KR20100137363A - Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage media are provided to protect a liquid processing process by prevent processing liquid from being dropped. CONSTITUTION: A nozzle(40) is arranged at the lower side of a nozzle head(34). The nozzle head is the tip end of an arm(33). A plurality of liquid processing parts is serially arranged to a transversal direction. A nozzle bath is installed to hold the nozzle. A supporting unit is arranged at the upper region of the liquid processing parts and between the nozzle baths. A driving unit moves the supporting unit.

Description

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium for supplying a processing liquid to a substrate to perform liquid processing.

반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포 현상 장치 에 노광 장치를 접속시킨 시스템을 이용하여 행해진다.In the photoresist step, which is one of the semiconductor manufacturing steps, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and the resist is exposed in a predetermined pattern and then developed to form a resist pattern. Such a process is generally performed using the system which connected the exposure apparatus to the coating and developing apparatus which apply | coats and develops a resist.

이 도포 현상 장치에는 웨이퍼로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 각종 액처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액처리 모듈로서는 웨이퍼에, 예를 들면 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 모듈(레지스트 도포 장치)이 있다. 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼를 보지(保持)하는 스핀 척과, 이 스핀 척에 보지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 배액 수단 및 배기 수단을 구비한 컵으로 이루어지는 도포 처리부를 구비한다. 또한, 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼에 레지스트를 토출하기 위한 레지스트 토출 노즐과, 상기 레지스트 공급 전에 웨이퍼에 처리액, 예를 들면 시너를 토출하여 상기 레지스트의 습윤성 을 향상시키기 위한 시너 토출 노즐을 구비하고 있다. 이들 레지스트 토출 노즐 및 시너 토출 노즐은 이들을 지지하는 암에 장착되고, 상기 컵 상과 각 노즐을 대기시키기 위하여 컵의 외측에 설치된 노즐 배스(bath) 와의 사이를 이동한다.This coating and developing apparatus is provided with various liquid processing modules for supplying a processing liquid to a wafer and performing liquid processing. As this liquid processing module, there exists a resist coating module (resist coating apparatus) which apply | coats a resist, for example to a wafer. The resist coating module is provided with a spin chuck holding a wafer, and a coating processing section including a cup provided with a draining means and an exhausting means provided to surround the wafer held by the spin chuck. In addition, the resist coating module includes a resist ejection nozzle for ejecting a resist onto a wafer, and a thinner ejection nozzle for improving the wettability of the resist by ejecting a processing liquid, for example, thinner, onto the wafer before supplying the resist. These resist discharge nozzles and thinner discharge nozzles are mounted to arms supporting them, and move between the cup top and a nozzle bath provided on the outside of the cup for waiting each nozzle.

그런데, 근래에는 다품종 소량 생산의 요청으로 농도 또는 성분이 상이한 복수 종류의 레지스트를 구분하여 사용하는 경우가 있다. 레지스트를 이와 같이 구분하여 사용하기 때문에, 서로 상이한 종류의 레지스트를 각각 공급하기 위한 복수의 라인에 각각 접속된 복수의 레지스트 토출 노즐을 상기 암이 처리를 전환할 때마다 바꾸는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 장치 구성을 간소화하는 목적으로 이들 복수의 레지스트 토출 노즐과 시너 토출 노즐을 하나로 합친 집합 노즐을 하나의 암에 장착하여 구동시키는 구조로 하는 경우가 있다.By the way, in recent years, several types of resist from which concentration or a component differs may be used separately, by the request of small quantity production of many varieties. Since the resists are used in this manner, it is possible to consider changing the plurality of resist ejection nozzles each connected to a plurality of lines for supplying different kinds of resists each time the arm switches the processing. However, in order to simplify the device configuration, there may be a case in which a collective nozzle in which these plurality of resist discharge nozzles and thinner discharge nozzles are combined into one arm is mounted and driven.

또한, 장치 구성을 간소화하기 위하여 단일의 레지스트 도포 모듈 내에서는, 예를 들면 상기 컵을 구비한 도포 처리부가 나란히 복수 개 설치되는 경우가 있다. 이 경우, 이들 각 도포 처리부와 노즐 배스는, 예를 들면 직선 상에 배설되고, 각 도포 처리부에 대하여 공통화된 상기 암이 노즐 배스와 컵 사이를 이동하면서 레지스트 도포 처리를 행한다. 스루풋 향상을 위하여 상기 암이 이동 개시점으로부터 종료점까지를 최단 거리로 이동하는 것이 요구되므로, 도포 처리부 및 노즐 배스의 배열 방향과 평행하게 직선 형상으로 이동한다. 따라서, 이와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈에서는 그 구조상 각 노즐이 컵 상을 가로지르게 된다.Further, in order to simplify the device configuration, in a single resist coating module, for example, a plurality of coating processing units provided with the cups may be provided in parallel. In this case, each of these application | coating process parts and a nozzle bath is arrange | positioned on a straight line, for example, and the said arm common to each application process part performs a resist application process, moving between a nozzle bath and a cup. Since the arm is required to move from the moving start point to the end point in the shortest distance for improving the throughput, the arm moves in a straight line in parallel with the arrangement direction of the coating processing section and the nozzle bath. Therefore, in the resist coating module configured as described above, each nozzle crosses the cup phase due to its structure.

그런데, 각 노즐을 웨이퍼 상에 이동시키고 나서 바로 레지스트 및 시너의 토출을 개시하기 위해서는 노즐의 선단 근처까지 이들 액을 채워 둘 필요가 있다. 그러나, 이와 같이 액이 채워진 상태로 상기와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈의 노즐을 이동시키면, 암 구동 시에 발생하는 진동, 또는 레지스트 및 시너를 공급하는 라인의 내압 변동 등에 의해 이동 도중 목적 외의 위치에서 각 노즐의 선단으로부터 액 맺힘, 나아가서는 액적(液適) 낙하가 발생할 우려가 있다. 그리고, 상기와 같이 각 노즐이 컵 상을 가로지를 때에 스핀 척이나 처리 전 또는 처리 완료된 웨이퍼 상에 액적이 낙하하면, 스핀 척의 오염에 의해 파티클이 발생하거나 제품 웨이퍼의 도포 불량을 일으켜 수율이 저하될 우려가 있다.By the way, in order to start discharging resist and thinner immediately after moving each nozzle on a wafer, it is necessary to fill these liquids to the vicinity of the tip of a nozzle. However, if the nozzle of the resist coating module configured as described above is moved in the state where the liquid is filled in this way, the vibration may occur at the time of driving the arm, or the internal pressure fluctuation of the line for supplying the resist and thinner may cause the respective angles to be out of the target position during the movement. Liquid condensation from the tip of the nozzle, and further, drop of liquid, may occur. As described above, when each nozzle traverses the cup, if the droplets drop on the spin chuck or before or after the treatment, the particles may be generated due to contamination of the spin chuck or poor application of the product wafer may cause a decrease in yield. There is concern.

특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에는 도포 시에 이동 중인 노즐로부터 토출되는 약액 상태를 광학 센서, 카메라 방식으로 각각 감시하는 것이 기재되어 있다. 단, 이들은 약액의 토출 상태 또는 토출 타이밍의 이상을 검지하는 것이 목적이며, 또한 약액 상태의 감시 구역은 약액 토출 중 및 그 전후로 한정된다. 따라서, 이들 광학 센서 및 카메라는 컵 외에서 이동 중인 노즐을 감시하는 것은 아니다. 또한, 특허 문헌 1 및 2에는 이상 발생 시에서의 상기 액적 낙하의 회피 수단에 대하여 기재되어 있지 않다. 따라서, 이들 특허 문헌 1 및 2는 상기 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다. 한편, 특허 문헌 3은 노즐이 컵 사이를 이동하는 경우에 일어나는 문제에 대해서는 기재하고 있지 않아 기술한 문제를 해결하기에는 불충분하다. 한편, 특허 문헌 4는 상기 문제를 해결하기 위하여 상시 카메라에 의한 해석을 행해야 하므로, 프로그램에 부하가 걸릴 우려가 있다. Patent Literature 1 and Patent Literature 2 describe monitoring the state of the chemical liquid discharged from the moving nozzle during application by an optical sensor and a camera system, respectively. However, these are for the purpose of detecting the abnormality of the discharge state or discharge timing of a chemical liquid, and the monitoring area of a chemical liquid state is limited before and after chemical liquid discharge. Thus, these optical sensors and cameras do not monitor nozzles moving outside the cup. In addition, Patent Documents 1 and 2 do not describe the means for avoiding the droplet drop at the time of abnormal occurrence. Therefore, these patent documents 1 and 2 cannot solve the said problem. On the other hand, Patent Document 3 does not describe the problem that occurs when the nozzle moves between the cups, and is insufficient to solve the described problem. On the other hand, Patent Document 4 has to be analyzed by a constant camera in order to solve the above problem, there is a fear that a load on the program.

일본특허공개공보 2008-307465Japanese Patent Laid-Open No. 2008-307465 일본특허공개공보 2002-316080Japanese Patent Laid-Open No. 2002-316080 일본특허공개공보 2008-313822Japanese Patent Laid-Open No. 2008-313822 일본특허공개공보 2008-135679Japanese Patent Laid-Open No. 2008-135679

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액처리부와, 이들 액처리부에 대하여 공용화되고 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 복수의 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로의 처리액의 낙하를 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a plurality of liquid processing portions having substrate holding portions arranged in a row in a transverse direction, and a plurality of processing liquid nozzles which are common to these liquid processing portions and are provided along the arrangement direction of the liquid processing portions. In the liquid processing apparatus provided with the above, it is providing the liquid processing apparatus, the liquid processing method, and the storage medium which can suppress the fall of the processing liquid from the said processing liquid nozzle to a board | substrate, and can prevent a fall of a yield.

본 발명의 액처리 장치는, 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부와, 상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고 기판에 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하기 위하여 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스와, 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와, 각 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. The liquid processing apparatus of this invention is comprised by providing the board | substrate holding | maintenance part which hold | maintains a board | substrate horizontally in the cup in which the opening part was formed in the upper side, respectively, the some liquid processing part arrange | positioned in the horizontal direction mutually, and the said some liquid processing part And a plurality of processing liquid nozzles provided on the support along the arrangement direction of the liquid processing unit for supplying different kinds of processing liquids to the substrate, the nozzle bath provided for waiting the processing liquid nozzles, and the liquid processing unit. A support drive mechanism for moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing section between the upper region and the nozzle bath via the support, and an arrangement direction of the processing liquid nozzle below each processing liquid nozzle; And an optical sensor that forms an optical axis, and the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use. When a state is detected, it is characterized by including a means for determining that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred and outputting a determination signal, and a countermeasure for performing a countermeasure operation based on the output of the determination signal.

상기 대처 수단은, 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단을 구비하고, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해져도 좋고, 이 경우, 상기 대처 수단은, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역과, 상기 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어 수단을 구비하고 있어도 좋다. The countermeasure includes: imaging means for imaging the distal end of the processing liquid nozzle, and determining means for determining which liquid solution condensation or dripping of the processing liquid has occurred on which processing liquid nozzle based on the imaging result by the imaging means; The judgment by the judging means may be performed based on the output of the judging signal. In this case, the coping means includes a drainage region provided on an extension line in the arrangement direction of the liquid processing portion or between the liquid processing portions in the arrangement direction; The drainage area may be provided with a control means for outputting a control signal to discharge the processing liquid from the processing liquid nozzle which has been determined by the determination means that liquid formation or dripping of the processing liquid has occurred.

예를 들면, 상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 액받이 부재와, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 이동 수단을 구비하고 있어도 좋고, 상기 대처 수단은, 지지체 구동 기구의 이동 및 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 정지 수단을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 상기 대처 수단은, 알람 발생 수단을 구비하고 있어도 좋다. 상기 지지체 구동 기구는 상기 지지체를 승강시키도록 구성되고, 상기 광 센서는 예를 들면 상기 지지체 구동 기구에 대하여 고정된 고정부에 설치되어 있다.For example, the coping means includes a liquid receiving member for receiving liquid condensation and a drop falling from each processing liquid nozzle and the liquid receiving member below the liquid processing nozzle when liquid condensation or dropping of the processing liquid is detected. May be provided with a moving means for moving from the retracted area outside of the liquid receiving area to the liquid receiving area for receiving the liquid, wherein the coping means moves the support drive mechanism and discharge of the processing liquid from the processing liquid nozzle. A stop means for stopping may be provided. Moreover, the said coping means may be equipped with the alarm generating means. The said support drive mechanism is comprised so that the said support body may be raised and lowered, and the said optical sensor is installed in the fixed part fixed with respect to the said support drive mechanism, for example.

본 발명의 기판 처리 방법은, 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 구비하고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고, 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐로부터 기판으로 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하는 공정과, 노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과, 지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과, 광 센서에 의해 각 처리액 노즐의 하방에서 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 공정과, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고, 판정 신호를 출력하는 공정과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. The substrate processing method of this invention is equipped with the board | substrate holding | maintenance part which hold | maintains a board | substrate horizontally in the cup in which the opening part was formed in the upper side, respectively, and is common to the some liquid processing part arrange | positioned in the horizontal direction mutually, and the arrangement of the said liquid processing part A step of supplying different types of processing liquids from the plurality of processing liquid nozzles provided on the support along the direction to the substrate, the process of waiting the processing liquid nozzles in the nozzle bath, and the upper portion of each of the liquid processing portions by the support driving mechanism. Moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing unit via the support between the area and the nozzle bath, and an optical axis along the arrangement direction of the processing liquid nozzles under each processing liquid nozzle by an optical sensor; And a state in which the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use. Is judged that the liquid condensation or addition of the treatment solution occurred, and based on the step of outputting the determination signal and the output of the determination signal characterized in that it comprises a step of carrying out coping behavior.

