KR20100137363A - Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포 현상 장치 에 노광 장치를 접속시킨 시스템을 이용하여 행해진다.In the photoresist step, which is one of the semiconductor manufacturing steps, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and the resist is exposed in a predetermined pattern and then developed to form a resist pattern. Such a process is generally performed using the system which connected the exposure apparatus to the coating and developing apparatus which apply | coats and develops a resist.
이 도포 현상 장치에는 웨이퍼로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 각종 액처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액처리 모듈로서는 웨이퍼에, 예를 들면 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 모듈(레지스트 도포 장치)이 있다. 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼를 보지(保持)하는 스핀 척과, 이 스핀 척에 보지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 배액 수단 및 배기 수단을 구비한 컵으로 이루어지는 도포 처리부를 구비한다. 또한, 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼에 레지스트를 토출하기 위한 레지스트 토출 노즐과, 상기 레지스트 공급 전에 웨이퍼에 처리액, 예를 들면 시너를 토출하여 상기 레지스트의 습윤성 을 향상시키기 위한 시너 토출 노즐을 구비하고 있다. 이들 레지스트 토출 노즐 및 시너 토출 노즐은 이들을 지지하는 암에 장착되고, 상기 컵 상과 각 노즐을 대기시키기 위하여 컵의 외측에 설치된 노즐 배스(bath) 와의 사이를 이동한다.This coating and developing apparatus is provided with various liquid processing modules for supplying a processing liquid to a wafer and performing liquid processing. As this liquid processing module, there exists a resist coating module (resist coating apparatus) which apply | coats a resist, for example to a wafer. The resist coating module is provided with a spin chuck holding a wafer, and a coating processing section including a cup provided with a draining means and an exhausting means provided to surround the wafer held by the spin chuck. In addition, the resist coating module includes a resist ejection nozzle for ejecting a resist onto a wafer, and a thinner ejection nozzle for improving the wettability of the resist by ejecting a processing liquid, for example, thinner, onto the wafer before supplying the resist. These resist discharge nozzles and thinner discharge nozzles are mounted to arms supporting them, and move between the cup top and a nozzle bath provided on the outside of the cup for waiting each nozzle.
그런데, 근래에는 다품종 소량 생산의 요청으로 농도 또는 성분이 상이한 복수 종류의 레지스트를 구분하여 사용하는 경우가 있다. 레지스트를 이와 같이 구분하여 사용하기 때문에, 서로 상이한 종류의 레지스트를 각각 공급하기 위한 복수의 라인에 각각 접속된 복수의 레지스트 토출 노즐을 상기 암이 처리를 전환할 때마다 바꾸는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 장치 구성을 간소화하는 목적으로 이들 복수의 레지스트 토출 노즐과 시너 토출 노즐을 하나로 합친 집합 노즐을 하나의 암에 장착하여 구동시키는 구조로 하는 경우가 있다.By the way, in recent years, several types of resist from which concentration or a component differs may be used separately, by the request of small quantity production of many varieties. Since the resists are used in this manner, it is possible to consider changing the plurality of resist ejection nozzles each connected to a plurality of lines for supplying different kinds of resists each time the arm switches the processing. However, in order to simplify the device configuration, there may be a case in which a collective nozzle in which these plurality of resist discharge nozzles and thinner discharge nozzles are combined into one arm is mounted and driven.
또한, 장치 구성을 간소화하기 위하여 단일의 레지스트 도포 모듈 내에서는, 예를 들면 상기 컵을 구비한 도포 처리부가 나란히 복수 개 설치되는 경우가 있다. 이 경우, 이들 각 도포 처리부와 노즐 배스는, 예를 들면 직선 상에 배설되고, 각 도포 처리부에 대하여 공통화된 상기 암이 노즐 배스와 컵 사이를 이동하면서 레지스트 도포 처리를 행한다. 스루풋 향상을 위하여 상기 암이 이동 개시점으로부터 종료점까지를 최단 거리로 이동하는 것이 요구되므로, 도포 처리부 및 노즐 배스의 배열 방향과 평행하게 직선 형상으로 이동한다. 따라서, 이와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈에서는 그 구조상 각 노즐이 컵 상을 가로지르게 된다.Further, in order to simplify the device configuration, in a single resist coating module, for example, a plurality of coating processing units provided with the cups may be provided in parallel. In this case, each of these application | coating process parts and a nozzle bath is arrange | positioned on a straight line, for example, and the said arm common to each application process part performs a resist application process, moving between a nozzle bath and a cup. Since the arm is required to move from the moving start point to the end point in the shortest distance for improving the throughput, the arm moves in a straight line in parallel with the arrangement direction of the coating processing section and the nozzle bath. Therefore, in the resist coating module configured as described above, each nozzle crosses the cup phase due to its structure.
그런데, 각 노즐을 웨이퍼 상에 이동시키고 나서 바로 레지스트 및 시너의 토출을 개시하기 위해서는 노즐의 선단 근처까지 이들 액을 채워 둘 필요가 있다. 그러나, 이와 같이 액이 채워진 상태로 상기와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈의 노즐을 이동시키면, 암 구동 시에 발생하는 진동, 또는 레지스트 및 시너를 공급하는 라인의 내압 변동 등에 의해 이동 도중 목적 외의 위치에서 각 노즐의 선단으로부터 액 맺힘, 나아가서는 액적(液適) 낙하가 발생할 우려가 있다. 그리고, 상기와 같이 각 노즐이 컵 상을 가로지를 때에 스핀 척이나 처리 전 또는 처리 완료된 웨이퍼 상에 액적이 낙하하면, 스핀 척의 오염에 의해 파티클이 발생하거나 제품 웨이퍼의 도포 불량을 일으켜 수율이 저하될 우려가 있다.By the way, in order to start discharging resist and thinner immediately after moving each nozzle on a wafer, it is necessary to fill these liquids to the vicinity of the tip of a nozzle. However, if the nozzle of the resist coating module configured as described above is moved in the state where the liquid is filled in this way, the vibration may occur at the time of driving the arm, or the internal pressure fluctuation of the line for supplying the resist and thinner may cause the respective angles to be out of the target position during the movement. Liquid condensation from the tip of the nozzle, and further, drop of liquid, may occur. As described above, when each nozzle traverses the cup, if the droplets drop on the spin chuck or before or after the treatment, the particles may be generated due to contamination of the spin chuck or poor application of the product wafer may cause a decrease in yield. There is concern.
특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에는 도포 시에 이동 중인 노즐로부터 토출되는 약액 상태를 광학 센서, 카메라 방식으로 각각 감시하는 것이 기재되어 있다. 단, 이들은 약액의 토출 상태 또는 토출 타이밍의 이상을 검지하는 것이 목적이며, 또한 약액 상태의 감시 구역은 약액 토출 중 및 그 전후로 한정된다. 따라서, 이들 광학 센서 및 카메라는 컵 외에서 이동 중인 노즐을 감시하는 것은 아니다. 또한, 특허 문헌 1 및 2에는 이상 발생 시에서의 상기 액적 낙하의 회피 수단에 대하여 기재되어 있지 않다. 따라서, 이들 특허 문헌 1 및 2는 상기 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다. 한편, 특허 문헌 3은 노즐이 컵 사이를 이동하는 경우에 일어나는 문제에 대해서는 기재하고 있지 않아 기술한 문제를 해결하기에는 불충분하다. 한편, 특허 문헌 4는 상기 문제를 해결하기 위하여 상시 카메라에 의한 해석을 행해야 하므로, 프로그램에 부하가 걸릴 우려가 있다.
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액처리부와, 이들 액처리부에 대하여 공용화되고 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 복수의 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로의 처리액의 낙하를 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a plurality of liquid processing portions having substrate holding portions arranged in a row in a transverse direction, and a plurality of processing liquid nozzles which are common to these liquid processing portions and are provided along the arrangement direction of the liquid processing portions. In the liquid processing apparatus provided with the above, it is providing the liquid processing apparatus, the liquid processing method, and the storage medium which can suppress the fall of the processing liquid from the said processing liquid nozzle to a board | substrate, and can prevent a fall of a yield.
본 발명의 액처리 장치는, 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부와, 상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고 기판에 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하기 위하여 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스와, 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와, 각 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. The liquid processing apparatus of this invention is comprised by providing the board | substrate holding | maintenance part which hold | maintains a board | substrate horizontally in the cup in which the opening part was formed in the upper side, respectively, the some liquid processing part arrange | positioned in the horizontal direction mutually, and the said some liquid processing part And a plurality of processing liquid nozzles provided on the support along the arrangement direction of the liquid processing unit for supplying different kinds of processing liquids to the substrate, the nozzle bath provided for waiting the processing liquid nozzles, and the liquid processing unit. A support drive mechanism for moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing section between the upper region and the nozzle bath via the support, and an arrangement direction of the processing liquid nozzle below each processing liquid nozzle; And an optical sensor that forms an optical axis, and the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use. When a state is detected, it is characterized by including a means for determining that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred and outputting a determination signal, and a countermeasure for performing a countermeasure operation based on the output of the determination signal.
