KR20110001924A

KR20110001924A - 터치패널 및 그의 구동방법

Info

Publication number: KR20110001924A
Application number: KR1020100061177A
Authority: KR
Inventors: 쟈슝 쩡; 붜썽 스; 쯔성 우; 쯔한 쪼우
Original assignee: 치메이 이노럭스 코포레이션
Priority date: 2009-06-30
Filing date: 2010-06-28
Publication date: 2011-01-06
Also published as: EP2275909A2; JP2011014142A; US20100328258A1; CN101937279B; EP2275909A3; CN101937279A

Abstract

본 발명은, 대향으로 설치되는 제1기판 및 제2기판을 구비하고, 상기 제2기판에 대향하는 상기 제1기판의 표면에는 제1투명도전층이 설치되어 있고, 상기 제1기판에 대향하는 상기 제2기판의 표면에는 제2투명도전층이 설치되어 있는 터치패널에 있어서, 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율 ρ1은 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 ρ2 보다 큰 것을 특징으로 하는 터치패널을 제공한다. 그리고, 이 터치패널을 구동하는 방법도 제공한다.

Description

터치패널 및 그의 구동방법{TOUCH PANEL AND METHOD FOR DRIVING SAME}

본 발명은 터치패널 및 그의 구동방법에 관한 것이다.

근래, 핸드폰 및 네비게이션 시스템 등과 같은 전자장치의 고기능화 및 다양화의 발전에 따라, 터치패널이 설치된 전자장치들이 점점 많아지고 있다. 이러한 전자장치를 사용하는 사람들은, 손가락 또는 여타의 부재로 터치패널을 직접 접촉하는 것으로 상기 전자장치에 정보를 입력하여 키패드, 마우스, 리모콘 등과 같은 입력장치에 대한 의존을 저감 또는 제거하여 사용자의 조작을 편리하게 한다.

현재 주로 사용되고 있는 터치패널은, 저항압력식(Registive Overlay) 터치패널, 정전용량식(Capacitive overlay) 터치패널, 적외선식(Infrared Beam) 터치패널 및, 표면음파식(Surface Acoustic Wave) 터치패널 등이 있다. 일반적인 터치패널은 사용과정에 있어서, 한번에 하나의 터치동작만 입력할 수밖에 없지만, 근래에 와서는 멀티터치동작(두개의 터치동작 또는 그 이상)을 동시에 입력할 수 있는 터치패널이 나타나고, 또 이것이 발전추세로 되고 있다.

멀티터치패널은, 주로 정전용량식 터치패널이고, 투명유리기판과, 각각 상기 투명유리기판의 양면에 설치되어 있는 두개의 투명도전층을 구비한다. 각 투명도전층은 평행설치되어 있는 복수개의 도선을 구비하고, 두개의 투명도전층의 복수개의 도선끼리도 서로 평행설치된다. 상기 멀티터치패널은 상기 복수개의 도선에 대한 반복적인 스캔(scan)을 통해 상기 복수개의 도선 상의 정전용량의 변화에 대한 분석에 근거하여 터치부위의 좌표를 판단한다.

그러나, 정전용량식 터치패널의 스캔 빈도(frequency)는 그의 해석도(解析度), 즉 도선의 수량에 따라 기하급수적으로 증가되기 때문에, 고해석도의 정전용량식 멀티터치패널의 구동방법은 복잡하고, 그리고 구동칩 및 제어소자에 대한 요구가 높아서 터치패널의 복잡성 및 코스트를 제고시킨다. 또한, 두개의 터치동작을 입력하는 터치패널은 한번에 두개의 터치부위만 식별할 수 있어, 터치부위가 두개를 초과하면 조작에 에러(error)가 발생하기 때문에, 터치패널의 응용에 일정하게 제한을 주고 있다.

따라서, 터치패널의 구조 및 구동이 복잡하고, 동시에 조작할 수 있는 터치부위가 적은 문제를 해결할 필요가 있다.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 구조 및 구동이 간단하며, 동시에 복수개의 터치부위를 조작할 수 있는 터치패널 및 이 터치패널을 구동하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 대향으로 설치되는 제1기판 및 제2기판을 구비하고, 상기 제2기판에 대향하는 상기 제1기판의 표면에는 제1투명도전층이 설치되어 있으며, 상기 제1기판에 대향하는 상기 제2기판의 표면에는 제2투명도전층이 설치되어 있는 터치패널에 있어서, 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율 ρ1은 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 ρ2 보다 큰 것을 특징으로 하는 터치패널을 제공한다.

또한, 제1투명도전층 및 제2투명도전층을 구비하는 터치패널에 있어서, 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율이 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 보다 크고, 상기 제1방향에 평행하는 제2투명도전층의 한쪽 측변에는 복수개의 검지점이 설치되며, 상기 터치패널에 대해 터치를 진행한 경우, 터치부위에 대응되는 상기 제1투명도전층과 상기 제2투명도전층이 전기접속되는 상기 터치패널의 구동방법이, 상기 제1투명도전층에 기준(基準)전압을 제공하는 단계와, 상기 제1방향에 평행하는 상기 제2투명도전층의 다른쪽 측변에 전압을 제공하는 단계와, 상기 제2투명도전층의 각 검지점의 전압을 검지하는 단계와, 상기 제2투명도전층의 각 검지점의 전압변화에 따라 터치부위의 좌표를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법을 제공한다.

또한, 제1투명도전층 및 제2투명도전층을 구비하는 터치패널에 있어서, 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율은 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 보다 크고, 상기 제1방향에 평행하는 제2투명도전층의 한쪽 측변에는 복수개의 검지점을 구비하며, 상기 터치패널에 대해 터치를 진행한 경우, 터치부위에 대응되는 상기 제1투명도전층과 상기 제2투명도전층이 전기접속되는 상기 터치패널의 구동방법이, 상기 제1투명도전층에 기준(基準)전압을 제공하는 단계와, 상기 제1방향에 평행하는 상기 제2투명도전층의 다른쪽 측변에 제1전압을 제공하는 단계와, 상기 제2투명도전층의 각 검지점의 임의의 점의 전압을 검지하는 한편 비검지상태의 검지점에 제2전압을 제공하는 단계와, 상기 제2투명도전층의 검지점의 전압변화에 따라 터치부위의 좌표를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법을 제공한다.

또한, 적어도 하나의 저항율 이방성 박막을 구비하고, 상기 저항율 이방성 박막의 횡방향의 저항율은 종방향의 저항율 보다 크며, 상기 터치패널의 구동방법이, 횡방향에 평행하는 상기 저항율 이방성 박막의 제1측변 및 상기 저항율 이방성 박막 내부의 임의의 점 사이에 전압을 제공하는 단계와, 상기 저항율 이방성 박막의 제1측변에 상대하는 제2측변의 전압을 검지하는 단계와, 상기 제2측변의 검지점의 전압변화에 따라 상기 터치패널에 있어서의 상기 임의의 점의 위치를 확정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법을 제공한다.

또한, 대향으로 설치되며 압력에 의해 전기접속되는 제1저항율 이방성 박막 및 제2저항율 이방성 박막을 구비하는 터치패널에 있어서, 상기 제1저항율 이방성 박막의 종방향의 저항율이 횡방향의 저항율 보다 크고, 상기 제2저항율 이방성 박막의 횡방향의 저항율이 종방향의 저항율 보다 크며, 상기 터치패널의 구동방법이, 상기 제1저항율 이방성 박막 및 상기 제2저항율 이방성 박막의 서로 직교하는 각각의 한쪽 측변에 전압을 제공하는 단계와, 상기 두 측변에 각각 상대하는 다른쪽 두 측변의 각 점의 전압을 검지하는 단계와, 상기 두 측변에 각각 상대하는 다른쪽 두 측변의 각 점의 전압변화에 근거하여 상기 제1저항율 이방성 박막 및 상기 제2저항율 이방성 박막이 서로 전기접속되었는가를 판단하며, 상기 터치패널에 있어서의 상기 전기접속점의 상대위치를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법을 제공한다.

본 발명에 따른 터치패널은, 저항율 이방성 재료에 의한 투명도전층, 바람직하기는 도전고분자재료 또는 탄소 나노튜브재료에 의한 투명도전층, 특히 탄소 나노튜브가 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브막에 의한 투명도전층을 채용하는 것에 의해 아래와 같은 이점이 있다.

첫째, 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브를 가지는 탄소 나노튜브막은 저항이방성을 가지고, 상기 탄소 나노튜브막의 측변의 전압을 검지하여 전압의 하강 위치 및 하강 폭도에 근거하여 터치부위의 실제 좌표를 판단할 수 있기 때문에, 상기 터치패널의 구조 및 구동방법이 간단하다.

둘째, 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브를 가지는 탄소 나노튜브막이 탄소 나노튜브의 연신방향을 따르는 복수개의 도전통로로 분할되고 다른 검지전극이 서로 다른 도전통로에 대응되므로, 상기 터치패널은 각 도전통로에 있어서의 전압의 변화에 근거하여 복수점의 터치를 실현할 수 있고, 그리고 터치부위는 이론상으로 제한을 받지 않아 상기 터치패널에 대해 진정한 복수점의 터치제어를 실현할 수 있다.

셋째, 탄소 나노튜브의 우수한 역학적 특성은 탄소 나노튜브막으로 하여금 우수한 인성(靭性)과 기계적 강도를 가지게 하며, 투명도전층은 탄소 나노튜브막에 의해 형성되기 때문에, 터치패널의 내구성(耐久性)을 향상시킨다.

넷째, 우수한 도전성능을 가지는 탄소 나노튜브막을 채용하는 터치패널의 도전성능이 우수하여 터치패널의 해석도 및 정확도를 향상시킨다.

다섯째, 탄소 나노튜브막은 우수한 투광성을 가지므로, 상기 터치패널로 하여금 우수한 투광성을 가지도록 한다.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 터치패널의 단면도이다.
도 2는 도 1에 표시된 터치패널의 제1전도층 및 제2전도층의 평면도이다.
도 3은 도 1에 표시된 터치패널의 검지전극의 전압 곡선도이다.
도 4는 터치패널에 대해 세개점의 터치를 진행했을 때의 터치부위의 표시도이다.
도 5는 도 4에 표시된 바와 같이 세개점의 터치가 되었을 때의 검지전극의 전압 곡선도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 터치패널의 제1전도층 및 제2전도층의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 터치패널의 제1전도층 및 제2전도층의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 터치패널의 제1전도층 및 제2전도층의 평면도이다.

이하, 예시도면을 참조하면서 본 발명에 따른 터치패널 및 그 구동방법에 대해 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 터치패널(2)의 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 상기 터치패널(2)은 대향으로 설치되는 제1기판(21) 및 제2기판(22)을 구비한다. 상기 제1기판(21)은 일반적으로 탄성의 투명재료에 의해 제조되고, 상기 제2기판(22)은 일정한 지지능력을 가지는 강성(剛性)의 투명재료에 의해 제조된다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1기판(21)은 폴리에스테르(polyester)막이고, 상기 제2기판(22)은 유리기판이다. 상기 제2기판(22)에 대향하는 상기 제1기판(21)의 표면에는 제1전도층(傳導層)(23)이 설치되어 있고, 상기 제1기판(21)에 대향하는 상기 제2기판(22)의 표면에는 제2전도층(24)이 설치되어 있다. 상기 제1전도층(23)과 상기 제2전도층(24) 사이의 주연(周緣)에 점착층(25)을 설치하여 상기 제1기판(21)과 상기 제2기판(22)을 점착시킨다. 상기 제1전도층(23)과 상기 제2전도층(24) 사이의 간격은 2㎛∼10㎛이다. 상기 제1전도층(23)과 상기 제2전도층(24) 사이의 간격에는 서로 격리되어 있는 복수개의 절연소자(27)가 설치되어 있다. 상기 복수개의 절연소자(27)는 초기상태(터치되기 전의 상태) 하에서 상기 제1전도층(23)이 상기 제2전도층(24)과 절연되도록 상기 제1전도층(23)을 지지하는 작용을 한다. 또한, 터치패널(2)의 사이즈가 작아서 초기상태 하에서 상기 제1전도층(23)이 상기 제2전도층(24)과 절연될 수 있으면, 상기 절연소자(27)를 생략하여도 좋다.

도 2는 도 1에 표시된 터치패널(2)의 제1전도층(23) 및 제2전도층(24)의 평면도이다. 도 2에서는 데카르트 좌표계(Cartesian coordinate system)를 인입하고, 상기 좌표계는 X축방향(제1방향)과 Y축방향(제2방향)을 포함한다.

상기 제1전도층(23)은, 제1투명도전층(導電層)(231) 및 제1전극(232)을 구비한다. 상기 제1투명도전층(231)은 구형(矩形)의 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 박막으로, 비교적 낮은 저항율 및 비교적 높은 투광율을 가진다. 상기 제1전극(232)은 상기 제1투명도전층(231)의 4측변에 연속적으로 설치되는 한편, 상기 제1투명도전층(231)에 전기접속된다.

상기 제2전도층(24)은 제2투명도전층(241)과 제2전극(242) 및 복수개의 검지전극(243)을 구비한다.

상기 제2투명도전층(241)은 저항이방성(anisotropy, 異方性)의 도전성 박막[즉, 이차원(二次元) 공간에서의 저항율이 서로 다름]이다. 다시 말하면, 상기 제2투명도전층(241)의 X축방향에 따른 저항율(횡방향의 저항율) ρ1은 Y축방향에 따른 저항율(종방향의 저항율) ρ2 보다 크다.

상기 제2전극(242)은 막대 모양의 전극으로, 후술(後述)하는 탄소 나노튜브의 연신방향에 직교하는 상기 제2투명도전층(241)의 한쪽 측변에 설치되어, 상기 제2투명도전층(241)에 전기접속된다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2전극(242)은 상기 제2투명도전층(241)의 상측변에 설치된다.

상기 복수개의 검지전극(243)은 상기 제2전극(242)에 상대하는 상기 제2투명도전층(241)의 다른쪽 측변에 균일하게 설치되며, 모두 상기 제2투명도전층(241)에 전기접속된다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 복수개의 검지전극(243)은 상기 제2투명도전층(241)의 하측변에 설치된다. 후술하는 탄소 나노튜브막의 저항이방성에 의해 상기 복수개의 검지전극(243)은 상기 제2투명도전층(241)을 상기 복수개의 검지전극(243)에 대응되는 복수개의 도전통로(導電通路)로 분할한다.

바람직한 실시예로서, 상기 제2투명도전층(241)은 두께가 균일한 탄소 나노튜브막에 의해 형성된다. 상기 탄소 나노튜브막의 두께는 0.5nm∼100㎛이다. 상기 탄소 나노튜브막은 질서정연한 탄소 나노튜브에 의해 형성된 두께가 균일한 층상구조(層狀構造)이다. 상기 탄소 나노튜브는, 단일벽 탄소 나노튜브, 이중벽 탄소 나노튜브 또는 다중벽 탄소 나노튜브 중의 일종 또는 복수종의 혼합이다. 상기 단일벽 탄소 나노튜브의 직경은 0.5nm∼50nm 이고, 이중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.0nm∼50nm 이며, 다중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.5nm∼50nm 이다. 상기 탄소 나노튜브막에 있어서의 탄소 나노튜브는 동일한 방향 또는 다른 방향에 따라 우선방위(Preferred Orientation)로 배열된다.

또한, 상기 제2투명도전층(241)은 중첩설치되는 복수층의 탄소 나노튜브막에 의해 형성될 수 있고, 매층의 질서정연하게 배열된 탄소 나노튜브의 연신방향이 평행인 것이 바람직하지만, 꼭 평행으로 설치되어야만 하는 것은 아니다. 즉, 매층의 질서정연하게 배열된 탄소 나노튜브의 연신방향이 일정한 각도(작은 각도)를 이루어도 좋다. 상기 탄소 나노튜브막은 우선방위로 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함하고, 상기 복수개의 탄소 나노튜브는 길이가 기본적으로 같으며, 반 데르 발스의 힘(Van der Waals forces)에 의해 연결되어 연속적인 탄소 나노튜브를 형성한다. 상기 제2투명도전층(241)에 있어서의 탄소 나노튜브는 도 2에 표시된 Y축방향에 따라 우선방위로 배열된다.

상기 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브를 가지는 탄소 나노튜브막은 저항이방성을 가진다. 즉, 상기 탄소 나노튜브의 연신방향에 따른 탄소 나노튜브막의 저항율은 상기 탄소 나노튜브의 연신방향에 직교하는 방향에 따른 탄소 나노튜브막의 저항율 보다 훨씬 작다. 다시 말하면, 상기 제2투명도전층(241) 에 있어서 X축방향에 따른 저항율(횡방향에 따른 저항율) ρ1은 Y축방향에 따른 저항율(종방향에 따른 저항율) ρ2보다 훨씬 크다.

일반적으로, ρ1/ρ2의 값은 상기 터치패널(2)의 X축방향에 따른 사이즈가 커짐에 따라 커진다. 상기 터치패널(2)의 사이즈(구형의 대각선)가 3.5인치(inch)보다 작으면, ρ1/ρ2의 값이 2 보다 작지 않는 것이 적합하고, 상기 터치패널(2)의 사이즈가 3.5인치 보다 크면, ρ1/ρ2의 값이 5보다 작지 않는 것이 적합하다.

본 실시예에 있어서, 상기 터치패널(2)의 사이즈는 3.5인치이고, 상기 횡방향의 저항율 ρ1과 상기 종방향의 저항율 ρ2의 비율ρ1/ρ2은 10 보다 크거나 같다.

상기 제1전극(232), 상기 제2전극(242) 및 상기 검지전극(243)은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 은(Ag)과 같은 저향이 작은 재료에 의해 형성되어 전기신호의 감쇠(減衰)를 감소한다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1전극(232), 상기 제2전극(242) 및 상기 검지전극(243)은 은페이스트(Silver Paste)에 의해 형성된다.

본 발명에 따른 터치패널(2)의 구동방법은 다음과 같다.

상기 제1전극(232)은 접지(接地)된다. 즉, 상기 제1투명도전층(231)의 전압은 0볼트(V)이다. 상기 제2전극(242)은 안정한 직류전압(예컨대, 10볼트)에 전기접속된다. 즉, 상기 제2투명도전층(241)의 전압은 10볼트이다. 상기 복수개의 검지전극(243)은 상기 제2투명도전층(241)의 대응위치의 전압변화를 검지하여 터치부위의 위치결정(定位)에 필요한 정보를 제공한다.

사용자가 상기 터치패널(2)에 대해 아무런 조작을 진행하지 않는 경우(터치하지 않는 경우), 상기 제1투명도전층(231)와 상기 제2투명도전층(241)은 서로 절연되었으므로, 상기 제2투명도전층(241)의 전압에는 아무런 변화도 없다. 따라서, 상기 복수개의 검지전극(243)의 전압은 전부 같다(즉, 전부 10볼트임). 도 3은 사용자가 상기 터치패널(2)에 대해 아무런 조작을 진행하지 않는 경우의 복수개의 검지전극(243)의 전압 곡선도이다. 도 3에 있어서, 횡축은 상기 복수개의 검지전극(243)의 위치를 표시하고, 종축은 상기 복수개의 검지전극(243)의 전압을 표시한다. 상기 복수개의 검지전극(243)의 전압이 같기 때문에, 상기 복수개의 검지전극(243)의 전압은 도 3에 있어서 종축에 직교하는 직선으로 표시된다.

사용자가 상기 터치패널(2)에 대해 조작을 진행했을 경우, 상기 제1기판(21)은 압력의 작용하에 상기 제2기판(22)을 향해 완곡되어, 상기 제1투명도전층(231)과 상기 제2투명도전층(241)은 터치부위에서 전기접속된다. 단점(單點)의 접촉인 경우는 하나의 전기접속점(點)이 생기고, 멀티접촉(복수점의 접촉)인 경우는 복수개의 전기접속점이 생긴다. 상기 제1투명도전층(231)의 전압이 상기 제2투명도전층 (241)의 전압에 대한 영향에 의해, 터치부위에 대응되는 검지전극(243)의 전압에 변화가 발생한다. 상기 터치부위에 대응되는 검지전극(243)의 전압은 상기 제2투명도전층(241)의 전압보다 작게 된다. 즉, 상기 검지전극(243)의 전압은 10볼트보다 작다. 다른 검지전극(243)은 서로 다른 도전통로에 대응되므로, 상기 복수개의 검지전극(243)에 있어서, 전압은 서로 독립적이고, 서로 간섭이 발생하지 않으며, 또 복수개의 검지전극(243)의 전압의 변화도 서로 독립적이다. 실험에 의하면, 상기 검지전극(243)의 전압의 하강 폭도(下降幅度)는 터치부위의 종좌표에 관련된다. 즉, 상기 터치부위가 상기 제2전극(242)에 접근할수록 상기 터치부위에 대응되는 검지전극(243)의 전압의 하강 폭도가 작고, 상기 터치부위가 상기 제2전극(242)으로부터 멀리 떨어질수록 상기 터치부위에 대응되는 검지전극(243)의 전압의 하강 폭도가 크다. 다시 말하면, 터치부위에 대응되는 검지전극(243)의 전압의 변화 폭도는 상기 터치부위로부터 상기 제2전극(242)까지의 거리에 대해 정비례 관계를 이룬다.

도 4는 터치패널(2)에 대해 세개점의 터치를 진행했을 때의 터치부위의 표시도이고, 그 중에서, A, B, C는 터치패널(2)에 있어서의 터치부위의 실제위치를 표시한다. 도 5는 도 4에 표시된 세개점의 터치가 되었을 때의 검지전극(243)의 전압의 곡선도이고, 그 중 횡축은 복수개의 검지전극(243)의 위치를 표시하고, 종축은 검지전극(243)의 전압을 표시한다.

좌표계에 있어서, 전압 곡선 중의 전압하강점의 위치에 근거하여, 상기 복수개의 터치부위의 횡좌표를 직접 판단할 수 있다. 또, 터치부위에 대응되는 검지전극(243)의 전압 하강 폭도에 근거하여, 상기 복수개의 터치부위의 상기 제2전극(242)에 대한 거리(즉, 좌표계에 있어서의 터치부위의 종좌표)를 분석해 낼 수 있다. 상술의 방법에 의해, 상기 터치패널(2)에 있어서의 전부의 터치부위의 좌표를 확정할 수 있다.

탄소 나노튜브를 사용하는 터치패널(2)은 아래와 같은 이점(利點)이 있다.

첫째, 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브를 가지는 탄소 나노튜브막은 저항이방성을 가지고, 상기 검지전극(243)의 전압을 검지하고, 상기 전압의 하강위치 및 하강 폭도에 근거하여 터치부위의 실제 좌표를 판단할 수 있기 때문에, 상기 터치패널(2)의 구조 및 구동방법이 간단하다.

둘째, 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브를 가지는 탄소 나노튜브막이 탄소 나노튜브의 연신방향을 따르는 복수개의 도전통로로 분할되고 다른 검지전극 (243)이 서로 다른 도전통로에 대응되므로, 상기 터치패널(2)은 복수점의 터치조작을 진행할 수 있고, 그리고 터치부위는 이론상으로 제한을 받지 않아 상기 터치패널(2)에 대해 진정한 복수점의 터치 제어를 실현할 수 있다.

셋째, 탄소 나노튜브의 우수한 역학적 특성은 탄소 나노튜브막으로 하여금 우수한 인성(靭性)과 기계적 강도를 가지게 하며, 투명도전층은 탄소 나노튜브막에 의해 형성되기 때문에, 터치패널(2)의 내구성(耐久性)을 향상시킨다.

넷째, 우수한 도전성능을 가지는 탄소 나노튜브막을 채용하는 터치패널(2)의 도전성능이 우수하여 터치패널(2)의 해석도 및 정확도를 향상시킨다.

