KR20110023353A - 감광성 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물 - Google Patents

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KR20110023353A KR1020090081180A KR20090081180A KR20110023353A KR 20110023353 A KR20110023353 A KR 20110023353A KR 1020090081180 A KR1020090081180 A KR 1020090081180A KR 20090081180 A KR20090081180 A KR 20090081180A KR 20110023353 A KR20110023353 A KR 20110023353A
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Abstract

한 분자 내에 적어도 하나의 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ), 및 탄소수 1 내지 8인 적어도 하나의 카르복시 또는 알콕시 그룹을 포함하는 나프토퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물로 이루어진 감광성 화합물 및 이의 제조방법이 개시된다.

Description

감광성 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물{Photosensitive compound and photosensitive composition including the same}
본 기술은 감광성 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물에 관한 것으로서, 비노광 부위의 소실을 방지면서도 노광부위의 용해 성능을 증가시킬 수 있어 반도체 포토리소그래피 공정에서의 패턴 수직성을 향상시킬 수 있는 감광성 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물에 관한 것이다.
일반적으로, 가시광선, 자외선, 전자빔, 이온빔 및 X-선을 이용한 석판인쇄 공정에 사용되는 조성물 중에 감광성 재료로서 술폰산 에스테르가 사용된다.
술폰산 에스테르는 염기성 수용액에 녹는 레진과 용매에 용해시켜 감광성 조성물을 제조한다. 조성물은 도포시킨 후 잔류 용매가 쉽게 제거될 수 있도록 50~150℃로 가열한다. 가열 후 형성된 필름을 노광기를 이용하여 노광한 후 현상액으로 현상하면 얻고자 하는 패턴을 얻을 수 있다. 이때 자외선에 노출된 술폰산 에스테르는 염기성 현상액에 더 잘 녹을 수 있는 카르복실 산으로 변형된다. 이와 같이 노광부위와 비노광 부위의 현상속도차를 이용하여 얻고자 하는 패턴을 얻을 수 있다.
최근 반도체 공정이 복잡해 지고 다양한 필름 두께를 요구함에 따라 술폰산 에스테르도 그에 따라 다양해지고 있다. 그러나 이전에 사용한 술폰산 에스테르의 경우 두께가 높으면 바닥부위에 현상액에 용해되지 않고 남아 있는 잔류물이 생성된다. 이를 제거하기 위해 현상액과 친화력이 좋은 술폰산 에스테르를 사용할 경우에는 비노광 부위가 많이 소실되는 단점이 있다. 또한 비노광 부위의 필름 소실을 막아주기 위해 현상속도를 저하 시키면 노광 에너지가 많이 필요로 하는 문제가 발생된다.
본 발명은 감도가 우수할 뿐만 아니라, 잔막률 특성이 우수한 감광성 화합물을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 감광성 화합물을 포함하고, 반도체 공정 중 포토리소그래피 공정 후 형성되는 패턴의 수직특성을 개선할 수 있는 감광성 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 감광성 화합물을 고효율로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 감광성 화합물은 한 분자 내에 적어도 하나의 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ), 및 탄소수 1 내지 8인 적어도 하나의 카르복시 또는 알콕시 그룹을 포함하는 나프토퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물로 이루어진다.
상기 술폰산 에스테르 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
Figure 112009053384141-PAT00001
상기 화학식 1에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에스테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 카르복시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 티오에테르 그룹 또는 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)이고, R은 하기 화학식 1A 내지 화학식 1L으로 표시되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물기이다.
[화학식 1A 내지 1L]
Figure 112009053384141-PAT00002
Figure 112009053384141-PAT00003
Figure 112009053384141-PAT00004
상기 화학식 1H 내지 화학식 1L에서, R1, R2 및 R3의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며, 화학식 1I에서, R4는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹이다.
본 발명의 일 측면에 따른 감광성 조성물은 노볼락 유도체, 폴리히드록시스티렌 유도체, 아크릴산 함유 폴리아크릴레이트 유도체, 아크릴산 유도체, 스티렌 유도체, 폴리아미드 유도체, 폴리이미드 유도체 및 폴리비닐피롤리돈 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수지 성분, 및 하기 화학식 1으로 표시되는 감광성 화합물을 포함한다. 하고, 전체 조성물 내에 존재하는 감광성 화합물 1 몰에 대하여 상기 감광성 화합물 1몰 내에 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)으로 치환된 치환기와, 카르복시 또는 알콕시 그룹으로 치환된 치환기는 각각 1.0 내지 4.8몰 및 0.2 내지 4.0몰 존재한다.
[화학식 1]
Figure 112009053384141-PAT00005
상기 화학식 1에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에스테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 카르복시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 티오에테르 그룹 또는 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)이고, R은 하기 화학식 1A 내지 화학식 1L로 표시되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물기이다.
[화학식 1A 내지 1L]
Figure 112009053384141-PAT00006
Figure 112009053384141-PAT00007
Figure 112009053384141-PAT00008
상기 화학식 1H 내지 화학식 1L에서, R1, R2 및 R3의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며, 화학식 1I에서, R4는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹이다.
상기 감광성 화합물은 전체 조성물 내에 1 내지 30 중량%의 함량을 가질 수 있다. 한편, 상기 감광성 화합물은 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)과 카르복시 그룹 또는 알콕시 그룹의 분자 내 치환율이 서로 다른 복수의 감광성 화합물을 포함한다.
본 발명의 일 측면에 따른 감광성 화합물의 제조 방법은 2개 이상의 페놀형 히드록시 그룹을 함유한 화합물 및 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드(-DNQ-Cl)를 포함하는 반응용액을 10℃ 이하로 냉각한 후, 제1 염기성 촉매 하에서 반응시켜 제1 반응물을 생성하는 단계, 상기 제1 반응물에 알킬 또는 아릴 무수물을 가하여 10℃ 이하로 냉각한 후, 제2 염기성 촉매 하에서 반응시켜 제2 반응물을 생성하는 단계 및 상기 제2 반응물을 상온에서 교반하고, 과량의 증류수와 혼합하여 생성된 침전물을 수득하는 단계를 포함하고, 상기 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드의 사용량은 상기 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드가 불완전 치환될 정도로 조절된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 화합물을 포함하는 감광성 조성물은 비노광 부위의 소실을 방지면서도 노광부위의 용해 성능을 증가시킬 수 있어 반도체 포토리소그래피 공정에서의 패턴 수직성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 조성물에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
일반적인 나프토퀴논디아지드 술폰산 에스테르(이하, DNQ-술폰산 에스테르) 페놀형 히드록시 그룹이 2개 이상인 화합물과 나프토퀴논디아지드술폰닐 클로라이드(DNQ-Cl)를 염기성 촉매 존재 하에서 반응시켜 얻을 수 있다. 예를 들어 설명하면 하기 반응식과 같다.
Figure 112009053384141-PAT00009
상기 반응식에서, 히드록시 그룹에 DNQ-Cl을 모두 치환할 경우 용해억제 효과는 매우 우수하다. 반면 레지스트 용매에 잘 녹지 않는 특성과 노광 및 현상 후 기판 바닥에 잔류물이 남는 단점이 있다. 이를 극복하기 위하여 DNQ-Cl 3몰 대신에 2.5몰 전후를 사용하여 3치환체, 2치환체 및 1치환체의 혼합물을 사용할 수 있다. DNQ-Cl의 치환몰수가 적을수록 용매에 대한 용해 성질이 우수하고 기판 바닥에 남는 잔류물은 줄어든다. 뿐만 아니라 노광 에너지도 3치환체 단독으로 사용한 것보다 적게 드는 장점이 있다. DNQ-Cl의 치환몰수가 적으면 노광 및 현상 후 잔류 필름 두께가 줄어드는 단점이 있다. 치환몰수가 적을수록 두께 감소는 더 심해진다. 따라서 치환양은 2.5몰에서 2.8몰을 사용하는 경우가 바람직하나, 술폰산에스테르를 잘 녹이는 용매를 사용할 경우에는 차환양이 2.8몰 이상인 경우도 있으나 기판 바닥에 남는 잔류물이 발생하는 단점이 있을 수 있다.
일 실시예에 따른 감광성 화합물은 한 분자 내에 적어도 하나의 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ), 및 탄소수 1 내지 8인 적어도 하나의 알킬카르보닐그룹 또는 아릴카르보닐 그룹을 포함하는 DNQ-술폰산 에스테르 화합물이다.
보다 구체적으로 상기 DNQ-술폰산 에스테르 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112009053384141-PAT00010
상기 화학식 1에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에스테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 카르복시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 티오에테르 그룹 또는 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)이고, R은 하기 화학식 1A 내지 화학식 1L로 표시되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물기이다.
[화학식 1A 내지 1L]
Figure 112009053384141-PAT00011
Figure 112009053384141-PAT00012
Figure 112009053384141-PAT00013
상기 화학식 1H 내지 화학식 1L에서, R1, R2 및 R3의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며, 화학식 1I에서, R4는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹이다.
상기 감광성 화합물은 현상 후 두께 감소를 최소화하면서 용해억제 효과를 극대화하기 위해 페놀형 히드록시 그룹을 DNQ 그룹과 카르복시 그룹 또는 알콕시 그룹을 이용하여 모두 치환함으로써 생성될 수 있다. 일반적으로 DNQ 그룹은 자외선을 받아 하기 반응식과 같이 변형되어 자외선에 대한 투과도를 향상시키지만 DNQ 그룹을 적게 사용한 것 보다는 투과도가 낮아 기판 위에 잔류물이 남게 된다.
Figure 112009053384141-PAT00014
본 발명에서는 투과도를 향상시키기 위해 DNQ의 치환양을 감소시킬 경우 용해 억제 효과가 떨어지는 단점이 발생함으로 이를 보완해 주기 위해 남아 있는 페놀형 히드록시 그룹을 카르복시 그룹 또는 알콕시 그룹으로 치환하였다. 그 반응식은 다음과 같다.
Figure 112009053384141-PAT00015
상기 반응식 3에서 R은 탄소수가 1~8인 알킬 또는 아릴 그룹이다. 상기 반응식은 3 개의 히드록시 그룹을 갖는 화합물에 대한 반응을 예시한 것이다.
상기 반응식에서 DNQ 그룹과 알킬 카르보닐 또는 아릴 카르보닐 그룹의 양은 임의적으로 조절이 가능하다. 그러나 DNQ 그룹이 1몰 이하로 치환되고 알킬 또는 아릴 카르보닐 그룹이 2몰 이상 치환되면 염기성 현상액에 대한 용해속도가 떨어져 두께가 높은 필름의 경우 하부까지 현상이 되지 않은 단점이 발생할 수 있다. DNQ 그룹이 2.8몰 이상 치환되고 알킬 또는 아릴 그룹이 0.2몰 이하로 치환되면 현상 후 기판 상에 잔여물이 남을 수 있는 단점이 발생할 수 있다. DNQ 그룹의 적절한 치환양은 1.0몰에서 2.8몰이 가장 적절하다. DNQ의 치환양은 조성물을 이용한 필름의 두께나 노광에너지 등을 고려하여 적절하게 조절해 사용할 수 있다.
상기 술폰산 에스테르의 합성은 2개 이상의 페놀형 히드록시 그룹을 가진 화합물에 DNQ 그룹을 도입할 때와 비슷한 방법으로 진행할 수 있다. 경우에 따라서는 1차 반응과 2차 반응을 분리하여 반응할 수도 있고 동시에 반응할 수도 있다. 일반적인 반응은 2개 이상의 페놀형 히드록시 그룹을 가진 화합물과 DNQ-Cl를 용매에 녹인 후 그 혼합물을 10℃이하로 냉각한 다음 염기성 촉매를 서서히 적하한다. 적하가 끝난 후 충분한 시간 동안 상온에서 교반한 후 알킬 또는 아릴 무수물을 적하한 후 염기성 촉매를 10℃에서 서서히 적하한다. 적하가 끝난 후 상온에서 충분한 시간 동안 교반한 다음 과량의 증류수에 반응 혼합물을 적하하여 침전물로 생성물을 얻는다. 이때 얻어진 생성물은 40℃이하에서 진공 건조하여 조성물 제조에 사용한다.
이 반응에서 사용하는 용매는 특별히 한정되는 것은 없으나 디옥산, 테트라 히드로퓨란, 디클로로메탄, 클로로포름 등과 같은 화합물을 잘 녹이는 용매이면서 반응에 참여하지 않는 용매면 가능하다. 반응시간은 화합물 구조에 따라 약간씩 차이는 있으나 상온에서 5시간 이상이면 90%이상 진행된다. 염기성 촉매는 일반적으로 사용되는 3차 아민류나 피리딘류 어느 것을 사용하여도 무방하지만 3차 아민류가 반응속도가 피리딘류보다 약간 빠른 장점이 있다. 그외 염기성 촉매도 DNQ-Cl와 직접적으로 반응하지 않으면 무방하다. 그러나 메탈화합물은 반응 후 메탈 성분을 완전히 제거해야 하는 번거로움이 있다. 얻어진 생성물은 치환양이 각기 다른 혼합물 형태로 사용된다. 반응 정도는 HPLC 또는 1H-NMR로 확인이 가능하다.
감광성 조성물 제조는 염기성 현상액에 녹는 레진과 DNQ-술폰산 에스테르 화합물 그리고 약간의 첨가제를 용매에 녹여 제조할 수 있다. 레진이 염기성 현상액에 녹는 속도가 빠를 경우에는 술폰산 에스테르의 사용량을 증가시키면 현상 후 비 노광부위의 필름 소실양을 줄일 수 있다. 그러나 술폰산 에스테르 화합물의 양을 많이 사용할 경우에는 필름 투과도가 감소하여 형성된 패턴의 수직성이 떨어지거나 기판 상에 잔여물이 남는 단점이 있다. 염기성 현상액에 레진의 녹는 속도는 조성물의 사용처에 따라 달라질 수 있다. 일반적으로 사용하는 레진은 노볼락 레진, 폴리히드록시스티렌, 아크릴 산이 포함된 폴리아크릴레이트 또는 스티렌과의 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리비닐피롤리돈 등과 같이 염기성 현상액에 녹는 레진이면 특별히 한정하지는 않는다. 사용하는 용매는 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 감마-부티로락톤, 2-헵탄논, 시클로헥산논, 메톡시 아세톡시프로판, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸 락테이트, 에틸 에톡시프로피온네이트, 메틸 메톡시프로피온네이트, 자일렌 등 특별히 한정되지는 않지만 휘발성이 너무 강하면 코팅 평탄도가 떨어지고 휘발성이 너무 약하면 필름 중에 잔여용매가 많다는 단점이 있다. 이는 필름의 두께와 사용처에 따라 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
조성물에 사용된 총 고체 함량은 요구하는 필름의 두께에 의존한다. 술폰산 에스테르의 사용양은 레진을 기준으로 하여 5%에서 50%까지 사용할 수 있다. 그 양은 레진이 염기성 현상액에 대한 용해속도에 따라 달라질 수 있다. 현상액에 대한 용해속도가 좋을 경우 술폰산 에스테르의 함량을 증가시켜야 비 노광부위의 필름 소실을 막을 수 있다. 그 외 조성물에 사용되는 성분으로는 자외선 민감제(Sensitizer), 크랙 방지용 가소제, 평탄도를 향상시키기 위한 계면활성제 및 감도 조절을 위한 약간의 첨가제 등이 사용된다. 현상속도를 향상시키기 위한 첨가제로는 카르복실 산이 포함된 피리딘류 또는 페놀형 하드록시 그룹이 있는 저분자 화합물을 사용한다.
제조된 조성물은 기판에 관계없이 회전 도표, 스프레이 도포, 스릿트 도포 등에 의해 일정한 두께로 기판 상에 필름을 형성할 수 있다. 형성된 필름은 잔여 용매를 제거하기 위해 60℃~160℃까지 30초~300초 동안 가열한다. 용매가 제거된 필름은 마스크를 통과한 자외선에 노출시켜 얻고자 하는 패턴을 얻을 수 있다. 자외선에 노출된 필름은 경우에 따라 패턴모양을 최적화하기 위해 다시 가열 공정을 실시할 수도 있다. 이렇게 처리된 필름을 염기성 현상액으로 현상하고 탈 이온수를 이용하여 세척하면 깨끗한 패턴이 얻어진다. 염기성 현상액은 테트라메틸암모늄 히드록시드 사용액을 주로 사용하지만 수산화나트륨 수용액, 수산화칼륨 수용액, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 아민류, 피리딘류 등 패턴의 크기와 작업 환경에 따라 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물은 노광 에너지양을 최소화 함으로 인해 노광시간을 단축할 수 있을 뿐만 아니라 비 노광부위의 필름 소실도 최소화 할 수 있다. 이하 실시예들에서 더욱 상세하게 기술할 것이다. 그러나 본 발명의 기술사상은 하기 실시예들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
합성예 1
[노볼락 수지 합성예/레진 A]
둥근 플라스크에 m-크레졸 70g, p-크레졸 60g, 2,5-자이레놀 15g을 넣고 반응촉매로 옥살릭 산 5g 및 염산수용액(35%) 0.3g을 넣고 상온에서 10분간 교반하였다. 반응물이 고루 혼합된 후 아세트알데히드 15g과 포름말린 수용액(37%) 60g을 서서히 적가한 후 90℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응이 일부 진행된 후 내부 온도를 180℃까지 승온시켜 혼합되어 있는 물을 제거한다. 물이 더 이상 제거되지 않으면 195℃까지 승온시켜 미 반응 단량체를 제거해 준다. 이 때 진공도를 최대한 올려 노볼락 수지에 포함되어 있는 저분자 및 단량체를 최대한 제거해 준다. 이리하여 얻어진 130g의 노볼락 수지는 폴리스티티렌 환산분자량이 3,800이고 분산도가 2.8이었다.