상기 대처 수단은, 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단을 구비하고, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해져도 좋고, 이 경우, 상기 대처 수단은, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역과, 상기 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어 수단을 구비하고 있어도 좋다. The countermeasure includes: imaging means for imaging the distal end of the processing liquid nozzle, and determining means for determining which liquid solution condensation or dripping of the processing liquid has occurred on which processing liquid nozzle based on the imaging result by the imaging means; The judgment by the judging means may be performed based on the output of the judging signal. In this case, the coping means includes a drainage region provided on an extension line in the arrangement direction of the liquid processing portion or between the liquid processing portions in the arrangement direction; The drainage area may be provided with a control means for outputting a control signal to discharge the processing liquid from the processing liquid nozzle which has been determined by the determination means that liquid formation or dripping of the processing liquid has occurred.
예를 들면, 상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 액받이 부재와, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 이동 수단을 구비하고 있어도 좋고, 상기 대처 수단은, 지지체 구동 기구의 이동 및 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 정지 수단을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 상기 대처 수단은, 알람 발생 수단을 구비하고 있어도 좋다. 상기 지지체 구동 기구는 상기 지지체를 승강시키도록 구성되고, 상기 광 센서는 예를 들면 상기 지지체 구동 기구에 대하여 고정된 고정부에 설치되어 있다.For example, the coping means includes a liquid receiving member for receiving liquid condensation and a drop falling from each processing liquid nozzle and the liquid receiving member below the liquid processing nozzle when liquid condensation or dropping of the processing liquid is detected. May be provided with a moving means for moving from the retracted area outside of the liquid receiving area to the liquid receiving area for receiving the liquid, wherein the coping means moves the support drive mechanism and discharge of the processing liquid from the processing liquid nozzle. A stop means for stopping may be provided. Moreover, the said coping means may be equipped with the alarm generating means. The said support drive mechanism is comprised so that the said support body may be raised and lowered, and the said optical sensor is installed in the fixed part fixed with respect to the said support drive mechanism, for example.
본 발명의 기판 처리 방법은, 각각 상측에 개구부가 형성된 컵 안에 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부를 구비하고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고, 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐로부터 기판으로 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하는 공정과, 노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과, 지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과, 광 센서에 의해 각 처리액 노즐의 하방에서 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 공정과, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고, 판정 신호를 출력하는 공정과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. The substrate processing method of this invention is equipped with the board | substrate holding | maintenance part which hold | maintains a board | substrate horizontally in the cup in which the opening part was formed in the upper side, respectively, and is common to the some liquid processing part arrange | positioned in the horizontal direction mutually, and the arrangement of the said liquid processing part A step of supplying different types of processing liquids from the plurality of processing liquid nozzles provided on the support along the direction to the substrate, the process of waiting the processing liquid nozzles in the nozzle bath, and the upper portion of each of the liquid processing portions by the support driving mechanism. Moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing unit via the support between the area and the nozzle bath, and an optical axis along the arrangement direction of the processing liquid nozzles under each processing liquid nozzle by an optical sensor; And a state in which the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use. Is judged that the liquid condensation or addition of the treatment solution occurred, and based on the step of outputting the determination signal and the output of the determination signal characterized in that it comprises a step of carrying out coping behavior.
예를 들면, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정을 포함하고 있어도 좋고, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하는 공정과, 상기 처리액의 토출을 행하기 위하여 제어 수단으로부터 제어 신호를 출력하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.For example, the step of performing the coping operation includes the step of picking up the tip portion of the processing liquid nozzle by the imaging means and the formation or dropping of the processing liquid to a certain processing liquid nozzle based on the imaging result by the imaging means. And judging by the judging means based on the output of the judging signal, and may be included on an extension line in the arrangement direction of the liquid processing unit or in the arrangement direction. A process of discharging the processing liquid from the processing liquid nozzle which is determined by the determination means that liquid condensation or dropping has occurred in the liquid discharge region provided between the liquid processing units, and controlled by the control means to perform the discharge of the processing liquid. It may include the step of outputting a signal.
또한, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 액받이 부재에 의해 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 공정과, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 이동 수단에 의해 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 공정을 포함하고 있어도 좋다.In addition, the step of performing the coping action includes a step for receiving a liquid condensation and a drop of the processing liquid from each of the processing liquid nozzles by the liquid receiving member, and the liquid receiving when the liquid condensation or dropping of the processing liquid is detected. It may include the process of moving a member from the evacuation area | region of the outer side of the said liquid receiving area to the liquid receiving area for receiving liquid below a liquid processing nozzle by a moving means.
본 발명의 기억 매체는, 기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상술한 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다. The storage medium of the present invention is a storage medium in which a computer program used in a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate is stored, wherein the computer program is for performing the above-described liquid processing method.
본 발명에 따르면, 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 처리액 노즐의 하방에서 당해 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와, 각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때 처리액의 액 맺힘 또는 적하(適下)가 발생했다고 판정하여 판정 신호를 출력하는 수단과, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비하고 있다. 따라서, 각 처리액 노즐이 횡방향으로 배열된 각 액처리부 상을 이동함에 있어서, 기판 또는 기판 보지부에 처리액이 적하하여 정상적인 처리를 방해 받거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 이 결과로서 수율의 저하가 억제된다. According to the present invention, an optical sensor for forming an optical axis in an array direction of the processing liquid nozzle below the processing liquid nozzle provided along the arrangement direction of the liquid processing unit, and by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use. Means for outputting a determination signal upon determining that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred when detecting a state in which the optical axis is blocked, and a coping means for performing a coping operation based on the output of the determination signal; have. Therefore, when each processing liquid nozzle moves on each liquid processing part arranged in the horizontal direction, it is suppressed that a processing liquid drips into a board | substrate or a board | substrate holding part, and interrupts normal processing or becomes a particle. As a result, the fall of yield is suppressed.
도 1은 본 발명에 따른 레지스트 도포 장치의 사시도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치의 평면도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포 장치의 도포 처리부의 구성도이다.
도 4는 상기 레지스트 도포 장치의 레지스트 공급부의 사시도이다.
도 5a 및 5b는 상기 레지스트 공급부의 암의 선단측의 평면도이다.
도 6은 상기 암의 이면측의 사시도이다.
도 7은 상기 암의 집합 노즐로부터 액 맺힘이 발생한 상태를 도시한 설명도이다.
도 8a 및 8b는 레지스트가 웨이퍼에 도포되는 공정을 도시한 공정도이다.
도 9는 상기 레지스트 도포 장치의 제어부의 구성도이다.
도 10은 노즐 배스(bath)로의 약액 토출이 행해지는 모습을 도시한 설명도이다.
도 11은 이상(異常)시에서의 암의 위치와 암이 이동하는 노즐 배스와의 관계를 도시한 설명도이다.
도 12는 이상시에서의 동작을 나타낸 순서도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 레지스트 공급부를 도시한 사시도이다.
도 14a 및 14b는 상기 레지스트 공급부의 측면도이다.
도 15는 상기 레지스트 도포 장치를 구비한 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 16은 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 17은 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다. 1 is a perspective view of a resist coating apparatus according to the present invention.
2 is a plan view of the resist coating apparatus.
3 is a configuration diagram of a coating processing unit of the resist coating apparatus.
4 is a perspective view of a resist supply part of the resist coating device.
5A and 5B are plan views of the tip side of the arm of the resist supply unit.
6 is a perspective view of the back side of the arm.
It is explanatory drawing which shows the state which liquid condensation generate | occur | produced from the collection nozzle of the said arm.
8A and 8B are process charts showing a process in which a resist is applied to a wafer.
9 is a configuration diagram of a control unit of the resist coating apparatus.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state in which chemical liquid discharge is performed to a nozzle bath. FIG.
It is explanatory drawing which shows the relationship between the position of an arm at the time of abnormality, and the nozzle bath which an arm moves.
12 is a flowchart showing an operation in abnormality.
13 is a perspective view illustrating a resist supply unit according to another embodiment.
14A and 14B are side views of the resist supply portion.
15 is a plan view of the coating and developing apparatus including the resist coating apparatus.
16 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
17 is a vertical plan view of the coating and developing apparatus.
(제 1 실시예)(First embodiment)
본 발명의 액처리 장치의 일례인 레지스트 도포 장치(1)에 대하여 그 사시도 및 상면도인 도 1 및 도 2를 각각 참조하여 설명한다. 레지스트 도포 장치(1)는 3 개의 도포 처리부(11a, 11b, 11c)와 레지스트 공급부(3)와 레지스트막의 주연부 제거 기구(61a, 61b, 61c)와 레지스트 공급부(3)의 각 노즐을 대기시키기 위한 노즐 배스(bath)(30)를 구비하고 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상에는 하방을 향하여 가스를 공급하고, 하방을 향하는 기류(다운 플로우)를 발생시키기 위한 가스 공급부가 설치되어 있다. The resist
도포 처리부(11a ~ 11c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c)는 각각 동일하게 구성되어 있고, 여기서는 도포 처리부(11a)를 예로 들어 그 종단 측면을 도시한 도 3을 함께 참조하여 설명한다. 도포 처리부(11a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부인 스핀 척(12a)을 구비하고, 스핀 척(12a)은 회전축(13a)을 개재하여 회전 구동 기구(14a)와 접속되어 있다. 스핀 척(12a)은 회전 구동 기구(14a)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(14a)는 후술하는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 스핀 척(12a)의 회전 속도를 제어한다.The
스핀 척(12a)의 주위에는 스핀 척(12a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(20a)를 구비한 컵(21a)이 설치되어 있고, 컵(21a)의 측주면 상단측은 내측으로 경사진 경사부(22a)를 형성하고 있다. 컵(21a)의 저부측에는, 예를 들면 오목부 형상을 이루는 액받이부(23a)가 형성되어 있다. 액받이부(23a)는 격벽(24a)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 하방측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저장된 레지스트 등의 드레인을 배출하기 위한 배액구(25a)가 형성되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(26a, 26a)가 형성되어 있다.Around the
배기구(26a, 26a)에는 배기관(27a)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(27a)의 타단은 배기 댐퍼(damper)(28a)를 개재하여, 예를 들면 레지스트 도포 장치(1)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(28a)는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 컵(21a) 내의 배기량을 제어한다.One end of the
도면 중 15a는 승강 가능하게 구성된 승강 핀이며, 컵(21a) 내에 3 개 설치되어 있다(도 1 및 도 3에서는 편의상 2 개만 표시하고 있다). 레지스트 도포 장치(1)로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라, 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호에 따라 승강 기구(16a)가 승강 핀(15a)을 승강시키고, 이 기판 반송 수단과 스핀 척(12a) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.In the figure, 15a is a lifting pin configured to be movable up and down, and three are provided in the
도포 처리부(11b, 11c)에 대하여 도포 처리부(11a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는 도포 처리부(11a)의 설명에 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 b 및 c를 각각 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각 컵은, 후술한 바와 같이, 액 맺힘 발생 시에 각 컵 간에 이 액 맺힘을 일으키고 있는 노즐로부터 액의 토출 처리를 행하고, 액 맺힘 제거를 행하기 위하여 간격을 두고 배열되어 있다.For the portions corresponding to the respective portions of the
이어서, 레지스트 공급부(3)의 구성에 대하여 도 4를 함께 참조하여 설명한다. 레지스트 공급부(3)는 구동 기구(지지체 구동 기구)(32)와 구동 기구(32)로부터 수평 방향으로 연장되는 지지체인 암(33)과 집합 노즐(40)과 고정 부재인 브라켓(50)을 구비하고 있다. 도 1 중 3A는 구동 기구(32)를 지지하는 기대(基臺)이며, 도포 처리부(11a ~ 11c)의 배열 방향으로 연장된 가이드(31)를 구비하고 있다. 구동 기구(32)는 가이드(31)의 길이 방향을 따라 이동한다. 집합 노즐(40)은 암(33)의 선단부를 이루는 노즐 헤드(34)의 하측에 지지되어 있고, 농도 또는 성분이 상이한 10 종류의 레지스트를 각각 공급하는 10 개의 레지스트 토출 노즐(41)과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트를 쉽게 퍼지도록 하기 위한 처리액, 예를 들면 시너를 공급하는 시너 토출 노즐(42)로 이루어진다. 여기서는 레지스트 및 시너를 총칭하여 약액이라고 한다. 각 노즐(41, 42)은 암(33)에 의한 이들 노즐(41, 42)의 이동 방향과 병행하여 배열되어 있다.Next, the structure of the resist
또한, 암(33)은 구동 기구(32)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있고, 도 5a 및 도 5b는 암(33)이 각각 상승 위치 및 하강 위치에 있는 상태를 도시하고 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c), 주연부 제거 기구(61a ~ 61c) 및 노즐 배스(30)와의 간섭을 방지하기 위하여 암(33)은 이와 같이 상승된 상태로 횡방향으로 이동하고, 집합 노즐(40)로부터 약액을 웨이퍼(W)로 공급할 때에는 미스트의 발생을 억제하기 위하여 웨이퍼(W)와 노즐(41, 42) 간의 거리가 소정의 크기가 되도록 하강 위치로 이동한다.In addition, the
각 노즐(41, 42)은 수직 하방으로 개구된 약액의 토출구를 구비하고 있다. 각 노즐(41, 42)은 구동 기구(32)의 횡방향의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동할 수 있고, 수직축 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 각 토출구로부터 약액을 토출한다. 토출된 약액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 확산되는 이른바 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 도포된다.Each
도 3 중 43은 약액 공급 유닛이다. 약액 공급 유닛(43)은 각 노즐(41, 42)로 각각 공급되는 약액이 저장된 탱크와, 탱크 내를 가압하여 당해 탱크 내의 약액을 노즐로 송액하기 위한 송액 수단을 구비한 약액 공급 기구(44)에 의해 구성되어 있고, 약액 공급 기구(44)는 노즐(41, 42)과 동일한 수인 11 대 설치되어 있다. 도 3 중 45는 노즐(41, 42)과 각 약액 공급 기구(44)를 접속시키는 약액 공급 라인이며, 각 약액 공급 라인(45)에는 밸브(46)를 포함하는 유량 제어부(47)가 설치되어 있다. 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 각 밸브(46)의 개폐가 제어되고 10 종류의 레지스트와 시너를 전환하여 웨이퍼(W)로 공급할 수 있도록 되어 있다.43 in FIG. 3 is a chemical liquid supply unit. The chemical
도 6은 암(33)의 이면을 도시하고 있고, 당해 암(33)의 이면측에는 화상을 취득하기 위한 이미지 센서(촬상 수단)인 카메라(35)와 광원(36)이 설치되어 있다. 카메라(35)는, 예를 들면 광각 렌즈를 구비하고, 노즐(41, 42)의 배열 방향과 대략 직교하는 방향으로부터 이들 노즐(41, 42)의 선단부를 촬상하여, 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으킨 노즐을 특정할 수 있도록 되어 있다. 촬상을 행할 때에 광원(36)은 노즐(41, 42)을 비춘다. 카메라(35)는 레지스트 도포 처리 중에 제어부(7)로 상시 화상을 송신하고 있는데, 이 화상 데이터의 해석은 후술하는 해석 프로그램을 실행함에 따른 CPU(74)의 부하를 억제하기 위하여 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에만 행해진다.FIG. 6 shows the rear surface of the
여기서, 액 맺힘이란 노즐의 선단으로부터 하방으로 액적이 노출된 상태를 의미하고, 액적 낙하(처리액의 적하)란 상기 액 맺힘이 성장한 결과, 상기 선단으로부터 약액이 분리된 상태를 의미한다. 또한, 제어부(7)는, 예를 들면 암(33)의 선단측에서 봤을 때 왼쪽으로부터 차례로 No.1, No.2 … No.11과 같이 노즐 번호를 부여하고, 그 번호마다 후술하는 바와 같이 이상 발생 상황을 관리하고 있다.Here, the liquid confinement means a state in which the liquid droplets are exposed downward from the tip of the nozzle, and the drop of liquid (dropping of the treatment liquid) means that the chemical liquid is separated from the distal end as a result of the growth of the liquid condensation. In addition, the
이어서, 브라켓(50)에 대하여 설명한다. 브라켓(50)의 기부측은 구동 기구(32)에 고정되어 있고, 브라켓(50)의 선단측은 암(33)을 따라 연장되어 있다. 브라켓(50)의 선단부(51)는, 도 5a 및 도 5b 에 도시하는 바와 같이, 암(33)의 선단측에서 봤을 때 노즐 헤드(34)를 좌우에서 샌드위치하는 측판(52a, 52b)을 구비하고 있다. 측판(52a, 52b)에는 서로 쌍이 되는 투광부(投光部)(53a), 수광부(53b)에 의해 구성된 투과형의 광학 센서(광 센서)(53)가 설치되어 있다. 따라서, 암(33)이 상기와 같이 도 1 중 Y 방향(도포 처리부(11a ~ 11b)의 배열 방향) 및 높이 방향(Z 방향)으로 이동할 수 있는데 반해, 광학 센서(53)는 구동 기구(32)의 이동에 따라 Y 방향으로 암(33)과 일체로 이동하지만 Z 방향으로는 이동하지 않는다. 약액을 웨이퍼(W)에 토출할 때에 광학 센서(53)도 암(33)과 함께 하강하여 웨이퍼(W)와의 거리가 가까워지면, 약액의 튐에 의해 투광부(53a, 53b)가 오염되어, 투광량 및 수광량이 저하될 우려가 있다. 따라서, 이와 같이 암(33)의 하강에 상관없이 광학 센서(53)가 하강하지 않는 구성으로 함으로써, 액 맺힘 및 액적 낙하의 오(誤)검지가 될 리스크가 저하되기 때문에 바람직하다.Next, the
암(33)이 상승 위치에 위치하고 있을 때 투광부(53a) 및 수광부(53b)는 노즐(41, 42)보다 하방에 위치하고 있고, 도 5a 중 쇄선의 화살표로 도시한 바와 같이, 투광부(53a)로부터 수광부(53b)로 노즐(41, 42)의 배열 방향을 따라 이들 노즐(41, 42)의 선단의 하방을 통과하도록 빛이 조사되고, 도면 중에 쇄선의 화살표로 도시한 광축(L1)이 형성된다. 투광부(53a)로서는 레지스트가 감광되는 리스크를 억제하기 위하여 가시광 등 장파장 영역의 광을 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 조사되는 광으로서는 레이저와 같이 지향성이 높은 것이면 더욱 좋다. 광축(L1)과 노즐(41, 42)의 하단 간의 거리(L)는, 예를 들면 0.5 mm ~ 1.5 mm이다.When the
수광부(53b)는 이 수광하는 광량에 따른 출력 신호를 제어부(7)로 송신한다. 도 5a 에 도시한 바와 같이, 암(33)이 상승 위치에 위치할 때에 액 맺힘(D)이 발생하거나 액적 낙하가 일어나면, 이 액적이 투광부(53a)로부터 수광부(53b)로 조사된 광을 차단하여 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되고, 이 저하에 따라 수광부(53b)가 출력하는 상기 신호가 변화된다.The
이어서, 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)에 대하여 설명한다. 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각각의 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 주연부를 제거하여 당해 주연부의 막의 박리를 방지하기 위하여 설치되어 있다. 각 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 레지스트의 용제인 시너를 웨이퍼(W) 주연부로 공급하는 시너 토출 노즐(62)과, 당해 시너 토출 노즐(62)을 보지하는 암(63)과, 암(63)을 보지하는 구동 기구(64)를 구비하고 있다. 구동 기구(64)는 암(63)을 승강시키고 또한 가이드(65)를 따라 Y 방향으로 이동한다. 도면 중 66a ~ 66c는 상측이 개구된 컵 형상으로 형성된 노즐 배스이며, 도포 처리부(11a ~ 11c)의 열을 따라 설치되어 있다. 각 시너 토출 노즐(62)은 처리를 행하지 않을 때에 각각 노즐 배스(66a ~ 66c) 내에 수납되어 대기하고, 처리를 행할 때에 대응되는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W)의 주연부 상으로 이동한다.Next, the coating-film peripheral
노즐 배스(30)는 집합 노즐(40)이 이동하는 Y 방향의 일단측에 설치되어 있고, 상측이 개구된 컵 형상으로 형성되어 있다. 집합 노즐(40)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 상기 노즐 배스(30) 내에 수납되어 대기한다. 또한, 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에는 배액 영역을 이루는 이들 노즐 배스(30, 66a ~ 66c) 내로 약액이 토출되는 경우가 있어, 노즐 배스(30, 66a ~ 66c) 내에는 그 토출된 약액을 배액하는 도시하지 않은 배액로가 형성되어 있다.The
이어서, 레지스트 도포 장치(1)에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 공정에 대하여 설명한다. 도포 장치(1)의 외부의 반송 수단에 의해, 예를 들면 도포 처리부(11a)로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)에 의해 스핀 척(12a)으로 전달된다. 그 후, 노즐 배스(30)에서 대기하고 있는 집합 노즐(40)이 암(33)에 의해 상승하여 당해 노즐 배스(30)로부터 나온 후, Y 방향으로 이동하여 시너 토출 노즐(42)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하면(도 8a), 암(33)이 하강한다. 이 암(33)의 이동 동작과 병행하여 스핀 척(12a)을 회전시키고, 이 회전 중인 웨이퍼(W) 상으로 시너를 공급한다. 시너가 스핀 코팅된 후, 당해 처리에서 이용되는 레지스트 토출 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하도록 암(33)이 Y 방향으로 이동한다. 이 이동 동작과 병행하여 웨이퍼(W)의 회전 수가 상승하여 웨이퍼(W) 상으로 레지스트(R)가 공급되고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 레지스트(R)가 도포된다(도 8b). Next, the process of apply | coating a resist to the wafer W by the resist
상기 레지스트(R) 공급 정지 후, 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시켜 레지스트(R)의 두께를 균일하게 하고, 이어서 재차 회전 수를 상승시킴으로써 코팅된 레지스트(R)를 털어 건조하여 레지스트막을 형성한다. 그 동안 암(33)이 상승 위치로 이동한 후 노즐 배스(30) 상으로 횡방향으로 이동하고, 그 후에 하강하여 당해 노즐 배스(30) 내에서 대기한다. 한편, 회전 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는 그 웨이퍼(W)가 회전하는 상태로 시너 토출 노즐(2)로부터 시너가 공급되어 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트막이 제거된다. 그 후, 레지스트막의 경우와 마찬가지로 시너의 회전 건조를 행하여 일련의 액처리를 완료한다.After the supply of the resist R is stopped, the rotation speed of the wafer W is lowered to make the thickness of the resist R uniform, and then the rotation speed is increased again to shake off the coated resist R to form a resist film. do. In the meantime, after the
시너 토출 노즐(2)을 주연부 제거 기구(61a)의 노즐 배스(66a)까지 퇴피시킨 후, 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)에 의해 장치(1) 외부의 반송 수단으로 전달되어 레지스트 도포 장치(1)로부터 반출된다. 이리하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c)에는, 예를 들면 미리 설정된 웨이퍼(W)의 반송 사이클에 따라 상기 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 간격으로 차례로 반송되고, 암(33)은 도포 처리부(11a)로 이동했을 때와 마찬가지로 다른 도포 처리부로도 이동하여 동일한 처리가 행해진다.After the thinner discharge nozzle 2 is retracted to the
이 예에서, 암(33)은 노즐 배스(30)로부터 먼저 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 거기서 액처리를 끝낸 후, 일단 노즐 배스(30)로 돌아오고, 나중에 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 하지만, 노즐 배스(30)로부터 하나의 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한 후, 노즐 배스(30)로 돌아오지 않고 다른 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 처리를 행하고, 예를 들면 복수 회 도포 처리부(11a ~ 11c) 간을 이동한 후 노즐 배스(30)로 돌아오도록 암(33)을 동작시켜도 좋다.In this example, the
이 레지스트 도포 장치(1)에는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 대처 수단을 구성하는 제어부(7)가 설치되어 있다. 제어부(7)의 구성에 대하여 도 9 를 참조하여 설명한다. 도면 중 70은 버스이며, 제어부(7)는 이들 버스(70)에 접속된 처리 프로그램(71), 해석 프로그램(7A), 제 1 메모리(72), 제 2 메모리(73), CPU(74), 조작부(75), 표시부(76)를 구비하고 있다. 판단 수단을 구성하는 해석 프로그램(7A)은 이상 발생 시에 카메라(35)로부터 송신된 화상의 해석 처리를 행하고, 처리 프로그램(71)은 그 이외의 처리를 행한다.In this resist
제 1 메모리(72)에는 처리 온도, 처리 시간, 각 약액의 공급량 또는 전력치등의 처리 파라미터 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU(74)가 처리 프로그램(71)의 각 명령을 실행할 때에 이들 처리 파라미터가 독출되고, 이 파라미터치에 따른 제어 신호가 이 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 보내진다. 처리 프로그램(71)의 작용으로서는 이들 처리 파라미터의 입력 조작 또는 표시에 관한 동작도 포함된다. 처리 프로그램(71) 및 해석 프로그램(7A)은, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 컴퓨터 기억 매체에 의해 구성된 프로그램 저장부(77)에 저장되어 제어부(7)에 인스톨된다.The first memory 72 includes an area in which processing parameter values such as processing temperature, processing time, supply amount of each chemical liquid or power value are written, and when the
제 2 메모리(73)에는 카메라(35)로부터 송신되는 집합 노즐(40) 선단의 화상 데이터와, 유저가 메인터넌스를 위하여 이용하는 후술하는 각종의 데이터가 기억된다. 기억된 상기 화상 데이터에 대해서는 제 2 메모리(73)의 사용 용량을 억제하기 위하여 처리 프로그램(71)에 의해, 예를 들면 소정의 시간 경과 후에 당해 제 2 메모리(73)로부터 소거된다. 조작부(75)로서는 마우스, 키보드 등에 의해 구성되어 있고, 예를 들면 기술한 처리 파라미터의 설정은 이 조작부(75)에 의해 행해진다. 또한, 유저는 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에 취하는 대처 처치로서, 약액의 노즐 배스로의 도포 처리를 목적으로 하지 않는 토출 처리(더미 디스펜스), 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리의 정지 중 어느 하나를 행하거나, 조작부(75)로부터 선택할 수 있도록 되어 있다. 표시부(76)는, 예를 들면 디스플레이로서 구성된다.In the
또한, 제어부(7)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 반송을 제어하는 상위 컴퓨터로부터 레지스트 도포 장치(1)로 반송되는 웨이퍼(W)의 ID와, 이 웨이퍼(W)가 반송되는 타이밍 및 반송처인 도포 처리부와, 도포되어야 할 레지스트의 종류 데이터가 송신되고, 이 데이터에 기초하여 처리 프로그램(71)은 집합 노즐(40)을 각 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동시키고, 웨이퍼(W)에 따른 노즐에 의해 레지스트 도포 처리를 행한다. In addition, the
버스(70)에는 알람 발생부(79)가 접속되어 있다. 이 알람 발생부(79)는 액 맺힘 발생 및 액적 낙하를 검출했을 때, 장치의 이상을 검출했을 때, 메인터넌스 추천 시기가 왔을 때에 각각 알람을 출력한다. 또한, 버스(70)에는 기술하는 카메라(35), 광원(36), 구동 기구(32), 약액 공급 유닛(43), 유량 제어부(47) 등이 접속되어 있고, 웨이퍼(W)로의 레지스트 도포 처리와 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생에 따른 소정의 대처 동작을 실행할 수 있도록 되어 있다.An alarm generator 79 is connected to the
여기서, 액 맺힘 발생 및 액적 낙하 및 장치 이상의 각각의 검출 동작과 이들에 대응하는 알람이 발생될 때까지의 공정에 대하여 설명한다. 기술한 바와 같이, 투광부(53a)로부터 조사되는 광이 차단되어 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되었을 때에, 이에 따른 신호(편의상 광량 감소 신호라고 함)가 수광부(53b)로부터 출력된다. 또한, 도 5b에 도시한 바와 같이, 암(33)이 하강 위치에 있을 때에는 처리 프로그램(71)에 의해 암(33)을 이 하강 위치에 위치시키는 신호(편의상 하강 신호라고 함)가 출력되고, 상기 광량 감소 신호가 제어부(7)에 출력된다. 이 때, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고는 판정하지 않는다.Here, a description will be given of the steps of the occurrence of liquid condensation and the drop of the droplets and the respective detection operations of the device abnormality and the occurrence of the alarm corresponding thereto. As described above, when the light irradiated from the light-transmitting
