KR20110055683A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110055683A
KR20110055683A KR1020117006422A KR20117006422A KR20110055683A KR 20110055683 A KR20110055683 A KR 20110055683A KR 1020117006422 A KR1020117006422 A KR 1020117006422A KR 20117006422 A KR20117006422 A KR 20117006422A KR 20110055683 A KR20110055683 A KR 20110055683A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor device
film
photosensitive adhesive
resin
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020117006422A
Other languages
English (en)
Inventor
타카시 카와모리
카즈유키 미츠쿠라
타카시 마스코
시게키 카토기
Original Assignee
히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2008242765A external-priority patent/JP5458538B2/ja
Application filed by 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 filed Critical 히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20110055683A publication Critical patent/KR20110055683A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1075—Partially aromatic polyimides
    • C08G73/1082—Partially aromatic polyimides wholly aromatic in the tetracarboxylic moiety
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
    • C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/22—Macromolecular compounds not provided for in C08L2666/16 - C08L2666/20
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은, 내열성이 뛰어난 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 하여, 반도체장치와 피착체가, 패턴화된 필름상 감광성 접착제를 개재시켜 열압착되어 이루어지는 반도체장치로서, 패턴화된 필름상 감광성 접착제의 열압착 직전의 수분량이 1.0중량% 이하인 반도체장치를 제공한다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 전자 부품의 고성능화, 고기능화에 수반하여, 여러 가지의 형태를 가지는 반도체장치가 제안되고 있다. 이와 같은 반도체장치에는, 반도체소자와 반도체소자 탑재용 지지기재(피착체)를 접착 고정하기 위해서, 저응력성, 저온 접착성, 내습 신뢰성 및 내땜납리플로우성 등 외, 반도체장치의 기능, 형태 및 조립 프로세스의 간략화를 목적으로 한 패턴화가 가능한 감광성을 가지는 필름상 감광성 접착제가 적절하게 사용된다.
감광성은 광을 조사한 부분이 화학적으로 변화하고, 알칼리 수용액이나 유기용제에 불용화 또는 가용화하는 기능이다. 이 감광성을 가지는 필름상 감광성 접착제를 이용하면, 포토마스크를 개재시켜 노광하고, 현상액에 의해서 처리하여 패턴을 형성하고, 이것을 개재시켜 반도체소자와 반도체소자 탑재용 지지기재를 열압착하는 것에 의해, 고정밀한 접착제 패턴이 형성된 반도체장치를 얻을 수 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
선행 기술 문헌
특허문헌
특허문헌 1 : 국제공개 제2007/004569호 팜플렛
그러나, 특허문헌 1 등에 기재된 필름상 감광성 접착제를 이용하여, 반도체장치를 제조하는 경우에는, 열압착 불량 등이 생겨, 얻어지는 반도체장치의 내열성이 저하할 수 있는 것이 문제로 되고 있다.
그래서, 본 발명자들이 열심히 검토한 결과, 다음과 같은 메커니즘으로 열압착 불량이 생길 수 있는 것이 분명해졌다.
즉, 상기 필름상 감광성 접착제는, 알칼리성 수용액이나 유기용제에 가용인 설계로 되어 있기 때문에, 비교적 흡습율 또는 흡수율이 높고, 보관중 또는 반도체장치의 조립공정 중에서 흡습하기 쉽다. 이 흡습한 수분이, 반도체소자와 반도체소자 탑재용 지지기재와의 열압착시에, 기화ㆍ팽창에 의한 발포를 일으키고, 이것이 원인으로 열압착 불량 등이 생긴다.
또한, 상술한 발포에 의해 생긴 접착제 중의 보이드가 원인으로, 반도체장치의 내열성의 저하를 초래할 염려가 있는 것도 분명해졌다.
상기 사정을 감안한 본 발명은, 내열성이 뛰어난 반도체장치, 및 이와 같은 반도체장치를 제조 가능하고, 또한 열압착 불량 등의 불량이 생기기 어려운 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 반도체소자와 피착체가, 패턴화된 필름상 감광성 접착제를 개재시켜 열압착되어 이루어지는 반도체장치로서, 패턴화된 필름상 감광성 접착제의 열압착 직전의 수분량이 1.0중량% 이하인 반도체장치를 제공한다. 이러한 반도체장치는, 내열성이 뛰어나다.
본 발명의 반도체장치에 의해, 이와 같은 효과가 얻어지는 이유는 반드시 분명하지 않지만, 본 발명자들은 다음과 같이 생각하고 있다.
즉, 반도체장치로부터 전자 부품을 제조하기 위해서는, 통상 접착제를 경화시키는 경화 공정 및 땜납리플로우 공정을 거칠 필요가 있지만, 이들의 공정에 있어서는, 고온 처리가 필요하다. 본 발명의 반도체장치에 있어서는, 수분량을 소정의 값 이하로 하는 것에 의해, 수분이 고온으로 노출되는 것에 의해서 생기는 기화, 팽창 등에 기인하는 접착제층의 박리를 방지할 수 있기 때문에, 내열성이 뛰어나다고 생각된다.
상기 피착체는, 반도체소자 또는 보호 유리인 것이 바람직하다.
상기 필름상 감광성 접착제는, 적어도 (A) 열가소성 수지 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이 (C) 방사선 중합성 화합물 및 (D) 광개시제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 (A) 열가소성 수지는, 알칼리 가용성 수지인 것이 바람직하다. 당해 알칼리 가용성 수지는, 현상성과 내열성이 특히 뛰어난 점에서, 분자중에 카르복실기 및/또는 수산기를 가지는 폴리이미드 수지인 것이 바람직하다.
상기 (B) 열경화성 수지는, 고온에 있어서 뛰어난 접착력을 갖게 할 수 있는 점에서, 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
상기 패턴화된 필름상 감광성 접착제는, 필름상 감광성 접착제로 이루어지는접착제층을 피착체(바람직하게는 반도체 웨이퍼) 상에 형성하는 접착제층 형성 공정, 그 접착제층을, 소정의 패턴으로 노광하는 노광 공정, 노광 후의 접착제층을 알칼리성 수용액에 의해 현상하는 현상 공정, 및 현상 후의 접착제층의 수분량을 조정하는 수분량 조정 공정을 거쳐 형성되고 있는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 반도체소자의 회로면상에 설치된 필름상 감광성 접착제를 노광 및 현상에 의해서 패턴화하는 패턴화 공정과, 패턴화된 상기 감광성 접착제의 수분량을 조정하는 수분량 조정 공정과, 패턴화된 상기 감광성 접착제에 피착체를 열압착함으로써 직접 접착하는 열압착 공정을 구비하는 반도체장치의 제조방법으로서, 수분량 조정 공정에 있어서는, PET기재상에 패턴 형성된 필름상 감광성 접착제의 패턴 형성 후의 수분량을 1.0중량% 이하로 하는 수분량 조정 처리를 행하는, 반도체장치의 제조방법, 및 당해 제조방법에 의해 제조되는 반도체장치를 제공한다.
상기 피착체는 반도체소자 또는 보호 유리인 것이 바람직하다.
상기 수분량 조정 처리는 가열 처리인 것이 바람직하다. 가열 처리는, 예를 들면 80~200℃, 5초~30분의 조건에서 행할 수 있다.
상기 필름상 감광성 접착제는, 적어도 (A) 열가소성 수지 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이 (C) 방사선 중합성 화합물 및 (D) 광개시제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 (A) 열가소성 수지는, 알칼리 가용성 수지인 것이 바람직하다. 당해 알칼리 가용성 수지는, 현상성과 내열성이 특히 뛰어난 점에서, 분자중에 카르복실기 및/또는 수산기를 가지는 폴리이미드 수지인 것이 바람직하다.
상기 (B) 열경화성 수지는, 고온에 있어서 뛰어난 접착력을 갖게할 수 있는 점에서, 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
발명을 실시하기 위한 형태
이하, 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 관하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 것으로 제한하는 것은 아니다.
본 발명의 반도체장치는, 반도체소자와 피착체가, 패턴화된 필름상 감광성 접착제를 개재시켜 열압착되어 이루어지는 반도체장치로서, 패턴화된 필름상 감광성 접착제의 열압착 직전의 수분량이 1.0중량% 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체장치의 제조방법은, 반도체소자의 회로면상에 설치된 필름상 감광성 접착제를 노광 및 현상에 의해서 패턴화하는 패턴화 공정과, 패턴화된 상기 감광성 접착제의 수분량을 조정하는 수분량 조정 공정과, 패턴화된 상기 감광성 접착제에 피착체를 열압착함으로써 직접 접착하는 열압착 공정을 구비하는 반도체장치의 제조방법으로서, 수분량 조정 공정에 있어서는, PET기재상에 패턴 형성된 필름상 감광성 접착제의 패턴 형성 후의 수분량을 1.0중량% 이하로 하는 수분량 조정 처리를 행하는 것을 특징으로 한다.
상기 수분 조정 처리는, PET기재상에 패턴 형성된 필름상 감광성 접착제의 패턴 형성 후의 수분량을 0.7중량% 이하로 하는 처리인 것이 보다 바람직하고, 0.5중량% 이하로 하는 처리인 것이 보다 바람직하다.
상기 수분량 조정 처리를 행하지 않는 경우에는, 필름상 감광성 접착제에 남은 수분이 반도체소자와 피착체와의 열압착시에, 수분의 기화ㆍ팽창에 의한 발포를 일으키는 원인으로 되어, 압착한 반도체소자 또는 보호 유리의 박리 등, 반도체장치의 제조에 지장을 초래할 염려가 있다. 또한, 잔존하고 있는 수분이, 경화 공정ㆍ땜납리플로우 공정에 있어서, 고온에 노출되면 기화ㆍ팽창에 의한 접착제와 피착체와의 박리를 일으키는 원인으로 된다.
또한, 상술한 발포에 의해 생긴 접착제 중의 보이드가 원인으로, 반도체장치의 내열성의 저하를 초래할 가능성이 높다.
또한, 패턴화된 필름상 감광성 접착제의 수분량은, 예를 들면 히라누마 산업제 수분 측정 장치 「AQV2100CT」를 이용하여 측정할 수 있다.
본 발명에 있어서의 수분량은 이하와 같이 정의된다.