합성예 2
[폴리비닐페놀 유도체 합성/레진 B]
둥근 플라스크에 분자량이 8,000이고 분산도가 1.1인 폴리비닐페놀 50 g을 아세톤 250g에 녹인다. 여기에 아세틱 언하이드라이드 10g을 넣고 트리에틸아민 12g을 상온에서 서서히 적가한다. 이 용액을 같은 온도에서 5시간 동안 교반한 후 염산 1%가 포함된 과량의 탈이온수에 서서히 적가하면 침전물이 형성된다. 형성된 침전물을 진공건조하여 폴리비닐페놀의 히드록시 그룹이 일부 아세트 그룹으로 친환된 레진52g을 얻었다. 이 레진의 폴리스티렌 환산분자량은 8,900이었고 분산도는 1.1이었다.
합성예 3
[폴리아크릴레이트 합성/레진 C]
둥근 플라스크에 스티렌 5g, 2-히드록시에틸 메타아크릴레이트 3g, 이소보닐 메타아크릴레이트 10g, 메타아크릴릭 산 2g을 이소프로판올 30g에 녹인 후 라디칼 개시제인 AIBN 3g을 넣고 플라스크 내부 온도가 80℃가 되게 가열해 준다. 같은 온도에서 5시간 동안 교반한 후 상온까지 냉각한 후 과량의 헥산에 서서히 적가면 흰색 침전이 생성된다. 이 침전을 여과한 후 진공 건조하여 폴리스티렌 환산분자량이 16,000이고 분산도가 2.2.인 폴리아크릴레이트 레진18g을 합성하였다.
합성예 4
[4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드 합성]
교반기와 온도계가 장착된 0.5L 플라스크에 60g (0.2324mol) 4,4'-옥시비스 벤족산을 240g N-메틸피롤리돈(NMP)에 첨가하고 교반하여 녹인후 플라스크를 0℃로 냉각시키고, 티오닐 클로라이드 110g (0.9246mol)을 적가하고 1시간 동안 반응시켜 4,4'-옥시비스 벤조익 클로라이드 용액을 수득하였다.
합성예 5
[폴리아미드 합성/레진 D]
400g N-메틸피롤리돈(NMP)을 교반기 및 온도계가 장착된 1L 플라스크에 놓고 2,2-비스 (3-아미노-4-하이드록시페닐) 헥사플루오로프로판 85g (0.2321mol)을 첨가하여 교반하면서 용해시켰다. 그 후 피리딘 39g (0.4930mol)을 첨가하고 5-노보넨-2,3-디카르복실릭 언하이드라이드 8g (0.0487mol)과 상기 4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드를 서서히 적가한 후 상온에서 1시간 동안 교반하였다. 그 결과 생성된 용액을 물 3리터에 첨가하여 생성된 침전물을 여과, 세척 그리고 진공건조하여 폴리아미드 110g을 얻었다. 이때 얻어진 폴리아미드는 폴리스티렌 환산평균분자량이 18,500이고 분산도는 1.9이었다.
합성예 6
[디메틸-3,3',4,4'-디페닐에테르-테트라카르복실레이트 디클로라이드 합성]
60g (0.1934mol) 3,3',4,4'-디페닐에테르-테트라카르복시산 이무수물, 12.5g (0.3901mol) 메틸 알코올, 2g (0.0198mol) 트리에틸아민, 및 120g N-메틸피롤리돈(NMP)을 교반기 및 온도계가 장착된 1L 플라스크에 첨가되어 실온에서 4시간 교반하고 반응시켜서 디-n-메틸-3,3',4,4'-디페닐에테르-테트라카르복실레이트 용액을 만든 후 플라스크를 0℃로 냉각시키고, 70g (0.5884mol) 티오닐 클로라이드를 적가하고 2시간 동안 반응시켜서 디메틸-3,3',4,4'-디페닐에테르-테트라카르복실레이트 디클로라이드 용액을 수득하였다.
합성예 7
[폴리아미데이트 합성/레진 E]
260g N-메틸피롤리돈(NMP)을 교반기 및 온도계가 장착된 1L 플라스크에 놓고 65g (0.1775mol) 2,2-비스 (3-아미노-4-하이드록시페닐) 헥사플루오로프로판을 첨가하여 교반하면서 용해시켰다. 35g (0.4425mol) 피리딘을 첨가한 후 상기 합성된 디메틸-3,3',4,4'-디페닐에테르-테트라카르복실레이트 디클로라이드 용액을 30분에 걸쳐 천천히 적가하고 이어서 상온에서 1시간 동안 교반하였다. 그 결과 생성된 용액에 물 3L를 첨가하여 형성된 침전물을 여과, 세척 그리고 진공건조하여 폴리아미데이트 128g을 얻었다. 이때 얻어진 폴리아미데이트는 폴리스티렌 환산평균분자량이 19,200이고 분산도가 1.7이었다.
비교 합성예 1
[술폰산 에스테르 합성/PAC A]
둥근 플라스크에 트리스(4-히드록시페닐)에탄 50g과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰닐 클로라이드 132g을 디옥산 900g에 녹인 후 얼음물로 냉각한다. 이 용액에 트리에틸아민 48g을 같은 온도에서 서서히 적가한 후 상온에서 8시간 동안 교반하였다. 이 용액을 과량의 탈이온수에 적가하면 침전물이 형성된다. 형성된 침전물을 여과. 세척하여 40℃에서 48시간 동안 진공 건조하여 118g의 술폰산 에스테르를 얻었다.
비교 합성예 2
[술폰산 에스테르 합성/PAC B]
둥근 플라스크에 트리스(4-히드록시페닐)에탄 50g과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰닐 클로라이드 109g을 디옥산 800g에 녹인 후 얼음물로 냉각한다. 이 용액에 트리에틸아민 46g을 같은 온도에서 서서히 적가한 후 상온에서 8시간 동안 교반한다. 이 용액을 과량의 탈이온수에 적가하면 침전물이 형성된다. 형성된 침전물을 여과. 세척하여 40℃에서 48시간 동안 진공 건조하여 110g의 술폰산 에스테르를 얻었다.
합성예 8
[술폰산 에스테르 합성/PAC C]
둥근 플라스크에 트리스(4-히드록시페닐)에탄 50g, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰닐 클로라이드 87g과 아세틱 언하이드라이드 17g을 디옥산 800g에 녹인 후 얼음물로 냉각한다. 이 용액에 트리에틸아민 59g을 같은 온도에서 서서히 적가한 후 상온에서 8시간 동안 교반하였다. 이 용액을 과량의 탈이온수에 적가하면 침전물이 형성된다. 형성된 침전물을 여과. 세척하여 40℃에서 48시간 동안 진공 건조하여 95g의 술폰산 에스테르를 얻었다.
합성예 9
[술폰산 에스테르 합성/PAC D]
둥근 플라스크에 트리스(4-히드록시페닐)에탄 50g, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드 65g과 아세틱 언하이드라이드 25g을 디옥산 800g에 녹인 후 얼음물로 냉각한다. 이 용액에 트리에틸아민 59g을 같은 온도에서 서서히 적가한 후 상온에서 8시간 동안 교반하였다. 이 용액을 과량의 탈이온수에 적가하면 침전물이 형성된다. 형성된 침전물을 여과. 세척하여 40℃에서 48시간 동안 진공 건조하여 88g의 술폰산 에스테르를 얻었다.
합성예 10
[술폰산 에스테르 합성/PAC E]
합성예 1에 있어서, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰닐 클로라이드 87g 대신에 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰닐 클로라이드 87g을 사용하여 솔폰산 에스테르 91g을 얻었다.
합성예 11
[술폰산 에스테르 합성/PAC F]
합성예 2에 있어서, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰닐 클로라이드 65g 대신에 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰닐 클로라이드 65g을 사용하여 솔폰산 에스테르 86g을 얻었다.
합성예 12
[술폰산 에스테르 합성/PAC G]
합성예 2에 있어서, 아세틱 언하이드라이드 25g 대신에 부티릭 언하이드라이드 38g을 사용하여 술폰산에스테르 90g을 얻었다.
합성예 13 내지 16
다음 발라스트(ballast) 구조식을 이용하여 합성예 9번과 같은 당량비와 합성방법으로 PAC H(합성예 13), PAC I(합성예 14), PAC J(합성예 15) 그리고 PAC K(합성예 16)를 얻었다.
[화학식 2A 내지 2D]
Figure 112009053384141-PAT00016
Figure 112009053384141-PAT00017
상기 PAC H는 발라스트 1에서 합성한 화합물이고, 상기 PAC I는 발라스트 2에서 합성한 화합물이고, 상기 PAC J는 발라스트 3에서 합성한 화합물이며, 상기 PAC K는 발라스트 4에서 합성한 화합물이다.
실시예 1 내지 13, 및 비교예 1 및 2
알카리 가용성 수지 100g에 대해 술폰산 에스테르 화합물 25g과 필름 균일도 향상을 위해 불소계 계면활성제 300ppm을 용매 230g에 녹여 0.5um 세공크기의 필터 를 이용하여 여과하여 포토레지스트 조성물을 얻었다. 아래 도표에서 조성물의 조성비와 그 결과를 볼 수 있다. 조성물을 회전도표한 후 120℃에서 120초간 가열 건조하여 7um 두께를 얻었다. 이를 i-line 스텝퍼를 이용하여 노광한 후 2.38wt%의 테트라메틸 암모니움 히드록시드로 현상하여 패턴을 얻었다. 잔막율은 현상된 후 비 노광부위의 두께를 회전도표한 후 가열 건조한 두께로 나눈 값이다.
조성물 잔막율
(%)		 감도
(mJ/cm2)		 해상력
(um)		 패턴
수직성
레진 술폰산 에스테르 용매
실시예 1 A PAC D PGMEA 89 250 2 중간
실시예 2 B PAC D PGMEA 90 270 1 좋음
실시예 3 C PAC D PGMEA 85 220 1 중간
실시예 4 D PAC D GBL 90 280 2 좋음
실시예 5 E PAC D GBL 90 300 2 좋음
비교예 1 D PAC A GBL 90 520 3 나쁨
비교예 2 D PAC B GBL 80 400 2 나쁨
실시예 6 D PAC C GBL 91 300 2 좋음
실시예 7 D PAC E GBL 88 270 2 좋음
실시예 8 D PAC F GBL 88 250 2 좋음
실시예 9 D PAC G GBL 95 330 2 좋음
실시예 10 D PAC H GBL 91 300 2 좋음
실시예 11 D PAC I GBL 90 260 2 좋음
실시예 12 D PAC J GBL 90 270 2 좋음
실시예 13 D PAC K GBL 90 270 2 좋음
- PGMEA: 프포필렌글리콜 모토메틸 에테르 아세테이트, GBL: 감마-부티로락톤
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

Claims (8)

  1. 한 분자 내에 적어도 하나의 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹, 및 탄소수 1 내지 8인 적어도 하나의 카르복시 그룹 또는 탄소수 1 내지 8인 알콕시 그룹을 포함하는 나프토퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물로 이루어진 감광성 화합물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 술폰산 에스테르 화합물은 하기 화학식(1)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 감광성 화합물:
    Figure 112009053384141-PAT00018
    상기 화학식(1)에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에스테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 카르복시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 티오에테르 그룹 또는 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)이고, R은 하기 화학식(1A) 내지 화학식(1L)으로 표시되는 그룹으로부터 선택 된 적어도 하나의 화합물기이고,
    Figure 112009053384141-PAT00019
    Figure 112009053384141-PAT00020
    Figure 112009053384141-PAT00021
    상기 화학식(1H) 내지 (1L)에서, R1, R2 및 R3의 정의는 상기 화학식(1)에서의 정의와 동일하며, 화학식 (1I)에서, R4는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹이다.
  3. 노볼락 유도체, 폴리히드록시스티렌 유도체, 아크릴산 함유 폴리아크릴레이트 유도체, (메타)아크릴산 유도체, 스티렌 유도체, 폴리아미드 유도체, 폴리이미드 유도체 및 폴리비닐피롤리돈 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수지 성분; 및
    하기 화학식(1)으로 표시되는 감광성 화합물을 포함하고,
    전체 조성물 내에 존재하는 감광성 화합물 1몰에 대하여 상기 감광성 화합물 1몰 내에 나프토퀴논디아지드 술폭시 그룹(-ODNQ)으로 치환된 치환기와, 카르복시 그룹 또는 알콕시 그룹으로 치환된 치환기는 각각 1.0 내지 4.8몰 및 0.2 내지 4.0몰 존재하는 감광성 조성물:
    Figure 112009053384141-PAT00022
    상기 화학식(1)에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 에스테르 그룹, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 카르복시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 티오에테르 그룹 또는 나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)이고, R은 하기 화학식(1A) 내지 화학식(1L)으로 표시되는 그룹으로부터 선택 된 적어도 하나의 화합물기이고,
    Figure 112009053384141-PAT00023
    Figure 112009053384141-PAT00024
    Figure 112009053384141-PAT00025
    상기 화학식(1H) 내지 (1L)에서, R1, R2 및 R3의 정의는 상기 화학식(1)에서의 정의와 동일하며, 화학식 (1I)에서, R4는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 감광성 화합물은 전체 조성물 내에 1 내지 30 중량%의 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    나프토퀴논디아지드 설폭시 그룹(-ODNQ)과 카르복시 그룹 또는 알콕시 그룹의 분자 내 치환율이 서로 다른 복수의 감광성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  6. 2개 이상의 페놀형 히드록시 그룹을 함유한 화합물 및 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드(-DNQ-Cl)를 포함하는 반응용액을 10℃ 이하로 냉각한 후, 염기성 촉매 하에서 알킬, 아릴, 또는 알콕시 무수물을 가하여 반응물을 생성하는 단계; 및
    상기 반응물을 상온에서 교반하고, 과량의 증류수와 혼합하여 생성된 침전물을 수득하는 단계를 포함하고,
    상기 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드의 사용량은 상기 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드가 불완전 치환될 정도로 조절되는 것을 특징으로 하는 감광 성 화합물의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 염기성 촉매 및 염기성 촉매는 각각 3차 아민류 또는 피리딘류 촉매인 것을 특징으로 하는 감광성 화합물의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 반응물 생성 단계는,
    상기 2개 이상의 페놀형 히드록시 그룹을 함유한 화합물 및 나프토퀴논디아지드술포닐 클로라이드(-DNQ-Cl)를 포함하는 반응용액을 10℃ 이하로 냉각한 후, 제 1 염기성 촉매 하에서 반응시켜 제1 반응물을 생성하는 단계; 및
    상기 제1 반응물에 알킬, 아릴, 또는 알콕시 무수물을 가하여 10℃ 이하로 냉각한 후, 제 2 염기성 촉매 하에서 반응시켜 제2 반응물을 생성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 감광성 화합물의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104144998A (zh) * 2011-12-28 2014-11-12 Posco公司 Mccl用绝缘粘合剂组合物、利用此的涂装金属板及其制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL247588A (ko) * 1959-01-21
JPS5421089B2 (ko) * 1973-05-29 1979-07-27
DE2545697A1 (de) * 1975-10-11 1977-04-21 Basf Ag Lichtempfindliches material fuer positiv arbeitende photolacke und fuer die herstellung von druckplatten
DE2828037A1 (de) * 1978-06-26 1980-01-10 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch
GB8505402D0 (en) * 1985-03-02 1985-04-03 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
JP2568827B2 (ja) * 1986-10-29 1997-01-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5128230A (en) * 1986-12-23 1992-07-07 Shipley Company Inc. Quinone diazide containing photoresist composition utilizing mixed solvent of ethyl lactate, anisole and amyl acetate
EP0718693B1 (en) * 1986-12-23 2003-07-02 Shipley Company Inc. Photoresist compositions and components
KR0184870B1 (ko) * 1990-02-20 1999-04-01 아사구라 다기오 감방사선성 수지 조성물
US5413896A (en) * 1991-01-24 1995-05-09 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. I-ray sensitive positive resist composition
JPH06202320A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
TW260760B (en) * 1994-06-28 1995-10-21 Nat Science Committee Positive type photoresist composition
JP3365874B2 (ja) * 1994-10-05 2003-01-14 富士写真フイルム株式会社 キノンジアジドの合成法およびこれを含むポジ型レジスト
JPH09319083A (ja) * 1996-03-25 1997-12-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JP3365318B2 (ja) * 1998-08-12 2003-01-08 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2008298852A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Nippon Paint Co Ltd 感光性樹脂組成物、および除去可能な撥液性層形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104144998A (zh) * 2011-12-28 2014-11-12 Posco公司 Mccl用绝缘粘合剂组合物、利用此的涂装金属板及其制造方法

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