CN108336116B - 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示装置。该OLED阵列基板包括：基板；位于所述基板上的间隔设置的多个像素定义层；以及至少部分地位于所述多个像素定义层中的至少一者中的导电结构。

Description

一种OLED阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域，特别地，涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一。与液晶显示器相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、掌上电脑(Personal Digital Assistant，PDA)、数码相机等显示领域，OLED已经开始取代传统的LCD。随着OLED显示器尺寸的增加，对触控精度的要求也日益增加。
发明内容
本发明的实施例提供了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示装置，能够保证触控电极均一化设计，从而有效提高触控精度。
根据本发明的第一方面，提供一种OLED阵列基板，其包括：基板；位于所述基板上的间隔设置的多个像素定义层；以及至少部分地位于所述多个像素定义层中的至少一者中的导电结构。
在本发明的实施例中，所述导电结构包括沿垂直于所述基板的方向穿过所述多个像素定义层的第一部分。
在本发明的实施例中，所述OLED阵列基板还包括：位于所述多个像素定义层上的至少一个材料层以及位于所述至少一个材料层上的第一电极，所述导电结构还包括沿垂直于所述基板的方向穿过所述至少一个材料层与所述第一电极连接的第二部分。
在本发明的实施例中，所述导电结构还包括位于所述多个像素定义层的顶表面上的第三部分，所述第一部分与所述第三部分的底表面接触，所述第二部分与所述第三部分的顶表面接触。
在本发明的实施例中，所述OLED阵列基板还包括：位于所述基板与所述多个像素定义层之间的绝缘层，其中，所述导电结构还包括位于所述绝缘层与所述多个像素定义层之间的与所述第一部分接触的第四部分。
在本发明的实施例中，所述第三部分沿平行于所述基板的方向上的尺寸大于所述第一部分和所述第二部分沿平行于所述基板的方向上的尺寸。
在本发明的实施例中，所述OLED阵列基板还包括：位于所述多个像素定义层之间的有机发光器件。所述有机发光器件包括：位于所述基板上的阳极；位于所述阳极上的空穴注入/传输层；位于所述空穴注入/传输层上的发光层；位于所述发光层上的电子注入/传输层；以及位于所述电子注入/传输层上的阴极。所述至少一个材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层之上的第二材料层，所述空穴注入/传输层与所述第一材料层同层设置，所述电子注入/传输层与所述第二材料层同层设置，所述阴极与所述第一电极同层设置。
在本发明的实施例中，所述第一电极与所述阴极被一体形成以构成一体电极，在显示阶段所述一体电极作为显示电极以及在触控阶段所述一体电极作为触控电极。
根据本发明的第二方面，提供一种显示装置，其包括根据本发明的第一方面所述的OLED阵列基板。
根据本发明的第三方面，提供一种制备OLED阵列基板的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成间隔设置的多个像素定义层；以及形成至少部分地位于所述多个像素定义层中的至少一者中的导电结构。
在本发明的实施例中，形成所述导电结构包括：构图所述多个像素定义层中的所述至少一者以形成过孔；形成覆盖所述基板和所述多个像素定义层的第一导电层；构图所述第一导电层以形成位于所述过孔中的所述导电结构的第一部分、位于所述多个像素定义层的顶表面上的所述导电结构的第三部分以及位于所述多个像素定义层之间的有机发光器件的阳极。
在本发明的实施例中，所述的方法还包括：形成覆盖所述多个像素定义层和所述第三部分的至少一个材料层；将导电锥设置在所述至少一个材料层之上，其中，所述导电锥在所述基板上的垂直投影与所述第三部分在所述基板上的垂直投影重合；使所述导电锥穿透所述至少一个材料层并与所述第三部分接触；以及形成第二导电层以覆盖所述至少一个材料层和所述导电锥，其中，所述导电锥构成所述导电结构的第二部分，所述第二导电层通过所述第二部分和所述第三部分连接到所述第一部分。
在本发明的实施例中，在设置所述导电锥之前，所述方法还包括：在所述阳极和所述多个像素定义层上形成所述有机发光器件的空穴注入/传输层；在所述空穴注入/传输层上且在所述多个像素定义层之间形成所述有机发光器件的发光层；以及在所述发光层上和在所述多个像素定义层上的所述空穴注入/传输层上形成所述有机发光器件的电子注入/传输层。所述至少一个材料层包括在所述多个像素定义层上的所述空穴注入/传输层和所述电子注入/传输层。
在本发明的实施例中，所述第二导电层还包括位于所述多个像素定义层之间的作为所述有机发光器件的阴极的部分。
在本发明的实施例中，在形成所述多个像素定义层之前，所述方法还包括：在所述基板上形成所述导电结构的第四部分；以及在所述基板和所述第四部分上形成绝缘层。所述导电结构的所述第一部分穿过所述绝缘层与所述第四部分接触。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
附图说明
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：
图1是示出了一种OLED触控模组的横截面示意图；
图2是示出了一种触控电极图形的平面示意图；
图3是示出了根据本发明的实施例的OLED触控模组的横截面示意图；
图4是示出了根据本发明的实施例的触控电极图形的平面示意图；
图5是示出了根据本发明的实施例的OLED阵列基板的横截面示意图；
图6是示出了根据本发明的实施例的制备OLED阵列基板的方法的流程图；以及
图7a至图7g是示出了根据本发明的实施例的制备OLED阵列基板的方法的示意图。
贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。
具体实施方式
首先，需要说明的是，除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中另有说明(翻译与下面不一样，需注意)。在本文中使用术语“实例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
此外，还需要说明的是，当介绍本申请的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素；除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素；术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。
本发明中描绘的流程图仅仅是一个例子。在不脱离本发明精神的情况下，可以存在该流程图或其中描述的步骤的很多变型。例如，所述步骤可以以不同的顺序进行，或者可以添加、删除或者修改步骤。这些变型都被认为是所要求保护的方面的一部分。
现将参照附图更全面地描述示例性的实施例。
图1示出了一种OLED触控模组的横截面示意图。如图1所示，图1中的阴极和触控电极被整合为同一层，以将触控功能内嵌至OLED显示面板的内部。触控电极(即，阴极)的布线通过OLED显示面板的周边区域(例如，扇出(Fanout)金属布线)连接到基板的背板。
图2是示出了如图1所示的OLED触控模组中的触控电极图形的平面示意图。如图2所示，触控电极21(即，阴极21)和布线22均位于显示区域，布线因此占用过多的可用面积，导致触控盲区的出现。
图3是示出了根据本发明的实施例的OLED触控模组的横截面示意图。如图3所示，触控电极(即，阴极)通过像素定义层中的布线连接到基板的背板。本发明实施例的OLED触控模组可以为互电容触控或自电容触控类型。
图4是示出了如图3所示的OLED触控模组的触控电极图形的平面示意图。如图4所示，布线42通过过孔(via)连接到触控电极，并且跨触控电极的表面导引到面板下方的驱动IC(未示出)。由此将布线设计在显示区内部，解决了触控盲区的问题，从而保证触控电极均一化设计，进而有效提高触控精度并降低IR升高(rising)的影响。此外，上述设计可以最大程度的缩小OLED显示面板的边框，由此实现窄边框并同时满足移动手机尺寸的内嵌式触控产品的设计需求。
图5是示出了根据本发明的实施例的OLED阵列基板的横截面示意图。如图5所示，OLED阵列基板500包括：基板51；位于基板51之上的绝缘层52；位于绝缘层52之上的间隔设置的多个像素定义层54；至少部分地位于多个像素定义层54中的至少一者中的导电结构53；以及位于多个像素定义层54上的至少一个材料层568以及位于至少一个材料层568上的第一电极59’。
在本发明的示例性实施例中，导电结构53包括：沿垂直于基板51的方向穿过多个像素定义层54的第一部分531；沿垂直于基板51的方向穿过至少一个材料层568与第一电极59’连接的第二部分532；位于多个像素定义层54的顶表面上的第三部分533；以及位于绝缘层52与多个像素定义层54之间的与第一部分531接触的第四部分534。
在本发明的示例性实施例中，第一部分531与第三部分533的底表面接触，第二部分532与第三部分533的顶表面接触。第三部分533沿平行于基板51的方向上的尺寸大于第一部分531和第二部分532沿平行于基板51的方向上的尺寸，从而使第一部分531能够更容易地通过第三部分533和第二部分532连接到第一电极59’。可选地，第三部分533覆盖像素定义层54的整个顶表面。
在本发明的示例性实施例中，OLED阵列基板500还包括：位于多个像素定义层54之间的有机发光器件60。具体地，有机发光器件60包括：位于基板51上的阳极55；位于阳极55上的空穴注入/传输层56；位于空穴注入/传输层56上的发光层57；位于发光层57上的电子注入/传输层58；以及位于电子注入/传输层58上的阴极59。
在本发明的示例性实施例中，至少一个材料层568包括第一材料层56’和位于第一材料层56’之上的第二材料层58’。应注意，空穴注入/传输层56与第一材料层56’同层设置，电子注入/传输层58与第二材料层58’同层设置，阴极59与第一电极59’同层设置。应理解，在本文中，同层设置指的是由同一膜层形成。
在本发明的示例性实施例中，第一电极59’与阴极59被一体形成以构成一体电极。在显示阶段，一体电极作为显示电极；以及在触控阶段，一体电极作为触控电极。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括根据本发明实施例的上述OLED阵列基板。
本发明实施例还提供了一种制备OLED阵列基板的方法，从而制备出保证触控电极均一化设计并进而有效提高触控精度的OLED阵列基板。
图6是示出了根据本发明的实施例的制备OLED阵列基板的方法的流程图。图7a至图7g是示出了根据本发明的实施例的制备OLED阵列基板的方法的示意图。
如图6所示，在步骤S601中，提供基板51；在步骤S602中，形成多个像素定义层54；以及在步骤S603中，形成导电结构53。在本发明的示例性实施例中，导电结构53至少部分地位于多个像素定义层54中的至少一者中。
具体地，如图7a所示，提供基板51；在基板51上形成导电结构53的第四部分534；以及在基板51和第四部分534上形成绝缘层52。
如图7b所示，在绝缘层52上形成间隔设置的多个像素定义层54；构图多个像素定义层54中的至少一者以形成过孔541。过孔541穿过多个像素定义层54和绝缘层52而暴露第四部分534。
如图7c所示，形成覆盖绝缘层52和多个像素定义层54的第一导电层(未示出)；以及构图第一导电层以形成位于过孔541(参见图7b)中的导电结构53的第一部分531、位于多个像素定义层54的顶表面上的导电结构53的第三部分533、以及位于多个像素定义层54之间的有机发光器件60的阳极55。导电结构53的第一部分531穿过绝缘层52与第四部分534接触。
如图7d所示，在阳极55和多个像素定义层54上形成有机发光器件60的空穴注入/传输层56；在空穴注入/传输层56上且在多个像素定义层54之间形成有机发光器件60的发光层57；以及在发光层57上和在多个像素定义层54上的空穴注入/传输层56上形成有机发光器件60的电子注入/传输层58。
在本发明的示例性实施例中，位于多个像素定义层上的空穴注入/传输层56(也被称为第一材料层56’)和电子注入/传输层58(也被称为第二材料层58’)两者可以被整体称为至少一个材料层568。至少一个材料层568覆盖像素定义层54和第三部分533。
如图7e所示，将导电锥532设置在至少一个材料层568之上。该导电锥532在基板51上的垂直投影与第三部分533在基板51上的垂直投影重合。如图7f所示，使导电锥532穿透至少一个材料层568并与第三部分533接触。如图7g所示，形成第二导电层59’以覆盖至少一个材料层568和导电锥532。此外，导电锥532构成导电结构53的第二部分532。第二导电层59’通过第二部分532和第三部分533连接到第一部分531。在本发明的实施例中，导电锥532与第三部分533形成物理连接，能够可靠并有效地连接第二导电层59’与第一部分531。
在本发明的示例性实施例中，第二导电层59’还包括位于多个像素定义层54之间的作为有机发光器件60的阴极59的部分。具体地，阴极59与第一电极59’被一体形成以构成一体电极。在显示阶段，一体电极作为显示电极；以及在触控阶段，一体电极作为触控电极。
本发明的实施例提供了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示装置，能够保证触控电极均一化设计，从而有效提高触控精度并降低IR升高的影响。此外，本发明的结构能够最大程度的缩小OLED显示面板的边框，由此实现窄边框并同时满足移动手机尺寸的内嵌式触控产品的设计需求。
以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例，但是，在合适的情况下，这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中，即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请，并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。

Claims (11)

1.一种OLED阵列基板，包括：
基板；
位于所述基板上的间隔设置的多个像素定义层；
位于所述多个像素定义层之间的有机发光器件；
位于所述多个像素定义层上的至少一个材料层；
位于所述至少一个材料层上的作为触控电极的第一电极；以及
至少部分地位于所述多个像素定义层中的至少一者中的导电结构，
其中，所述导电结构连接到所述第一电极，
所述第一电极与所述有机发光器件的阴极为一体电极，
其中，所述导电结构包括：沿垂直于所述基板的方向穿过所述多个像素定义层的第一部分；沿垂直于所述基板的方向穿过所述至少一个材料层与所述第一电极连接的第二部分，其中导电锥构成所述第二部分；以及位于所述多个像素定义层的顶表面上的第三部分，
其中，所述第一部分与所述第三部分的底表面接触，所述第二部分与所述第三部分的顶表面接触，所述第三部分沿平行于所述基板的方向上的尺寸大于所述第一部分和所述第二部分沿平行于所述基板的方向上的尺寸。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，还包括：
位于所述基板与所述多个像素定义层之间的绝缘层，其中，所述导电结构还包括位于所述绝缘层与所述多个像素定义层之间的与所述第一部分接触的第四部分。
3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述有机发光器件包括：
位于所述基板上的阳极；
位于所述阳极上的空穴注入/传输层；
位于所述空穴注入/传输层上的发光层；
位于所述发光层上的电子注入/传输层；以及
位于所述电子注入/传输层上的阴极，
其中，所述至少一个材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层之上的第二材料层，所述空穴注入/传输层与所述第一材料层同层设置，所述电子注入/传输层与所述第二材料层同层设置，所述阴极与所述第一电极同层设置。
4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板，其中，在显示阶段所述一体电极作为显示电极以及在触控阶段所述一体电极作为触控电极。
5.一种显示装置，包括根据权利要求1至4中任一项所述的OLED阵列基板。
6.一种制备OLED阵列基板的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成间隔设置的多个像素定义层；
形成至少部分地位于所述多个像素定义层中的至少一者中的导电结构；
形成覆盖所述多个像素定义层的至少一个材料层；以及
形成作为触控电极的第一电极和位于所述多个像素定义层之间的有机发光器件的阴极，
其中，所述导电结构连接到所述第一电极，
所述第一电极与所述有机发光器件的所述阴极为一体电极，
其中，所述导电结构包括：沿垂直于所述基板的方向穿过所述多个像素定义层的第一部分；沿垂直于所述基板的方向穿过所述至少一个材料层与所述第一电极连接的第二部分，其中导电锥构成所述第二部分；以及位于所述多个像素定义层的顶表面上的第三部分，
其中，所述第一部分与所述第三部分的底表面接触，所述第二部分与所述第三部分的顶表面接触，所述第三部分沿平行于所述基板的方向上的尺寸大于所述第一部分和所述第二部分沿平行于所述基板的方向上的尺寸。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述导电结构包括：
构图所述多个像素定义层中的所述至少一者以形成过孔；
形成覆盖所述基板和所述多个像素定义层的第一导电层；
构图所述第一导电层以形成位于所述过孔中的所述导电结构的所述第一部分、位于所述多个像素定义层的顶表面上的所述导电结构的所述第三部分以及位于所述多个像素定义层之间的有机发光器件的阳极。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
形成所述至少一个材料层包括形成覆盖所述多个像素定义层和所述第三部分的至少一个材料层，
所述方法还包括：将所述导电锥设置在所述至少一个材料层之上，其中，所述导电锥在所述基板上的垂直投影与所述第三部分在所述基板上的垂直投影重合；以及
使所述导电锥穿透所述至少一个材料层并与所述第三部分接触，
形成第一电极包括形成第二导电层以覆盖所述至少一个材料层和所述导电锥，其中，所述第二导电层包括所述第一电极，所述第一电极通过所述第二部分和所述第三部分连接到所述第一部分。
9.根据权利要求8所述的方法，在设置所述导电锥之前，还包括：
在所述阳极和所述多个像素定义层上形成所述有机发光器件的空穴注入/传输层；
在所述空穴注入/传输层上且在所述多个像素定义层之间形成所述有机发光器件的发光层；以及
在所述发光层上和在所述多个像素定义层上的所述空穴注入/传输层上形成所述有机发光器件的电子注入/传输层，
其中，所述至少一个材料层包括在所述多个像素定义层上的所述空穴注入/传输层和所述电子注入/传输层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二导电层还包括形成位于所述多个像素定义层之间的作为所述有机发光器件的所述阴极的部分。
11.根据权利要求10所述的方法，在形成所述多个像素定义层之前，还包括：
在所述基板上形成所述导电结构的第四部分；以及
在所述基板和所述第四部分上形成绝缘层，
其中，所述导电结构的所述第一部分穿过所述绝缘层与所述第四部分接触。
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