CN102054917A - 发光器件和发光器件封装 - Google Patents
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Abstract
本发明提供发光器件和发光器件封装。所述发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的有源层、以及有源层上的第二导电类型半导体层；第一导电类型半导体层上的第一电极，第一电极被电气地连接到第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层上的多个反射岛；第二导电类型半导体层和多个反射岛上的第二电极，第二电极被电气地连接到第二导电类型半导体层；以及第二电极上的导电支承构件。
Description
技术领域
实施例涉及发光器件和发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。随着近年来LED的亮度逐渐地增加，LED正在被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质，或者通过组合具有各种颜色的LED可以实现发射具有优异的效率的白光的LED。
这样的LED的亮度取决于诸如能够将光有效地提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片尺寸、以及包围LED的成型构件的种类的各种条件。
发明内容
实施例提供具有提高的光提取效率的发光器件和发光器件封装。实施例还提供具有好的电流扩展效应的发光器件和发光器件封装。实施例还提供其中发光结构和第二电极被稳固地固定并且被相互耦合的发光器件，以及发光器件封装。
在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的有源层、以及有源层上的第二导电类型半导体层；第一导电类型半导体层上的第一电极，该第一电极被电气地连接到第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层上的多个反射岛；第二导电类型半导体层和多个反射岛上的第二电极，该第二电极被电气地连接到第二导电类型半导体层；以及第二电极上的导电支承构件。
在另一实施例中，发光器件封装包括：主体部分；主体部分上的第一和第二电极层；以及主体部分上的发光器件，该发光器件被电气地连接到第一和第二电极层，其中发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的有源层、以及有源层上的第二导电类型半导体层；第一导电类型半导体层上的第一电极，第一电极被电气地连接到第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层上的多个反射岛；第二导电类型半导体层和多个反射岛上的第二电极，第二电极被电气地连接到第二导电类型半导体层；以及第二电极上的导电支承构件。
在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的详情。根据说明书和附图，并且根据权利要求，其它的特征将是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的截面图。
图2至图5是示出制造根据实施例的发光器件的工艺的截面图。
图6是其中多个金属岛被硝化以形成多个反射岛的工艺的截面图。
图7是示出包括多个反射岛的发光器件的示例的透视图。
图8是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图9是根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的分解透视图。
图10是根据实施例的包括发光器件封装的照明单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在基板、层(或膜)、区域、垫或图案“上”时，它可以“直接”在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了便于描述和澄清，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法。
图1是根据实施例的发光器件100的截面图。
参考图1，发光器件100包括发光结构145、多个反射岛155、第二电极160、导电支承构件170、以及第一电极180。
发光结构145是发光的结构。发光结构145可以包括第一导电类型半导体层130、有源层140、以及第二导电类型半导体层150。
例如，第一导电类型半导体层130可以包括n型半导体层。n型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一个形成。在这里，n型半导体层掺杂有诸如Si、Ge、以及Sn的n型掺杂物。
未掺杂的半导体层，例如，未掺杂的GaN层可以被布置在第一导电类型半导体层130上。
而且，第一电极180可以被布置在第一导电类型半导体层130上。第一电极180将电力提供给发光器件100。
有源层140被布置在第一导电类型半导体层130下方。有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、以及量子点结构中的至少一个。
其中掺杂n型或者p型掺杂物的掺杂的包覆层(未示出)可以被布置在有源层140的上方/下方。通过AlGaN层或者InAlGaN层可以实现包覆层(未示出)。
第二导电类型半导体层150被布置在有源层140上。例如，通过p型半导体层可以实现第二导电类型半导体层150。p型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、或者InN形成。而且，p型半导体层可以掺杂有诸如Mg等等的p型掺杂物。
p型掺杂物和n型掺杂物可以分别掺杂在第一导电类型半导体层130和第二导电类型半导体层150中，但是其不限于此。而且，尽管未示出，第三导电类型半导体层(未示出)可以被布置在第二导电类型半导体层150上。因此，发光器件100可以具有pn结结构、np结结构、pnp结结构、以及npn结结构中的一个。
而且，多个反射岛155可以被布置在第二导电类型半导体层150上。多个反射岛155可以被布置在第二导电类型半导体层150的整个区域上，并且在下面将会参考图7进行描述。
多个反射岛155中的每一个可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、InN、AlN、以及AlInN中的一个形成。例如，反射岛155可以由其中Al、Ga、以及In中的至少一个被硝化的金属氮化物形成。
在这里，多个反射岛155的形成材料可以不同于第二导电类型半导体层150的形成材料，例如，由其折射率小于第二导电类型半导体层150的折射率的材料形成。例如，当第二导电类型半导体层150由GaN形成时，反射岛155可以由AlN或者AlInN形成。
在第二导电类型半导体层150上，多个反射岛155中的每一个可以具有弧形形状。例如，多个反射岛155可以具有相互隔开的多个凸透镜形状。
多个反射岛155中的每一个不限于其形状。即，可以根据发光器件100的制造方法不同地改变反射岛155的形状。
多个反射岛155中的每一个可以具有从大约10nm到大约1,000nm的直径。而且，多个反射岛155的尺寸或者形状可以相互不同。即，多个反射岛155可以具有相互不同的直径或/和曲率。
第二电极160可以被布置在第二导电类型半导体层150和多个反射岛155上。第二电极160可以由具有反射率的银(Ag)、包含Ag的合金、铝(Al)、包含Al的合金、铂(Pt)、以及包含Pt的合金中的至少一个形成。
通过多个反射岛155可以将第二电极160稳固地耦合并且固定到第二导电类型半导体层150。
欧姆接触层可以被布置在第二电极160和发光结构，即第二导电类型半导体层150之间。
在下文中，将会参考图1描述多个反射岛155和第二电极160的操作(action)和效果。
反射岛155可以朝着导电支承构件170突出进入第二电极160中。第二电极160可以由具有高反射率的金属形成以用作反射构件。因此，由于反射岛155朝着第二电极160的内部突出，因此在反射岛155的界面上也会出现反射。为了便于描述，将会将从发光器件100发射的光描述为其被划分为第一光(a)、第二光(b)、以及第三光(c)。
<第一光(a)>第二电极160反射从有源层140入射到发光器件100的发射表面的第一光(a)。
<第二光(b)>从有源层140入射到多个反射岛155的第二光(b)由多个反射岛155全反射并且通过发光器件100的发光表面发射。
详细地，由于多个反射岛155中的每一个的折射率小于第二导电类型半导体层150的折射率，所以以大于临界角的角度入射到多个反射岛155的光由多个反射岛155和第二导电类型半导体层150之间的第一界面157全反射并且通过发光器件100的发光表面发射。
<第三光(c)>从有源层140入射到多个反射岛155的第三光(c)由多个反射岛155和第二电极160之间的第二界面158反射并且通过发光器件100的发光表面发射。
尽管通过第一界面157改变了第三光(c)的光路径，但是第三光(c)没有被全反射。第三光(c)可以透过多个反射岛155，并且然后由第二界面158反射。
因此，由于提供了多个反射岛155，所以可以通过各种路径从发光器件100发射包括第一、第二、以及第三光(a、b、以及c)的光。因此，可以提高发光器件100的光提取效率。
导电支承构件170可以被布置在第二电极160上。导电支承构件170可以由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、以及Mo中的至少一个形成，或者可以包括其中注入杂质的半导体基板。导电支承构件170和第一电极480将电力提供给发光器件100。
在这里，多个反射岛155可以提供电流扩展效应，其中从导电支承构件170提供的电流被均匀地扩展到发光结构145的整个区域。
由于多个反射岛155可以具有电阻并且被布置在第二导电类型半导体层150的整个区域上，所以从导电支承构件170提供的电流可以在整个区域上均匀地扩展，而没有集中地流入发光结构145的特定区域。
而且，多个反射岛155增加与第二电极160的接触面积以允许第二电极160和发光结构145被稳固地相互耦合并且固定。
将会参考图1至图5详细地描述制造发光器件100的方法。
参考图2，未掺杂的半导体层120可以形成在基板110上，并且发光结构145可以形成在未掺杂的半导体层120上。
可以从由蓝宝石基板(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、Inp、以及GaAs组成的组中选择基板110。
例如，未掺杂的半导体层120可以是未掺杂的GaN层。
在这里，缓冲层(未示出)可以被插入在基板110和未掺杂的半导体层120之间。缓冲层(未示出)是用于减少基板110和未掺杂的半导体层120之间的晶格常数差的层。缓冲层可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、InN、以及AlInN中的一个形成。
可以将缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层120提供为至少一层或者可以不提供缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层120.
发光结构145可以包括第一导电类型半导体层130、第一导电类型半导体层130上的有源层140、以及有源层140上的第二导电类型半导体层150。
例如，第一导电类型半导体层130可以包括n型半导体层。n型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN中的至少一个形成。在这里，n型半导体层掺杂有诸如Si、Ge、以及Sn的n型掺杂物。
有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、以及量子点结构中的至少一个。
其中掺杂n型或者p型掺杂物的掺杂的包覆层(未示出)可以被布置在有源层140的上方/下方。通过AlGaN层或者InAlGaN层可以实现包覆层(未示出)。
例如，第二导电类型半导体层150可以通过p型半导体层来实现。p型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、AlInN、或者InN中的至少一个形成。而且，p型半导体层掺杂有诸如Mg等等的p型掺杂物。
p型掺杂物和n型掺杂物可以分别掺杂在第一导电类型半导体层130和第二导电类型半导体层150中，但是其不限于此。而且，尽管未示出，第三导电类型半导体层(未示出)可以被布置在第二导电类型半导体层150上。因此，发光器件100可以具有pn结结构、np结结构、pnp结结构、以及npn结结构中的一个。
使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、或者氢化物气相外延(HVPE)工艺可以形成未掺杂的半导体层120和发光结构145。
参考图3，多个金属岛156可以形成在第二导电类型半导体层150上。
例如，多个金属岛156可以由Al、Ga、以及In中的至少一个形成。
可以在大约700℃至大约900℃的温度形成多个金属岛156。在这里，由于金属中的每一个处于液态，所以金属可以通过其表面张力具有凸透镜形状，如图3中所示。
多个金属岛156中的每一个可以具有根据其时间及形成温度而不同地改变的尺寸和直径。
参考图4，多个金属岛156可以被硝化以形成多个反射岛155。
多个反射岛155可以形成在第二导电类型半导体层150的整个区域上。
具有相互隔开的多个凸透镜形状的多个反射岛155可以形成在第二导电类型半导体层150上。然而，多个反射岛155中的每一个不限于其形状。例如，可以根据制造发光器件100的方法不同地改变反射岛155的形状。
由于可以通过硝化多个金属岛156形成多个反射岛155，因此多个反射岛155中的每一个可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、以及AlInN中的一个形成。
在这里，多个反射岛可以由不同于第二导电类型半导体层150的材料的材料形成。例如，多个反射岛可以由其折射率小于第二导电类型半导体层150的折射率的材料形成。
由于在大约700℃至大约900℃的温度硝化多个金属岛156，所以在渗氮(N)工艺中蒸镀多个金属岛156中的每一个的表面。因此，可以减小多个金属岛156的尺寸和直径以形成多个反射岛155(参见图6)。
因此，多个反射岛155的尺寸和直径可以由多个初始的金属岛156的尺寸、渗氮(N)温度、以及渗氮(N)工艺时间决定。例如，多个反射岛155中的每一个可以具有大约10nm至大约1,000nm的直径。
而且，如图7中所示，多个反射岛155可以具有彼此不同的尺寸、直径、形状，但是不限于此。当多个反射岛155具有彼此不同的形状时，多个反射岛155可以折射、衍射、反射、或者散射以各种角度入射的光以提高光提取效率。
而且，多个反射岛155提高了发光器件100的光提取效率，将第二电极160稳固地耦合并且固定到第二导电类型半导体层150，并且提供电流扩展效应，其中从导电支承构件170提供的电流被均匀地扩展到发光结构145中。
参考图5，第二电极160可以形成在第二导电类型半导体层150和多个反射岛155上。导电支承构件170可以形成在第二电极160上。
第二电极160可以由具有高反射率的金属形成，例如，由具有反射率的银(Ag)、包含Ag的合金、铝(Al)、包含Al的合金、铂(Pt)、以及包含Pt的合金中的至少一个形成。
导电支承构件170可以被布置在第二电极160上。导电支承构件160可以由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、以及Mo中的至少一个形成，或者可以包括其中注入杂质的半导体基板。半导体支承构件170和第一电极480将电力提供给发光器件100。
接下来，在从发光结构145移除基板110之后，第一电极180可以形成在发光结构145上以提供如图1中所示的发光器件100。为了进行参考，图1示出图5的反侧。在这里，未掺杂的半导体层120和/或缓冲层(未示出)可以被移除。通过激光剥离(LLO)工艺可以移除基板110。而且，通过蚀刻工艺可以移除未掺杂的半导体层120和缓冲层(未示出)。
图8是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图8，根据实施例的发光器件封装包括：主体部分20、被布置在主体部分20上的第一和第二电极层31和32、布置在主体部分20上并且被电气地连接至第一和第二电极层31和32的发光器件1、以及包围发光器件1的成型构件40。
主体部分20可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。而且，倾斜表面可以被布置在发光器件1的周围。
第一和第二电极层31和32被相互电隔离以将电力提供给发光器件1。而且，第一和第二电极层31和32可以反射在发光器件100中产生的光以增加光效率。另外，第一和第二电极层31和32可以将在发光器件1中产生的热散发到外部。
发光器件1可以被布置在主体部分20上或者第一电极层31或第二电极层32上。
尽管提供了如下的布线方法，其中发光器件1通过布线被电气地连接到第一和第二电极层31和32，但是本公开不限于此。例如，可以通过倒装芯片安装方法或者贴片方法将发光器件100电气地连接到第一和第二电极层31和32。
成型构件40可以包围发光器件1以保护发光器件100。而且，磷光体可以被包含在成型构件40中，以更改从发光器件1发射的光的波长。
至少一个根据上述实施例的发光器件可以被安装在一个或者多个发光器件封装中，但是其不限于此。根据实施例的多个发光器件封装被排列在基板上。诸如导光板、棱镜片、漫射片、以及荧光片的光学构件可以被布置在从发光器件封装发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以用作背光单元或者照明系统。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示装置、灯、以及路灯。
图9是根据实施例的包括发光器件封装的背光单元1100的视图。然而，图9的背光单元1100是照明系统的示例，并且本公开不限于此。
参考图9，背光单元1100可以包括底盖1140、布置在底盖1140中的导光构件1120、以及布置在导光构件1120的下表面或者至少一侧的发光模块1110。而且，反射片1130可以被布置在导光构件1120的下面。
底盖1140可以具有盒形状，该盒形状具有开口的上侧以在其中接收导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。底盖1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是其不限于此。
发光模块1110可以包括：基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。多个发光器件封装600将光提供给导光构件1120。尽管在本实施例中提供了其中发光器件封装600被布置在基板700上的发光模块1100作为示例，但是本公开不限于此。例如，可以直接布置根据实施例的发光器件。
如图9中所示，可以将发光模块1110布置在底盖1140的至少一个内表面上。因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个横向表面提供光。
发光模块1110可以被布置在底盖1140内的导光构件1120下面，以朝着导光构件1120的下表面提供光。可以根据背光单元1100的设计对此进行各种改变，并且因此，本公开不限于此。
导光构件1120被布置在底盖1140内。导光构件1120可以接收从发光模块1110提供的光，以产生平面光，从而将平面光导向显示面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚合物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
光学片1150可以被布置在导光构件1120的上方。
例如，光学片1150可以包括漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中至少一种。例如，漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片可以被堆叠以形成光学片1150。在这样的情况下，漫射片1150可以均匀地漫射从发光模块1110发射的光，并且可以通过聚光片将漫射光聚集在显示面板(未示出)中。在此，从聚光片发射的光是被任意地偏振的光。亮度增强片可以增强从聚光片发射的光的偏振的程度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。荧光片可以是包括磷光体的透射膜或者透射板。
反射板1130可以被布置在导光构件1120的下方。反射板1130将通过导光构件1120的下表面发射的光朝着导光构件1120的发光表面反射。
反射板1130可以由例如PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂的具有优异的反射率的材料形成，但是其不限于此。
图10是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元的视图。然而，图10的照明单元1200是照明系统的示例，并且因此，本公开不限于此。
参考图10，照明单元1200可以包括：壳体1210、布置在壳体1210上的发光模块1230、以及布置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有好的散热性能的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。尽管，在本实施例中提供了其中发光器件封装600被布置在基板700上的发光模块1100作为示例，但是本公开不限于此。例如，可以直接布置根据实施例的发光器件100。
电路图案可以被印在电介质上以形成基板700。例如，基板700可以包括印刷电路板(PCB)、金属核PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
而且，基板700可以由有效反射材料形成，或者具有其上从其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装600可以被安装在基板700上。发光器件封装600可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的彩色LED，和发射UV射线的紫外(UV)LED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合，以获得彩色效果和亮度。例如，可以相互组合白光LED、红光LED、绿光LED，以确保高的显色指数。而且，荧光片可以进一步被布置在从发光模块1230发射的光的路径上。荧光片更改从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄色磷光体(yellow phosphor)。因此，从发光模块1230发射的光经过荧光片，以最终发射白光。
连接端子1220可以被电气地连接至发光模块1230，以将电力提供给发光模块1230。参考图10，将连接端子1220螺纹耦合到插座形式的外部电源，但是其不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头的形状，并且因此，可以被插入到外部电源中。替代地，连接端子1220可以通过布线连接到外部电源。
如上所述，在照明系统中，导光构件、漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中的至少一种可以被布置在从发光模块发射的光的路径中，以获得想要的光学效果。
如上所述，根据本实施例的照明系统可以具有好的电流扩展效应并且包括其中发光结构和第二电极被稳固地相互耦合并且固定的发光器件和发光器件封装，从而具有优异的光特性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到的多个其它修改和实施例也将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
Claims (15)
1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、位于所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的第二导电类型半导体层；
位于所述第一导电类型半导体层上的第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电类型半导体层；
位于所述第二导电类型半导体层上的多个反射岛；
位于所述第二导电类型半导体层和所述多个反射岛上的第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电类型半导体层；以及
位于所述第二电极上的导电支承构件。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个反射岛朝着所述导电支承构件突出。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛均具有面对所述导电支承构件的凸透镜形状。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极包含金属，并且所述多个反射岛朝着所述第二电极的内部突出。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛具有朝着所述第二电极的内部的凸透镜形状。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极由银(Ag)、包含Ag的合金、铝(Al)、包含Al的合金、铂(Pt)、以及包含Pt的合金中的至少一种形成。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛具有大约10nm至大约1,000nm的直径。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛的形成材料不同于所述发光结构的形成材料。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛由金属氮化物形成。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛通过对金属岛进行硝化来形成。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述多个反射岛由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、或者InN中的一种形成。
12.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述多个反射岛中的每个反射岛由折射率小于所述发光结构的折射率的材料形成。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第二导电类型半导体层由GaN形成，并且所述多个反射岛中的每个反射岛由AlN和AllnN中的至少一种形成。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个反射岛具有彼此不同的曲率或者直径。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述导电支承构件由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、以及Mo中的至少一种形成，或者包括其中注入杂质的半导体基板。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210820 Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd. |