KR20110046006A - 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 복수개의 반사섬; 및 상기 발광 구조물 및 상기 복수개의 반사섬 상에 제2 전극층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 상에 복수개의 반사섬을 형성하는 단계; 및 상기 발광 구조물 및 복수개의 반사섬 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
발광 소자

Description

발광 소자 및 그 제조방법{Lighting Device and Method of Manufacturing Thereof}
실시예는 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다.
발광 다이오드에 의해 방출되는 빛의 파장은 상기 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따라 결정된다. 이는 방출된 빛의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따라 결정되기 때문이다.
최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.
한편, 발광 다이오드의 휘도는 활성층의 구조, 빛을 외부로 효과적으로 추출할 수 있는 광 추출 구조, 칩의 크기, 발광 다이오드를 포위하는 몰딩부재의 종류 등 다양한 조건들에 의해 좌우된다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 양호한 전류 퍼짐 효과를 가지는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 발광 구조물과 제2 전극층이 서로 견고히 고정 및 결합되는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 복수개의 반사섬; 및 상기 발광 구조물 및 상기 복수개의 반사섬 상에 제2 전극층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 상에 복수개의 반사섬을 형성하는 단계; 및 상기 발광 구조물 및 복수개의 반사섬 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 양호한 전류 퍼짐 효과를 가지는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 발광 구조물과 제2 전극층이 서로 견고히 고정 및 결합되는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자(100)는 발광 구조물(145), 복수개의 반사섬(155), 제2 전극층(160), 전도성 지지부재(170) 및 제1 전극(180)을 포함한다.
상기 발광 구조물(145)은 빛을 발광하는 구조물로써, 제1 도전형 반도체층(130), 활성층(140), 제2 도전형 반도체층(150)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(130)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있 는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑된다.
상기 제1 도전형 반도체층(130) 아래에는 비전도성 반도체층, 예를 들어 언도프드(Undoped) GaN층이 형성될 수 있다.
또한 상기 제1 도전형 반도체층(130)의 하면에는 상기 제1 전극(180)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(180)은 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다.
상기 제1 도전형 반도체층(130) 상에는 상기 활성층(140)이 형성되며, 상기 활성층(140)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 활성층(140)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.
상기 활성층(140) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(150)이 형성된다. 상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg 등의 p형 도펀트가 도핑된다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(130)과 제2 도전형 반도체층(150)에 각각 p형과 n형의 도펀트가 도핑될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 또한, 도시되지는 않았지만 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수 있다. 따라서 상기 반도체 발광 소자(100)는 pn, np, pnp, npn 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에는 상기 복수개의 반사섬(155)이 형성될 수 있다. 상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 제2 도전형 반도체층(150)의 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, InN, AlN, AlInN 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 제2 도전형 반도체층(150)과 다른 재질, 바람직하게는 상기 제2 도전형 반도체층(150)보다 굴절률이 낮은 재질로 형성될 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에 예를 들어, 볼록한 렌즈 형태로 복수개가 이격되도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 복수개의 반사섬(155)의 형태에 대해서 한정하지는 않으며, 이는 상기 발광 소자(100)의 제조방법에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)의 직경은 10nm 내지 1000nm 일 수 있다. 또한, 상기 복수개의 반사섬(155) 각각의 크기나 형태는 서로 다를 수 있다. 상기 복수개의 반사섬(155)의 크기 및 직경은 제조방법에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(150) 및 상기 복수개의 반사섬(155) 상에는 상기 제2 전극층(160)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극층(160)은 반사율이 높은 은(Ag), 은(Ag)을 포함하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)을 포함하는 합금, 백금(Pt) 또는 백금(Pt)을 포함하는 합금 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 제2 전극층(160)은 상기 복수개의 반사섬(155)에 의해 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에 견고히 결합 및 고정될 수 있다.
한편, 상기 제2 전극층(160)과 상기 발광 구조물, 즉, 제2 도전형 반도체층(150) 사이에는 오믹접촉층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이하, 도 1을 참조하여, 상기 제2 전극층(160) 및 상기 복수개의 반사섬(155)의 작용 및 효과에 대해 설명한다. 상기 발광 소자(100)에서 발광되는 빛은 설명의 편의를 위해 제1광(a), 제2광(b), 제3광(c)으로 나누어 설명한다.
<제1광(a)> 상기 제2 전극층(160)은 상기 활성층(140)으로부터 입사되는 제1광(a)을 상기 발광 소자(100)의 출사면으로 반사한다.
<제2광(b)> 상기 활성층(140)으로부터 상기 복수개의 반사섬(155)으로 입사된 제2광(b)은 상기 복수개의 반사섬(155)에 의해 전반사되어 상기 발광 소자(100)의 출사면으로 출사된다.
상세히 설명하면, 상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 제2 도전형 반도체층(150)보다 낮은 굴절률을 가지므로, 상기 복수개의 반사섬(155)으로 입사된 빛은 상기 복수개의 반사섬(155)과 제2 도전형 반도체층(150) 사이의 제1 계면(157)에서 전반사되어 상기 발광 소자(100)의 출사면으로 출사될 수 있다.
<제3광(c)> 상기 활성층(140)으로부터 상기 복수개의 반사섬(155)으로 입사된 제3광(c)은 상기 복수개의 반사섬(155)과 상기 제2 전극층(160) 사이의 제2 계면(158)에서 반사되어 상기 발광 소자(100)의 출사면으로 출사될 수 있다.
상기 제3광(c)은 상기 제1 계면(157)에서 광 경로가 바뀌지만 전반사되지 않고 상기 복수개의 반사섬(155)을 투과하여 상기 제2 계면(158)에서 반사될 수 있다.
이처럼, 상기 복수개의 반사섬(155)이 형성됨으로써, 상기 제1,2,3광(a,b,c)을 포함하는 빛은 다양한 경로에 의해 상기 발광 소자(100)로부터 출사될 수 있으므로, 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
상기 제2 전극층(160) 상에는 상기 전도성 지지부재(170)가 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(170)는 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있고, 상기 제1 전극(180)과 함께 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다.
이때, 상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 전도성 지지부재(170)로부터 제공되는 전류를 상기 발광 구조물(145)의 전 영역에 골고루 퍼지도록 하는 전류 퍼짐(Current Spreading) 효과를 제공할 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)은 저항값을 가지며 상기 제2 도전형 반도체 층(150)의 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있으므로, 상기 전도성 지지부재(170)로부터 제공되는 전류는 상기 발광 구조물(145)의 특정 영역에 편중되게 흐르지 않고, 전 영역에 걸쳐 골고루 퍼질 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하여, 상기 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 비전도성 반도체층(120), 상기 비전도성 반도체층(120) 상에 발광 구조물(145)이 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, GaAs, 금속성 기판 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 비전도성 반도체층(120)은 상기 비전도성 반도체층(120)은 예를 들어 언도프드(Undoped) GaN 층일 수 있다.
이때, 상기 기판(110)과 상기 비전도성 반도체층(120) 사이에는 버퍼층(미도시)이 삽입될 수 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 상기 기판(110)과 상기 비전도성 반도체층(120) 사이의 격자 상수 차이를 줄여주기 위한 층으로, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, InN, AlInN 등에서 어느 하나로 형성될 수 있다.
한편, 상기 버퍼층(미도시)과 비전도성 반도체층(120)은 적어도 한 층이 형성되거나, 두 층 모두 존재하지 않을 수 있다.
상기 발광 구조물(145)은 제1 도전형 반도체층(130), 상기 제1 도전형 반도 체층(130) 상에 활성층(140), 상기 활성층(140) 상에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(130)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑된다.
상기 활성층(140)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 활성층(140)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, AlInN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg 등의 p형 도펀트가 도핑된다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(130)과 제2 도전형 반도체층(150)에 각각 p형과 n형의 도펀트가 도핑될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 또한, 도시되지는 않았지만 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에는 제3 도전형 반도체층(미도 시)이 형성될 수 있다. 따라서 상기 반도체 발광 소자(100)는 pn, np, pnp, npn 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 비전도성 반도체층(120) 및 발광 구조물(145) 등은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체(150) 상에는 복수개의 금속섬(156)이 형성될 수 있다.
상기 복수개의 금속섬(156)은 예를 들어 Al, Ga, In 중 적어도 하나의 금속을 포함하도록 형성될 수 있다.
상기 복수개의 금속섬(156)은 700℃ 내지 900℃의 온도에서 형성될 수 있으며, 이때 상기 금속들은 액체 상태이므로 표면 장력에 의해 도시된 것처럼, 볼록한 렌즈 형태로 형성될 수 있다. 다만, 상기 복수개의 금속섬(156)의 형태에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 복수개의 금속섬(156)의 크기 및 직경은 상기 복수개의 금속섬(156)의 형성 온도나 형성 시간에 의해 다양하게 조절될 수 있다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 복수개의 금속섬(156)을 질화(N : Nitridation)하여 상기 복수개의 반사섬(155)을 형성할 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 제2 도전형 반도체층(150)의 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)는 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에 예를 들어, 볼록한 렌즈 형태로 복수개가 이격되도록 형성될 수 있다. 다만, 상기 복수개의 반사섬(155)의 형태에 대해서 한정하지는 않으며, 이는 상기 발광 소자(100)의 제조방법에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 복수개의 금속섬(156)을 질화(N)하여 형성하므로, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수개의 반사섬(155)은 상기 제2 도전형 반도체층(150)과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 상기 제2 도전형 반도체층(150)보다 굴절률이 낮은 재질로 형성될 수 있다.
상기 복수개의 금속섬(156)에 대한 질화(N)는 700 ℃ 내지 900℃ 에서 이루어지므로, 상기 질화(N) 과정에서 상기 복수개의 금속섬(156)의 표면은 기화(E : Evaporation)되어 그 크기 및 직경이 줄어들어 상기 복수개의 반사섬(155)이 형성될 수 있다.
따라서, 상기 복수개의 반사섬(155)의 크기 및 직경은 최초 상기 복수개의 금속섬(156)의 크기, 상기 질화(N)의 온도 및 상기 질화(N) 과정에 걸린 시간 등에 의해 결정될 수 있으며, 상기 복수개의 반사섬(155)의 직경은 예를 들어 10nm 내지 1000nm 일 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 것처럼, 상기 복수개의 반사섬(155) 각각의 크기 및 직경은 상이할 수 있으며, 각각의 형태도 상이할 수 있다. 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수개의 반사섬(155) 각각의 형태가 상이한 경우, 상기 복수개의 반사섬(155)은 다양한 각도로 입사되는 빛을 굴절, 회절, 반사 또는 산란 시켜 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 복수개의 반사섬(155)은, 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율이 향상시키고, 상기 제2 전극층(160)과 상기 제2 도전형 반도체층(150)을 견고히 결합 및 고정시키고, 상기 전도성 지지부재(170)로부터 제공되는 전류를 상기 발광 구조물(145)에 골고루 퍼지게 하는 전류 퍼짐(Current Spreading) 효과를 갖는다.
도 5를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 및 상기 복수개의 반사섬(155) 상에는 상기 제2 전극층(160)이 형성되며, 상기 제2 전극층(160) 상에는 상기 전도성 지지부재(170)가 형성될 수 있다.
상기 제2 전극층(160)은 반사율이 높은 은(Ag), 은(Ag)을 포함하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)을 포함하는 합금, 백금(Pt) 또는 백금(Pt)을 포함하는 합금 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(170)는 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있고, 상기 제1 전극(180)과 함께 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다.
도 5 및 도 1을 참조하면, 상기 발광 구조물(145)에서 상기 기판(110)을 제거한 후, 상기 발광 구조물(145) 하면에 상기 제1 전극(180)을 형성하여 실시예에 따른 발광 소자(100)가 제공될 수 있다. 이때, 상기 비전도성 반도체층(120) 및/또는 버퍼층(미도시)도 제거될 수 있다.
상기 기판(110)은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있으며, 상기 비전도성 반도체층(120) 및 버퍼층(미도시)은 에칭 공정에 의해 제거될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 5는 상기 발광 소자의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 6은 복수개의 금속섬을 질화하여 복수개의 반사섬을 형성하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 7은 상기 발광 소자의 사시도로, 상기 복수개의 반사섬이 형성되는 일례를 나타내는 도면이다.

Claims (16)

  1. 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 상에 복수개의 반사섬; 및
    상기 발광 구조물 및 상기 복수개의 반사섬 상에 제2 전극층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층과, 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 전극층은 은(Ag), 은(Ag)을 포함하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)을 포함하는 합금, 백금(Pt) 또는 백금(Pt)을 포함하는 합금 중 적어도 어느 하나로 형성된 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 전극층 상에 전도성 지지부재를 포함하는 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 전극층과 상기 발광 구조물 사이에 오믹접촉층을 더 포함하는 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬의 직경은 10nm 내지 1000nm인 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬은 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나로 형성되며, 상기 발광 구조물과 상이한 재질로 형성되는 발광 소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬은 상기 발광 구조물보다 낮은 굴절률을 가지는 재질로 형성되는 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬은 서로 이격되어 배치되며 볼록한 렌즈 형태를 가지는 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬 각각의 형태는 서로 상이한 발광 소자.
  11. 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물 상에 복수개의 반사섬을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 구조물 및 복수개의 반사섬 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬을 형성하는 단계는,
    상기 발광 구조물 상에 복수개의 금속섬을 형성하는 단계;
    상기 복수개의 금속섬을 질화하여 상기 복수개의 반사섬을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나로 형성되며, 상기 발광 구조물과 상이한 재질로 형성되는 발광 소자 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 복수개의 반사섬은 상기 발광 구조물보다 낮은 굴절률을 가지도록 형성되는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 복수개의 금속섬을 질화하여 복수개의 반사섬을 형성하는 단계는 700℃ 내지 900℃에서 실시되는 발광 소자 제조방법.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 복수개의 금속섬은 서로 이격되어 배치되며 볼록한 렌즈 형태를 가지도록 형성되는 발광 소자 제조방법.
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