KR20110041115A - 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치 - Google Patents

비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110041115A
KR20110041115A KR1020090098152A KR20090098152A KR20110041115A KR 20110041115 A KR20110041115 A KR 20110041115A KR 1020090098152 A KR1020090098152 A KR 1020090098152A KR 20090098152 A KR20090098152 A KR 20090098152A KR 20110041115 A KR20110041115 A KR 20110041115A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
passive element
pcb
pad
cavity
Prior art date
Application number
KR1020090098152A
Other languages
English (en)
Inventor
장세영
김정웅
김건탁
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020090098152A priority Critical patent/KR20110041115A/ko
Priority to US12/905,639 priority patent/US20110090662A1/en
Publication of KR20110041115A publication Critical patent/KR20110041115A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0231Capacitors or dielectric substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10515Stacked components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10636Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

비지에이(BGA; Ball Grid Array) 패키지의 전원 노이즈를 개선하는 방법에 있어서, 상기 비지에이 패키지의 전원 핀과 상응하는 PCB(Printed Circuit Board)상의 전원 패드의 근처에 수동소자를 배치할 수 있는 수동소자 실장용 패드 공간을 확보하는 과정과, 상기 수동소자 실장용 패드에 수동소자를 실장하는 과정 및 상기 수동소자의 상부에서 상기 수동소자와 중첩되는 PCB상의 위치에 상기 비지에이 패키지를 실장하는 과정을 포함하여, 수동 소자를 PCB상의 비지에이 패키지와 중첩되는 하단에 배치함으로써 전원핀과의 물리적 거리를 좁혀 비지에이 패키지의 전원 노이즈를 상당히 줄일 수 있으며, PCB 상에 다른 부품을 배치할 수 있는 배치 공간을 최대한 활용할 수 있다.
BGA(Ball Grid Array),디커플링 캐패시터, 전원 노이즈, 공동(cavity)