PET기재상에 형성된 두께 50㎛의 필름상 감광성 접착제의 위에, 더욱이 커버 필름으로서 투명한 PET 필름을 접합한 접착 시트를, 150mm×150mm의 크기로 잘라낸다. 잘라낸 접착 시트의 위에 마스크를 놓고, 고정밀도 평행 노광기(오크제작소제)를 이용하여 노광량 1000mJ/㎠의 조건에서, 노광하고(자외선을 조사), 80℃에서 30초 가열한다. 그 후, 편측의 PET 필름을 벗기고, 야코제 스프레이 현상기를 이용하여 현상하는(현상액:테트라메틸암모늄하이드라이드(TMAH) 2.38% 27℃ 스프레이압 0.18MPa, 수세:순수 23℃ 및 스프레이압 0.02MPa). 상기와 같이 PET기재에 감광성 접착제 패턴을 형성시키고, 그 후, 필름에 부착하고 있는 TMAH를 6분간, 순수로 세정한다. 그 후, 실온에서 30분간 방치하고, PET기재를 벗기고 히라누마 산업제 수분 측정 장치 「AQV2100CT」를 이용하여, 패턴화한 필름상 감광성 접착제의 수분량을 측정한다. 본 발명에 있어서의 수분량이란 이 때의 수분량을 나타낸다.
또한, 본 발명에 있어서의 수분량 조정 처리란, 이 때의 수분량이 1.0중량% 이하로 하는 수분량 조정을 행하는 것을 나타낸다. 이 수분량 조정 처리의 조건은 필름의 종류에 의해서 적절히 조정된다. 예를 들면, 필름상 감광성 접착제 중에 불소 원자를 포함하는 경우는, 흡습되는 수분량이 적고, 또한, 흡습한 수분과의 친화성이 낮기 때문에, 이 경우의 수분량 조정 처리는, 물을 떨어내는 등 스핀 건조등이어도 된다. 또한, 그 외의 경우는, 그 필름의 종류에 의해서 적절히 조건이 조정되는 것이 바람직하다. 또한, 수분량 조정 처리로서 가열 처리를 행하는 경우는, 80~200℃, 5초~30분에서 행해지는 것이 바람직하고, 100℃~200℃, 30초~20분에서 행해지는 것이 보다 바람직하고, 120℃~200℃, 1분~10분에서 행해지는 것이 특히 바람직하다.
수분량 조정 처리로서 가열 처리를 행하는 경우, 80℃ 미만, 또한 5초 미만이면, PET기재상에 형성된 패턴 형성된 필름상 감광성 접착제의 수분량이 1.0중량% 이상이 되는 경향이 있고, 또한, 가열 조건이, 200℃를 넘고, 또한 30분을 넘으면 패턴화된 필름상 감광성 접착제의 열경화가 진행되어, 열압착시의 열유동성이 손상되는 경향이 있다.
상술한 가열 처리를 행하는 경우에는, 예를 들면, 피착체상에 형성된 패턴화된 필름상 감광성 접착제를 폴리불화에틸렌계 섬유 시트 등의 위에 두고, 폴리불화에틸렌계 섬유 시트마다 열판 위에 얹어, 소정의 온도 및 시간 가열할 수 있다.
상기 수분량 조정 처리를 행했을 경우, 열압착시, 열경화시, 땜납리플로우시의 보이드 발생등에 의한 접착 불량을 저감할 수 있어, 내열성이 있는 반도체장치를 제조할 수 있다.
상술한 반도체소자와 피착체와의 열압착은, 예를 들면 20~250℃의 가열 온도, 0.01~20kgf의 하중으로, 0.1~300초간 압착하는 것에 의해 행할 수 있다.
상기 패턴화된 필름상 감광성 접착제는, 필름상 감광성 접착제로 이루어지는접착제층을 피착체상에 형성하는 접착제층 형성 공정, 그 접착제층을, 소정의 패턴으로 노광하는 노광 공정, 및 노광 후의 접착제층을 알칼리성 수용액에 의해 현상하는 현상 공정을 거쳐 형성되고 있는 것이 바람직하다.
접착제층 형성 공정에 있어서는, 예를 들면, 필름상 감광성 접착제용 조성물(니스)를 실리콘 웨이퍼 등의 피착체상에 롤로, 바람직하게는 20~150℃의 온도로 가압하여 적층하는 것에 의해 접착제층을 형성할 수 있다.
노광 공정에 있어서는, 예를 들면, 소정의 패턴이 형성된 포토마스크를 상기 접착제층위에 놓고, 고정밀도 평행 노광기(오크제작소제)를 이용하여, 노광량:100~1000mJ/㎠의 조건에서, 자외선을 조사(노광)할 수 있다. 또한, 상기 접착제 패턴은, 상기 접착제층에 직접 묘화 노광 기술을 이용하여 직접 패턴을 묘화 노광되는 것이어도 된다. 이 노광 공정 후, 필요가 있으면, 40℃~120℃에서 5초~30초 가열해도 된다.
현상 공정에 있어서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄하이드라이드(TMAH) 1.0~5.O%, 바람직하게는 2.38% 용액을 이용하여 스프레이 현상하여, 접착제층을 패턴상으로 형성할 수 있다. 여기에서, 필름상 감광성 접착제가 포지티브형인 경우에는, 노광부가 제거되고, 네거티브형인 경우에는, 노광부가 남는다.
상기 패턴의 라인폭은 0.01mm~20mm의 범위내인 것이 바람직하다.
또한, 상기 패턴의 형상에 관해서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 액자상, 선상, 관통 구멍 등의 형상을 들 수 있고, 그 중에서도 액자상인 것이, 안정된 패턴화된 접착제가 얻어지는 점에서 바람직하다.
상기 필름상 감광성 접착제는, (A) 열가소성 수지 및 (B) 열경화성 수지를 적어도 함유하는 것이 바람직하고, 또한 (C) 방사선 중합성 화합물 및 (D) 광개시제를 함유하는 것이 바람직하다.
(A) 열가소성 수지는, 알칼리 현상액에 가용이면, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리우레탄이미드 수지, 폴리우레탄아미드이미드 수지, 실록산폴리이미드 수지, 폴리에스테르이미드 수지 또는 그들의 공중합체 외에, 페녹시 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르케톤 수지, (메타)아크릴 공중합체 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나 이상의 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도 현상성과 내열성을 양립할 수 있는 점에서 폴리이미드 수지가 바람직하고, 측쇄 또는 말단에 카르복실기 및/또는 수산기 등의 알칼리 가용성기를 가지는 폴리이미드 수지가 보다 바람직하다.
폴리이미드 수지는, 예를 들면, 테트라카르복실산이무수물과 디아민을 공지의 방법으로 축합 반응시키는 것에 의해 얻을 수 있다. 즉, 유기용매 중에서, 테트라카르복실산이무수물과 디아민을 등몰로 또는 필요에 따라서 테트라카르복실산이무수물의 합계 1.0mol에 대해서, 디아민의 합계를 바람직하게는 0.5~2.0mol, 보다 바람직하게는 0.8~1.0mol의 범위에서 조성비를 조정(각 성분의 첨가 순서는 임의)하고, 반응 온도 80℃ 이하, 바람직하게는 0~60℃에서 부가 반응시킨다. 반응이 진행함에 따라 반응액의 점도가 서서히 상승하여, 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리아미드산이 생성한다. 또한, 접착제의 제(諸)특성의 저하를 억제하기 위해서, 상기 테트라카르복실산이무수물은 무수 아세트산으로 재결정 정제 처리한 것인 것이 바람직하다.
또한, 상기 축합 반응에 있어서의 테트라카르복실산이무수물과 디아민과의 조성비에 관해서는, 테트라카르복실산이무수물의 합계 1.0mol에 대해서, 디아민의 합계가 2.0mol을 넘으면, 얻어지는 폴리이미드 수지 중에, 아민 말단의 폴리이미드 올리고머의 양이 많아지는 경향이 있고, 한편, 디아민의 합계가 0.5mol 미만이면, 산말단의 폴리이미드 올리고머의 양이 많아지는 경향이 있어, 어느 경우에 있어서도, 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량이 낮아지게 되어, 접착제의 내열성을 포함하는 여러 가지의 특성이 저하하는 경향이 있다.
또한, 얻어지는 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량이 10000~300000으로 되도록, 테트라카르복실산이무수물과 디아민과의 투입의 조성비를 적절히 결정하는 것이 바람직하다.
폴리이미드 수지는, 상기 반응물(폴리아미드산)을 탈수 폐환시켜 얻을 수 있다. 탈수 폐환은, 가열 처리하는 열폐환법, 탈수제를 사용하는 화학 폐환법 등으로 행할 수 있다.
폴리이미드 수지의 원료로서 이용되는 테트라카르복실산이무수물로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 피로메리트산이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)설폰이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카르복실산이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카르복실산이무수물, 3,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산이무수물, 2,3,6, 7-나프탈렌테트라카르복실산이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카르복실산이무수물, 2,6-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산이무수물, 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산이무수물, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카르복실산이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복실산이무수물, 티오펜-2,3,5,6-테트라카르복실산이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산이무수물, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산이무수물, 2,3,2',3'-비페닐테트라카르복실산이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메틸페닐실란이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐디메틸실릴)벤젠이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디시클로헥산이무수물, p-페닐렌비스(트리메리테이트무수물), 에틸렌테트라카르복실산이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산이무수물, 데카히드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산이무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복실산이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산이무수물, 비스(엑소-비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디카르복실산이무수물, 비시클로[2.2.2]-옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페닐)페닐]프로판이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페닐)페닐]헥사플루오로프로판이무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐설피드이무수물, 1,4-비스(2-히드록시헥사플루오로이소프로필)벤젠비스(트리메리트산무수물), 1,3-비스(2-히드록시헥사플루오로이소프로필)벤젠비스(트리메리트산무수물), 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산이무수물, 테트라히드로푸란-2,3,4,5-테트라카르복실산이무수물, 하기 일반식(I)로 표시되는 테트라카르복실산이무수물 등을 들 수 있다.
[화1]
Figure pct00001
[식 중, a는 2~20의 정수를 나타낸다.]
상기 일반식(I)로 표시되는 테트라카르복실산이무수물은, 예를 들면, 무수 트리메리트산모노클로라이드 및 대응하는 디올로부터 합성할 수 있고, 구체적으로는 1,2-(에틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리메리테이트무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리메리테이트무수물) 등을 들 수 있다.
또한, 테트라카르복실산이무수물로서는, 용제에의 양호한 용해성 및 내습 신뢰성을 부여하는 관점에서, 하기 일반식(II) 또는 (III)으로 표시되는 테트라카르복실산이무수물이 바람직하다.
[화2]
Figure pct00002
[화3]
Figure pct00003
이상과 같은 테트라카르복실산이무수물은, 1종을 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 폴리이미드 수지의 원료로서 이용되는 디아민으로서는, 하기식(IV)~(VII)로 표시되는 방향족 디아민을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 하기식(IV)~(VII)로 표시되는 디아민은, 전체 디아민의 1~70몰%로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해서 알칼리 현상액에 가용인 폴리이미드 수지를 조제할 수 있다.
