JP2021044478A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To determine whether or not a substrate is properly retained without need for a reference image.SOLUTION: The substrate processing apparatus includes: a retaining section for retaining a substrate; an imaging section which images an imaging range including an outer edge part of a retained substrate and is used to output a plurality of image data; an extraction section for extracting an outer edge part of a substrate from a difference image between a plurality of image data; and a determination section for determining a retaining state of a substrate on the basis of an outer edge part of a substrate in a difference image.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。 The techniques disclosed in the present specification relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

半導体デバイスなどの製造工程においては、基板に対して純水、フォトレジスト液またはエッチング液などの処理液を供給することによって、洗浄処理またはレジスト塗布処理などの基板処理が行われる。 In the manufacturing process of a semiconductor device or the like, a substrate treatment such as a cleaning treatment or a resist coating treatment is performed by supplying a treatment liquid such as pure water, a photoresist liquid or an etching liquid to the substrate.

これらの処理液を用いる液処理を行う装置として、基板を回転させつつ、その基板の上面にノズルからの処理液を吐出する基板処理装置が用いられる場合がある。 As a device for performing liquid treatment using these treatment liquids, a substrate processing device that discharges the treatment liquid from a nozzle onto the upper surface of the substrate while rotating the substrate may be used.

たとえば、特許文献1においては、基板が正常に保持されているか否かを判定するために、撮像画像と基準画像とを比較する技術が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a technique for comparing an captured image with a reference image in order to determine whether or not the substrate is normally held.

特開2013−110270号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-11270

特許文献1に開示された技術では、基板が正常に保持されているか否かを判定するためには、正常に保持された基板を撮像した画像である基準画像が必要となる。したがって、正常に保持された基板をあらかじめ撮像しておかなければ、基板が正常に保持されているか否かを判定することができないという問題があった。 In the technique disclosed in Patent Document 1, in order to determine whether or not the substrate is normally held, a reference image which is an image of the normally held substrate is required. Therefore, there is a problem that it cannot be determined whether or not the substrate is normally held unless the normally held substrate is imaged in advance.

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、基準画像を必要とせずに、基板が正常に保持されているか否かを判定する技術を提供することを目的とするものである。 The technique disclosed in the present specification has been made in view of the above-mentioned problems, and is a technique for determining whether or not the substrate is normally held without requiring a reference image. It is intended to be provided.

本願明細書に開示される技術の第1の態様は、基板を保持するための保持部と、保持された前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力するための撮像部と、複数の前記画像データ間の差分画像から、前記基板の前記外縁部を抽出するための抽出部と、前記差分画像における前記基板の前記外縁部に基づいて、前記基板の保持状態を判定するための判定部とを備える。 A first aspect of the technique disclosed in the present specification is to image a holding portion for holding a substrate and an imaging range including the outer edge portion of the held substrate at a plurality of locations, and to image a plurality of the substrates. Based on the imaging unit for outputting the image data of the above, the extraction unit for extracting the outer edge portion of the substrate from the difference image between the plurality of the image data, and the outer edge portion of the substrate in the difference image. A determination unit for determining the holding state of the substrate is provided.

本願明細書に開示される技術の第2の態様は、第1の態様に関連し、前記判定部は、前記差分画像における前記外縁部の長さに基づいて、前記基板の保持状態を判定する。 The second aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the first aspect, and the determination unit determines the holding state of the substrate based on the length of the outer edge portion in the difference image. ..

本願明細書に開示される技術の第3の態様は、第1または2の態様に関連し、前記判定部は、前記差分画像における前記外縁部の長さの最大値に基づいて、前記基板の保持状態を判定する。 A third aspect of the technique disclosed herein relates to a first or second aspect, wherein the determination unit of the substrate is based on the maximum length of the outer edge of the difference image. Determine the holding state.

本願明細書に開示される技術の第4の態様は、第1から3のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記撮像部は、保持された前記基板の前記外縁部に沿って延びる前記撮像範囲を撮像する。 A fourth aspect of the technique disclosed herein relates to any one of the first to third aspects, wherein the imaging unit extends along the outer edge of the held substrate. The imaging range is imaged.

