KR20110009990A - 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 소정 도전형을 가지는 실리콘 웨이퍼(100)의 표면에 에미터층(102)을 형성한다. 그 다음에 상기 에미터층(102)에 실리카 구(Silica Sphere)가 함유된 콜로이드 용액을 코팅하면, 상기 코팅된 실리카 구가 셀프 정렬(self-align)하여 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)(104)을 형성한다. 이 후, 상기 모노-층(104)을 마스크층으로 하여 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching : RIE)을 실시하면, 상기 에미터층(102)의 표면은 모스-아이(Moth-eye) 구조로 된다. 즉 반응성 이온 식각을 실시하면, 상기 모노-층(104)을 이루고 있는 실리카 구가 식각 마스크(Mask) 역할을 하여, 실리카 구의 아래 부분에 있는 실리콘 웨이퍼는 식각되지 않고, 반면 상기 실리카 구와 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼(100)의 표면은 소정 깊이로 식각되어, 모스-아이 표면구조가 형성되는 것이다. 상기 모스-아이 표면구조가 형성된 다음에는 상기 에미터층에 반사방지막을 형성하고, 또 전면전극과 후면전극을 형성하여, 태양전지를 완성한다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 반응성 이온 식각을 먼저 하고 후속공정을 진행하는 방식에 비해 실리콘 웨이퍼의 표면에서 도핑의 균일도(uniformity)도 확보할 수 있을 뿐 아니라 전면전극 형성시 그 끝 부분이 손상되는 것이 방지되는 이점이 있다.
모스-아이, 실리카 구, 셀프 정렬, 태양전지
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 특히 반응성 이온 식각(RIE : Reactive Ion Etching)을 통해 반도체 기판상에 모스-아이(Moth-eys) 구조의 표면이 형성되게 텍스처링하여 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
태양전지는 실리콘 웨이퍼 표면에 입사된 빛을 얼마나 효율적으로 흡수할 수 있는가에 따라 그 효율이 결정된다. 이는 실리콘 웨이퍼의 표면이 평평한 경우에는, 입사된 빛의 상당수가 기판 표면에서 공기 중으로 바로 반사되어 효율에 큰 손실을 일으키기 반면, 텍스처링과 같은 표면 처리를 실시하면 기판 표면에서 반사된 빛이 다시 기판으로 입사할 수 있도록 하여 빛을 수집할 수 있는 확률을 높일 수 있다.
그렇기 때문에, 태양전지의 실리콘 웨이퍼에 입사되는 빛의 반사율을 감소시키고, 태양전지 내부에서 빛의 통과 길이를 길게 하여 흡수 효율을 높이는 각종 표면처리(Texturing) 방법이 이용되고 있다.
그 중 하나의 방법으로 반응성 이온 식각(RIE:Reactive Ion Etching) 방법이 있다. 이 방법은 식각 가스가 플라즈마 상태로 만들어지면서 생성된 반응성 래디칼(radical)들이 식각될 물질의 표면에 공급되어, 반응성 래디칼과 표면 원자들 사이에 화학 반응이 일어나 그 결과 휘발성 기체를 생성시킴으로써 식각되는 방식이다. 이는 기존의 산 또는 알칼리 계열의 화합물(chemical)로 실리콘 웨이퍼의 표면을 표면처리 하는 것보다 10% 이하의 낮은 반사율을 구현할 수 있고 최종적으로 제조된 태양전지에서의 단락전류를 증가시켜 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1에는 일반적인 RIE 방식으로 태양전지를 제조하는 흐름도가 도시되어 있다. 도 1에서는 p- type 실리콘 웨이퍼를 예를 들어 설명한다.
우선, 실리콘 웨이퍼를 필요한 크기로 자른 뒤 절단시 발생한 표면 자국을 없애는 식각(Saw damage etching) 공정(s10)이 수행된다.
상기 식각 공정을 마친 실리콘 웨이퍼의 표면을 RIE방식으로 표면처리하기 위한 텍스처링(Texturing) 공정(s12)이 수행된다. 상기 텍스처링 공정이 수행되면, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은 그 표면에 입사된 빛의 반사를 감소시키기 위하여 수㎚ 크기의 날카로운 구조(Needle - Like)로 형성된다.
상기 텍스처링된 실리콘 웨이퍼의 표면에 p-타입 실리콘 웨이퍼의 도핑원소인 'POCl3(옥시염화인)'을 확산하여 에미터층을 형성하는 도핑 공정이 수행된다(s14). 이때, 상기 실리콘 웨이퍼의 실리콘과 상기 'POCl3'이 반응하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 포스포실리케이트글래스(PSG : Phosphor-Silicate Glass)층이 형성되는데, 상기 PSG층은 태양전지 내에서 전류 흐름을 차폐시키기 때 문에 이를 제거하는 것이 좋다(s16).
상기 도핑 공정이 완료되면 아래에서 설명된 전면전극과 후면전극을 분리하기 위한 에지 분리(edge isolation) 공정이 수행된다(s18). 상기 에지 분리 공정은 상기 도핑 공정시에 상기 실리콘 웨이퍼의 에지(edge) 부분에도 도핑물질이 도핑되기 때문에 전면전극과 후면전극이 전기적으로 연결된 상태를 분리하기 위한 공정이다. 상기 에지 분리공정은 전면전극과 후면전극이 형성된 다음에 실시할 수도 있다.
이후, 태양광 반사를 막아 효율을 높이기 위해 상기 에미터 층 위에 반사방지막을 형성하고(s20), 스크린 프린팅 방법 등을 이용하여 후면전극과 전면전극을 형성하는 전극 형성 공정이 수행된다(s22).
하지만, 상기한 바와 같이 식각(saw damage etching) 공정이 완료된 실리콘 웨이퍼에 텍스처링(Texturing)을 먼저 수행하고 이후에 도핑공정을 할 경우 다음과 같은 문제점이 있다.
먼저, RIE 방법으로 텍스처링하면, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은 수㎚ 크기의 날카로운 구조(Needle - Like)로 형성된다. 이는 이어지는 도핑공정에서 실리콘 웨이퍼의 표면에서 전반적으로 도핑이 고르게 되지 않는 문제가 있다.
특히 텍스처링된 표면의 끝(Tip) 부분에 도펀트가 집중되는 현상이 발생하여 실리콘 웨이퍼 표면에서의 전하 재결합이 증가하고, 이는 태양전지의 효율을 감소시키는 문제를 초래한다.
그리고, 실리콘 웨이퍼의 표면은 수㎚ 크기의 날카로운 구조(Needle - Like) 로 형성되기 때문에, 스크린 프린팅 방식으로 전면전극을 형성할 경우, 상기 텍스처링된 표면의 끝 부분이 손상되는 현상도 발생한다.
이에 본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 RIE 방식으로 텍스처링 수행시, 실리콘 웨이퍼의 표면이 모스-아이(moth-eye) 구조로 형성되게 하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 제 1도전형을 가지는 반도체 기판의 표면에 반대 도전형을 가지는 제 2도전형의 반도체층을 도핑하여 에미터층을 형성하는 에미터층 형성단계; 상기 에미터층에 실리카 구(Silica Sphere)가 함유된 콜로이드 용액을 코팅하는 코팅단계; 상기 코팅된 실리카 구가 셀프 정렬(self-align)하여 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)을 형성하는 모노-층 형성단계; 상기 모노-층을 마스크층으로 하여 상기 에미터층의 표면이 모스-아이(Moth-eye) 구조가 되도록 표면처리하는 텍스처링단계; 상기 텍스처링 후, 상기 에미터층에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성단계; 그리고, 상기 반사방지막의 일부를 관통(Firing-Through)하여 상기 에미터층과 접촉되게 전면전극을 형성하고 상기 실리콘 웨이퍼의 후면에는 후면전극을 형성하는 전극형성 단계를 포함하여 구성된다.
상기 실리카 구 모노 층 코팅 단계는, 스핀 코팅(spin coating), 스프레이(spray), 솔-겔(sol-gel), 디핑(dipping) 방법 중 하나에 의해 코팅이 이루어진다.
상기 텍스처링은, 반응성 이온 식각(RIE), 플라즈마 식각방법으로 수행하고, 상기 텍스처링시 상기 실리카 구가 식각 마스크(Mask) 역할을 하여, 실리카 구의 아래 부분에 있는 실리콘 웨이퍼는 식각되지 않고, 반면 상기 실리카 구와 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은 소정 깊이로 식각되도록 한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제 1도전형을 가지는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 전면에 도핑된 후 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 모스-아이 구조로 표면이 형성되는 에미터층; 상기 에미터층 위에 형성되는 반사방지막; 그리고, 상기 반사방지막의 일부를 관통(Firing-Through)하여 상기 반도체 기판의 일부분과 접촉하여 형성되는 전면전극 및 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 후면전극을 포함하며; 상기 모스-아이 구조는, 상기 에미터층 위에 셀프-배열(self-align)된 실리카 구(silica sphere)가 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)으로 형성된 상태에서, 상기 반응성 이온 식각이 수행되면 상기 모노-층을 이루고 있는 실리카 구가 식각 마스크(Mask) 역할을 하여, 실리카 구의 아래 부분에 있는 실리콘 웨이퍼는 식각되지 않고, 반면 상기 실리카 구와 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은 소정 깊이로 식각되어 형성된다.
상기 반응성 이온 식각에 사용되는 식각 가스는 상기 실리카 구는 미 식각되게 하고, 상기 실리카 구가 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해서는 소정 깊이로 식각이 되게 하는 식각 선택비(Etching Selectivity)를 가지는 가스이다.
상기 반응성 이온 식각에 사용되는 식각 가스는 F 계열 또는 Cl 계열 등의 반응가스이다.
상기 반사방지막은, 1.1 ~ 2.5 사이의 굴절률을 가지는 유전체 물질이다.
본 발명에서는, 식각(Saw Damage Etching) 완료된 실리콘 웨이퍼에 에미터층을 형성하고 이후에 텍스처링(Texturing)을 하고 있어, 종래 RIE 텍스처링 공정시 실리콘 웨이퍼의 표면에 날카로운 구조(Needle - Like)가 아닌 모스-아이(Moth-eye) 구조가 형성되기 때문에, 이후 후속공정에서 수행되는 도핑 공정시 실리콘 웨이퍼의 표면에서 도핑이 불균일하게 이루어지는 것이 방지된다.
또, 전면전극 형성시 그 끝 부분이 손상되는 것도 방지된다.
이하, 본 발명에 의한 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지 및 그 제조방법의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2에는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 태양전지를 제조하는 공정 흐름도가 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 우선 실리콘 웨이퍼를 필요한 크기로 자른 뒤 절단시 발생한 표면 자국을 없애는 식각(Saw damage etching) 공정이 수행된다(s100).
상기 식각 공정이 완료되면, 상기 식각 완료된 실리콘 웨이퍼의 표면(즉, 태양광이 입사되는 면)에 그 실리콘 웨이퍼와 다른 도전성을 가지는 도펀트(dopant)를 확산시켜 도핑층을 형성한다(s102). 상기 도핑층은 상기 실리콘 웨이퍼가 p-타입 실리콘 웨이퍼이면 인(P)이 포함된 화합물을 확산시키고, n-타입 실리콘 웨이퍼 이면 붕소(B)가 포함된 화합물을 확산시켜 형성된다. 상기 도핑은 튜브 퍼니스(Tube furnace)를 이용한 디퓨전 방식, 벨트 퍼니스(belt furnace)를 이용한 디퓨전 방식, 스프레이, 스핀 온 도펀트(SOD : spin on dopant), 플라즈마 도핑(plasma doping) 등의 방법으로 수행한다. 그리고 상기 도핑 공정시 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성되는 얇은 산화막이 생성되는데, 이는 전류 흐름을 차폐하기 때문에 제거하는 것이 좋다(s104). 상기 산화막은 n-타입 에미터인 경우 PSG(Phosphor-Silicate Glass)이고, p-타입 에미터인 경우 BSG(Boro-Silicate Glass)이다.
상기 도핑 공정이 완료되면, 다음에는 상기 도핑층위에 실리카 구(Silica Sphere)가 함유된 콜로이드(colloid) 용액을 소정 두께로 코팅한다(s106). 상기 코팅은 스핀 코팅(spin coating), 스프레이(spray), 솔-겔(sol-gel), 디핑(dipping) 방법 등으로 이루어진다. 그리고, 상기 실리카 구(Silica Sphere)가 코팅되면, 상기 코팅된 실리카 구(Silica Sphere)는 상기 도핑층 위에서 스스로 정렬(self- Align)하여 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)을 형성하게 된다.
상기 모노-층을 마스크층으로 하여 반응성 이온 식각(RIE) 공정이 수행된다(s108). 상기 RIE 공정 이외에 플라즈마 식각 방법이 이용될 수도 있다. 이때 식각가스는 F 계열 또는 Cl 계열 등의 반응가스가 사용된다. 하지만 상기 식각가스는 상기 실리카 구와 실리콘 웨이퍼간의 식각 선택비(etching selectivity)가 좋은 가스가 사용될 수 있다. 즉 상기 텍스처링시 상기 실리카 구는 식각 마스 크(Mask) 역할을 하여, 실리카 구의 아래 부분에 있는 실리콘 웨이퍼는 식각되지 않고, 반면 상기 실리카 구와 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해서만 소정 깊이로 식각이 되도록 하는 식각 선택비(Etching Selectivity)를 가지는 가스면 충분하다. 참고로, 상기 식각 선택비는 두 물질이 식각되는 식각율의 비를 말한다. 그런 방법으로 RIE 공정이 수행되면, 상기 실리카 구가 위치한 부분을 제외한 에미터층 영역만이 식각되고, 상기 에미터층의 표면은 원기둥 모양의 모스-아이(Moth-eye) 형상으로 형성된다. 이후, 상기 실리카 구의 모노-층을 제거한다(s110). 그렇게 되면, 식각 완료된 실리콘 웨이퍼에 RIE방식으로 텍스처링한 경우와 반사율은 거의 동등하게 얻을 수 있고, 아울러 수㎚ 크기의 날카로운 구조(Needle - Like)도 형성되지 않는 표면구조를 얻을 수 있다.
상기 RIE 공정 다음에는 상기 에미터층에 반사방지막을 형성한다(s112). 상기 반사방지막은 화학기상증착(CVD), 증발(Evaporation), 스퍼터(Sputter) 등의 방법으로 형성되고, 질화규소(SiNX), 산화규소(SiO2), 알루미나(Al2O3), 산화질화물(SiOxNy) 등과 같이 1.1 ~ 2.5 사이의 굴절률을 가지는 유전체 물질이 이용된다.
상기 반사방지막이 형성된 다음에는 전극형성공정이 수행된다(s114). 전극형성공정은 상기 반사방지막의 일부를 관통(Firing-Through)하여 상기 에미터층과 접촉되게 전면전극을 형성한다. 상기 전면전극은 스크린 프린팅, 잉크-젯, 에어로졸 젯, 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있고, 그 중 스크린 프린팅, 잉크-젯, 에어 로졸 젯 방법으로 형성할 경우 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등이 함유된 금속물질로 형성한다. 여기서, 상기 전면전극의 저항을 낮추고 실리콘 웨이퍼의 전면에서 종횡비(Aspect Ratio)를 향상시키기 위해 상기 전면전극에 도금이 입혀질 수 있다. 상기 도금물질은 구리(Cu), 주석(Sn), 니켈(Ni), 은(Ag), 크롬(Cr) 등 또는 상기 물질들의 혼합물이 사용된다. 그리고 상기 실리콘 에이퍼의 후면(즉, 태양광이 입사되는 반대면)에는 후면전극이 형성된다. 상기 후면전극은 상기 전면전극이 형성되기 전에 형성될 수 있다.
상기한 공정과정이 도 3에 도시되어 있다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지를 제조하는 과정을 보인 단면도이다.
도 3a에는 실리콘 웨이퍼의 절단과정에서 손상을 입은 실리콘 웨이퍼 표면의 절단 손상을 제거하여 기계적 강도를 개선하기 위한 식각(saw damage etching) 완료된 실리콘 웨이퍼(100)가 도시되어 있다.
도 3b는 상기 실리콘 웨이퍼(100)와 다른 도전형을 가지는 도펀트를 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 도핑하여 에미터층(102)이 형성된 상태이다.
상기 에미터층(102)이 형성된 상태에서, 그 에미터층(102)위에 실리카 구(Silica Sphere)가 함유된 콜로이드(colloid) 용액을 소정 두께로 코팅한다. 그러면 상기 코팅된 실리카 구(Silica Sphere)는 상기 에미터층 위에서 스스로 정렬(self- Align)하여 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)(104)을 형성하게 된다. 이 상태는 도 3c에 도시되어 있다.
도 3c와 같이 모노-층(104)이 형성된 상태에서, 상기 모노-층(104)을 마스크 층으로 하여 RIE 공정을 수행한다. 그러면 상기 모노-층(104)를 구성하고 있는 실리카 구가 배열되지 않은 부분(A)이 식각되어 도 3d와 같은 표면 구조가 형성된다.
도 3d에서 상기 모노-층(104)을 제거한다. 상기 모노-층(104)이 제거된 상태는 도 3e에 도시되어 있다. 상기 도 3e와 같은 표면 구조를 모스-아이(moth-eye) 구조라고 칭한다. 그래서 상기 표면 구조는 종래 RIE 텍스처링시 형성되는 날카로운 끝(Tip) 부분이 생기지 않고, 이어지는 전면전극 형성 공정시에 상기 끝 부분이 손상되는 것도 방지할 수 있다.
그와 같이 에미터층(102)의 표면이 모스-아이 구조로 된 다음에는 도 3f에서와 같이 반사방지막(106)을 형성한다.
그리고, 도 3g와 같이 상기 반사방지막(106)의 일부를 관통(Firing Through)하여 상기 에미터층(102)과 접촉되게 전면전극(108)을 형성하고, 상기 실리콘 웨이퍼(100)의 후면에는 후면전극(110)을 형성하여 태양전지를 완성한다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 식각((saw damage etching) 완료된 실리콘 웨이퍼(100)에 에미터층(102)을 형성하고 이후에 텍스처링을 하고 있어, 종래 RIE 텍스처링 공정시 실리콘 웨이퍼의 표면이 날카로운 구조(Needle - Like)로 형성되지 않아, 도핑시 실리콘 웨이퍼의 표면에서 불균일하게 이루어지는 것이 방지되며, 또 전면전극 형성시 그 끝 부분이 손상되는 것도 방지된다.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시 예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
즉, 본 실시 예에서는 실리카 구(Silica Sphere)가 함유된 콜로이드(colloid) 용액을 코팅하고 있지만, 실리카 입자(particle)가 포함된 콜로이드 용액을 사용할 수도 있다.
도 1은 일반적인 RIE 방식으로 태양전지를 제조하는 흐름도
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 태양전지를 제조하는 공정 흐름도
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지를 제조하는 과정을 보인 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 실리콘 웨이퍼 102 : 에미터층
104 : 모노-층 106 : 반사방지막
108 : 전면전극 110 : 후면전극
Claims (7)
- 제 1도전형을 가지는 반도체 기판의 표면에 반대 도전형을 가지는 제 2도전형의 반도체층을 도핑하여 에미터층을 형성하는 에미터층 형성단계;상기 에미터층에 실리카 구(Silica Sphere)가 함유된 콜로이드 용액을 코팅하는 코팅단계;상기 코팅된 실리카 구가 셀프 정렬(self-align)하여 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)을 형성하는 모노-층 형성단계;상기 모노-층을 마스크층으로 하여 상기 에미터층의 표면이 모스-아이(Moth-eye) 구조가 되도록 표면처리하는 텍스처링단계;상기 텍스처링 후, 상기 에미터층에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성단계; 그리고,상기 반사방지막의 일부를 관통(Firing-Through)하여 상기 에미터층과 접촉되게 전면전극을 형성하고 상기 실리콘 웨이퍼의 후면에는 후면전극을 형성하는 전극형성 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 실리카 구 모노 층 코팅 단계는, 스핀 코팅(spin coating), 스프레이(spray), 솔-겔(sol-gel), 디핑(dipping) 방법 중 하나에 의해 코팅이 수 행되는 것을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 텍스처링은, 반응성 이온 식각(RIE), 플라즈마 식각방법으로 수행하고,상기 텍스처링시 상기 실리카 구가 식각 마스크(Mask) 역할을 하여, 실리카 구의 아래 부분에 있는 실리콘 웨이퍼는 식각되지 않고, 반면 상기 실리카 구와 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은 소정 깊이로 식각되도록 하는 것을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지 제조방법.
- 제 1도전형을 가지는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 전면에 도핑된 후 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 모스-아이 구조로 표면이 형성되는 에미터층;상기 에미터층 위에 형성되는 반사방지막; 그리고,상기 반사방지막의 일부를 관통(Firing-Through)하여 상기 반도체 기판의 일부분과 접촉하여 형성되는 전면전극 및 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 후면전극을 포함하며;상기 모스-아이 구조는, 상기 에미터층 위에 셀프-배열(self-align)된 실리카 구(silica sphere)가 육방 충진(Hexagonal Packing) 구조의 모노-층(Mono-layer)으로 형성된 상태에서, 상기 반응성 이온 식각이 수행되면 상기 모노-층을 이루고 있는 실리카 구가 식각 마스크(Mask)역할을 하여, 실리카 구의 아 래 부분에 있는 실리콘 웨이퍼는 식각되지 않고, 반면 상기 실리카 구와 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은 소정 깊이로 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지.
- 제 4항에 있어서,상기 반응성 이온 식각에 사용되는 식각 가스는 상기 실리카 구는 미 식각되게 하고, 상기 실리카 구가 접하지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해서는 소정 깊이로 식각이 되게 하는 식각 선택비(Etching Selectivity)를 가지는 가스임을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지.
- 제 5항에 있어서,상기 반응성 이온 식각에 사용되는 식각 가스는 F 계열 또는 Cl 계열 등의 반응가스임을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지.
- 제 4항에 있어서,상기 반사방지막은, 1.1 ~ 2.5 사이의 굴절률을 가지는 유전체 물질임을 특징으로 하는 모스-아이 표면구조를 가지는 태양전지.
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