CN102142493B - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：反射层，该反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和反射层上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年1月29日提交的韩国专利申请No.10-2010-008573的优先权，通过引用将其整体合并在此。
技术领域
实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
最近，已经广泛地进行使用发光二极管(LED)的器件作为用于发射光的器件的研究。
LED使用化合物半导体的特性，以将电信号转换为光。LED具有其中第一导电类型半导体层、有源层、以及第二类型半导体层被堆叠的结构。在这里，电源被施加给结构以从有源层发射光。第一导电类型半导体层变成N型半导体层，并且第二导电类型半导体层变成P型半导体层。在这里，第一和第二导电半导体层可以变成彼此相对的导电类型半导体层。
第一电极层被设置在第一导电类型半导体层上，并且第二电极层被设置在第二导电类型半导体层上。
在发光器件中，电源被施加给第一和第二电极层，以从有源层发射光。因此，广泛地进行其中防止从有源层发射的光被吸收在发光器件中的研究，以提高发光器件的光效率。
发明内容
实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
实施例还提供具有被提高的光效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
在一个实施例中，一种发光器件，包括：反射层，该反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和反射层上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。
在另一实施例中，一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上交替地堆叠具有第一折射率的第一GaN基半导体层和具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层；在第二GaN基半导体层上形成掩模层，以选择性地去除第一GaN基半导体层和第二GaN基半导体层；在其中第一GaN基半导体层和第二GaN基半导体层被选择性地去除的区域中形成包括交替地堆叠的第二GaN基半导体层和第三GaN基半导体层的反射层；以及在反射层上形成发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的视图。
图2是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的示例的视图。
图3是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的另一示例的视图。
图4是根据第二实施例的发光器件的视图。
图5至图9是用于解释制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。
图10是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的视图。
图11是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。
图12是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下面，并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了便于描述和清晰，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法。
图1是根据第一实施例的发光器件的视图。图2是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的示例的视图。图3是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的另一示例的视图。
参考图1，根据第一实施例的发光器件包括：衬底10；衬底10上的氮化物半导体层20；氮化物半导体层20上的反射层30；反射层30上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层40、有源层50、以及第二导电类型半导体层60；第一导电类型半导体层40上的第一电极层70；以及第二导电类型半导体层60上的第二电极层80。有源层50设置在第一导电类型半导体层40和第二导电类型半导体层60之间。
例如，衬底10可以由蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、以及Ge中的至少一个形成，但是不限于此。例如，衬底10可以包括蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长发光结构层。多个突起图案可以被设置在衬底10的顶表面上。突起图案可以使从有源层50发射的光分散以提高光效率。例如，突起图案中的每一个可以具有半球形、多边形、锥形、以及纳米柱形中的一个。
氮化物半导体层20可以包括缓冲层、未掺杂的氮化物层以及包含第一导电类型杂质的氮化物层中的至少一个。
缓冲层可以具有AlInN/GaN结构、InxGa1-xN/GaN结构、以及AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaN结构的堆叠结构中的一个。未掺杂的氮化物层可以由GaN基半导体层形成，并且包含第一导电类型杂质的氮化物层可以由包含n型杂质的GaN基半导体层形成。而且，根据发光器件的设计，可以不形成氮化物半导体层20。
反射层30可以包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层31、具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层32、以及具有小于第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层33。
例如，第一GaN基半导体层31可以由具有大约2.3的折射率的InGaN层形成，第二GaN基半导体层32可以由具有大约2.2的折射率的GaN层形成，并且第三GaN基半导体层33可以由具有大约2.1的折射率的AlGaN层形成。另外，第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层33可以包含第一导电类型杂质。
由于反射层30包括具有彼此不同的折射率的至少三个层，所以可以通过反射层30有效地反射要朝着衬底10前进的从有源层50发射的光，以提高发光器件的光效率。
即，在反射层30中，具有彼此不同的折射率的层可以被交替地设置在垂直方向上，以提高垂直反射率。另外，具有彼此不同的折射率的层可以被交替地设置在水平方向上，以提高水平反射率。因此，相对于朝着下侧从有源层50垂直地前进的光和朝着下侧从有源层50倾斜地前进的光，反射层30具有优秀的反射率。
反射层30可以用作垂直和水平方向上的分布布拉格反射镜(DBR)。因此，可能有利的是，第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层33由其间具有高反射率差的材料形成。
例如，第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层33中的每一个可以具有大约40nm至大约60nm的厚度，更加具体地，可以具有大约45nm至大约50nm的厚度。而且，第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层33中的每一个可以具有大约40nm至大约50nm的宽度。由于第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层33具有前述的厚度和宽度，所以可以进一步提高反射率。
根据第一实施例，第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32被交替地堆叠在垂直方向上的反射层30的部分区域中。
而且，第二GaN基半导体层32和第三GaN基半导体层33被交替地堆叠在垂直方向上的反射层30的其它区域中。
而且，第一GaN基半导体层31和第三GaN基半导体层33被交替地设置在水平方向上的反射层30的部分区域中。
而且，第二GaN基半导体层32被水平地设置在反射层30的其它区域中。
图2和图3是当从上侧观察时沿着图1的线I-I’截取的截面图。
如图2中所示，可以以晶格形状设置第一GaN基半导体层31和第三GaN基半导体层33。而且，如图3中所示，可以以条纹形状交替地设置第一GaN基半导体层31和第三GaN基半导体层33。
在此，在图2和图3中示出的半导体层的形式仅是示例。可以以诸如其中第一GaN基半导体层31和第三GaN基半导体层33彼此齐平的结构的各种形状设置第一GaN基半导体层31和第三GaN基半导体层33。
发光结构层可以由GaN基半导体层形成。发光结构可以被设计为各种结构。然而，在当前实施例中，将其中发光结构层包括第一导电类型半导体层40、有源层50、以及第二导电类型半导体层60的结构示出为示例。
例如，第一导电类型半导体层40可以包括n型半导体层。第一导电类型半导体层40可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，可以由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN中的一个形成。在此，n型半导体层被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的n型掺杂物。
有源层50是其中通过第一导电类型半导体层40注入的电子(或者空穴)和通过第二导电类型半导体层60注入的空穴(或者电子)可以被复合以利用取决于有源层50的形成材料的能带的带隙差发射光的层。
有源层50可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的一个，但是不限于此。
有源层50可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。当有源层50具有MQW结构时，有源层50可以包括彼此堆叠的多个阱层和多个阻挡层。例如，有源层50可以以InGaN阱层/GaN阻挡层的周期形成。
其中掺杂有n型或者p型掺杂物的掺杂的包覆层(未示出)可以被设置在有源层50的上/下。通过AlGaN层或者InAlGaN层可以实现包覆层(未示出)。
例如，通过p型半导体层可以实现第二导电类型半导体层60。第二导电类型半导体层60可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，可以由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN中的一个形成。而且，p型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的p型掺杂物。
第一导电类型半导体层40可以包括p型半导体层，并且第二导电类型半导体层60可以包括n型半导体层。而且，包括n型或者p型半导体层的第三导电类型半导体层(未示出)可以被设置在第二导电类型半导体层60上。因此，发光结构层可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构、以及pnp结结构中的至少一个。而且，杂质可以被均匀地或者非均匀地掺杂到第一导电类型半导体层40和第二导电类型半导体层60中。因此，发光结构层可以具有各种结构，但是不限于此。
第一电极层70被设置在第一导电类型半导体层40上，并且第二电极层80被设置在第二导电类型半导体层60上以分别向有源层50提供电力。用于减少电阻的欧姆接触层可以被设置在第二导电类型半导体层60和第二电极层80之间。
发光器件可以是GaN基发光二极管，其发射具有大约450nm至大约480nm的波长区域，特别地，具有大约465nm的波长区域中的中心波长(centroidwavelength)，并且具有大约15nm至大约40nm的半峰全宽的蓝光。
图4是根据第二实施例的发光器件的视图。
参考图4，除了反射层的结构之外，根据第二实施例的发光器件具有与根据第一实施例的发光器件相同的结构。因此，将会在下面仅描述反射层的结构。
在根据第二实施例的发光器件中，反射层30可以包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层31、具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层32、以及具有小于第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层33。
例如，第一GaN基半导体层31可以由具有大约2.3的折射率的InGaN层形成，第二GaN基半导体层32可以由具有大约2.2的折射率的GaN层形成，并且第三GaN基半导体层33可以由具有大约2.1的折射率的AlGaN层形成。
由于反射层30包括具有彼此不同的折射率的至少三个层，所以通过反射层30可以有效地反射要朝着衬底10前进的从有源层50发射的光，以提高发光器件的光效率。
即，在反射层30中，具有彼此不同的折射率的层可以被交替地设置在垂直方向上，以提高垂直反射率。另外，具有彼此不同的折射率的层可以被交替地设置在水平方向上，以提高水平反射率。因此，相对于朝着下侧从有源层50垂直地前进的光和朝着下侧从有源层50倾斜地前进的光，反射层30具有优秀的反射率。
反射层30可以用作垂直和水平方向上的分布布拉格反射镜(DBR)。因此，可能有利的是，第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层33由在其间具有高反射率差的材料形成。
根据第二实施例，第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32被交替地堆叠在垂直方向上的反射层30的部分区域中。
而且，第二GaN基半导体层32和第三GaN基半导体层33被交替地堆叠在垂直方向上的反射层30的其它区域中。
而且，第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32被交替地设置在水平方向上的反射层30的部分区域中。
而且，第二GaN基半导体层32和第三GaN基半导体层33被水平地设置在反射层30的其它区域中。
与图2的相类似，可以以晶格形状设置第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32。而且，可以以晶格形状设置第二GaN基半导体层32和第三GaN基半导体层33。替代地，与图3的相类似，可以以条纹形状交替地设置第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32，并且可以以条纹形状交替地设置第二GaN基半导体层32和第三GaN基半导体层33。
图5至图9是用于解释制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。
参考图5，衬底10被制备。氮化物半导体层20形成在衬底10上。
第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32被交替地堆叠在氮化物半导体层20上。第一GaN基半导体层31可以由InGaN层形成，并且第二GaN基半导体层32可以由GaN层形成。多对第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32可以被重复地堆叠，例如，10对或者更多对第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32可以被重复地堆叠。
而且，掩模层100形成在第二GaN基半导体层32上。掩模层100可以由氧化硅层(SiO2)形成。
参考图6，使用掩模层100作为掩模，选择性地蚀刻第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32。
参考图7，多对第三GaN基半导体层33和第二GaN基半导体层32被重复地堆叠在其中第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32被选择性地蚀刻的区域中，以形成反射层30。第三GaN基半导体层33可以由AlGaN层形成。
尽管首先形成第三GaN基半导体层33以允许第一GaN基半导体层31和第三GaN基半导体层33在图7中被水平地设置，如同根据第一实施例的发光器件一样，也可以首先形成第二GaN基半导体层32以允许第一GaN基半导体层31和第二GaN基半导体层32被水平地设置，如同根据第二实施例的发光器件一样。
参考图8，包括第一导电类型半导体层40、有源层50、以及第二导电类型半导体层60的发光结构层形成在反射层30上。
参考图9，执行台面蚀刻工艺，以部分地去除第二导电类型半导体层60、有源层50、以及第一导电类型半导体层40。因此，执行台面蚀刻工艺，以向上地暴露第一导电类型半导体层40的一部分。
如图1中所示，第一电极层70形成在第一导电类型半导体层40上，并且第二电极层80形成在第二导电类型半导体层60上。因此，将会制造根据实施例的发光器件。
在根据实施例的发光器件及其制造方法中，使用第一GaN基半导体层31、第二GaN基半导体层32、以及第三GaN基半导体层形成反射层30。在这里，第一GaN基半导体层可以是InGaN层，第二GaN基半导体层32可以是GaN层，并且第三GaN基半导体层33可以是AlGaN层。