Description

비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING POWER NOISE OF BALL GRID ARRAY PACKAGE}
본 발명은 비지에이(BGA; Ball Grid Array) 패키지의 전원 노이즈(Noise) 개선 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 비지에이 패키지의 전원핀과 디커플링 캐패시터(decoupling capacitor) 사이의 거리(current path)를 최소화하여 전원 노이즈를 감소시키기 위한 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치에 관한 것이다.
전자 산업이 점차 발전함에 따라 반도체 집적회로(IC)의 집적도가 급격히 증가하게 되었다. 이에 따라 반도체 집적회로의 패키지는 점점 대형화되고 그에 따른 집적회로의 입출력 단자 수도 그 수가 수백 핀을 초과 하기에 이르렀다. 그러나 전자 제품이 점차 슬림화되어가는 현재의 추세에 따라 반도체 집적회로의 패키지도 가능한 소형으로 제작하기 위하여 서로 경주되고 있는 실정이다. 이에 따라 반도체 집적회로의 보다 작은 패키지에 보다 많은 입출력 단자를 수용 가능하도록 하면서, 칩 마운터 등을 이용한 자동 생산이 용이하도록 하는 패키징 기술이 개발 되었다. 이러한 기술의 일환으로 개발된 것이 볼격자배열(Ball Grid Array) 방식의 패키징 기술이다.
일반적으로 표준형 BGA 패키지는 단자 기판상에 칩이 실장되며, 상기 단자 기판의 저부에 위치한 솔더 랜드에 일정 직경을 갖는 다수의 솔더볼이 일정 간격으로 배치된다. 상기 솔더볼은 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)의 비지에이 패키지용 패드 부분에 실장될 수 있을 것이다.
최근, 휴대폰이나 PC 등 전자제품에는 다양한 기능을 수행하는 상술한 비지에이 패키지를 포함하고 있다. 이러한 비지에이 패키지에 인가되는 전원의 노이즈를 최소화하기 위해서 비지에이 패키지가 실장된 PCB의 주변에는 수동소자인 디커플링 캐패시터를 배치하고 있다.
종래기술은, 비지에이 패키지에 인가되는 전원 노이즈(Noise)를 줄이기 위해 도 1의 (a) 또는 (b)와 같이 BGA 패키지(102) 주변의 동일 평면상(108)이나, BGA 부품이 배치되는 PCB(100)의 반대면(110)에 디커플링 캐패시터(104)를 배치하였다.
그런데, 상기 디커플링 캐패시터(104)를 비지에이 패키지(102)를 인쇄회로기판의 동일 평면상에 배치하는 경우 BGA 패키지(102)의 내부에 있는 전원핀(106)과 디커플링 캐패시터(104) 사이의 물리적 거리가 멀어 임피던스(Impedance) 값이 증가하여 전원 노이즈가 증가하거나, 디커플링 캐패시터(104)를 비지에이 부품(102) 이 배치되는 PCB 반대면(110)에 배치하는 경우 PCB 뒷면의 공간 활용에 제약을 주는 문제가 있었다
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 본 발명은 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 수동소자와의 물리적 거리를 최소화하여 전원핀에서 발생하는 노이즈를 감소시키도록 구현되는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전원 노이즈를 효율적으로 저감시키면서 PCB의 공간 활용을 극대화할 수 있도록 구현되는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
상술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제 1 견지에 따르면, 비지에이(BGA; Ball Grid Array) 패키지의 전원 노이즈를 개선하는 방법에 있어서, 상기 비지에이 패키지의 전원 핀과 상응하는 PCB(Printed Circuit Board)상의 전원 패드의 근처에 수동소자를 배치할 수 있는 수동소자 실장용 패드 공간을 확보하는 과정과, 상기 수동소자 실장용 패드에 수동소자를 실장하는 과정 및 상기 수동소자의 상부에서 상기 수동소자와 중첩되는 PCB상의 위치에 상기 비지에이 패키지를 실장하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 수동소자 실장용 패드 공간을 확보하는 과정은, 상기 수동소자 실장용 패드가 위치하는 상기 PCB 상측면에 공동(Cavity)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제 2 견지에 따르면, PCB(Printed Circuit Board)에 실장되는 비지에이(BGA; Ball Grid Array) 패키지의 전원 노이즈를 개선시키기 위한 장치에 있어서, 상기 비지에이 패키지의 전원핀에 상응하는 상기 PCB상의 전원 패드의 근처에 수동소자를 실장시키기 위하여 형성되는 수동소자 실장용 패드와, 상기 수동소자 실장용 패드에 실장되는 수동소자 및 상기 수동소자의 상부에서 이격 거리(gap)을 유지하며 중첩되도록 실장되는 비지에이 패키지를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명은 디커플링 캐패시터를 PCB상의 비지에이 패키지와 중첩되는 하단에 배치함으로써 전원핀과의 물리적 거리를 좁혀 비지에이 패키지의 전원 노이즈를 상당히 줄일 수 있으며, PCB 상에 다른 부품을 배치할 수 있는 배치 공간을 최대한 활용할 수 있는 효과가 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 하기와 같다. 