本願明細書に開示される技術の第5の態様は、第4の態様に関連し、前記撮像部は、前記基板の前記外縁部に沿って延びるアーチ状の前記撮像範囲を撮像する。 A fifth aspect of the technique disclosed herein relates to a fourth aspect, wherein the imaging unit captures the arched imaging range extending along the outer edge of the substrate.

本願明細書に開示される技術の第6の態様は、第1から5のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記撮像部は、保持された前記基板を前記基板の上方から撮像する。 A sixth aspect of the technique disclosed herein relates to any one of the first to fifth aspects, the imaging unit imaging the held substrate from above the substrate.

本願明細書に開示される技術の第7の態様は、第1から6のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記撮像部は、保持された前記基板を前記基板の外周側から撮像する。 A seventh aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the first to sixth aspects, and the imaging unit captures the held substrate from the outer peripheral side of the substrate. ..

本願明細書に開示される技術の第8の態様は、第1から7のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記判定部において前記基板の保持状態が異常状態と判定された場合に、警報を発報する発報部をさらに備える。 The eighth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the first to seventh aspects, and when the determination unit determines that the holding state of the substrate is an abnormal state, It also has an alarm unit that issues an alarm.

本願明細書に開示される技術の第9の態様は、基板を保持し、かつ、回転させる工程と、回転している前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力する工程と、複数の前記画像データ間の差分画像から、前記基板の前記外縁部を抽出する工程と、前記差分画像における前記基板の前記外縁部に基づいて、前記基板の保持状態を判定する工程とを備える。 A ninth aspect of the technique disclosed in the present specification is a step of holding and rotating a substrate, and an imaging range including a rotating outer edge of the substrate is imaged at a plurality of locations and described above. Based on the step of outputting a plurality of image data of the substrate, the step of extracting the outer edge portion of the substrate from the difference image between the plurality of image data, and the outer edge portion of the substrate in the difference image, the said It includes a step of determining the holding state of the substrate.

本願明細書に開示される技術の第10の態様は、第9の態様に関連し、前記基板の保持状態を判定する工程は、前記差分画像における前記外縁部の長さに基づいて、前記基板の保持状態を判定する工程である。 The tenth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the ninth aspect, and the step of determining the holding state of the substrate is based on the length of the outer edge portion in the difference image. This is a step of determining the holding state of.

本願明細書に開示される技術の第11の態様は、第9または10の態様に関連し、前記基板の保持状態を判定する工程は、前記差分画像における前記外縁部の長さの最大値に基づいて、前記基板の保持状態を判定する工程である。 The eleventh aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the ninth or tenth aspect, and the step of determining the holding state of the substrate is set to the maximum value of the length of the outer edge portion in the difference image. Based on this, it is a step of determining the holding state of the substrate.

本願明細書に開示される技術の第12の態様は、第9から11のうちのいずれか1つの態様に関連し、回転している前記基板を撮像する工程の後に、前記基板を処理する工程をさらに備える。 A twelfth aspect of the technique disclosed herein relates to any one of the ninth to eleventh aspects, the step of processing the substrate after the step of imaging the rotating substrate. Further prepare.

本願明細書に開示される技術の第13の態様は、第9から12のうちのいずれか1つの態様に関連し、回転している前記基板を撮像する工程の前に、前記基板を洗浄処理する工程をさらに備え、回転している前記基板を撮像する工程は、前記洗浄処理後で前記基板を乾燥処理する前に行われる工程である。 A thirteenth aspect of the technique disclosed herein relates to any one of the ninth to twelfth aspects, in which the substrate is cleaned prior to the step of imaging the rotating substrate. The step of imaging the rotating substrate is a step performed after the cleaning treatment and before the drying treatment of the substrate.

本願明細書に開示される技術の第14の態様は、第9から13のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記基板の保持状態を判定する工程において前記基板の保持状態が異常状態であると判定された場合に、前記基板の回転を停止する工程をさらに備える。 The fourteenth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the ninth to thirteenth aspects, and the holding state of the substrate is in an abnormal state in the step of determining the holding state of the substrate. A step of stopping the rotation of the substrate when it is determined to be present is further provided.

本願明細書に開示される技術の第1から14の態様によれば、基板の複数箇所における画像データを用いて差分画像を作成し、さらに、差分画像から基板の外縁部を抽出することによって、差分画像における当該外縁部の長さなどから基板の保持状態を判定することができる。よって、正常に保持された基板の画像データを基準画像データとして保持していなくとも、基板の保持状態を判定することができる。 According to the first to 14th aspects of the technique disclosed in the present specification, a difference image is created using image data at a plurality of locations on the substrate, and an outer edge portion of the substrate is extracted from the difference image. The holding state of the substrate can be determined from the length of the outer edge portion in the difference image and the like. Therefore, even if the image data of the board normally held is not held as the reference image data, the holding state of the board can be determined.

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。 In addition, the objectives, features, aspects, and advantages associated with the art disclosed herein will be further clarified by the detailed description and accompanying drawings set forth below.

実施の形態に関する、基板処理装置の全体構成の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 実施の形態に関する、洗浄処理ユニットの平面図である。It is a top view of the cleaning processing unit which concerns on embodiment. 実施の形態に関する、洗浄処理ユニットの断面図である。It is sectional drawing of the cleaning processing unit which concerns on embodiment. 基板が他の方法によって保持される場合の、スピンチャックの構成の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the structure of the spin chuck when the substrate is held by another method. カメラ、ノズルおよび基板の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of a camera, a nozzle and a substrate. 制御部の機能ブロック図である。It is a functional block diagram of a control part. 図6に例が示された制御部を実際に運用する場合のハードウェア構成を概略的に例示する図である。FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a hardware configuration when the control unit shown in the example is actually operated. 実施の形態に関する、基板処理装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 回転している基板の画像フレームの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the image frame of a rotating substrate. 回転している基板の画像フレームの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the image frame of a rotating substrate. 図8に例が示された画像フレームと、図9に例が示された画像フレームとの差分画像である。It is a difference image between the image frame whose example is shown in FIG. 8 and the image frame whose example is shown in FIG. 図10に例が示された差分画像に基づいて、Cannyエッジ抽出を行った結果を示す図である。It is a figure which shows the result of performing the Canny edge extraction based on the difference image which an example was shown in FIG. 差分画像に基づいてCannyエッジ抽出を行った結果の他の例を示す図である。It is a figure which shows another example of the result of performing Canny edge extraction based on a difference image. 図11または図12のように抽出されたエッジの基板周方向の長さの、各画像フレームまでの最大値を示す図である。It is a figure which shows the maximum value up to each image frame of the length of the edge in the substrate circumferential direction extracted as shown in FIG. 11 or FIG. 基板が正常に保持されている場合の、差分画像に基づいて抽出されるエッジの基板周方向の長さの最大値を、基板処理装置のそれぞれの動作において測定した場合の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the case where the maximum value of the length in the board circumferential direction of the edge extracted based on the difference image is measured in each operation of a board processing apparatus when a board is held normally. ..

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the attached drawings. In the following embodiments, detailed features and the like are also shown for the purpose of explaining the technique, but they are examples, and not all of them are necessarily essential features in order for the embodiments to be feasible.

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。 It should be noted that the drawings are shown schematically, and for convenience of explanation, the configurations are omitted or the configurations are simplified in the drawings as appropriate. Further, the interrelationship between the sizes and positions of the configurations and the like shown in different drawings is not always accurately described and can be changed as appropriate. Further, even in a drawing such as a plan view which is not a cross-sectional view, hatching may be added to facilitate understanding of the contents of the embodiment.

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 Further, in the description shown below, similar components are illustrated with the same reference numerals, and their names and functions are also the same. Therefore, detailed description of them may be omitted to avoid duplication.

また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。 In addition, in the description described below, when it is described that a certain component is "equipped", "included", or "has", the existence of another component is excluded unless otherwise specified. Not an expression.

また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。 Also, in the description described below, it means a specific position or direction such as "top", "bottom", "left", "right", "side", "bottom", "front" or "back". Even if terms are used, these terms are used for convenience to facilitate understanding of the contents of the embodiment, and are the positions or directions when they are actually implemented. It has nothing to do with it.

<実施の形態>
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
<Embodiment>
Hereinafter, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present embodiment will be described.

<基板処理装置の構成について>
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置100の全体構成の例を示す図である。図1に例が示されるように、基板処理装置100は、処理対象である基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのflat panel display(FPD)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
<About the configuration of the board processing device>
FIG. 1 is a diagram showing an example of the overall configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment. As an example is shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer processing apparatus that processes the substrate W to be processed one by one. The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor substrate, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a flat panel display (FPD) such as an organic EL (electroluminence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and photomagnetism. A disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, a solar cell substrate, and the like are included.

本実施の形態に関する基板処理装置100は、円形薄板状であるシリコン基板である基板Wに対して、薬液および純水などのリンス液を用いて洗浄処理を行った後、乾燥処理を行う。 The substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment cleans the substrate W, which is a silicon substrate having a circular thin plate shape, with a chemical solution and a rinsing solution such as pure water, and then performs a drying process.

上記の薬液としては、たとえば、アンモニアと過酸化水素水との混合液(SC1)、塩酸と過酸化水素水との混合水溶液(SC2)、または、DHF液(希フッ酸)などが用いられる。 As the above-mentioned chemical solution, for example, a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution (SC1), a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution (SC2), a DHF solution (dilute hydrofluoric acid), or the like is used.

以下の説明では、薬液とリンス液とを総称して「処理液」とする。なお、洗浄処理のみならず、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、または、エッチングのための薬液なども「処理液」に含まれるものとする。 In the following description, the chemical solution and the rinsing solution are collectively referred to as "treatment solution". In addition to the cleaning treatment, the "treatment liquid" includes a coating solution such as a photoresist solution for film formation treatment, a chemical solution for removing unnecessary films, and a chemical solution for etching. To do.

基板処理装置100は、複数の洗浄処理ユニット1と、インデクサ102と、主搬送ロボット103とを備える。 The substrate processing apparatus 100 includes a plurality of cleaning processing units 1, an indexer 102, and a main transfer robot 103.

インデクサ102は、装置外から受け取る処理対象である基板Wを装置内に搬送するとともに、基板処理(処理カップの昇降、洗浄処理および乾燥処理を含む)が完了している処理済みの基板Wを装置外に搬出する。インデクサ102は、複数のキャリア(図示省略)を配置するとともに、移送ロボット(図示省略)を備える。 The indexer 102 conveys the substrate W to be processed received from outside the apparatus into the apparatus, and also uses the processed substrate W for which the substrate treatment (including raising and lowering of the processing cup, cleaning treatment, and drying treatment) has been completed. Take it out. The indexer 102 is provided with a plurality of carriers (not shown) and a transfer robot (not shown).

キャリアとしては、基板Wを密閉空間に収納するfront opening unified pod(FOUP)、standard mechanical inter face(SMIF)ポッド、または、基板Wを外気にさらすopen cassette(OC)が採用されてもよい。また、移送ロボットは、キャリアと主搬送ロボット103との間で基板Wを移送する。 As the carrier, a front opening unfined pod (FOUP) for storing the substrate W in a closed space, a standard mechanical interface (SMIF) pod, or an open cassette (OC) for exposing the substrate W to the outside air may be adopted. Further, the transfer robot transfers the substrate W between the carrier and the main transfer robot 103.

洗浄処理ユニット1は、1枚の基板Wに対して洗浄処理および乾燥処理を行う。本実施の形態に関する基板処理装置100には、12個の洗浄処理ユニット1が配置されている。 The cleaning treatment unit 1 performs a cleaning treatment and a drying treatment on one substrate W. Twelve cleaning processing units 1 are arranged in the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.

具体的には、各々が鉛直方向に積層された3個の洗浄処理ユニット1を含む4つのタワーが、主搬送ロボット103の周囲を取り囲むようにして配置されている。 Specifically, four towers including three cleaning processing units 1 each stacked in the vertical direction are arranged so as to surround the main transport robot 103.

