KR20110043884A - 다이본딩장치의 오프셋입력방법 - Google Patents
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Description
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- 다이본딩장치의 오프셋입력방법에 있어서,다이본딩장치가 보드상에 위치한 셀 및 보드상에 위치한 반도체소자가 표시된 이미지화면을 입력하는 1단계;상기 이미지화면상에 표시된 θ바를 이용하여 θ축에 대한 오프셋을 사용자로부터 입력받는 2단계;상기 다이본딩장치가 상기 이미지화면상에서 도형을 이용하여 타겟위치와 현재위치를 사용자로부터 입력받는 3단계;상기 다이본딩장치가 이미지화면상에 도형을 이용하여 입력받은 타겟위치와 현재위치를 사용하여 반도체소자의 X와 Y의 위치 오프셋을 구하는 4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이본딩장치의 오프셋입력방법.
- 다이본딩장치의 오프셋입력방법에 있어서,다이본딩장치가 보드상에 위치한 셀 및 보드상에 위치한 반도체소자가 표시된 이미지화면을 입력하는 1단계;상기 다이본딩장치가 상기 이미지화면상에서 도형을 이용하여 타겟위치와 현재위치를 사용자로부터 입력받는 2단계;상기 다이본딩장치가 이미지화면상에 도형을 이용하여 입력받은 타겟위치와 현재위치를 사용하여 반도체소자의 X와 Y의 위치 오프셋을 구하는 3단계; 및상기 이미지화면상에 표시된 θ바를 이용하여 θ축에 대한 오프셋을 사용자로부터 입력받는 4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이본딩장치의 오프셋입력방법.
- 다이본딩장치의 오프셋입력방법에 있어서,다이본딩장치가 보드상에 위치한 셀 및 보드상에 위치한 반도체소자가 표시된 이미지화면을 입력하는 1단계;상기 이미지화면상에 표시된 θ바를 이용하여 θ축에 대한 오프셋을 입력받는 2단계;상기 다이본딩장치가 상기 셀과 상기 반도체소자의 사이의 공간사이에 4개의 도형박스를 사용자로부터 입력받아 상기 입력받은 도형박스로부터 셀의 윗변과 반도체소자의 윗변사이의 길이(d1), 셀의 아랫변과 반도체소자의 아랫변의 길이(d2), 셀의 좌측변과 반도체소자의 좌측변사이의 길이(d3), 셀의 우측변과 반도체소자의 우측변사이의 길이(d4)를 계산하는 3단계;상기 4개의 길이를 이용하여 반도체소자의 X와 Y의 오프셋을 구하는 4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이본딩장치의 오프셋입력방법.
- 다이본딩장치의 오프셋입력방법에 있어서,다이본딩장치가 보드상에 위치한 셀 및 보드상에 위치한 반도체소자가 표시된 이미지화면을 입력하는 1단계;상기 다이본딩장치가 상기 셀과 상기 반도체소자의 사이의 공간사이에 4개의 도형박스를 사용자로부터 입력받아 상기 입력받은 도형박스로부터 셀의 윗변과 반도체소자의 윗변사이의 길이(d1), 셀의 아랫변과 반도체소자의 아랫변의 길이(d2), 셀의 좌측변과 반도체소자의 좌측변사이의 길이(d3), 셀의 우측변과 반도체소자의 우측변사이의 길이(d4)를 계산하는 2단계;상기 4개의 길이를 이용하여 반도체소자의 X와 Y의 오프셋을 구하는 3단계;및상기 이미지화면상에 표시된 θ바를 이용하여 θ축에 대한 오프셋을 입력받는 4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이본딩장치의 오프셋입력방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 도형은,사각형인 것을 특징으로 하는 상기 다이본딩장치의 오프셋입력방법.
- 제 3항에 있어서,상기 4단계는,(a) 상기 d1과 d2의 평균을 구하고 상기 평균과 d1과 d2중 작은값을 사용하여 Y의 오프셋을 구하는 단계; 및(b) 상기 d3와 d4의 평균을 구하고 상기 평균과 d3와 d4중 작은값을 사용하여 X의 오프셋을 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 다이본딩장치 의 오프셋입력방법.
- 제 3항에 있어서,상기 4단계는,(c) 상기 d3와 d4의 평균을 구하고 상기 평균과 d3와 d4중 작은값을 사용하여 X의 오프셋을 구하는 단계; 및(d) 상기 d1과 d2의 평균을 구하고 상기 평균과 d1과 d2중 작은값을 사용하여 Y의 오프셋을 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 다이본딩장치의 오프셋입력방법.
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