그러나 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명에 따른 비지에이 패키지(BGA package; Ball Grid Array package) 관련 수동소자를 PCB 상에 배치한 단면도를 도시하고 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, PCB(200) 상에 비지에이 패키지(202)가 배치되어 있다. 미부호화되었으나, 상기 비지에이 패키지(202)는 공지의 구성을 갖는다. 예를 들어, 일정 패턴이 형성된 기판(substrate)상에 해당 칩이 실장되며 그 상부에 방열 수단이 탑재될 수 있을 것이다. 상기 기판의 저부에 위치한 솔더 랜드에는 일정 간격을 갖도록 다수의 솔더볼(208)이 구성되는데, 상기 솔더볼(208)은 상기 PCB(200)상의 비지에이 패키지용 패드 부분에 실장될 수 있을 것이다.
상기 비지에이 패키지(202)의 전원 핀에서 발생하는 전원 노이즈를 감소시키기 위하여 상기 PCB상에 수동소자를 실장시킨다. 상기 수동소자로는 공지의 디커플링 캐패시터(decoupling capacitor)가 실장될 수 있다.
본 발명에서 상기 디커플링 캐패시터(204)는 비지에이 패키지(202)의 하단의 전원핀(206) 근처에 배치 하였다. 즉, 상기 디커플링 캐패시터(204)는 상기 비지에이 패키지와 중첩되는 위치의 PCB상에 배치되는데, 패키지의 크기, 전원핀의 갯수에 따라 다수개가 일정 간격으로 실장되어도 무방하다. 이렇게 배치하여도 비지에이 패키지(202)와 디커플링 캐패시터(204) 간에 간섭이 일어나지 않는 것은 비지에이 패키지(202)의 솔더볼(208)의 높이가 디커플링 캐패시터 보다 높기 때문이 다. 이렇게 하면 비지에이 패키지의 전원핀(206)과 디커플링 캐패시터(204) 간의 물리적 거리가 짧아져서 두 단 사이의 임피던스 감소하게 되어 전원 노이즈가 감소하게 되는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 수동소자를 PCB의 비지에이 패키지 실장 부분에 배치한 구성도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, PCB상의 비지에이 패키지 실장 부분(300)에는 다수의 솔더볼에 대응되도록 대응 위치에 다수의 패드가 배치된다. 상기 패드는 비지에이 패키지 소자(chip)와의 대응 입출력 단자 역할을 하기 위한 패드들(306)과, 비지에이 패키지의 전원 공급을 위한 전원핀용 패드(302) 및 상기 전원핀용 패드(302) 주변에 배치되어 추후 비지에이 패키지의 전원핀 주변에서 발생하는 노이즈를 감소시키기 위한 수동소자 실장용 패드(304)가 배치된다. 이는 비지에이 패키지의 전원용 핀과 최대한 가까운 거리에 수동소자를 배치하여 물리적 거리를 줄임으로써 효과적인 노이즈 저감을 도모하기 위함이다. 상기 수동소자로는 디커플링 캐패시터를 사용할 수 있으며, 바람직하게도 상기 PCB상에 SMD(Surface Mounted Device) 타입으로 실장될 수 있을 것이다.
한편, 본 발명에서는 대체적으로 디커플링 캐패시터의 높이가 솔더볼의 직경보다 작도록 하여 상기 비지에이 패키지의 솔더볼들 사이에 상기 디커플링 캐패시터를 배치하여도 문제가 없다. 그러나, 상기 솔더볼의 직경과 같거나 이보다 큰 높이를 갖는 수동소자의 경우 상기 비지에이 패키지와 중첩되는 위치에 배치는 다소 어려울 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 비지에이 패키지 관련 수동소자를 PCB상에 배치하는 단면도이다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 디커플링 캐패시터(204)가 실장되는 PCB(304)의 부분에 공동(cavity)(400)를 형성한다. 따라서, 상기 공동(400)내에 상기 디커플링 캐패시터(204)를 실장할 수 있을 것이다. 즉, 상기 공동(400)에 의해 상기 비지에이 패키지(202)의 하단에서 상기 디커플링 캐패시터(204)의 실장 공간에 좀더 여유를 줄 수 있는 것이다. 상기 공동(400)은 PCB를 제작하는 과정에서 진행이 할 수 있으며, 레이저나 에칭 기법을 이용하여 구현할 수 있을 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 디커플링 캐패시터의 위치 변경에 따른 임피던스의 값의 개선을 보여주는 시뮬레이션 결과이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 디커플링 캐패시터가 비지에이 패키지의 외부에 배치된 경우(500)보다 비지에이 패키지와 중첩된 위치에 배치된 경우(502)에 임피던스 값이 현저히 감소하는 것을 확인할 수 있다.
한편, 상술한 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법을 이용하여 비지에이 패키지를 사용하는 각종 전자장치의 전원 노이즈를 개선할 수 있을 것이다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 비지에이 패키지 관련 수동소자를 배치하는 도면;
도 2는 본 발명에 따른 비지에이 패키지 관련 수동소자를 PCB상에 배치한 단면도;
도 3은 본 발명에 따른 비지에이 패키지와 관련 수동소자가 배치되는 PCB 상의 부분을 도시한 구성도;
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 비지에이 패키지 관련 수동소자를 PCB상에 배치하는 단면도; 및
도 5는 본 발명에 따른 수동소자의 위치 변경에 따른 임피던스의 개선을 도시한 도면.

