JP2011053639A - 感光性化合物およびこれを含む感光性組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様によれば、1分子内に少なくとも1つのナフトキノンジアジドスルホキシ基(−ODNQ)、および炭素数1〜8である少なくとも1つのカルボキシル基またはアルコキシ基を含むナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物からなる感光性化合物およびこの製造方法を提供する。
【選択図】なし
Description
[ノボラック樹脂合成例/レジンA]
丸いフラスコにm−クレゾール70g、p−クレゾール60g、および2,5−キシレノール15gを入れ、反応触媒としてシュウ酸5gおよび塩酸水溶液(35%)0.3gを入れ、常温で10分間撹拌した。反応物が均等に混合された後、アセトアルデヒド15gとホルマリン水溶液(37%)60gを徐々に滴下した後、90℃で8時間撹拌した。反応が一部進んだ後、内部温度を180℃に昇温させ、混合されている水を除去する。水がこれ以上除去されなくなったら、195℃に昇温させ、未反応モノマーを除去する。このとき、真空度を最大限上げ、ノボラック樹脂に含まれている低分子およびモノマーを最大限に除去する。このようにして得られた130gのノボラック樹脂は、ポリスチレン換算分子量が3,800であり、分散度が2.8であった。
[ポリビニルフェノール誘導体合成/レジンB]
丸いフラスコ中で、分子量が8,000であり、分散度が1.1であるポリビニルフェノール50gをアセトン250gに溶かす。ここに無水酢酸10gを入れ、トリエチルアミン12gを常温で徐々に滴下する。この溶液を同じ温度で5時間撹拌した後、塩酸1%が含まれた過量の脱イオン水に徐々に滴下すれば沈殿物が形成される。形成された沈殿物を真空乾燥し、ポリビニルフェノールのヒドロキシ基の一部が酢酸基に置換されたレジン52gを得た。このレジンのポリスチレン換算分子量は8,900であり、分散度は1.1であった。
[ポリアクリレート合成/レジンC]
丸いフラスコ中で、スチレン5g、2−ヒドロキシエチルメタクリレート3g、イソボルニルメタクリレート10g、およびメタクリル酸2gをイソプロパノール30gに溶かした後、ラジカル開始剤であるAIBNを3g入れ、フラスコ内部温度が80℃になるまで加熱する。同じ温度で5時間撹拌した後、常温まで冷却した後、過量のヘキサンに徐々に滴下すれば白色沈澱が生成される。この沈澱をろ過した後に真空乾燥し、ポリスチレン換算分子量が16,000であり、分散度が2.2であるポリアクリレートレジン18gを合成した。
[4,4’−オキシビス安息香酸クロライド合成]
撹拌機および温度計が装着された0.5L容のフラスコ中で、60g(0.2324mol)の4,4’−オキシビス安息香酸を240gのN−メチルピロリドン(NMP)に添加して撹拌して溶かした後、フラスコを0℃に冷却し、塩化チオニル110g(0.9246mol)を滴下して1時間反応させ、4,4’−オキシビス安息香酸クロライド溶液を取得した。
[ポリアミド合成/レジンD]
400gのN−メチルピロリドン(NMP)を撹拌機および温度計が装着された1L容のフラスコに入れ、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン85g(0.2321mol)を添加し、撹拌しながら溶解させた。その後、ピリジン39g(0.4930mol)を添加し、5−ノボネン−2,3−ジカルボン酸無水物8g(0.0487mol)と4,4’−オキシビス安息香酸クロライドを徐々に滴下した後、常温で1時間撹拌した。その結果生成された溶液を3リットルの水に添加し、生成された沈殿物をろ過、洗浄、真空乾燥してポリアミド110gを得た。このとき得られたポリアミドは、ポリスチレン換算平均分子量が18,500であり、分散度は1.9であった。
[ジメチル−3,3’,4,4’−ジフェニルエーテル−テトラカルボン酸二塩化物合成]
60g(0.1934mol)の3,3’,4,4’−ジフェニルエーテル−テトラカルボン酸二無水物、12.5g(0。3901mol)のメチルアルコール、2g(0.0198mol)のトリエチルアミン、および120gのN−メチルピロリドン(NMP)を、撹拌機および温度計が装着された1L容のフラスコに添加して室温で4時間撹拌して反応させ、ジ−n−メチル−3,3’,4,4’−ジフェニルエーテル−テトラカルボン酸溶液を生成した。その後、フラスコを0℃で冷却し、70g(0.5884mol)の塩化チオニルを滴下して2時間反応させ、ジメチル−3,3’,4,4’−ジフェニルエーテル−テトラカルボン酸二塩化物溶液を取得した。
[ポリアミド酸合成/レジンE]
260gのN−メチルピロリドン(NMP)を撹拌機および温度計が装着された1L容のフラスコに入れ、65g(0.1775mol)の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを添加し、撹拌しながら溶解させた。35g(0.4425mol)のピリジンを添加した後、合成されたジメチル−3,3’,4,4’−ジフェニルエーテル−テトラカルボン酸二塩化物溶液を30分に渡ってゆっくり滴下した後、常温で1時間撹拌した。その結果、生成された溶液に3リットルの水を添加し、形成された沈殿物をろ過、洗浄、真空乾燥してポリアミド酸128gを得た。このとき得られたポリアミド酸は、ポリスチレン換算平均分子量が19,200であり、分散度が1.7であった。
[スルホン酸エステル合成/PAC A]