그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, 암(33)이 상승 위치에 있을 때에는 처리 프로그램(71)에 의해 암(33)을 이 상승 위치에 위치시키는 신호(편의상 상승 신호라고 함)가 출력된다. 이와 같이 상승 신호를 출력하고 있을 때 광량 감소 신호가 출력되면, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고 판정하고, 알람 발생부(79)에 의해 그 취지를 나타내는 알람을 발생시킨다. 암(33)이 상승 위치에 있는 것은 노즐 배스(30)와 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 사이에서 횡방향으로 이동하는 동안 및 도포 처리부(11a ~ 11c), 노즐 배스(30) 상으로 각각 이동 후 하강하기까지 대기하고 있는 동안이다. 따라서, 이들 구간에서 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 감시된다. 그리고, 이와 같이 상승 위치에서 횡방향으로 이동하고 있는 동안 및 상승 위치에서 대기하고 있는 동안 노즐(41, 42)은 미사용이다. 그리고, 하강 신호가 출력되었을 때에 광량 감소 신호가 출력되지 않을 경우, 처리 프로그램(71)은 장치(1) 이상으로 판정하고, 알람 발생부(79)에 의해 그 취지를 나타내는 알람을 발생시킨다.And as shown in FIG. 7, when the
또한, 상기와 같이 액 맺힘 및 액적 낙하(이상)의 발생을 검출했을 때에, 처리 프로그램(71)은 후에 구체적으로 설명하는 바와 같이 이상을 일으키고 있다고 특정된 노즐(41, 42)에 대하여, 그 노즐 번호와 그 시각을 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 노즐마다 과거에 이상이 일어난 시각에 대하여, 예를 들면 이들 시각의 간격의 평균을 산출하고, 이 평균을 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생하는 주기로서 제 2 메모리(73)에 기억시키고 표시부(76)에 표시한다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 최근의 이상이 일어난 시각에 이 주기를 추가하여 다음에 이상이 발생할 것으로 예상되는 타이밍을 노즐마다 산출하고, 이 산출된 타이밍을 제 2 메모리(73)에 기억시키고 또한 표시부(76)에 표시한다. 또한, 처리 프로그램(71)은 이와 같이 산출된 타이밍이 가까워지면, 메인터넌스 추천 시기가 온 것으로서 판단하고 통지용 알람을 알람 발생부(79)에 의해 발생시킨다. 유저는 이 알람에 기초하여 장치(1)의 메인터넌스를 행할 수 있다.In addition, when detecting the occurrence of liquid condensation and droplet drop (abnormal) as described above, the
또한, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생을 검출했을 때에, 이 때의 암(33)의 위치 및 암(33)의 동작 방향에 대한 데이터를 이상을 일으킨 노즐의 번호에 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 그리고, 예를 들면 표시부(76)에는 노즐마다 과거에 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어난 위치와 이 때의 상기 동작 방향이 표시되고, 유저는 상기 메인터넌스를 행할 때에 이 표시를 참고로 하여 암을 동작시키면서 노즐 상태를 체크할 수 있다.In addition, when the
또한, 처리 프로그램(71)은 액 맺힘 및 액적 낙하 검출 시에 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 스핀 척(12a ~ 12c)에 재치되어 있던 웨이퍼의 ID를 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 상기 기억된 ID에 대해서도 상기 표시부(76)에 표시되고, 유저는 예를 들면 레지스트 도포 후에 행해지는 검사 공정에서 이 표시에 기초하여 웨이퍼(W)를 선택하여 검사한다.The
이어서, 상기와 같이 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에, 유저의 선택에 의해 행해지는 약액의 노즐 배스로의 토출 처리(더미 디스펜스)에 대하여 설명한다. 이 토출 처리는 촬상에 의해 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐을 특정하고, 이 노즐로부터 액적을 토출시켜 토출구 내의 약액을 일단 제거하여 액적 낙하를 방지하고, 또한 액 맺힘을 흘려 보내어 제거하는 처리이다. 이 처리를 행함에 있어서는, 약액의 토출을 행하기까지 액적이 낙하하는 것을 방지하기 위하여, 이 노즐은 액 맺힘이 검출된 위치로부터 최단 거리에 있는 노즐 배스 상으로 이동하고 노즐 배스로부터 소정의 높이로 하강하여, 도 10에 도시한 바와 같이, 약액의 토출을 행한다. 구체적으로, 예를 들면 도 11 중의 쇄선으로 둘러싼 영역(T1, T2, T3, T4)에 암이 위치하고 있을 때에 노즐에 이상이 검출되었을 경우, 암(33)은 이 노즐이 각각 노즐 배스(30, 66a, 66b, 66c) 상에 위치하도록 이동한다. 도 10에서는 노즐 배스(66a)에 약액이 토출되는 모습을 도시하고 있지만, 다른 노즐 배스에서도 마찬가지로 약액이 토출된다.Next, when liquid formation and droplet drop are detected as mentioned above, the discharge process (dummy dispense) of the chemical liquid performed by the user's selection to a nozzle bath is demonstrated. This ejection process is a process of specifying a nozzle which causes liquid condensation and droplet drop by imaging, ejecting liquid droplets from this nozzle to remove the chemical liquid in the ejection opening to prevent the liquid drop, and further flowing the liquid condensation. . In performing this process, in order to prevent the droplets from falling until the ejection of the chemical liquid, the nozzle moves on the nozzle bath at the shortest distance from the position at which liquid condensation is detected and moves to a predetermined height from the nozzle bath. It descends and discharges chemical liquid as shown in FIG. Specifically, for example, when an abnormality is detected in the nozzle when the arm is located in the regions T1, T2, T3, and T4 enclosed by the broken lines in FIG. 11, the
이어서, 상기와 같이 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리가 행해지고 있을 때, 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생했을 경우의 동작에 대하여 도 12의 순서도를 참조하여 설명한다. 이 때, 유저에 의해 상기 노즐 배스로의 토출 처리를 행하도록 설정되고, 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리의 정지는 설정되지 않은 것으로 한다. 그리고, 예를 들면 상기한 바와 같이 노즐 배스(30)로부터 도포 처리부(11b)로 암(33)이 향할 때, No. 3의 노즐에 액 맺힘이 발생한 것으로 하고, 이동처인 도포 처리부(11b)에서는 No. 5의 노즐에서 레지스트의 공급이 행해지는 것으로 한다. 상기한 바와 같이, 액 맺힘에 의해 수광부(53b)가 수광하는 광량이 저하되고, 이 수광부(53b)로부터의 출력 신호에 기초하여 처리 프로그램(71)이 액 맺힘 및 액적 낙하의 발생이 일어났다고 판정하고(단계(S1)), 알람 발생부(79) 에 의해 알람을 발생시킨다(단계(S2)). Next, when the coating process is performed on the wafer W as described above, the operation when liquid condensation and droplet drop occur will be described with reference to the flowchart of FIG. 12. At this time, it is set to perform the discharge process to the said nozzle bath by a user, and the stop of the process in the resist
그리고, 알람의 발생과 병행하여 처리 프로그램(71)에 의한 이상 발생의 판정이 트리거(trigger)가 되어 해석 프로그램(7A)이 기동되고(단계(S3)), 당해 해석 프로그램(7A)은 카메라(35)로부터 제어부(7)로 송신되어 제 2 메모리(73)에 기억된 화상에 기초하여 어느 노즐에 이상이 일어나고 있는지 판정한다(단계(S4)). 판정 후, 해석 프로그램(7A)의 동작이 정지하고, 이 판정 결과에 기초하여, 처리 프로그램(71)이 이 이상 검출 시의 암(33) 위치와 암(33)의 동작 방향과 이상 검출시의 시각에 대한 데이터를, 이상이 일어났다고 판정된 No. 3의 노즐에 대응시켜 제 2 메모리(73)에 기억시킨다. 또한, 이 이상 검출 시에 레지스트 도포 장치(1)로 반송되어 있는 웨이퍼(W)의 ID에 대해서도 제 2 메모리(73)에 기억된다(단계(S5)).In parallel with the occurrence of the alarm, the determination of the occurrence of abnormality by the
이 처리 프로그램(71)은 이번에 기억된 이상 검출 시의 시각과 그 때까지 제 2 메모리(73)에 기억된 No. 3의 노즐의 이상 검출 시의 시각에 기초하여, 이 No. 3의 노즐이 이상을 일으키는 주기 및 다음에 이상이 일어날 타이밍을 연산하여 이 연산 결과를 표시부(76)에 표시하고, 이 이상이 일어난 No. 3의 노즐이 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용될 노즐인지의 여부를 판정한다(단계(S6)).This
이 경우에는 집합 노즐(40)의 이동처인 도포 처리부(11b)에서 No. 5의 노즐이 사용되므로, 단계(S6)에서 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용되는 노즐이 아니라고 판정된다. 그리고, 암(33)은 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때의 위치에 대응하는 노즐 배스 상으로 이동한다. 예를 들면, 액 맺힘 및 액적 낙하 검출 시에 도 11의 영역(T3)에 암(33)이 위치하고 있다고 하면, 암(33)은 이 영역(T3)에 대응하는 노즐 배스(66b) 상에 이상을 일으킨 No. 3의 노즐이 위치하도록 이동한다. 그리고, 노즐 배스(66b)를 향하여 암(33)이 하강하고, 그 후, 이상이 일어난 No. 3의 노즐로부터 노즐 배스(66b)에 약액이 토출된다(단계(S7)). 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하여 단계(S1) 실행 전의 동작이 재개되고, 암(33)은 재차 도포 처리부(11b)로 이동하여 도포 처리가 행해진다.In this case, the
한편, 상기 단계(S6)에서 이상 검출 직후의 도포 처리에 사용되는 노즐이라고 판정되었을 경우에는, 도포 처리부(11b)로의 이동 및 통상의 레지스트의 도포 처리가 행해지고(단계(S8)), 이 도포 처리에서 이상이 일어난 노즐로부터 약액이 토출됨으로써, 액 맺힘이 제거되고 또한 액적 낙하가 쉽게 일어나지 않는 상태가 된다. 이 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 계속하여 도포 처리가 행해진다. 이와 같이 단계(S7, S8)가 각각 실행되고 도포 처리가 계속되어, 예를 들면 소정 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후, 유저가 예를 들면 조작부(75)에 의해 장치(1)를 정지시키고 메인터넌스를 행한다. 메인터넌스 후, 예를 들면 유저는 조작부(75)를 통해 소정의 처리를 행하여 알람의 발생을 정지시키고 도포 처리를 재개시킨다.On the other hand, when it determines with the nozzle used for the application | coating process immediately after abnormality detection in the said step S6, the movement to the application |
유저가 노즐 배스로의 약액 토출을 행하도록 선택한 경우에 대하여 설명했다. 하지만, 이와 같이 선택하는 대신에 장치(1)의 처리 정지가 행해지도록 선택되어 있는 경우에는, 상기의 단계(S1 ~ S5)가 실행된 후, 제어부(7)가 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 제어 신호를 송신하여, 구동 기구(32)의 이동이 정지하고 도포 처리부(11a ~ 11c)에서 행해지고 있는 각 처리가 정지한다. 또한, 기판 반송 수단의 동작을 제어하는 제어부로 제어 신호를 송신하여, 레지스트 도포 장치(1)로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킨다. 그리고, 유저가 장치(1)의 메인터넌스를 행한 후, 예를 들면 조작부(75)를 통해 소정의 처리를 행함으로써 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하여, 알람의 발생이 정지하고 도포 처리가 재개된다.The case where the user selected to perform chemical liquid discharge to the nozzle bath was demonstrated. However, in the case where the processing stop of the
상기의 실시예에 따르면, 집합 노즐(40)의 하방에서 당해 집합 노즐(40)을 구성하는 노즐(41, 42)의 배열 방향을 따라 광을 조사하는 투광부(53a)와, 이 광을 수광하는 수광부(53b)를 구비한 광학 센서(53)와, 광학 센서(53)의 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는 약액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는 이 판정 결과에 기초하여 알람의 발생과 노즐 배스로의 약액 토출이나 혹은 구동 기구(32)의 정지에 따른 레지스트 도포 처리의 정지를 행하고 있다. 따라서, 집합 노즐(40)이 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 이동함에 있어서, 웨이퍼(W) 또는 스핀 척(12a ~ 12c)에 약액이 적하하여 정상적인 처리를 방해받거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 이 결과로서 제품의 수율의 저하를 억제할 수 있다.According to the above embodiment, the light-transmitting
또한, 상기의 실시예에서는 액 맺힘 및 액적의 낙하가 일어났다고 판정되었을 때에만 해석 프로그램(7A)이 동작하여 카메라(35)로부터 제어부(7)로 송신된 화상의 해석이 행해지므로, 해석 프로그램(7A)의 부하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 카메라(35)에 대해서는, 상기의 예에서는 이상 발생 시에 신속하게 촬상을 행하기 위하여 레지스트 도포 처리 중에는 항상 전원이 온(on)으로 되어 있어 화상 데이터는 상시 제어부(7)로 송신되고 있다. 하지만, 상기의 액 맺힘 및 액적의 낙하가 일어났다고 판정되었을 때에만 전원이 온이 되어 제어부(7)로의 화상 데이터의 송신이 행해져도 좋다.In addition, in the above embodiment, the
또한, 상기의 실시예에서는 집합 노즐(40)을 구성하는 각 노즐의 선단을 광학 센서(53)에 의해 일괄적으로 감시하고, 액 맺힘 및 약액의 낙하를 검지하여 알람을 출력한다. 그리고, 통상의 레지스트 도포 처리 시에 집합 노즐(40)을 지지하는 암(33)의 움직임은 이 광학 센서(53)에 의한 감시에 따른 영향을 받지 않기 때문에, 이러한 감시를 행하는 것에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 한 쌍의 투광부(53a) 및 수광부(53b)로 이루어지는 광학 센서(53)로 집합 노즐(40)을 횡단적으로 일괄 감시하고 있다. 이와 같이 복수의 노즐을 하나의 센서로 감시하는 구성으로 함으로써, 장치의 구성 부품 수의 증가를 억제할 수 있다. 또한, 상기 실시예에서는 광학 센서(53)의 장착 후에 처리에 사용되는 노즐 및 약액 공급 라인(45)의 개수 가 변경되어도 감시 대상이 되는 공간은 변화하지 않으므로, 광학 센서(53)의 장착 위치의 변경 또는 조정 작업을 행할 필요가 없으므로 바람직하다. 또한, 노즐마다 이상이 일어나는 주기를 산출하고, 이 주기에 기초하여 알람을 출력하여 유저에게 알리므로, 유저는 적정한 메인터넌스의 타이밍을 알 수 있고, 이 결과로서 보다 확실히 수율의 저하를 억제할 수 있다.In the above embodiment, the front end of each nozzle constituting the
(제 2 실시예) (Second embodiment)
이어서, 레지스트 도포 장치(1)의 다른 실시예에 대하여 제 1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 13은 제 2 실시예에서의 레지스트 공급부(3)의 사시도이며, 브라켓(50)의 선단부(51)에는, 예를 들면 실린더(82)를 구비한 구동 기구(81)가 설치되어 있고, 실린더(82)에는 기립판 형상의 지지부(83)가 접속되고, 이 지지부(83)에는 액받이 부재를 구성하는 받이 접시(84)가 수평으로 설치되어 있다.Next, another Example of the resist
구동 기구(81)는 브라켓(50)에 대하여 고정되어 있고, 받이 접시(84)는 Y 방향으로 암(33)과 일체로 움직이지만, Z 방향(상하 방향)으로는 움직이지 않는다. 이와 같이 받이 접시(84)를 암(33)과 함께 하강시키지 않도록 함으로써, 받이 접시(84)가 웨이퍼(W)의 직상(直上)에서 레지스트 도포 장치(1)의 다운 플로우를 차단하여 웨이퍼(W) 상의 도포 막두께 또는 파티클 발생 수에 영향을 미치는 것을 방지하고 있다. 그리고, 받이 접시(84)는 구동 기구(81)에 의해 X 방향(암(33)의 연장 방향)으로 이동 가능하게 구성되고, 도 14a에 도시한 집합 노즐(40) 직하(直下)로부터 떨어진 퇴피 위치와, 도 14b에 도시한 집합 노즐(40) 직하의 액받이 위치의 사이에서 이동한다. 통상적으로, 받이 접시(84)는 퇴피 위치에서 대기하여, 암(33)에 의한 집합 노즐(40)의 승강을 방해하지 않도록 되어 있다.The
상기한 이 제 2 실시예에서, 액 맺힘 및 액적 낙하가 발생했을 경우의 처리 공정에 대하여 설명한다. 제 1 실시예와 마찬가지로 단계(S1, S2)가 행해진 후, 받이 접시(84)가 액받이 위치로 이동하고 단계(S3 ~ S6)가 동일하게 실시된다. 그리고, 단계(S6)에서 이상이 일어난 노즐이 다음의 도포 처리에 이용되는 노즐이 아니라고 판정되었을 경우, 받이 접시(84)가 액받이 위치에 위치한 채로 암(33)이 단계(S1)에서 이상이 검출된 위치에 대응하는 노즐 배스 상으로 이동한다. 그리고, 이상이 일어난 노즐이 노즐 배스 상에 위치하면, 받이 접시(84)가 액받이 위치로부터 퇴피 위치로 이동하고, 그 후 암(33)이 하강하여 단계(S7)의 노즐 배스로의 약액의 토출이 행해진다. 이 약액 토출 후, 처리 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 받이 접시(84)가 퇴피 위치에 위치한 채로 계속해서 도포 처리가 행해진다.In this second embodiment described above, a processing step in the case where liquid condensation and droplet drop occurs will be described. After the steps S1 and S2 are performed as in the first embodiment, the receiving
또한, 단계(S6)에서 이상이 일어난 노즐이 다음의 도포 처리에 이용되는 노즐이라고 판정되었을 경우, 받이 접시(84)가 액받이 위치에 위치한 채로 암(33)이 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 그리고, 이상이 일어난 노즐이 이 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W) 상에 위치하면, 받이 접시(84)가 액받이 위치로부터 퇴피 위치로 이동하고, 단계(S8)의 웨이퍼(W)에 대한 통상 처리가 행해져 프로그램(71)은 노즐이 이상 상태로부터 회복한 것으로 판정하고, 받이 접시(84)가 퇴피 위치에 위치한 채로 계속해서 다음의 웨이퍼(W)의 도포 처리가 행해진다.In addition, when it is determined in step S6 that the nozzle having an abnormality is a nozzle to be used for the next coating treatment, the
이 제 2 실시예에서는 알람의 출력 및 받이 접시(84)의 이동에 따른 액적 낙하의 물리적 회피가 행해지므로, 제 1 실시예와 동일한 효과가 있다. 또한, 이와 같이 이상 검출 시에만 액받이 위치에 받이 접시(84)를 위치시킴으로써, 통상의 처리 시에는 암(33)이 승강할 때마다 받이 접시(84)가 이 암(33)을 회피하기 위하여 이동할 필요가 없어, 이 받이 접시(84)의 이동에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 집합 노즐(40) 선단에서 액 맺힘이 형성된 단계에서 광학 센서(53)에 의해 노즐의 이상이 검출되고, 액적이 낙하할 때까지의 동안에 받이 접시(84)가 노즐 직하로 이동되어 있으면 문제는 없으므로, 이와 같이 받이 접시(84)를 통상은 퇴피 위치에 위치시키는 구성으로 함으로써 충분한 효과가 얻어진다. 또한, 제 2 실시예에서는 받이 접시(84) 및 이를 동작시키는 기구가 장치에 하나 설치되어 있으므로, 예를 들면 노즐마다 액 맺힘을 방지하는 수단을 설치하는 경우에 비해 장치의 부품 수를 억제한다는 관점에서 바람직하다.In this second embodiment, physical avoidance of the drop of the liquid due to the output of the alarm and the movement of the receiving
또한, 제 2 실시예에서 알람 발생 후, 예를 들면 노즐 배스로의 약액의 토출을 행하지 않고, 암이 상승 위치에 있는 동안은 액받이 위치에, 하강 위치에 있는 동안은 퇴피 위치에 각각 위치하고 있도록, 암(33)이 승강할 때마다 받이 접시(84)를 이동시켜 도포 처리를 행하도록 해도 좋다. 이 경우, 예를 들면 소정의 웨이퍼 매수를 처리한 후에 유저가 메인터넌스 작업을 행하여 노즐을 정상적인 상태로 되돌리고, 이러한 받이 접시(84)의 이동 동작을 해제하도록 설정해도 좋다. 이 경우에도 노즐이 횡방향으로 이동하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 통과함에 있어서, 웨이퍼(W) 및 스핀 척(12)으로의 액적 낙하를 방지할 수 있기 때문에 유효하다. 이와 같이, 제 2 실시예에서는 노즐 배스로의 약액의 토출이나 메인터넌스 작업을 행하여 노즐(41, 42)이 이상 상태로부터 정상 상태로 회복할 때까지 받이 접시(84)의 이동이 행해지는데, 정상 상태로의 회복 후에는 받이 접시(84)를 재차 퇴피 위치로 이동시키고 계속해서 도포 처리를 행함으로써, 이 받이 접시(84)의 이동에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 실시예에서 각 노즐 배스 및 도포 처리부는 상기와 같이 직선 방향이 아닌 둘레 방향으로 배열되어 집합 노즐(40)을 지지한 암(33)이 이 배열 방향으로 이동하는 구성이어도 좋다. 또한, 광학 센서로서는 투과형(透過型)인 것에 한정되지 않고 반사형인 것을 이용하여 광축을 형성해도 좋다.In addition, in the second embodiment, after the alarm is generated, for example, the liquid is not discharged to the nozzle bath, and the liquid is placed in the drop position while the arm is in the up position and in the retracted position while in the down position. Each time the