[화4]
Figure pct00004
[화5]
Figure pct00005
[화6]
Figure pct00006
[화7]
Figure pct00007
상기 폴리이미드 수지의 원료로서 이용되는 그 외의 디아민으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노-3,5-디메틸페닐)메탄, 비스(4-아미노-3,5-디이소프로필페닐)메탄, 3,3'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 3,4'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 4,4'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설피드, 3,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐케톤, 4,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2'-(3,4'-디아미노디페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-(3,4'-디아미노디페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 3,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 4,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설피드, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설피드, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐, 3,5-디아미노벤조산 등의 방향족 디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 하기 일반식(VIII)로 표시되는 지방족 에테르디아민, 하기 일반식(X)로 표시되는 지방족 디아민, 하기 일반식(XI)로 표시되는 실록산 디아민 등을 들 수 있다.
[화8]
Figure pct00008
[식 중, Q1, Q2 및 Q3은 각각 독립하여, 탄소수 1~10의 알킬렌기를 나타내고, b는 2~80의 정수를 나타낸다.]
[화9]
Figure pct00009
[식 중, c는 5~20의 정수를 나타낸다.]
[화10]
Figure pct00010
[식 중, Q4 및 Q9는 각각 독립하여, 탄소수 1~5의 알킬렌기 또는 치환기를 가져도 되는 페닐렌기를 나타내고, Q5, Q6, Q7 및 Q8은 각각 독립하여, 탄소수 1~5의 알킬기, 페닐기 또는 페녹시기를 나타내고, d는 1~5의 정수를 나타낸다.]
상기 일반식(VIII)로 표시되는 지방족 에테르디아민으로서 구체적으로는, 하기식；
[화11]
Figure pct00011
로 표시되는 지방족 디아민 외에, 하기식(IX)로 표시되는 지방족 에테르디아민을 들 수 있다.
[화12]
Figure pct00012
[식 중, e는 0~80의 정수를 나타낸다.]
상기 일반식(X)로 표시되는 지방족 디아민으로서 구체적으로는, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산 등을 들 수 있다.
상기 일반식(XI)로 표시되는 실록산디아민으로서 구체적으로는, 일반식(XI) 중의 d가 1의 것으로서, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(4-아미노페닐)디실록산, 1,1,3,3-테트라페녹시-1,3-비스(4-아미노에틸)디실록산, 1,1,3,3-테트라페닐-1,3-비스(2-아미노에틸)디실록산, 1,1,3,3-테트라페닐-1,3-비스(3-아미노프로필)디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(2-아미노에틸)디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(3-아미노프로필)디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(3-아미노부틸)디실록산, 1,3-디메틸-1,3-디메톡시-1,3-비스(4-아미노부틸)디실록산 등을 들 수 있다.
또한, d가 2의 것으로서, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸-1,5-비스(4-아미노페닐)트리실록산, 1,1,5,5-테트라페닐-3,3-디메틸-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산, 1,1,5,5-테트라페닐-3,3-디메톡시-1,5-비스(4-아미노부틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라페닐-3,3-디메톡시-1,5-비스(5-아미노펜틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디메톡시-1,5-비스(2-아미노에틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디메톡시-1,5-비스(4-아미노부틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디메톡시-1,5-비스(5-아미노펜틸)트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사프로필-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산 등을 들 수 있다.
상기 폴리이미드 수지의 원료로서 이용되는 그 외의 디아민은, 불소 원자를 포함하는 것이 바람직하고, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(이하 「BIS-AP-AF」라고 한다)인 것이 보다 바람직하다. 불소 원자를 포함하는 디아민을 이용하면, 필름상 감광성 접착제의 수분량을 낮게 조정할 수 있다. 분자중에 불소 원자를 함유하는 것에 의해, 흡습하는 수분량이 적게 되고, 또한 흡습한 수분과도 친화성이 낮기 때문에, 수분을 증발시키기 쉽다고 생각된다.
상술한 디아민은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 폴리이미드 수지는, 1종을 단독으로 또는 필요에 따라서 2종 이상을 혼합(브렌드)하여 이용할 수 있다.
(B) 열경화성 수지는, 열에 의해 가교 반응을 일으킬 수 있는 반응성 화합물을 말한다. 이와 같은 화합물로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 수지, 페놀 수지, 유리아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 레졸시놀포름알데히드 수지, 크실렌 수지, 푸란 수지, 폴리우레탄 수지, 케톤 수지, 트리알릴시아누레이트 수지, 폴리이소시아네이트 수지, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누라트를 함유하는 수지, 트리알릴트리메리타트를 함유하는 수지, 시클로펜타디엔으로부터 합성된 열경화성 수지, 방향족 디시아나미드의 3량화에 의한 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 고온에서 뛰어난 접착력을 갖게할 수 있는 점에서, 에폭시 수지, 시아네이트 수지 및 비스말레이미드 수지가 바람직하고, 작업성, 생산성의 점에서 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 (B) 열경화성 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 에폭시 수지로서는, 분자내에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 경화성이나 경화물 특성의 점에서, 페놀의 글리시딜에테르형의 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이와 같은 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형(또는 AD형, S형, F형)의 글리시딜에테르, 수첨가 비스페놀 A형의 글리시딜에테르, 에틸렌옥시드 부가체 비스페놀 A형의 글리시딜에테르, 프로필렌옥시드 부가체 비스페놀 A형의 글리시딜에테르, 페놀노볼락 수지의 글리시딜에테르, 크레졸노볼락 수지의 글리시딜에테르, 비스페놀 A 노볼락 수지의 글리시딜에테르, 나프탈렌 수지의 글리시딜에테르, 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜에테르, 디시클로펜타디엔페놀 수지의 글리시딜에테르, 다이머산의 글리시딜에스테르, 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜아민, 나프탈렌 수지의 글리시딜아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 이들의 에폭시 수지에는, 불순물 이온인 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 할로겐 이온, 특히 염소 이온이나 가수분해성 염소 등을 300ppm 이하로 저감한 고순도품을 이용하는 것이, 일렉트로마이그레이션 방지나 금속 도체 회로의 부식 방지를 위해서 바람직하다.
(B) 열경화성 수지의 함유량은, 접착제의 고형분 전량 100중량부를 기준으로 하여, 5~200중량부인 것이 바람직하고, 10~100중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유량이 5중량부 미만이면, 내열성이 저하하는 경향이 있고, 200중량부를 넘으면, 필름 형성성이 나빠지는 경향이 있다.
(C) 방사선 중합성 화합물은, 자외선이나 전자빔 등의 방사선의 조사에 의해, 중합 및/또는 경화하는 화합물이면, 특별히 제한은 없다. 방사선 중합성 화합물의 구체예로서는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산부틸, 메타크릴산부틸, 아크릴산2-에틸헥실, 메타크릴산2-에틸헥실, 펜테닐아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메티롤프로판디아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 트리메티롤프로판디메타크릴레이트, 트리메티롤프로판트리메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6- 헥산디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트, 스티렌, 디비닐 벤젠, 4-비닐톨루엔, 4-비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 1,3-아크릴로일옥시-2-히드록시프로판, 1,2-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로판, 메틸렌비스아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N-메티롤아크릴아미드, 트리스(β-히드록시에틸)이소시아누레이트의 트리아크릴레이트, 하기 일반식(XII)로 표시되는 화합물, 우레탄아크릴레이트, 우레탄메타크릴레이트, 요소아크릴레이트 등을 들 수 있다.
[화13]
Figure pct00013
[식 중, R41 및 R42는 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, f 및 g는 각각 독립하여, 1 이상의 정수를 나타낸다.]
상기 우레탄아크릴레이트 및 우레탄메타크릴레이트는, 예를 들면, 디올류, 하기 일반식(XIII)으로 표시되는 이소시아네이트 화합물, 및 하기 일반식(XIV)로 표시되는 화합물의 반응에 의해 생성한다.
[화14]
Figure pct00014
[식 중, R43은 탄소수 1~30의 2가 또는 3가의 유기기를 나타내고, h는 0 또는 1을 나타낸다.]
[화15]
Figure pct00015
[식 중, R44는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R45는 에틸렌기 또는 프로필렌기를 나타낸다.]
상기 요소메타크릴레이트는, 예를 들면, 하기 일반식(XV)로 표시되는 디아민과 하기 일반식(XVI)로 표시되는 화합물과의 반응에 의해 생성한다.
[화16]
Figure pct00016
[식 중, R46은 탄소수 2~30의 2가의 유기기를 나타낸다.]
[화17]
Figure pct00017
[식 중, i는 0 또는 1을 나타낸다.]
이상과 같은 화합물 외에, 관능기를 포함하는 비닐 공중합체에, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화기와, 옥시란환, 이소시아네이트기, 수산기, 및 카르복실기 등의 관능기를 가지는 화합물을 부가 반응시켜 얻어지는, 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 가지는 방사선 중합성 공중합체 등을 사용할 수 있다.
이들의 방사선 중합성 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 상기 일반식(XII)로 표시되는 방사선 중합 화합물은, 경화 후의 내용제성을 충분히 부여할 수 있는 점에서 바람직하고, 우레탄아크릴레이트 및 우레탄메타크릴레이트는, 경화 후의 고접착성을 충분히 부여할 수 있는 점에서 바람직하다.
(C) 방사선 중합성 화합물의 함유량은, (A) 열가소성 수지 100중량부에 대해서 20~200중량부인 것이 바람직하고, 30~100중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유량이 200중량부를 넘으면, 중합에 의해 열용융시의 유동성이 저하하고, 열압착시의 접착성이 저하하는 경향이 있다. 한편, 20중량부 미만이면, 노광에 의한 광경화 후의 내용제성이 낮아지게 되어, 패턴을 형성하는 것이 곤란하게 되는 경향이 있다.
(D) 광개시제란, 방사선 조사에 의해서 유리 라디칼을 생성하는 광중합 개시제 또는 방사선 조사에 의해서 염기를 발생하는 광염기발생제 등을 의미한다.
방사선 조사에 의해서 유리 라디칼을 생성하는 광중합 개시제로서는, 감도를 좋게 하기 위해서, 300~500nm에 있어서 흡수대를 가지는 것이 바람직하다.
이러한 광중합 개시제의 구체예로서는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸 4,4'-디아미노벤조페논(미힐러케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모르폴리노프로파논-1,2,4-디에틸티오크산톤, 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논 등의 방향족 케톤, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인, 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)이미다졸이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-페닐이미다졸이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸이량체, 2,4-디(p-메톡시페닐)-5-페닐이미다졸이량체, 2-(2,4-디메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸이량체, 9-페닐 아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 비스아실포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 광염기발생제란, 방사선 조사시에 염기를 발생하는 화합물이면 특별히 제한은 없다. 발생하는 염기로서는, 반응성, 경화 속도의 점에서 강염기성 화합물이 바람직하다. 일반적으로는, 염기성의 지표로서 산해리 정수의 대수인 pKa값이 사용되고, 수용액 중에서의 pKa값이 7 이상인 염기가 바람직하고, 더욱이 9 이상의 염기가 보다 바람직하다.