丸いフラスコ中で、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン50gと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド132gをジオキサン900gに溶かした後、氷水で冷却する。この溶液にトリエチルアミン48gを同じ温度で徐々に滴下した後、常温で8時間撹拌した。この溶液を過量の脱イオン水に滴下すれば、沈殿物が形成される。形成された沈殿物をろ過、洗浄して40℃で48時間真空乾燥し、118gのスルホン酸エステルを得た。
[スルホン酸エステル合成/PAC B]
丸いフラスコ中で、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン50gと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド109gをジオキサン800gに溶かした後、氷水で冷却する。この溶液にトリエチルアミン46gを同じ温度で徐々に滴下した後、常温で8時間撹拌する。この溶液を過量の脱イオン水に滴下すれば沈殿物が形成される。形成された沈殿物をろ過、洗浄して40℃で48時間真空乾燥し、110gのスルホン酸エステルを得た。
[スルホン酸エステル合成/PAC C]
丸いフラスコ中で、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン50g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド87g、及び無水酢酸17gをジオキサン800gに溶かした後、氷水で冷却する。この溶液にトリエチルアミン59gを同じ温度で徐々に滴下した後、常温で8時間撹拌した。この溶液を過量の脱イオン水に滴下すれば沈殿物が形成される。形成された沈殿物をろ過、洗浄して40℃で48時間真空乾燥し、95gのスルホン酸エステルを得た。
[スルホン酸エステル合成/PAC D]
丸いフラスコ中で、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン50g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド65g、および無水酢酸25gをジオキサン800gに溶かした後、氷水で冷却する。この溶液にトリエチルアミン59gを同じ温度で徐々に滴下した後、常温で8時間撹拌した。この溶液を過量の脱イオン水に滴下すれば沈殿物が形成される。形成された沈殿物をろ過、洗浄して40℃で48時間真空乾燥し、88gのスルホン酸エステルを得た。
[スルホン酸エステル合成/PAC E]
合成例8において、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド87gの代わりに1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライド87gを用いてスルホン酸エステル91gを得た。
[スルホン酸エステル合成/PAC F]
合成例9において、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド65gの代わりに1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライド65gを用いてスルホン酸エステル86gを得た。
[スルホン酸エステル合成/PAC G]
合成例9において、無水酢酸25gの代わりに無水酪酸38gを用いてスルホン酸エステル90gを得た。
合成例9において、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライドの代わりに、下記のようなバラスト(ballast)構造式1〜4をそれぞれ用い、合成例9のような当量比と合成方法によってPAC H(合成例13)、PAC I(合成例14)、PAC J(合成例15)、またはPAC K(合成例16)を得た。
アルカリ可溶性樹脂100gに対して、スルホン酸エステル化合物25gとフィルム均一度向上のためにフッ素系界面活性剤300ppmを溶媒230gに溶かし、0.5μm細孔サイズのフィルタを用いてろ過してフォトレジスト組成物を得た。下記の表において、組成物の組成比とその結果を見ることができる。組成物を回転塗布した後、120℃で120秒間加熱乾燥し、7μmの厚さを得た。これをi−lineステッパーを用いて露光した後、2.38wt%のテトラメチルアムモニウムヒドロキシドで現像してパターンを得た。残膜率は、現像後に非露光部位の厚さを回転塗布した後に加熱乾燥した厚さで分った値である。
Claims (8)
- 1分子内に少なくとも1つのナフトキノンジアジドスルホキシ基、および炭素数1〜8である少なくとも1つのカルボキシル基または炭素数1〜8であるアルコキシ基を含むナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物からなる感光性化合物。
- 前記スルホン酸エステル化合物が、下記の化学式(1)で示されることを特徴とする請求項1に記載の感光性化合物。
- ノボラック誘導体、ポリヒドロキシスチレン誘導体、アクリル酸含有ポリアクリレート誘導体、(メタ)アクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ポリアミド誘導体、ポリイミド誘導体、およびポリビニルピロリドン誘導体からなる群から選択される少なくとも1つの樹脂成分と、
下記の化学式(1)で示される感光性化合物と、
を含み、
全組成物内に存在する感光性化合物1モルに対して、前記感光性化合物1モル内にナフトキノンジアジドスルホキシ基(−ODNQ)に置換された置換基と、カルボキシル基またはアルコキシ基に置換された置換基が、それぞれ、1.0〜4.8モルおよび0.2〜4.0モル存在する、感光性組成物。
