JP5180498B2 - 有機半導体材料及びそれを用いた有機トランジスタ - Google Patents
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Description
連接部位Gが、以下のいずれかの構造であることを特徴としている。
本発明の有機半導体材料は、上記化学構造を有することにより、高いキャリア移動度を有する。また、有機トランジスタなどの有機半導体素子に用いた場合に、高いオン/オフ比を示す。また、しきい値電圧の制御性等に優れたトランジスタ特性を得ることができる。
上記構造式において、R1及びR2は、炭素数4以上であることが好ましく、さらに好ましくは炭素数4〜20である。また、R1及びR2は、炭素数4以上、さらに好ましくは炭素数4〜20の置換されてもよいアルキル基であることが好ましい。
本発明の有機トランジスタは、上記本発明の有機半導体材料を用いたことを特徴としている。
4−(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)フェニルエーテル[化合物1]
9−n−ブチル−3,6−ジ(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)カルバゾール[化合物2]
メチル−[4,4’−ジ(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)]トリフェニルシラン[化合物3]
4,4’−ジ(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)スチルベン[化合物4]
9,9−ジオクチル−2,7−ジ(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)フルオレン[化合物5]
1,4−ジ(5’’−n−ヘキシル−トリチオフェン−2−イル)ベンゼン[化合物6]
4,4’−ジ(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)ビフェニル[化合物7]
9,9(ジメチルオクチルシリル)−2,7−ジ(5’’’’−n−ヘキシル−ペンタチオフェン−2−イル)フルオレン[化合物8]
上記で作製した有機半導体材料を用いて、MOS型電界効果トランジスタを作製した。
化合物1を用いて有機半導体膜3を形成し、上記のようにして得られた有機トランジスタ(MOS型電界効果トランジスタ)の特性を、上記のようにして評価した。チャネル長Lは0.05mmであり、チャネル幅Wは1mmである。
化合物2〜8を用いて、上記実施例1と同様にして上記トランジスタを作製し、上記と同様にして評価した。チャネル長L及びチャネル幅Wは、表1に示す通りである。また、各トランジスタのV−I特性は、図4〜図10に示す通りである。評価結果を表1にまとめて示す。また、表1には実施例1の結果も合わせて示す。
以下に示す構造式で表されるP3HTを用いて、上記実施例と同様にして有機トランジスタを作製した。
以下に示す構造式で表される化合物(5,5’’’’−ジ−n−ヘキシル−ペンタチオフェン)(DH5T)を用いて有機半導体膜3を形成し、得られた有機トランジスタの特性を評価した。
オリゴチオフェン部位の繰り返し数nが奇数である化合物と偶数である化合物を比較するため、以下の合成実施例9〜11において、繰り返し数nが偶数である化合物を合成した。
9,9−ジオクチル−2,7−ジ(5’’’−n−ヘキシル−テトラチオフェン−2−イル)フルオレン[化合物9]
9,9−ジオクチル−2,7−ジ(5’’’’’−n−ヘキシル−テトラチオフェン−2−イル)フルオレン[化合物10]
1,4−ジ(5’’’−n−ヘキシル−テトラチオフェン−2−イル)ベンゼン[化合物11]
上記と同様にして、化合物9〜11を用いて、有機トランジスタを作製し、上記と同様にしてその特性を評価した。いずれの有機トランジスタにおいても、チャネル長Lは0.05mmであり、チャネル幅Wは1mmである。結果を表2に示す。表2においては、チオフェン単位の繰り返し数nが5である化合物5、及びnが3である化合物6の結果も合わせて示している。
2…絶縁膜
3…有機半導体膜
4…ソース電極
5…ドレイン電極
Claims (5)
- オリゴチオフェン部位と、連接部位Gとを備える以下に示す構造を有し、
前記連接部位Gが、以下のいずれかの構造であることを特徴とする有機半導体材料。
- 前記連接部位Gのモル質量が5000未満であることを特徴とする請求項1に記載に有機半導体材料。
- 前記オリゴチオフェン部位の繰り返し数を示すnが、3、5、7、9または11であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機半導体材料。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機半導体材料を用いたことを特徴とする有機トランジスタ。
- 電荷輸送性材料層と、該電荷輸送性材料層に直接または間接に接するゲート電極とを備え、前記ゲート電極及び前記電荷輸送性材料層との間に、電界を印加することにより、前記電荷輸送性材料層中の電流を制御する電界効果トランジスタにおいて、
前記電荷輸送性材料層を、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機半導体材料から形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
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