이와 같은 방사선 조사시에 발생하는 염기로서는, 예를 들면, 이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 1-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체, 피페라진, 2,5-디메틸 피페라진 등의 피페라진 유도체, 피페리딘, 1,2-디메틸피페리딘 등의 피페리딘 유도체, 프로린 유도체, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 트리알킬아민 유도체, 4-메틸아미노피리딘, 4-디메틸아미노피리딘 등의 4위치에 아미노기 또는 알킬아미노기가 치환한 피리딘 유도체, 피롤리딘, n-메틸피롤리딘 등의 피롤리딘 유도체, 트리에틸렌디아민, 1,8-디아자비스시클로(5,4,0)운데센-1(DBU) 등의 지환식 아민 유도체, 벤질메틸아민, 벤질디메틸아민, 벤질디에틸아민 등의 벤질아민 유도체 등을 들 수 있다.
상기와 같은 염기를 방사선 조사에 의해서 발생하는 광염기발생제로서는, 예를 들면, Journal of Photopolymer Science and Technology 12권, 313~314페이지(1999년), Chemistry of Materials 11권, 170~176페이지(1999년) 등에 기재되어 있는 4급 암모늄염 유도체를 이용할 수 있다.
또한, 광염기발생제로서는, Journal of American Chemical Society 118권 12925페이지(1996년), Polymer Journal 28권 795페이지(1996년) 등에 기재되어 있는 카르바민산 유도체를 이용할 수 있다.
또한, 활성 광선의 조사에 의해 1급의 아미노기를 발생하는 옥심 유도체, 광라디칼 발생제로서 시판되고 있는 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(Ciba Speciality Chemicals사제, 일가큐어 907), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1(Ciba Speciality Chemicals사제, 일가큐어 369), 헥사아릴비스이미다졸 유도체(할로겐, 알콕시기, 니트로기, 시아노기 등의 치환기가 페닐기에 치환되고 있어도 된다), 벤조이소옥사졸론 유도체 등을 이용할 수 있다.
또한, 상기 방사선 조사에 의해서 염기를 발생하는 광염기발생제를 이용하는 것에 더하여 또는 대신하여, 광프리스 전위, 광클라이젠 전위(광Cleisen 전위), 커티우스 전위(Curtius 전위), 스티븐스 전위(Stevens 전위) 등의 반응에 의해서 염기를 발생시켜, 에폭시 수지의 경화를 행할 수 있다.
이들의 화합물은, 실온에서 방사선을 조사하지 않은 상태에서는 에폭시 수지와 반응성을 나타내지 않기 때문에, 실온에서의 저장 안정성이 매우 우수하다고 하는 특징을 가진다.
(D) 광개시제의 함유량은, 특별히 제한은 없지만, (A) 열가소성 수지 100중량부에 대해서, 통상 0.01~30중량부이다.
또한, 상기 필름상 감광성 접착제에는, 필요에 따라서, 경화촉진제를 함유시킬 수도 있다. 상기 경화촉진제로서는, (B) 열경화성 수지를 경화시키는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 이미다졸류, 디시안디아미드 유도체, 디카르복실산디히드라지드, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸-테트라페닐보레이트, 1,8-디아자비시클로[5.4.O]운데센-7-테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다.
상기 에폭시 수지를 사용하는 경우는, 필요에 따라서 상기 필름상 감광성 접착제에 경화제를 함유시킬 수도 있다. 상기 경화제로서는, 예를 들면, 페놀계 화합물, 지방족 아민, 지환족 아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드, 지방족 산무수물, 지환족 산무수물, 방향족 산무수물, 디시안디아미드, 유기산 디히드라지드, 삼불화붕소아민 착체, 이미다졸류, 제3급 아민 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 페놀계 화합물이 바람직하고, 분자 중에 적어도 2개 이상의 페놀성 수산기를 가지는 페놀계 화합물이 보다 바람직하다.
이와 같은 화합물로서는, 예를 들면, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, t-부틸페놀 노볼락, 디시클로펜타젠크레졸노볼락, 디시클로펜타젠페놀노볼락, 크실렌 변성 페놀노볼락, 나프톨계 화합물, 트리스페놀계 화합물, 테트라키스페놀노볼락, 비스페놀 A 노볼락, 폴리-p-비닐페놀, 페놀아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수평균 분자량이 400~1500의 범위내의 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열압착시에, 반도체소자 또는 장치 등의 오염의 원인이 되는 아웃 가스를 억제할 수 있다.
상기 필름상 감광성 접착제에는, 필러를 함유시킬 수도 있다. 상기 필러로서는, 예를 들면, 알루미나, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 결정성 실리카, 비정성 실리카, 질화 붕소, 티타니아, 유리, 산화철, 세라믹 등의 무기 필러, 카본, 고무계 필러 등의 유기 필러 등을 들 수 있고, 종류ㆍ형상 등에 관계없이 특별히 제한없이 사용할 수 있다.
상기 필러의 함유량은, 부여하는 특성 또는 기능에 따라서 결정할 수 있지만, 수지 성분과 필러와의 합계에 대해서 통상 1~50중량%, 바람직하게는 2~40중량%, 한층 더욱 바람직하게는 5~30중량%이다. 필러를 증량시키는 것에 의해, 고탄성율화가 도모되고, 다이싱성(다이서칼날에 의한 절단성), 와이어 본딩성(초음파 효율), 가열시의 접착 강도를 유효하게 향상할 수 있다.
필러를 필요 이상으로 증량시키면, 열압착성이 손상되는 경향이 있기 때문에, 필러의 함유량은 상기의 범위내에 넣는 것이 바람직하다. 구해지는 특성의 밸런스를 잡을 수 있도록, 최적 필러 함유량을 결정한다. 필러를 이용한 경우의 혼합ㆍ혼련은, 통상의 교반기, 반죽기, 3개 롤, 볼 밀 등의 분산기를 적절히, 조합하여 행할 수 있다.
상기 필름상 감광성 접착제에는, 이종 재료간의 계면결합을 좋게 하기 위해서, 실란 커플링제 등을 함유시킬 수 있고, 또한, 이온성 불순물을 흡착하여, 흡습시의 절연 신뢰성을 좋게 하기 위해서, 이온 포착제를 함유시킬 수도 있다. 또한, 열경화시에 잔존하고 있는 미반응의 아크릴레이트를 반응시키기 위해서, 열라디칼 발생제를 함유시킬 수도 있다.
상기 필름상 감광성 접착제는, 상술한 성분을 예를 들면, 디메틸포름아미드, 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 메틸에틸케톤, 테트라히드로푸란, 에틸셀로솔브, 에틸셀로솔브아세테이트, 디옥산, 시클로헥사논, 아세트산에틸, 및 N-메틸-피롤리디논 등의 유기용제에 용해시켜 니스를 조제하고, 이것을 박리제처리 PET 등의 기재상에 도포하고, 이것을 건조하는 것에 의해 제작할 수 있다.
상기 필름상 감광성 접착제는, 다이본딩용의 접착제로서의 기능과 패턴화된 절연 수지막을 형성하는 감광성 수지로서의 기능을 겸비한 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 반도체장치 및 반도체장치의 제조방법의 실시형태로서는, 반도체소자를 적층시킨 구조를 가지는 반도체장치, 카메라 모듈용의 반도체장치, 플립 칩 구조를 가지는 반도체장치 등을 들 수 있다. 이하, 이들의 실시형태를 나타내지만, 본 발명은 이하의 형태로 한정되는 것은 아니다.
도 1, 2, 3, 4, 5 및 6은, 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도 또는 평면도이다. 본 실시형태에 관련되는 반도체장치의 제조방법은, 반도체 웨이퍼(2) 내에 형성된 반도체소자(20)의 회로면(25)상에 필름상의 감광성 접착제(1)을 설치하는 공정(도 1(a), (b))과, 반도체소자(20)의 회로면(25)상에 설치된 필름상의 감광성 접착제(1)을 노광 및 현상에 의해서 패턴화하는 공정(도 1(c), 도 2(a))와, 반도체 웨이퍼(2)를 회로면(25)와는 반대측의 면으로부터 연마하여 반도체 웨이퍼(2)를 얇게 하는 공정(도 2(b))와 반도체 웨이퍼(2)를 다이싱에 의해 복수의 반도체소자(20)로 분리하는 공정(도 2(c), 도 4(a))와, 반도체소자(20)을 픽업하여 반도체장치용의 판상의 지지기재(7)에 마운트하는 공정(도 4(b), 도 5(a))와, 지지기재(7)에 마운트된 반도체소자(20)의 회로면상에서 패턴화된 감광성 접착제(1)에 2층째의 반도체소자(21)을 직접 접착하는 공정(도 5(b))와, 각 반도체소자(20, 21)을 외부 접속 단자와 접속하는 공정(도 6)을 구비할 수 있다.
도 1(a)에 나타나는 반도체 웨이퍼(2) 내에는, 다이싱 라인(90)에 의해서 구분된 복수의 반도체소자(20)이 형성되어 있다. 이 반도체소자(20)의 회로면(25)측의 면에 필름상의 감광성 접착제(1)이 설치된다(도 1(b)). 미리 필름상으로 성형된 감광성 접착제(1)을 준비하고, 이것을 반도체 웨이퍼(2)에 첩부하는 방법이 간편하다.
감광성 접착제(1)은, 노광 및 현상에 의해서 패턴화된 후에 피착체에 대한 접착성을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 네거티브형의 감광성 접착제이다. 보다 상세하게는, 필름상의 감광성 접착제(1)을 노광 및 현상에 의해서 패턴화하여 형성되는 레지스트 패턴이, 피착체에 대한 접착성을 가지고 있다. 예를 들면 레지스트 패턴에 피착체를 필요에 따라 가열하면서 압착하는 것에 의해, 레지스트 패턴과 피착체를 접착하는 것이 가능하다. 상기 피착체는 반도체소자나 유리 기판 등을 들 수 있다. 또한, 피착체인 반도체소자는 패턴화된 필름상 감광성 접착제가 형성되어 있어도 된다.
반도체 웨이퍼(2)에 적층된 감광성 접착제(1)에 대해서, 소정의 위치에 개구를 형성하고 있는 마스크(3)을 개재시켜 활성 광선(전형적으로는 자외선)을 조사한다(도 1(c)). 이것에 의해 감광성 접착제(1)이 소정의 패턴으로 노광된다.
노광 후, 감광성 접착제(1) 중 노광되지 않았던 부분을 알칼리 현상액을 이용한 현상에 의해서 제거하는 것에 의해, 개구(11)이 형성되도록 감광성 접착제(1)을 패턴화할 수 있다(도 2(a)). 또한, 네거티브형을 대신하여 포지티브형의 감광성 접착제를 이용하는 것도 가능하고, 그 경우는 필름상의 감광성 접착제 중 노광된 부분이 현상에 의해 제거된다.
도 3은, 감광성 접착제(1)이 패턴화된 상태를 나타내는 평면도이다. 개구(11)에 있어서 반도체소자(20)의 본딩 패드(bonding pad)가 노출한다. 즉, 패턴화된 감광성 접착제(1)은, 반도체소자(20)의 버퍼 코트막이다. 구형상의 개구(11)은, 각 반도체소자(20)상에 복수 늘어서 형성되어 있다. 개구(11)의 형상, 배치 및 수는 본 실시형태와 같은 형태로 한정되는 것이 아니고, 본딩 패드 등의 소정의 부분이 노출하도록 적절히 변형이 가능하다.
패턴화한 후, 반도체 웨이퍼(2)의 감광성 접착제(1)과는 반대측의 면을 연마하고, 반도체 웨이퍼(2)를 소정의 두께까지 얇게 할 수 있다(도 2(b)). 연마는, 예를 들면, 감광성 접착제(1)상에 점착 필름을 첩부하고, 점착 필름에 의해서 반도체 웨이퍼(2)를 연마용의 지그에 고정하여 행해진다. 또한, 반도체 웨이퍼를 얇게 하는 공정은, 패턴화하기 전에서도 가능하다. 또한, 패턴화한 후에 반도체 웨이퍼를 얇게 하는 경우는 상기 점착 필름이 필요하게 되지 않는 경우도 있다.
연마 후, 반도체 웨이퍼(2)의 감광성 접착제(1)과는 반대측의 면에, 다이본딩 필름(30) 및 다이싱 필름(40)을 가지며, 이들이 적층하고 있는 복합 필름(5)가, 다이본딩 필름(30)이 반도체 웨이퍼(2)에 접하는 방향으로 첩부된다. 첩부할 때에는 필요에 의해 가열하면서 행할 수 있다.
뒤이어, 다이싱 라인(90)에 따라서 반도체 웨이퍼(2)를 복합 필름(5)와 함께 절단하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(2)를 복수의 반도체소자(20)로 분리할 수 있다(도 4(a)). 이 다이싱은, 예를 들면, 다이싱 필름(40)에 의해서 전체를 프레임에 고정한 상태에서 다이싱 블레이드를 이용하여 행해진다.
다이싱 후, 반도체소자(20) 및 그 이면에 첩부된 다이본딩 필름(30)과 함께 픽업된다(도 4(b)). 픽업된 반도체소자(20)은, 지지기재(7)에 다이본딩 필름(30)을 개재시켜 마운트되는 것이 가능하다(도 5(a)).
지지기재(7)에 마운트된 반도체소자(20)상의 감광성 접착제(1)에 대해서, 2층째의 반도체소자(21)을 직접 접착할 수 있다(도 5(b)). 환언하면, 반도체소자(20)과, 그 상층에 위치하는 반도체소자(21)이, 그들의 사이에 개재하는 패턴화된 감광성 접착제(1)(버퍼 코트막)에 의해서 접착된다. 반도체소자(21)은, 패턴화된 감광성 접착제(1) 중 개구(11)은 막히지 않는 위치에 접착된다. 또한, 반도체소자(21)의 회로면상에도 패턴화된 감광성 접착제(1)(버퍼 코트막)이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
반도체소자(21)의 접착은, 예를 들면, 감광성 접착제(1)이 유동성을 발현하도록 하는 온도까지 가열하면서 열압착하는 방법에 의해 행해져도 된다. 이 때에 필름상 감광성 접착제를 수분량 조정 처리함으로써, 내열성이 있는 반도체장치를 얻을 수 있다. 열압착 후, 필요에 의해 감광성 접착제(1)을 가열하여 더욱 경화를 진행시켜도 된다.
그 후, 반도체소자(20)은 그 본딩 패드에 접속된 와이어(80)을 개재시켜 지지기재(7)상의 외부 접속 단자와 접속되고, 반도체소자(21)은 그 본딩 패드에 접속된 와이어(81)을 개재시켜 지지기재(7)상의 외부 접속 단자와 접속된다. 그리고, 복수의 반도체소자를 포함하는 적층체를 봉지 수지층(60)에 의해서 봉지하여, 반도체장치(100)을 얻을 수 있다(도 6).
반도체장치의 제조방법은 이상 설명한 실시형태로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적절히 변경이 가능하다. 예를 들면, 접착 필름의 첩부, 다이싱, 노광 및 현상, 및 반도체 웨이퍼의 연마의 각 공정의 순서를 적절히 변경하는 것이 가능하다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 필름상의 감광성 접착제(1)이 첩부된 반도체 웨이퍼(2)를 연마에 의해 얇게 한 후, 다이싱을 행해도 된다. 이 경우, 다이싱 후, 노광 및 현상에 의해서 감광성 접착제(1)을 패턴화하여, 도 4(a)와 동일한 적층체가 얻어진다. 혹은, 연마에 의해 얇게 하여 반도체 웨이퍼를 다이싱 하고 나서, 필름상의 감광성 접착제(1)의 첩부 및 그 노광 및 현상을 행해도 된다. 또한, 3층 이상의 반도체소자가 적층되어 있어도 되고, 그 경우, 적어도 1조의 인접하는 반도체소자끼리가, 패턴화된 감광성 접착제(하층측의 버퍼 코트막)에 의해서 직접 접착되는 것이 바람직하다.
또한, 도 8~20은, 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 도면이다. 접착제층 부착 반도체 웨이퍼(120)은, 반도체 웨이퍼(105)상에, 접착 필름(접착제층)(101)을 가열하면서 라미네이트하는 것에 의해 얻어진다. 상기 접착제층 부착 반도체 웨이퍼(120)은, 접착제층(101)을 개재시켜 피착체를 반도체 웨이퍼(105)에 접착하는 공정을 거쳐 CCD 카메라 모듈, CMOS 카메라 모듈 등의 전자 부품을 제조하기 위해서 적절하게 이용된다. 이하, CCD 카메라 모듈을 제조하는 경우의 예에 관하여 설명한다. CMOS 카메라 모듈도 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
도 9는, 접착제 패턴의 일실시형태를 나타내는 상면도이며, 도 10은 도 9의 VI-VI선에 따른 단면도이다. 도 9, 10에 나타내는 접착제 패턴(101a)는, 피착체로서의 반도체 웨이퍼(105)상에 있어서, 반도체 웨이퍼(105)상에 설치된 복수의 유효 화소 영역(107)을 둘러싸는 대략 정방형의 변에 따른 패턴을 가지도록 형성되어 있다.
도 11은, 접착제 패턴의 일실시형태를 나타내는 상면도이며, 도 12는 도 11의 VIII-VIII선에 따른 단면도이다. 도 11, 12에 나타내는 접착제 패턴(101b)는 피착체로서의 반도체 웨이퍼(105)상에 있어서, 반도체 웨이퍼(105)상에 설치된 유효 화소 영역(107)이 노출하는 대략 정방형의 개구부가 형성되도록 패턴화되어 있다.
접착제 패턴(101a 및 101b)는, 감광성 접착제 조성물로 이루어지는 접착제층(101)을 피착체로서의 반도체 웨이퍼(105)상에 형성하여 접착제층 부착 반도체 웨이퍼(120)을 얻고, 접착제층(101)을 포토마스크를 개재시켜 노광하고, 노광 후의 접착제층(101)을 알칼리 수용액에 의해 현상하는 것에 의해 형성된다. 즉, 접착제 패턴(101a 및 101b)는, 노광 후의 감광성 접착제 조성물로 구성된다.
뒤이어, 접착제 패턴(101a 또는 101b)를 개재시켜 반도체 웨이퍼(120)에 또 한쪽의 피착체로서의 커버 유리(109)가 접착된다. 도 13은 커버 유리(109)가 접착제 패턴(101a)를 개재시켜 반도체 웨이퍼(120)에 접착된 상태를 나타내는 상면도이며, 도 14는 도 13의 X-X선에 따른 단면도이다. 도 15는 커버 유리(109)가 접착제 패턴(101b)를 개재시켜 반도체 웨이퍼(120)에 접착된 상태를 나타내는 상면도이며, 도 16은 도 15의 XI-XI선에 따른 단면도이다. 커버 유리(9)는, 가열 경화된 접착제 패턴(101a 또는 101b)를 끼워 반도체 웨이퍼(120)에 접착되어 있다. 커버 유리(109)를 접착제 패턴(101a 또는 101b)상에 얹어, 이것을 열압착하는 것에 의해, 커버 유리(109)가 접착된다. 이 때에 필름상 감광성 접착제를 수분량 조정 처리함으로써, 커버 유리의 박리 등의 반도체장치의 불량을 방지할 수 있다. 또한, 접착제 패턴(101a 및 101b)는, 커버 유리(109)를 접착하기 위한 접착제로서 기능함과 동시에, 유효 화소 영역(107)을 둘러싸는 공간을 확보하기 위한 스페이서로서도 기능하고 있다.
커버 유리(109)를 접착한 후, 파선 D에 따른 다이싱에 의해, 도 17에 나타나는 반도체장치(130a) 또는 도 18에 나타나는 반도체장치(130b)가 얻어진다. 반도체장치(130a)는, 반도체 웨이퍼(105), 유효 화소 영역(107), 접착제 패턴(접착제층) (101a) 및 커버 유리(109)로 구성된다. 반도체장치(130b)는, 반도체 웨이퍼(105), 유효 화소 영역(107), 접착제 패턴(접착제층)(101b) 및 커버 유리(109)로 구성된다.
상술한 반도체장치는, CCD 카메라 모듈 등의 전자 부품에 적절하게 이용할 수 있다.
도 19는, 상기 반도체장치를 포함하는 CCD 카메라 모듈의 일실시형태를 나타내는 단면도이다. 도 19에 나타내는 CCD 카메라 모듈(150a)는, 고체 촬상 소자로서의 반도체장치(130a)를 구비하는 전자 부품이다. 반도체장치(130a)는, 다이 본드 필름(111)을 개재시켜 반도체소자 탑재용 지지기재(115)에 접착되어 있다. 반도체장치(130a)는, 와이어(112)를 개재시켜 외부 접속 단자와 전기적으로 접속되어 있다.
CCD 카메라 모듈(150a)는, 유효 화소 영역(107)의 바로 위에 위치하도록 설치된 렌즈(140)과, 렌즈(140)과, 렌즈(140)과 함께 반도체장치(130a)를 내포하도록 설치된 측벽(116)과, 렌즈(140)이 끼워 넣어진 상태에서 렌즈(140) 및 측벽(116)의 사이에 개재하는 끼워 넣기용 부재(117)이 반도체소자 탑재용 지지기재(115)상에 탑재된 구성을 가진다.