- 前記感光性化合物が、全組成物内に1〜30重量%の含量であることを特徴とする請求項3に記載の感光性組成物。
- ナフトキノンジアジドスルホキシ基(−ODNQ)およびカルボキシル基またはアルコキシ基の分子内の置換率が互いに異なる複数の感光性化合物を含むことを特徴とする請求項3に記載の感光性組成物。
- 2つ以上のフェノール型ヒドロキシ基を含んだ化合物およびナフトキノンジアジドスルホニルクロライド(−DNQ−Cl)を含む反応溶液を10℃以下に冷却した後、塩基性触媒下でアルキル、アリール、またはアルコキシ無水物を加えて反応物を生成するステップと、
前記反応物を常温で撹拌し、過量の蒸溜水と混合して生成された沈殿物を取得するステップと、
を含み、
前記ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドの使用量は、前記ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドが不完全に置換される程度に調節されることを特徴とする感光性化合物の製造方法。 - 前記塩基性触媒および塩基性触媒が、それぞれ3次アミン類またはピリジン類触媒であることを特徴とする請求項6に記載の感光性化合物の製造方法。
- 前記反応物生成ステップが、
前記2つ以上のフェノール型ヒドロキシ基を含んだ化合物およびナフトキノンジアジドスルホニルクロライド(−DNQ−Cl)を含む反応溶液を10℃以下に冷却した後、第1塩基性触媒下で反応させて第1反応物を生成するステップと、
前記第1反応物にアルキル、アリール、またはアルコキシ無水物を加えて10℃以下に冷却した後、第2塩基性触媒下で反応させて第2反応物を生成するステップと、
からなることを特徴とする請求項6に記載の感光性化合物の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0081180 | 2009-08-31 | ||
KR1020090081180A KR101146622B1 (ko) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 감광성 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011053639A true JP2011053639A (ja) | 2011-03-17 |
JP5390423B2 JP5390423B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=42263927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010012846A Expired - Fee Related JP5390423B2 (ja) | 2009-08-31 | 2010-01-25 | 感光性化合物およびこれを含む感光性組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8318402B2 (ja) |
EP (1) | EP2289874A1 (ja) |
JP (1) | JP5390423B2 (ja) |
KR (1) | KR101146622B1 (ja) |
CN (1) | CN102001976A (ja) |
TW (1) | TWI422562B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
2009
- 2009-08-31 KR KR1020090081180A patent/KR101146622B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-30 US US12/649,863 patent/US8318402B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-12 EP EP10000224A patent/EP2289874A1/en not_active Withdrawn
- 2010-01-25 JP JP2010012846A patent/JP5390423B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 CN CN201010124426XA patent/CN102001976A/zh active Pending
- 2010-03-18 TW TW099108029A patent/TWI422562B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110053084A1 (en) | 2011-03-03 |
TW201107281A (en) | 2011-03-01 |
TWI422562B (zh) | 2014-01-11 |
JP5390423B2 (ja) | 2014-01-15 |
CN102001976A (zh) | 2011-04-06 |
KR20110023353A (ko) | 2011-03-08 |
EP2289874A1 (en) | 2011-03-02 |
KR101146622B1 (ko) | 2012-05-16 |
US8318402B2 (en) | 2012-11-27 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130701 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |