CN111341789B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,所述电学检测区域设置有至少一个测试电极,所述电学检测区域内设置有围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。本发明的技术方案能够保证显示基板在进行电学点灯检测时可以正常点亮。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
相关技术中,通过电学测试(Electric Test,ET)点灯检测显示基板显示画面是否正常,在进行点灯检测时,是将柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)的引脚压接在显示基板走线区域的测试电极上,但相关技术存在点灯检测时FPC的引脚无法接触到测试电极或压接不良的问题,导致显示基板无法点亮。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够保证显示基板在进行电学点灯检测时可以正常点亮。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,所述电学检测区域设置有至少一个测试电极,所述电学检测区域内设置有围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
可选地,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
可选地,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的绝缘膜层的数量小于所述显示基板的绝缘膜层的总数量。
可选地,所述绝缘结构包括所述钝化层和所述第一平坦层;或,所述绝缘结构包括所述钝化层和第二平坦层。
可选地,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的至少一层绝缘膜层的膜厚小于所述显示基板其他区域相同绝缘膜层的膜厚。
可选地,所述测试电极由层叠设置的第一源漏金属层的图形和第二源漏金属层的图形组成,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形之间设置有钝化层,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形通过贯穿所述钝化层的过孔连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,所述制作方法包括:
在所述电学检测区域形成至少一个测试电极和围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
可选地,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第一平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第一平坦层。
可选地,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第二平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第二平坦层。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,围绕测试电极的绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离,这样在进行ET点灯,将柔性电路板的引脚压接在电学检测区域时,可以使得引脚与电学检测区域的测试电极之间的接触不受绝缘结构的影响,引脚可以与测试电极充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
附图说明
图1为相关技术显示基板中电学检测区域的平面示意图;
图2为图1的AA方向上的截面示意图;
图3为柔性电路板压接到电学检测区域的示意图;
图4为本发明一实施例显示基板中电学检测区域的平面示意图;
图5为图4的AA方向上的截面示意图;
图6为本发明实施例柔性电路板压接到电学检测区域的示意图;
图7为本发明另一实施例显示基板中电学检测区域的截面示意图;
图8为本发明另一实施例柔性电路板压接到电学检测区域的示意图。
附图标记
21、1 测试电极
211、11 第一源漏金属层
212、12 第二源漏金属层
23、3 钝化层
24、4 第一平坦层
25、5 第二平坦层
26、6 柔性电路板的引脚
7 衬底基板
8 有源层
9 栅绝缘层
10 栅金属层
13 层间绝缘层
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)柔性显示屏通过ET点灯检测显示基板是否能够正常显示画面。在进行点灯检测时,将ET柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)的引脚(pad)压接在显示基板电学检测区域的测试电极(pad)上。
如图1-3所示,为了降低测试电极21的电阻,电学检测区域的测试电极21由双层源漏金属层(第一源漏金属层211和第二源漏金属层212)层叠形成,在电学检测区域,围绕测试电极21设置有绝缘结构,绝缘结构包括钝化层23、第一平坦层24和第二平坦层25,在第一平坦层24和第二平坦层25层叠后,绝缘结构的表面高度大于测试电极21的表面高度,即绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离大于测试电极21远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离。如图2所示,绝缘结构的最外侧为第二平坦层25,第二平坦层25远离衬底基板一侧的表面与衬底基板之间的距离大于测试电极21远离衬底基板一侧的表面与衬底基板之间的距离,如图3所示,在进行ET点灯时,将柔性电路板的引脚26压接在电学检测区域时,由于第二平坦层25、第一平坦层24和钝化层23组成的绝缘结构的厚度较大,导致柔性电路板的引脚26无法接触到测试电极21,或者与测试电极21之间出现压接不良的问题,导致显示基板无法点亮。
本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够保证显示基板在进行电学点灯检测时可以正常点亮。
本发明的实施例提供一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,所述电学检测区域设置有至少一个测试电极,所述电学检测区域内设置有围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
本实施例中,绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离,这样在进行ET点灯,将柔性电路板的引脚压接在电学检测区域时,可以使得引脚与电学检测区域的测试电极之间的接触不受绝缘结构的影响,引脚可以与测试电极充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
其中,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离可以等于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离,或者,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离,这样,绝缘结构的表面高度不会超出测试电极的表面高度,在进行ET点灯,将柔性电路板的引脚压接在电学检测区域时,可以使得引脚与电学检测区域的测试电极之间的接触不受绝缘结构的影响,引脚可以与测试电极充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,围绕测试电极的绝缘结构也可由这些绝缘膜层组成,可以通过多种方式实现绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离,比如去除组成绝缘结构的某一个绝缘膜层的全部或者一部分,或者去除组成绝缘结构的多个绝缘膜层的全部或者一部分,使得绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离。
本发明示例性实施例中,所述绝缘结构包括的绝缘膜层的数量可以小于所述显示基板的绝缘膜层的总数量。
一具体实施例中,如图4-图5所示,图5左半部分为显示基板的显示区域,显示基板包括位于衬底基板7上的有源层8、栅绝缘层9、栅金属层10、层间绝缘层13、第一源漏金属层11、钝化层3、第一平坦层4、第二源漏金属层12和第二平坦层5,图5右半部分为显示基板的电学检测区域,如图4-图5所示,本实施例的显示基板的电学检测区域去除第二平坦层5,绝缘结构远离衬底基板的最外侧的绝缘膜层为第一平坦层4,这样可以使得绝缘结构的表面高度小于测试电极的表面高度,如图6所示,在进行ET点灯时,将柔性电路板的引脚6压接在电学检测区域时,由于第一平坦层4和钝化层3组成的绝缘结构的厚度较小,柔性电路板的引脚6与测试电极1之间的接触不受绝缘结构的影响,柔性电路板的引脚6可以与测试电极1充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
本实施例中,为了使得测试电极的电阻较低,由第一源漏金属层11和第二源漏金属层12层叠组成测试电极1,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12之间间隔有钝化层3,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12通过贯穿钝化层3的过孔连接。
其中,可以在形成显示区域的第二平坦层5的图形后,通过专门的构图工艺去除电学检测区域的第二平坦层5;也可以在形成显示区域的第二平坦层5的图形的同时,通过同一次构图工艺去除电学检测区域的第二平坦层5,这样可以减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
另一具体实施例中,如图7所示,图7左半部分为显示基板的显示区域,显示基板包括位于衬底基板7上的有源层8、栅绝缘层9、栅金属层10、层间绝缘层13、第一源漏金属层11、钝化层3、第一平坦层4、第二源漏金属层12和第二平坦层5,图7右半部分为显示基板的电学检测区域,如图7所示,本实施例的显示基板的电学检测区域去除第一平坦层4,绝缘结构远离衬底基板的最外侧的绝缘膜层为第二平坦层5,这样可以使得绝缘结构的表面高度小于测试电极的表面高度,如图8所示,在进行ET点灯时,将柔性电路板的引脚6压接在电学检测区域时,由于第二平坦层5和钝化层3组成的绝缘结构的厚度较小,柔性电路板的引脚6与测试电极1之间的接触不受绝缘结构的影响,柔性电路板的引脚6可以与测试电极1充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
本实施例中,为了使得测试电极的电阻较低,由第一源漏金属层11和第二源漏金属层12层叠组成测试电极1,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12之间间隔有钝化层3,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12通过贯穿钝化层3的过孔连接。
其中,可以在形成显示区域的第一平坦层4的图形后,通过专门的构图工艺去除电学检测区域的第一平坦层4;也可以在形成显示区域的第一平坦层4的图形的同时,通过同一次构图工艺去除电学检测区域的第一平坦层4,这样可以减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
本发明另一实施例中,所述显示基板的绝缘膜层包括栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层、第一平坦层和第二平坦层,所述绝缘结构包括的至少一层绝缘膜层的膜厚小于所述显示基板其他区域相同绝缘膜层的膜厚。
电学检测区域的绝缘结构包括的绝缘膜层的数量可以与显示基板包括的绝缘膜层的总数量一致,但其中一部分绝缘膜层的厚度小于显示基板其他区域相同绝缘膜层的厚度,或者,其中全部绝缘膜层的厚度均小于显示基板其他区域相同绝缘膜层的厚度,这样可以使得所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
比如,一具体示例中,电学检测区域的第一平坦层的厚度小于显示基板其他区域第一平坦层的厚度,或者,电学检测区域的第二平坦层的厚度小于显示基板其他区域第二平坦层的厚度,或者,电学检测区域的钝化层的厚度小于显示基板其他区域钝化层的厚度,等等。
在电学检测区域的第一平坦层的厚度小于显示基板其他区域第一平坦层的厚度时,可以在形成其他区域的第一平坦层的图形的同时,减薄电学检测区域的第一平坦层的厚度;在电学检测区域的第二平坦层的厚度小于显示基板其他区域第二平坦层的厚度时,可以在形成其他区域的第二平坦层的图形的同时,减薄电学检测区域的第二平坦层的厚度;在电学检测区域的钝化层的厚度小于显示基板其他区域钝化层的厚度时,可以在形成其他区域的钝化层的图形的同时,减薄电学检测区域的钝化层的厚度,以此类推。
在电学检测区域的第一平坦层的厚度小于显示基板其他区域第一平坦层的厚度时,还可以在形成其他区域的第一平坦层的图形之后,减薄电学检测区域的第一平坦层的厚度;在电学检测区域的第二平坦层的厚度小于显示基板其他区域第二平坦层的厚度时,还可以在形成其他区域的第二平坦层的图形之后,减薄电学检测区域的第二平坦层的厚度;在电学检测区域的钝化层的厚度小于显示基板其他区域钝化层的厚度时,还可以在形成其他区域的钝化层的图形之后,减薄电学检测区域的钝化层的厚度,以此类推。
本实施例中,为了使得测试电极的电阻较低,由第一源漏金属层和第二源漏金属层层叠组成测试电极。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。该显示装置包括但不限于:射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解,上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定,显示装置可以包括上述更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。在本发明实施例中,显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,所述制作方法包括:
在所述电学检测区域形成至少一个测试电极和围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
本实施例中,绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离,这样在进行ET点灯,将柔性电路板的引脚压接在电学检测区域时,可以使得引脚与电学检测区域的测试电极之间的接触不受绝缘结构的影响,引脚可以与测试电极充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
其中,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离可以等于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离,或者,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离,这样,绝缘结构的表面高度不会超出测试电极的表面高度,在进行ET点灯,将柔性电路板的引脚压接在电学检测区域时,可以使得引脚与电学检测区域的测试电极之间的接触不受绝缘结构的影响,引脚可以与测试电极充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,围绕测试电极的绝缘结构也可由这些绝缘膜层组成,可以通过多种方式实现绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离,比如去除组成绝缘结构的某一个绝缘膜层的全部或者一部分,或者去除组成绝缘结构的多个绝缘膜层的全部或者一部分,使得绝缘结构远离显示基板的衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离不大于测试电极远离衬底基板的一侧表面与衬底基板之间的距离。
本发明示例性实施例中,所述绝缘结构包括的绝缘膜层的数量小于所述显示基板的绝缘膜层的总数量。
一具体实施例中,如图4-图5所示,图5左半部分为显示基板的显示区域,显示基板包括位于衬底基板7上的有源层8、栅绝缘层9、栅金属层10、层间绝缘层13、第一源漏金属层11、钝化层3、第一平坦层4、第二源漏金属层12和第二平坦层5,图5右半部分为显示基板的电学检测区域,如图4-图5所示,本实施例的显示基板的电学检测区域去除第二平坦层5,绝缘结构远离衬底基板的最外侧的绝缘膜层为第一平坦层4,这样可以使得绝缘结构的表面高度小于测试电极的表面高度,如图6所示,在进行ET点灯时,将柔性电路板的引脚6压接在电学检测区域时,由于第一平坦层4和钝化层3组成的绝缘结构的厚度较小,柔性电路板的引脚6与测试电极1之间的接触不受绝缘结构的影响,柔性电路板的引脚6可以与测试电极1充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
本实施例中,为了使得测试电极的电阻较低,由第一源漏金属层11和第二源漏金属层12层叠组成测试电极1,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12之间间隔有钝化层3,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12通过贯穿钝化层3的过孔连接。
其中,可以在形成显示区域的第二平坦层5的图形后,通过专门的构图工艺去除电学检测区域的第二平坦层5;也可以在形成显示区域的第二平坦层5的图形的同时,通过同一次构图工艺去除电学检测区域的第二平坦层5,这样可以减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
一具体示例中,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第一平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第一平坦层。
另一具体实施例中,如图7所示,图7左半部分为显示基板的显示区域,显示基板包括位于衬底基板7上的有源层8、栅绝缘层9、栅金属层10、层间绝缘层13、第一源漏金属层11、钝化层3、第一平坦层4、第二源漏金属层12和第二平坦层5,图7右半部分为显示基板的电学检测区域,如图7所示,本实施例的显示基板的电学检测区域去除第一平坦层4,绝缘结构远离衬底基板的最外侧的绝缘膜层为第二平坦层5,这样可以使得绝缘结构的表面高度小于测试电极的表面高度,如图8所示,在进行ET点灯时,将柔性电路板的引脚6压接在电学检测区域时,由于第二平坦层5和钝化层3组成的绝缘结构的厚度较小,柔性电路板的引脚6与测试电极1之间的接触不受绝缘结构的影响,柔性电路板的引脚6可以与测试电极1充分接触,使得显示基板可以正常ET点亮。
本实施例中,为了使得测试电极的电阻较低,由第一源漏金属层11和第二源漏金属层12层叠组成测试电极1,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12之间间隔有钝化层3,第一源漏金属层11和第二源漏金属层12通过贯穿钝化层3的过孔连接。
其中,可以在形成显示区域的第一平坦层4的图形后,通过专门的构图工艺去除电学检测区域的第一平坦层4;也可以在形成显示区域的第一平坦层4的图形的同时,通过同一次构图工艺去除电学检测区域的第一平坦层4,这样可以减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
一具体示例中,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第二平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第二平坦层。
需要说明,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于实施例而言,由于其基本相似于产品实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,其特征在于:
所述电学检测区域设置有至少一个测试电极,所述电学检测区域内设置有围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离;
所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述绝缘结构包括所述钝化层和所述第一平坦层;或,所述绝缘结构包括所述钝化层和第二平坦层;
所述测试电极由层叠设置的第一源漏金属层的图形和第二源漏金属层的图形组成,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形之间设置有钝化层,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形通过贯穿所述钝化层的过孔连接,所述测试电极的侧面与所述绝缘结构的侧面直接接触;
所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的绝缘膜层的数量小于所述显示基板的绝缘膜层的总数量;或
所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的至少一层绝缘膜层的膜厚小于所述显示基板其他区域相同绝缘膜层的膜厚。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
3.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-2中任一项所述的显示基板。
4.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,其特征在于,所述制作方法包括:
在所述电学检测区域形成至少一个测试电极和围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离;
所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述绝缘结构包括所述钝化层和所述第一平坦层;或,所述绝缘结构包括所述钝化层和第二平坦层;
所述测试电极由层叠设置的第一源漏金属层的图形和第二源漏金属层的图形组成,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形之间设置有钝化层,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形通过贯穿所述钝化层的过孔连接,所述测试电极的侧面与所述绝缘结构的侧面直接接触;
其中,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的绝缘膜层的数量小于所述显示基板的绝缘膜层的总数量;或
所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的至少一层绝缘膜层的膜厚小于所述显示基板其他区域相同绝缘膜层的膜厚。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第一平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第一平坦层。
6.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第二平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第二平坦层。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101217119A (zh) * | 2007-01-03 | 2008-07-09 | 三星Sdi株式会社 | 制造有机发光显示器的方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101217119A (zh) * | 2007-01-03 | 2008-07-09 | 三星Sdi株式会社 | 制造有机发光显示器的方法 |
CN104777637A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-07-15 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、触控显示装置及其测试方法 |
CN206282853U (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板与显示装置 |
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