도 20은, 전자 부품으로서의 CCD 카메라 모듈의 일실시형태를 나타내는 단면도이다. 도 19에 나타내는 CCD 카메라 모듈(150b)는, 상기 실시형태와 같이 다이본딩 필름을 이용하여 반도체장치가 접착된 구성을 대신하여, 땜납(113)을 개재시켜 반도체장치(130a)가 반도체소자 탑재용 지지기재(115)와 접착된 구성을 가진다.
도 21은, 반도체장치의 일실시형태를 나타내는 단면도이다. 반도체장치(201)은, 접속 단자(제 1의 접속부:도시하지 않음)을 가지는 기판(제 1의 피착체)(203)과, 접속용 전극부(제 2의 접속부:도시하지 않음)을 가지는 반도체 칩(제 2의 피착체)(205)와, 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)과, 도전재로 이루어지는 도전층(209)를 구비하고 있다. 기판(203)은, 반도체 칩(205)와 대향하는 회로면 (211)을 가지고 있고, 반도체 칩(205)와 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 절연 수지층(207)은, 기판(203) 및 반도체 칩(205)의 사이에 있어서, 기판(203) 및 반도체 칩(205) 각각과 접하여 형성되어 있고, 소정의 패턴을 가지고 있다. 도전층(209)는, 기판(203) 및 반도체 칩(205)의 사이에 있어서의, 절연 수지층(207)이 배치되지 않은 부분에 형성되어 있다. 반도체 칩(205)의 접속용 전극부는, 도전층(209)를 개재시켜 기판(203)의 접속 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 반도체장치(201)은 플립 칩 구조를 포함하는 전자 부품에 적절하게 이용할 수 있다.
도 22~도 26은, 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관련되는 반도체장치의 제조방법은, 접속 단자를 가지는 기판(203)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하는 공정(제 1의 공정:도 22 및 도 23)과, 절연 수지층(207)을 노광 및 현상에 의해, 접속 단자가 노출하는 개구(213)이 형성되도록 패터닝하는 공정(제 2의 공정:도 24 및 도 25)과, 개구(213)에 도전재를 충전하여 도전층(209)를 형성하는 공정(제 3의 공정:도 26)과, 접속용 전극부를 가지는 반도체 칩(205)를, 기판(203)과 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 기판(203)의 접속 단자와 반도체 칩(205)의 접속용 전극부를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속하는 공정(제 4의 공정)을 구비한다.
도 22에 나타나는 기판(203)의 회로면(211)상에, 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)이 설치된다(도 23). 미리 필름상으로 형성된 감광성 접착제(이하 경우에 따라 「접착 필름」이라 한다.)를 준비하고, 이것을 기판(203)에 첩부하는 방법이 간편하다. 또한, 감광성 접착제는, 스핀 코트법 등을 이용하여 감광성 접착제를 함유하는 액상의 니스를 기판(203)에 도포하여, 가열 건조하는 방법에 의해 설치해도 된다.
감광성 접착제는, 노광 및 현상에 의해서 패터닝된 후에 피착체에 대한 접착성을 가져서, 알칼리 현상이 가능한 네거티브형의 감광성 접착제이다. 보다 상세하게는, 감광성 접착제를 노광 및 현상에 의해서 패터닝하여 형성되는 레지스트 패턴이, 반도체 칩 및 기판 등의 피착체에 대한 접착성을 가지고 있다. 예를 들면 레지스트 패턴에 피착체를 필요에 의해 가열하면서 압착하는 것에 의해, 레지스트 패턴과 피착체를 접착하는 것이 가능하다. 이러한 기능을 가지는 감광성 접착제의 상세한 것에 관해서는 후술한다.
기판(203)상에 설치된 절연 수지층(207)에 대해서, 소정의 위치에 개구가 형성되어 있는 마스크(215)를 개재시켜 활성 광선(전형적으로는 자외선)을 조사한다(도 24). 이것에 의해 절연 수지층(207)이 소정의 패턴으로 노광된다.
노광 후, 절연 수지층(207) 중 노광되지 않았던 부분을, 알칼리 현상액을 이용한 현상에 의해서 제거하는 것에 의해, 기판(203)의 접속 단자가 노출하는 개구(213)이 형성되도록 절연 수지층(207)이 패터닝된다(도 25). 또한, 네거티브형을 대신하여 포지티브형의 감광성 접착제를 이용하는 것도 가능하고, 그 경우는 절연 수지층(207) 중 노광된 부분이 현상에 의해 제거된다.
얻어진 레지스트 패턴의 개구(213)에 도전재를 충전하여 도전층(209)를 형성한다(도 26). 도전재의 충전 방법은, 그라비아 인쇄, 롤에 의한 압입, 감압 충전 등 각종의 방법을 채용할 수 있다. 여기에서 사용하는 도전재는, 땜납, 금, 은, 니켈, 구리, 백금, 팔라듐 혹은 산화 루테늄 등의 금속, 또는, 금속 산화물 등으로 이루어지는 전극 재료, 상기 금속의 범프 외, 예를 들면, 도전성 입자와 수지 성분을 적어도 함유하여 이루어지는 것을 들 수 있다. 상기 도전성 입자로서는, 예를 들면, 금, 은, 니켈, 구리, 백금, 팔라듐 혹은 산화 루테늄 등의 금속 혹은 금속 산화물, 또는 유기 금속 화합물 등의 도전성 입자가 이용된다. 또한, 수지 성분으로서는, 예를 들면, 에폭시 수지 및 그 경화제 등의 상술한 경화성 수지 조성물이 이용된다.
기판(203)상의 절연 수지층(207)에 대해서, 반도체 칩(205)가 직접 접착된다. 반도체 칩(205)의 접속용 전극부는, 도전층(209)를 개재시켜 기판(203)의 접속 단자와 전기적으로 접속된다. 또한, 반도체 칩(205)에 있어서의 절연 수지층(207)과 반대측의 회로면상에, 패턴화된 절연 수지층(버퍼 코트막)이 형성되어 있어도 된다.
반도체 칩(205)의 접착은, 예를 들면, 감광성 접착제가 유동성을 발현하는 온도에까지 가열하면서 열압착하는 방법에 의해 행해진다. 이 때에 필름상 감광성 접착제를 수분량 조정 처리함으로써, 내열성이 있는 반도체장치를 얻을 수 있다. 열압착 후, 필요에 의해 절연 수지층(207)을 가열하여 더욱 경화를 진행시킨다.
반도체 칩(205)에 있어서의 절연 수지층(207)과 반대측의 회로면(이면)에는, 이면 보호 필름을 첩부하는 것이 바람직하다.
이상에 의해, 도 21에 나타내는 구성을 가지는 반도체장치(201)가 얻어진다. 반도체장치의 제조방법은, 이상 설명한 실시형태로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적절히 변경이 가능하다.
예를 들면, 감광성 접착제는 최초로 기판(203)상에 설치되는 것에 한정되는 것은 아니고, 반도체 칩(205)상에 최초로 설치할 수도 있다. 이 경우, 반도체장치의 제조방법은, 예를 들면, 접속용 전극부를 가지는 반도체 칩(205)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하는 제 1의 공정과, 절연 수지층(207)을 노광 및 현상에 의해, 접속용 전극부가 노출하는 개구(213)이 형성되도록 패터닝하는 제 2의 공정과, 개구(213)에 도전재를 충전하여 도전층(209)를 형성하는 제 3의 공정과, 접속 단자를 가지는 기판(203)을, 반도체 칩(205)와 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 기판(203)의 접속 단자와 반도체 칩(205)의 접속용 전극부를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속하는 제 4의 공정을 구비한다.
상기 제조방법에서는, 각각 개편화된 기판(203) 및 반도체 칩(205)간의 접속이기 때문에, 기판(203)상의 접속 단자와 반도체 칩(205)상의 접속용 전극부와의 접속이 용이한 점에서 바람직하다.
또한, 감광성 접착제는, 복수의 반도체 칩(205)로 구성되는 반도체 웨이퍼상에 최초로 설치할 수도 있다. 이 경우, 반도체장치의 제조방법은, 예를 들면, 접속용 전극부를 가지는 복수의 반도체 칩(205)로 구성되는 반도체 웨이퍼(217)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하는 제 1의 공정(도 7)과, 절연 수지층(207)을 노광 및 현상에 의해, 접속용 전극부가 노출하는 개구(213)이 형성되도록 패터닝하는 제 2의 공정과, 개구(213)에 도전재를 충전하여 도전층(209)를 형성하는 제 3의 공정과, 접속 단자를 가지는 웨이퍼 사이즈의 기판(반도체 웨이퍼와 동일한 정도의 크기를 가지는 기판)(203)을, 반도체 웨이퍼(217)과 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 기판(203)의 접속 단자와 반도체 웨이퍼(217)을 구성하는 반도체 칩(205)의 접속용 전극부를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속하는 제 4의 공정과, 반도체 웨이퍼(217)과 절연 수지층(207)과 기판(203)과의 적층체를 반도체 칩(205)마다 분리하는(다이싱) 제 5의 공정을 구비한다.
또한, 상기 제조방법은, 제 1의 공정에 있어서, 웨이퍼 사이즈의 기판(203)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하고, 제 4의 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(217)을, 기판(203)과 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 기판(203)의 접속 단자와 반도체 웨이퍼(217)을 구성하는 반도체 칩(205)의 접속용 전극부를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속하고, 제 5의 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(217)과 절연 수지층(207)과 기판(203)과의 적층체를 반도체 칩(205)마다 분리해도 된다.
상기 제조방법에서는, 반도체 웨이퍼(217)과 기판(203)과의 접속까지의 공정(제 4의 공정)을 웨이퍼 사이즈로 할 수 있으므로 작업 효율의 점에서 바람직하다. 또한, 반도체 웨이퍼(217)에 있어서의 절연 수지층(207)과 반대측의 회로면(이면)에는, 이면 보호 필름을 첩부하는 것이 바람직하다.
또한, 다른 반도체장치의 제조방법은, 접속용 전극부를 가지는 복수의 반도체 칩(205)로 구성되는 반도체 웨이퍼(217)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하는 제 1의 공정과, 절연 수지층(207)을 노광 및 현상에 의해, 접속용 전극부가 노출하는 개구(213)이 형성되도록 패터닝하는 제 2의 공정과, 개구(213)에 도전재를 충전하여 도전층(209)를 형성하는 제3의 공정과, 반도체 웨이퍼(217)과 절연 수지층(207)과의 적층체를 반도체 칩(205)마다 분리하는(다이싱) 제 4의 공정과, 접속 단자를 가지는 기판(203)을, 개편화된 반도체 칩(205)과 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 기판(203)의 접속 단자와 반도체 칩(205)의 접속용 전극부를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속하는 제 5의 공정을 구비한다.
또한, 상기 제조방법은, 제 1의 공정에 있어서, 웨이퍼 사이즈의 기판(203)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하고, 제 4의 공정에 있어서, 웨이퍼 사이즈의 기판(203)과 절연 수지층(207)과의 적층체를 반도체 칩(205)마다 분리하여, 제 5의 공정에 있어서, 반도체 칩(205)를, 개편화된 기판(203)과 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 기판(203)의 접속 단자와 반도체 칩(205)의 접속용 전극부를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속해도 된다.
상기 제조방법에서는, 감광성 접착제의 형성으로부터 도전재의 충전 공정(제 3의 공정)까지를 웨이퍼 사이즈로 행하고, 또한 다이싱 공정(제 4의 공정)을 원활하게 할 수 있는 점에서 바람직하다.
또한, 감광성 접착제를 이용하여, 반도체 웨이퍼끼리 또는 반도체 칩끼리를 접착하는 것에 의해 반도체 적층체를 구성할 수 있다. 이 적층체에는, 관통 전극을 형성하는 것도 가능하다.
이 경우, 반도체장치의 제조방법은, 예를 들면, 관통 전극의 접속용 전극부를 가지는 제 1의 반도체 칩(205)상에 감광성 접착제로 이루어지는 절연 수지층(207)을 설치하는 제 1의 공정과, 절연 수지층(207)을 노광 및 현상에 의해, 상기 접속용 전극부가 노출하는 개구(213)이 형성되도록 패터닝하는 제 2의 공정과, 개구(213)에 도전재를 충전하여 관통 전극 접속을 형성하는 제 3의 공정과, 접속용 전극부를 가지는 제 2의 반도체 칩(205)를, 제 1의 반도체 칩(205)과 절연 수지층(207)과의 적층체의 절연 수지층(207)에 직접 접착함과 동시에, 제 1 및 제 2의 반도체 칩(205)의 접속용 전극부끼리를 도전층(209)를 개재시켜 전기적으로 접속하는 제 4의 공정을 구비한다. 상기 제조방법에 있어서, 반도체 칩으로 변경하여, 반도체 웨이퍼를 이용해도 된다.
또한, 상기 전자 부품은, 통상 접착제를 경화시키는 경화 공정 및 땜납리플로우 공정을 거쳐 제조된다.
본 발명에 의하면, 내열성이 뛰어난 반도체장치, 및 이와 같은 반도체장치를 제조 가능하고, 또한 열압착 불량 등의 불량이 생기기 어려운 반도체장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 4는 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 5는 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 6은 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 7은 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 8은 접착제층 부착 반도체 웨이퍼의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 9는 접착제 패턴의 일실시형태를 나타내는 상면도이다.
도 10은 도 9의 VI-VI선에 따른 단면도이다.
도 11은 접착제 패턴의 일실시형태를 나타내는 상면도이다.
도 12는 도 11의 VIII-VIII선에 따른 단면도이다.
도 13은 접착제 패턴을 개재시켜 커버 유리가 반도체 웨이퍼에 접착된 상태를 나타내는 상면도이다.
도 14는 도 13의 X-X선에 따른 단면도이다.
도 15는 접착제 패턴을 개재시켜 커버 유리가 반도체 웨이퍼에 접착된 상태를 나타내는 상면도이다.
도 16은 도 15의 XII-XII선에 따른 단면도이다.
도 17은 반도체장치의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 18은 반도체장치의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 19는 CCD 카메라 모듈의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 20은 CCD 카메라 모듈의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 21은 반도체장치의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 22는 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 23은 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 24는 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 25는 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 26은 반도체장치의 제조방법의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 근거하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
(폴리이미드 PI-1의 합성)
교반기, 온도계 및 질소 치환 장치를 구비한 플라스크내에 5,5'-메틸렌비스(안트라닐릭애시드)(분자량 286.3, 이하 「MBAA」라고 한다) 3.43g, 지방족 에테르디아민(BASF사제, 「D-400」(상품명), 분자량 452.4) 31.6g, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(4-아미노페닐)디실록산(토오레ㆍ다우코닝실리콘제, 「BY16-871EG」(상품명) 분자량 248.5) 2.48g 및 N-메틸-2-피롤리디논(이하 NMP라고 한다) 105g을 투입했다.
뒤이어, 4,4'-옥시디프탈산이무수물(분자량 326.3, 이하 「ODPA」라고 한다) 32.6g을 플라스크를 빙욕중에서 냉각하면서, 상기 플라스크내에 소량씩 첨가했다. 첨가 종료후, 실온에서 5시간 더 교반했다.
다음에, 상기 플라스크에 수분 수용기 부착의 환류 냉각기를 설치하고, 크실렌 70g을 더하고, 질소 가스를 불어 넣으면서 180℃로 승온시켜 그 온도를 5시간 유지하고, 물과 함께 크실렌을 공비제거했다. 이렇게 하여 폴리이미드(이하 「폴리이미드 PI-1」이라고 한다)를 얻었다.
얻어진 폴리이미드 PI-1의 중량 평균 분자량(Mw)을 GPC에 의해 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로, Mw=31000이었다.
또한, 얻어진 폴리이미드 PI-1의 Tg는 55℃이었다.
(폴리이미드 PI-2의 합성)
교반기, 온도계 및 질소 치환 장치를 구비한 플라스크내에 MBAA 2.86g, D-400, 14.Og, BY16-871EG, 2.48g, 에테르디아민(BASF사제, 「B-12」(상품명), 분자량 204.3) 8.17g 및 NMP 110g을 투입했다.
뒤이어, ODPA 32.6g을 플라스크를 빙욕중에서 냉각하면서, 상기 플라스크내에 소량씩 첨가했다. 첨가 종료후, 실온에서 5시간 더 교반했다.
다음에, 상기 플라스크에 수분 수용기 부착의 환류 냉각기를 설치하고, 크실렌 73g을 더하고, 질소 가스를 불어 넣으면서 180℃로 승온시켜 그 온도를 5시간 유지하고, 물과 함께 크실렌을 공비제거했다. 이렇게 하여 폴리이미드(이하 「폴리이미드 PI-2」라고 한다)를 얻었다.
얻어진 폴리이미드 PI-2의 중량 평균 분자량(Mw)을 GPC에 의해 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로, Mw=28000이었다.
또한, 얻어진 폴리이미드 PI-2의 Tg는 60℃이었다.
(폴리이미드 PI-3의 합성)
교반기, 온도계 및 질소 치환 장치를 구비한 플라스크내에 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(분자량 366.26, 이하 「BIS-AP-AF」라고 한다) 14.65g, 지방족 에테르디아민(BASF사제, 「D-400」(상품명), 분자량 452.4) 18.09g, 1,1,3,3-테트라메틸-1,1-비스(4-아미노페닐)디실록산(도레ㆍ다우코닝실리콘제, 「BY16-871EG」(상품명) 분자량 248.5) 2.48g 및 N-메틸-2-피롤리디논(이하 NMP라고 한다) 105g을 투입했다.
뒤이어, 4,4'-옥시디프탈산이무수물(분자량 326.3, 이하 「ODPA」라고 한다) 32.6g을 플라스크를 빙욕중에서 냉각하면서, 상기 플라스크내에 소량씩 첨가했다. 첨가 종료후, 실온에서 5시간 더 교반했다.
다음에, 상기 플라스크에 수분 수용기 부착의 환류 냉각기를 설치하고, 크실렌 70g을 더하고, 질소 가스를 불어 넣으면서 180℃로 승온시켜 그 온도를 5시간 유지하고, 물과 함께 크실렌을 공비제거했다. 이렇게 하여 폴리이미드(이하 「폴리이미드 PI-3」이라고 한다)를 얻었다.
얻어진 폴리이미드 PI-3의 중량 평균 분자량(Mw)을 GPC에 의해 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로, Mw=33000이었다.
또한, 얻어진 폴리이미드 PI-3의 Tg는 75℃이었다.
(폴리이미드 PI-4의 합성)
온도계, 교반기, 냉각관, 및 질소 유입관을 장착한 300mL 플라스크 중에, D-400을 27.1g(0.06mol), BY16-871EG를 2.48g(0.01mol), MBAA를 8.58g(0.03mol) 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 113g 더한 반응액을 교반했다. 디아민이 용해한 후, ODPA를 32.62g(0.1mol) 및 무수 트리메리트산(분자량 192.1 이하 TAA라고 생략한다)를 5.76g(0.03mol) 소량씩 첨가했다. 실온에서 8시간 교반한 후, 크실렌 75.5g을 더하고, 질소 가스를 불어 넣으면서 180℃로 가열하는 것에 의해, 물과 함께 크실렌을 공비제거하여 폴리이미드 수지(PI-4)의 니스를 얻었다.
얻어진 폴리이미드 PI-4의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 25000이었다. 또한 얻어진 폴리이미드 PI-4의 Tg는 70℃이었다.
(니스의 조제)
폴리이미드, 방사선 중합성 화합물, 광중합 개시제, 에폭시 수지, 경화제, 필러 및 도공 용매를 표 1, 2에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 니스 F-01~F-05를 조제했다.
Figure pct00018
Figure pct00019
또한, 표 1, 2에 있어서, 여러 가지의 기호는 하기의 것을 의미한다.
ㆍBPE-100:신나카무라가가꾸제, 에톡시화 비스페놀 A 디메타크릴레이트
ㆍU-2PPA:신나카무라가가꾸제, 우레탄아크릴레이트
ㆍM-313:토아합성(주)제, 이소시아눌산 EO변성디 및 트리아크릴레이트
ㆍI-819:치바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈제, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드
ㆍI-OXEO2:치바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈제, 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1,1-(O-아세틸옥심), 옥심에스테르기 함유 화합물
ㆍVG3101:푸린테크제, 3관능 에폭시 수지
ㆍYDF-8170:토토카세이제, 비스페놀 F형 에폭시 수지
ㆍTrisP-PA:혼슈가가꾸제, 트리스페놀 화합물(α,α,α'-트리스(4-히드록시페놀)-1-에틸-4-이소프로필벤젠)
ㆍR972:니뽄아에로질제, 소수성 퓸드 실리카(평균 입경:약 16nm)
ㆍ파쿠밀 D:일유제, 디쿠밀퍼옥사이드(1분간 반감기 온도:175℃)
ㆍEA-1010NT:신나카무라가가꾸, 비스 A형 아크릴 변성 단관능 에폭시 수지
ㆍNMP:칸토가가꾸, N-메틸-2-피롤리디논
(실시예 1~7 및 비교예 1~3)
상술한 니스를 50㎛의 두께로, 각각 기재(박리제 처리 PET) 상에 도포하고, 오븐 중에서 80℃ 30분, 뒤이어, 120℃ 30분, 각각 가열하고, 기재 부착의 필름상 접착제를 얻었다.