예를 들면, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정을 포함하고 있어도 좋고, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하는 공정과, 상기 처리액의 토출을 행하기 위하여 제어 수단으로부터 제어 신호를 출력하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.For example, the step of performing the coping operation includes the step of picking up the tip portion of the processing liquid nozzle by the imaging means and the formation or dropping of the processing liquid to a certain processing liquid nozzle based on the imaging result by the imaging means. And judging by the judging means based on the output of the judging signal, and may be included on an extension line in the arrangement direction of the liquid processing unit or in the arrangement direction. A process of discharging the processing liquid from the processing liquid nozzle which is determined by the determination means that liquid condensation or dropping has occurred in the liquid discharge region provided between the liquid processing units, and controlled by the control means to perform the discharge of the processing liquid. It may include the step of outputting a signal.

또한, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 액받이 부재에 의해 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 공정과, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 이동 수단에 의해 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 공정을 포함하고 있어도 좋다.In addition, the step of performing the coping action includes a step for receiving a liquid condensation and a drop of the processing liquid from each of the processing liquid nozzles by the liquid receiving member, and the liquid receiving when the liquid condensation or dropping of the processing liquid is detected. It may include the process of moving a member from the evacuation area | region of the outer side of the said liquid receiving area to the liquid receiving area for receiving liquid below a liquid processing nozzle by a moving means.

본 발명의 기억 매체는, 기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상술한 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다. The storage medium of the present invention is a storage medium in which a computer program used in a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate is stored, wherein the computer program is for performing the above-described liquid processing method.

본 발명에 따르면, 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 처리액 노즐의 하방에서 당해 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때 처리액의 액 맺힘 또는 적하(適下)가 발생했다고 판정하여 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비하고 있다. 따라서, 각 처리액 노즐이 횡방향으로 배열된 각 액처리부 상을 이동함에 있어서, 기판 또는 기판 보지부에 처리액이 적하하여 정상적인 처리를 방해 받거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 이 결과로서 수율의 저하가 억제된다. According to the present invention, an optical sensor for forming an optical axis in an array direction of the processing liquid nozzle below the processing liquid nozzle provided along the arrangement direction of the liquid processing unit, and by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use. Means for outputting a determination signal upon determining that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred when detecting a state in which the optical axis is blocked, and a coping means for performing a coping operation based on the output of the determination signal; have. Therefore, when each processing liquid nozzle moves on each liquid processing part arranged in the horizontal direction, it is suppressed that a processing liquid drips into a board | substrate or a board | substrate holding part, and interrupts normal processing or becomes a particle. As a result, the fall of yield is suppressed.

도 1은 본 발명에 따른 레지스트 도포 장치의 사시도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치의 평면도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포 장치의 도포 처리부의 구성도이다.
도 4는 상기 레지스트 도포 장치의 레지스트 공급부의 사시도이다.
도 5a 및 5b는 상기 레지스트 공급부의 암의 선단측의 평면도이다.
도 6은 상기 암의 이면측의 사시도이다.
도 7은 상기 암의 집합 노즐로부터 액 맺힘이 발생한 상태를 도시한 설명도이다.
도 8a 및 8b는 레지스트가 웨이퍼에 도포되는 공정을 도시한 공정도이다.
도 9는 상기 레지스트 도포 장치의 제어부의 구성도이다.
도 10은 노즐 배스(bath)로의 약액 토출이 행해지는 모습을 도시한 설명도이다.
도 11은 이상(異常)시에서의 암의 위치와 암이 이동하는 노즐 배스와의 관계를 도시한 설명도이다.
도 12는 이상시에서의 동작을 나타낸 순서도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 레지스트 공급부를 도시한 사시도이다.
도 14a 및 14b는 상기 레지스트 공급부의 측면도이다.
도 15는 상기 레지스트 도포 장치를 구비한 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 16은 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 17은 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다.
1 is a perspective view of a resist coating apparatus according to the present invention.
2 is a plan view of the resist coating apparatus.
3 is a configuration diagram of a coating processing unit of the resist coating apparatus.
4 is a perspective view of a resist supply part of the resist coating device.
5A and 5B are plan views of the tip side of the arm of the resist supply unit.
6 is a perspective view of the back side of the arm.
It is explanatory drawing which shows the state which liquid condensation generate | occur | produced from the collection nozzle of the said arm.
8A and 8B are process charts showing a process in which a resist is applied to a wafer.
9 is a configuration diagram of a control unit of the resist coating apparatus.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state in which chemical liquid discharge is performed to a nozzle bath. FIG.
It is explanatory drawing which shows the relationship between the position of an arm at the time of abnormality, and the nozzle bath which an arm moves.
12 is a flowchart showing an operation in abnormality.
13 is a perspective view illustrating a resist supply unit according to another embodiment.
14A and 14B are side views of the resist supply portion.
15 is a plan view of the coating and developing apparatus including the resist coating apparatus.
16 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
17 is a vertical plan view of the coating and developing apparatus.

(제 1 실시예)(First embodiment)

본 발명의 액처리 장치의 일례인 레지스트 도포 장치(1)에 대하여 그 사시도 및 상면도인 도 1 및 도 2를 각각 참조하여 설명한다. 레지스트 도포 장치(1)는 3 개의 도포 처리부(11a, 11b, 11c)와 레지스트 공급부(3)와 레지스트막의 주연부 제거 기구(61a, 61b, 61c)와 레지스트 공급부(3)의 각 노즐을 대기시키기 위한 노즐 배스(bath)(30)를 구비하고 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상에는 하방을 향하여 가스를 공급하고, 하방을 향하는 기류(다운 플로우)를 발생시키기 위한 가스 공급부가 설치되어 있다. The resist coating apparatus 1 which is an example of the liquid processing apparatus of this invention is demonstrated with reference to FIGS. 1 and 2 which are the perspective view and the top view, respectively. The resist coating apparatus 1 is adapted to hold three nozzles of the three coating treatment portions 11a, 11b, 11c, the resist supply portion 3, the peripheral edge removal mechanisms 61a, 61b, 61c of the resist film and the resist supply portion 3; A nozzle bath 30 is provided. In addition, although illustration is abbreviate | omitted, on each coating process part 11a-11c, the gas supply part for supplying gas downward and generating the air flow (downflow) downward is provided.

도포 처리부(11a ~ 11c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c)는 각각 동일하게 구성되어 있고, 여기서는 도포 처리부(11a)를 예로 들어 그 종단 측면을 도시한 도 3을 함께 참조하여 설명한다. 도포 처리부(11a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부인 스핀 척(12a)을 구비하고, 스핀 척(12a)은 회전축(13a)을 개재하여 회전 구동 기구(14a)와 접속되어 있다. 스핀 척(12a)은 회전 구동 기구(14a)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(14a)는 후술하는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 스핀 척(12a)의 회전 속도를 제어한다.The coating treatments 11a to 11c are arranged in a row in the transverse direction. Each coating processing part 11a-11c is comprised in the same, respectively, and it demonstrates here with reference to FIG. 3 which shows the longitudinal side surface, taking the coating processing part 11a as an example. The coating processing part 11a is equipped with the spin chuck 12a which is a board | substrate holding | maintenance part which adsorb | sucks and maintains horizontally the center part of the back surface of the wafer W, respectively, and the spin chuck 12a rotates through the rotating shaft 13a. It is connected with the drive mechanism 14a. The spin chuck 12a is configured to be rotatable about a vertical axis with the wafer W held by the rotation drive mechanism 14a, and is set such that the center of the wafer W is located on the rotation axis. . The rotation drive mechanism 14a receives the control signal from the control part 7 mentioned later, and controls the rotation speed of the spin chuck 12a.

스핀 척(12a)의 주위에는 스핀 척(12a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(20a)를 구비한 컵(21a)이 설치되어 있고, 컵(21a)의 측주면 상단측은 내측으로 경사진 경사부(22a)를 형성하고 있다. 컵(21a)의 저부측에는, 예를 들면 오목부 형상을 이루는 액받이부(23a)가 형성되어 있다. 액받이부(23a)는 격벽(24a)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 하방측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저장된 레지스트 등의 드레인을 배출하기 위한 배액구(25a)가 형성되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(26a, 26a)가 형성되어 있다.Around the spin chuck 12a, a cup 21a having an opening 20a is provided to surround the wafer W on the spin chuck 12a, and the upper end side of the side surface of the cup 21a is The inclined portion 22a inclined inward is formed. On the bottom side of the cup 21a, the liquid receiving part 23a which forms a recessed part shape is formed, for example. The liquid receiving portion 23a is partitioned into the outer region and the inner region over the entire circumference of the lower portion of the wafer W by the partition wall 24a. A drain port 25a for discharging the drain of the stored resist or the like is formed at the bottom of the outer region, and exhaust ports 26a and 26a for exhausting the processing atmosphere are formed at the bottom of the inner region.

배기구(26a, 26a)에는 배기관(27a)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(27a)의 타단은 배기 댐퍼(damper)(28a)를 개재하여, 예를 들면 레지스트 도포 장치(1)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(28a)는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 컵(21a) 내의 배기량을 제어한다.One end of the exhaust pipe 27a is connected to the exhaust ports 26a and 26a, and the other end of the exhaust pipe 27a is connected to an exhaust damper 28a, for example, in a factory where the resist coating device 1 is installed. It is connected to the exhaust passage. The exhaust damper 28a receives the control signal from the control unit 7 to control the amount of exhaust in the cup 21a.

도면 중 15a는 승강 가능하게 구성된 승강 핀이며, 컵(21a) 내에 3 개 설치되어 있다(도 1 및 도 3에서는 편의상 2 개만 표시하고 있다). 레지스트 도포 장치(1)로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라, 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호에 따라 승강 기구(16a)가 승강 핀(15a)을 승강시키고, 이 기판 반송 수단과 스핀 척(12a) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.In the figure, 15a is a lifting pin configured to be movable up and down, and three are provided in the cup 21a (only two are shown in FIG. 1 and FIG. 3 for convenience). According to the operation of the substrate conveying means (not shown) which conveys the wafer W to the resist coating apparatus 1, the lifting mechanism 16a raises and lowers the lifting pins 15a in accordance with a control signal output from the control unit 7. The wafer W is transferred between the substrate transfer means and the spin chuck 12a.

도포 처리부(11b, 11c)에 대하여 도포 처리부(11a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는 도포 처리부(11a)의 설명에 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 b 및 c를 각각 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각 컵은, 후술한 바와 같이, 액 맺힘 발생 시에 각 컵 간에 이 액 맺힘을 일으키고 있는 노즐로부터 액의 토출 처리를 행하고, 액 맺힘 제거를 행하기 위하여 간격을 두고 배열되어 있다.For the portions corresponding to the respective portions of the coating treatment portion 11a with respect to the coating treatment portions 11b and 11c, the same numerals as those used for the description of the coating treatment portion 11a are used, and b and c are given instead of a. Are shown in each drawing. In addition, each cup of each coating process part 11a-11c carries out the discharge process of the liquid from the nozzle which caused this liquid condensation between each cup at the time of liquid condensation generation, and performs liquid condensation removal, as mentioned later. Arranged at intervals.

이어서, 레지스트 공급부(3)의 구성에 대하여 도 4를 함께 참조하여 설명한다. 레지스트 공급부(3)는 구동 기구(지지체 구동 기구)(32)와 구동 기구(32)로부터 수평 방향으로 연장되는 지지체인 암(33)과 집합 노즐(40)과 고정 부재인 브라켓(50)을 구비하고 있다. 도 1 중 3A는 구동 기구(32)를 지지하는 기대(基臺)이며, 도포 처리부(11a ~ 11c)의 배열 방향으로 연장된 가이드(31)를 구비하고 있다. 구동 기구(32)는 가이드(31)의 길이 방향을 따라 이동한다. 집합 노즐(40)은 암(33)의 선단부를 이루는 노즐 헤드(34)의 하측에 지지되어 있고, 농도 또는 성분이 상이한 10 종류의 레지스트를 각각 공급하는 10 개의 레지스트 토출 노즐(41)과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트를 쉽게 퍼지도록 하기 위한 처리액, 예를 들면 시너를 공급하는 시너 토출 노즐(42)로 이루어진다. 여기서는 레지스트 및 시너를 총칭하여 약액이라고 한다. 각 노즐(41, 42)은 암(33)에 의한 이들 노즐(41, 42)의 이동 방향과 병행하여 배열되어 있다.Next, the structure of the resist supply part 3 is demonstrated with reference to FIG. The resist supply section 3 includes a drive mechanism (support drive mechanism) 32, an arm 33 as a support extending in the horizontal direction from the drive mechanism 32, an assembly nozzle 40, and a bracket 50 as a fixing member. Doing. 3A in FIG. 1 is a base which supports the drive mechanism 32, and is provided with the guide 31 extended in the arrangement direction of the coating process parts 11a-11c. The drive mechanism 32 moves along the longitudinal direction of the guide 31. The aggregate nozzle 40 is supported at the lower side of the nozzle head 34 forming the tip of the arm 33, and each of the ten resist discharge nozzles 41 for supplying ten kinds of resists having different concentrations or components, and a wafer. A thinner discharge nozzle 42 for supplying a processing liquid, for example, thinner, to easily spread the resist on (W). Here, resist and thinner are collectively called chemical liquid. Each nozzle 41 and 42 is arranged in parallel with the direction of movement of these nozzles 41 and 42 by the arm 33.

또한, 암(33)은 구동 기구(32)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있고, 도 5a 및 도 5b는 암(33)이 각각 상승 위치 및 하강 위치에 있는 상태를 도시하고 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c), 주연부 제거 기구(61a ~ 61c) 및 노즐 배스(30)와의 간섭을 방지하기 위하여 암(33)은 이와 같이 상승된 상태로 횡방향으로 이동하고, 집합 노즐(40)로부터 약액을 웨이퍼(W)로 공급할 때에는 미스트의 발생을 억제하기 위하여 웨이퍼(W)와 노즐(41, 42) 간의 거리가 소정의 크기가 되도록 하강 위치로 이동한다.In addition, the arm 33 is comprised by the drive mechanism 32 so that lifting and lowering is possible, and FIG. 5A and FIG. 5B show the state in which the arm 33 is in an up position and a down position, respectively. In order to prevent interference with each of the coating treatment parts 11a to 11c, the peripheral edge removing mechanisms 61a to 61c, and the nozzle bath 30, the arm 33 is moved in the horizontal direction in this raised state, and the assembly nozzle 40 At the time of supplying the chemical liquid to the wafer W, the chemical liquid is moved to the lowered position so that the distance between the wafer W and the nozzles 41 and 42 becomes a predetermined size in order to suppress generation of mist.

각 노즐(41, 42)은 수직 하방으로 개구된 약액의 토출구를 구비하고 있다. 각 노즐(41, 42)은 구동 기구(32)의 횡방향의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동할 수 있고, 수직축 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 각 토출구로부터 약액을 토출한다. 토출된 약액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 확산되는 이른바 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 도포된다.Each nozzle 41 and 42 is provided with the discharge port of the chemical liquid opened vertically downward. Each of the nozzles 41 and 42 can move on the center of the wafer W according to the movement of the drive mechanism 32 in the lateral direction, and discharge the chemical liquid from each discharge port to the center of the wafer W that rotates about the vertical axis. do. The discharged chemical liquid is applied to the entire surface of the wafer W by so-called spin coating which is diffused to the periphery of the wafer W by centrifugal force.

도 3 중 43은 약액 공급 유닛이다. 약액 공급 유닛(43)은 각 노즐(41, 42)로 각각 공급되는 약액이 저장된 탱크와, 탱크 내를 가압하여 당해 탱크 내의 약액을 노즐로 송액하기 위한 송액 수단을 구비한 약액 공급 기구(44)에 의해 구성되어 있고, 약액 공급 기구(44)는 노즐(41, 42)과 동일한 수인 11 대 설치되어 있다. 도 3 중 45는 노즐(41, 42)과 각 약액 공급 기구(44)를 접속시키는 약액 공급 라인이며, 각 약액 공급 라인(45)에는 밸브(46)를 포함하는 유량 제어부(47)가 설치되어 있다. 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 각 밸브(46)의 개폐가 제어되고 10 종류의 레지스트와 시너를 전환하여 웨이퍼(W)로 공급할 수 있도록 되어 있다.43 in FIG. 3 is a chemical liquid supply unit. The chemical liquid supply unit 43 has a chemical liquid supply mechanism 44 including a tank in which the chemical liquid supplied to each of the nozzles 41 and 42 is stored, and a liquid feeding means for pressurizing the inside of the tank to feed the chemical liquid into the nozzle. It is comprised by 11 and 11 chemical liquid supply mechanisms 44 which are the same number as the nozzles 41 and 42 are provided. 45 in FIG. 3 is a chemical liquid supply line which connects nozzles 41 and 42 and each chemical liquid supply mechanism 44, and each chemical liquid supply line 45 is provided with the flow control part 47 including the valve 46. In FIG. have. In response to the control signal from the control unit 7, the opening and closing of each valve 46 is controlled, and ten kinds of resists and thinners can be switched and supplied to the wafer W. FIG.

도 6은 암(33)의 이면을 도시하고 있고, 당해 암(33)의 이면측에는 화상을 취득하기 위한 이미지 센서(촬상 수단)인 카메라(35)와 광원(36)이 설치되어 있다. 카메라(35)는, 예를 들면 광각 렌즈를 구비하고, 노즐(41, 42)의 배열 방향과 대략 직교하는 방향으로부터 이들 노즐(41, 42)의 선단부를 촬상하여, 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으킨 노즐을 특정할 수 있도록 되어 있다. 촬상을 행할 때에 광원(36)은 노즐(41, 42)을 비춘다. 카메라(35)는 레지스트 도포 처리 중에 제어부(7)로 상시 화상을 송신하고 있는데, 이 화상 데이터의 해석은 후술하는 해석 프로그램을 실행함에 따른 CPU(74)의 부하를 억제하기 위하여 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에만 행해진다.FIG. 6 shows the rear surface of the arm 33, and a camera 35 and a light source 36, which are image sensors (imaging means) for acquiring an image, are provided on the rear surface side of the arm 33. As shown in FIG. The camera 35 is equipped with a wide-angle lens, for example, and captures the tip portions of these nozzles 41 and 42 from a direction substantially orthogonal to the arrangement direction of the nozzles 41 and 42, causing liquid condensation and dropping. The nozzle can be specified. When imaging is performed, the light source 36 illuminates the nozzles 41 and 42. The camera 35 is constantly transmitting an image to the control unit 7 during the resist coating process, and the analysis of the image data is carried out to reduce the load on the CPU 74 by executing the analysis program described later. Only when is detected.

여기서, 액 맺힘이란 노즐의 선단으로부터 하방으로 액적이 노출된 상태를 의미하고, 액적 낙하(처리액의 적하)란 상기 액 맺힘이 성장한 결과, 상기 선단으로부터 약액이 분리된 상태를 의미한다. 또한, 제어부(7)는, 예를 들면 암(33)의 선단측에서 봤을 때 왼쪽으로부터 차례로 No.1, No.2 … No.11과 같이 노즐 번호를 부여하고, 그 번호마다 후술하는 바와 같이 이상 발생 상황을 관리하고 있다.Here, the liquid confinement means a state in which the liquid droplets are exposed downward from the tip of the nozzle, and the drop of liquid (dropping of the treatment liquid) means that the chemical liquid is separated from the distal end as a result of the growth of the liquid condensation. In addition, the control part 7 is No. 1, No. 2, in order from the left side, for example, when viewed from the front end side of the arm 33. The nozzle number is assigned like No. 11, and the abnormal occurrence situation is managed for each number as described later.

이어서, 브라켓(50)에 대하여 설명한다. 브라켓(50)의 기부측은 구동 기구(32)에 고정되어 있고, 브라켓(50)의 선단측은 암(33)을 따라 연장되어 있다. 브라켓(50)의 선단부(51)는, 도 5a 및 도 5b 에 도시하는 바와 같이, 암(33)의 선단측에서 봤을 때 노즐 헤드(34)를 좌우에서 샌드위치하는 측판(52a, 52b)을 구비하고 있다. 측판(52a, 52b)에는 서로 쌍이 되는 투광부(投光部)(53a), 수광부(53b)에 의해 구성된 투과형의 광학 센서(광 센서)(53)가 설치되어 있다. 따라서, 암(33)이 상기와 같이 도 1 중 Y 방향(도포 처리부(11a ~ 11b)의 배열 방향) 및 높이 방향(Z 방향)으로 이동할 수 있는데 반해, 광학 센서(53)는 구동 기구(32)의 이동에 따라 Y 방향으로 암(33)과 일체로 이동하지만 Z 방향으로는 이동하지 않는다. 약액을 웨이퍼(W)에 토출할 때에 광학 센서(53)도 암(33)과 함께 하강하여 웨이퍼(W)와의 거리가 가까워지면, 약액의 튐에 의해 투광부(53a, 53b)가 오염되어, 투광량 및 수광량이 저하될 우려가 있다. 따라서, 이와 같이 암(33)의 하강에 상관없이 광학 센서(53)가 하강하지 않는 구성으로 함으로써, 액 맺힘 및 액적 낙하의 오(誤)검지가 될 리스크가 저하되기 때문에 바람직하다.Next, the bracket 50 will be described. The base side of the bracket 50 is fixed to the drive mechanism 32, and the tip side of the bracket 50 extends along the arm 33. 5A and 5B, the tip end portion 51 of the bracket 50 has side plates 52a and 52b sandwiching the nozzle head 34 from side to side when viewed from the tip side of the arm 33. As shown in FIG. Doing. The side plates 52a and 52b are provided with a transmissive optical sensor (light sensor) 53 constituted by a light transmitting portion 53a and a light receiving portion 53b which are paired with each other. Accordingly, the arm 33 can move in the Y direction (arrangement direction of the coating processing units 11a to 11b) and the height direction (Z direction) in FIG. 1 as described above, whereas the optical sensor 53 drives the drive mechanism 32. ) Moves integrally with the arm 33 in the Y direction but does not move in the Z direction. If the optical sensor 53 is also lowered together with the arm 33 when the chemical liquid is discharged to the wafer W, and the distance to the wafer W becomes close, the light transmitting portions 53a and 53b are contaminated by the chemical liquid. There is a concern that the light emission amount and the light reception amount may decrease. Therefore, the optical sensor 53 is not lowered regardless of the lowering of the arm 33, so that the risk of false detection of liquid build-up and droplet drop is reduced.

암(33)이 상승 위치에 위치하고 있을 때 투광부(53a) 및 수광부(53b)는 노즐(41, 42)보다 하방에 위치하고 있고, 도 5a 중 쇄선의 화살표로 도시한 바와 같이, 투광부(53a)로부터 수광부(53b)로 노즐(41, 42)의 배열 방향을 따라 이들 노즐(41, 42)의 선단의 하방을 통과하도록 빛이 조사되고, 도면 중에 쇄선의 화살표로 도시한 광축(L1)이 형성된다. 투광부(53a)로서는 레지스트가 감광되는 리스크를 억제하기 위하여 가시광 등 장파장 영역의 광을 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 조사되는 광으로서는 레이저와 같이 지향성이 높은 것이면 더욱 좋다. 광축(L1)과 노즐(41, 42)의 하단 간의 거리(L)는, 예를 들면 0.5 mm ~ 1.5 mm이다.When the arm 33 is in the raised position, the light transmitting portion 53a and the light receiving portion 53b are located below the nozzles 41 and 42, and the light transmitting portion 53a as shown by the dashed line arrow in FIG. 5A. ) Is irradiated along the arraying direction of the nozzles 41 and 42 to the light receiving part 53b so as to pass below the tip of these nozzles 41 and 42, and the optical axis L1 shown by the dashed line arrow in the figure is Is formed. As the light transmitting portion 53a, it is preferable to irradiate light in a long wavelength region such as visible light in order to suppress the risk of photoresist being exposed. In addition, the light irradiated in this way may be more directional such as a laser. The distance L between the optical axis L1 and the lower ends of the nozzles 41 and 42 is, for example, 0.5 mm to 1.5 mm.

수광부(53b)는 이 수광하는 광량에 따른 출력 신호를 제어부(7)로 송신한다. 도 5a 에 도시한 바와 같이, 암(33)이 상승 위치에 위치할 때에 액 맺힘(D)이 발생하거나 액적 낙하가 일어나면, 이 액적이 투광부(53a)로부터 수광부(53b)로 조사된 광을 차단하여 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되고, 이 저하에 따라 수광부(53b)가 출력하는 상기 신호가 변화된다.The light receiving unit 53b transmits an output signal corresponding to the amount of light received by the control unit 7. As shown in Fig. 5A, when liquid condensation D occurs or droplet drop occurs when the arm 33 is in the raised position, the droplet irradiates the light irradiated from the light transmitting portion 53a to the light receiving portion 53b. The amount of light received by the light receiving portion 53b by blocking is reduced, and the signal output by the light receiving portion 53b changes according to the decrease.

