석 기판에 선택적으로 전류를 가하고, 상기 패터닝 기판의 타면에 전기장에 반응하는 마스킹 분말을 근접시키는 단계;
    상기 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계;
    상기 전자석 기판에 흐르는 전류를 차단하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전자석 기판에는 복수의 전선이 결합되고, 상기 복수의 전선에는 선택적으로 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전선은 상기 패터닝 기판에 형성될 패턴 이외의 부분에 대응되는 위치에전기장을 인가할 수 있는 패턴인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마스킹 분말은 금속 분말인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계는,
    패턴 형성 물질을 상기 패터닝 기판의 타면에 증착시키거나 스퍼터링함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 전류가 흐르는 위치를 선택적으로 제어함으로써 전기장이 발생되는 위치를 선택적으로 제어할 수 있는 전자석 기판을 제공하는 단계;
    복수의 화소 전극이 구비된 패터닝 기판을 준비하는 단계;
    상기 패터닝 기판의 일면에 상기 전자석 기판을 정렬시키는 단계;
    상기 전자석 기판에 선택적으로 전류를 가하고, 상기 패터닝 기판의 타면의 적어도 상기 화소 전극의 일부에 전기장에 반응하는 마스킹 분말을 근접시키는 단계;
    패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계; 및
    상기 전자석 기판에 흐르는 전류를 차단하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전자석 기판에는 복수의 전선이 결합되고, 상기 복수의 전선에는 선택적으로 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전선은 상기 패터닝 기판에 형성될 패턴 이외의 부분에 대응되는 위치에전기장을 인가할 수 있는 패턴인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 마스킹 분말은 금속 분말인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 패터닝 기판의 타면에 패턴 형성 물질을 공급하는 단계는,
    패턴 형성 물질을 상기 패터닝 기판의 타면에 증착시키거나 스퍼터링함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
KR1020100002742A 2010-01-12 2010-01-12 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법 KR101084185B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100002742A KR101084185B1 (ko) 2010-01-12 2010-01-12 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법
JP2010155912A JP5017430B2 (ja) 2010-01-12 2010-07-08 パターンの形成方法及び有機発光素子の製造方法
US12/929,209 US8420156B2 (en) 2010-01-12 2011-01-07 Method of forming pattern and manufacturing method of organic light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100002742A KR101084185B1 (ko) 2010-01-12 2010-01-12 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110082834A true KR20110082834A (ko) 2011-07-20
KR101084185B1 KR101084185B1 (ko) 2011-11-17

Family

ID=44258759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100002742A KR101084185B1 (ko) 2010-01-12 2010-01-12 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8420156B2 (ko)
JP (1) JP5017430B2 (ko)
KR (1) KR101084185B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021132789A1 (ko) * 2019-12-26 2021-07-01 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 디스플레이의 제조 장치 및 그 제조 방법
KR20220009649A (ko) 2020-07-16 2022-01-25 창원대학교 산학협력단 금속패턴의 제조방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5899583B2 (ja) * 2011-08-11 2016-04-06 株式会社ブイ・テクノロジー 真空蒸着方法、真空蒸着装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
JP2016201257A (ja) * 2015-04-10 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288064A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造方法
US5714007A (en) * 1995-06-06 1998-02-03 David Sarnoff Research Center, Inc. Apparatus for electrostatically depositing a medicament powder upon predefined regions of a substrate
JP3423146B2 (ja) * 1996-04-15 2003-07-07 アルプス電気株式会社 光学多層膜フィルタの製造方法
US6174449B1 (en) * 1998-05-14 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Magnetically patterned etch mask
KR100422487B1 (ko) 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법
US7976940B2 (en) * 2002-04-10 2011-07-12 Siemens Aktiengesellschaft Component, method for coating a component, and powder
JP3888538B2 (ja) * 2002-08-27 2007-03-07 富士通株式会社 基板の微細加工方法
US6863927B2 (en) * 2002-09-27 2005-03-08 General Electric Aviation Service Operation Ptd. Ltd. Method for vapor phase aluminiding of a gas turbine blade partially masked with a masking enclosure
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
KR101105991B1 (ko) * 2003-07-09 2012-01-18 프라이즈 메탈즈, 인크. 침착 및 패턴 공정
GB0503401D0 (en) * 2005-02-18 2005-03-30 Applied Multilayers Ltd Apparatus and method for the application of material layer to display devices
JP2006231472A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Misuzu Kogyo:Kk ３次元自由曲面を有する翼部材の電解砥粒研磨方法。
JP4609759B2 (ja) 2005-03-24 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置
KR101217662B1 (ko) * 2005-12-20 2013-01-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터와 이를 구비한액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
US7687390B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method
KR20080023488A (ko) 2006-09-11 2008-03-14 엘지전자 주식회사 발광 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101441388B1 (ko) 2007-12-31 2014-09-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 소자
KR20090121036A (ko) 2008-05-21 2009-11-25 삼성테크윈 주식회사 자성입자를 이용한 인쇄회로기판의 회로 형성 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021132789A1 (ko) * 2019-12-26 2021-07-01 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 디스플레이의 제조 장치 및 그 제조 방법
KR20220009649A (ko) 2020-07-16 2022-01-25 창원대학교 산학협력단 금속패턴의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110171397A1 (en) 2011-07-14
US8420156B2 (en) 2013-04-16
JP5017430B2 (ja) 2012-09-05
JP2011146362A (ja) 2011-07-28
KR101084185B1 (ko) 2011-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10818877B2 (en) Mask assembly, apparatus and method of manufacturing display device using the same, and display device
CN104752637B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN101043047B (zh) 显示装置及其制造方法
TWI545740B (zh) 有機發光顯示裝置及製造其之方法
CN202601619U (zh) 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示器
CN104637438A (zh) 柔性显示器及其制造方法
CN104183601B (zh) 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
CN104022138A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN103794630A (zh) 用于制造有机电致发光显示器的方法
JP5119428B2 (ja) パターン形成方法及び有機発光素子の製造方法
CN103633110A (zh) 有机发光显示器件及其制造方法
CN110444567A (zh) 一种阵列基板及其制作方法
WO2020177553A1 (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
WO2004010741A1 (ja) アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
KR101084185B1 (ko) 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법
KR20180031861A (ko) 반도체 장치 및 이의 제조방법
US20090251047A1 (en) Organic light emitting display (OLED) and its method of fabrication
JP6440228B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板の製造方法
KR101119046B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
CN112714956B (zh) 有机发光二极管显示基板及其制作方法和显示装置
WO2020065955A1 (ja) 表示装置およびその製造方法
JP2014110132A (ja) 有機ｅｌ表示装置
US20160027904A1 (en) Method for manufacturing coplanar oxide semiconductor tft substrate
KR101263652B1 (ko) 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10685989B2 (en) Method for manufacturing display panel, display panel, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141030

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171101

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191028

Year of fee payment: 9