Claims (13)

  1. 비지에이(BGA; Ball Grid Array) 패키지의 전원 노이즈를 개선하는 방법에 있어서,
    상기 비지에이 패키지의 전원 핀과 상응하는 PCB(Printed Circuit Board)상의 전원 패드의 근처에 수동소자를 배치할 수 있는 수동소자 실장용 패드 공간을 확보하는 과정;
    상기 수동소자 실장용 패드에 수동소자를 실장하는 과정; 및
    상기 수동소자의 상부에서 상기 수동소자와 중첩되는 PCB상의 위치에 상기 비지에이 패키지를 실장하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 수동소자 실장용 패드 공간을 확보하는 과정은,
    상기 수동소자 실장용 패드의 위치가 상기 비지에이 패키지의 저면과 상응하는 PCB 최상측 면에 위치하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 수동소자 실장용 패드 공간을 확보하는 과정은,
    상기 수동소자 실장용 패드가 위치하는 상기 PCB 최상측 면에 일정 깊이의 공동(cavity)을 형성하고, 상기 공동내에 상기 수동소자가 실장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 공동(Cavity)은,
    상기 PCB 단면의 일부를 식각(Etching)하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 비지에이 패키지를 실장하는 과정은,
    상기 비지에이 패키지가 상기 수동소자와 이격 거리(gap)를 유지하며 중첩하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 방법
  6. 제 1항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수동소자는 디커플링 캐패시터(decoupling capacitor)임을 특징으로 하는 방법.
  7. PCB(Printed Circuit Board)에 실장되는 비지에이(BGA; Ball Grid Array) 패키지의 전원 노이즈를 개선시키기 위한 장치에 있어서,
    상기 비지에이 패키지의 전원핀에 상응하는 상기 PCB상의 전원 패드의 근처에 수동소자를 실장시키기 위하여 형성되는 수동소자 실장용 패드;
    상기 수동소자 실장용 패드에 실장되는 수동소자; 및
    상기 수동소자의 상부에서 이격 거리(gap)을 유지하며 중첩되도록 실장되는 비지에이 패키지를 포함함을 특징으로 하는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 수동소자 실장용 패드는,
    상기 비지에이 패키지의 저면과 상응하는 PCB의 상측면에 위치하는 것을 특징으로 하는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 수동소자 실장용 패드는 상기 PCB 상측면에 일정 깊이를 갖도록 형성되는 공동(Cavity)내에 형성됨을 특징으로 하는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 공동(Cavity)은,
    상기 PCB 단면의 일부를 식각(Etching)하여 형성됨을 특징으로 하는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 수동소자는 디커플링 캐패시터(Decoupling Capacitor)로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  12. 제 7항 내지 11항 중 어느 한 항에 따라 구성되는 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 장치를 포함하는 전자 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 전자 장치는 휴대용 무선단말기임을 특징으로 하는 전자 장치.
KR1020090098152A 2009-10-15 2009-10-15 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치 KR20110041115A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090098152A KR20110041115A (ko) 2009-10-15 2009-10-15 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치
US12/905,639 US20110090662A1 (en) 2009-10-15 2010-10-15 Method and apparatus for improving power noise of ball grid array package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090098152A KR20110041115A (ko) 2009-10-15 2009-10-15 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110041115A true KR20110041115A (ko) 2011-04-21

Family

ID=43879151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090098152A KR20110041115A (ko) 2009-10-15 2009-10-15 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110090662A1 (ko)
KR (1) KR20110041115A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013122389A1 (ko) * 2012-02-17 2013-08-22 주식회사 세미콘테스트 반도체 패키지

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8863071B2 (en) * 2011-09-13 2014-10-14 Alcatel Lucent De-pop on-device decoupling for BGA
JP6122290B2 (ja) 2011-12-22 2017-04-26 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 再配線層を有する半導体パッケージ
TWI655718B (zh) * 2012-11-30 2019-04-01 美商英力股份有限公司 包含耦合至一去耦裝置之半導體裝置之設備及其形成方法
TWI548042B (zh) * 2013-04-23 2016-09-01 巨擘科技股份有限公司 電子系統及其核心模組
US9510448B2 (en) 2014-08-29 2016-11-29 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Maximizing surface area of surface mount contact pads of circuit board also having via contact pads
KR102154064B1 (ko) 2014-09-25 2020-09-10 삼성전자주식회사 테스트 보드, 그것을 포함하는 테스트 시스템 및 그것의 제조 방법
JP6407433B2 (ja) * 2015-07-15 2018-10-17 ヤマハ発動機株式会社 モデルデータ作成装置、モデルデータの作成方法、搭載基準点決定装置、搭載基準点の決定方法
US9899313B2 (en) 2016-07-11 2018-02-20 International Business Machines Corporation Multi terminal capacitor within input output path of semiconductor package interconnect
US10141277B2 (en) 2017-03-31 2018-11-27 International Business Machines Corporation Monolithic decoupling capacitor between solder bumps
US10952327B2 (en) 2018-04-27 2021-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor module
JP2023140761A (ja) * 2022-03-23 2023-10-05 キオクシア株式会社 電子デバイス

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371321A (en) * 1992-07-22 1994-12-06 Vlsi Technology, Inc. Package structure and method for reducing bond wire inductance
US6417463B1 (en) * 2000-10-02 2002-07-09 Apple Computer, Inc. Depopulation of a ball grid array to allow via placement
TW595290B (en) * 2003-10-27 2004-06-21 Benq Corp Electronic device having connection structure and connection method thereof
TWI249228B (en) * 2004-03-29 2006-02-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package structure for improving electrical performance and method for fabricating the same
US7166917B2 (en) * 2005-01-05 2007-01-23 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor package having passive component disposed between semiconductor device and substrate
KR101385969B1 (ko) * 2007-03-21 2014-04-17 삼성전자주식회사 화상형성장치
KR101486420B1 (ko) * 2008-07-25 2015-01-26 삼성전자주식회사 칩 패키지, 이를 이용한 적층형 패키지 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013122389A1 (ko) * 2012-02-17 2013-08-22 주식회사 세미콘테스트 반도체 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US20110090662A1 (en) 2011-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110041115A (ko) 비지에이 패키지의 전원 노이즈 개선 방법 및 장치
US7217994B2 (en) Stack package for high density integrated circuits
US8806420B2 (en) In-grid on-device decoupling for BGA
US8863071B2 (en) De-pop on-device decoupling for BGA
KR20110066701A (ko) 패키지 기판 및 이를 구비한 반도체 패키지
US20080042257A1 (en) Die pad arrangement and bumpless chip package applying the same
US10103115B2 (en) Circuit substrate and semicondutor package structure
US6910637B2 (en) Stacked small memory card
KR100850286B1 (ko) 전자소자가 장착된 반도체 칩 패키지 및 이를 구비하는집적회로 모듈
US6512293B1 (en) Mechanically interlocking ball grid array packages and method of making
US8633398B2 (en) Circuit board contact pads
US20100187561A1 (en) Electronic device
CN114464585B (zh) 一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备
US6565008B2 (en) Module card and a method for manufacturing the same
KR20110082643A (ko) 반도체 칩의 실장 기판 및 이를 갖는 반도체 패키지
US7180171B1 (en) Single IC packaging solution for multi chip modules
KR20150057788A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
US20050078457A1 (en) Small memory card
TW202044500A (zh) 模組堆疊封裝結構
US20130153278A1 (en) Ball grid array package and method of manufacturing the same
KR20080051197A (ko) 반도체 패키지
JP2006041061A (ja) 半導体装置
US20130328181A1 (en) Electronic system with a composite substrate
US20050077620A1 (en) Miniaturized small memory card structure
KR20150014282A (ko) 반도체 칩 패키지 모듈 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid