KR20110068665A - 안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 - Google Patents

안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 안트라세닐계 교호 공중합체를 유기 박막 트랜지스터에 적용하는 경우 높은 정공의 이동도 및 높은 점멸비를 얻을 수 있고, 또한 용액 공정으로 유기 박막 트랜지스터를 제작할 수 있으므로 제조 비용 절감을 가져올 수 있다.
Figure 112009077942035-PAT00001
유기 고분자, 유기 박막 트랜지스터

Description

안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 {ANTHRACENYL ALTERNATING COPOLYMER, PREPARATION METHOD THEREOF, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME}
안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
유기물을 이용한 전자 재료 기술은 최근 들어 큰 주목을 받고 있다. 많은 연구자들과 기업에서 활발한 연구를 진행하고 있는 대표적인 예는 유기 전계 발광 다이오드, 유기 태양전지 재료, 유기 트랜지스터 재료 등이다.
비정질 실리콘이나 다결정 실리콘을 대체하는 유기 반도체 재료는 가공성이나 재료 개발의 용이성과, 특히 저온에서 활성층을 형성할 수 있다는 장점 때문에 크게 주목을 받고 있다. 기존의 펜타센 또는 이와 유사한 구조의 전하 이동도가 높은 물질로 제작된 유기 박막 트랜지스터는 상업적인 응용에 있어서도 상당히 진일보하고 있다.
대표적인 유기 반도체성 화합물인 펜타센의 경우 p채널 전하 이동도의 값은 은 단일 박막으로 제조되는 경우에 3 cm2/Vs 정도를 갖는 것으로 보고되고 있다 (J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 2706). 이런 비약적인 성능 향상은 활성층으로 사용될 수 있는 새로운 물질을 개발하기 위한 신규 코어 구조의 개발을 가속화하고 있다. 하지만 이들 재료는 박막 형성 시에 고가의 진공 증착 장비를 필요로 하고, 미세 패턴 형성에 어려움이 있어서 경제성이나 대면적화에 적합하지 않다.
Merck사에서는 이동도가 1 cm2/Vs 수준인 올리고머 유기 반도체 재료들을 제조하여 공급하고 있다 (J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 2706). 이 재료들은 Triisopropylsilyl(TIPS)-펜타센 또는 디플루오로(비스-트리에틸실릴안트라디티오펜)(dF-TES-ADT)이라는 5개의 방향족 고리가 서로 융합된 구조를 가지며, 용해도를 개선하기 위하여 실리콘이 포함된 작용기를 포함시킨 것이 특징이다. 동종의 유기 반도체 (homogeneous OSC) 만으로도 초기 이동도는 높게 나오지만 박막의 특성을 향상시키기 위하여 결합제로서 고분자 재료를 사용하고 있다. 이 재료들은 충분한 특성을 나타내지만 소자 제작을 위한 공정 진행시에 소자 특성이 불안정하여 제조 라인에 적용하기에는 어려움이 있고, 전류-전자 스위핑을 반복할 때 전압이 지연되고 신뢰도가 저하되는 등의 문제가 있다.
한편 고분자계 재료들은 최근 들어 비약적인 성능의 향상을 보이고 있다. 최근 멕켈러프는 0.6 cm2/Vs의 높은 이동도를 나타내는 티오펜 계열의 고분자 재료를 Nature Materials지에 보고하였다 (Nature Mater., 2006, 5, 328). 이들 문헌에 의하여 보고된 고분자 재료들은 가공성 면에서 프린팅 기술과 같은 용액 가공을 통해 활성층을 구현할 수 있어서 낮은 비용으로 대면적화를 이룰 수 있다는 장점이 있다. 또한 저분자 재료나 무기 재료에 비해서는 상대적으로 이동도가 낮지만, 높은 동작 주파수가 필요하지 않아서 저렴하게 트랜지스터 소자를 제조할 수 있다는 장점이 있다.
반도체성 유기 화합물은 현재 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 발광 다이오드 (OLED), 센서 및 광전지 소자와 같은 분야의 영역에서 개발되고 있다. 그 중에서도 유기 박막 트랜지스터는 대면적 및 저비용 디스플레이 구현에 가장 적합한 기술로 주목받고 있고, 상업적 규모의 양산에 적용할 만한 성능에 근접하고 있는 것으로 보고되었다.
종래에는 유기 반도체 물질로서 저분자계 펜타센 전구체들과 올리고머 폴리티오펜 유도체들이 많이 연구되었는데, 그 예로는 다음에 나타낸 화합물 1 내지 3과 같은 유기 반도체 재료를 들 수 있다.
Figure 112009077942035-PAT00002
Figure 112009077942035-PAT00003
Figure 112009077942035-PAT00004
저분자계의 펜타센 전구체 또는 펜타센 유도체들은 3.2 내지 5.0 ㎠/Vs 이상의 높은 전하 이동도를 나타내는 것으로 보고되어 있지만, 박막 형성 후에 물질이 자가 변성을 일으켜 안정적인 성능을 나타내지 못하므로 상업적 이용에는 적합하지 않다. 또한, 용액 공정에 의한 박막 제조가 가능하지만, 구동 시에 발생하는 열로 인하여 상응집(phase aggregation)을 유발하는 단점이 있어 이를 보완하기 위하여 이종의 고분자 재료를 상당량 포함시켜 막의 균일도를 높이기도 한다.
아래와 같은 구조를 갖는 펜타센은 분자간 상호 중첩을 최대로 올릴 수 있지만, 이 배열은 조건에 따라 다양하게 변화되는 단점이 있다. 또한, 중앙 부분의 벤젠 고리에서 화학적으로 불안한 구조를 가지기 때문에 sp2 카벤의 구조가 -C=O와 같은 이종의 구조로 변하는 화학적인 불안정성을 가지고 있다.
Figure 112009077942035-PAT00005
한편, 아래와 같은 구조의 섹티 티오펜 분자들에서는 펜타센 같은 분자의 불안정성은 보고되지 않았고, 알킬기를 도입함으로써 이동도의 향상을 이루었으나 아직은 상용화에 미치지 못하는 수준이어서 개선이 필요한 상황이다.
Figure 112009077942035-PAT00006
또한, 아래와 같은 구조의 폴리-3-알킬티오펜의 경우는 레지오레귤라한 구조에서 높은 이동도를 보이고 있으나, 아직 상업적 수준에는 도달하지 못하였다. 이는 분자의 열적/화학적 안정성이 부족하고, 고분자에서도 높은 이동도 특성을 얻기 위해서는 주사슬에 새로운 구조를 도입하는 것이 필요하기 때문이다.
Figure 112009077942035-PAT00007
따라서 유기 박막 트랜지스터를 상용화하기 위해서는 단일 구성 요소를 기반으로 하고, 전기적/열적 안정성을 확보할 수 있고, 상온에서 용액 공정으로 공정을 진행하여도 우수한 박막 성질이 나타나도록 하기 위하여 우수한 전기적 안정성 및 경제성을 만족시키는 고분자 재료의 설계 및 합성이 요구된다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 한계를 극복하기 위한 것으로서, 전기적/열적 안정성이 있고, 상온에서 용액 공정으로 공정을 진행하여도 우수한 박막 성질이 나타나도록 할 수 있는, 우수한 전기적 안정성 및 경제성을 만족시키는 고분자 재료를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 아래와 같은 것들에 의하여 달성된다.
(1) 다음 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 안트라세닐계 고분자:
[화학식 1]
Figure 112009077942035-PAT00008
(2) 상기 (1)의 고분자를 포함하는 유기 박막 트랜지스터.
(3) (a) 다음 화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 얻는 단계와,
(b) 상기 화학식 4의 화합물을 다음 화학식 5로 표시되는 화합물과 중합 반응시키는 단계
를 포함하는, 제1항에 따른 고분자의 제조 방법:
[화학식 2]
Figure 112009077942035-PAT00009
[화학식 3]
Figure 112009077942035-PAT00010
[화학식 4]
Figure 112009077942035-PAT00011
[화학식 5]
Figure 112009077942035-PAT00012
본 발명에 따라 안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터가 제공되었다. 본 발명에 따른 안트라세닐계 교호 공중합체 는 다양한 치환기가 도입되어 있어 분자내 또는 분자간 전하 이동을 용이하게 하고, 강한 파이 오비탈 중첩이 가능하므로, 이 물질을 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용하는 경우 높은 정공의 이동도 및 높은 점멸비를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에서는 용액 공정으로 유기 박막 트랜지스터의 활성층을 제작할 수 있으므로 제조 비용의 절감을 가져올 수 있다.
본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 안트라세닐계 고분자에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112009077942035-PAT00013
식 중에서, R1은 각각 독립적으로 C1-10의 직선형 또는 분지형 알킬기이고,
-Ar-은 다음과 같은 구조를 갖는 것으로서, R2가 C6-12의 직선형 또는 분지형 알킬기인 것,
Figure 112009077942035-PAT00014
또는 다음과 같은 구조를 갖는 것으로 구성된 군에서 선택되는 것이고,
Figure 112009077942035-PAT00015
,
Figure 112009077942035-PAT00016
,
Figure 112009077942035-PAT00017
,
Figure 112009077942035-PAT00018
,
Figure 112009077942035-PAT00019
,
Figure 112009077942035-PAT00020
및
Figure 112009077942035-PAT00021
R은 C6-12의 직선형 또는 분지형 알킬기이고,
X는 황 또는 셀레늄 원자이고,
Y는 탄소 또는 실리콘 원자이고,
m은 1 내지 4의 정수이다.
상기 화학식 1에서 R1은 용액 공정을 가능하게 하는 알킬기로서, 에틸기 또는 이소프로필기인 것이 바람직하고, 6개의 R1이 모두 이소프로필인 것이 가장 바람직하다. 이 부분은 용액 공정을 가능하게 하는 것은 물론, 박막을 형성하였을 때 분자간 효과적인 π-중첩을 가능하게 함으로써 전하의 이동을 향상시키는 역할을 한다.
Y가 실리콘인 경우 전기적인 특성상 탄소보다는 향상된 전하의 이동을 가능하게 하므로 바람직할 수 있다.
한편 상기 Ar은 바람직하게는 고리 내에 황 또는 셀레늄 원자를 포함할 수도 있는, 직선형 알킬기로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴 고리이다. 상기 아릴기는 교대 공중합 반응이 진행되도록 하고, 또한 분자간의 π-중첩에도 도움을 준다.
상기 R2는 헥실 또는 도데실인 것이 가장 바람직하다.
또한, 상기 -Ar-은 다음과 같은 구조를 갖는 것으로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
Figure 112009077942035-PAT00022
상기 화학식 1로 표시되는 고분자의 구체적인 예로는 다음 화학식으로 표시되는 것으로 구성된 군에서 선택되는 반복 단위를 갖는 것을 들 수 있다.
Figure 112009077942035-PAT00023
Figure 112009077942035-PAT00024
Figure 112009077942035-PAT00025
Figure 112009077942035-PAT00026
Figure 112009077942035-PAT00027
Figure 112009077942035-PAT00028
Figure 112009077942035-PAT00029
및
Figure 112009077942035-PAT00030
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 고분자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 (a) 다음 화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 얻는 단계와, (b) 상기 화학식 4의 화합물을 다음 화학식 5로 표시되는 화합물과 중합 반응시키는 단계를 포함한다.
[화학식 2]
Figure 112009077942035-PAT00031
[화학식 3]
Figure 112009077942035-PAT00032
[화학식 4]
Figure 112009077942035-PAT00033
[화학식 5]
Figure 112009077942035-PAT00034
화학식 2 내지 5에 있어서, R1, -Ar-, X, Y, m 및 n은 각각 앞에서 정의한 것과 동일한 것이고, Z는 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 구성된 군에서 선택되는 할로겐 원자이다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 고분자를 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
실시예
이하에서는 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명한다. 그러나 실시예는 본 발명의 예시에 불과한 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
Figure 112009077942035-PAT00035
(1) 디브로모안트라디티오펜의 제조
Figure 112009077942035-PAT00036
1,4-사이클로디헥산온 (0.63g, 5.6 mmol)과 2.1 당량의 5-브로모-2,3-티오펜디카르복스알데하이드를 2구 100 mL 플라스크에 넣고, 질소로 10분간 환류한 다음, 에탄올 100 mL를 넣었다. 이 혼합물에 15% KOH 수용액을 서서히 넣었더니 갈색 침전물이 생성되었다. 4시간 정도 교반한 다음 여과하고, 다시 에탄올로 세정하여 진한 갈색의 화합물 1을 78%의 수율로 얻었다.
(2) 디브로모-비스(트리이소프로필실릴에티닐)안트라디티오펜의 제조
Figure 112009077942035-PAT00037
트리이소프로필실릴아세틸렌 2.1 mL를 헥산 20 mL와 함께 100 mL 2구 플라스크에 넣고, 질소 퍼징한 다음, 부틸리튬 4 당량을 서서히 넣고 60℃에서 1시간 동안 가열하였다. 반응물을 실온으로 냉각시키고, 상기 화합물 1을 1 당량 넣고, 다시 60℃에서 24시간 동안 교반하였더니 진한 갈색의 용액이 되었다. 이 반응 혼합물에 10% SnCl2-2H2O 염산 수용액을 서서히 넣고, 60℃에서 2시간 더 교반한 다음, 냉각시키고, MgSO4로 건조시킨 다음, 여과하였다. 헥산으로 칼럼 크로마토그래피 정제하여 짙은 적색 고체 상태의 디브로모-비스(트리이소프로필실릴에티닐)안트라디티오펜 (화합물 2)을 65%의 수율로 얻었다.
(3) 2,5-디(트리메틸틴)-3-도데실티오펜의 제조
Figure 112009077942035-PAT00038
무수 THF 50 mL에 3-도데실티오펜 (1g, 3.96 mmol)을 2구 플라스크에 넣고, -78℃로 30분간 유지한 다음, n-BuLi 2.2 당량을 서서히 가한 다음, 1시간 정도 더 교반하였다. 반응 온도를 상온으로 올렸다가 10분 후에 다시 -78℃로 낮추고, 트리 메틸틴 클로라이드 (3당량)의 THF (10 mL) 용액을 서서히 주입하고, 서서히 상온으로 올리면서 24시간 동안 교반하였다. 메틸렌 클로라이드/물로 추출하고, 유기층을 모아 감압 증류한 다음, 셀라이트를 통과시켜 여과하여 2,5-디(트리메틸틴)-3-도데실티오펜 (화합물 3)을 62%의 수율로 얻었다.
(4) 실시예 1의 고분자의 제조
Figure 112009077942035-PAT00039
50 mL 2구 플라스크에 화합물 2와 3을 각각 1.5 mmol 넣고, 질소로 퍼징한 다음, Pd(PPh3)2Cl2 50 mg을 넣고, 무수 THF 30 mL를 넣고 3일 동안 환류하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각한 다음 메탄올에 붓고, 여과하여 건조시키고, 메탄올/THF에서 2회 재침전시키고, 짧은 컬럼 크로마토그래피로 메탈 불순물을 제거한 다음, 속슬렛 추출(Soxhlet extraction)하여 실시예 1의 화합물을 45%의 수율로 얻었다. GPC로 확인한 분자량: Mn=15000, Mw=27000
실시예 2
Figure 112009077942035-PAT00040
(1) 2,2'-비스(트리메틸틴)-3,3'-디-도데실티오펜의 제조
Figure 112009077942035-PAT00041
실시예 1의 (3)에서와 동일한 방법으로 2,2'-비스(트리메틸틴)-3,3'-디-도데실티오펜 (화합물 4)을 58%의 수율로 얻었다.
(2) 실시예 2의 고분자의 제조
Figure 112009077942035-PAT00042
50 mL 2구 플라스크에 화합물 2와 4를 각각 1.5 mmol 넣고, 질소로 퍼징한 다음, Pd(PPh3)2Cl2 50 mg을 넣고, 무수 THF 30 mL를 넣고 3일 동안 환류하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각한 다음 메탄올에 붓고, 여과하여 건조시키고, 메탄올 /THF에서 2회 재침전시키고, 짧은 컬럼 크로마토그래피로 메탈 불순물을 제거한 다음, 속슬렛 추출(Soxhlet extraction)하여 실시예 2의 화합물을 39%의 수율로 얻었다. GPC로 확인한 분자량: Mn=12000, Mw=21000
실시예 3
Figure 112009077942035-PAT00043
(1) 5,5'-비스-(트리메틸틴)-3,3'-디-n-옥틸실릴렌-2,2'-바이티오펜의 제조
Figure 112009077942035-PAT00044
실시예 1의 (3)에서와 동일한 방법으로 5,5'-비스-(트리메틸틴)-3,3'-디-n-옥틸실릴렌-2,2'-바이티오펜 (화합물 5)을 52%의 수율로 얻었다.
(2) 실시예 3의 고분자의 제조
Figure 112009077942035-PAT00045
50 mL 2구 플라스크에 화합물 2와 5를 각각 1.5 mmol 넣고, 질소로 퍼징한 다음, Pd(PPh3)2Cl2 50 mg을 넣고, 무수 THF 30 mL를 넣고 3일 동안 환류하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각한 다음 메탄올에 붓고, 여과하여 건조시키고, 메탄올/THF에서 2회 재침전시키고, 짧은 컬럼 크로마토그래피로 메탈 불순물을 제거한 다음, 속슬렛 추출(Soxhlet extraction)하여 실시예 3의 화합물을 45%의 수율로 얻었다. GPC로 확인한 분자량: Mn=11000, Mw=1950
실시예 4: 소자의 제작
본 발명의 실시예 1 내지 3에서 합성한 고분자를 각각 활성층으로 사용하여 아래에 설명한 것과 같이 유기 박막 트랜지스터 소자를 제작하였다.
게이트 전극으로는 n타입 실리콘이 도핑된 웨이퍼 (heavily doped n-type silicon wafer) 위에 화학증착(CVD)법으로 이산화규소 (SiO2) 박막을 200 nm의 두께로 적층하여 사용하였다.
활성층으로서 실시예 1 내지 3에서 합성한 고분자를 각각 클로로벤젠에 용해시켜 스핀 코팅으로 50 nm 두께의 박막을 형성하고, 그 위에 소스 및 드레인 전극으로서 금(Au)을 새도우 마스크로 형성하고, 그 두께는 50 nm로 하였다. 채널 길이(L)와 채널 넓이 (W)는 각각 50 μm와 1.5 mm로 하였고, 도 1에 나타난 구조를 갖도록 소자를 구성하였다.
전기적 특성(electrical characterization)은 비활성 환경인 질소 분위기 하에서 Keithley semiconductor parametric analyzer (Keithley 4200)로 측정하였다. 아래의 식을 이용하여 포화 영역에서 전하의 이동도 (μ) 값을 구하였다.
Figure 112009077942035-PAT00046
상기 식에서 Ci는 면적당 정전 용량 [SiO2 유전체 (Ci=15 nF/cm2)]이며, VT는 작동 전압이다.
(1) 실시예 1의 고분자를 사용한 유기 박막 트랜지스터의 제작
실리콘 옥사이드 층을 옥틸트라이클로로실란(OTS)으로 처리하여 무기물-활성 유기물 층 사이의 계면 접촉을 개선한 다음, 상기 실시예 1에서 합성한 고분자를 클로로벤젠에 용해시켜 스핀 코팅하여 성막하였다. 그 다음, 금 전극을 이용하여 소스와 드레인을 섀도우 마스크를 사용하여 형성시키고, 글로브 박스 내에서 이동도를 측정하였다. 정공의 이동도는 0.003 cm2/Vs이었고, 점멸비는 105이었다.
(2) 실시예 2의 고분자를 사용한 유기 박막 트랜지스터의 제작
실리콘 옥사이드 층을 옥틸트라이클로로실란(OTS)으로 처리하여 무기물-활성 유기물 층 사이의 계면 접촉을 개선한 다음, 상기 실시예 2에서 합성한 고분자를 클로로벤젠에 용해시켜 스핀 코팅하여 성막하였다. 그 다음, 금 전극을 이용하여 소스와 드레인을 섀도우 마스크를 사용하여 형성시키고, 글로브 박스 내에서 이동도를 측정하였다. 정공의 이동도는 0.0011 cm2/Vs이었고, 점멸비는 105이었다.
(3) 실시예 3의 고분자를 사용한 유기 박막 트랜지스터의 제작
실리콘 옥사이드 층을 옥틸트라이클로로실란(OTS)으로 처리하여 무기물-활 성 유기물 층 사이의 계면 접촉을 개선한 다음, 상기 실시예 3에서 합성한 고분자를 클로로벤젠에 용해시켜 스핀 코팅하여 성막하였다. 그 다음, 금 전극을 이용하여 소스와 드레인을 섀도우 마스크를 사용하여 형성시키고, 글로브 박스 내에서 이동도를 측정하였다. 정공의 이동도는 0.004 cm2/Vs를 보였으며 점멸비는 105이었다.
아래의 표 1은 실시예 1 내지 3의 고분자를 사용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터의 특성 확인 결과를 정리한 것이다.
Figure 112009077942035-PAT00047
도 1은 본 발명의 실시예에서 제작한 소자 구조의 모식도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예 1 내지 3에서 합성한 고분자를 활성층으로 사용하여 제작한 소자의 전기적 특성 측정 결과를 도시한 그래프이다. (흑색 실시예 1, 적색: 실시예 2, 녹색: 실시예 3)

Claims (8)

  1. 다음 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 안트라세닐계 고분자:
    Figure 112009077942035-PAT00048
    식 중에서, R1은 각각 독립적으로 C1-10의 직선형 또는 분지형 알킬기이고,
    -Ar-은 다음과 같은 구조를 갖는 것으로서, R2가 C6-12의 직선형 또는 분지형 알킬기인 것,
    Figure 112009077942035-PAT00049
    또는 다음과 같은 구조를 갖는 것으로 구성된 군에서 선택되는 것이고,
    Figure 112009077942035-PAT00050
    ,
    Figure 112009077942035-PAT00051
    ,
    Figure 112009077942035-PAT00052
    ,
    Figure 112009077942035-PAT00053
    ,
    Figure 112009077942035-PAT00054
    ,
    Figure 112009077942035-PAT00055
    및
    Figure 112009077942035-PAT00056
    R은 C6-12의 직선형 또는 분지형 알킬기이고,
    X는 황 또는 셀레늄 원자이고,
    Y는 탄소 또는 실리콘 원자이고,
    m은 1 내지 4의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R1은 에틸 또는 이소프로필인 고분자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 6개의 R1이 모두 이소프로필인 고분자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 R2는 헥실 또는 도데실인 고분자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 -Ar-은 다음과 같은 구조를 갖는 것으로 구성된 군에서 선택되는 것인 고분자:
    Figure 112009077942035-PAT00057
  6. 제1항에 있어서, 다음 화학식으로 표시되는 것으로 구성된 군에서 선택되는 것인 고분자:
    Figure 112009077942035-PAT00058
    Figure 112009077942035-PAT00059
    Figure 112009077942035-PAT00060
    Figure 112009077942035-PAT00061
    Figure 112009077942035-PAT00062
    Figure 112009077942035-PAT00063
    Figure 112009077942035-PAT00064
    및
    Figure 112009077942035-PAT00065
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 고분자를 포함하는 유기 박막 트랜지스터.
  8. (a) 다음 화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 얻는 단계와,
    (b) 상기 화학식 4의 화합물을 다음 화학식 5로 표시되는 화합물과 중합 반응시키는 단계
    를 포함하는, 제1항에 따른 고분자의 제조 방법:
    [화학식 2]
    Figure 112009077942035-PAT00066
    [화학식 3]
    Figure 112009077942035-PAT00067
    [화학식 4]
    Figure 112009077942035-PAT00068
    [화학식 5]
    Figure 112009077942035-PAT00069
    식 중에서, R1, -Ar-, X, Y, m 및 n은 각각 제1항에서 정의한 것과 동일한 것이고, Z는 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 구성된 군에서 선택되는 할로겐 원자이다.
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