JP2015173148A - substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which can precisely detect discharge of a process liquid from a nozzle regardless of a type of a substrate to be a processing target.SOLUTION: A substrate processing method comprises the steps of: imaging an imaging area including a tip of a top face process liquid nozzle 30 which reciprocates between a processing position above a substrate W held by a spin chuck 20 and a standby position outside a processing cup 40, by a camera 70 before the top face process liquid nozzle 30 moving to the processing position discharges the process liquid to acquire a discharge reference image; and subsequently, comparing a plurality of monitoring target images sequentially, which are acquired by imaging the imaging area in series by the camera 70 with the discharge reference image to determine discharge of the process liquid from the top face process liquid nozzle 30. Since every time a substrate W to be a new processing target is processed, the discharge reference image is acquired, discharge of the process liquid can be precisely detected by removing the influence of a substrate surface which is caught in both of the monitoring target image and the discharge reference image as back grounds.

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板(以下、単に「基板」と称する)にノズルから処理液を吐出して所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate for performing predetermined processing by discharging a processing liquid from a nozzle onto a thin plate-like precision electronic substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. It relates to the processing method.

従来より、半導体デバイスなどの製造工程においては、基板に対して純水、フォトレジスト液、エッチング液などの種々の処理液を供給して洗浄処理やレジスト塗布処理などの基板処理を行っている。これらの処理液を使用した液処理を行う装置としては、基板を水平姿勢で回転させつつ、その基板の表面にノズルから処理液を吐出する基板処理装置が広く用いられている。   Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, substrate processing such as cleaning processing or resist coating processing is performed by supplying various processing solutions such as pure water, a photoresist solution, and an etching solution to the substrate. As an apparatus for performing a liquid processing using these processing liquids, a substrate processing apparatus that discharges a processing liquid from a nozzle onto the surface of the substrate while rotating the substrate in a horizontal posture is widely used.

このような基板処理装置においては、流量計の出力やポンプの動作確認によってノズルから処理液が吐出されているか否かの確認が行われているのであるが、より確実に吐出の有無を判定する手法として、例えば特許文献1にはCCDカメラ等の撮像手段を設けてノズルからの処理液吐出を直接的に監視することが提案されている。   In such a substrate processing apparatus, it is confirmed whether or not the processing liquid is being discharged from the nozzle by checking the output of the flow meter or the operation of the pump. As a technique, for example, Patent Document 1 proposes that an imaging unit such as a CCD camera is provided to directly monitor the discharge of the processing liquid from the nozzle.

特開平11−329936号公報JP 11-329936 A

しかしながら、撮像手段によってノズルからの処理液吐出を直接的に監視する場合には、処理対象となる基板の種類によって撮像時の背景が異なる。すなわち、一般に基板の表面にはレジスト膜や絶縁膜などの種々の膜が成膜されてパターン形成がなされている。そして、そのような膜の種類や形成されたパターンによって基板表面の反射率は大きく異なるものとなり、その結果処理対象となる基板の種類によって撮像時の背景が異なることとなるのである。このため、表面に成膜された膜の種類や形成されたパターンによっては、撮像手段によって撮像される画像のノイズが大きくなってノズルからの処理液の吐出を正確に検出することができないという問題が生じていた。   However, when the processing liquid ejection from the nozzle is directly monitored by the imaging unit, the background at the time of imaging varies depending on the type of substrate to be processed. That is, in general, various films such as a resist film and an insulating film are formed on the surface of the substrate to form a pattern. The reflectivity of the substrate surface varies greatly depending on the type of film and the pattern formed, and as a result, the background at the time of imaging varies depending on the type of substrate to be processed. For this reason, depending on the type of film deposited on the surface and the pattern formed, the noise of the image captured by the imaging means becomes large, and the discharge of the processing liquid from the nozzle cannot be accurately detected. Has occurred.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理対象となる基板の種類にかかわらず、ノズルからの処理液の吐出を確実に検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reliably detecting discharge of a processing liquid from a nozzle regardless of the type of a substrate to be processed. The purpose is to do.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の周囲を取り囲むカップと、処理液を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と前記カップよりも外側の待機位置との間で前記ノズルを移動させる駆動部と、前記処理位置における前記ノズルの先端を含む撮像領域を撮像する撮像部と、前記処理位置に移動した前記ノズルが処理液を吐出する前に前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第1基準画像とその後に前記撮像領域を撮像して取得した監視対象画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する判定部と、を備え、前記撮像部は、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記処理位置に移動する毎に第1基準画像を取得することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus, comprising a substrate holding part for holding a substrate, a cup surrounding the periphery of the substrate holding part, a nozzle for discharging a processing liquid, A drive unit that moves the nozzle between a processing position above the substrate held by the substrate holding unit and a standby position outside the cup, and an imaging region that includes the tip of the nozzle at the processing position The first reference image acquired by the imaging unit imaging the imaging region before the nozzle moved to the processing position discharges the processing liquid and the monitoring acquired by imaging the imaging region thereafter A determination unit that compares the target image and determines discharge of the processing liquid from the nozzle, and the imaging unit holds the substrate to be processed by the substrate holding unit, and the nozzle performs the processing. Move to position And obtaining a first reference image for each that.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した画像のうち前記ノズルの先端から前記基板保持部に保持された基板に至るまでの一部を含んで設定された判定領域を記憶する記憶部をさらに備え、前記判定部は、第1基準画像および監視対象画像の前記判定領域における差分が所定の閾値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, the imaging unit is held by the substrate holding unit from the tip of the nozzle among images acquired by imaging the imaging region. A storage unit configured to store a determination region set including a part up to the substrate, wherein the determination unit has a difference between the first reference image and the monitoring target image in the determination region equal to or greater than a predetermined threshold value; For example, it is determined that the processing liquid is discharged from the nozzle.

また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記撮像部は、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記待機位置から前記処理位置に向けて移動を開始した時点から所定間隔で連続して前記撮像領域を撮像し、前記判定部は、前記撮像部が前記撮像領域を連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であれば前記ノズルの移動が停止したと判定することを特徴とする。   The substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, wherein the imaging unit is configured to hold the substrate to be newly processed by the substrate holding unit, and the nozzle is moved from the standby position. The imaging area is continuously imaged at a predetermined interval from the start of movement toward the processing position, and the determination unit has a constant difference between consecutive images acquired by the imaging unit continuously imaging the imaging area. If it is less than the value, it is determined that the movement of the nozzle is stopped.

また、請求項4の発明は、請求項3の発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、前記撮像部によって連続して取得される画像のうち前記ノズルの移動が停止したと判定した時点での画像を第1基準画像とすることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, the determination unit determines that the movement of the nozzle is stopped in the images continuously acquired by the imaging unit. The image at is a first reference image.

また、請求項5の発明は、請求項4の発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、前記ノズルの移動停止を判定した後に前記撮像部が連続して取得した複数の監視対象画像と第1基準画像とを順次に比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定することを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the determination unit includes a plurality of monitoring target images acquired continuously by the imaging unit after determining the movement stop of the nozzle. The processing liquid discharge from the nozzle is determined by sequentially comparing with the first reference image.

また、請求項6の発明は、請求項5の発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、前記判定領域の面積で正規化して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うことを特徴とする。   Further, the invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the determination unit normalizes the area of the determination region and compares the first reference image with the monitoring target image. Features.

また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、第1基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均が所定の閾値値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the sixth aspect of the invention, the determination unit has a moving average of differences between the first reference image and a predetermined number of monitoring target images equal to or greater than a predetermined threshold value. If there is, it is determined that the processing liquid is discharged from the nozzle.

また、請求項8の発明は、請求項4から請求項7のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、前記ノズルが前記処理位置に正確に位置しているときに前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第2基準画像と第1基準画像とを比較して前記ノズルの前記処理位置における位置異常を判定することを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 7, wherein the determination unit is configured to capture the image when the nozzle is accurately positioned at the processing position. The unit compares the second reference image acquired by imaging the imaging region with the first reference image, and determines a position abnormality of the nozzle at the processing position.

また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、第2基準画像および第1基準画像における前記ノズルの座標の差が所定の閾値以上であれば前記ノズルの位置が異常であると判定することを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the eighth aspect of the present invention, the determination unit is configured such that the difference between the nozzle coordinates in the second reference image and the first reference image is equal to or greater than a predetermined threshold. It is determined that the position of the nozzle is abnormal.

また、請求項10の発明は、請求項8の発明に係る基板処理装置において、前記判定部は、第2基準画像と第1基準画像との比較結果に基づいて第1基準画像および監視対象画像における前記判定領域の位置を移動させることを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the eighth aspect of the present invention, the determination unit determines the first reference image and the monitoring target image based on a comparison result between the second reference image and the first reference image. The position of the determination region in is moved.

また、請求項11の発明は、基板処理方法であって、基板保持部に新たな処理対象となる基板を保持する保持工程と、前記基板保持部に新たな処理対象となる基板が保持された後、前記基板保持部の周囲を取り囲むカップよりも外側の待機位置から前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置に向けて処理液を吐出するノズルを移動させるノズル移動工程と、前記処理位置における前記ノズルの先端を含む撮像領域を撮像部によって撮像する撮像工程と、前記処理位置に移動した前記ノズルが処理液を吐出する前に前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第1基準画像とその後に前記撮像領域を撮像して取得した監視対象画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する吐出判定工程と、を備え、前記撮像工程では、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記処理位置に移動する毎に第1基準画像を取得することを特徴とする。   Further, the invention of claim 11 is a substrate processing method, wherein a holding step of holding a substrate to be newly processed in the substrate holding portion, and a substrate to be newly processed is held in the substrate holding portion. A nozzle moving step of moving a nozzle for discharging a processing liquid from a standby position outside a cup surrounding the periphery of the substrate holding unit toward a processing position above the substrate held by the substrate holding unit; An imaging step in which an imaging region including the tip of the nozzle at the processing position is imaged by the imaging unit, and the imaging unit images and acquires the imaging region before the nozzle that has moved to the processing position discharges the processing liquid. A discharge determination step of comparing a first reference image and a monitoring target image acquired by imaging the imaging region thereafter to determine treatment liquid discharge from the nozzle. The nozzle while holding the substrate to the substrate holder becomes the new processing target and acquiring a first reference image for each moving in the processing position.

また、請求項12の発明は、請求項11の発明に係る基板処理方法において、前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した画像のうち前記ノズルの先端から前記基板保持部に保持された基板に至るまでの一部を含む判定領域を予め設定する工程をさらに備え、前記吐出判定工程では、第1基準画像および監視対象画像の前記判定領域における差分が所定の閾値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする。   The invention according to claim 12 is the substrate processing method according to claim 11, wherein the imaging unit is held by the substrate holding unit from the tip of the nozzle among images acquired by imaging the imaging region. The method further includes a step of presetting a determination region including a part leading up to the substrate, and in the ejection determination step, the nozzle is used if a difference in the determination region between the first reference image and the monitoring target image is equal to or greater than a predetermined threshold value. From the above, it is determined that the processing liquid is discharged.

また、請求項13の発明は、請求項12の発明に係る基板処理方法において、前記撮像工程では、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記待機位置から前記処理位置に向けて移動を開始した時点から所定間隔で連続して前記撮像領域を撮像し、前記撮像部が前記撮像領域を連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であれば前記ノズルの移動が停止したと判定する停止判定工程をさらに備えることを特徴とする。   The invention of claim 13 is the substrate processing method according to the invention of claim 12, in the imaging step, the substrate holding unit holds a substrate to be newly processed, and the nozzle is moved from the standby position to the nozzle. If the imaging region is continuously captured at a predetermined interval from the start of movement toward the processing position, and the difference between successive images acquired by continuously capturing the imaging region by the imaging unit is equal to or less than a certain value The method further includes a stop determination step for determining that the movement of the nozzle has stopped.

また、請求項14の発明は、請求項13の発明に係る基板処理方法において、前記撮像部によって連続して取得される画像のうち前記ノズルの移動が停止したと判定された時点での画像を第1基準画像とすることを特徴とする。   The invention according to claim 14 is the substrate processing method according to claim 13, wherein an image at a time when it is determined that the movement of the nozzle is stopped among images continuously acquired by the imaging unit. The first reference image is used.

また、請求項15の発明は、請求項14の発明に係る基板処理方法において、前記吐出判定工程では、前記ノズルの移動が停止したと判定された後に前記撮像部が連続して取得した複数の監視対象画像と第1基準画像とを順次に比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定することを特徴とする。   Further, the invention of claim 15 is the substrate processing method according to claim 14, wherein, in the discharge determination step, a plurality of images acquired continuously by the imaging unit after it is determined that the movement of the nozzle has stopped. The monitoring target image and the first reference image are sequentially compared to determine treatment liquid ejection from the nozzle.

また、請求項16の発明は、請求項15の発明に係る基板処理方法において、前記吐出判定工程では、前記判定領域の面積で正規化して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うことを特徴とする。   According to a sixteenth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the fifteenth aspect of the present invention, in the ejection determination step, the first reference image and the monitoring target image are compared by normalizing with an area of the determination region. It is characterized by.

また、請求項17の発明は、請求項16の発明に係る基板処理方法において、前記吐出判定工程では、第1基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均が所定の閾値値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする。   According to a seventeenth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the sixteenth aspect of the present invention, in the ejection determination step, a moving average of differences between the first reference image and a predetermined number of monitoring target images is a predetermined threshold value or more. Then, it is determined that the processing liquid is discharged from the nozzle.

また、請求項18の発明は、請求項14から請求項17のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記ノズルが前記処理位置に正確に位置しているときに前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第2基準画像と第1基準画像とを比較して前記ノズルの前記処理位置における位置異常を判定する位置判定工程をさらに備えることを特徴とする。   The invention according to claim 18 is the substrate processing method according to any one of claims 14 to 17, wherein the imaging section is in the imaging area when the nozzle is accurately positioned at the processing position. The method further includes a position determination step of comparing the second reference image acquired by imaging the first reference image and the first reference image to determine a position abnormality of the nozzle at the processing position.

また、請求項19の発明は、請求項18の発明に係る基板処理方法において、前記位置判定工程では、第2基準画像および第1基準画像における前記ノズルの座標の差が所定の閾値以上であれば前記ノズルの位置が異常であると判定することを特徴とする。   According to a nineteenth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the eighteenth aspect of the present invention, in the position determining step, a difference in coordinates of the nozzles in the second reference image and the first reference image is not less than a predetermined threshold value. For example, it is determined that the position of the nozzle is abnormal.

また、請求項20の発明は、請求項18の発明に係る基板処理方法において、前記吐出判定工程では、第2基準画像と第1基準画像との比較結果に基づいて第1基準画像および監視対象画像における前記判定領域の位置を移動させることを特徴とする。   According to a twentieth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the eighteenth aspect of the present invention, in the ejection determination step, the first reference image and the monitoring target are based on a comparison result between the second reference image and the first reference image. The position of the determination area in the image is moved.

請求項1から請求項10の発明によれば、処理位置に移動したノズルが処理液を吐出する前に撮像部が撮像領域を撮像して取得した第1基準画像とその後に撮像領域を撮像して取得した監視対象画像とを比較してノズルからの処理液吐出を判定し、基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持してノズルが処理位置に移動する毎に第1基準画像を取得するため、第1基準画像および監視対象画像の双方に同じ基板の表面が背景として含まれることとなって基板表面の反射率の影響が排除されることとなり、処理対象となる基板の種類にかかわらず、ノズルからの処理液の吐出を確実に検出することができる。   According to the first to tenth aspects of the present invention, the first reference image acquired by the imaging unit imaging the imaging region before the nozzle that has moved to the processing position ejects the processing liquid and the imaging region thereafter are imaged. Each time the nozzle is moved to the processing position with the substrate holding unit holding a new substrate to be processed. Therefore, the surface of the same substrate is included as the background in both the first reference image and the monitoring target image, and the influence of the reflectance of the substrate surface is eliminated. Regardless, it is possible to reliably detect the discharge of the processing liquid from the nozzle.

特に、請求項2の発明によれば、ノズルの先端から基板保持部に保持された基板に至るまでの一部を含む判定領域を設定しているため、基板表面で反射される像の影響などを排除して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うことができる。   In particular, according to the second aspect of the present invention, since the determination region including a part from the tip of the nozzle to the substrate held by the substrate holding part is set, the influence of the image reflected on the substrate surface, etc. And the first reference image can be compared with the monitoring target image.

特に、請求項3の発明によれば、撮像部が撮像領域を連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であればノズルの移動が停止したと判定するため、ノズルの移動停止を自動判定することができる。   In particular, according to the invention of claim 3, since the movement of the nozzle is stopped if the difference between successive images acquired by the imaging unit continuously imaging the imaging region is equal to or less than a predetermined value, the movement of the nozzle is stopped. Can be automatically determined.

特に、請求項6の発明によれば、判定領域の面積で正規化して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うため、判定領域の大きさにかかわらず閾値は一定とすることができる。   In particular, according to the invention of claim 6, since the first reference image and the monitoring target image are compared by normalizing with the area of the determination region, the threshold value can be constant regardless of the size of the determination region. .

特に、請求項7の発明によれば、第1基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均が所定の閾値値以上であればノズルから処理液が吐出されていると判定するため、撮像時のノイズの影響を緩和することができる。   In particular, according to the seventh aspect of the invention, if the moving average of the difference between the first reference image and the predetermined number of monitoring target images is equal to or greater than a predetermined threshold value, it is determined that the processing liquid is being discharged from the nozzle. In addition, the influence of noise during imaging can be reduced.

特に、請求項8の発明によれば、ノズルが処理位置に正確に位置しているときに撮像部が撮像領域を撮像して取得した第2基準画像と第1基準画像とを比較してノズルの処理位置における位置異常を判定するため、処理液の吐出に加えて、ノズルの位置異常をも判定することができる。   In particular, according to the eighth aspect of the invention, the second reference image obtained by the imaging unit capturing an image of the imaging region when the nozzle is accurately positioned at the processing position is compared with the first reference image to compare the nozzle. In order to determine the position abnormality at the processing position, the nozzle position abnormality can be determined in addition to the discharge of the processing liquid.

特に、請求項10の発明によれば、第2基準画像と第1基準画像との比較結果に基づいて第1基準画像および監視対象画像における判定領域の位置を移動させるため、ノズルの停止位置が適正な処理位置が若干ずれていたとしても、判定領域は正確に設定される。   In particular, according to the invention of claim 10, since the position of the determination region in the first reference image and the monitoring target image is moved based on the comparison result between the second reference image and the first reference image, the stop position of the nozzle is set. Even if the proper processing position is slightly deviated, the determination area is set accurately.

請求項11から請求項20の発明によれば、処理位置に移動したノズルが処理液を吐出する前に撮像部が撮像領域を撮像して取得した第1基準画像とその後に撮像領域を撮像して取得した監視対象画像とを比較してノズルからの処理液吐出を判定し、基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持してノズルが処理位置に移動する毎に第1基準画像を取得するため、第1基準画像および監視対象画像の双方に同じ基板の表面が背景として含まれることとなって基板表面の反射率の影響が排除されることとなり、処理対象となる基板の種類にかかわらず、ノズルからの処理液の吐出を確実に検出することができる。   According to the eleventh to twentieth aspects of the present invention, the imaging unit captures the first reference image acquired by imaging the imaging region before the nozzle that has moved to the processing position discharges the processing liquid, and then the imaging region. Each time the nozzle is moved to the processing position with the substrate holding unit holding a new substrate to be processed. Therefore, the surface of the same substrate is included as the background in both the first reference image and the monitoring target image, and the influence of the reflectance of the substrate surface is eliminated. Regardless, it is possible to reliably detect the discharge of the processing liquid from the nozzle.

特に、請求項12の発明によれば、ノズルの先端から基板保持部に保持された基板に至るまでの一部を含む判定領域を予め設定しているため、基板表面で反射される像の影響などを排除して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うことができる。   In particular, according to the twelfth aspect of the present invention, since the determination region including a part from the tip of the nozzle to the substrate held by the substrate holding portion is set in advance, the influence of the image reflected on the substrate surface is set. The first reference image and the monitoring target image can be compared with each other.

特に、請求項13の発明によれば、撮像部が撮像領域を連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であればノズルの移動が停止したと判定するため、ノズルの移動停止を自動判定することができる。   In particular, according to the invention of claim 13, since the movement of the nozzle is stopped if the difference between successive images acquired by the imaging unit continuously imaging the imaging region is equal to or smaller than a certain value, the movement of the nozzle is stopped. Can be automatically determined.

特に、請求項16の発明によれば、判定領域の面積で正規化して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うため、判定領域の大きさにかかわらず閾値は一定とすることができる。   In particular, according to the invention of claim 16, since the first reference image and the monitoring target image are compared by normalizing with the area of the determination region, the threshold value can be constant regardless of the size of the determination region. .

特に、請求項17の発明によれば、第1基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均が所定の閾値値以上であればノズルから処理液が吐出されていると判定するため、撮像時のノイズの影響を緩和することができる。   In particular, according to the seventeenth aspect of the present invention, if the moving average of the difference between the first reference image and the predetermined number of monitoring target images is equal to or greater than a predetermined threshold value, it is determined that the processing liquid is discharged from the nozzle. In addition, the influence of noise during imaging can be reduced.

特に、請求項18の発明によれば、ノズルが処理位置に正確に位置しているときに撮像部が撮像領域を撮像して取得した第2基準画像と第1基準画像とを比較してノズルの処理位置における位置異常を判定するため、処理液の吐出に加えて、ノズルの位置異常をも判定することができる。   In particular, according to the invention of claim 18, the nozzle unit compares the second reference image acquired by the imaging unit imaging the imaging region with the first reference image when the nozzle is accurately positioned at the processing position. In order to determine the position abnormality at the processing position, the nozzle position abnormality can be determined in addition to the discharge of the processing liquid.

特に、請求項20の発明によれば、第2基準画像と第1基準画像との比較結果に基づいて第1基準画像および監視対象画像における判定領域の位置を移動させるため、ノズルの停止位置が適正な処理位置が若干ずれていたとしても、判定領域は正確に設定される。   In particular, according to the twentieth aspect, since the position of the determination region in the first reference image and the monitoring target image is moved based on the comparison result between the second reference image and the first reference image, the stop position of the nozzle is set. Even if the proper processing position is slightly deviated, the determination area is set accurately.

本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. 洗浄処理ユニットの平面図である。It is a top view of a washing processing unit. 洗浄処理ユニットの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a washing | cleaning processing unit. カメラと上面処理液ノズルとの位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of a camera and an upper surface process liquid nozzle. カメラおよび制御部のブロック図である。It is a block diagram of a camera and a control part. 判定部による判定処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the determination process by a determination part. 判定部による判定処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the determination process by a determination part. カメラが処理位置における上面処理液ノズルの先端を含む撮像領域を撮像して得た画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the image obtained by imaging the imaging area containing the front-end | tip of the upper surface process liquid nozzle in a process position. 撮像領域内における上面処理液ノズルの移動を示す図である。It is a figure which shows the movement of the upper surface process liquid nozzle in an imaging region. 吐出基準画像および監視対象画像を示す図である。It is a figure which shows a discharge reference | standard image and the monitoring object image. 差分の総和と閾値との比較を示す図である。It is a figure which shows the comparison with the sum total of a difference, and a threshold value. 処理液吐出判定のアルゴリズムの一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically an example of the algorithm of a process liquid discharge determination. 処理液吐出判定のアルゴリズムの他の例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the other example of the algorithm of a process liquid discharge determination.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明に係る基板処理装置100の全体構成を示す図である。この基板処理装置100は、半導体用途の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置であり、円形のシリコンの基板Wに薬液および純水を用いた洗浄処理を行ってから乾燥処理を行う。薬液としては、典型的にはSC1液(アンモニア水、過酸化水素水、水の混合液)、SC2液(塩酸、過酸化水素水、水の混合液)、DHF液(希フッ酸)などが用いられる。本明細書では、薬液と純水とを総称して「処理液」とする。なお、洗浄処理のみならず、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、エッチングのための薬液なども本発明の「処理液」に含まれる。   FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to the present invention. The substrate processing apparatus 100 is a single wafer processing apparatus that processes substrates W for semiconductor use one by one, and performs a drying process after performing a cleaning process using a chemical solution and pure water on a circular silicon substrate W. Do. Typical chemicals include SC1 solution (ammonia water, hydrogen peroxide solution, water mixture), SC2 solution (hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, water mixture), DHF solution (diluted hydrofluoric acid), and the like. Used. In this specification, the chemical solution and the pure water are collectively referred to as “treatment solution”. It should be noted that not only the cleaning process but also a coating liquid such as a photoresist liquid for the film forming process, a chemical liquid for removing unnecessary films, a chemical liquid for etching, and the like are included in the “processing liquid” of the present invention.

基板処理装置100は、インデクサ102、複数の洗浄処理ユニット1、および、主搬送ロボット103を備える。インデクサ102は、装置外から受け取った未処理の基板Wを装置内に搬入するとともに、洗浄処理の終了した処理済みの基板Wを装置外に搬出する機能を有する。インデクサ102は、複数のキャリアを載置するとともに移送ロボットを備える(いずれも図示省略)。キャリアとしては、基板Wを密閉空間に収納する公知のFOUP(front opening unified pod)やSMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、或いは収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)を採用することができる。移送ロボットは、当該キャリアと主搬送ロボット103との間で基板Wを移送する。   The substrate processing apparatus 100 includes an indexer 102, a plurality of cleaning processing units 1, and a main transfer robot 103. The indexer 102 has a function of loading an unprocessed substrate W received from outside the apparatus into the apparatus and unloading the processed substrate W after the cleaning process. The indexer 102 includes a plurality of carriers and a transfer robot (all not shown). As the carrier, a known FOUP (front opening unified pod) or SMIF (Standard Mechanical Interface Face) pod that stores the substrate W in a sealed space, or an OC (open cassette) that exposes the storage substrate W to the outside air can be used. . The transfer robot transfers the substrate W between the carrier and the main transfer robot 103.

基板処理装置100には、12個の洗浄処理ユニット1が配置されている。詳細な配置構成は、3個の洗浄処理ユニット1を積層したタワーが主搬送ロボット103の周囲を囲むように4個配置されるというものである。換言すれば、主搬送ロボット103を囲んで配置された4個の洗浄処理ユニット1が3段に積層されており、図1にはそのうちの1層を示している。なお、基板処理装置100に搭載される洗浄処理ユニット1の個数は12に限定されるものではなく、例えば8個や4個であっても良い。   In the substrate processing apparatus 100, twelve cleaning processing units 1 are arranged. The detailed arrangement configuration is such that four towers in which three cleaning processing units 1 are stacked are arranged so as to surround the main transfer robot 103. In other words, four cleaning processing units 1 arranged around the main transfer robot 103 are stacked in three stages, and FIG. 1 shows one of them. The number of cleaning processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 is not limited to 12, and may be 8 or 4, for example.

主搬送ロボット103は、洗浄処理ユニット1を積層した4個のタワーの中央に設置されている。主搬送ロボット103は、インデクサ102から受け取った未処理の基板Wを各洗浄処理ユニット1に搬入するとともに、各洗浄処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出してインデクサ102に渡す。   The main transfer robot 103 is installed at the center of four towers in which the cleaning processing units 1 are stacked. The main transfer robot 103 carries the unprocessed substrate W received from the indexer 102 into each cleaning processing unit 1 and unloads the processed substrate W from each cleaning processing unit 1 and passes it to the indexer 102.

次に、洗浄処理ユニット1について説明する。以下、基板処理装置100に搭載された12個の洗浄処理ユニット1のうちの1つに説明するが、他の洗浄処理ユニット1についても全く同様である。図2は、洗浄処理ユニット1の平面図である。また、図3は、洗浄処理ユニット1の縦断面図である。なお、図2はスピンチャック20に基板Wが保持されていない状態を示し、図3はスピンチャック20に基板Wが保持されている状態を示している。   Next, the cleaning processing unit 1 will be described. Hereinafter, one of the twelve cleaning processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 will be described, but the same applies to the other cleaning processing units 1. FIG. 2 is a plan view of the cleaning processing unit 1. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the cleaning processing unit 1. FIG. 2 shows a state where the substrate W is not held on the spin chuck 20, and FIG. 3 shows a state where the substrate W is held on the spin chuck 20.

洗浄処理ユニット1は、チャンバー10内に、主たる要素として基板Wを水平姿勢(法線が鉛直方向に沿う姿勢)に保持するスピンチャック20と、スピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を供給するための3つの上面処理液ノズル30,60,65と、スピンチャック20の周囲を取り囲む処理カップ40と、スピンチャック20の上方空間を撮像するカメラ70と、を備える。また、チャンバー10内における処理カップ40の周囲には、チャンバー10の内側空間を上下に仕切る仕切板15が設けられている。   In the chamber 10, the cleaning processing unit 1 performs processing on a spin chuck 20 that holds the substrate W as a main element in a horizontal posture (a normal line is a posture along the vertical direction), and an upper surface of the substrate W held on the spin chuck 20. Three upper surface processing liquid nozzles 30, 60, 65 for supplying liquid, a processing cup 40 surrounding the periphery of the spin chuck 20, and a camera 70 that images the space above the spin chuck 20 are provided. A partition plate 15 is provided around the processing cup 40 in the chamber 10 to partition the inner space of the chamber 10 up and down.

チャンバー10は、鉛直方向に沿う側壁11、側壁11によって囲まれた空間の上側を閉塞する天井壁12および下側を閉塞する床壁13を備える。側壁11、天井壁12および床壁13によって囲まれた空間が基板Wの処理空間となる。また、チャンバー10の側壁11の一部には、チャンバー10に対して主搬送ロボット103が基板Wを搬出入するための搬出入口およびその搬出入口を開閉するシャッターが設けられている(いずれも図示省略)。   The chamber 10 includes a side wall 11 along the vertical direction, a ceiling wall 12 that closes an upper side of a space surrounded by the side wall 11, and a floor wall 13 that closes a lower side. A space surrounded by the side wall 11, the ceiling wall 12, and the floor wall 13 is a processing space for the substrate W. A part of the side wall 11 of the chamber 10 is provided with a loading / unloading port for the main transfer robot 103 to load / unload the substrate W with respect to the chamber 10 and a shutter for opening / closing the loading / unloading port (both shown). (Omitted).

チャンバー10の天井壁12には、基板処理装置100が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー10内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット(FFU)14が取り付けられている。ファンフィルタユニット14は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー10内に送り出すためのファンおよびフィルタ(例えばHEPAフィルタ)を備えており、チャンバー10内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。ファンフィルタユニット14から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートを天井壁12の直下に設けるようにしても良い。   A fan filter unit (FFU) 14 for further purifying the air in the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed and supplying it to the processing space in the chamber 10 is attached to the ceiling wall 12 of the chamber 10. . The fan filter unit 14 includes a fan and a filter (for example, a HEPA filter) for taking in air in the clean room and sending it out into the chamber 10, and forms a downflow of clean air in the processing space in the chamber 10. In order to disperse the clean air supplied from the fan filter unit 14 uniformly, a punching plate having a large number of blowing holes may be provided directly below the ceiling wall 12.

スピンチャック20は、鉛直方向に沿って延びる回転軸24の上端に水平姿勢で固定された円板形状のスピンベース21を備える。スピンベース21の下方には回転軸24を回転させるスピンモータ22が設けられる。スピンモータ22は、回転軸24を介してスピンベース21を水平面内にて回転させる。また、スピンモータ22および回転軸24の周囲を取り囲むように筒状のカバー部材23が設けられている。   The spin chuck 20 includes a disk-shaped spin base 21 fixed in a horizontal posture at the upper end of a rotating shaft 24 extending along the vertical direction. A spin motor 22 that rotates the rotating shaft 24 is provided below the spin base 21. The spin motor 22 rotates the spin base 21 in the horizontal plane via the rotation shaft 24. Further, a cylindrical cover member 23 is provided so as to surround the periphery of the spin motor 22 and the rotating shaft 24.

円板形状のスピンベース21の外径は、スピンチャック20に保持される円形の基板Wの径よりも若干大きい。よって、スピンベース21は、保持すべき基板Wの下面の全面と対向する保持面21aを有している。   The outer diameter of the disk-shaped spin base 21 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held by the spin chuck 20. Therefore, the spin base 21 has a holding surface 21a that faces the entire lower surface of the substrate W to be held.

スピンベース21の保持面21aの周縁部には複数(本実施形態では4本)のチャックピン26が立設されている。複数のチャックピン26は、円形の基板Wの外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて(本実施形態のように4個のチャックピン26であれば90°間隔にて)配置されている。複数のチャックピン26は、スピンベース21内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック20は、複数のチャックピン26のそれぞれを基板Wの外周端に当接させて基板Wを把持することにより、当該基板Wをスピンベース21の上方で保持面21aに近接した水平姿勢にて保持することができるとともに(図3参照)、複数のチャックピン26のそれぞれを基板Wの外周端から離間させて把持を解除することができる。   A plurality (four in this embodiment) of chuck pins 26 are erected on the peripheral edge of the holding surface 21 a of the spin base 21. The plurality of chuck pins 26 are evenly spaced along the circumference corresponding to the outer circumference of the circular substrate W (if there are four chuck pins 26 as in this embodiment, the chuck pins 26 are spaced at 90 ° intervals. ) Is arranged. The plurality of chuck pins 26 are driven in conjunction with a link mechanism (not shown) housed in the spin base 21. The spin chuck 20 holds each of the plurality of chuck pins 26 in contact with the outer peripheral end of the substrate W to hold the substrate W, so that the substrate W is placed in a horizontal posture close to the holding surface 21 a above the spin base 21. Can be held (see FIG. 3), and each of the plurality of chuck pins 26 can be separated from the outer peripheral end of the substrate W to release the grip.

スピンモータ22を覆うカバー部材23は、その下端がチャンバー10の床壁13に固定され、上端がスピンベース21の直下にまで到達している。カバー部材23の上端部には、カバー部材23から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材25が設けられている。複数のチャックピン26による把持によってスピンチャック20が基板Wを保持した状態にて、スピンモータ22が回転軸24を回転させることにより、基板Wの中心を通る鉛直方向に沿った回転軸CXまわりに基板Wを回転させることができる。なお、スピンモータ22の駆動は制御部9によって制御される。   The cover member 23 covering the spin motor 22 has a lower end fixed to the floor wall 13 of the chamber 10 and an upper end reaching just below the spin base 21. At the upper end portion of the cover member 23, a hook-like member 25 is provided that protrudes almost horizontally outward from the cover member 23 and further bends and extends downward. The spin motor 22 rotates the rotary shaft 24 in a state where the spin chuck 20 holds the substrate W by gripping by the plurality of chuck pins 26, thereby rotating around the rotation axis CX along the vertical direction passing through the center of the substrate W. The substrate W can be rotated. The driving of the spin motor 22 is controlled by the control unit 9.

上面処理液ノズル30は、ノズルアーム32の先端に吐出ヘッド31を取り付けて構成されている。ノズルアーム32の基端側はノズル基台33に固定して連結されている。ノズル基台33は図示を省略するモータによって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル基台33が回動することにより、図2中の矢印AR34にて示すように、上面処理液ノズル30はスピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。上面処理液ノズル30には、複数種の処理液(少なくとも純水を含む)が供給されるように構成されている。処理位置にて上面処理液ノズル30の吐出ヘッド31から吐出された処理液はスピンチャック20に保持された基板Wの上面に着液する。また、ノズル基台33の回動によって、上面処理液ノズル30はスピンベース21の保持面21aの上方にて揺動可能とされている。   The upper surface treatment liquid nozzle 30 is configured by attaching a discharge head 31 to the tip of a nozzle arm 32. The proximal end side of the nozzle arm 32 is fixedly connected to the nozzle base 33. The nozzle base 33 can be rotated around an axis along the vertical direction by a motor (not shown). By rotating the nozzle base 33, the upper surface processing liquid nozzle 30 is located between the processing position above the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40, as indicated by an arrow AR34 in FIG. Move in an arc along the horizontal direction. The upper surface treatment liquid nozzle 30 is configured to be supplied with a plurality of kinds of treatment liquids (including at least pure water). The processing liquid discharged from the discharge head 31 of the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position is deposited on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20. Further, the upper surface treatment liquid nozzle 30 can be swung above the holding surface 21 a of the spin base 21 by the rotation of the nozzle base 33.

また、本実施形態の洗浄処理ユニット1には、上記の上面処理液ノズル30に加えてさらに2つの上面処理液ノズル60,65が設けられている。本実施形態の上面処理液ノズル60,65は、上記の上面処理液ノズル30と同じ構成を備える。すなわち、上面処理液ノズル60は、ノズルアーム62の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム62の基端側に連結されたノズル基台63によって、矢印AR64にて示すようにスピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。同様に、上面処理液ノズル65は、ノズルアーム67の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム67の基端側に連結されたノズル基台68によって、矢印AR69にて示すようにスピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。上面処理液ノズル60,65にも、少なくとも純水を含む複数種の処理液が供給されるように構成されており、処理位置にてスピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を吐出する。なお、上面処理液ノズル60,65の少なくとも一方は、純水などの洗浄液と加圧した気体とを混合して液滴を生成し、その液滴と気体との混合流体を基板Wに噴射する二流体ノズルであっても良い。また、洗浄処理ユニット1に設けられるノズル数は3本に限定されるものではなく、1本以上であれば良い。   Further, in the cleaning processing unit 1 of this embodiment, two upper surface processing liquid nozzles 60 and 65 are provided in addition to the upper surface processing liquid nozzle 30 described above. The upper surface treatment liquid nozzles 60 and 65 of the present embodiment have the same configuration as the upper surface treatment liquid nozzle 30 described above. That is, the upper surface treatment liquid nozzle 60 is configured by attaching a discharge head to the tip of a nozzle arm 62, and a spin base 20 as shown by an arrow AR64 by a nozzle base 63 connected to the base end side of the nozzle arm 62. Between the processing position above and the standby position outside the processing cup 40 moves in an arc. Similarly, the upper surface treatment liquid nozzle 65 is configured by attaching a discharge head to the tip of a nozzle arm 67, and a nozzle base 68 connected to the base end side of the nozzle arm 67 as shown by an arrow AR69. It moves in a circular arc shape between the processing position above 20 and the standby position outside the processing cup 40. A plurality of kinds of processing liquids including at least pure water are also supplied to the upper surface processing liquid nozzles 60 and 65, and the processing liquid is applied to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 at the processing position. Discharge. At least one of the upper surface treatment liquid nozzles 60 and 65 mixes a cleaning liquid such as pure water and a pressurized gas to generate droplets, and jets a mixed fluid of the droplets and gas onto the substrate W. A two-fluid nozzle may be used. Further, the number of nozzles provided in the cleaning processing unit 1 is not limited to three, and may be one or more.

一方、回転軸24の内側を挿通するようにして鉛直方向に沿って下面処理液ノズル28が設けられている。下面処理液ノズル28の上端開口は、スピンチャック20に保持された基板Wの下面中央に対向する位置に形成されている。下面処理液ノズル28にも複数種の処理液が供給されるように構成されている。下面処理液ノズル28から吐出された処理液はスピンチャック20に保持された基板Wの下面に着液する。   On the other hand, a lower surface treatment liquid nozzle 28 is provided along the vertical direction so as to pass through the inside of the rotation shaft 24. The upper end opening of the lower surface treatment liquid nozzle 28 is formed at a position facing the lower surface center of the substrate W held by the spin chuck 20. A plurality of types of processing liquids are also supplied to the lower surface processing liquid nozzle 28. The processing liquid discharged from the lower surface processing liquid nozzle 28 is deposited on the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

スピンチャック20を取り囲む処理カップ40は、互いに独立して昇降可能な内カップ41、中カップ42および外カップ43を備えている。内カップ41は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸CXに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この内カップ41は、平面視円環状の底部44と、底部44の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部45と、底部44の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部46と、内壁部45と外壁部46との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側(スピンチャック20に保持される基板Wの回転軸CXに近づく方向)斜め上方に延びる第1案内部47と、第1案内部47と外壁部46との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部48とを一体的に備えている。   The processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 includes an inner cup 41, an intermediate cup 42, and an outer cup 43 that can be moved up and down independently of each other. The inner cup 41 surrounds the periphery of the spin chuck 20 and has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX that passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The inner cup 41 includes an annular bottom 44 in plan view, a cylindrical inner wall 45 rising upward from the inner periphery of the bottom 44, a cylindrical outer wall 46 rising upward from the outer periphery of the bottom 44, and an inner wall The first guide portion 47 that rises from between the portion 45 and the outer wall portion 46 and extends obliquely upward in the center side (in the direction approaching the rotation axis CX of the substrate W held by the spin chuck 20) while drawing a smooth arc at the upper end portion. And a cylindrical middle wall portion 48 that rises upward from between the first guide portion 47 and the outer wall portion 46.

内壁部45は、内カップ41が最も上昇された状態で、カバー部材23と鍔状部材25との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。中壁部48は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中カップ42の後述する第2案内部52と処理液分離壁53との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。   The inner wall portion 45 is formed in such a length as to be accommodated with an appropriate gap between the cover member 23 and the bowl-shaped member 25 in a state where the inner cup 41 is raised most. The middle wall portion 48 is accommodated with a suitable gap between a second guide portion 52 (described later) of the middle cup 42 and the processing liquid separation wall 53 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. It is formed in such a length.

第1案内部47は、滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部47bを有している。また、内壁部45と第1案内部47との間は、使用済みの処理液を集めて廃棄するための廃棄溝49とされている。第1案内部47と中壁部48との間は、使用済みの処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝50とされている。さらに、中壁部48と外壁部46との間は、内側回収溝50とは種類の異なる処理液を集めて回収するための円環状の外側回収溝51とされている。   The first guide portion 47 has an upper end portion 47b extending obliquely upward in the center side (in the direction approaching the rotation axis CX of the substrate W) while drawing a smooth arc. Further, a space between the inner wall portion 45 and the first guide portion 47 is a disposal groove 49 for collecting and discarding the used processing liquid. A space between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 is an annular inner collection groove 50 for collecting and collecting used processing liquid. Further, a space between the middle wall portion 48 and the outer wall portion 46 is an annular outer collection groove 51 for collecting and collecting different types of processing liquids from the inner collection groove 50.

廃棄溝49には、この廃棄溝49に集められた処理液を排出するとともに、廃棄溝49内を強制的に排気するための図示省略の排気液機構が接続されている。排気液機構は、例えば、廃棄溝49の周方向に沿って等間隔で4つ設けられている。また、内側回収溝50および外側回収溝51には、内側回収溝50および外側回収溝51にそれぞれ集められた処理液を基板処理装置1の外部に設けられた回収タンクに回収するための回収機構(いずれも図示省略)が接続されている。なお、内側回収溝50および外側回収溝51の底部は、水平方向に対して微少角度だけ傾斜しており、その最も低くなる位置に回収機構が接続されている。これにより、内側回収溝50および外側回収溝51に流れ込んだ処理液が円滑に回収される。   The waste groove 49 is connected to an exhaust liquid mechanism (not shown) for discharging the processing liquid collected in the waste groove 49 and forcibly exhausting the inside of the waste groove 49. For example, four exhaust fluid mechanisms are provided at equal intervals along the circumferential direction of the discard groove 49. The inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 have a recovery mechanism for recovering the processing liquid collected in the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51, respectively, in a recovery tank provided outside the substrate processing apparatus 1. (Both not shown) are connected. The bottoms of the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 are inclined by a slight angle with respect to the horizontal direction, and the recovery mechanism is connected to the lowest position. Thereby, the processing liquid that has flowed into the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 is smoothly recovered.

中カップ42は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸CXに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この中カップ42は、第2案内部52と、この第2案内部52に連結された円筒状の処理液分離壁53とを一体的に備えている。   The middle cup 42 surrounds the periphery of the spin chuck 20 and has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The inner cup 42 is integrally provided with a second guide portion 52 and a cylindrical processing liquid separation wall 53 connected to the second guide portion 52.

第2案内部52は、内カップ41の第1案内部47の外側において、第1案内部47の下端部と同軸円筒状をなす下端部52aと、下端部52aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部52bと、上端部52bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部52cとを有している。下端部52aは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47と中壁部48との間に適当な隙間を保って内側回収溝50内に収容される。また、上端部52bは、内カップ41の第1案内部47の上端部47bと上下方向に重なるように設けられ、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47の上端部47bに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部52bの先端を下方に折り返して形成される折返し部52cは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、折返し部52cが第1案内部47の上端部47bの先端と水平方向に重なるような長さとされている。   The second guide portion 52 draws a smooth arc on the outside of the first guide portion 47 of the inner cup 41 from the lower end portion 52a that is coaxial with the lower end portion of the first guide portion 47 and the upper end of the lower end portion 52a. However, it has an upper end 52b that extends obliquely upward in the center side (in the direction approaching the rotation axis CX of the substrate W) and a folded portion 52c that is formed by folding the tip of the upper end 52b downward. The lower end 52 a is accommodated in the inner collection groove 50 with an appropriate gap between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. The upper end portion 52b is provided so as to overlap the upper end portion 47b of the first guide portion 47 of the inner cup 41 in the vertical direction, and the first guide portion 47 is in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. And close to the upper end portion 47b with a very small distance. Further, the folded portion 52c formed by folding the tip of the upper end portion 52b downward is in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, and the folded portion 52c is the tip of the upper end portion 47b of the first guide portion 47. It is the length which overlaps with the horizontal direction.

また、第2案内部52の上端部52bは、下方ほど肉厚が厚くなるように形成されており、処理液分離壁53は上端部52bの下端外周縁部から下方に延びるように設けられた円筒形状を有している。処理液分離壁53は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中壁部48と外カップ43との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。   Further, the upper end portion 52b of the second guide portion 52 is formed so as to increase in thickness toward the lower side, and the treatment liquid separation wall 53 is provided so as to extend downward from the lower peripheral edge of the upper end portion 52b. It has a cylindrical shape. The processing liquid separation wall 53 is accommodated in the outer collection groove 51 with an appropriate gap between the inner wall portion 48 and the outer cup 43 in a state where the inner cup 41 and the inner cup 42 are closest to each other.

外カップ43は、中カップ42の第2案内部52の外側において、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸CXに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この外カップ43は、第3案内部としての機能を有する。外カップ43は、第2案内部52の下端部52aと同軸円筒状をなす下端部43aと、下端部43aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部43bと、上端部43bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部43cとを有している。   The outer cup 43 surrounds the periphery of the spin chuck 20 outside the second guide portion 52 of the middle cup 42 and is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. It has a shape. The outer cup 43 has a function as a third guide part. The outer cup 43 has a lower end portion 43a that is coaxially cylindrical with the lower end portion 52a of the second guide portion 52, and a center side while drawing a smooth arc from the upper end of the lower end portion 43a (in the direction approaching the rotation axis CX of the substrate W). The upper end portion 43b extends obliquely upward, and the folded portion 43c is formed by folding the tip end portion of the upper end portion 43b downward.

下端部43aは、内カップ41と外カップ43とが最も近接した状態で、中カップ42の処理液分離壁53と内カップ41の外壁部46との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。また、上端部43bは、中カップ42の第2案内部52と上下方向に重なるように設けられ、中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、第2案内部52の上端部52bに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部43bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部43cは、中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、折返し部43cが第2案内部52の折返し部52cと水平方向に重なるように形成されている。   The lower end portion 43a has an outer clearance groove with an appropriate gap between the processing liquid separation wall 53 of the inner cup 42 and the outer wall portion 46 of the inner cup 41 in a state where the inner cup 41 and the outer cup 43 are closest to each other. 51. The upper end portion 43b is provided so as to overlap the second guide portion 52 of the middle cup 42 in the vertical direction, and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 is in a state where the middle cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other. Close to each other with a very small distance. Further, the folded portion 43 c formed by folding the tip end portion of the upper end portion 43 b downward is in a state where the inner cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other, and the folded portion 43 c is the same as the folded portion 52 c of the second guide portion 52. It is formed so as to overlap in the horizontal direction.

また、内カップ41、中カップ42および外カップ43は互いに独立して昇降可能とされている。すなわち、内カップ41、中カップ42および外カップ43のそれぞれには個別に昇降機構(図示省略)が設けられており、それによって別個独立して昇降される。このような昇降機構としては、例えばボールネジ機構やエアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。   Further, the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 can be moved up and down independently of each other. That is, each of the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 is provided with a lifting mechanism (not shown), and is lifted and lowered separately. As such an elevating mechanism, various known mechanisms such as a ball screw mechanism and an air cylinder can be employed.

仕切板15は、処理カップ40の周囲においてチャンバー10の内側空間を上下に仕切るように設けられている。仕切板15は、処理カップ40を取り囲む1枚の板状部材であっても良いし、複数の板状部材をつなぎ合わせたものであっても良い。また、仕切板15には、厚さ方向に貫通する貫通孔や切り欠きが形成されていても良く、本実施形態では上面処理液ノズル30,60,65のノズル基台33,63,68を支持するための支持軸を通すための貫通穴が形成されている。   The partition plate 15 is provided so as to partition the inner space of the chamber 10 up and down around the processing cup 40. The partition plate 15 may be a single plate-like member surrounding the processing cup 40, or may be a combination of a plurality of plate-like members. Further, the partition plate 15 may be formed with through holes or notches penetrating in the thickness direction, and in this embodiment, the nozzle bases 33, 63, 68 of the upper surface treatment liquid nozzles 30, 60, 65 are provided. A through hole for passing a support shaft for support is formed.

仕切板15の外周端はチャンバー10の側壁11に連結されている。また、仕切板15の処理カップ40を取り囲む端縁部は外カップ43の外径よりも大きな径の円形形状となるように形成されている。よって、仕切板15が外カップ43の昇降の障害となることはない。   The outer peripheral end of the partition plate 15 is connected to the side wall 11 of the chamber 10. Further, the edge portion surrounding the processing cup 40 of the partition plate 15 is formed to have a circular shape having a diameter larger than the outer diameter of the outer cup 43. Therefore, the partition plate 15 does not become an obstacle to the raising and lowering of the outer cup 43.

また、チャンバー10の側壁11の一部であって、床壁13の近傍には排気ダクト18が設けられている。排気ダクト18は図示省略の排気機構に連通接続されている。ファンフィルタユニット14から供給されてチャンバー10内を流下した清浄空気のうち、処理カップ40と仕切板15と間を通過した空気は排気ダクト18から装置外に排出される。   An exhaust duct 18 is provided in a part of the side wall 11 of the chamber 10 and in the vicinity of the floor wall 13. The exhaust duct 18 is connected in communication with an exhaust mechanism (not shown). Of the clean air supplied from the fan filter unit 14 and flowing down in the chamber 10, the air that has passed between the processing cup 40 and the partition plate 15 is discharged from the exhaust duct 18 to the outside of the apparatus.

カメラ70は、チャンバー10内であって仕切板15よりも上方に設置されている。図4は、カメラ70と上面処理液ノズル30との位置関係を示す図である。カメラ70は、例えば固体撮像素子のひとつであるCCDと、電子シャッター、レンズなどの光学系とを備える。上面処理液ノズル30は、ノズル基台33によって、スピンチャック20に保持された基板Wの上方の処理位置(図4の点線位置)と処理カップ40よりも外側の待機位置(図4の実線位置)との間で往復移動される。処理位置は、上面処理液ノズル30からスピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を吐出して洗浄処理を行う位置である。待機位置は、上面処理液ノズル30が洗浄処理を行わないときに処理液の吐出を停止して待機する位置である。待機位置には、上面処理液ノズル30の吐出ヘッド31を収容する待機ポッドが設けられていても良い。   The camera 70 is installed in the chamber 10 and above the partition plate 15. FIG. 4 is a diagram illustrating a positional relationship between the camera 70 and the upper surface treatment liquid nozzle 30. The camera 70 includes, for example, a CCD that is one of solid-state image sensors, and an optical system such as an electronic shutter and a lens. The upper surface processing liquid nozzle 30 has a processing position (dotted line position in FIG. 4) above the substrate W held by the spin chuck 20 and a standby position outside the processing cup 40 (solid line position in FIG. 4) by the nozzle base 33. ). The processing position is a position where the cleaning liquid is discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30 onto the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 to perform a cleaning process. The standby position is a position where the upper surface processing liquid nozzle 30 stops and waits for discharge of the processing liquid when the cleaning process is not performed. A standby pod that accommodates the ejection head 31 of the upper processing liquid nozzle 30 may be provided at the standby position.

カメラ70は、その撮影視野に少なくとも処理位置における上面処理液ノズル30の先端が含まれるように、つまり吐出ヘッド31の近傍が含まれる位置に設置されている。本実施形態では、図4に示すように、処理位置における上面処理液ノズル30を前方上方から撮影する位置にカメラ70が設置される。よって、カメラ70は、処理位置における上面処理液ノズル30の先端を含む撮像領域を撮像することができる。同様に、カメラ70は、処理位置における上面処理液ノズル60,65の先端を含む撮像領域を撮像することもできる。なお、カメラ70が図2,4に示す位置に設置されている場合には、上面処理液ノズル30,60についてはカメラ70の撮影視野内で横方向に移動するため、処理位置近傍での動きを適切に撮像することが可能であるが、上面処理液ノズル65についてはカメラ70の撮影視野内で奥行き方向に移動するため、処理位置近傍での移動量を適切に撮像できないおそれもある。このような場合は、カメラ70とは別に上面処理液ノズル65専用のカメラを設けるようにしても良い。   The camera 70 is installed at a position where the imaging field of view includes at least the tip of the upper processing liquid nozzle 30 at the processing position, that is, the vicinity of the ejection head 31. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, a camera 70 is installed at a position where the upper processing liquid nozzle 30 at the processing position is photographed from the upper front. Therefore, the camera 70 can image the imaging region including the tip of the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position. Similarly, the camera 70 can image an imaging region including the tips of the upper surface processing liquid nozzles 60 and 65 at the processing position. When the camera 70 is installed at the position shown in FIGS. 2 and 4, the upper surface processing liquid nozzles 30 and 60 move in the lateral direction within the photographing field of view of the camera 70, and therefore move near the processing position. However, since the upper surface processing liquid nozzle 65 moves in the depth direction within the imaging field of view of the camera 70, there is a possibility that the amount of movement in the vicinity of the processing position cannot be properly imaged. In such a case, a camera dedicated to the upper processing liquid nozzle 65 may be provided separately from the camera 70.

また、図3に示すように、チャンバー10内であって仕切板15よりも上方には照明部71が設けられている。通常、チャンバー10内は暗室であるため、カメラ70が撮影を行うときには照明部71が処理位置近傍の上面処理液ノズル30,60,65に光を照射する。   As shown in FIG. 3, an illumination unit 71 is provided in the chamber 10 and above the partition plate 15. Normally, since the chamber 10 is a dark room, the illumination unit 71 irradiates light to the upper surface processing liquid nozzles 30, 60, 65 near the processing position when the camera 70 performs imaging.

図5は、カメラ70および制御部9のブロック図である。基板処理装置100に設けられた制御部9のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部9は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどを備えて構成される。制御部9のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置100の各動作機構が制御部9に制御され、基板処理装置100における処理が進行する。   FIG. 5 is a block diagram of the camera 70 and the control unit 9. The configuration of the control unit 9 provided in the substrate processing apparatus 100 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 9 stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, control software, data, and the like. It is configured with a magnetic disk to be placed. When the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program, each operation mechanism of the substrate processing apparatus 100 is controlled by the control unit 9, and processing in the substrate processing apparatus 100 proceeds.

図5に示す判定部91は、制御部9のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって制御部9内に実現される機能処理部である。詳細については後述するが、判定部91はカメラ70によって撮像された画像に対して画像処理を行うことによって様々な判定処理を行う。また、制御部9内の記憶部92は、上記のRAMまたは磁気ディクスにて構成されており、カメラ70によって撮像された画像のデータや入力値などを記憶する。   The determination unit 91 illustrated in FIG. 5 is a function processing unit that is realized in the control unit 9 when the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program. Although details will be described later, the determination unit 91 performs various determination processes by performing image processing on an image captured by the camera 70. Further, the storage unit 92 in the control unit 9 is configured by the above-described RAM or magnetic disk, and stores data, input values, and the like of an image captured by the camera 70.

次に、上記の構成を有する基板処理装置100における動作について説明する。基板処理装置100における基板Wの通常の処理手順は、主搬送ロボット103がインデクサ102から受け取った未処理の基板Wを各洗浄処理ユニット1に搬入し、当該洗浄処理ユニット1で基板Wに洗浄処理を行った後、主搬送ロボット103が当該洗浄処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出してインデクサ102に戻すというものである。各洗浄処理ユニット1における典型的な基板Wの洗浄処理手順の概略は、基板Wの表面に薬液を供給して所定の薬液処理を行った後、純水を供給して純水リンス処理を行い、その後基板Wを高速回転させて振り切り乾燥処理を行うというものである。   Next, the operation in the substrate processing apparatus 100 having the above configuration will be described. The normal processing procedure of the substrate W in the substrate processing apparatus 100 is as follows. An unprocessed substrate W received by the main transfer robot 103 from the indexer 102 is carried into each cleaning processing unit 1, and the substrate W is cleaned by the cleaning processing unit 1. Then, the main transfer robot 103 carries out the processed substrate W from the cleaning processing unit 1 and returns it to the indexer 102. An outline of a typical cleaning process procedure for the substrate W in each cleaning processing unit 1 is that a chemical solution is supplied to the surface of the substrate W to perform a predetermined chemical processing, and then pure water is supplied to perform a pure water rinsing process. Thereafter, the substrate W is rotated at a high speed to perform a shake-off drying process.

洗浄処理ユニット1にて基板Wの処理を行う際には、スピンチャック20に基板Wを保持するとともに、処理カップ40が昇降動作を行う。薬液処理を行うときには、例えば外カップ43のみが上昇し、外カップ43の上端部43bと中カップ42の第2案内部52の上端部52bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口が形成される。この状態にて基板Wがスピンチャック20とともに回転され、上面処理液ノズル30および下面処理液ノズル28から基板Wの上面および下面に薬液が供給される。供給された薬液は基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Wの端縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Wの薬液処理が進行する。回転する基板Wの端縁部から飛散した薬液は外カップ43の上端部43bによって受け止められ、外カップ43の内面を伝って流下し、外側回収溝51に回収される。   When processing the substrate W in the cleaning processing unit 1, the substrate W is held on the spin chuck 20 and the processing cup 40 moves up and down. When performing the chemical treatment, for example, only the outer cup 43 rises, and the substrate W held by the spin chuck 20 between the upper end portion 43b of the outer cup 43 and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 of the middle cup 42 is used. An opening is formed to surround the periphery of the. In this state, the substrate W is rotated together with the spin chuck 20, and a chemical solution is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W from the upper surface processing liquid nozzle 30 and the lower surface processing liquid nozzle 28. The supplied chemical liquid flows along the upper and lower surfaces of the substrate W due to the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and is eventually scattered from the edge of the substrate W to the side. Thereby, the chemical treatment of the substrate W proceeds. The chemical solution splashed from the edge of the rotating substrate W is received by the upper end portion 43 b of the outer cup 43, flows down along the inner surface of the outer cup 43, and is collected in the outer collection groove 51.

また、純水リンス処理を行うときには、例えば、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが上昇し、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲が内カップ41の第1案内部47によって取り囲まれる。この状態にて基板Wがスピンチャック20とともに回転され、上面処理液ノズル30および下面処理液ノズル28から基板Wの上面および下面に純水が供給される。供給された純水は基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Wの端縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Wの純水リンス処理が進行する。回転する基板Wの端縁部から飛散した純水は第1案内部47の内壁を伝って流下し、廃棄溝49から排出される。なお、純水を薬液とは別経路にて回収する場合には、中カップ42および外カップ43を上昇させ、中カップ42の第2案内部52の上端部52bと内カップ41の第1案内部47の上端部47bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口を形成するようにしても良い。   When performing the pure water rinsing process, for example, all of the inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 are raised, and the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 is the first guide portion 47 of the inner cup 41. Surrounded by. In this state, the substrate W is rotated together with the spin chuck 20, and pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W from the upper surface processing liquid nozzle 30 and the lower surface processing liquid nozzle 28. The supplied pure water flows along the upper and lower surfaces of the substrate W due to the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and is eventually scattered from the edge of the substrate W to the side. Thereby, the pure water rinse process of the board | substrate W advances. The pure water splashed from the edge of the rotating substrate W flows down the inner wall of the first guide portion 47 and is discharged from the discard groove 49. In the case where pure water is collected by a path different from the chemical solution, the middle cup 42 and the outer cup 43 are raised, and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 of the middle cup 42 and the first guide of the inner cup 41 are collected. An opening surrounding the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 may be formed between the upper end portion 47 b of the portion 47.

また、振り切り乾燥処理を行うときには、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが下降し、内カップ41の第1案内部47の上端部47b、中カップ42の第2案内部52の上端部52bおよび外カップ43の上端部43bのいずれもがスピンチャック20に保持された基板Wよりも下方に位置する。この状態にて基板Wがスピンチャック20とともに高速回転され、基板Wに付着していた水滴が遠心力によって振り切られ、乾燥処理が行われる。   Further, when performing the swing-off drying process, all of the inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 are lowered, and the upper end portion 47 b of the first guide portion 47 of the inner cup 41 and the second guide portion 52 of the middle cup 42 are moved. Both the upper end portion 52 b and the upper end portion 43 b of the outer cup 43 are positioned below the substrate W held by the spin chuck 20. In this state, the substrate W is rotated at a high speed together with the spin chuck 20, and water droplets adhering to the substrate W are shaken off by a centrifugal force, and a drying process is performed.

そして、本実施形態においては、上面処理液ノズル30から基板Wの上面に処理液を吐出するときに、カメラ70によって処理位置の上面処理液ノズル30を撮影して得られた画像に判定部91が所定の画像処理を行って処理液吐出の有無を判定している。以下、その技術について詳細に説明する。なお、ここでは上面処理液ノズル30からの処理液吐出判定について説明するが、他の上面処理液ノズル60,65についても同様である。   In the present embodiment, when the processing liquid is discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30 onto the upper surface of the substrate W, the determination unit 91 displays the image obtained by photographing the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position by the camera 70. Performs predetermined image processing to determine whether or not the processing liquid is discharged. Hereinafter, the technique will be described in detail. Here, the processing liquid discharge determination from the upper surface processing liquid nozzle 30 will be described, but the same applies to the other upper surface processing liquid nozzles 60 and 65.

図6および図7は、判定部91による判定処理の手順を示すフローチャートである。図6には判定処理のための事前準備の手順を示し、図7には洗浄処理ユニット1に処理対象となる基板Wが搬入されたときの判定処理の手順を示している。図6に手順を示す事前準備は実際の処理対象となる基板Wの処理プロセスに先立って実行されるものであり、例えば基板処理装置100のメンテナンス作業時に実施すれば良い。   6 and 7 are flowcharts showing the procedure of the determination process by the determination unit 91. FIG. 6 shows a procedure for preliminary preparation for determination processing, and FIG. 7 shows a determination processing procedure when the substrate W to be processed is carried into the cleaning processing unit 1. 6 is performed prior to the processing process of the substrate W to be actually processed, and may be performed at the time of maintenance work of the substrate processing apparatus 100, for example.

まず、メンテナンス作業時などに、上面処理液ノズル30のティーチングを行うときに上面処理液ノズル30をティーチング位置に移動させる(ステップS11)。ティーチングとは、上面処理液ノズル30に適正な動作を教示する作業であり、上面処理液ノズル30の停止位置を適正な位置(ティーチング位置)に修正する。よって、ティーチング時に、上面処理液ノズル30をティーチング位置に移動させたときには、上面処理液ノズル30が適正な処理位置に正確に移動されることとなる。なお、適正な処理位置とは、その処理位置にて上面処理液ノズル30から処理液を吐出すれば要求されている基板処理が行われる位置である。   First, when performing the teaching of the upper surface processing liquid nozzle 30 during maintenance work or the like, the upper surface processing liquid nozzle 30 is moved to the teaching position (step S11). Teaching is an operation for teaching the upper surface processing liquid nozzle 30 to operate properly, and corrects the stop position of the upper surface processing liquid nozzle 30 to an appropriate position (teaching position). Therefore, when the upper surface processing liquid nozzle 30 is moved to the teaching position during teaching, the upper surface processing liquid nozzle 30 is accurately moved to an appropriate processing position. The proper processing position is a position where the required substrate processing is performed if the processing liquid is discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position.

上面処理液ノズル30が適正な処理位置に移動したときに、カメラ70によって上面処理液ノズル30の先端を含む撮像領域を撮像する(ステップS12)。図8は、カメラ70が処理位置における上面処理液ノズル30の先端を含む撮像領域を撮像して得た画像の一例を示す図である。撮像領域PAには、スピンチャック20に保持された基板Wの上方の処理位置に位置する上面処理液ノズル30の先端が含まれている。なお、メンテナンス時にはスピンチャック20に基板Wが保持されていないこともあるため、撮像領域PAに基板Wは必ずしも含まれていなくても良い。   When the upper surface processing liquid nozzle 30 moves to an appropriate processing position, the imaging region including the tip of the upper surface processing liquid nozzle 30 is imaged by the camera 70 (step S12). FIG. 8 is a diagram illustrating an example of an image obtained by imaging the imaging region including the tip of the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position by the camera 70. The imaging area PA includes the tip of the upper processing liquid nozzle 30 located at the processing position above the substrate W held by the spin chuck 20. Since the substrate W may not be held on the spin chuck 20 during maintenance, the substrate W may not necessarily be included in the imaging area PA.

次に、ステップS12で撮像して得られた画像からリファレンスパターンの切り出しを行う(ステップS13)。ステップS12での撮像時点では、ティーチングによって上面処理液ノズル30が適正な処理位置に正確に位置している。従って、ステップS12でカメラ70によって撮像して得られた画像は、上面処理液ノズル30の適正な処理位置を示すノズル位置基準画像(第2基準画像)となりうるものである。ステップS13では、そのようなノズル位置基準画像から図8に示すように上面処理液ノズル30の先端部分を含む一部画像領域をリファレンスパターンRPとして切り出すのである。この切り出しは、例えばティーチング時に作業員がステップS12で撮像された画像を見ながら手動でリファレンスパターンRPとなる領域を指定して行えば良い。切り出されたリファレンスパターンRPは、画像内における座標とともに、制御部9の記憶部92に記憶される(ステップS14)。   Next, a reference pattern is cut out from the image obtained by imaging in step S12 (step S13). At the time of imaging in step S12, the upper surface processing liquid nozzle 30 is accurately positioned at an appropriate processing position by teaching. Therefore, the image obtained by imaging with the camera 70 in step S12 can be a nozzle position reference image (second reference image) indicating an appropriate processing position of the upper surface processing liquid nozzle 30. In step S13, a partial image region including the tip portion of the upper processing liquid nozzle 30 is cut out from the nozzle position reference image as a reference pattern RP as shown in FIG. This cutting may be performed, for example, by manually specifying an area to be the reference pattern RP while viewing the image captured in step S12 during teaching. The extracted reference pattern RP is stored in the storage unit 92 of the control unit 9 together with the coordinates in the image (step S14).

続いて、作業員が位置異常判定の閾値を設定する(ステップS15)。ここで設定する閾値は、後述する上面処理液ノズル30の位置異常の判定(図7のステップS26)に用いるためのものであり、ステップS12で撮影されたノズル位置基準画像のリファレンスパターンRPでのノズル位置と、ステップS25で特定された画像中のノズル位置とのずれの閾値である。ここで設定する閾値が低いほど、両画像におけるノズル位置のずれが小さくても上面処理液ノズル30の位置が異常であると判定される。すなわち、判定基準が厳しくなる。ステップS15で設定された閾値は記憶部92に格納される。   Subsequently, the worker sets a threshold for determining position abnormality (step S15). The threshold value set here is for use in determining the position abnormality of the upper surface processing liquid nozzle 30 (step S26 in FIG. 7), which will be described later, and in the reference pattern RP of the nozzle position reference image captured in step S12. This is a threshold value for deviation between the nozzle position and the nozzle position in the image specified in step S25. As the threshold value set here is lower, it is determined that the position of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is abnormal even if the nozzle position deviation in both images is small. That is, the criterion for judgment becomes strict. The threshold set in step S15 is stored in the storage unit 92.

次に、ステップS12で撮像して得られた画像内にて吐出判定領域の設定を行う(ステップS16)。図8に例示するように、カメラ70が撮像領域PAを撮像して得られた画像には上面処理液ノズル30の先端近傍以外にも、スピンチャック20に保持された基板Wや洗浄処理ユニット1内の機器などが映り込んでいる。上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する際には、それらの背景の影響をなるべく少なくするのが好ましく、特に基板Wの表面で反射する処理液の像の影響を排除する必要がある。このため、ステップS16では、カメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した画像のうち上面処理液ノズル30の先端からスピンチャック20に保持された基板Wに至るまでの一部を含む吐出判定領域SPを設定している。この設定も作業員がステップS12で撮像された画像を見ながら手動で領域指定して行えば良い。設定された吐出判定領域SPは制御部9の記憶部92に記憶される。なお、ここで設定される吐出判定領域SPは、上述のリファレンスパターンRPと異なって画像そのものではなく、あくまでもカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した画像中の領域であり、例えば図8の吐出判定領域SPの四角形を示す座標データで表される。   Next, the ejection determination area is set in the image obtained by imaging in step S12 (step S16). As illustrated in FIG. 8, the image obtained by the camera 70 imaging the imaging area PA includes the substrate W held by the spin chuck 20 and the cleaning processing unit 1 in addition to the vicinity of the top end of the upper processing liquid nozzle 30. The internal devices are reflected. When determining the processing liquid discharge from the upper surface processing liquid nozzle 30, it is preferable to reduce the influence of the background as much as possible, and in particular, it is necessary to eliminate the influence of the processing liquid image reflected on the surface of the substrate W. . For this reason, in step S <b> 16, the ejection determination area including a part from the tip of the upper surface treatment liquid nozzle 30 to the substrate W held by the spin chuck 20 in the image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA. SP is set. This setting may also be made by manually specifying an area while an operator looks at the image captured in step S12. The set ejection determination area SP is stored in the storage unit 92 of the control unit 9. Note that the ejection determination area SP set here is not the image itself, unlike the reference pattern RP described above, but is an area in the image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA, for example, as shown in FIG. It is represented by coordinate data indicating a quadrangle of the ejection determination area SP.

吐出判定領域SPの設定に続いて、作業員が吐出判定の閾値を設定する(ステップS17)。ここで設定する閾値は、後述する処理液の吐出判定(図7のステップS28)に用いるためのものであり、カメラ70が撮像する処理液吐出前後における画像の差分の閾値である。ここで設定する閾値が低いほど、差分が小さくても上面処理液ノズル30から処理液が吐出されたと判定されやすくなる。ステップS17で設定された閾値は記憶部92に格納される。   Following the setting of the discharge determination area SP, the worker sets a threshold value for discharge determination (step S17). The threshold value set here is for use in determination of processing liquid discharge described later (step S28 in FIG. 7), and is a threshold value of the difference between images before and after discharging the processing liquid imaged by the camera 70. The lower the threshold set here, the easier it is to determine that the processing liquid has been ejected from the upper surface processing liquid nozzle 30 even if the difference is small. The threshold set in step S17 is stored in the storage unit 92.

以上のようにして上面処理液ノズル30についての事前準備が行われる。ステップS11からステップS17にて示したのと同様の事前準備が他の上面処理液ノズル60,65についても実行される(ステップS18)。このような事前準備は、ティーチングを行ったときに予め実施しておけば足りるものであり、一度実施すればティーチング位置が変更されるまで再度実施する必要はない。なお、固定の下面処理液ノズル28については上記のような事前準備処理は行わない。   As described above, preliminary preparation for the upper surface processing liquid nozzle 30 is performed. The same advance preparation as shown in steps S11 to S17 is performed for the other upper surface processing liquid nozzles 60 and 65 (step S18). Such advance preparation is sufficient if it is performed in advance when teaching is performed, and once it is performed, it is not necessary to perform it again until the teaching position is changed. Note that the preliminary preparation process as described above is not performed for the fixed lower surface treatment liquid nozzle 28.

次に、図6に示した事前準備が行われた後に処理対象となる基板Wの処理を行うときの手順について図7を参照しつつ説明する。まず、処理対象となる基板Wが主搬送ロボット103によって洗浄処理ユニット1に搬入される(ステップS21)。搬入された基板Wはスピンチャック20によって水平姿勢で保持される。それとともに、処理カップ40が所定の高さ位置に到達するように昇降動作を行う。   Next, a procedure when processing the substrate W to be processed after the advance preparation shown in FIG. 6 is performed will be described with reference to FIG. First, the substrate W to be processed is carried into the cleaning processing unit 1 by the main transfer robot 103 (step S21). The loaded substrate W is held in a horizontal posture by the spin chuck 20. At the same time, the raising and lowering operation is performed so that the processing cup 40 reaches a predetermined height position.

スピンチャック20に新たな処理対象となる基板Wが保持された後、上面処理液ノズル30が待機位置から処理位置に向けて移動を開始する(ステップS22)。上面処理液ノズル30の移動は、予め設定されたレシピ(基板Wの処理手順および条件を記述したもの)に従って制御部9がノズル基台33を制御することにより行われる。また、制御部9は、当該レシピに所定時間以上(例えば、5秒以上)の上面処理液ノズル30からの処理液吐出が記述されている場合には、上面処理液ノズル30の移動を開始するのと同じタイミングで判定部91に対して吐出判定を行うように指示する。制御部9が吐出判定の指示を行うタイミングは、厳密に上面処理液ノズル30が移動を開始するのと同じでなくても良いが、上面処理液ノズル30が移動を停止するまでに判定部91がステップS23以降の処理を行えるように余裕をもって行うのが好ましい。   After the substrate W to be newly processed is held on the spin chuck 20, the upper surface processing liquid nozzle 30 starts to move from the standby position toward the processing position (step S22). The upper processing liquid nozzle 30 is moved by the control unit 9 controlling the nozzle base 33 in accordance with a preset recipe (which describes the processing procedure and conditions of the substrate W). In addition, when the processing liquid discharge from the upper surface processing liquid nozzle 30 for a predetermined time or longer (for example, 5 seconds or longer) is described in the recipe, the control unit 9 starts to move the upper surface processing liquid nozzle 30. The determination unit 91 is instructed to perform the discharge determination at the same timing. The timing at which the control unit 9 issues a discharge determination instruction may not be exactly the same as when the upper surface processing liquid nozzle 30 starts to move, but the determination unit 91 does not stop until the upper surface processing liquid nozzle 30 stops moving. However, it is preferable to carry out with sufficient margin so that the process after step S23 can be performed.

吐出判定の指示を受けた判定部91は、カメラ70に連続撮像を開始させる(ステップS23)。カメラ70は、撮像領域PAを一定間隔で連続して撮像する。例えば、カメラ70は、33ミリ秒間隔で連続撮像を行う(1秒に30フレーム)。すなわち、カメラ70は、スピンチャック20が処理対象となる新たな基板Wを保持して上面処理液ノズル30が待機位置から処理位置に向けて移動を開始した時点から動画撮影を開始するのである。なお、カメラ70が連続撮像を開始した時点では、上面処理液ノズル30が待機位置から移動を開始した時点でもあるため、撮像領域PAに上面処理液ノズル30は到達していない。   The determination unit 91 that has received the discharge determination instruction causes the camera 70 to start continuous imaging (step S23). The camera 70 continuously images the imaging area PA at a constant interval. For example, the camera 70 performs continuous imaging at intervals of 33 milliseconds (30 frames per second). That is, the camera 70 starts moving image shooting from the time when the spin chuck 20 holds a new substrate W to be processed and the upper surface processing liquid nozzle 30 starts moving from the standby position toward the processing position. Note that when the camera 70 starts continuous imaging, it is also the time when the upper surface processing liquid nozzle 30 starts to move from the standby position, and thus the upper surface processing liquid nozzle 30 does not reach the imaging area PA.

カメラ70が連続撮像を開始した後、判定部91が上面処理液ノズル30の移動の停止を判定する(ステップS24)。上面処理液ノズル30の移動自体は、上記のレシピに従って制御部9がノズル基台33を制御することにより行われるものであり、その移動の停止も制御部9によって制御されている。判定部91は、カメラ70が連続撮像によって取得した複数の画像から上面処理液ノズル30が移動を停止したか否かを制御部9による制御から独立して判定するのである。具体的には、判定部91は、カメラ70が撮像領域PAを連続撮像して取得した連続する画像の差分を逐一算定し、その差分が一定値以下となっているか否かによって上面処理液ノズル30の移動の停止を判定する。連続する画像の差分の算定とは、連続撮像によって取得された複数の画像のうちある画像とその次の画像との差分の画像における全画素の階調値の絶対値を積算した総和を求めることである。   After the camera 70 starts continuous imaging, the determination unit 91 determines stop of the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 (step S24). The movement of the upper surface treatment liquid nozzle 30 itself is performed by the control unit 9 controlling the nozzle base 33 according to the above recipe, and the stop of the movement is also controlled by the control unit 9. The determination unit 91 determines whether or not the upper surface treatment liquid nozzle 30 has stopped moving from a plurality of images acquired by the camera 70 by continuous imaging independently from the control by the control unit 9. Specifically, the determination unit 91 calculates the difference between successive images acquired by the camera 70 by continuously capturing the imaging area PA, and determines whether or not the upper surface treatment liquid nozzle depends on whether the difference is equal to or less than a certain value. The stop of the movement of 30 is determined. The calculation of the difference between successive images is to obtain the sum total of the absolute values of the gradation values of all the pixels in the difference image between one image and the next image among a plurality of images acquired by continuous imaging. It is.

図9は、撮像領域PA内における上面処理液ノズル30の移動を示す図である。撮像領域PA内において上面処理液ノズル30が移動しているときに、カメラ70が撮像領域PAを連続撮像すると、ある画像とその次の画像とで上面処理液ノズル30の位置が異なっており、それら両画像の差分では処理液ノズル30の像が残る。これに対して、撮像領域PAにおいて上面処理液ノズル30が処理位置(図9中の点線位置)にて移動を停止した後にカメラ70が撮像領域PAを連続撮像すると、ある画像とその次の画像とで上面処理液ノズル30の位置が同一であり、それら両画像の差分では上面処理液ノズル30も消えることとなる。従って、カメラ70が撮像領域PAを連続撮像して取得した連続する画像の差分(ある画像とその次の画像との差分)の画像における全画素の階調値の総和が一定値以下であれば、判定部91は上面処理液ノズル30が移動を停止したと判定する。なお、ノイズなどによる誤判定を防止するために、例えば判定部91は連続する5枚の画像についてある画像とその次の画像との差分を算定し(この場合4つの差分が算定される)、その差分が全て一定値以下であれば上面処理液ノズル30が移動を停止したと判定するようにしても良い。   FIG. 9 is a diagram illustrating movement of the upper surface treatment liquid nozzle 30 in the imaging area PA. When the upper surface processing liquid nozzle 30 is moving in the imaging area PA and the camera 70 continuously images the imaging area PA, the position of the upper surface processing liquid nozzle 30 is different between a certain image and the next image. In the difference between these two images, an image of the treatment liquid nozzle 30 remains. On the other hand, when the camera 70 continuously images the imaging area PA after the upper surface processing liquid nozzle 30 stops moving at the processing position (dotted line position in FIG. 9) in the imaging area PA, an image and the next image are displayed. The position of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is the same, and the upper surface treatment liquid nozzle 30 also disappears in the difference between the two images. Therefore, if the sum of gradation values of all pixels in an image of a difference between successive images (difference between a certain image and the next image) acquired by the camera 70 continuously capturing the imaging area PA is less than a certain value. The determination unit 91 determines that the upper surface treatment liquid nozzle 30 has stopped moving. In order to prevent erroneous determination due to noise or the like, for example, the determination unit 91 calculates a difference between a certain image and the next image for five consecutive images (in this case, four differences are calculated), If all the differences are less than or equal to a certain value, it may be determined that the upper surface treatment liquid nozzle 30 has stopped moving.

次に、判定部91は、カメラ70によって連続して取得される画像のうちステップS24で上面処理液ノズル30の移動が停止したと判定された時点での画像を処理液吐出判定のための吐出基準画像(第1基準画像)として特定する(ステップS25)。特定された吐出基準画像は、制御部9の記憶部92に記憶される。このようにして得られた吐出基準画像は、上面処理液ノズル30が処理位置に到達して停止した時点での撮像領域PAを撮像した画像である。上面処理液ノズル30が処理位置に到達して停止した時点では、未だに上面処理液ノズル30からの処理液の吐出は行われていない。よって、吐出基準画像は、処理位置に移動した上面処理液ノズル30が処理液を吐出する前にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した画像である。   Next, the determination unit 91 discharges an image at the time when it is determined in step S24 that the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 has been stopped, from among images continuously acquired by the camera 70. It is specified as a reference image (first reference image) (step S25). The identified ejection reference image is stored in the storage unit 92 of the control unit 9. The ejection reference image obtained in this way is an image obtained by imaging the imaging area PA when the upper surface processing liquid nozzle 30 reaches the processing position and stops. When the upper surface processing liquid nozzle 30 reaches the processing position and stops, the processing liquid is not yet discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30. Therefore, the ejection reference image is an image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA before the upper surface processing liquid nozzle 30 moved to the processing position discharges the processing liquid.

また、ステップS21からステップS25までの工程は、新たな処理対象となる基板Wが洗浄処理ユニット1に搬入される毎に実行される処理である。すなわち、本実施形態においては、洗浄処理ユニット1に搬入された新たな処理対象となる基板Wをスピンチャック20が保持して上面処理液ノズル30が処理位置に移動する毎に吐出基準画像を取得しているのである。   Further, the processes from step S21 to step S25 are processes that are executed each time the substrate W to be newly processed is carried into the cleaning processing unit 1. That is, in the present embodiment, a discharge reference image is acquired each time the spin chuck 20 holds the substrate W to be newly processed that has been carried into the cleaning processing unit 1 and the upper surface processing liquid nozzle 30 moves to the processing position. It is doing.

次に、判定部91がノズル位置基準画像と吐出基準画像とを比較して上面処理液ノズル30の処理位置における位置異常を判定する(ステップS26)。ノズル位置基準画像は、ティーチング時に上面処理液ノズル30が処理位置に正確に位置しているときにカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した画像である。吐出基準画像は、処理対象となる基板Wをスピンチャック20が保持し、上面処理液ノズル30が処理位置に移動して停止したときにカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した画像である。よって、ノズル位置基準画像と吐出基準画像とを比較すれば、処理対象となる基板Wの上方に移動した上面処理液ノズル30が適正な処理位置にて停止したか否かを判定することができる。   Next, the determination unit 91 compares the nozzle position reference image and the discharge reference image to determine a position abnormality in the processing position of the upper surface processing liquid nozzle 30 (step S26). The nozzle position reference image is an image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA when the upper surface processing liquid nozzle 30 is accurately positioned at the processing position during teaching. The ejection reference image is an image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA when the spin chuck 20 holds the substrate W to be processed and the upper surface processing liquid nozzle 30 moves to the processing position and stops. . Therefore, by comparing the nozzle position reference image with the discharge reference image, it can be determined whether or not the upper surface processing liquid nozzle 30 that has moved above the substrate W to be processed has stopped at an appropriate processing position. .

具体的には、判定部91は、ステップS13で切り出されたノズル位置基準画像のリファレンスパターンRPと、そのリファレンスパターンRPに対応する吐出基準画像中の一部領域画像とを比較し、両画像における上面処理液ノズル30の座標の差(位置ずれ)を算定する。この比較には、公知のパターンマッチングの手法を用いることができる。そして、パターンマッチングによって算定された上面処理液ノズル30の位置ずれがステップS15にて設定された閾値以上である場合には、判定部91は上面処理液ノズル30の位置が異常であると判定する。上面処理液ノズル30の位置が異常であると判定された場合には、制御部9が所定の異常対応処理(例えば、警告発報や処理停止など)を行う。一方、算定された上面処理液ノズル30の位置ずれがステップS15にて設定された閾値より小さい場合には、判定部91は上面処理液ノズル30の位置に異常無しと判定する。   Specifically, the determination unit 91 compares the reference pattern RP of the nozzle position reference image cut out in step S13 with the partial region image in the discharge reference image corresponding to the reference pattern RP, and compares the images in both images. A difference (positional deviation) in coordinates of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is calculated. A known pattern matching technique can be used for this comparison. If the positional deviation of the upper surface processing liquid nozzle 30 calculated by pattern matching is equal to or greater than the threshold value set in step S15, the determination unit 91 determines that the position of the upper surface processing liquid nozzle 30 is abnormal. . When it is determined that the position of the upper surface processing liquid nozzle 30 is abnormal, the control unit 9 performs predetermined abnormality handling processing (for example, warning generation or processing stoppage). On the other hand, when the calculated positional deviation of the upper surface processing liquid nozzle 30 is smaller than the threshold value set in step S <b> 15, the determination unit 91 determines that there is no abnormality in the position of the upper surface processing liquid nozzle 30.

上面処理液ノズル30が処理位置に到達して停止した後、制御部9の制御によって基板Wが回転されるとともに、上面処理液ノズル30からの処理液吐出が開始される。そして、判定部91はカメラ70によって連続撮像された画像に基づいて上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する。   After the upper surface processing liquid nozzle 30 reaches the processing position and stops, the substrate W is rotated by the control of the control unit 9 and the processing liquid discharge from the upper surface processing liquid nozzle 30 is started. Then, the determination unit 91 determines discharge of the processing liquid from the upper surface processing liquid nozzle 30 based on images continuously captured by the camera 70.

判定部91は、処理液吐出の判定に際して吐出判定領域SPのシフトを行う(ステップS27)。吐出判定領域SPは、ノズル位置基準画像内において上面処理液ノズル30の先端から基板Wに至るまでの一部を含む領域としてステップS16で設定されたものである。上記のステップS26では、ノズル位置基準画像中の上面処理液ノズル30の位置と吐出基準画像中における上面処理液ノズル30の位置との位置ずれが算定される。ステップS27では、その算定結果に基づいて判定部91が吐出判定領域SPのシフトを行う。すなわち、ステップS26で算定された位置ずれ量だけ吐出判定領域SPを移動させるのである。   The determination unit 91 shifts the discharge determination region SP when determining whether to discharge the processing liquid (step S27). The ejection determination area SP is set in step S16 as an area including a part from the tip of the upper surface treatment liquid nozzle 30 to the substrate W in the nozzle position reference image. In step S26 described above, a positional deviation between the position of the upper surface processing liquid nozzle 30 in the nozzle position reference image and the position of the upper surface processing liquid nozzle 30 in the discharge reference image is calculated. In step S27, the determination unit 91 shifts the discharge determination region SP based on the calculation result. That is, the ejection determination area SP is moved by the amount of displacement calculated in step S26.

ステップS24にて上面処理液ノズル30の移動停止を判定した後もカメラ70は撮像領域PAの連続撮像を行っている。すなわち、カメラ70は、上面処理液ノズル30が移動を開始するのと同時に撮像領域PAの連続撮像を開始(ステップS23)してから一定間隔での連続撮像を継続しているのである。   Even after it is determined in step S24 that the movement of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is stopped, the camera 70 performs continuous imaging of the imaging area PA. That is, the camera 70 starts continuous imaging of the imaging area PA at the same time when the upper surface treatment liquid nozzle 30 starts moving (step S23), and then continues continuous imaging at a constant interval.

判定部91は、処理位置に移動した上面処理液ノズル30が処理液を吐出する前にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した吐出基準画像と、その後にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した監視対象画像とを比較して上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する(ステップS28)。より詳細には、判定部91は、上面処理液ノズル30の移動停止を判定した後にカメラ70が連続して取得した複数の監視対象画像と吐出基準画像とを順次に比較して上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する。   The determination unit 91 includes a discharge reference image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA before the upper surface processing liquid nozzle 30 moved to the processing position discharges the processing liquid, and then the camera 70 images the imaging area PA. Then, the processing liquid ejection from the upper surface processing liquid nozzle 30 is determined by comparing with the acquired monitoring target image (step S28). More specifically, the determination unit 91 sequentially compares the plurality of monitoring target images acquired by the camera 70 after determining the stoppage of the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 and the discharge reference image, and sequentially detects the upper surface processing liquid nozzle. The processing liquid discharge from 30 is determined.

監視対象画像は、上面処理液ノズル30の移動が停止したと判定された時点よりも後(つまり、吐出基準画像が特定された後)にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した画像である。上面処理液ノズル30の移動停止を判定した後もカメラ70は撮像領域PAの連続撮像を行っているため、一定間隔で撮像された複数の監視対象画像が取得されることとなる。そして、上面処理液ノズル30が処理位置にて移動を停止してから所定時間経過後に処理液の吐出が開始されるため、上記複数の監視対象画像のうちのいずれかの時点以降に得られた画像に処理液の吐出が映っていることとなる。判定部91は、このような複数の監視対象画像と吐出基準画像とを順次に比較して上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する。   The monitoring target image is an image acquired by imaging the imaging area PA by the camera 70 after the time when it is determined that the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 has stopped (that is, after the ejection reference image is specified). is there. Even after it is determined that the movement of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is stopped, the camera 70 continuously captures the imaging area PA, and thus a plurality of monitoring target images captured at regular intervals are acquired. Then, since the discharge of the processing liquid is started after a lapse of a predetermined time after the upper surface processing liquid nozzle 30 stops moving at the processing position, it is obtained after any one of the plurality of monitoring target images. The discharge of the processing liquid is reflected in the image. The determination unit 91 sequentially compares the plurality of monitoring target images and the discharge reference image to determine the processing liquid discharge from the upper surface processing liquid nozzle 30.

図10は、吐出基準画像および監視対象画像を示す図である。図10(a)には吐出基準画像の吐出判定領域SPを示し、図10(b)には処理液の吐出が開始された後における監視対象画像の吐出判定領域SPを示している。また、図12は、処理液吐出判定のアルゴリズムの一例を模式的に示す図である。判定部91は、複数の監視対象画像のうちの1枚における吐出判定領域SPの各画素の階調値と当該画素に対応する吐出基準画像における吐出判定領域SPの画素の階調値との差分の絶対値を吐出判定領域SPに含まれる全画素について積算する。すなわち、判定部91は、図10(a)を構成する各画素の階調値と、その画素に対応する図10(b)を構成する画素の階調値との差分の絶対値の総和を算出する。なお、吐出基準画像および監視対象画像の吐出判定領域SPはともに、ステップS27にてシフトされた領域である。従って、処理位置における上面処理液ノズル30の停止位置がティーチング位置から位置異常と判定されない程度にずれていたとしても、吐出判定領域SPは上面処理液ノズル30の先端から基板Wに至るまでの一部を含む領域として正確に設定される。   FIG. 10 is a diagram illustrating a discharge reference image and a monitoring target image. FIG. 10A shows the discharge determination area SP of the discharge reference image, and FIG. 10B shows the discharge determination area SP of the monitoring target image after the discharge of the treatment liquid is started. FIG. 12 is a diagram schematically illustrating an example of an algorithm for determining treatment liquid discharge. The determination unit 91 determines the difference between the gradation value of each pixel in the ejection determination area SP in one of the plurality of monitoring target images and the gradation value of the pixel in the ejection determination area SP in the ejection reference image corresponding to the pixel. Is integrated for all pixels included in the ejection determination area SP. That is, the determination unit 91 calculates the sum of absolute values of differences between the gradation values of the pixels constituting FIG. 10A and the gradation values of the pixels constituting FIG. 10B corresponding to the pixels. calculate. Note that the ejection determination area SP of the ejection reference image and the monitoring target image are both areas shifted in step S27. Therefore, even if the stop position of the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position is deviated from the teaching position to such an extent that it is not determined that the position is abnormal, the discharge determination region SP is one from the tip of the upper surface processing liquid nozzle 30 to the substrate W. It is accurately set as a region including a part.

続いて、判定部91は、上述のようにして算出した差分の総和とステップS17にて設定された閾値とを比較する。そして、差分の総和がステップS17にて予め設定された閾値以上である場合には、判定部91は上面処理液ノズル30から処理液が吐出されていると判定する。一方、差分の総和が当該閾値よりも小さい場合には、判定部91は上面処理液ノズル30から処理液が吐出されていないと判定する。判定部91は、このような比較を上面処理液ノズル30の移動が停止したと判定された時点よりも後にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した複数の監視対象画像について順次に行う。   Subsequently, the determination unit 91 compares the sum of the differences calculated as described above with the threshold set in step S17. If the sum of the differences is equal to or greater than the threshold value set in advance in step S <b> 17, the determination unit 91 determines that the processing liquid is being discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30. On the other hand, when the sum of the differences is smaller than the threshold value, the determination unit 91 determines that the processing liquid is not discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30. The determination unit 91 sequentially performs such comparison for a plurality of monitoring target images acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA after the time when it is determined that the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 is stopped.

図11は、差分の総和と閾値との比較を示す図である。同図の縦軸には、画素階調値の差分の絶対値を積算した総和を示している。同図の横軸には、上面処理液ノズル30の移動が停止したと判定された時点よりも後に取得された複数の監視対象画像の番号を順次に示している。上面処理液ノズル30から処理液が吐出されるよりも前の時点における監視対象画像(図11の10番目までの監視対象画像)はほぼ図10(a)に示す吐出基準画像と同じである。よって、監視対象画像における吐出判定領域SPの各画素の階調値と当該画素に対応する吐出基準画像における吐出判定領域SPの画素の階調値との差分の絶対値の総和は相対的に低く、ステップS17にて予め設定された閾値より小さい。   FIG. 11 is a diagram illustrating a comparison between the sum of differences and a threshold value. The vertical axis in the figure shows the total sum of the absolute values of the differences in pixel gradation values. The horizontal axis of the figure sequentially shows the numbers of a plurality of monitoring target images acquired after the time point when it is determined that the movement of the upper surface treatment liquid nozzle 30 has stopped. The monitoring target image (up to the tenth monitoring target image in FIG. 11) before the processing liquid is discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30 is substantially the same as the discharge reference image shown in FIG. Therefore, the sum of absolute values of differences between the gradation values of the pixels in the ejection determination region SP in the monitoring target image and the gradation values of the pixels in the ejection determination region SP in the ejection reference image corresponding to the pixel is relatively low. , Smaller than the threshold value set in advance in step S17.

これに対して、上面処理液ノズル30からの処理液吐出が開始された後の監視対象画像(図11の11番目以降の監視対象画像)には、図10(b)に示す如く、吐出された処理液の画像が含まれている。従って、監視対象画像における吐出判定領域SPの各画素の階調値と当該画素に対応する吐出基準画像における吐出判定領域SPの画素の階調値との差分の絶対値の総和は相対的に高く、ステップS17にて予め設定された閾値より大きい。   On the other hand, as shown in FIG. 10B, the monitoring target image (the eleventh and subsequent monitoring target images in FIG. 11) after the processing liquid discharge from the upper processing liquid nozzle 30 is started is discharged. An image of the treated liquid is included. Therefore, the sum of the absolute values of the differences between the gradation values of the pixels in the ejection determination region SP in the monitoring target image and the gradation values of the pixels in the ejection determination region SP in the ejection reference image corresponding to the pixel is relatively high. , Larger than the threshold value set in advance in step S17.

判定部91は、上面処理液ノズル30から処理液が吐出されていると判定される状態が2秒以上継続する場合、つまり撮像間隔が33ミリ秒であれば60枚以上の監視対象画像について処理液が吐出されていると判定される場合には、上面処理液ノズル30から安定して確実に処理液が吐出されているものと判断する。一方、上面処理液ノズル30の移動が停止したと判定された時点から所定時間(例えば5秒)を経過しても、画素階調値の差分の総和が閾値以上とならずに上面処理液ノズル30から処理液が吐出されていないと判定される場合には処理液吐出の異常と判断する。判定部91による処理液吐出の判定結果は、例えば制御部9に付設されたディスプレイ等に表示するようにしても良い。また、上面処理液ノズル30から処理液吐出が異常であると判定された場合には制御部9が処理停止などの異常対応処理を行うようにしても良い。   When the state in which it is determined that the processing liquid is being discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30 continues for 2 seconds or longer, that is, when the imaging interval is 33 milliseconds, the determination unit 91 processes 60 or more monitoring target images. When it is determined that the liquid is being discharged, it is determined that the processing liquid is stably and reliably discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30. On the other hand, even if a predetermined time (for example, 5 seconds) elapses from the time when it is determined that the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 has stopped, the sum of the differences in pixel gradation values does not exceed the threshold value, and the upper surface processing liquid nozzle When it is determined from 30 that the processing liquid is not discharged, it is determined that the processing liquid is abnormally discharged. The determination result of the treatment liquid discharge by the determination unit 91 may be displayed on, for example, a display attached to the control unit 9. Further, when it is determined that the processing liquid discharge from the upper surface processing liquid nozzle 30 is abnormal, the control unit 9 may perform an abnormality handling process such as a process stop.

以上は、上面処理液ノズル30についての判定処理であったが、他の上面処理液ノズル60,65を使用する場合には、図7に示したのと同様の手順にて上面処理液ノズル60または上面処理液ノズル65についての判定処理を行うことができる。   The above is the determination process for the upper surface processing liquid nozzle 30. However, when other upper surface processing liquid nozzles 60 and 65 are used, the upper surface processing liquid nozzle 60 is processed in the same procedure as shown in FIG. Alternatively, determination processing for the upper surface processing liquid nozzle 65 can be performed.

本実施形態においては、処理位置に移動した上面処理液ノズル30が処理液を吐出する前にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した吐出基準画像と、その後にカメラ70が撮像領域PAを撮像して取得した監視対象画像とを比較して上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定している。そして、洗浄処理ユニット1に搬入された新たな処理対象となる基板Wをスピンチャック20が保持して上面処理液ノズル30が処理位置に移動する毎に吐出基準画像を取得している。   In the present embodiment, the ejection reference image acquired by the camera 70 imaging the imaging area PA before the upper surface processing liquid nozzle 30 moved to the processing position ejects the processing liquid, and then the camera 70 captures the imaging area PA. The processing target liquid ejection from the upper surface processing liquid nozzle 30 is determined by comparing with the monitoring target image acquired by imaging. Then, each time the upper processing liquid nozzle 30 moves to the processing position while the spin chuck 20 holds the substrate W to be newly processed that has been carried into the cleaning processing unit 1, an ejection reference image is acquired.

カメラ70が撮像領域PAを撮像して得られた画像には、上面処理液ノズル30の先端近傍以外にも、スピンチャック20に保持された基板Wや洗浄処理ユニット1内の機器などが含まれている。これらの背景の影響、特に基板Wの表面で反射される処理液の像の影響を可能な限り排除するために、吐出判定領域SPを予め設定し、吐出基準画像および監視対象画像の吐出判定領域SPにおける差分でもって閾値との比較を行っている。   The image obtained by the camera 70 imaging the imaging area PA includes the substrate W held by the spin chuck 20 and the equipment in the cleaning processing unit 1 in addition to the vicinity of the tip of the upper processing liquid nozzle 30. ing. In order to eliminate as much as possible the influence of these backgrounds, particularly the influence of the image of the processing liquid reflected on the surface of the substrate W, the discharge determination area SP is set in advance, and the discharge determination area of the discharge reference image and the monitoring target image is set. Comparison with the threshold is performed by the difference in SP.

ところが、図8に示すように、吐出判定領域SPからもスピンチャック20に保持された基板Wの表面の画像を除くことはできない。既述したように、基板Wの表面にはレジスト膜や絶縁膜などの種々の膜が成膜されてパターン形成がなされており、その結果基板Wの種類によって表面反射率が大きく異なる。   However, as shown in FIG. 8, the image of the surface of the substrate W held by the spin chuck 20 cannot be removed from the ejection determination region SP. As described above, various films such as a resist film and an insulating film are formed on the surface of the substrate W to form a pattern. As a result, the surface reflectance varies greatly depending on the type of the substrate W.

本実施形態のようにすれば、スピンチャック20が新たな処理対象となる基板Wを保持して上面処理液ノズル30が処理位置に移動する毎に吐出基準画像を取得しているため、吐出基準画像および監視対象画像の双方に同じ基板Wの表面画像が背景として含まれることとなる。よって、吐出基準画像と監視対象画像との差分においては、基板Wの表面反射率の大小にかかわらず、その影響が排除されることとなる。その結果、処理対象となる基板Wの種類にかかわらず、上面処理液ノズル30からの処理液の吐出を確実に判定することができる。   According to the present embodiment, the spin chuck 20 holds the substrate W to be newly processed and acquires the discharge reference image every time the upper surface processing liquid nozzle 30 moves to the processing position. The surface image of the same substrate W is included as the background in both the image and the monitoring target image. Therefore, the difference between the ejection reference image and the monitoring target image is eliminated regardless of the surface reflectance of the substrate W. As a result, regardless of the type of the substrate W to be processed, the discharge of the processing liquid from the upper surface processing liquid nozzle 30 can be reliably determined.

また、カメラ70が撮像領域PAを連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であれば上面処理液ノズル30の移動が停止したと判定しているため、上面処理液ノズル30の移動停止が自動的に判定されることとなる。このため、上面処理液ノズル30が処理位置にて移動を停止した後に、特別なトリガー信号を送ることなく、カメラ70による撮像を行って上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定することができる。その結果、処理液吐出判定に関するハードウェア構成も簡素化することができる。   Further, if the difference between successive images acquired by the camera 70 by continuously capturing the imaging area PA is equal to or less than a certain value, it is determined that the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30 has stopped. The movement stop is automatically determined. For this reason, after the upper surface processing liquid nozzle 30 stops moving at the processing position, it is possible to determine whether the processing liquid is discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30 by performing imaging with the camera 70 without sending a special trigger signal. it can. As a result, the hardware configuration relating to the processing liquid discharge determination can also be simplified.

また、判定部91は、処理液吐出の判定に加えて、上面処理液ノズル30が処理位置に移動したときの位置異常の判定をも行っている。メンテナンス時の調整ミスや経時変化などによって、上面処理液ノズル30がティーチング位置からずれて処理液を吐出した場合、本来期待されている結果が得られず、処理不良の原因となる。本実施形態においては、上面処理液ノズル30の位置異常の判定も行っているため、上面処理液ノズル30の位置ずれ起因した処理不良の発生を防止することができる。   In addition to the determination of the processing liquid discharge, the determination unit 91 also determines a position abnormality when the upper surface processing liquid nozzle 30 moves to the processing position. If the upper surface processing liquid nozzle 30 is displaced from the teaching position and discharges the processing liquid due to an adjustment error during maintenance or a change over time, the expected result cannot be obtained, resulting in processing failure. In the present embodiment, since the position abnormality of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is also determined, it is possible to prevent the occurrence of processing failure due to the positional deviation of the upper surface treatment liquid nozzle 30.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、判定部91が上面処理液ノズル30の移動の停止を判定するときに、カメラ70が連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下となっているか否かによって判定していたが、これに限定されるものではなく、各画像とノズル位置基準画像との比較から判定するようにしても良い。すなわち、判定部91は、カメラ70が撮像領域PAを連続撮像して取得した複数の画像とティーチング時に取得したノズル位置基準画像とのパターンマッチングを行い、上面処理液ノズル30の座標変動分が一定値以下となったときに上面処理液ノズル30が移動を停止したと判定する。この場合であっても、判定部91は例えば連続する5枚の画像についてノズル位置基準画像とのパターンマッチングを行い、上面処理液ノズル30の座標変動分が安定して一定値以下となったときに上面処理液ノズル30が移動を停止したと判定するのが好ましい。   While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, when the determination unit 91 determines the stop of the movement of the upper surface processing liquid nozzle 30, whether the difference between consecutive images acquired by continuous imaging by the camera 70 is a certain value or less. However, the determination is not limited to this, and the determination may be made by comparing each image with the nozzle position reference image. That is, the determination unit 91 performs pattern matching between a plurality of images acquired by the camera 70 by continuously capturing the imaging area PA and the nozzle position reference image acquired during teaching, and the coordinate variation of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is constant. When the value is less than or equal to the value, it is determined that the upper surface treatment liquid nozzle 30 has stopped moving. Even in this case, the determination unit 91 performs pattern matching with the nozzle position reference image for, for example, five consecutive images, and the coordinate variation of the upper surface treatment liquid nozzle 30 is stably below a certain value. It is preferable to determine that the upper surface treatment liquid nozzle 30 has stopped moving.

また、上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定するアルゴリズムは図13に示すようなものであっても良い。判定部91が複数の監視対象画像のうちの1枚における吐出判定領域SPの各画素の階調値と当該画素に対応する吐出基準画像における吐出判定領域SPの画素の階調値との差分の絶対値を吐出判定領域SPに含まれる全画素について積算する点は上記実施形態(図12)と同じである。図13に示す例では、判定部91は、画素階調値の差分の総和を吐出判定領域SPの面積で正規化して吐出基準画像と監視対象画像との比較を行っている。すなわち、判定部91は、画素階調値の差分の総和を吐出判定領域SPの面積で除して単位面積当たりの差分の総和を算出している。そして、判定部91は、吐出判定領域SPの面積で正規化した画素階調値の差分の総和とステップS17にて予め設定された閾値とを比較して上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する。上記実施形態では、ステップS16で設定する吐出判定領域SPのサイズが変動すれば、それに応じて画素階調値の差分の総和も変動することとなり、その結果ステップS17で設定する閾値も変更しなければならない。図13に示す例においては、画素階調値の差分の総和を吐出判定領域SPの面積で正規化しているため、ステップS16で設定する吐出判定領域SPのサイズが変動した場合であっても、ステップS17で設定する閾値は変更することなく運用することが可能となる。   Further, an algorithm for determining discharge of the processing liquid from the upper surface processing liquid nozzle 30 may be as shown in FIG. The determination unit 91 determines the difference between the gradation value of each pixel in the discharge determination region SP in one of the plurality of monitoring target images and the gradation value of the pixel in the discharge determination region SP in the discharge reference image corresponding to the pixel. The point that the absolute value is integrated for all the pixels included in the ejection determination region SP is the same as in the above embodiment (FIG. 12). In the example illustrated in FIG. 13, the determination unit 91 compares the discharge reference image and the monitoring target image by normalizing the sum of the differences of the pixel gradation values by the area of the discharge determination region SP. That is, the determination unit 91 calculates the total difference per unit area by dividing the total sum of pixel gradation value differences by the area of the ejection determination region SP. Then, the determination unit 91 compares the sum of the differences of the pixel gradation values normalized by the area of the discharge determination region SP and the threshold set in advance in step S17, and discharges the processing liquid from the upper surface processing liquid nozzle 30. Determine. In the above embodiment, if the size of the ejection determination area SP set in step S16 changes, the sum of the differences in pixel gradation values also changes accordingly. As a result, the threshold value set in step S17 must also be changed. I must. In the example shown in FIG. 13, since the sum of the differences in pixel gradation values is normalized by the area of the ejection determination region SP, even if the size of the ejection determination region SP set in step S16 varies. The threshold set in step S17 can be operated without being changed.

さらに、図13の例では、判定部91が吐出基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均を算出し、その移動平均と閾値との比較を行っている。すなわち、判定部91は、例えば連続する直近の5枚の監視対象画像について吐出基準画像との画素階調値の差分の総和を個別に算出し、その差分の総和の平均値を算出する。そして、判定部91は、画素階調値の差分の総和の平均値とステップS17にて予め設定された閾値とを比較して上面処理液ノズル30からの処理液吐出を判定する。差分の移動平均がステップS17で設定された閾値以上であれば上面処理液ノズル30から処理液が吐出されていると判定される。このような移動平均を用いれば、カメラ70が連続撮像して取得した複数の監視対象画像に含まれるノイズやばらつきの影響を緩和することができ、より確実な吐出判定処理を行うことができる。   Further, in the example of FIG. 13, the determination unit 91 calculates a moving average of differences between the ejection reference image and a predetermined number of monitoring target images, and compares the moving average with a threshold value. That is, for example, the determination unit 91 individually calculates the sum of the differences in pixel gradation values from the discharge reference image for the five latest monitoring target images that are consecutive, and calculates the average value of the sum of the differences. Then, the determination unit 91 determines the discharge of the processing liquid from the upper surface processing liquid nozzle 30 by comparing the average value of the sum of the differences of the pixel gradation values with the threshold value set in advance in step S17. If the moving average of the difference is equal to or greater than the threshold set in step S17, it is determined that the processing liquid is being discharged from the upper surface processing liquid nozzle 30. By using such a moving average, it is possible to alleviate the influence of noise and variations included in a plurality of monitoring target images acquired by continuous imaging by the camera 70, and to perform more reliable ejection determination processing.

また、基板処理装置100によって処理対象となる基板は半導体用途の基板に限定されるものではなく、太陽電池用途の基板や液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板であっても良い。   The substrate to be processed by the substrate processing apparatus 100 is not limited to a substrate for semiconductor use, and may be a glass substrate used for a flat panel display such as a substrate for solar cell use or a liquid crystal display device.

さらに、本発明に係る技術は、移動可能なノズルから基板に処理液を吐出して所定の処理を行う装置であれば適用することができる。例えば、上記実施形態の枚葉式の洗浄処理装置の他に、回転する基板にノズルからフォトレジスト液を吐出してレジスト塗布を行う回転塗布装置(スピンコータ)、表面に膜が成膜された基板の端縁部にノズルから膜の除去液を吐出する装置、或いは、基板の表面にノズルからエッチング液を吐出する装置などに本発明に係る技術を適用するようにしても良い。   Furthermore, the technique according to the present invention can be applied to any apparatus that performs a predetermined process by discharging a processing liquid from a movable nozzle onto a substrate. For example, in addition to the single wafer cleaning apparatus of the above embodiment, a spin coater that applies a resist solution by discharging a photoresist solution from a nozzle to a rotating substrate, and a substrate on which a film is formed. The technique according to the present invention may be applied to a device that discharges the film removal liquid from the nozzle to the edge of the substrate, or a device that discharges the etching liquid from the nozzle to the surface of the substrate.

1 洗浄処理ユニット
9 制御部
10 チャンバー
20 スピンチャック
30,60,65 上面処理液ノズル
33,63,68 ノズル基台
40 処理カップ
70 カメラ
71 照明部
91 判定部
92 記憶部
100 基板処理装置
PA 撮像領域
RP リファレンスパターン
SP 吐出判定領域
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning process unit 9 Control part 10 Chamber 20 Spin chuck 30, 60, 65 Upper surface process liquid nozzle 33, 63, 68 Nozzle base 40 Processing cup 70 Camera 71 Illumination part 91 Determination part 92 Storage part 100 Substrate processing apparatus PA Imaging area RP Reference pattern SP Discharge judgment area W Substrate

Claims (20)

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップと、
処理液を吐出するノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と前記カップよりも外側の待機位置との間で前記ノズルを移動させる駆動部と、
前記処理位置における前記ノズルの先端を含む撮像領域を撮像する撮像部と、
前記処理位置に移動した前記ノズルが処理液を吐出する前に前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第1基準画像とその後に前記撮像領域を撮像して取得した監視対象画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する判定部と、
を備え、
前記撮像部は、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記処理位置に移動する毎に第1基準画像を取得することを特徴とする基板処理装置。
A substrate holder for holding the substrate;
A cup surrounding the periphery of the substrate holder;
A nozzle for discharging the treatment liquid;
A drive unit that moves the nozzle between a processing position above the substrate held by the substrate holding unit and a standby position outside the cup;
An imaging unit for imaging an imaging region including a tip of the nozzle at the processing position;
A first reference image acquired by the imaging unit imaging the imaging area before the nozzle that has moved to the processing position discharges the processing liquid, and a monitoring target image acquired by imaging the imaging area thereafter. A determination unit for determining treatment liquid discharge from the nozzle in comparison;
With
The substrate processing apparatus, wherein the imaging unit acquires a first reference image each time the nozzle is moved to the processing position while the substrate holding unit holds a substrate to be newly processed.
請求項1記載の基板処理装置において、
前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した画像のうち前記ノズルの先端から前記基板保持部に保持された基板に至るまでの一部を含んで設定された判定領域を記憶する記憶部をさらに備え、
前記判定部は、第1基準画像および監視対象画像の前記判定領域における差分が所定の閾値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
A storage unit for storing a determination region set including a part from the tip of the nozzle to the substrate held by the substrate holding unit in an image acquired by imaging the imaging region by the imaging unit; In addition,
The substrate processing apparatus, wherein the determination unit determines that the processing liquid is being discharged from the nozzle if a difference in the determination region between the first reference image and the monitoring target image is equal to or greater than a predetermined threshold.
請求項2記載の基板処理装置において、
前記撮像部は、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記待機位置から前記処理位置に向けて移動を開始した時点から所定間隔で連続して前記撮像領域を撮像し、
前記判定部は、前記撮像部が前記撮像領域を連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であれば前記ノズルの移動が停止したと判定することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
The imaging unit holds the imaging region continuously at a predetermined interval from the time when the substrate holding unit holds a substrate to be newly processed and the nozzle starts moving from the standby position toward the processing position. Image
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the determination unit determines that the movement of the nozzle is stopped if a difference between successive images acquired by the imaging unit continuously imaging the imaging region is equal to or less than a predetermined value.
請求項3記載の基板処理装置において、
前記判定部は、前記撮像部によって連続して取得される画像のうち前記ノズルの移動が停止したと判定した時点での画像を第1基準画像とすることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the determination unit sets, as a first reference image, an image at a time when it is determined that the movement of the nozzle is stopped among images continuously acquired by the imaging unit.
請求項4記載の基板処理装置において、
前記判定部は、前記ノズルの移動停止を判定した後に前記撮像部が連続して取得した複数の監視対象画像と第1基準画像とを順次に比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein
The determination unit sequentially determines a discharge of the processing liquid from the nozzle by sequentially comparing a plurality of monitoring target images acquired by the imaging unit and the first reference image after determining the movement stop of the nozzle. A substrate processing apparatus.
請求項5記載の基板処理装置において、
前記判定部は、前記判定領域の面積で正規化して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 5,
The determination unit normalizes the area of the determination region and compares the first reference image with the monitoring target image.
請求項6記載の基板処理装置において、
前記判定部は、第1基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均が所定の閾値値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein
The determination unit determines that the processing liquid is discharged from the nozzle if the moving average of the difference between the first reference image and the predetermined number of monitoring target images is equal to or greater than a predetermined threshold value. Processing equipment.
請求項4から請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記判定部は、前記ノズルが前記処理位置に正確に位置しているときに前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第2基準画像と第1基準画像とを比較して前記ノズルの前記処理位置における位置異常を判定することを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 4-7,
The determination unit compares the first reference image with a second reference image acquired by the imaging unit capturing an image of the imaging region when the nozzle is accurately positioned at the processing position. A substrate processing apparatus for determining a position abnormality in the processing position.
請求項8記載の基板処理装置において、
前記判定部は、第2基準画像および第1基準画像における前記ノズルの座標の差が所定の閾値以上であれば前記ノズルの位置が異常であると判定することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the determination unit determines that the position of the nozzle is abnormal if a difference between the coordinates of the nozzles in the second reference image and the first reference image is equal to or greater than a predetermined threshold.
請求項8記載の基板処理装置において、
前記判定部は、第2基準画像と第1基準画像との比較結果に基づいて第1基準画像および監視対象画像における前記判定領域の位置を移動させることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein
The determination unit moves a position of the determination region in the first reference image and the monitoring target image based on a comparison result between the second reference image and the first reference image.
基板保持部に新たな処理対象となる基板を保持する保持工程と、
前記基板保持部に新たな処理対象となる基板が保持された後、前記基板保持部の周囲を取り囲むカップよりも外側の待機位置から前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置に向けて処理液を吐出するノズルを移動させるノズル移動工程と、
前記処理位置における前記ノズルの先端を含む撮像領域を撮像部によって撮像する撮像工程と、
前記処理位置に移動した前記ノズルが処理液を吐出する前に前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第1基準画像とその後に前記撮像領域を撮像して取得した監視対象画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する吐出判定工程と、
を備え、
前記撮像工程では、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記処理位置に移動する毎に第1基準画像を取得することを特徴とする基板処理方法。
A holding step of holding a substrate to be newly processed in the substrate holding unit;
After a substrate to be newly processed is held by the substrate holding unit, the standby position outside the cup surrounding the periphery of the substrate holding unit is directed to a processing position above the substrate held by the substrate holding unit. A nozzle moving step for moving the nozzle for discharging the processing liquid;
An imaging step of imaging an imaging region including a tip of the nozzle at the processing position by an imaging unit;
A first reference image acquired by the imaging unit imaging the imaging area before the nozzle that has moved to the processing position discharges the processing liquid, and a monitoring target image acquired by imaging the imaging area thereafter. A discharge determination step for determining treatment liquid discharge from the nozzle in comparison;
With
In the imaging step, the substrate holding method holds a substrate to be newly processed, and acquires a first reference image every time the nozzle moves to the processing position.
請求項11記載の基板処理方法において、
前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した画像のうち前記ノズルの先端から前記基板保持部に保持された基板に至るまでの一部を含む判定領域を予め設定する工程をさらに備え、
前記吐出判定工程では、第1基準画像および監視対象画像の前記判定領域における差分が所定の閾値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 11,
A step of presetting a determination region including a part from the tip of the nozzle to the substrate held by the substrate holding unit in the image acquired by the imaging unit imaging the imaging region;
The substrate processing method according to claim 1, wherein in the discharge determination step, if the difference in the determination region between the first reference image and the monitoring target image is equal to or greater than a predetermined threshold, it is determined that the processing liquid is discharged from the nozzle.
請求項12記載の基板処理方法において、
前記撮像工程では、前記基板保持部が新たな処理対象となる基板を保持して前記ノズルが前記待機位置から前記処理位置に向けて移動を開始した時点から所定間隔で連続して前記撮像領域を撮像し、
前記撮像部が前記撮像領域を連続撮像して取得した連続する画像の差分が一定値以下であれば前記ノズルの移動が停止したと判定する停止判定工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 12, wherein
In the imaging step, the substrate holding unit holds a substrate to be newly processed and the imaging region is continuously detected at a predetermined interval from the time when the nozzle starts moving from the standby position toward the processing position. Image
A substrate processing method, further comprising: a stop determination step of determining that the movement of the nozzle is stopped if a difference between consecutive images acquired by the image pickup unit continuously imaging the image pickup region is a predetermined value or less. .
請求項13記載の基板処理方法において、
前記撮像部によって連続して取得される画像のうち前記ノズルの移動が停止したと判定された時点での画像を第1基準画像とすることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 13,
A substrate processing method, wherein an image at a time when it is determined that the movement of the nozzle is stopped among images continuously acquired by the imaging unit is used as a first reference image.
請求項14記載の基板処理方法において、
前記吐出判定工程では、前記ノズルの移動が停止したと判定された後に前記撮像部が連続して取得した複数の監視対象画像と第1基準画像とを順次に比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定することを特徴とする基板処理方法。
15. The substrate processing method according to claim 14, wherein
In the ejection determination step, the processing liquid from the nozzle is sequentially compared by comparing a plurality of monitoring target images continuously acquired by the imaging unit and the first reference image after it is determined that the movement of the nozzle is stopped. A substrate processing method characterized by determining ejection.
請求項15記載の基板処理方法において、
前記吐出判定工程では、前記判定領域の面積で正規化して第1基準画像と監視対象画像との比較を行うことを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 15, wherein
In the ejection determination step, the substrate processing method is characterized in that the first reference image and the monitoring target image are compared by normalizing with the area of the determination region.
請求項16記載の基板処理方法において、
前記吐出判定工程では、第1基準画像と所定数の監視対象画像との差分の移動平均が所定の閾値値以上であれば前記ノズルから処理液が吐出されていると判定することを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 16, wherein
In the discharge determination step, if the moving average of the difference between the first reference image and the predetermined number of monitoring target images is equal to or greater than a predetermined threshold value, it is determined that the processing liquid is discharged from the nozzle. Substrate processing method.
請求項14から請求項17のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記ノズルが前記処理位置に正確に位置しているときに前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した第2基準画像と第1基準画像とを比較して前記ノズルの前記処理位置における位置異常を判定する位置判定工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 14 to 17,
When the nozzle is accurately positioned at the processing position, the imaging unit compares the second reference image acquired by imaging the imaging region with the first reference image, and the position of the nozzle at the processing position. A substrate processing method, further comprising a position determination step of determining abnormality.
請求項18記載の基板処理方法において、
前記位置判定工程では、第2基準画像および第1基準画像における前記ノズルの座標の差が所定の閾値以上であれば前記ノズルの位置が異常であると判定することを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 18, wherein
The substrate processing method according to claim 1, wherein, in the position determination step, the position of the nozzle is determined to be abnormal if a difference between the nozzle coordinates in the second reference image and the first reference image is equal to or greater than a predetermined threshold.
請求項18記載の基板処理方法において、
前記吐出判定工程では、第2基準画像と第1基準画像との比較結果に基づいて第1基準画像および監視対象画像における前記判定領域の位置を移動させることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 18, wherein
In the ejection determination step, the position of the determination region in the first reference image and the monitoring target image is moved based on a comparison result between the second reference image and the first reference image.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9555436B2 (en) 2014-09-26 2017-01-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treatment method for discharging treatment solution from nozzle to substrate
KR20190040240A (en) 2016-09-28 2019-04-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Detection method and detection device
CN109872955A (en) * 2017-12-04 2019-06-11 株式会社斯库林集团 Determination method and substrate board treatment
CN111009477A (en) * 2018-10-05 2020-04-14 株式会社斯库林集团 Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN112490167A (en) * 2019-09-12 2021-03-12 株式会社斯库林集团 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210030447A (en) 2018-08-21 2021-03-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
KR20210031952A (en) 2018-08-20 2021-03-23 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
CN112601617A (en) * 2018-08-27 2021-04-02 株式会社斯库林集团 Teacher data generation method and discharge state determination method
CN112639391A (en) * 2018-08-28 2021-04-09 株式会社斯库林集团 Movable part position detection method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
KR20210054558A (en) 2018-10-05 2021-05-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210054557A (en) 2018-10-05 2021-05-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20210068114A (en) 2018-11-02 2021-06-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2021241228A1 (en) 2020-05-27 2021-12-02 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device
WO2021251174A1 (en) * 2020-06-08 2021-12-16 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device
WO2023153174A1 (en) * 2022-02-09 2023-08-17 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and monitoring method
KR20230129924A (en) 2022-03-02 2023-09-11 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Monitoring method in substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
WO2023176156A1 (en) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and monitoring method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06111167A (en) * 1992-09-29 1994-04-22 Fujikura Ltd Monitoring device for high voltage equipment
JPH115056A (en) * 1997-06-16 1999-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treating liquid feeder
JP2000114138A (en) * 1998-10-01 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP2003273003A (en) * 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-processing device
JP2005114500A (en) * 2003-10-07 2005-04-28 Dainippon Printing Co Ltd Method and instrument for measuring nonuniformity in optical characteristics, and product quality determination device using the same
JP2011095071A (en) * 2009-10-29 2011-05-12 Seiko Epson Corp Noncontact measurement apparatus and noncontact measurement method
JP2012104732A (en) * 2010-11-12 2012-05-31 Tokyo Electron Ltd Nozzle position adjustment method, program, computer storage medium and coating processing device
JP2013088924A (en) * 2011-10-14 2013-05-13 Toshiba Digital Media Engineering Corp Image processing method and device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06111167A (en) * 1992-09-29 1994-04-22 Fujikura Ltd Monitoring device for high voltage equipment
JPH115056A (en) * 1997-06-16 1999-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treating liquid feeder
JP2000114138A (en) * 1998-10-01 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP2003273003A (en) * 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-processing device
JP2005114500A (en) * 2003-10-07 2005-04-28 Dainippon Printing Co Ltd Method and instrument for measuring nonuniformity in optical characteristics, and product quality determination device using the same
JP2011095071A (en) * 2009-10-29 2011-05-12 Seiko Epson Corp Noncontact measurement apparatus and noncontact measurement method
JP2012104732A (en) * 2010-11-12 2012-05-31 Tokyo Electron Ltd Nozzle position adjustment method, program, computer storage medium and coating processing device
JP2013088924A (en) * 2011-10-14 2013-05-13 Toshiba Digital Media Engineering Corp Image processing method and device

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9555436B2 (en) 2014-09-26 2017-01-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treatment method for discharging treatment solution from nozzle to substrate
KR20190040240A (en) 2016-09-28 2019-04-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Detection method and detection device
CN109872955A (en) * 2017-12-04 2019-06-11 株式会社斯库林集团 Determination method and substrate board treatment
CN109872955B (en) * 2017-12-04 2023-06-16 株式会社斯库林集团 Determination method and substrate processing apparatus
KR20210031952A (en) 2018-08-20 2021-03-23 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
CN112640054A (en) * 2018-08-20 2021-04-09 株式会社斯库林集团 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
CN112640055A (en) * 2018-08-21 2021-04-09 株式会社斯库林集团 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
KR20210030447A (en) 2018-08-21 2021-03-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
CN112601617A (en) * 2018-08-27 2021-04-02 株式会社斯库林集团 Teacher data generation method and discharge state determination method
CN112639391A (en) * 2018-08-28 2021-04-09 株式会社斯库林集团 Movable part position detection method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
JP2023009226A (en) * 2018-10-05 2023-01-19 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device
US11908752B2 (en) 2018-10-05 2024-02-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20200039574A (en) 2018-10-05 2020-04-16 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7179568B2 (en) 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2020061404A (en) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20210054558A (en) 2018-10-05 2021-05-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210054557A (en) 2018-10-05 2021-05-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
US11322415B2 (en) 2018-10-05 2022-05-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment device
KR20210106943A (en) 2018-10-05 2021-08-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
US11646212B2 (en) 2018-10-05 2023-05-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment device
JP7350966B2 (en) 2018-10-05 2023-09-26 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN111009477A (en) * 2018-10-05 2020-04-14 株式会社斯库林集团 Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20230107712A (en) 2018-11-02 2023-07-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
KR20210068114A (en) 2018-11-02 2021-06-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN112490167A (en) * 2019-09-12 2021-03-12 株式会社斯库林集团 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210031613A (en) 2019-09-12 2021-03-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP7282640B2 (en) 2019-09-12 2023-05-29 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP2021044440A (en) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社Screenホールディングス Substrate processing device and substrate processing method
KR20230003014A (en) 2020-05-27 2023-01-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2021190511A (en) * 2020-05-27 2021-12-13 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2021241228A1 (en) 2020-05-27 2021-12-02 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device
JP7443163B2 (en) 2020-05-27 2024-03-05 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20230008800A (en) 2020-06-08 2023-01-16 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2021193697A (en) * 2020-06-08 2021-12-23 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2021251174A1 (en) * 2020-06-08 2021-12-16 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device
JP7384748B2 (en) 2020-06-08 2023-11-21 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2023153174A1 (en) * 2022-02-09 2023-08-17 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and monitoring method
KR20230129924A (en) 2022-03-02 2023-09-11 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Monitoring method in substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
WO2023176156A1 (en) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and monitoring method

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