이어서, 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)에 대하여 설명한다. 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각각의 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 주연부를 제거하여 당해 주연부의 막의 박리를 방지하기 위하여 설치되어 있다. 각 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 레지스트의 용제인 시너를 웨이퍼(W) 주연부로 공급하는 시너 토출 노즐(62)과, 당해 시너 토출 노즐(62)을 보지하는 암(63)과, 암(63)을 보지하는 구동 기구(64)를 구비하고 있다. 구동 기구(64)는 암(63)을 승강시키고 또한 가이드(65)를 따라 Y 방향으로 이동한다. 도면 중 66a ~ 66c는 상측이 개구된 컵 형상으로 형성된 노즐 배스이며, 도포 처리부(11a ~ 11c)의 열을 따라 설치되어 있다. 각 시너 토출 노즐(62)은 처리를 행하지 않을 때에 각각 노즐 배스(66a ~ 66c) 내에 수납되어 대기하고, 처리를 행할 때에 대응되는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W)의 주연부 상으로 이동한다.Next, the coating-film peripheral part removal mechanism 61a-61c is demonstrated. The coating film peripheral part removal mechanisms 61a-61c are provided in order to remove the peripheral part of the resist film formed in each wafer W of the coating process parts 11a-11c, and to prevent peeling of the film | membrane of the said peripheral part. Each of the coating film peripheral edge removal mechanisms 61a to 61c includes a thinner discharge nozzle 62 for supplying thinner, which is a solvent of resist, to the periphery of the wafer W, an arm 63 for holding the thinner discharge nozzle 62; The drive mechanism 64 holding the arm 63 is provided. The drive mechanism 64 raises and lowers the arm 63 and moves along the guide 65 in the Y direction. In the figure, 66a-66c is a nozzle bath formed in the cup shape which opened the upper side, and is provided along the row | line | column of the coating process parts 11a-11c. Each thinner discharge nozzle 62 is housed in the nozzle baths 66a to 66c when the process is not performed, and then moves on the periphery of the wafer W of the coating treatment parts 11a to 11c corresponding to the process. do.

노즐 배스(30)는 집합 노즐(40)이 이동하는 Y 방향의 일단측에 설치되어 있고, 상측이 개구된 컵 형상으로 형성되어 있다. 집합 노즐(40)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 상기 노즐 배스(30) 내에 수납되어 대기한다. 또한, 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에는 배액 영역을 이루는 이들 노즐 배스(30, 66a ~ 66c) 내로 약액이 토출되는 경우가 있어, 노즐 배스(30, 66a ~ 66c) 내에는 그 토출된 약액을 배액하는 도시하지 않은 배액로가 형성되어 있다.The nozzle bath 30 is provided in the one end side of the Y direction which the aggregation nozzle 40 moves, and is formed in the cup shape which opened the upper side. The collective nozzle 40 is accommodated in the nozzle bath 30 and waits when the wafer W is not processed. In addition, when liquid formation and droplet drop are detected, the chemical liquid may be discharged into these nozzle baths 30, 66a to 66c constituting the drainage region, and the discharged chemical liquid may be discharged into the nozzle baths 30, 66a to 66c. A drain passage, not shown, for draining is formed.

이어서, 레지스트 도포 장치(1)에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 공정에 대하여 설명한다. 도포 장치(1)의 외부의 반송 수단에 의해, 예를 들면 도포 처리부(11a)로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)에 의해 스핀 척(12a)으로 전달된다. 그 후, 노즐 배스(30)에서 대기하고 있는 집합 노즐(40)이 암(33)에 의해 상승하여 당해 노즐 배스(30)로부터 나온 후, Y 방향으로 이동하여 시너 토출 노즐(42)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하면(도 8a), 암(33)이 하강한다. 이 암(33)의 이동 동작과 병행하여 스핀 척(12a)을 회전시키고, 이 회전 중인 웨이퍼(W) 상으로 시너를 공급한다. 시너가 스핀 코팅된 후, 당해 처리에서 이용되는 레지스트 토출 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하도록 암(33)이 Y 방향으로 이동한다. 이 이동 동작과 병행하여 웨이퍼(W)의 회전 수가 상승하여 웨이퍼(W) 상으로 레지스트(R)가 공급되고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 레지스트(R)가 도포된다(도 8b). Next, the process of apply | coating a resist to the wafer W by the resist coating apparatus 1 is demonstrated. Wafer W conveyed to the coating process part 11a by the conveyance means external to the coating device 1 is transferred to the spin chuck 12a by the lifting pin 15a, for example. Thereafter, the assembly nozzle 40 waiting in the nozzle bath 30 rises by the arm 33 and exits the nozzle bath 30, and then moves in the Y direction so that the thinner discharge nozzle 42 moves to the wafer ( When placed on the center of W (FIG. 8A), the arm 33 is lowered. In parallel with the movement of the arm 33, the spin chuck 12a is rotated, and thinner is supplied onto the rotating wafer W. As shown in FIG. After the thinner is spin coated, the arm 33 moves in the Y direction so that the resist discharge nozzle 41 used in the process is located on the center of the wafer W. As shown in FIG. In parallel with this movement operation, the number of rotations of the wafer W increases, the resist R is supplied onto the wafer W, and the resist R is applied to the entire surface of the wafer W by spin coating (FIG. 8B). ).

상기 레지스트(R) 공급 정지 후, 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시켜 레지스트(R)의 두께를 균일하게 하고, 이어서 재차 회전 수를 상승시킴으로써 코팅된 레지스트(R)를 털어 건조하여 레지스트막을 형성한다. 그 동안 암(33)이 상승 위치로 이동한 후 노즐 배스(30) 상으로 횡방향으로 이동하고, 그 후에 하강하여 당해 노즐 배스(30) 내에서 대기한다. 한편, 회전 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는 그 웨이퍼(W)가 회전하는 상태로 시너 토출 노즐(2)로부터 시너가 공급되어 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트막이 제거된다. 그 후, 레지스트막의 경우와 마찬가지로 시너의 회전 건조를 행하여 일련의 액처리를 완료한다.After the supply of the resist R is stopped, the rotation speed of the wafer W is lowered to make the thickness of the resist R uniform, and then the rotation speed is increased again to shake off the coated resist R to form a resist film. do. In the meantime, after the arm 33 moves to a raise position, it moves to the nozzle bath 30 laterally, and it descends and waits in the said nozzle bath 30 after that. On the other hand, with respect to the wafer W on which rotation drying is completed, thinner is supplied from the thinner discharge nozzle 2 while the wafer W rotates, and the resist film applied to the periphery of the wafer W is removed. Thereafter, as in the case of the resist film, a thinner is subjected to rotational drying to complete a series of liquid treatments.

시너 토출 노즐(2)을 주연부 제거 기구(61a)의 노즐 배스(66a)까지 퇴피시킨 후, 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)에 의해 장치(1) 외부의 반송 수단으로 전달되어 레지스트 도포 장치(1)로부터 반출된다. 이리하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c)에는, 예를 들면 미리 설정된 웨이퍼(W)의 반송 사이클에 따라 상기 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 간격으로 차례로 반송되고, 암(33)은 도포 처리부(11a)로 이동했을 때와 마찬가지로 다른 도포 처리부로도 이동하여 동일한 처리가 행해진다.After the thinner discharge nozzle 2 is retracted to the nozzle bath 66a of the peripheral portion removal mechanism 61a, the wafer W is transferred to the conveying means outside the apparatus 1 by the lifting pins 15a, and the resist coating device It is taken out from (1). In this way, the wafers W are sequentially transferred to the respective coating treatment units 11a to 11c at predetermined intervals by the transfer means, for example, in accordance with a transfer cycle of the wafer W set in advance, and the arm 33 is coated. Similarly to when it moved to the processing part 11a, it moves also to another coating process part, and the same process is performed.

이 예에서, 암(33)은 노즐 배스(30)로부터 먼저 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 거기서 액처리를 끝낸 후, 일단 노즐 배스(30)로 돌아오고, 나중에 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 하지만, 노즐 배스(30)로부터 하나의 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한 후, 노즐 배스(30)로 돌아오지 않고 다른 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 처리를 행하고, 예를 들면 복수 회 도포 처리부(11a ~ 11c) 간을 이동한 후 노즐 배스(30)로 돌아오도록 암(33)을 동작시켜도 좋다.In this example, the arm 33 first moves from the nozzle bath 30 to the coating treatment units 11a to 11c to which the wafer W has been conveyed and finishes the liquid processing there, and then returns to the nozzle bath 30 once, Later, the wafer W moves to the coating processing units 11a to 11c conveyed. However, after moving from the nozzle bath 30 to one application processing part 11a-11c, it does not return to the nozzle bath 30, but moves to another application processing part 11a-11c, and performs processing, for example, The arm 33 may be operated so as to return to the nozzle bath 30 after moving between the plaster applications 11a to 11c.

이 레지스트 도포 장치(1)에는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 대처 수단을 구성하는 제어부(7)가 설치되어 있다. 제어부(7)의 구성에 대하여 도 9 를 참조하여 설명한다. 도면 중 70은 버스이며, 제어부(7)는 이들 버스(70)에 접속된 처리 프로그램(71), 해석 프로그램(7A), 제 1 메모리(72), 제 2 메모리(73), CPU(74), 조작부(75), 표시부(76)를 구비하고 있다. 판단 수단을 구성하는 해석 프로그램(7A)은 이상 발생 시에 카메라(35)로부터 송신된 화상의 해석 처리를 행하고, 처리 프로그램(71)은 그 이외의 처리를 행한다.In this resist coating apparatus 1, the control part 7 which comprises the coping means which consists of computers, for example is provided. The structure of the control part 7 is demonstrated with reference to FIG. In the figure, 70 is a bus, and the control part 7 is the process program 71, the analysis program 7A, the 1st memory 72, the 2nd memory 73, and the CPU 74 connected to these buses 70. And an operation unit 75 and a display unit 76. The analysis program 7A constituting the judging means performs an analysis process of the image transmitted from the camera 35 when an abnormality occurs, and the process program 71 performs other processes.

제 1 메모리(72)에는 처리 온도, 처리 시간, 각 약액의 공급량 또는 전력치등의 처리 파라미터 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU(74)가 처리 프로그램(71)의 각 명령을 실행할 때에 이들 처리 파라미터가 독출되고, 이 파라미터치에 따른 제어 신호가 이 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 보내진다. 처리 프로그램(71)의 작용으로서는 이들 처리 파라미터의 입력 조작 또는 표시에 관한 동작도 포함된다. 처리 프로그램(71) 및 해석 프로그램(7A)은, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 컴퓨터 기억 매체에 의해 구성된 프로그램 저장부(77)에 저장되어 제어부(7)에 인스톨된다.The first memory 72 includes an area in which processing parameter values such as processing temperature, processing time, supply amount of each chemical liquid or power value are written, and when the CPU 74 executes each instruction of the processing program 71. These processing parameters are read out, and a control signal corresponding to this parameter value is sent to each part of this resist coating apparatus 1. The operation of the processing program 71 also includes operations relating to the input operation or display of these processing parameters. The processing program 71 and the analysis program 7A are stored in a program storage unit 77 constituted by computer storage media such as, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a MO (magnet) disk, and a memory card. And is installed in the control unit 7.

제 2 메모리(73)에는 카메라(35)로부터 송신되는 집합 노즐(40) 선단의 화상 데이터와, 유저가 메인터넌스를 위하여 이용하는 후술하는 각종의 데이터가 기억된다. 기억된 상기 화상 데이터에 대해서는 제 2 메모리(73)의 사용 용량을 억제하기 위하여 처리 프로그램(71)에 의해, 예를 들면 소정의 시간 경과 후에 당해 제 2 메모리(73)로부터 소거된다. 조작부(75)로서는 마우스, 키보드 등에 의해 구성되어 있고, 예를 들면 기술한 처리 파라미터의 설정은 이 조작부(75)에 의해 행해진다. 또한, 유저는 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에 취하는 대처 처치로서, 약액의 노즐 배스로의 도포 처리를 목적으로 하지 않는 토출 처리(더미 디스펜스), 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리의 정지 중 어느 하나를 행하거나, 조작부(75)로부터 선택할 수 있도록 되어 있다. 표시부(76)는, 예를 들면 디스플레이로서 구성된다.In the second memory 73, image data at the tip of the collecting nozzle 40 transmitted from the camera 35 and various types of data to be described later used by the user for maintenance are stored. The stored image data is deleted by the processing program 71 from the second memory 73 after a predetermined time elapses, for example, in order to suppress the use capacity of the second memory 73. The operation part 75 is comprised by a mouse, a keyboard, etc., For example, setting of the process parameter described is performed by this operation part 75. As shown in FIG. Further, as a countermeasure taken by the user when liquid formation and droplet drop are detected, the discharging process (dummy dispensing) which is not intended for the coating process of the chemical liquid to the nozzle bath, and the processing in the resist coating apparatus 1 are stopped. Either one can be performed or it can select from the operation part 75. The display unit 76 is configured as a display, for example.

또한, 제어부(7)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 반송을 제어하는 상위 컴퓨터로부터 레지스트 도포 장치(1)로 반송되는 웨이퍼(W)의 ID와, 이 웨이퍼(W)가 반송되는 타이밍 및 반송처인 도포 처리부와, 도포되어야 할 레지스트의 종류 데이터가 송신되고, 이 데이터에 기초하여 처리 프로그램(71)은 집합 노즐(40)을 각 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동시키고, 웨이퍼(W)에 따른 노즐에 의해 레지스트 도포 처리를 행한다. In addition, the control part 7 has ID of the wafer W conveyed to the resist coating apparatus 1 from the host computer which controls conveyance of the wafer W, the timing with which this wafer W is conveyed, and the like, for example. The application processing unit serving as the transfer destination and the type data of the resist to be applied are transmitted. Based on this data, the processing program 71 moves the assembly nozzle 40 to the respective application processing units 11a to 11c, and the wafer W The resist coating process is performed by the nozzle according to the present invention.

버스(70)에는 알람 발생부(79)가 접속되어 있다. 이 알람 발생부(79)는 액 맺힘 발생 및 액적 낙하를 검출했을 때, 장치의 이상을 검출했을 때, 메인터넌스 추천 시기가 왔을 때에 각각 알람을 출력한다. 또한, 버스(70)에는 기술하는 카메라(35), 광원(36), 구동 기구(32), 약액 공급 유닛(43), 유량 제어부(47) 등이 접속되어 있고, 웨이퍼(W)로의 레지스트 도포 처리와 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생에 따른 소정의 대처 동작을 실행할 수 있도록 되어 있다.An alarm generator 79 is connected to the bus 70. The alarm generating unit 79 outputs an alarm when detecting the occurrence of liquid condensation and dropping, detecting an abnormality of the apparatus, and when a maintenance recommendation time has come. In addition, the bus 70 is connected with a camera 35, a light source 36, a driving mechanism 32, a chemical liquid supply unit 43, a flow rate control unit 47, and the like, which are coated with a resist on the wafer W. It is possible to execute a predetermined coping action in accordance with the processing and the formation of the liquid and the drop of the liquid.

여기서, 액 맺힘 발생 및 액적 낙하 및 장치 이상의 각각의 검출 동작과 이들에 대응하는 알람이 발생될 때까지의 공정에 대하여 설명한다. 기술한 바와 같이, 투광부(53a)로부터 조사되는 광이 차단되어 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되었을 때에, 이에 따른 신호(편의상 광량 감소 신호라고 함)가 수광부(53b)로부터 출력된다. 또한, 도 5b에 도시한 바와 같이, 암(33)이 하강 위치에 있을 때에는 처리 프로그램(71)에 의해 암(33)을 이 하강 위치에 위치시키는 신호(편의상 하강 신호라고 함)가 출력되고, 상기 광량 감소 신호가 제어부(7)에 출력된다. 이 때, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고는 판정하지 않는다.Here, a description will be given of the steps of the occurrence of liquid condensation and the drop of the droplets and the respective detection operations of the device abnormality and the occurrence of the alarm corresponding thereto. As described above, when the light irradiated from the light-transmitting section 53a is blocked and the amount of light received by the light-receiving section 53b is lowered, a signal (referred to as a light amount reduction signal for convenience) is output from the light-receiving section 53b. In addition, as shown in FIG. 5B, when the arm 33 is in the lowered position, a signal for positioning the arm 33 at the lowered position (called a lowered signal for convenience) is output by the processing program 71. The light quantity reduction signal is output to the control unit 7. At this time, the processing program 71 does not determine that liquid condensation and droplet drop have occurred.

그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, 암(33)이 상승 위치에 있을 때에는 처리 프로그램(71)에 의해 암(33)을 이 상승 위치에 위치시키는 신호(편의상 상승 신호라고 함)가 출력된다. 이와 같이 상승 신호를 출력하고 있을 때 광량 감소 신호가 출력되면, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고 판정하고, 알람 발생부(79)에 의해 그 취지를 나타내는 알람을 발생시킨다. 암(33)이 상승 위치에 있는 것은 노즐 배스(30)와 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 사이에서 횡방향으로 이동하는 동안 및 도포 처리부(11a ~ 11c), 노즐 배스(30) 상으로 각각 이동 후 하강하기까지 대기하고 있는 동안이다. 따라서, 이들 구간에서 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 감시된다. 그리고, 이와 같이 상승 위치에서 횡방향으로 이동하고 있는 동안 및 상승 위치에서 대기하고 있는 동안 노즐(41, 42)은 미사용이다. 그리고, 하강 신호가 출력되었을 때에 광량 감소 신호가 출력되지 않을 경우, 처리 프로그램(71)은 장치(1) 이상으로 판정하고, 알람 발생부(79)에 의해 그 취지를 나타내는 알람을 발생시킨다.And as shown in FIG. 7, when the arm 33 is in a raised position, the process program 71 outputs the signal (referred to as a rise signal for convenience) which positions the arm 33 in this raised position. When the light amount reduction signal is output while the rising signal is output in this manner, the processing program 71 determines that liquid condensation and droplet drop have occurred, and generates an alarm indicating the effect by the alarm generating unit 79. Let's do it. The arm 33 is in the raised position during the transverse direction between the nozzle bath 30 and each of the coating units 11a to 11c and on the coating units 11a to 11c and the nozzle bath 30, respectively. While waiting to descend after moving. Therefore, the occurrence of liquid condensation and droplet drop is monitored in these sections. In this way, the nozzles 41 and 42 are unused while moving in the transverse direction from the raised position and waiting in the raised position. When the light amount reduction signal is not output when the falling signal is output, the processing program 71 determines that the device 1 or more is generated, and the alarm generating unit 79 generates an alarm indicating the effect.

또한, 상기와 같이 액 맺힘 및 액적 낙하(이상)의 발생을 검출했을 때에, 처리 프로그램(71)은 후에 구체적으로 설명하는 바와 같이 이상을 일으키고 있다고 특정된 노즐(41, 42)에 대하여, 그 노즐 번호와 그 시각을 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 노즐마다 과거에 이상이 일어난 시각에 대하여, 예를 들면 이들 시각의 간격의 평균을 산출하고, 이 평균을 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생하는 주기로서 제 2 메모리(73)에 기억시키고 표시부(76)에 표시한다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 최근의 이상이 일어난 시각에 이 주기를 추가하여 다음에 이상이 발생할 것으로 예상되는 타이밍을 노즐마다 산출하고, 이 산출된 타이밍을 제 2 메모리(73)에 기억시키고 또한 표시부(76)에 표시한다. 또한, 처리 프로그램(71)은 이와 같이 산출된 타이밍이 가까워지면, 메인터넌스 추천 시기가 온 것으로서 판단하고 통지용 알람을 알람 발생부(79)에 의해 발생시킨다. 유저는 이 알람에 기초하여 장치(1)의 메인터넌스를 행할 수 있다.In addition, when detecting the occurrence of liquid condensation and droplet drop (abnormal) as described above, the nozzles 41 and 42 for the nozzles 41 and 42 that are identified as causing an abnormality as described later in detail. The number and the time are associated with each other and stored in the second memory 73. Then, the processing program 71 calculates, for example, the average of the intervals between these time points at the time when abnormalities occur in the past for each nozzle, and uses the average as the period in which liquid buildup and droplet drop occur. ) Is displayed on the display unit 76. The processing program 71 adds this period to the time when the latest abnormality has occurred, calculates the timing at which nozzles are expected to occur next, for each nozzle, and stores the calculated timing in the second memory 73. Displayed on the display unit 76. In addition, when the timing calculated in this way approaches, the processing program 71 judges that the maintenance recommendation time is on, and generates the notification alarm by the alarm generating unit 79. The user can perform maintenance of the apparatus 1 based on this alarm.

또한, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생을 검출했을 때에, 이 때의 암(33)의 위치 및 암(33)의 동작 방향에 대한 데이터를 이상을 일으킨 노즐의 번호에 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 그리고, 예를 들면 표시부(76)에는 노즐마다 과거에 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어난 위치와 이 때의 상기 동작 방향이 표시되고, 유저는 상기 메인터넌스를 행할 때에 이 표시를 참고로 하여 암을 동작시키면서 노즐 상태를 체크할 수 있다.In addition, when the process program 71 detects the formation of liquid buildup and droplet drop, the processing program 71 associates data on the position of the arm 33 and the operation direction of the arm 33 at this time with the number of the nozzle that caused the abnormality. The second memory 73 is stored. For example, the display unit 76 displays the positions where liquid condensation and droplet drop have occurred in the past for each nozzle, and the operation direction at this time, while the user operates the arm with reference to this display when performing the maintenance. You can check the nozzle status.

또한, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하 검출 시에 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 스핀 척(12a ~ 12c)에 재치되어 있던 웨이퍼의 ID를 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 상기 기억된 ID에 대해서도 상기 표시부(76)에 표시되고, 유저는 예를 들면 레지스트 도포 후에 행해지는 검사 공정에서 이 표시에 기초하여 웨이퍼(W)를 선택하여 검사한다.The processing program 71 also stores, in the second memory 73, the ID of the wafer placed on the spin chucks 12a to 12c of the respective coating processing units 11a to 11c at the time of liquid formation and droplet drop detection. The stored ID is also displayed on the display unit 76, and the user selects and inspects the wafer W based on this display, for example, in an inspection process performed after resist application.

이어서, 상기와 같이 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에, 유저의 선택에 의해 행해지는 약액의 노즐 배스로의 토출 처리(더미 디스펜스)에 대하여 설명한다. 이 토출 처리는 촬상에 의해 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐을 특정하고, 이 노즐로부터 액적을 토출시켜 토출구 내의 약액을 일단 제거하여 액적 낙하를 방지하고, 또한 액 맺힘을 흘려 보내어 제거하는 처리이다. 이 처리를 행함에 있어서는, 약액의 토출을 행하기까지 액적이 낙하하는 것을 방지하기 위하여, 이 노즐은 액 맺힘이 검출된 위치로부터 최단 거리에 있는 노즐 배스 상으로 이동하고 노즐 배스로부터 소정의 높이로 하강하여, 도 10에 도시한 바와 같이, 약액의 토출을 행한다. 구체적으로, 예를 들면 도 11 중의 쇄선으로 둘러싼 영역(T1, T2, T3, T4)에 암이 위치하고 있을 때에 노즐에 이상이 검출되었을 경우, 암(33)은 이 노즐이 각각 노즐 배스(30, 66a, 66b, 66c) 상에 위치하도록 이동한다. 도 10에서는 노즐 배스(66a)에 약액이 토출되는 모습을 도시하고 있지만, 다른 노즐 배스에서도 마찬가지로 약액이 토출된다.Next, when liquid formation and droplet drop are detected as mentioned above, the discharge process (dummy dispense) of the chemical liquid performed by the user's selection to a nozzle bath is demonstrated. This ejection process is a process of specifying a nozzle which causes liquid condensation and droplet drop by imaging, ejecting liquid droplets from this nozzle to remove the chemical liquid in the ejection opening to prevent the liquid drop, and further flowing the liquid condensation. . In performing this process, in order to prevent the droplets from falling until the ejection of the chemical liquid, the nozzle moves on the nozzle bath at the shortest distance from the position at which liquid condensation is detected and moves to a predetermined height from the nozzle bath. It descends and discharges chemical liquid as shown in FIG. Specifically, for example, when an abnormality is detected in the nozzle when the arm is located in the regions T1, T2, T3, and T4 enclosed by the broken lines in FIG. 11, the arm 33 has the nozzle bath 30, respectively. Move to locate on 66a, 66b, 66c. Although the chemical liquid is discharged to the nozzle bath 66a in FIG. 10, the chemical liquid is discharged similarly to another nozzle bath.

이어서, 상기와 같이 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리가 행해지고 있을 때, 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생했을 경우의 동작에 대하여 도 12의 순서도를 참조하여 설명한다. 이 때, 유저에 의해 상기 노즐 배스로의 토출 처리를 행하도록 설정되고, 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리의 정지는 설정되지 않은 것으로 한다. 그리고, 예를 들면 상기한 바와 같이 노즐 배스(30)로부터 도포 처리부(11b)로 암(33)이 향할 때, No. 3의 노즐에 액 맺힘이 발생한 것으로 하고, 이동처인 도포 처리부(11b)에서는 No. 5의 노즐에서 레지스트의 공급이 행해지는 것으로 한다. 상기한 바와 같이, 액 맺힘에 의해 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되고, 이 수광부(53b)로부터의 출력 신호에 기초하여 처리 프로그램(71)이 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고 판정하고(단계(S1)), 알람 발생부(79) 에 의해 알람을 발생시킨다(단계(S2)). Next, when the coating process is performed on the wafer W as described above, the operation when liquid condensation and droplet drop occur will be described with reference to the flowchart of FIG. 12. At this time, it is set to perform the discharge process to the said nozzle bath by a user, and the stop of the process in the resist coating apparatus 1 shall not be set. For example, when the arm 33 is directed from the nozzle bath 30 to the coating processing part 11b as described above, No. Liquid condensation has occurred in the nozzle of 3, and in the coating process part 11b which is a moving destination, No. It is assumed that the resist is supplied from the nozzle of 5. As described above, the amount of light received by the light receiving portion 53b decreases due to liquid condensation, and the processing program 71 determines that liquid condensation and droplet drop have occurred based on the output signal from the light receiving portion 53b. (Step S1), the alarm is generated by the alarm generating unit 79 (step S2).

그리고, 알람의 발생과 병행하여 처리 프로그램(71)에 의한 이상 발생의 판정이 트리거(trigger)가 되어 해석 프로그램(7A)이 기동되고(단계(S3)), 당해 해석 프로그램(7A)은 카메라(35)로부터 제어부(7)로 송신되어 제 2 메모리(73)에 기억된 화상에 기초하여 어느 노즐에 이상이 일어나고 있는지 판정한다(단계(S4)). 판정 후, 해석 프로그램(7A)의 동작이 정지하고, 이 판정 결과에 기초하여, 처리 프로그램(71)이 이 이상 검출 시의 암(33) 위치와 암(33)의 동작 방향과 이상 검출시의 시각에 대한 데이터를, 이상이 일어났다고 판정된 No. 3의 노즐에 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 또한, 이 이상 검출 시에 레지스트 도포 장치(1)로 반송되어 있는 웨이퍼(W)의 ID에 대해서도 제 2 메모리(73)에 기억된다(단계(S5)).In parallel with the occurrence of the alarm, the determination of the occurrence of abnormality by the processing program 71 triggers and the analysis program 7A is started (step S3). On the basis of the image transmitted from the 35 to the control unit 7 and stored in the second memory 73, it is determined which nozzle is causing an abnormality (step S4). After the determination, the operation of the analysis program 7A stops, and based on the determination result, the processing program 71 determines the position of the arm 33 at the time of this abnormality detection, the operation direction of the arm 33, and the time at the time of abnormality detection. The data for the time was the No. determined to be abnormal. The second memory 73 is stored in correspondence with the three nozzles. In addition, the ID of the wafer W conveyed to the resist coating apparatus 1 at the time of abnormality detection is also stored in the 2nd memory 73 (step S5).

이 처리 프로그램(71)은 이번에 기억된 이상 검출 시의 시각과 그 때까지 제 2 메모리(73)에 기억된 No. 3의 노즐의 이상 검출 시의 시각에 기초하여, 이 No. 3의 노즐이 이상을 일으키는 주기 및 다음에 이상이 일어날 타이밍을 연산하여 이 연산 결과를 표시부(76)에 표시하고, 이 이상이 일어난 No. 3의 노즐이 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용될 노즐인지의 여부를 판정한다(단계(S6)).This processing program 71 is the time at which the abnormality is detected at this time and the No. 2 stored in the second memory 73 until then. Based on the time at the time of abnormality detection of the nozzle of 3, this No. The period in which the nozzle of 3 causes an abnormality and the timing at which an abnormality occurs next are calculated, and the result of this calculation is displayed on the display unit 76. It is determined whether the nozzle of 3 is a nozzle to be used for the coating process immediately after the abnormality detection (step S6).

이 경우에는 집합 노즐(40)의 이동처인 도포 처리부(11b)에서 No. 5의 노즐이 사용되므로, 단계(S6)에서 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용되는 노즐이 아니라고 판정된다. 그리고, 암(33)은 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때의 위치에 대응하는 노즐 배스 상으로 이동한다. 예를 들면, 액 맺힘 및 액적 낙하 검출 시에 도 11의 영역(T3)에 암(33)이 위치하고 있다고 하면, 암(33)은 이 영역(T3)에 대응하는 노즐 배스(66b) 상에 이상을 일으킨 No. 3의 노즐이 위치하도록 이동한다. 그리고, 노즐 배스(66b)를 향하여 암(33)이 하강하고, 그 후, 이상이 일어난 No. 3의 노즐로부터 노즐 배스(66b)에 약액이 토출된다(단계(S7)). 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하여 단계(S1) 실행 전의 동작이 재개되고, 암(33)은 재차 도포 처리부(11b)로 이동하여 도포 처리가 행해진다.In this case, the coating treatment unit 11b, which is the moving destination of the assembly nozzle 40, is No. 1. Since the nozzle of 5 is used, it is determined in step S6 that the nozzle is not used for the coating process immediately after the abnormality detection. Then, the arm 33 moves on the nozzle bath corresponding to the position when liquid condensation and droplet drop are detected. For example, when the arm 33 is located in the area T3 of FIG. 11 at the time of liquid condensation and droplet drop detection, the arm 33 is abnormal on the nozzle bath 66b corresponding to this area T3. No. that caused the Move to position the nozzle of 3. And the arm 33 falls toward the nozzle bath 66b, and after that, the abnormality No. The chemical liquid is discharged from the nozzle of 3 to the nozzle bath 66b (step S7). After the chemical liquid is discharged, the processing program 71 determines that the nozzle has recovered from the abnormal state, and the operation before the step S1 is resumed, and the arm 33 moves to the coating processing unit 11b again to perform the coating process. .

한편, 상기 단계(S6)에서 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용되는 노즐이라고 판정되었을 경우에는, 도포 처리부(11b)로의 이동 및 통상의 레지스트의 도포 처리가 행해지고(단계(S8)), 이 도포 처리에서 이상이 일어난 노즐로부터 약액이 토출됨으로써, 액 맺힘이 제거되고 또한 액적 낙하가 쉽게 일어나지 않는 상태가 된다. 이 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 계속하여 도포 처리가 행해진다. 이와 같이 단계(S7, S8)가 각각 실행되고 도포 처리가 계속되어, 예를 들면 소정 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후, 유저가 예를 들면 조작부(75)에 의해 장치(1)를 정지시키고 메인터넌스를 행한다. 메인터넌스 후, 예를 들면 유저는 조작부(75)를 통해 소정의 처리를 행하여 알람의 발생을 정지시키고 도포 처리를 재개시킨다.On the other hand, when it determines with the nozzle used for the application | coating process immediately after abnormality detection in the said step S6, the movement to the application | coating process part 11b and the application | coating process of a normal resist are performed (step S8), and this application | coating process is carried out. By discharging the chemical liquid from the nozzle in which the abnormality occurs, liquid condensation is removed and the liquid drop does not easily occur. After this chemical liquid discharge, the processing program 71 determines that the nozzle has recovered from the abnormal state, and then the coating process is performed. In this way, steps S7 and S8 are executed and the coating process is continued, for example, after processing a predetermined number of wafers W, and the user stops the apparatus 1 by, for example, the operation unit 75. And maintenance. After maintenance, for example, a user performs predetermined processing through the operation part 75, stops generation of an alarm, and resumes application | coating process.

유저가 노즐 배스로의 약액 토출을 행하도록 선택한 경우에 대하여 설명했다. 하지만, 이와 같이 선택하는 대신에 장치(1)의 처리 정지가 행해지도록 선택되어 있는 경우에는, 상기의 단계(S1 ~ S5)가 실행된 후, 제어부(7)가 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 제어 신호를 송신하여, 구동 기구(32)의 이동이 정지하고 도포 처리부(11a ~ 11c)에서 행해지고 있는 각 처리가 정지한다. 또한, 기판 반송 수단의 동작을 제어하는 제어부로 제어 신호를 송신하여, 레지스트 도포 장치(1)로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킨다. 그리고, 유저가 장치(1)의 메인터넌스를 행한 후, 예를 들면 조작부(75)를 통해 소정의 처리를 행함으로써 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하여, 알람의 발생이 정지하고 도포 처리가 재개된다.The case where the user selected to perform chemical liquid discharge to the nozzle bath was demonstrated. However, in the case where the processing stop of the apparatus 1 is selected to be performed instead of the selection in this way, after the above steps S1 to S5 are executed, the control unit 7 controls each of the resist coating apparatus 1. The control signal is transmitted to the negative direction, the movement of the drive mechanism 32 is stopped, and each processing performed by the coating processing units 11a to 11c is stopped. Moreover, a control signal is transmitted to the control part which controls the operation | movement of a board | substrate conveyance means, and conveyance of the wafer W to the resist coating apparatus 1 is stopped. Then, after the user performs the maintenance of the apparatus 1, for example, by performing a predetermined process through the operation unit 75, the processing program 71 determines that the nozzle has recovered from the abnormal state, and the occurrence of an alarm is prevented. It stops and application | coating process is resumed.

상기의 실시예에 따르면, 집합 노즐(40)의 하방에서 당해 집합 노즐(40)을 구성하는 노즐(41, 42)의 배열 방향을 따라 광을 조사하는 투광부(53a)와, 이 광을 수광하는 수광부(53b)를 구비한 광학 센서(53)와, 광학 센서(53)의 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는 약액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는 이 판정 결과에 기초하여 알람의 발생과 노즐 배스로의 약액 토출이나 혹은 구동 기구(32)의 정지에 따른 레지스트 도포 처리의 정지를 행하고 있다. 따라서, 집합 노즐(40)이 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 이동함에 있어서, 웨이퍼(W) 또는 스핀 척(12a ~ 12c)에 약액이 적하하여 정상적인 처리를 방해받거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 이 결과로서 제품의 수율의 저하를 억제할 수 있다.According to the above embodiment, the light-transmitting part 53a which irradiates light along the arrangement direction of the nozzles 41 and 42 which comprise the said collecting nozzle 40 under the collecting nozzle 40, and this light is received. And a control unit 7 which determines that liquid condensation or dripping of the chemical liquid has occurred when the optical sensor 53 including the light receiving unit 53b to be detected and the optical axis of the optical sensor 53 are blocked. On the basis of this determination result, (7) stops the resist coating process due to the generation of an alarm and the discharge of the chemical liquid to the nozzle bath or the stop of the drive mechanism 32. Therefore, when the assembly nozzle 40 moves on each of the coating portions 11a to 11c, the chemical liquid is dropped onto the wafer W or the spin chucks 12a to 12c, thereby inhibiting normal processing or becoming particles. . As a result, the fall of the yield of a product can be suppressed.

또한, 상기의 실시예에서는 액 맺힘 및 액적의 낙하가 일어났다고 판정되었을 때에만 해석 프로그램(7A)이 동작하여 카메라(35)로부터 제어부(7)로 송신된 화상의 해석이 행해지므로, 해석 프로그램(7A)의 부하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 카메라(35)에 대해서는, 상기의 예에서는 이상 발생 시에 신속하게 촬상을 행하기 위하여 레지스트 도포 처리 중에는 항상 전원이 온(on)으로 되어 있어 화상 데이터는 상시 제어부(7)로 송신되고 있다. 하지만, 상기의 액 맺힘 및 액적의 낙하가 일어났다고 판정되었을 때에만 전원이 온이 되어 제어부(7)로의 화상 데이터의 송신이 행해져도 좋다.In addition, in the above embodiment, the analysis program 7A operates only when it is determined that the liquid formation and the drop of the droplet have occurred, and the analysis of the image transmitted from the camera 35 to the control unit 7 is performed. Since the load of 7A) can be suppressed, it is preferable. In the above example, the power supply is always turned on during the resist coating process in order to quickly capture an image in the above example, and image data is always transmitted to the control unit 7. However, the power supply may be turned on only when it is determined that the above-mentioned liquid condensation and the drop of the droplet have occurred, and transmission of image data to the control unit 7 may be performed.

또한, 상기의 실시예에서는 집합 노즐(40)을 구성하는 각 노즐의 선단을 광학 센서(53)에 의해 일괄적으로 감시하고, 액 맺힘 및 약액의 낙하를 검지하여 알람을 출력한다. 그리고, 통상의 레지스트 도포 처리 시에 집합 노즐(40)을 지지하는 암(33)의 움직임은 이 광학 센서(53)에 의한 감시에 따른 영향을 받지 않기 때문에, 이러한 감시를 행하는 것에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 한 쌍의 투광부(53a) 및 수광부(53b)로 이루어지는 광학 센서(53)로 집합 노즐(40)을 횡단적으로 일괄 감시하고 있다. 이와 같이 복수의 노즐을 하나의 센서로 감시하는 구성으로 함으로써, 장치의 구성 부품 수의 증가를 억제할 수 있다. 또한, 상기 실시예에서는 광학 센서(53)의 장착 후에 처리에 사용되는 노즐 및 약액 공급 라인(45)의 개수 가 변경되어도 감시 대상이 되는 공간은 변화하지 않으므로, 광학 센서(53)의 장착 위치의 변경 또는 조정 작업을 행할 필요가 없으므로 바람직하다. 또한, 노즐마다 이상이 일어나는 주기를 산출하고, 이 주기에 기초하여 알람을 출력하여 유저에게 알리므로, 유저는 적정한 메인터넌스의 타이밍을 알 수 있고, 이 결과로서 보다 확실히 수율의 저하를 억제할 수 있다.In the above embodiment, the front end of each nozzle constituting the collective nozzle 40 is collectively monitored by the optical sensor 53, the liquid condensation and the drop of the chemical liquid are detected and an alarm is output. And since the movement of the arm 33 which supports the aggregation nozzle 40 at the time of a normal resist coating process is not influenced by the monitoring by this optical sensor 53, the fall of the throughput by performing such monitoring is performed. Can be suppressed. Moreover, the collective nozzle 40 is collectively monitored by the optical sensor 53 which consists of a pair of light transmitting part 53a and the light receiving part 53b. Thus, by setting it as the structure which monitors a some nozzle by one sensor, the increase of the number of components of an apparatus can be suppressed. In addition, in the above embodiment, the space to be monitored does not change even if the number of nozzles and chemical supply lines 45 used for processing is changed after the mounting of the optical sensor 53, so that the mounting position of the optical sensor 53 is changed. It is preferable because no change or adjustment work is required. In addition, since the period in which the abnormality occurs for each nozzle is calculated and an alarm is output based on this period, the user can be informed of the timing of proper maintenance, and as a result, the user can suppress the decrease in yield more reliably. .

(제 2 실시예) (Second embodiment)

이어서, 레지스트 도포 장치(1)의 다른 실시예에 대하여 제 1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 13은 제 2 실시예에서의 레지스트 공급부(3)의 사시도이며, 브라켓(50)의 선단부(51)에는, 예를 들면 실린더(82)를 구비한 구동 기구(81)가 설치되어 있고, 실린더(82)에는 기립판 형상의 지지부(83)가 접속되고, 이 지지부(83)에는 액받이 부재를 구성하는 받이 접시(84)가 수평으로 설치되어 있다.Next, another Example of the resist coating apparatus 1 is demonstrated centering on difference with 1st Example. Fig. 13 is a perspective view of the resist supply section 3 in the second embodiment, and a drive mechanism 81 having, for example, a cylinder 82 is provided at the tip end portion 51 of the bracket 50, and the cylinder is provided. A support plate 83 in the form of a standing plate is connected to 82, and a support plate 84 constituting the liquid receiving member is provided horizontally.

구동 기구(81)는 브라켓(50)에 대하여 고정되어 있고, 받이 접시(84)는 Y 방향으로 암(33)과 일체로 움직이지만, Z 방향(상하 방향)으로는 움직이지 않는다. 이와 같이 받이 접시(84)를 암(33)과 함께 하강시키지 않도록 함으로써, 받이 접시(84)가 웨이퍼(W)의 직상(直上)에서 레지스트 도포 장치(1)의 다운 플로우를 차단하여 웨이퍼(W) 상의 도포 막두께 또는 파티클 발생 수에 영향을 미치는 것을 방지하고 있다. 그리고, 받이 접시(84)는 구동 기구(81)에 의해 X 방향(암(33)의 연장 방향)으로 이동 가능하게 구성되고, 도 14a에 도시한 집합 노즐(40) 직하(直下)로부터 떨어진 퇴피 위치와, 도 14b에 도시한 집합 노즐(40) 직하의 액받이 위치의 사이에서 이동한다. 통상적으로, 받이 접시(84)는 퇴피 위치에서 대기하여, 암(33)에 의한 집합 노즐(40)의 승강을 방해하지 않도록 되어 있다.The drive mechanism 81 is fixed with respect to the bracket 50, and the receiving pan 84 moves integrally with the arm 33 in the Y direction, but does not move in the Z direction (up-down direction). By not lowering the receiving plate 84 together with the arm 33 in this manner, the receiving plate 84 interrupts the downflow of the resist coating device 1 directly above the wafer W, thereby reducing the wafer W. As shown in FIG. Influence on the coating film thickness on () or the number of particle generation is prevented. The receiving plate 84 is configured to be movable in the X direction (extension direction of the arm 33) by the drive mechanism 81, and retracts away from directly under the collecting nozzle 40 shown in Fig. 14A. It moves between a position and the liquid receiving position directly under the aggregation nozzle 40 shown in FIG. 14B. Usually, the receiving pan 84 stands by at the retracted position so as not to disturb the lifting and lowering of the collecting nozzle 40 by the arm 33.

상기한 이 제 2 실시예에서, 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생했을 경우의 처리 공정에 대하여 설명한다. 제 1 실시예와 마찬가지로 단계(S1, S2)가 행해진 후, 받이 접시(84)가 액받이 위치로 이동하고 단계(S3 ~ S6)가 동일하게 실시된다. 그리고, 단계(S6)에서 이상이 일어난 노즐이 다음의 도포 처리에 이용되는 노즐이 아니라고 판정되었을 경우, 받이 접시(84)가 액받이 위치에 위치한 채로 암(33)이 단계(S1)에서 이상이 검출된 위치에 대응하는 노즐 배스 상으로 이동한다. 그리고, 이상이 일어난 노즐이 노즐 배스 상에 위치하면, 받이 접시(84)가 액받이 위치로부터 퇴피 위치로 이동하고, 그 후 암(33)이 하강하여 단계(S7)의 노즐 배스로의 약액의 토출이 행해진다. 이 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 받이 접시(84)가 퇴피 위치에 위치한 채로 계속해서 도포 처리가 행해진다.In this second embodiment described above, a processing step in the case where liquid condensation and droplet drop occurs will be described. After the steps S1 and S2 are performed as in the first embodiment, the receiving pan 84 is moved to the liquid receiving position and the steps S3 to S6 are performed in the same manner. And when it is determined that the nozzle in which the abnormality occurred in step S6 is not a nozzle used for the next application | coating process, the arm 33 has an abnormality in step S1 with the receiving pan 84 located in the liquid receiving position. Move onto the nozzle bath corresponding to the detected position. And when the nozzle which an abnormality was located is located on a nozzle bath, the receiving pan 84 will move from a liquid receiving position to a retracted position, and then the arm 33 will descend | fall and the chemical | medical solution to the nozzle bath of step S7 may be carried out. Discharge is performed. After the discharge of the chemical liquid, the processing program 71 determines that the nozzle has recovered from the abnormal state, and the coating process is continuously performed while the receiving pan 84 is positioned at the retracted position.

또한, 단계(S6)에서 이상이 일어난 노즐이 다음의 도포 처리에 이용되는 노즐이라고 판정되었을 경우, 받이 접시(84)가 액받이 위치에 위치한 채로 암(33)이 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 그리고, 이상이 일어난 노즐이 이 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W) 상에 위치하면, 받이 접시(84)가 액받이 위치로부터 퇴피 위치로 이동하고, 단계(S8)의 웨이퍼(W)에 대한 통상 처리가 행해져 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 받이 접시(84)가 퇴피 위치에 위치한 채로 계속해서 다음의 웨이퍼(W)의 도포 처리가 행해진다.In addition, when it is determined in step S6 that the nozzle having an abnormality is a nozzle to be used for the next coating treatment, the arm 33 moves to the coating treatment portions 11a to 11c while the receiving dish 84 is located at the liquid receiving position. Move. And when the nozzle which the abnormality generate | occur | produced is located on the wafer W of these application processing parts 11a-11c, the receiving pan 84 will move to the retracted position from the liquid receiving position, and the wafer W of step S8 will be The normal process is performed, and the program 71 determines that the nozzle has recovered from the abnormal state, and subsequently the coating process of the next wafer W is performed while the receiving pan 84 is positioned at the retracted position.

이 제 2 실시예에서는 알람의 출력 및 받이 접시(84)의 이동에 따른 액적 낙하의 물리적 회피가 행해지므로, 제 1 실시예와 동일한 효과가 있다. 또한, 이와 같이 이상 검출 시에만 액받이 위치에 받이 접시(84)를 위치시킴으로써, 통상의 처리 시에는 암(33)이 승강할 때마다 받이 접시(84)가 이 암(33)을 회피하기 위하여 이동할 필요가 없어, 이 받이 접시(84)의 이동에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 집합 노즐(40) 선단에서 액 맺힘이 형성된 단계에서 광학 센서(53)에 의해 노즐의 이상이 검출되고, 액적이 낙하할 때까지의 동안에 받이 접시(84)가 노즐 직하로 이동되어 있으면 문제는 없으므로, 이와 같이 받이 접시(84)를 통상은 퇴피 위치에 위치시키는 구성으로 함으로써 충분한 효과가 얻어진다. 또한, 제 2 실시예에서는 받이 접시(84) 및 이를 동작시키는 기구가 장치에 하나 설치되어 있으므로, 예를 들면 노즐마다 액 맺힘을 방지하는 수단을 설치하는 경우에 비해 장치의 부품 수를 억제한다는 관점에서 바람직하다.In this second embodiment, physical avoidance of the drop of the liquid due to the output of the alarm and the movement of the receiving pan 84 is performed, and thus has the same effect as the first embodiment. In addition, by placing the receiving plate 84 in the liquid receiving position only at the time of abnormality detection in this manner, the receiving plate 84 avoids the arm 33 every time the arm 33 moves up and down during normal processing. There is no need to move, and the fall of the throughput according to the movement of this receiving plate 84 can be suppressed. If no abnormality of the nozzle is detected by the optical sensor 53 at the stage where liquid condensation is formed at the front end of the collecting nozzle 40, and the receiving dish 84 is moved directly under the nozzle until the droplet falls, there is no problem. In this way, a sufficient effect can be obtained by setting the receiving plate 84 to be normally positioned at the retracted position. In addition, in the second embodiment, since the receiving dish 84 and one mechanism for operating the same are provided in the apparatus, the number of parts of the apparatus is suppressed as compared with the case where, for example, a means for preventing liquid condensation is provided for each nozzle. Preferred at

또한, 제 2 실시예에서 알람 발생 후, 예를 들면 노즐 배스로의 약액의 토출을 행하지 않고, 암이 상승 위치에 있는 동안은 액받이 위치에, 하강 위치에 있는 동안은 퇴피 위치에 각각 위치하고 있도록, 암(33)이 승강할 때마다 받이 접시(84)를 이동시켜 도포 처리를 행하도록 해도 좋다. 이 경우, 예를 들면 소정의 웨이퍼 매수를 처리한 후에 유저가 메인터넌스 작업을 행하여 노즐을 정상적인 상태로 되돌리고, 이러한 받이 접시(84)의 이동 동작을 해제하도록 설정해도 좋다. 이 경우에도 노즐이 횡방향으로 이동하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 통과함에 있어서, 웨이퍼(W) 및 스핀 척(12)으로의 액적 낙하를 방지할 수 있기 때문에 유효하다. 이와 같이, 제 2 실시예에서는 노즐 배스로의 약액의 토출이나 메인터넌스 작업을 행하여 노즐(41, 42)이 이상 상태로부터 정상 상태로 회복할 때까지 받이 접시(84)의 이동이 행해지는데, 정상 상태로의 회복 후에는 받이 접시(84)를 재차 퇴피 위치로 이동시키고 계속해서 도포 처리를 행함으로써, 이 받이 접시(84)의 이동에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 실시예에서 각 노즐 배스 및 도포 처리부는 상기와 같이 직선 방향이 아닌 둘레 방향으로 배열되어 집합 노즐(40)을 지지한 암(33)이 이 배열 방향으로 이동하는 구성이어도 좋다. 또한, 광학 센서로서는 투과형(透過型)인 것에 한정되지 않고 반사형인 것을 이용하여 광축을 형성해도 좋다.In addition, in the second embodiment, after the alarm is generated, for example, the liquid is not discharged to the nozzle bath, and the liquid is placed in the drop position while the arm is in the up position and in the retracted position while in the down position. Each time the arm 33 moves up and down, the receiving plate 84 may be moved to perform the coating process. In this case, for example, after the predetermined number of wafers have been processed, the user may perform maintenance work to return the nozzle to the normal state and release the movement of the receiving dish 84. Also in this case, since the nozzle moves in the lateral direction and passes through the respective coating treatment parts 11a to 11c, the drop of the droplets to the wafer W and the spin chuck 12 can be prevented. As described above, in the second embodiment, the receiving dish 84 is moved until the nozzles 41 and 42 recover from the abnormal state to the normal state by discharging or maintaining the chemical liquid to the nozzle bath. After the recovery of the furnace, it is preferable to reduce the throughput caused by the movement of the receiving plate 84 by moving the receiving plate 84 to the retracted position again and subsequently applying the coating process. In addition, in each embodiment, each nozzle bath and application | coating process part may be arrange | positioned in the circumferential direction rather than a linear direction as mentioned above, and the arm 33 which supported the aggregation nozzle 40 may move in this arrangement direction. In addition, the optical sensor is not limited to a transmissive type, but an optical axis may be formed using a reflective type.

이하, 상기의 레지스트 도포 장치(1)가 탑재된 도포 현상 장치(110)에 대하여 설명한다. 도 15는 도포 현상 장치(110)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 16은 이 시스템의 사시도이다. 또한, 도 17은 도포 현상 장치(110)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(110)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 이 재치대(111) 상에 재치된 밀폐형인 캐리어(C)로부터 전달 암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 암(112)이 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C)로 되돌리도록 구성되어 있다. 캐리어(C)는 다수 매의 웨이퍼(W)를 포함하고 각 웨이퍼(W)는 차례로 처리 블록(C2)으로 반송된다.Hereinafter, the coating and developing apparatus 110 on which the resist coating apparatus 1 is mounted will be described. FIG. 15 shows a plan view of a resist pattern forming system in which the exposure apparatus C4 is connected to the coating and developing apparatus 110, and FIG. 16 is a perspective view of this system. 17 is a longitudinal cross-sectional view of the coating and developing apparatus 110. Carrier block C1 is provided in this application | coating development apparatus 110, and the transfer arm 112 takes out the wafer W from the sealed carrier C mounted on this mounting base 111, and a process block is carried out. It transfers to (C2), and it is comprised so that the delivery arm 112 may receive the processed wafer W from the process block C2 and return it to the carrier C. FIG. The carrier C includes a plurality of wafers W, and each wafer W is conveyed to the processing block C2 in turn.

상기 처리 블록(C2)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제 1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제 3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 보호막 의 형성을 행하기 위한 제 4 블록(ITC층)(B4)을 아래로부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.As shown in Fig. 16, the processing block C2 performs the process of forming the antireflection film formed under the first block (DEV layer) B1 and the resist film for development in this example. The second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3 for applying the resist film, and the fourth block (ITC layer) for forming the protective film formed on the upper layer side of the resist film. (B4) is laminated | stacked in order from the bottom, and is comprised.

처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 봤을 때 동일하게 구성되어 있다. 제 3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트 도포 모듈(113)과, 이 레지스트 도포 모듈(113)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)과, 상기 레지스트 도포 모듈과 가열·냉각계의 처리 모듈군의 사이에 설치되고 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(A3)에 의해 구성되어 있다. 이 레지스트 도포 모듈(113)이 기술한 레지스트 도포 장치(1)에, 반송 암(A3)이 기술한 기판 반송 수단에 상당한다.Each layer of the processing block C2 is configured in the same manner in plan view. Taking the third block (COT layer) B3 as an example, the COT layer B3 is formed of a resist coating module 113 for forming a resist film as a coating film and a process performed by the resist coating module 113. Wafers are provided between the shelf units U1 to U4 constituting the heating and cooling system processing module group for pretreatment and post-treatment, and the resist coating module and the processing module group for the heating and cooling system. It is comprised by the conveyance arm A3 which delivers (W). The resist coating device 1 described by the resist coating module 113 corresponds to the substrate conveying means described by the conveying arm A3.

상기 선반 유닛(U1 ~ U4)은 반송 암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열되고, 각각 상기한 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 재치된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 재치된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.The shelf units U1 to U4 are arranged along the conveyance region R1 where the conveyance arm A3 moves, and are configured by stacking the above-described heating module and cooling module, respectively. The heating module has a heating plate for heating the placed wafer, and the cooling module has a cooling plate for cooling the placed wafer.

제 2 블록(BCT층)(B2), 제 4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는, 상기 레지스트 도포 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에서 레지스트 대신에 도포액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 동일한 구성이다.As for the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (ITC layer) B4, an antireflection film forming module and a protective film forming module corresponding to the resist coating module are provided, respectively. It is the same structure as COT layer B3 except that the chemical liquid for anti-reflective film formation and the chemical liquid for protective film formation are respectively supplied to the wafer W as a coating liquid.

제 1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트 도포 모듈에 대응하는 현상 모듈이 2 단으로 적층되어 있고, 공통의 케이스 내에 3 대의 현상 처리부 또는 기술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈 의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)이 설치되어 있다. 그리고, DEV층(B1) 내에는 이들 2 단의 현상 모듈과 상기 가열·냉각계의 처리 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.As for the first block (DEV layer) B1, two development modules corresponding to a resist coating module are stacked in one DEV layer B1, and three developing units or each nozzle described in the common case are placed. It is included. Further, the DEV layer B1 is provided with shelf units U1 to U4 constituting a group of processing modules for heating and cooling systems for pretreatment and post-treatment of the developing module. And in the DEV layer B1, the conveyance arm A1 for conveying the wafer W to these two stage development modules and the said heating / cooling processing module is provided. In other words, the transfer arm A1 is commonly used for the two-stage developing module.

또한, 처리 블록(C2)에는, 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5) 중 하나의 전달 유닛, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)에 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 차례로 반송된다. 제 2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 암(A2)은 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.15 and 17, the shelf unit U5 is provided in the processing block C2, and the wafer W from the carrier block C1 is one of the shelf units U5. The conveying unit, for example, is conveyed to the conveying unit CPL2 corresponding to the second block (BCT layer) B2 in turn. The transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the transfer unit CPL2 and transfers it to each unit (antireflection film forming module and processing unit group of a heating / cooling system). In these units, an anti-reflection film is formed on the wafer W. FIG.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)으로 반송되고, 거기서 예를 들면 23℃로 온도 조정된 후, 반송 암(A3)에 의해 제 3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고 레지스트 도포 모듈에서 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3) → 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3) → 전달 암(D1)을 거쳐 선반 유닛(U5)에서의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(ITC층)(B4)에서 추가로 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 거쳐 반송 암(A4)으로 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the transfer unit BF2 of the shelf unit U5, the transfer arm D1, and the transfer unit CPL3 of the shelf unit U5, and the temperature is adjusted to 23 ° C., for example. After that, it is carried in to the 3rd block (COT layer) B3 by the conveyance arm A3, and a resist film is formed in a resist coating module. In addition, the wafer W is transferred to the transfer unit BF3 in the shelf unit U5 via the transfer arm A3 → the transfer unit BF3 of the shelf unit U5 → the transfer arm D1. In the wafer W on which the resist film is formed, a protective film may be further formed at the fourth block (ITC layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 via the transfer unit CPL4, and is transferred to the transfer unit TRS4 by the transfer arm A4 after the protective film is formed.

한편, DEV층(B1) 내의 상부에는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달부(115)로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달부(116)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀(117)이 설치되어 있다. 레지스트막 또는 추가로 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D1)에 의해 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 전달부(115)로 전달되고, 이로부터 셔틀(117)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달부(116)로 직접 반송되어 인터페이스 블록(C3)으로 도입되게 된다. 또한, 도 17 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수 매의 웨이퍼(W)가 재치 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.On the other hand, in the upper part of DEV layer B1, it is an exclusive conveyance means for directly conveying the wafer W from the delivery part 115 provided in the shelf unit U5 to the delivery part 116 provided in the shelf unit U6. The shuttle 117 is provided. The resist film or the wafer W on which the protective film is further formed is transferred from the transfer units BF3 and TRS4 to the transfer unit 115 by the transfer arm D1, from which the shelf unit U6 is transferred by the shuttle 117. It is conveyed directly to the delivery unit 116 of the and is introduced into the interface block (C3). In addition, the transfer unit given with CPL in FIG. 17 also serves as a cooling unit for temperature regulation, and the transfer unit with BF also serves as a buffer unit in which a plurality of wafers W can be placed.

이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(118)에 의해 노광 장치(C4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 재치되어 처리 블록(C2)으로 되돌려진다. 되돌려진 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)으로 전달된다. 그 후, 전달 암(112)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다. Subsequently, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus C4 by the interface arm 118, and after the predetermined exposure process is performed, the wafer W is placed on the transfer unit TRS6 of the shelf unit U6 and processed into the processing block C2. Is returned. The returned wafer W is subjected to development in the first block (DEV layer) B1, and is transferred to the transfer unit TRS1 of the shelf unit U5 by the transfer arm A1. Thereafter, it is returned to the carrier C by the delivery arm 112.

본 발명의 액처리 장치를 상기한 예에서는 레지스트 도포 장치로서 구성하고 있지만, 예를 들면 이 도포 현상 장치(1)에 설치된 현상 모듈, 반사 방지막 형성 모듈로서 구성하고, 레지스트 대신에 각 모듈에 대응하는 약액을 토출하는 것이어도 좋고, 그 외의 처리액을 기판으로 공급하는 장치로서 본 발명을 구성해도 좋다. Although the liquid processing apparatus of this invention is comprised as a resist coating apparatus in the above-mentioned example, it is comprised, for example as a developing module and the anti-reflective film forming module provided in this coating and developing apparatus 1, and respond | corresponds to each module instead of a resist. The chemical liquid may be discharged, or the present invention may be configured as an apparatus for supplying other processing liquid to the substrate.

1 레지스트 도포 장치
11a ~ 11c 도포 처리부
12a ~ 12c 스핀 척
21a ~ 21c 컵
3 레지스트 공급부
30 노즐 배스
33 암
40 집합 노즐
41 레지스트 토출 노즐
42 시너 토출 노즐
50 브라켓
53 광학 센서
66a ~ 66c 노즐 배스
7 제어부
71 처리 프로그램
7A 해석 프로그램
1 resist coating device
11a to 11c coating treatment
12a-12c spin chuck
21a to 21c cup
3 resist supply
30 nozzle bath
33 cancer
40 sets nozzle
41 Resist Discharge Nozzle
42 thinner discharge nozzle
50 bracket
53 optical sensor
66a to 66c nozzle bath
7 control unit
71 processing programs
7A analysis program

Claims (14)

각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부와,
상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고 기판에 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하기 위하여 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스(bath)와,
상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와,
각 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와,
각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하여 판정 신호를 출력하는 수단과,
상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단
을 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
A plurality of liquid processing portions each provided with a substrate holding portion for holding the substrate horizontally in a cup having an opening formed at an upper side thereof, and arranged in a row in the transverse direction to each other;
A plurality of processing liquid nozzles common to the plurality of liquid processing units and installed on a support along an arrangement direction of the liquid processing unit for supplying different kinds of processing liquids to the substrate,
A nozzle bath provided for waiting the processing liquid nozzle,
A support driving mechanism for moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing unit via the support between the upper region of each of the liquid processing unit and the nozzle bath;
An optical sensor which forms an optical axis in an array direction of the processing liquid nozzle below each processing liquid nozzle;
Means for outputting a determination signal by determining that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred when detecting a state in which the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use;
Coping means for performing a coping operation based on the output of the determination signal;
Liquid processing apparatus comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 대처 수단은, 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단
을 구비하고, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 1,
The coping means includes: imaging means for imaging the tip of the processing liquid nozzle;
Determination means for judging which process liquid nozzles are formed or dripping the processing liquid based on the imaging result by the imaging means.
And a judgment by a judging means is performed based on the output of said judging signal.
제 2 항에 있어서,
상기 대처 수단은, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역과,
상기 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어 수단
을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 2,
The coping means includes a drainage region provided on an extension line in an arrangement direction of the liquid processing unit or between the liquid processing units in the arrangement direction;
Control means for outputting a control signal to discharge the processing liquid from the processing liquid nozzle which has been judged that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred in the drainage area by the determination means;
Liquid processing apparatus comprising a.
제 3 항에 있어서,
상기 배액 영역은 상기 노즐 배스에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 3, wherein
And the drainage area is constituted by the nozzle bath.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 액받이 부재와,
처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에, 상기 액받이 부재를 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 이동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The coping means includes: a liquid receiving member for receiving liquid condensation of the processing liquid from each processing liquid nozzle and falling droplets;
And moving means for moving the liquid receiving member from the evacuation region outside of the liquid receiving region to the liquid receiving region for receiving the liquid from below the liquid processing nozzle when liquid condensation or dripping of the processing liquid is detected. Liquid processing apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 대처 수단은, 지지체 구동 기구의 이동 및 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 정지 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 1,
The said coping means is equipped with the stop means which stops the movement of a support body drive mechanism, and discharge of the process liquid from a process liquid nozzle.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대처 수단은, 알람 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the coping means comprises an alarm generating means.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지체 구동 기구는 상기 지지체를 승강시키도록 구성되고, 상기 광 센서는 상기 지지체 구동 기구에 대하여 고정된 고정부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the support drive mechanism is configured to elevate and support the support, and the optical sensor is provided in a fixed portion fixed to the support drive mechanism.
각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 구비하고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고, 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐로부터 기판으로 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하는 공정과,
노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과,
광 센서에 의해 각 처리액 노즐의 하방에서 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 공정과,
각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 공정과,
상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 공정
을 포함 하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
A plurality of substrate holding portions each holding a substrate horizontally in a cup having an opening formed thereon, shared with a plurality of liquid processing portions arranged in a row in the transverse direction, and provided in a support along the arrangement direction of the liquid processing portion; Supplying different kinds of treatment liquids from the treatment liquid nozzles to the substrate, respectively;
Placing the processing liquid nozzle in a nozzle bath;
Moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing unit via the support between the upper region of the liquid processing unit and the nozzle bath by the support driving mechanism;
Forming an optical axis along the array direction of the processing liquid nozzles under each processing liquid nozzle by an optical sensor;
When detecting that the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use, determining that liquid condensation or dropping of the processing liquid has occurred and outputting a determination signal;
Performing a countermeasure operation based on the output of the determination signal
Liquid treatment method comprising a.
제 9 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과,
상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method of claim 9,
The step of performing the coping action includes a step of picking up the tip of the processing liquid nozzle by the imaging means;
A step of judging by a judging means which liquid solution is formed or dripping of a process liquid on which process liquid nozzle on the basis of the imaging result by said imaging means;
A process of judging by the judging means based on the output of the judging signal
Liquid treatment method comprising a.
제 10 항에 있어서,
상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하는 공정과,
상기 처리액의 토출을 행하기 위하여 제어 수단으로부터 제어 신호를 출력하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method of claim 10,
A step of discharging the processing liquid from the processing liquid nozzle determined that liquid condensation or dropping of the processing liquid has occurred by the judging means on an extension line in the arrangement direction of the liquid processing unit or between the liquid processing units in the arrangement direction. and,
Outputting a control signal from a control means in order to discharge the processing liquid
Liquid treatment method comprising a.
제 11 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은,
촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
판단 수단에 의해 상기 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에만 상기 촬상 수단에 의한 촬상에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 공정과,
액 맺힘 또는 처리액의 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 상기 배액 영역에 처리액을 토출하도록 제어 수단에 의해 제어 신호를 출력하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method of claim 11,
The step of performing the coping action,
Imaging the distal end of the processing liquid nozzle by the imaging means;
Determining, by the judging means, which liquid treatment liquid dripping or dropping of the processing liquid has occurred in which processing liquid nozzle based on the imaging by the imaging means only when the liquid formation or dripping of the processing liquid is detected;
And outputting a control signal by the control means to discharge the processing liquid from the processing liquid nozzle which has been determined that liquid formation or dropping of the processing liquid has occurred.
제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은,
액받이 부재에 의해 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 공정과, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 이동 수단에 의해 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method according to any one of claims 9 to 12,
The step of performing the coping action,
A process for receiving the liquid condensation and the dropped droplets of the processing liquid from each processing liquid nozzle by the liquid receiving member; and when the liquid condensation or dripping of the processing liquid is detected, the liquid receiving member is moved by the moving means to A step of moving from the evacuation region outside of the liquid receiving region to the liquid receiving region for receiving the liquid from below
Liquid treatment method comprising a.
기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 청구항 9 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 기억 매체.
As a storage medium in which a computer program used for a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate is stored,
The said computer program is for implementing the liquid processing method in any one of Claims 9-12. The storage medium characterized by the above-mentioned.
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