KR20110018755A - 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 - Google Patents
터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110018755A KR20110018755A KR1020090076377A KR20090076377A KR20110018755A KR 20110018755 A KR20110018755 A KR 20110018755A KR 1020090076377 A KR1020090076377 A KR 1020090076377A KR 20090076377 A KR20090076377 A KR 20090076377A KR 20110018755 A KR20110018755 A KR 20110018755A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- sensor
- layer
- pixel
- pixel portion
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 18
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 140
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- -1 polyvinylvinylene Polymers 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 광 신호를 감지하고 처리하는 센서부와, 상기 센서부의 신호 처리에 따라 화상 구현에 영향을 받는 화소부를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 구비되고, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하는 복수 개의 화소부; 및 상기 기판 상에 구비되고, 센서 1 전극, 센서 2 전극, 및 상기 센서 1 전극과 센서 2 전극 사이에 구비되며, 상기 화소부의 유기 발광층과 동일층에 형성된 유기물 수광층을 구비한 복수 개의 센서부;를 포함하는 터치 스크린 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기물을 포함하는 광센서를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
광 신호를 전기 신호로 변환하는 광센서(photosensor)는, 최근 광 산업과 반도체 산업의 발전으로 인하여 매우 다양한 기능을 제공할 수 있도록 개발되고 있다. 특히, 표시부를 구비하는 휴대 전화, 디지털 카메라, PDA(personal digital assistants) 등과 같은 모바일 기기, 및 LCD(liquid crystal display)와 OLED(organic light emitting device)와 같은 화상 디스플레이 장치에 내장된 광센서는, 디스플레이 장치에 터치 패널 기능을 부가하는 유력한 수단으로 이용되고 있다.
이와 같은 디스플레이 장치에 내장된 광센서는, 외장형 터치 패널 방식에 비하여 디스플레이 장치의 두께 증가, 공정의 복잡화, 및 개구율의 감소 등과 같은 문제를 해결할 수는 있는 장점이 있다. 그러나, 내장형 광센서의 일반적 구조인, 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 결정질 실리콘(crystalline silicon)에 기반한 P-I-N 접합형 다이오드의 경우, 선택 파장 대비 감도를 높일 수가 없고, 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘이 가진 고유 흡수 파장대 만을 이용하여야 하는 한계가 존재한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점 및 그 밖의 문제점을 해결하기 위하여, 다양한 파장대의 광을 선택적으로 검출할 수 있고, 감도가 우수하며, 제조 공정을 단순화시킬 수 있는 광센서를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 광 신호를 감지하고 처리하는 센서부와, 상기 센서부의 신호 처리에 따라 화상 구현에 영향을 받는 화소부를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 구비되고, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하는 복수 개의 화소부; 및 상기 기판 상에 구비되고, 센서 1 전극, 센서 2 전극, 및 상기 센서 1 전극과 센서 2 전극 사이에 구비되며, 상기 화소부의 유기 발광층과 동일층에 형성된 유기물 수광층을 구비한 복수 개의 센서부;를 포함하는 터치 스크린 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 센서 1 전극은 상기 화소부의 제 1 전극과 동일 물질로 형성되고, 상기 화소부의 제 1 전극과 동일층에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 센서 2 전극은 상기 화소부의 제 2 전극과 동일 물질로 형성되고, 상기 화소부의 제 2 전극과 동일층에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 센서부는 상기 복수 개의 화소부 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기물 수광층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기물 수광층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물을 포함하는 층, 및 C60을 포함하는 층을 각각 포함하는 두 개의 층(bi-layer)으로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기물 수광층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물, 및 C60이 혼합된 혼합층(mixing layer)으로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소부는 상기 제 1 전극과 제 2 전 극 사이에, 정공 주입층, 정공 전달층, 전자 전달층, 및 전자 주입층 가운데 선택된 적어도 하나 이상의 층으로 이루어진 중간층을 더 구비할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 센서부은 상기 센서 1 전극과 센서 2 전극 사이에, 상기 화소부의 중간층과 동일 물질로 형성되는 센서 중간층을 더 구비할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소부의 제 1 전극 및 제 2 전극 가운데 적어도 하나 이상의 전극은 투명 전극일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 복수 개의 화소부 사이에는 화소부의 제 1 전극 주위로 형성된 화소 정의막이 구비되고, 상기 센서부와 화소부 사이에도 상기 화소 정의막이 구비될 수 있다.
또한 본 발명은, 광 신호를 감지하고 처리하는 센서부와, 상기 센서부의 신호 처리에 따라 화상 구현에 영향을 받는 화소부를 구비한 디스플레이 장치를 제조하는 방법으로서, (a) 기판 상에, 화소부의 제 1 전극 및 센서부의 센서 1 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 전극 및 센서 1 전극 상에, 화소부의 유기 발광층과 센서부의 유기물 수광층을 각각 형성하는 단계; 및 (c) 상기 유기 발광층과 유기물 수광층 상에, 화소부의 제 1 전극 및 센서부의 센서 2 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 화소부의 제 1 전극 및 센서부의 센서 1 전극은 동일 물질로, 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소부의 제 2 전극 및 센서부의 센 서 2 전극은 동일 물질로, 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (b) 단계는, 상기 화소부에 정공 주입층, 정공 전달층, 전자 전달층, 및 전자 주입층 가운데 선택된 적어도 하나 이상의 층으로 이루어진 중간층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (b) 단계는, 상기 센서부에 상기 화소부에 형성된 중간층과 동일 물질로 형성된 센서 중간층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 센서 중간층은 상기 화소부의 중간층과 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (a) 단계 이후, 상기 화소부의 제 1 전극 주위로 상기 제 1 전극을 둘러싸는 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 센서부와 상기 화소부 사이에 상기 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소부의 제 1 전극 및 제 2 전극 가운데 적어도 하나 이상의 전극은 투명 전극으로 형성될 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치는 사용자가 원하는 다양한 대역의 파장 대역의 파장을 검출할 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 센서부는 유기 발광 소자의 TFT가 형성되는 층이 아닌, 픽셀이 형성되는 층에 형성되기 때문에, TFT 제조시에 발생할 수 있는 유기물 수광층의 열화를 방지할 수 있다.
셋째, 본 발명에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 센서부 형성시, 센서 1 및 2 전극, 센서 중간층을 유기 발광 소자를 형성하는 재료와 공정을 그대로 사용할 수 있기 때문에, 센서 제조 공정을 단순화하고 재료를 절감할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 복수 개의 터치 스크린 디스플레이 장치가 포함된 원장 기판(mother glass)의 모습을 개략적으로 도시한 평면도이다.
상기 도면을 참조하면, 하나의 원장 기판(1) 상에 본 발명의 일 실시 예에 따른 복수 개의 터치 스크린 디스플레이 장치(10)가 구비되어 있다. 각 터치 스크린 디스플레이 장치(10)는 복수 개의 화소가 구비된 디스플레이부(11)를 포함하며, 후술할 터치 스크린 디스플레이 장치(10)의 화소부(P)와 센서부(S)는 상기 디스플레이부(11) 내부에 구비된다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 디스플레이부 내부를 개략적으로 도시한 도면으로서, 도 1의 Ⅱ부분을 확대한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 취한 단면도, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 취한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 디스플레이 장 치(10)는 기판(20) 상의 디스플레이부(11) 내부에 복수 개의 화소부(P) 및 복수 개의 센서부(S)를 포함한다.
상기 도면에는, 복수 개의 각 화소부(P)가 세 개의 부화소들(R, G, B)로 구성되고, 상기 부화소들(R, G, B)은 일렬로 배치되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 각 화소부를 구성하는 부화소들의 종류, 크기 및 배치 상태 등은 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
또한, 상기 도면에는 복수 개의 센서부(S)가 각 화소부(P) 사이마다 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이는 본 발명의 일 예시일 뿐, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 센서부(S)가 화소부(P) 사이에 배치되는 한, 각 센서부(S)의 위치는 두 개 또는 세 개의 화소부(P) 사이마다 배치될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
도 3은 도 2의 화소부(P)를 더욱 상세하게 도시한 단면도로서, 세 개의 부화소(R, G, B)들이 기판(20) 상에 구비된 액티브 매트릭스형(AM type) 유기 발광 표시 장치의 일 예를 도시하고 있다. 도 3에 도시된 부화소(R, G, B)들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. 다만, 상기 TFT의 구조는 반드시 도 3에 도시된 구조에 국한되지 않고 그 수와 구조는 다양하게 변형 가능하다. 이러한 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
기판(20)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 절연 기판, 플라스틱 기판, 석영 기판 등도 사용될 수 있다. 한편, 상기 도면에는 도시되지 않았지만, 기판(20)의 상면에는 기판(20)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하 여 SiO2 및/또는 SiNx 형성된 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다.
기판(20) 상부로 박막 트랜지시터(TFT)가 구비된다. 상기 TFT는 반도체 활성층(21)과, 이 활성층(21)을 덮도록 형성된 게이트 절연막(22)과, 게이트 절연막(22) 상부의 게이트 전극(23)을 갖는다. 이 게이트 전극(23)을 덮도록 층간 절연막(24)이 형성되며, 층간 절연막(24)의 상부에 소스 및 드레인 전극(25, 26)이 형성된다. 이 소스 및 드레인 전극(25, 26)은 게이트 절연막(22) 및 층간 절연막(24)에 형성된 컨택홀에 의해 활성층(21)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접촉된다.
평탄화막(27) 상부에 형성된 화소부(P)의 제 1 전극(31)은 비어홀을 통하여 소스/드레인 전극(25, 26)에 연결된다. 그리고, 제 1 전극(31)을 덮도록 화소정의막(Pixel defining layer: 32)이 형성된다. 이 화소정의막(32)에 소정의 개구부를 형성한 후, 유기 발광층(35)을 포함한 중간층(33, 34, 36, 37)이 형성되고, 이들 상부에 공통전극으로 제 2 전극(38)이 증착된다.
이때, 제 1 전극(31)은 애노드 전극으로 사용되고, 제 2 전극은 캐소드 전극으로 사용된다. 물론 이들의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
상기 제 1 전극(31)은 반사형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다.
한편, 상기 제 2 전극(38)은 투명 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 이 제 2 전극(38)이 캐소오드 전극으로 사용되는 경우, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 유기 발광층(35)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
유기 발광층(35)을 포함한 중간층은 저분자 또는 고분자 유기층이 사용될 수 있는데, 저분자 유기층을 사용할 경우, 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer)(33), 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer)(34), 유기 발광층(EML: emission layer)(35), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer)(36), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)(37) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기층은 진공증착의 방법으로 형성된다.
상기 도면에는 유기층이 저분자인 경우의 일 예를 도시한 것이지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 고분자 유기층의 경우에는 정공 수송층(HTL) 및 유기 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있다. 상기 정공 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계, 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 또는 폴리싸이오펜(Polythiophene) 등 고분자 유기물질을 사용 하며, 이를 스크린 또는 잉크젯 인쇄방법, 레이저에 의한 열전사법(laser induced thermal imaging: LITI)등으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 도면에는 유기 발광층(35)의 두께가 모두 동일한 것으로 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 각 부화소들(R, G, B)의 유기 발광층(35)은 공진 구조에 적합하도록 서로 다른 두께를 구비하거나, 보조 발광층을 더 구비할 수 있다.
도 4는 도 2의 화소부(P)와 센서부(S)를 더욱 상세하게 도시한 단면도로서, 기판(20) 상의 두 개의 화소부(P) 사이에 배치된 센서부(S)를 도시하고 있다.
상기 도면에는 도시되어 있지 않지만, 기판(20) 상에는 화소부(P)에 접속되는 TFT 및 센서부(S)에 연결되어 센서 신호를 처리하는 센서 TFT 등이 더 구비될 수 있다.
센서부(S)는 적어도 센서 1 전극(41), 유기물 수광층(45) 및 센서 제 2 전극(48)을 포함한다.
센서 1 전극(41)은 화소부(P)의 제 1 전극(31)과 동일 물질로 형성된다. 즉, 화소부(P)의 제 1 전극(31)이 반사 전극으로 구성되는 경우, 센서 1 전극(41)도 화소부(P)의 제 1 전극(31)과 동일하게 반사 전극으로 구성될 수 있다. 예를 들어, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다. 또한, 센서 1 전극(41)은 화소부(P)의 제 1 전극(31)과 동일층에 형성된다. 이를 위하여 화소부(P) 의 제 1 전극(31)과 센서부(S)의 센서 1 전극(41)은 동일한 증착 물질을 이용하여 상기 전극들(31, 41) 패턴에 대응하는 소정 패턴을 구비한 동일 마스크(미도시)로 동시에 패터닝 된다.
유기물 수광층(45)은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물로 구성된다.
한편, 상기 제2 수광층(15)을 형성하는 유기물은, 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물을 포함하는 층 및 C60을 포함하는 층을 포함하는 두 개의 층(bi-layer)으로 구성되거나, 프탈로시아닌 화합물 및 C60가 혼합된 하나의 혼합층(mixing layer)로 구성될 수도 있다.
센서 2 전극(48)은 화소부(P)의 제 2 전극(38)과 동일 물질로 형성된다. 즉, 화소부(P)의 제 2 전극(38)이 반사 전극으로 구성되는 경우, 센서 2 전극(48)도 화소부(P)의 제 2 전극(38)과 동일하게 반사 전극으로 구성될 수 있다. 예를 들어, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 유기물 수광층(45)을 향 하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질을 형성할 수 있다. 또한, 센서 2 전극(48)은 화소부(P)의 제 2 전극(38)과 동일층에 형성된다. 이를 위하여 화소부(P)의 제 2 전극(38)과 센서부(S)의 센서 2 전극(48)은 동일한 증착 물질을 이용하여 상기 전극들(38, 48) 패턴에 대응하는 소정 패턴을 구비한 동일 마스크(미도시)로 동시에 패터닝 된다.
한편, 본 실시예와 같은 저분자 유기층을 구비한 경우에, 센서 1 전극(41)과 유기물 수광층(45) 사이에는 정공 주입층(33)과 정공 수송층(34)을 이루는 물질이 더 구비되고, 유기물 수광층(45)과 센서 2 전극(48) 사이에는 전자 수송층(36)과 전자 주입층(37)이 더 구비된다. 이와 같은 센서 중간층은 화소부(P)의 중간층과 동일한 물질로, 동일한 층에 동시에 형성된다.
또한, 상기 도면에는 도시되어 있지 않으나, 고분자 유기층을 구비한 경우에는 센서 1 전극(41)과 유기물 수광층(45) 사이에 정공 수송층을 이루는 물질이 더 구비될 수 있다.
한편, 상기 도면에는 화소부(P)의 중간층과 센서 중간층이 화소부(P)와 센서부(S)를 구분함 없이 공통층으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 화소부(P)의 중간층과 센서 중간층은 각각 화소부(P)와 센서부(S)에만 패턴이 형성될 수 있다. 그러나, 어떤 경우에도 화소부(P)의 중간층과 센서 중간층은 동일 재료로 동시에 형성된다. 예를 들어, 저분자 유기물의 경우에는 소정 패턴의 동일 마스크(미도시)로 동시에 증착될 수 있으며, 고분자 유기물인 경우에는 동일한 스크린 공정, 잉크젯 공정, LITI 전사 공정 등으로 동시에 패터닝 될 수 있다.
또한, 상기 도면에는 도시되어 있지 않으나, 본 발명에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 센서부(S)와 화소부(S) 사이에는, 도 3에 도시된 화소부(P)와 화소부(P) 사이에 구비된 화소정의막(32)이 더 구비될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 센서부(S)와 화소부(S) 사이에는, 센서부(S)의 노이즈로 작용할 수 있는 내광(內光)(디스플레이 장치의 발광부에서의 방출하는 광)을 차단할 수 있는 차단벽(미도시)이 더 구비될 수 있는 등 다양한 구조물이 더 추가될 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예와 같은 센서부(S)는, 프탈로시아닌 화합물에 포함되는 금속 성분의 선택을 제어함에 따라, 광센서의 광 검출 대역을 결정할 수 있다. 예를 들어, 구리(Cu)를 포함하는 프탈로시아닌 화합물의 경우, 대략 600 ~ 800 nm 대역의 가시 광선 파장 흡수하고, 주석(Sn)를 포함하는 프탈로시아닌 화합물의 경우, 대략 800 ~ 1000 nm 대역의 근 적외선 파장을 흡수한다. 따라서, 상기의 프탈로시아닌 화합물에 포함되는 금속의 선택을 제어함에 따라, 사용자가 원하는 대역의 파장을 검출할 수 있는 광센서를 구현할 수 있다.
또한, 센서부(S)가 유기 발광 소자의 TFT가 형성되는 층이 아닌, 픽셀이 형성되는 층에 형성되기 때문에, TFT 제조시에 발생할 수 있는 유기물 수광층의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 센서부(S) 형성시, 센서 1 및 2 전극, 센서 중간층을 유기 발광 소자 를 형성하는 재료와 공정을 그대로 사용할 수 있기 때문에, 센서 제조 공정을 단순화하고 재료를 절감할 수 있다.
이하, 도 5 내지 10을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 5를 참조하면, 기판(20) 상에 화소부(P)의 제 1 전극(31) 및 센서부(S)의 센서 1 전극(41)을 동일 물질로, 동시에, 동일층에 형성한다. 전술하였다시피, 화소부(P)의 제 1 전극(31)과 센서부(S)의 센서 1 전극(41)은 동일한 증착 물질을 이용하여 상기 전극들(31, 41) 패턴에 대응하는 소정 패턴을 구비한 동일 마스크(미도시)로 동시에 패터닝 한다.
도 6을 참조하면, 화소부(P)의 제 1 전극(31) 및 센서부(S)의 센서 1 전극(41) 상에 공통층으로 전공 주입층(33) 및 정공 수송층(34)을 순차로 동시에 형성한다. 물론 상기 도면에는 저분자 유기층을 구비한 경우를 도시한 것으로, 고분자 유기층인 경우에는 정공 수송층만이 구비될 수 있다.
또한, 상기 도면에는 화소부(P)의 중간층과 센서 중간층이 화소부(P)와 센서부(S)를 구분함 없이 공통층으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 전술하였다시피, 화소부(P)와 센서부(S) 각각에 패턴이 형성될 수 있다. 그러나, 어떤 경우에도 상기 정공 주입층(33)과 정공 수송층(34) 각각은, 화소부(P)와 센서부(S)에 동일한 재료로, 동일한 공정으로, 동시에 패터닝된다.
도 7을 참조하면, 도 6의 구조물 상에 각 화소부(P)에 유기 발광층(35)이 형성된다. 상기 도면에 도시된 유기 발광층(35)은 전술한 저분자 유기물을 사용한 경 우로서, 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 7의 구조물 상에 각 센서부(S)에 유기물 수광층(45)이 형성된다. 유기물 수광층(45)은 금속을 포함한 프탈로시아닌계 화합물을 사용할 수 있으며, 상기 저분자 유기물을 형성하는 공정과 동일한 진공 증착 공정을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 도 7 및 8에서는 화소부(P)의 유기 발광층(35)이 먼저 형성되고, 센서부(S)의 유기물 수광층(45)이 나중에 형성되었지만, 이 순서는 서로 반대로 바뀌어도 무방하다.
도 9를 참조하면, 화소부(P)의 유기 발광층(35) 및 센서부(S)의 유기물 수광층(45) 상에 공통층으로 전자 수송층(36) 및 전자 주입층(37)을 순차로 동시에 형성한다. 물론 상기 도면에는 저분자 유기층을 구비한 경우를 도시한 것으로, 고분자 유기층인 경우에는 다른 유기층이 구비되거나 유기층이 생략될 수 있다.
또한, 상기 도면에는 화소부(P)의 중간층과 센서 중간층이, 화소부(P)와 센서부(S)를 구분함 없이 공통층으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 전술하였다시피, 화소부(P)와 센서부(S) 각각에 패턴이 형성될 수 있다. 그러나, 어떤 경우에도 상기 전자 수송층(36) 및 전자 주입층(37) 각각은 화소부(P)와 센서부(S)에 동일한 재료로, 동일한 공정으로, 동시에 패터닝된다.
도 10을 참조하면, 도 9의 구조물 상에 화소부(P)의 제 2 전극(38) 및 센서부(S)의 센서 2 전극(48)을 동일 물질로, 동시에, 동일층에 형성한다. 전술하였다시피, 화소부(P)의 제 2 전극(38)과 센서부(S)의 센서 2 전극(48)은 동일한 증착 물질을 이용하여 상기 전극들(38, 48) 패턴에 대응하는 소정 패턴을 구비한 동일 마스크(미도시)로 동시에 패터닝 한다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법에 의하면, 또한, 센서부가 유기 발광 소자의 TFT가 형성되는 층이 아닌, 픽셀이 형성되는 층에 형성되기 때문에, TFT 제조시에 발생할 수 있는 유기물 수광층의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 센서부 형성시, 센서 1 및 2 전극, 센서 중간층을 유기 발광 소자를 형성하는 재료와 공정을 그대로 사용할 수 있기 때문에, 센서 제조 공정을 단순화하고 재료를 절감할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 도면에 도시된 광센서와 TFT를 구비한 디스플레이 장치에만 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 디스플레이 장치에는 전술한 모든 타입의 광센서들 및 ,모든 타입의 TFT의 구조들을 조합하여 배치할 수 있음은 물론이다.
그리고, 상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 복수 개의 광센서를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치를 포함하는 원장 기판의 모습을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ부분을 확대한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 취한 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 취한 단면도이다.
도 5은 도 4의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6 내지 11은 본 발명의 실시 예에 따른 광센서를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
< 도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명 >
1: 원장 기판 10: 터치 스크린 디스플레이 장치
11: 디스플레이부 P: 화소부
R,G,B: 부화소 S: 센서부
TFT: 박막트랜지스터 31: 화소전극
32: 화소정의막 33: 정공주입층
34: 정공전달층 35: 유기발광층
36: 전자전달층 37: 전자주입층
38: 캐소드전극 41: 센서 1 전극
45: 유기물 수광층 48: 센서 2 전극
Claims (20)
- 광 신호를 감지하고 처리하는 센서부와, 상기 센서부의 신호 처리에 따라 화상 구현에 영향을 받는 화소부를 구비한 터치 스크린 디스플레이 장치에 있어서,기판;상기 기판 상에 구비되고, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하는 복수 개의 화소부; 및상기 기판 상에 구비되고, 센서 1 전극, 센서 2 전극, 및 상기 센서 1 전극과 센서 2 전극 사이에 구비되며, 상기 화소부의 유기 발광층과 동일층에 형성된 유기물 수광층을 구비한 복수 개의 센서부;를 포함하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 센서 1 전극은 상기 화소부의 제 1 전극과 동일 물질로 형성되고, 상기 화소부의 제 1 전극과 동일층에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 센서 2 전극은 상기 화소부의 제 2 전극과 동일 물질로 형성되고, 상기 화소부의 제 2 전극과 동일층에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플 레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 센서부는 상기 복수 개의 화소부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기물 수광층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물인 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기물 수광층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물을 포함하는 층, 및 C60을 포함하는 층을 각각 포함하는 두 개의 층(bi-layer)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기물 수광층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물, 및 C60이 혼합된 혼합층(mixing layer)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소부는 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에, 정공 주입층, 정공 전달층, 전자 전달층, 및 전자 주입층 가운데 선택된 적어도 하나 이상의 층으로 이루어진 중간층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 센서부은 상기 센서 1 전극과 센서 2 전극 사이에, 상기 화소부의 중간층과 동일 물질로 형성되는 센서 중간층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소부의 제 1 전극 및 제 2 전극 가운데 적어도 하나 이상의 전극은 투명 전극인 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수 개의 화소부 사이에는 화소부의 제 1 전극 주위로 형성된 화소 정의막이 구비되고, 상기 센서부와 화소부 사이에도 상기 화소 정의막이 구비된 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치.
- 광 신호를 감지하고 처리하는 센서부와, 상기 센서부의 신호 처리에 따라 화상 구현에 영향을 받는 화소부를 구비한 디스플레이 장치를 제조하는 방법으로서,(a) 기판 상에, 화소부의 제 1 전극 및 센서부의 센서 1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1 전극 및 센서 1 전극 상에, 화소부의 유기 발광층과 센서부의 유기물 수광층을 각각 형성하는 단계; 및(c) 상기 유기 발광층과 유기물 수광층 상에, 화소부의 제 1 전극 및 센서부의 센서 2 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 화소부의 제 1 전극 및 센서부의 센서 1 전극은 동일 물질로, 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 화소부의 제 2 전극 및 센서부의 센서 2 전극은 동일 물질로, 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 화소부에 정공 주입층, 정공 전달층, 전자 전달층, 및 전자 주입층 가운데 선택된 적어도 하나 이상의 층으로 이루어진 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 센서부에 상기 화소부에 형성된 중간층과 동일 물질로 형성된 센서 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 센서 중간층은 상기 화소부의 중간층과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 (a) 단계 이후, 상기 화소부의 제 1 전극 주위로 상기 제 1 전극을 둘러싸는 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 센서부와 상기 화소부 사이에 상기 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 화소부의 제 1 전극 및 제 2 전극 가운데 적어도 하나 이상의 전극은 투명 전극으로 형성되는 터치 스크린 디스플레이 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090076377A KR101074799B1 (ko) | 2009-08-18 | 2009-08-18 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
| US12/788,669 US10296114B2 (en) | 2009-08-18 | 2010-05-27 | Touch screen display apparatus and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090076377A KR101074799B1 (ko) | 2009-08-18 | 2009-08-18 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110018755A true KR20110018755A (ko) | 2011-02-24 |
| KR101074799B1 KR101074799B1 (ko) | 2011-10-19 |
Family
ID=43604954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090076377A KR101074799B1 (ko) | 2009-08-18 | 2009-08-18 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10296114B2 (ko) |
| KR (1) | KR101074799B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011105000T5 (de) | 2011-03-03 | 2013-12-05 | Chong Chul Kim | Koppelungsverfahren für ein auseinandernehmbares Fahrrad |
| KR101421794B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2014-07-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 광전 변환 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2015030274A1 (en) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Silicon Display Technology | Image sensor applying organic photo sensor and method of manufacturing the same |
| KR20170031320A (ko) * | 2015-09-10 | 2017-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20190004678A (ko) * | 2017-07-04 | 2019-01-14 | 삼성전자주식회사 | 근적외선 유기 광 센서가 임베디드된 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5126545B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2013-01-23 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| KR20120124224A (ko) * | 2011-05-03 | 2012-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN102830827A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 触控显示装置及其制造方法 |
| TWI475455B (zh) | 2011-07-26 | 2015-03-01 | Byd Co Ltd | 感應單元、觸摸螢幕檢測裝置及觸控裝置 |
| TW201432898A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-08-16 | Wintek Corp | 具有太陽能電池之有機發光顯示器 |
| CN106158909B (zh) * | 2015-04-28 | 2019-04-26 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示器件结构及其制备方法 |
| JP6792960B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2020-12-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN106354302B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 内嵌式透明触控显示面板及其制造方法、驱动方法 |
| CN107123621A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 |
| CN108336116B (zh) * | 2018-02-08 | 2022-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN108762561B (zh) * | 2018-05-25 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示面板及其制造方法、驱动方法、触控显示装置 |
| KR20210055699A (ko) * | 2018-09-14 | 2021-05-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |
| CN111081694B (zh) * | 2018-10-18 | 2022-03-22 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置、拼接电子设备与其操作方法 |
| US10845934B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-11-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel |
| KR20200080484A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN115997246A (zh) * | 2020-07-03 | 2023-04-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块及电子设备 |
| WO2022224070A1 (ja) * | 2021-04-22 | 2022-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
| TW202309723A (zh) * | 2021-05-14 | 2023-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及顯示裝置的製造方法 |
| KR20240011807A (ko) * | 2021-05-27 | 2024-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6747638B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
| US6900851B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-05-31 | E Ink Corporation | Electro-optic displays and optical systems for addressing such displays |
| US7042444B2 (en) * | 2003-01-17 | 2006-05-09 | Eastman Kodak Company | OLED display and touch screen |
| US20060007248A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Damoder Reddy | Feedback control system and method for operating a high-performance stabilized active-matrix emissive display |
| US7342256B2 (en) * | 2004-07-16 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device mounted with read function and electric appliance |
| KR101085447B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2011-11-21 | 삼성전자주식회사 | 터치 위치 검출 장치 및 이의 터치 위치 검출 방법과,이를 구비한 터치 스크린 표시 장치 |
| KR20080012594A (ko) | 2006-08-04 | 2008-02-12 | 삼성전자주식회사 | 터치스크린 내장형 액정 표시 패널 |
| CN101763822B (zh) * | 2006-12-26 | 2012-10-03 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管板 |
| KR100875100B1 (ko) | 2007-06-05 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101379907B1 (ko) | 2007-08-09 | 2014-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| KR101443372B1 (ko) | 2007-10-09 | 2014-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| US20090256810A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-15 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Touch screen display |
| KR101322015B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2013-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
-
2009
- 2009-08-18 KR KR1020090076377A patent/KR101074799B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-05-27 US US12/788,669 patent/US10296114B2/en active Active
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011105000T5 (de) | 2011-03-03 | 2013-12-05 | Chong Chul Kim | Koppelungsverfahren für ein auseinandernehmbares Fahrrad |
| KR101421794B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2014-07-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 광전 변환 장치 및 그 제조 방법 |
| US9155498B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Living body sensor for obtaining information of a living body |
| US9167994B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-source sensor integrated photoelectric conversion device |
| WO2015030274A1 (en) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Silicon Display Technology | Image sensor applying organic photo sensor and method of manufacturing the same |
| KR20170031320A (ko) * | 2015-09-10 | 2017-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20190004678A (ko) * | 2017-07-04 | 2019-01-14 | 삼성전자주식회사 | 근적외선 유기 광 센서가 임베디드된 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101074799B1 (ko) | 2011-10-19 |
| US10296114B2 (en) | 2019-05-21 |
| US20110043464A1 (en) | 2011-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101074799B1 (ko) | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 | |
| JP4953484B2 (ja) | タッチスクリーン機能を持つ有機発光ディスプレイ装置 | |
| KR101022651B1 (ko) | 광센서, 광센서를 포함하는 광센서 장치, 및 이를 포함하는디스플레이 장치 | |
| EP1930968B1 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
| KR102205856B1 (ko) | 센서를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| US8022618B2 (en) | Structure of organic light emitting display apparatus | |
| US8664848B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR101963810B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| US8461591B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR101873448B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 | |
| US8941133B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR101900363B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 | |
| US8998446B2 (en) | Optical film and organic light emitting display apparatus comprising the same | |
| KR100875100B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| US20150236299A1 (en) | Organic light-emitting display device | |
| US20140353601A1 (en) | Film for display apparatus, organic light-emitting display apparatus including the same, and method of manufacturing the film | |
| US8952900B2 (en) | Touch screen display apparatus | |
| US20150340404A1 (en) | Display panel | |
| KR20190011371A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191001 Year of fee payment: 9 |