다섯째, 탄소 나노튜브막은 우수한 투광성을 가지므로, 상기 터치패널(2)로 하여금 우수한 투광성을 가지도록 한다.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 터치패널(3)의 제1전도층(33) 및 제2전도층(34)의 평면도이다. 본 실시예에 있어서의 터치패널(3)은 제1실시예에 있어서의 터치패널(2)과 비슷하고, 다른 점은 상기 제2전도층(34)의 하측변에 복수개의 제1검지전극(343)을 설치하고, 상기 제2전도층(34)의 상측변에 복수개의 제2검지전극(344)을 설치하는 것이다. 상기 제1검지전극(343) 및 상기 제2검지전극(344)은 각각 대칭으로 균일하게 분포되며, 전부 상기 제2전도층(34)에 전기접속된다.

본 실시예의 터치패널(3)의 구동방법은 제1실시예에 있어서의 터치패널(2)의 구동방법과 비슷하고, 다른 점은 상기 제1검지전극(343) 및 상기 제2검지전극(344)은 전압입력전극으로 작용하는 한편, 전압출력전극으로도 작용하는 것이다. 상기 제1검지전극(343)이 전압입력전극으로서 안정된 직류전압을 인가받는 경우, 상기 제2검지전극(344)이 전압출력전극으로서 작용하고, 상기 제2검지전극(344)이 전압입력전극으로서 안정된 직류전압을 인가받는 경우, 상기 제1검지전극(343)이 전압출력전극으로서 작용한다. 상기 제1검지전극(343) 및 상기 제2검지전극(344)을 번갈아 입력/출력 전극으로 하는 방식으로 상기 터치패널(3)의 구동을 진행하는 것에 의해, 상기 터치패널(3)의 위치결정의 정밀도를 향상시킨다.

도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 터치패널(4)의 제1전도층(43) 및 제2전도층(44)의 평면도이다. 본 실시예에 있어서의 터치패널(4)은 제1실시예에 있어서의 터치패널(2)과 비슷하고, 다른 점은 상기 제1전도층(43)이 탄소 나노튜브막에 의해 형성되는 제1투명도전층(431)과, 막대기 모양의 제1전극(432)과, 복수개의 제1검지전극(433)을 구비하고, 상기 제2전도층(44)이 탄소 나노튜브막에 의해 형성되는 제2투명도전층(441)과, 막대기 모양의 제2전극(442)과, 복수개의 제2검지전극(443)을 구비하는 것이다. 상기 제1투명도전층(431)에 있어서의 탄소 나노튜브는 X축방향에 따라 연신되고, 상기 제1전극(432)은 상기 제1투명도전층(431)의 좌측변에 설치되는 한편 상기 제1투명도전층(431)에 전기접속되고, 상기 복수개의 제1검지전극(433)은 상기 제1투명도전층(431)의 우측변에 균일하게 설치되는 한편 상기 제1투명도전층(431)에 전기접속된다. 상기 제1투명도전층(431)에 있어서, 상기 Y축방향(제2방향)에 따른 저항율 ρ3은 상기 X축방향(제1방향)에 따른 저항율 ρ4보다 크고, ρ3/ρ4의 값은 상기 제1투명도전층(431)의 Y축방향에 따른 사이즈가 커짐에 따라 커진다.

상기 터치패널(4)의 구동방법은, 터치부위의 좌표를 확정할 때, 상기 제1전극(432) 및/또는 제1검지전극(433)을 접지(接地)하고, 상기 제2전극(442)에 고전압(예컨대, 10볼트)을 접속하고, 상기 복수개의 제2검지전극(443)의 전압을 검지하는 것에 의해 상기 터치부위의 횡좌표를 확정하고, 그리고 상기 제2전극(442) 및/또는 제2검지전극(443)을 접지(接地)하고, 상기 제1전극(432)에 고전압(예컨대, 10볼트)을 접속하고, 상기 복수개의 제1검지전극(433)의 전압을 검지하는 것에 의해 상기 터치부위의 종좌표를 확정한다.

상기 터치패널(4)의 구동방법에 있어서, 상기 제1전극(432) 및 제2전극(442)에 고전압을 번갈아 인가하는 것으로 상기 제1검지전극(433) 및 제2검지전극(443)의 전압의 변화를 직접 검지하여 터치부위의 종좌표 및 횡좌표를 확정하므로, 전압의 하강 폭도를 분석할 필요가 없다. 따라서, 상기 터치패널(4)의 구동방법은 더욱 간단하며 정확하다.

또한, 한층 우수화된 구동방법으로서, 본 발명에서는 스캔방식으로 상기 복수개의 제1검지전극(433) 및 복수개의 제2검지전극(443)을 순차적으로 스캔하여 상기 복수개의 제1검지전극(433) 및 복수개의 제2검지전극(443)의 전압의 변화를 각각 검지한다. 동시에, 비검지상태의 제1검지전극(433) 및 비검지상태의 제2검지전극(443)에 각각 고정전압을 인가하여 상기 비검지상태의 제1검지전극(433) 및 상기 비검지상태의 제2검지전극(443)에 안정전압을 보장하는 것으로, 상기 비검지상태의 제1검지전극(433) 및 상기 비검지상태의 제2검지전극(443)이 검지상태의 제1검지전극(433) 및 검지상태의 제2검지전극(443)에 대한 영향을 저감하는 한편, 상기 검지상태의 제1검지전극(433) 및 상기 검지상태의 제2검지전극(443)의 전압의 검지를 더욱 정확하게 한다. 상기 고정전압은, 예컨대, 5볼트, 10볼트 또는 0볼트이다.

도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 터치패널(5)의 제1전도층(53) 및 제2전도층(54)의 평면도이다. 본 실시예에 있어서의 터치패널(5)은 제3실시예에 있어서의 터치패널(4)과 비슷하고, 다른 점은, 상기 제1전도층(53)의 구조와 상기 제2전도층(54)의 구조가 비슷하다. 구체적으로 말하면, 상기 제1전도층(53)의 제1투명도전층(531)의 좌측변에는 복수개의 제1검지전극(532)이 설치되고, 상기 제1투명도전층(531)의 우측변에는 복수개의 제2검지전극(533)이 설치된다. 상기 복수개의 제1검지전극(532) 및 상기 복수개의 제2검지전극(533)은 각각 대칭으로 균일하게 분포되는 한편, 전부 상기 제1투명도전층(531)에 전기접속된다. 상기 제1투명도전층(531)에 있어서의 탄소 나노튜브는 좌표계의 횡축방향(X축방향)에 따라 연신된다. 상기 제2전도층(54)의 제2투명도전층(541)의 상측변에는 복수개의 제3검지전극(542)이 설치되고, 상기 제2투명도전층(541)의 하측변에는 복수개의 제4검지전극(543)이 설치된다. 상기 복수개의 제3검지전극(542) 및 상기 복수개의 제4검지전극(543)은 각각 대칭으로 균일하게 분포되는 한편, 전부 상기 제2투명도전층(541)에 전기접속된다. 상기 제2투명도전층(541)에 있어서의 탄소 나노튜브는 좌표계의 종축방향(Y축방향)에 따라 연신된다.