이하, 상기의 레지스트 도포 장치(1)가 탑재된 도포 현상 장치(110)에 대하여 설명한다. 도 15는 도포 현상 장치(110)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 16은 이 시스템의 사시도이다. 또한, 도 17은 도포 현상 장치(110)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(110)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 이 재치대(111) 상에 재치된 밀폐형인 캐리어(C)로부터 전달 암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 암(112)이 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C)로 되돌리도록 구성되어 있다. 캐리어(C)는 다수 매의 웨이퍼(W)를 포함하고 각 웨이퍼(W)는 차례로 처리 블록(C2)으로 반송된다.Hereinafter, the coating and developing
상기 처리 블록(C2)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제 1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제 3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 보호막 의 형성을 행하기 위한 제 4 블록(ITC층)(B4)을 아래로부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.As shown in Fig. 16, the processing block C2 performs the process of forming the antireflection film formed under the first block (DEV layer) B1 and the resist film for development in this example. The second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3 for applying the resist film, and the fourth block (ITC layer) for forming the protective film formed on the upper layer side of the resist film. (B4) is laminated | stacked in order from the bottom, and is comprised.
처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 봤을 때 동일하게 구성되어 있다. 제 3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트 도포 모듈(113)과, 이 레지스트 도포 모듈(113)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)과, 상기 레지스트 도포 모듈과 가열·냉각계의 처리 모듈군의 사이에 설치되고 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(A3)에 의해 구성되어 있다. 이 레지스트 도포 모듈(113)이 기술한 레지스트 도포 장치(1)에, 반송 암(A3)이 기술한 기판 반송 수단에 상당한다.Each layer of the processing block C2 is configured in the same manner in plan view. Taking the third block (COT layer) B3 as an example, the COT layer B3 is formed of a resist
상기 선반 유닛(U1 ~ U4)은 반송 암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열되고, 각각 상기한 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 재치된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 재치된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.The shelf units U1 to U4 are arranged along the conveyance region R1 where the conveyance arm A3 moves, and are configured by stacking the above-described heating module and cooling module, respectively. The heating module has a heating plate for heating the placed wafer, and the cooling module has a cooling plate for cooling the placed wafer.
제 2 블록(BCT층)(B2), 제 4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는, 상기 레지스트 도포 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에서 레지스트 대신에 도포액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 동일한 구성이다.As for the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (ITC layer) B4, an antireflection film forming module and a protective film forming module corresponding to the resist coating module are provided, respectively. It is the same structure as COT layer B3 except that the chemical liquid for anti-reflective film formation and the chemical liquid for protective film formation are respectively supplied to the wafer W as a coating liquid.
제 1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트 도포 모듈에 대응하는 현상 모듈이 2 단으로 적층되어 있고, 공통의 케이스 내에 3 대의 현상 처리부 또는 기술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈 의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)이 설치되어 있다. 그리고, DEV층(B1) 내에는 이들 2 단의 현상 모듈과 상기 가열·냉각계의 처리 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.As for the first block (DEV layer) B1, two development modules corresponding to a resist coating module are stacked in one DEV layer B1, and three developing units or each nozzle described in the common case are placed. It is included. Further, the DEV layer B1 is provided with shelf units U1 to U4 constituting a group of processing modules for heating and cooling systems for pretreatment and post-treatment of the developing module. And in the DEV layer B1, the conveyance arm A1 for conveying the wafer W to these two stage development modules and the said heating / cooling processing module is provided. In other words, the transfer arm A1 is commonly used for the two-stage developing module.
또한, 처리 블록(C2)에는, 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5) 중 하나의 전달 유닛, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)에 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 차례로 반송된다. 제 2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 암(A2)은 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.15 and 17, the shelf unit U5 is provided in the processing block C2, and the wafer W from the carrier block C1 is one of the shelf units U5. The conveying unit, for example, is conveyed to the conveying unit CPL2 corresponding to the second block (BCT layer) B2 in turn. The transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the transfer unit CPL2 and transfers it to each unit (antireflection film forming module and processing unit group of a heating / cooling system). In these units, an anti-reflection film is formed on the wafer W. FIG.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)으로 반송되고, 거기서 예를 들면 23℃로 온도 조정된 후, 반송 암(A3)에 의해 제 3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고 레지스트 도포 모듈에서 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3) → 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3) → 전달 암(D1)을 거쳐 선반 유닛(U5)에서의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(ITC층)(B4)에서 추가로 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 거쳐 반송 암(A4)으로 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the transfer unit BF2 of the shelf unit U5, the transfer arm D1, and the transfer unit CPL3 of the shelf unit U5, and the temperature is adjusted to 23 ° C., for example. After that, it is carried in to the 3rd block (COT layer) B3 by the conveyance arm A3, and a resist film is formed in a resist coating module. In addition, the wafer W is transferred to the transfer unit BF3 in the shelf unit U5 via the transfer arm A3 → the transfer unit BF3 of the shelf unit U5 → the transfer arm D1. In the wafer W on which the resist film is formed, a protective film may be further formed at the fourth block (ITC layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 via the transfer unit CPL4, and is transferred to the transfer unit TRS4 by the transfer arm A4 after the protective film is formed.