当InGaN层和AlGaN层被垂直地堆叠以形成反射层时，可能出现由于其间的晶格常数差而导致的缺陷。因此，由于反射层应在氮气气氛和氢气气氛下生长，所以很难执行形成反射层的工艺。然而，根据依据实施例的发光器件及其制造方法，由于在没有垂直地堆叠InGaN层和AlGaN层的情况下形成反射层，所以存在优点，没有出现由于晶格常数差而导致的缺陷。
图10是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的视图。
参考图10，根据实施例的发光器件封装600包括：封装主体300、设置在封装主体300上的第一和第二电极310和320、设置在封装主体300上并且电气地连接至第一和第二电极310和320的发光器件200、以及在封装主体300上包围发光器件200的成型构件500。
封装主体300可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。而且，倾斜表面可以设置在发光器件200的周围。
第一电极310和第二电极320被彼此电隔离，以向发光器件200提供电力。而且，第一电极310和第二电极320可以反射从发光器件200发射的光，以增加光效率。而且，通过第一和第二电极310和320，可以将在发光器件200中产生的热散发到外部。
发光器件200可以设置在封装主体300上或者第一和第二电极310和320上。
发光器件200可以通过线400电气地连接到第一和第二电极310和320。
成型构件500可以包围发光器件200，以保护发光器件200。而且，磷光体可以被包含在成型构件500中，以改变从发光器件200发射的光的波长。
由于具有优秀的光效率的发光器件200被应用于发光器件封装600，所以发光器件封装600可以具有优秀的光效率。
多个根据实施例的发光器件封装600可以被排列在基板上。而且，诸如导光板、棱镜片、扩散片、以及荧光片的光学构件可以设置在从发光器件封装600发射的光的路径上。发光器件封装600、基板、以及光学构件可以起背光单元或者照明单元的作用。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示装置、灯、以及路灯。
图11是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。然而，图11的背光单元1100被描述为照明系统的示例，并且本公开不限于此。
参考图11，背光单元1100可以包括底框1140、设置在底框1140中的导光构件1120、以及设置在导光构件1120的至少一侧或者上表面上的发光模块1110。而且，反射片1130可以设置在导光构件1120下。
底框1140可以具有盒形状，该盒形状具有开口的上侧以容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。底框1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是其不限于此。
发光模块1110可以包括：基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。多个发光器件封装600可以向导光构件1120提供光。尽管根据实施例发光封装600被设置在发光模块1110中的基板700上，但是根据实施例发光器件200可以被直接设置在基板700上。
如图11中所示，可以将发光模块1110设置在底框1140的至少一个内表面上。因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个横向表面提供光。
发光模块1110可以被设置在导光构件1120下，以朝着导光构件1120的下表面提供光。可以根据背光单元1100的设计，对此进行各种改变，但不限于此。
导光构件1120可以被设置在底框1140内。导光构件1120可以接收由发光模块1110提供的光以产生平面光，然后将平面光导向显示面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
光学片1150可以被设置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片(lightcollectionsheet)、亮度增强片(brightnessenhancementsheet)、以及荧光片中至少一个。例如，扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片可以被堆叠以形成光学片1150。在这样的情况下，扩散片1150可以使从发光模块1110发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片向显示面板(未示出)聚集扩散光。在此，从聚光片发射的光是随机偏振的光。亮度增强片可以提高从聚光片发射的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是反射式增光膜(Dualbrightnessenhancementfilm)。荧光片可以是包括磷光体的透光板或者膜。
反射片1130可以被设置在导光构件1120下。反射片1130将通过导光构件1120的下表面发射的光朝着导光构件1120的发光表面反射。
反射片可以由例如PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂的具有优秀的反射率的材料形成，但是其不限于此。
图12是示出根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。然而，图12的照明单元1200被描述为照明系统的示例，本公开不限于此。
参考图12，照明单元1200可以包括：壳体1210、设置在壳体1210上的发光模块1230、以及设置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有良好散热性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。尽管根据实施例发光器件封装600被设置在发光模块1110中的基板700上，但是根据实施例发光器件200可以被直接设置在基板700上。
电路图案可以被印制在电介质上以形成基板700。例如，基板700可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
而且，基板700可以由有效反射的材料形成，或者具有在其上由其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装600可以被安装在基板700上。发光器件封装600可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的有色LED，和发射紫外(UV)线的UVLED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合，以获得色感(colorimpression)和亮度。例如，可以彼此组合白光LED、红光LED、绿光LED，以确保高显色指数。而且，荧光片可以进一步被设置在从发光模块1230发射的光的路径上。荧光片改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄色磷光体。因此，从发光模块1230发射的光经过荧光片，以最终发射白光。
连接端子1220可以被电气地连接至发光模块1230，以向发光模块1230提供电力。参考图12，将连接端子1220以插座形式螺纹联接到外部电源，但是其不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头的形状，并且因此，可以被插入到外部电源中。替代地，连接端子1220可以通过线连接到外部电源。
如上所述，在照明系统中，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的至少一个可以被设置在从发光模块发射的光的路径上，以获得所想要的光学效应。
如上所述，由于根据实施例照明系统包括具有优秀光效率的发光器件或者发光器件封装，所以照明系统可以具有优秀的光效率。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
Claims (12)
1.一种发光器件，包括：
反射层，所述反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于所述第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于所述第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和
所述反射层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，
其中所述第一GaN基半导体层和所述第二GaN基半导体层在垂直方向上被交替地堆叠在所述反射层的第一区域中，并且所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层在垂直方向上被交替地堆叠的所述反射层的第二区域中，以及
其中所述第一GaN基半导体层和第三GaN基半导体层在水平方向上被交替地设置在所述反射层的第三区域中，并且所述第二GaN基半导体层被设置在所述反射层的第四区域中。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中以晶格形状沿着所述水平方向设置所述第一GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中以条纹形状沿着所述水平方向设置所述第一GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层和第二GaN基半导体层在水平方向上被交替地设置在所述反射层的第三区域中，并且所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层被交替地设置在所述反射层的第四区域中。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中以晶格形状水平地设置所述第一GaN基半导体层和所述第二GaN基半导体层，并且以晶格形状水平地设置所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中以条纹形状水平地设置所述第一GaN基半导体层和所述第二GaN基半导体层，并且以条纹形状水平地设置所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层包括InGaN层，所述第二GaN基半导体层包括GaN层，并且所述第三GaN基半导体层包括AlGaN层。
8.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括氮化物半导体层和衬底，所述氮化物半导体层和衬底被设置在所述反射层下。
9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电类型半导体层上的第一电极层和在所述第二导电类型半导体层上的第二电极层。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层、所述第二GaN基半导体层、以及所述第三GaN基半导体层中的每一个具有40nm至60nm的厚度。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层、所述第二GaN基半导体层、以及所述第三GaN基半导体层中的每一个具有40nm至50nm的宽度。
12.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
第一和第二电极，所述第一和第二电极在所述封装主体上，所述第一和第二电极被彼此电气地分离；
根据权利要求1至权利要求11中的任何一项所述的发光器件，所述发光器件被设置在所述封装主体上并且电气地连接到所述第一和第二电极；以及
成型构件，所述成型构件包围所述发光器件。
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