상기 터치패널(5)의 구동방법은 제2실시예에 있어서의 터치패널(3)의 구동방법 및 제3실시예에 있어서의 터치패널(4)의 구동방법의 결합이다. 상기 터치패널(5)의 구동방법의 특징으로서는, 상기 제1전도층(53)의 복수개의 제1검지전극(532) 및 복수개의 제2검지전극(533)이 동시에 접지된 경우, 상기 제2전도층(54)의 복수개의 제3검지전극(542) 및 복수개의 제4검지전극(543)에 고전압을 번갈아 인가하는 한편, 상기 제4검지전극(543) 및 제3검지전극(542)의 전압의 변화를 검지하여 터치부위의 횡좌표를 확정하고, 상기 제2전도층(54)의 복수개의 제3검지전극(542) 및 복수개의 제4검지전극(543)이 동시에 접지된 경우, 상기 제1전도층(53)의 복수개의 제1검지전극(532) 및 복수개의 제2검지전극(533)에 고전압을 번갈아 인가하는 한편, 상기 복수개의 제2검지전극(533) 및 복수개의 제1검지전극(532)의 전압의 변화를 검지하여 터치부위의 종좌표를 확정한다. 상기 터치패널(5)의 구동방법은 간단하며 정확하다.

제2, 제3 및 제4실시예에 있어서의 터치패널(3,4,5)의 투명도전층은, 모두 제1실시예에 있어서의 탄소 나노튜브막을 채용할 수 있다.

또한, 제2, 제3 및 제4실시예에 있어서의 터치패널(3,4,5)의 투명도전층은 도전성 고분자재료, 저차원(低次元, 즉 1차원 또는 2차원) 결정재료(crystal material)를 채용할 수도 있다. 상기 저차원 결정재료에 있어서, 재료 중의 전자(電子)가 1차원의 선상 또는 2차원의 평면상에 제한되어 전도되기 때문에, 이러한 재료의 도전성은 어떤 하나 또는 둘의 결정 격자(crystal lattice)방향에서 우세를 가지고, 여타의 방향에서는 도전성이 현저히 저하된다. 즉, 이러한 재료는 저항율 이방성(또는, 도전 이방성이라고도 부름)을 가진다. 이러한 재료는 본 발명의 도전 이방성의 투명도전층의 요구를 만족시키기 때문에, 상술의 각 실시예에 있어서의 효과와 같거나 비슷한 효과를 실현할 수 있다.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.

2 --- 터치패널 21 --- 제1기판
22 --- 제2기판 23 --- 제1전도층
231 ---제1투명도전층 232 --- 제1전극
24 --- 제2전도층 241 --- 제2투명도전층
242 --- 제2전극 243 --- 검지전극
25 --- 점착층 27 --- 절연소자
3 --- 터치패널 33 --- 제1전도층
34 --- 제2전도층 341 --- 제2투명도전층
343 --- 제1검지전극 344 --- 제2검지전극
4 --- 터치패널 43 --- 제1전도층
431 --- 제1투명도전층 432 --- 제1전극
433 --- 제1검지전극 44 --- 제2전도층
441 --- 제2투명도전층 442 --- 제2전극
443 --- 제2검지전극 5 --- 터치패널
53 --- 제1전도층 531 ---제1투명도전층
532 --- 제1검지전극 533 ---제2검지전극
54 --- 제2전도층 541 --- 제2투명도전층
542 --- 제3검지전극 543 --- 제4검지전극

Claims

대향으로 설치되는 제1기판 및 제2기판을 구비하고, 상기 제2기판에 대향하는 상기 제1기판의 표면에는 제1투명도전층이 설치되어 있으며, 상기 제1기판에 대향하는 상기 제2기판의 표면에는 제2투명도전층이 설치되어 있는 터치패널에 있어서,
상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율 ρ1은 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 ρ2 보다 큰 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1항에 있어서,
ρ1/ρ2의 값이 2 보다 작지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제2항에 있어서,
상기 제2투명도전층의 사이즈가 3.5인치를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1항에 있어서,
ρ1/ρ2의 값이 5 보다 작지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제4항에 있어서,
상기 제2투명도전층의 사이즈가 적어도 3.5인치인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1항에 있어서,
상기 제2투명도전층이 나노재료막인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1항에 있어서,
상기 제2투명도전층이 탄소 나노튜브막인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제7항에 있어서,
상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브는 각각 상기 제2방향에 평행하는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제8항에 있어서,
상기 제2기판에 대향되는 상기 제1기판의 표면에는 상기 제1투명도전층에 전기접속되는 제1전극이 추가로 설치되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제9항에 있어서,
상기 제1기판에 대향되는 상기 제2기판의 표면에는 제2전극 및 복수개의 검지전극이 추가로 설치되고,
상기 제2전극은 상기 제1방향에 평행하는 상기 제2기판의 한쪽 측변에 설치되고, 상기 탄소 나노튜브막에 전기접속되며,
상기 복수개의 검지전극은 상기 제2전극에 상대하는 상기 제2기판의 다른쪽 측변에 설치되고, 상기 탄소 나노튜브막에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제10항에 있어서,
상기 제1전극은 접지되고, 상기 제2전극에는 안정된 직류전압이 인가되며, 상기 검지전극은 자신에 대응되는 위치의 탄소 나노튜브막의 전압을 검지하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제9항에 있어서,
상기 제1기판에 대향되는 상기 제2기판의 표면에는 복수개의 제1검지전극 및 복수개의 제2검지전극이 추가로 설치되고,
상기 복수개의 제1검지전극은 상기 제1방향에 평행하는 상기 제2기판의 한쪽 측변에 설치되고, 상기 탄소 나노튜브막에 전기접속되며,
상기 복수개의 제2검지전극은 상기 복수개의 제1검지전극에 상대하는 상기 제2기판의 다른쪽 측변에 설치되고, 상기 탄소 나노튜브막에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제12항에 있어서,
상기 제1전극은 접지되고, 상기 제1검지전극 및 제2검지전극에 번갈아 안정된 직류전압을 인가하며,
상기 제1검지전극 또는 상기 제2검지전극에 안정된 직류전압이 인가되지 않았을 때, 전압이 인가되지 않은 상기 제1검지전극 또는 상기 제2검지전극은 자신에 대응되는 위치의 탄소 나노튜브막의 전압을 검지하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제7항에 있어서,
상기 제1투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 ρ3은 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율 ρ4 보다 큰 것을 특징으로 하는 터치패널.
제7항에 있어서,
상기 제1투명도전층이 탄소 나노튜브막인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제14항에 있어서,
ρ3/ρ4의 값이 2 보다 작지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제14항에 있어서,
ρ3/ρ4의 값이 5 보다 작지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제15항에 있어서,
상기 제1투명도전층에 있어서의 탄소 나노튜브막중의 탄소 나노튜브는 상기 제1방향에 평행하는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되고,
상기 제2투명도전층에 있어서의 탄소 나노튜브막중의 탄소 나노튜브는 상기 제2방향에 평행하는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제18항에 있어서,
상기 제2기판에 대향되는 상기 제1기판의 표면에는 제1전극 및 복수개의 제1검지전극이 추가로 설치되고,
상기 제1전극은 상기 제1방향에 직교하는 상기 제1기판의 한쪽 측변에 설치되고, 상기 제1투명도전층에 전기접속되며,
상기 복수개의 제1검지전극은 상기 제1전극에 상대하는 상기 제1기판의 다른쪽 측변에 설치되고, 상기 제1투명도전층에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제19항에 있어서,
상기 제1기판에 대향되는 상기 제2기판의 표면에는 제2전극 및 복수개의 제2검지전극이 추가로 설치되고,
상기 제2전극은 상기 제1방향에 평행하는 상기 제2기판의 한쪽 측변에 설치되고, 상기 제2투명도전층에 전기접속되며,
상기 복수개의 제2검지전극은 상기 제2전극에 상대하는 상기 제2기판의 다른쪽 측변에 설치되고, 상기 제2투명도전층에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제18항에 있어서,
상기 제2기판에 대향되는 상기 제1기판의 표면에는 복수개의 제1검지전극 및 복수개의 제2검지전극이 추가로 설치되고,
상기 복수개의 제1검지전극은 상기 제1방향에 직교되는 상기 제1기판의 한쪽 측변에 설치되고, 상기 제1투명도전층에 전기접속되며,
상기 복수개의 제2검지전극은 상기 복수개의 제1검지전극에 상대하는 상기 제1기판의 다른쪽 측변에 설치되고, 상기 제1투명도전층에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제21항에 있어서,
상기 제1기판에 대향되는 상기 제2기판의 표면에는 복수개의 제3검지전극 및 복수개의 제4검지전극이 추가로 설치되고,
상기 복수개의 제3검지전극은 상기 제1방향에 평행하는 상기 제2기판의 한쪽 측변에 설치되고, 상기 제2투명도전층에 전기접속되며,
상기 복수개의 제4검지전극은 상기 복수개의 제3검지전극에 상대하는 상기 제2기판의 다른쪽 측변에 설치되고, 상기 제2투명도전층에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제7항 또는 제15항에 있어서,
상기 탄소 나노튜브막은 적어도 한층의 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제7항 또는 제15항에 있어서,
상기 탄소 나노튜브막의 두께가 0.5nm∼100㎛인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제7항 또는 제15항에 있어서,
상기 탄소 나노튜브막에 있어서의 복수개의 탄소 나노튜브는 서로 길이가 같고, 반 데르 발스의 힘에 의해 연결되어 연속적인 탄소 나노튜브선를 형성하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1항에 있어서,
상기 제1투명도전층이 인듐주석산화박막인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1항에 있어서,
상기 제1투명도전층 및/또는 제2투명도전층이 도전성 고분자박막인 것을 특징으로 하는 터치패널.
제27항에 있어서,
상기 제1투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 ρ3은 상기 제1투명도전층의 제1방향에 따른 저항율 ρ4 보다 큰 것을 특징으로 하는 터치패널.
제28항에 있어서,
ρ1/ρ2 및/또는 ρ3/ρ4의 값이 2 보다 작지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제28항에 있어서,
ρ1/ρ2 및/또는 ρ3/ρ4의 값이 5 보다 작지 않는 것을 특징으로 하는 터치패널.
제1투명도전층 및 제2투명도전층을 구비하는 터치패널에 있어서, 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율이 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른는 저항율 보다 크고, 상기 제1방향에 평행하는 제2투명도전층의 한쪽 측변에는 복수개의 검지점을 설치되며, 상기 터치패널에 대해 터치를 진행한 경우, 터치부위에 대응되는 상기 제1투명도전층과 상기 제2투명도전층이 전기접속되는 상기 터치패널의 구동방법이,
상기 제1투명도전층에 기준(基準)전압을 제공하는 단계와,
상기 제1방향에 평행하는 상기 제2투명도전층의 다른쪽 측변에 전압을 제공하는 단계와,
상기 제2투명도전층의 각 검지점의 전압을 검지하는 단계 및,
상기 제2투명도전층의 각 검지점의 전압변화에 따라 터치부위의 좌표를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제31항에 있어서,
상기 제2투명도전층의 검지점의 전압변화의 위치에 따라 상기 터치부위의 제1방향에서의 좌표를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제31항에 있어서,
상기 제2투명도전층의 검지점의 전압변화의 폭도에 따라 상기 터치부위의 제2방향에서의 좌표를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제31항에 있어서,
상기 제1투명도전층의 제2방향에 따른 저항율이 상기 제1투명도전층의 제1방향에 따른 저항율 보다 크고, 상기 제2방향에 평행하는 상기 제1투명도전층의 한쪽 측변에는 복수개의 검지점을 구비하는 상기 터치패널의 구동방법이,
상기 제2투명도전층에 기준전압을 제공하는 단계와,
상기 제2방향에 평행하는 상기 제1투명도전층의 다른쪽 측변에 전압을 제공하는 단계와,
상기 제1투명도전층의 각 검지점의 전압을 검지하는 단계 및,
상기 제1투명도전층의 각 검지점의 전압변화에 따라 터치부위의 좌표를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제34항에 있어서,
상기 제1투명도전층의 검지점의 전압변화의 위치에 따라 상기 터치부위의 제2방향에서의 좌표를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제34항에 있어서,
상기 제1투명도전층의 검지점의 전압변화의 폭도에 따라 상기 터치부위의 제1방향에서의 좌표를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제31항에 있어서,
상기 제1투명도전층 및/또는 상기 제2투명도전층이 탄소 나노튜브막인 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제37항에 있어서,
상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제38항에 있어서,
상기 제1투명도전층의 탄소 나노튜브는 상기 제1방향에 평행하는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되고,
상기 제2투명도전층의 탄소 나노튜브는 상기 제2방향에 평행하는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제1투명도전층 및 제2투명도전층을 구비하는 터치패널에 있어서, 상기 제2투명도전층의 제1방향에 따른 저항율은 상기 제2투명도전층의 제2방향에 따른 저항율 보다 크고, 상기 제1방향에 평행하는 제2투명도전층의 한쪽 측변에는 복수개의 검지점을 구비하고, 상기 터치패널에 대해 터치를 진행한 경우, 터치부위에 대응되는 상기 제1투명도전층과 상기 제2투명도전층이 전기접속되는 상기 터치패널의 구동방법이,
상기 제1투명도전층에 기준(基準)전압을 제공하는 단계와,
상기 제1방향에 평행하는 상기 제2투명도전층의 다른쪽 측변에 제1전압을 제공하는 단계와,
상기 제2투명도전층의 각 검지점의 임의의 점의 전압을 검지하는 한편 비검지상태의 검지점에 제2전압을 제공하는 단계 및,
상기 제2투명도전층의 검지점의 전압변화에 따라 터치부위의 좌표를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
적어도 하나의 저항율 이방성 박막을 구비하고, 상기 저항율 이방성 박막의 횡방향의 저항율은 종방향의 저항율 보다 크며, 상기 터치패널의 구동방법이,
횡방향에 평행하는 상기 저항율 이방성 박막의 제1측변 및 상기 저항율 이방성 박막 내부의 임의의 점 사이에 전압을 제공하는 단계와,
상기 저항율 이방성 박막의 제1측변에 상대하는 제2측변의 전압을 검지하는 단계 및,
상기 제2측변의 검지점의 전압변화에 따라 상기 터치패널에 있어서의 상기 임의의 점의 위치를 확정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제41항에 있어서,
상기 저항율 이방성 박막의 검지점의 전압변화의 위치에 따라 상기 터치부위의 횡방향에서의 좌표를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제41항에 있어서,
상기 저항율 이방성 박막의 검지점의 전압변화의 폭도에 따라 상기 터치부위의 종방향에서의 좌표를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제41항에 있어서,
상기 저항율 이방성 박막이 탄소 나노튜브막인 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제41항에 있어서,
상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브는 상기 종방향에 평행하는 단일한 방향에 따라 우선방위로 배열되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제41항에 있어서,
상기 터치패널은, 상기 저항율 이방성 박막에 대향 설치되는 투명도전막을 더 구비하고, 상기 투명도전막은 상기 저항율 이방성 박막의 임의의 점과 전기접속이 가능하며, 상기 전압은 상기 투명도전막과 상기 저항율 이방성 박막의 임의의 점의 전기접속에 의해 상기 저항율 이방성 박막의 임의의 점과 상기 제1측변 사이에 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
대향으로 설치되며 압력에 의해 전기접속되는 제1저항율 이방성 박막 및 제2저항율 이방성 박막을 구비하는 터치패널에 있어서, 상기 제1저항율 이방성 박막의 종방향의 저항율은 횡방향의 저항율 보다 크고, 상기 제2저항율 이방성 박막의 횡방향의 저항율은 종방향의 저항율 보다 크며, 상기 터치패널의 구동방법이,
상기 제1저항율 이방성 박막 및 상기 제2저항율 이방성 박막의 서로 직교하는 각각의 한쪽 측변에 전압을 제공하는 단계와,
상기 두 측변에 각각 상대하는 다른쪽 두 측변의 각 점의 전압을 검지하는 단계와,
상기 두 측변에 각각 상대하는 다른쪽 두 측변의 각 점의 전압변화에 근거하여 상기 제1저항율 이방성 박막 및 상기 제2저항율 이방성 박막이 서로 전기접속되었는가를 판단하고, 상기 터치패널에 있어서의 상기 전기접속점의 상대위치를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제47항에 있어서,
상기 두 측변에 각각 상대하는 다른쪽 두 측변의 각 점의 전압을 검지하는 경우, 검지되지 않는 각 점에 고정전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제47항에 있어서,
상기 두 측변에 각각 상대하는 다른쪽 두 측변의 각 점은 균일하게 분포되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제47항에 있어서,
상기 제1저항율 이방성 박막의 검지점의 전압변화의 위치에 근거하여 상기 터치패널에 있어서의 상기 전기접속점의 종방향의 상대위치를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제47항에 있어서,
상기 제2저항율 이방성 박막의 검지점의 전압변화의 위치에 근거하여 상기 터치패널에 있어서의 상기 전기접속점의 횡방향의 상대위치를 판단하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제47항에 있어서,
상기 제1저항율 이방성 박막 및/또는 상기 제2저항율 이방성 박막이 탄소 나노튜브막인 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.
제47항에 있어서,
상기 제1저항율 이방성 박막 및/또는 상기 제2저항율 이방성 박막이 도전성 고분자박막인 것을 특징으로 하는 터치패널의 구동방법.