한편, DEV층(B1) 내의 상부에는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달부(115)로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달부(116)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀(117)이 설치되어 있다. 레지스트막 또는 추가로 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D1)에 의해 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 전달부(115)로 전달되고, 이로부터 셔틀(117)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달부(116)로 직접 반송되어 인터페이스 블록(C3)으로 도입되게 된다. 또한, 도 17 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수 매의 웨이퍼(W)가 재치 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.On the other hand, in the upper part of DEV layer B1, it is an exclusive conveyance means for directly conveying the wafer W from the
이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(118)에 의해 노광 장치(C4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 재치되어 처리 블록(C2)으로 되돌려진다. 되돌려진 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)으로 전달된다. 그 후, 전달 암(112)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다. Subsequently, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus C4 by the
본 발명의 액처리 장치를 상기한 예에서는 레지스트 도포 장치로서 구성하고 있지만, 예를 들면 이 도포 현상 장치(1)에 설치된 현상 모듈, 반사 방지막 형성 모듈로서 구성하고, 레지스트 대신에 각 모듈에 대응하는 약액을 토출하는 것이어도 좋고, 그 외의 처리액을 기판으로 공급하는 장치로서 본 발명을 구성해도 좋다. Although the liquid processing apparatus of this invention is comprised as a resist coating apparatus in the above-mentioned example, it is comprised, for example as a developing module and the anti-reflective film forming module provided in this coating and developing
1 레지스트 도포 장치
11a ~ 11c 도포 처리부
12a ~ 12c 스핀 척
21a ~ 21c 컵
3 레지스트 공급부
30 노즐 배스
33 암
40 집합 노즐
41 레지스트 토출 노즐
42 시너 토출 노즐
50 브라켓
53 광학 센서
66a ~ 66c 노즐 배스
7 제어부
71 처리 프로그램
7A 해석 프로그램1 resist coating device
11a to 11c coating treatment
12a-12c spin chuck
21a to 21c cup
3 resist supply
30 nozzle bath
33 cancer
40 sets nozzle
41 Resist Discharge Nozzle
42 thinner discharge nozzle
50 bracket
53 optical sensor
66a to 66c nozzle bath
7 control unit
71 processing programs
7A analysis program
Claims (14)
상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되고 기판에 각각 상이한 종류의 처리액을 공급하기 위하여 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 지지체에 설치된 복수의 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스(bath)와,
상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와,
각 처리액 노즐의 하방에서 상기 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 광 센서와,
각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하여 판정 신호를 출력하는 수단과,
상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 대처 수단
을 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
A plurality of liquid processing portions each provided with a substrate holding portion for holding the substrate horizontally in a cup having an opening formed at an upper side thereof, and arranged in a row in the transverse direction to each other;
A plurality of processing liquid nozzles common to the plurality of liquid processing units and installed on a support along an arrangement direction of the liquid processing unit for supplying different kinds of processing liquids to the substrate,
A nozzle bath provided for waiting the processing liquid nozzle,
A support driving mechanism for moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing unit via the support between the upper region of each of the liquid processing unit and the nozzle bath;
An optical sensor which forms an optical axis in an array direction of the processing liquid nozzle below each processing liquid nozzle;
Means for outputting a determination signal by determining that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred when detecting a state in which the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use;
Coping means for performing a coping operation based on the output of the determination signal;
Liquid processing apparatus comprising a.
상기 대처 수단은, 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단
을 구비하고, 상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 1,
The coping means includes: imaging means for imaging the tip of the processing liquid nozzle;
Determination means for judging which process liquid nozzles are formed or dripping the processing liquid based on the imaging result by the imaging means.
And a judgment by a judging means is performed based on the output of said judging signal.
상기 대처 수단은, 상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역과,
상기 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어 수단
을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 2,
The coping means includes a drainage region provided on an extension line in an arrangement direction of the liquid processing unit or between the liquid processing units in the arrangement direction;
Control means for outputting a control signal to discharge the processing liquid from the processing liquid nozzle which has been judged that liquid condensation or dripping of the processing liquid has occurred in the drainage area by the determination means;
Liquid processing apparatus comprising a.
상기 배액 영역은 상기 노즐 배스에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 3, wherein
And the drainage area is constituted by the nozzle bath.
상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 액받이 부재와,
처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에, 상기 액받이 부재를 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 이동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The coping means includes: a liquid receiving member for receiving liquid condensation of the processing liquid from each processing liquid nozzle and falling droplets;
And moving means for moving the liquid receiving member from the evacuation region outside of the liquid receiving region to the liquid receiving region for receiving the liquid from below the liquid processing nozzle when liquid condensation or dripping of the processing liquid is detected. Liquid processing apparatus.
상기 대처 수단은, 지지체 구동 기구의 이동 및 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 정지 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method of claim 1,
The said coping means is equipped with the stop means which stops the movement of a support body drive mechanism, and discharge of the process liquid from a process liquid nozzle.
상기 대처 수단은, 알람 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the coping means comprises an alarm generating means.
상기 지지체 구동 기구는 상기 지지체를 승강시키도록 구성되고, 상기 광 센서는 상기 지지체 구동 기구에 대하여 고정된 고정부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the support drive mechanism is configured to elevate and support the support, and the optical sensor is provided in a fixed portion fixed to the support drive mechanism.
노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 각각의 상방 영역과 상기 노즐 배스의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과,
광 센서에 의해 각 처리액 노즐의 하방에서 처리액 노즐의 배열 방향을 따라 광축을 형성하는 공정과,
각 처리액 노즐의 미사용 시에 상기 광 센서에 의해 상기 광축이 차단된 상태를 검출했을 때에는, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판정하고 판정 신호를 출력하는 공정과,
상기 판정 신호의 출력에 기초하여 대처 동작을 행하는 공정
을 포함 하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
A plurality of substrate holding portions each holding a substrate horizontally in a cup having an opening formed thereon, shared with a plurality of liquid processing portions arranged in a row in the transverse direction, and provided in a support along the arrangement direction of the liquid processing portion; Supplying different kinds of treatment liquids from the treatment liquid nozzles to the substrate, respectively;
Placing the processing liquid nozzle in a nozzle bath;
Moving each processing liquid nozzle along the column of the liquid processing unit via the support between the upper region of the liquid processing unit and the nozzle bath by the support driving mechanism;
Forming an optical axis along the array direction of the processing liquid nozzles under each processing liquid nozzle by an optical sensor;
When detecting that the optical axis is blocked by the optical sensor when each processing liquid nozzle is not in use, determining that liquid condensation or dropping of the processing liquid has occurred and outputting a determination signal;
Performing a countermeasure operation based on the output of the determination signal
Liquid treatment method comprising a.
상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과,
상기 판정 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method of claim 9,
The step of performing the coping action includes a step of picking up the tip of the processing liquid nozzle by the imaging means;
A step of judging by a judging means which liquid solution is formed or dripping of a process liquid on which process liquid nozzle on the basis of the imaging result by said imaging means;
A process of judging by the judging means based on the output of the judging signal
Liquid treatment method comprising a.
상기 액처리부의 배열 방향의 연장선 상이나, 상기 배열 방향에서의 액처리부 간에 설치된 배액 영역에 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 처리액의 토출을 행하는 공정과,
상기 처리액의 토출을 행하기 위하여 제어 수단으로부터 제어 신호를 출력하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method of claim 10,
A step of discharging the processing liquid from the processing liquid nozzle determined that liquid condensation or dropping of the processing liquid has occurred by the judging means on an extension line in the arrangement direction of the liquid processing unit or between the liquid processing units in the arrangement direction. and,
Outputting a control signal from a control means in order to discharge the processing liquid
Liquid treatment method comprising a.
상기 대처 동작을 행하는 공정은,
촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
판단 수단에 의해 상기 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에만 상기 촬상 수단에 의한 촬상에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 공정과,
액 맺힘 또는 처리액의 적하가 일어났다고 판단된 처리액 노즐로부터 상기 배액 영역에 처리액을 토출하도록 제어 수단에 의해 제어 신호를 출력하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method of claim 11,
The step of performing the coping action,
Imaging the distal end of the processing liquid nozzle by the imaging means;
Determining, by the judging means, which liquid treatment liquid dripping or dropping of the processing liquid has occurred in which processing liquid nozzle based on the imaging by the imaging means only when the liquid formation or dripping of the processing liquid is detected;
And outputting a control signal by the control means to discharge the processing liquid from the processing liquid nozzle which has been determined that liquid formation or dropping of the processing liquid has occurred.
상기 대처 동작을 행하는 공정은,
액받이 부재에 의해 각 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 낙하한 액적을 받기 위한 공정과, 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 검출되었을 때에 상기 액받이 부재를 이동 수단에 의해 액처리 노즐의 하방에서 액을 받기 위한 액받이 영역으로 상기 액받이 영역의 외측의 퇴피 영역으로부터 이동시키는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
The method according to any one of claims 9 to 12,
The step of performing the coping action,
A process for receiving the liquid condensation and the dropped droplets of the processing liquid from each processing liquid nozzle by the liquid receiving member; and when the liquid condensation or dripping of the processing liquid is detected, the liquid receiving member is moved by the moving means to A step of moving from the evacuation region outside of the liquid receiving region to the liquid receiving region for receiving the liquid from below
Liquid treatment method comprising a.
상기 컴퓨터 프로그램은, 청구항 9 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 기억 매체.As a storage medium in which a computer program used for a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate is stored,
The said computer program is for implementing the liquid processing method in any one of Claims 9-12. The storage medium characterized by the above-mentioned.
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