다음에, 하기에 나타내는 조건으로 실시예 1~7 및 비교예 1~3의 필름상 접착제의 특성 평가를 행했다. 그 결과를 표 3~5에 나타낸다.
투명한 PET기재상에 형성된 두께 50㎛의 필름상 감광성 접착제의 위에, 또한 커버 필름으로서 투명한 PET 필름을 첩합한 접착 시트를, 150mm×150mm의 크기로 잘랐다. 잘라진 접착 시트의 위에 마스크를 놓고, 고정밀도 평행 노광기(오크제작소제)를 이용하여 노광량:1000mJ/㎠의 조건에서, 노광하여(자외선을 조사), 80℃에서 30초 가열했다. 그 후, 편측의 PET 필름을 벗겨, 야코제 스프레이 현상기를 이용하여 현상했다(현상액:테트라메틸암모늄하이드라이드(TMAH) 2.38% 27℃ 스프레이압 0.18MPa, 수세:순수 23℃ 및 스프레이압 0.02MPa).
또 편측의 PET기재에 패턴을 형성시키고, 그 후, 필름에 부착하고 있는 TMAH를 6분간, 순수로 세정했다. 그 후, 실온에서 30분간 방치하고, PET기재를 벗겨서, 히라누마산업제 수분 측정 장치 「AQV2100CT」를 이용하여, 패턴화한 필름상 감광성 접착제의 수분량을 측정했다.
또한, 패턴화한 후에 수분량 조정 처리로서 가열 처리를 행하는 경우는, 얻어진 샘플을 폴리불화에틸렌계 섬유 시트 등의 위에 놓고, 폴리불화에틸렌계 섬유 시트마다 열판위에 얹어, 소정의 온도 및 시간 가열했다.
(열압착 후의 열이력 안정성)
기재 부착 필름상 감광성 접착제를, 6인치 지름, 두께 400㎛의 실리콘 웨이퍼위에, 래미네이트 장치를 이용하여, 첩합 온도:80℃, 선압:4kgf/cm 및 전송 속도:0.5m/분의 조건에서 첩합했다.
다음에, 기재 부착 필름상 감광성 접착제의 PET 기재측에 네거티브형 패턴용 마스크를 놓고, 고정밀도 평행 노광기(오크제작소제:EXM-1172-B-∞)로 노광량:1000mJ/㎠의 조건에서, 노광하고(자외선을 조사), 또한 80℃ 30초의 조건에서 가열 처리했다. 그 후, 기재를 박리하여, 컨베이어 현상기(야코제)를 이용하여, 스프레이 현상 처리(현상액:테트라메틸암모늄하이드라이드(TMAH) 2.38% 27℃ 스프레이압 0.18MPa, 수세:순수 23℃, 스프레이압 0.02MPa) 하는 것에 의해, 필름상 감광성 접착제를 패턴화했다.
현상 후에, 부착 TMAH를 순수로 6분 세정한 후, 실온에서 30분간 방치하고, 그 후, 필요에 따라서, 방치 시간의 연장 또는 흡습 처리를 행하고, 패턴화한 후에 소정의 조건으로 수분량 조정 처리를 행했다.
가열 건조의 직후에, 30mm×30mm×두께 0.35mm의 유리를, 패턴화된 필름상 감광성 접착제위에 놓고, 오오하시제작소제 플랫 툴 열압착 장치 OH-105ATF를 이용하여, 압착 온도:150℃, 압착 하중:0.5MPa 및 압착 시간:10분의 조건에서 가열 압착했다.
얻어진 샘플을 오븐중에서 160℃ 3시간 및 180℃ 3시간의 조건에서 가열 경화했다. 그 후, 260℃의 열판상에서 가열하여, 유리/접착제 계면박리 또는 발포에 의한 보이드가 발생할 때까지의 시간을 측정했다. 260℃ 가열 직후에 박리 또는 발포했을 경우를 NG로 했다.
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
표 3~5로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1~7의 것은, 비교예 1~3의 것과 비교하여, 열압착 후의 열이력 안정성(내열성)이 뛰어나다.
1…필름상의 감광성 접착제(접착 필름), 2…반도체 웨이퍼, 3, 215…마스크, 5…복합 필름, 7…지지기재, 9…커버 유리, 11…개구, 20, 21…반도체 소자, 25…회로면, 30…다이본딩 필름, 40…다이싱 필름, 60…봉지 수지층, 80, 81…와이어, 90…다이싱 라인, 100, 130a, 130b, 201…반도체장치, 101…접착제층, 101a…접착제 패턴, 101b…접착제 패턴, 107…유효 화소 영역, 109…커버 유리, 111…다이본드 필름, 112…와이어, 115…반도체소자 탑재용 지지기재, 116…측벽, 117…끼워넣기용 부재, 120…접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 140…렌즈, 150a, 150b…CCD 카메라 모듈, 203…기판, 205…반도체 칩, 207…절연 수지층, 209…도전층, 211…회로면, 213…개구, 217…반도체 웨이퍼.

Claims (17)

  1. 반도체소자와 피착체가, 패턴화된 필름상 감광성 접착제를 개재시켜 열압착되어 이루어지는 반도체장치로서,
    상기 패턴화된 필름상 감광성 접착제의 열압착 직전의 수분량이 1.0중량% 이하인 반도체장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 피착체가 반도체소자 또는 보호 유리인, 반도체장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 필름상 감광성 접착제가, 적어도 (A) 열가소성 수지 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는, 반도체장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 필름상 감광성 접착제가, (C) 방사선 중합성 화합물 및 (D) 광개시제를 더 함유하는, 반도체장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 (A) 열가소성 수지가 알칼리 가용성 수지인, 반도체장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지가, 분자 중에 카르복실기 및/또는 수산기를 가지는 폴리이미드 수지인, 반도체장치.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 (B) 열경화성 수지가 에폭시 수지인, 반도체장치.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴화된 필름상 감광성 접착제가,
    필름상 감광성 접착제로 이루어지는 접착제층을 피착체상에 형성하는 접착제층 형성 공정,
    그 접착제층을, 소정의 패턴으로 노광하는 노광 공정,
    노광 후의 접착제층을 알칼리성 수용액에 의해 현상하는 현상 공정, 및
    현상 후의 접착제층의 수분량을 조정하는 수분량 조정 공정
    을 거쳐 형성되어 있는, 반도체장치.
  9. 반도체소자의 회로면상에 설치된 필름상 감광성 접착제를 노광 및 및 현상에 의해서 패턴화하는 패턴화 공정과, 패턴화된 상기 감광성 접착제의 수분량을 조정하는 수분량 조정 공정과, 패턴화된 상기 감광성 접착제에 피착체를 열압착함으로써 직접 접착하는 열압착 공정을 구비하는 반도체장치의 제조방법으로서,
    상기 수분량 조정 공정에 있어서는, PET기재상에 패턴 형성된 필름상 감광성 접착제의 패턴 형성 후의 수분량을 1.0중량% 이하로 하는 수분량 조정 처리를 행하는, 반도체장치의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 피착체가 반도체소자 또는 보호 유리인, 반도체장치의 제조방법.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 수분량 조정 처리는 가열 처리인, 반도체장치의 제조방법.
  12. 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름상 감광성 접착제가, 적어도 (A) 열가소성 수지 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는, 반도체장치의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 필름상 감광성 접착제가, (C) 방사선 중합성 화합물 및 (D) 광개시제를 더 함유하는, 반도체장치의 제조방법.
  14. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 (A) 열가소성 수지가 알칼리 가용성 수지인, 반도체장치의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지가, 분자중에 카르복실기 및/또는 수산기를 가지는 폴리이미드 수지인, 반도체장치의 제조방법.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 (B) 열경화성 수지가 에폭시 수지인, 반도체장치의 제조방법.
  17. 제 9항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 제조되는 반도체장치.
KR1020117006422A 2008-09-22 2009-06-25 반도체장치 및 그 제조방법 KR20110055683A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-242765 2008-09-22
JP2008242765A JP5458538B2 (ja) 2007-12-12 2008-09-22 半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110055683A true KR20110055683A (ko) 2011-05-25

Family

ID=42040246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006422A KR20110055683A (ko) 2008-09-22 2009-06-25 반도체장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20110055683A (ko)
CN (1) CN102160163A (ko)
TW (1) TW201013854A (ko)
WO (1) WO2010032529A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076327A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성전기주식회사 폴리이미드수지 및 포지티브형 감광성 수지조성물
KR20200054313A (ko) * 2017-11-06 2020-05-19 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 적층체 및 레지스트 패턴의 제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120080385A (ko) * 2011-01-07 2012-07-17 삼성전자주식회사 패턴 형성용 접착 필름 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키징 방법
JP5871771B2 (ja) * 2012-10-26 2016-03-01 東京応化工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、ポリイミド樹脂パターンの形成方法、及びパターン化されたポリイミド樹脂膜
US9418974B2 (en) 2014-04-29 2016-08-16 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods
CN106662813B (zh) * 2014-06-12 2021-02-26 太阳油墨制造株式会社 固化性树脂组合物、干膜、固化物及印刷电路板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152355A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nitto Denko Corp 半導体装置
TW310481B (ko) * 1995-07-06 1997-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd
US7012320B2 (en) * 1995-07-06 2006-03-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and process for fabrication thereof
JP5157255B2 (ja) * 2006-09-05 2013-03-06 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、及びそれを用いた接着フィルム、接着シート、接着剤パターン、並びに半導体装置
JP5458538B2 (ja) * 2007-12-12 2014-04-02 日立化成株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076327A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성전기주식회사 폴리이미드수지 및 포지티브형 감광성 수지조성물
KR20200054313A (ko) * 2017-11-06 2020-05-19 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 적층체 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR20220164618A (ko) * 2017-11-06 2022-12-13 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 적층체 및 레지스트 패턴의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201013854A (en) 2010-04-01
WO2010032529A1 (ja) 2010-03-25
CN102160163A (zh) 2011-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9309446B2 (en) Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device
JP4375481B2 (ja) 感光性接着剤組成物、並びにこれを用いて得られる接着フィルム、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置及び電子部品
US20110151195A1 (en) Photosensitive adhesive composition, and film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer and semiconductor device using the photosensitive adhesive composition
KR101256332B1 (ko) 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법
JP6045772B2 (ja) 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
KR20120024723A (ko) 감광성 접착제, 및 그것을 이용한 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
US20110223397A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2015008330A1 (ja) 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
JP2014220509A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20110016987A (ko) 감광성 접착제 조성물, 필름상 감광성 접착제, 접착제 패턴, 접착제 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및 전자 부품
JP2009221453A (ja) 感光性接着剤組成物、これを用いて得られる接着フィルム、接着シート、接着剤パターン、及び半導体装置
JP5526783B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR20110055683A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JP5251094B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5098607B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009141008A (ja) 半導体装置及びその製造方法、並びに、感光性接着フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application