図1では、3段に重ねられた洗浄処理ユニット1の1つが概略的に示されている。なお、基板処理装置100における洗浄処理ユニット1の数量は、12個に限定されるものではなく、適宜変更されてもよい。 In FIG. 1, one of the cleaning processing units 1 stacked in three stages is schematically shown. The number of cleaning processing units 1 in the substrate processing apparatus 100 is not limited to 12, and may be changed as appropriate.

主搬送ロボット103は、洗浄処理ユニット1が積層された4個のタワーの中央に設置されている。主搬送ロボット103は、インデクサ102から受け取る処理対象の基板Wを各洗浄処理ユニット1に搬入する。また、主搬送ロボット103は、各洗浄処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出してインデクサ102に渡す。 The main transfer robot 103 is installed in the center of four towers in which the cleaning processing units 1 are stacked. The main transfer robot 103 carries the substrate W to be processed received from the indexer 102 into each cleaning processing unit 1. Further, the main transfer robot 103 carries out the processed substrate W from each cleaning processing unit 1 and hands it to the indexer 102.

以下、基板処理装置100に搭載された12個の洗浄処理ユニット1のうちの1つについて説明するが、他の洗浄処理ユニット1についても、ノズルの配置関係が異なること以外は、同一の構成を有する。 Hereinafter, one of the 12 cleaning processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 will be described, but the other cleaning processing units 1 also have the same configuration except that the arrangement of the nozzles is different. Have.

図2は、本実施の形態に関する洗浄処理ユニット1の平面図である。また、図3は、本実施の形態に関する洗浄処理ユニット1の断面図である。 FIG. 2 is a plan view of the cleaning processing unit 1 according to the present embodiment. Further, FIG. 3 is a cross-sectional view of the cleaning processing unit 1 according to the present embodiment.

図2は、スピンチャック20に基板Wが保持されていない状態を示しており、図3は、スピンチャック20に基板Wが保持されている状態を示している。 FIG. 2 shows a state in which the substrate W is not held by the spin chuck 20, and FIG. 3 shows a state in which the substrate W is held by the spin chuck 20.

洗浄処理ユニット1は、チャンバー10内に、基板Wを水平姿勢(すなわち、基板Wの上面の法線が鉛直方向に沿う姿勢)に保持するスピンチャック20と、スピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を供給するための3つのノズル30、ノズル60およびノズル65と、スピンチャック20の周囲を取り囲む処理カップ40と、スピンチャック20の上方の空間を撮像するカメラ70とを備える。 The cleaning processing unit 1 has a spin chuck 20 that holds the substrate W in a horizontal posture (that is, a posture in which the normal line of the upper surface of the substrate W is along the vertical direction) and a substrate W held by the spin chuck 20 in the chamber 10. It is provided with three nozzles 30, a nozzle 60 and a nozzle 65 for supplying the processing liquid to the upper surface of the spin chuck 20, a processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 and a camera 70 for imaging the space above the spin chuck 20.

また、チャンバー10内における処理カップ40の周囲には、チャンバー10の内側空間を上下に仕切る仕切板15が設けられている。 Further, around the processing cup 40 in the chamber 10, a partition plate 15 for vertically partitioning the inner space of the chamber 10 is provided.

チャンバー10は、鉛直方向に沿うとともに四方を取り囲む側壁11と、側壁11の上側を閉塞する天井壁12、側壁11の下側を閉塞する床壁13とを備える。側壁11、天井壁12および床壁13によって囲まれた空間が基板Wの処理空間となる。 The chamber 10 includes a side wall 11 that follows the vertical direction and surrounds all four sides, a ceiling wall 12 that closes the upper side of the side wall 11, and a floor wall 13 that closes the lower side of the side wall 11. The space surrounded by the side wall 11, the ceiling wall 12, and the floor wall 13 is the processing space for the substrate W.

また、チャンバー10の側壁11の一部には、チャンバー10に対して主搬送ロボット103が基板Wを搬出入するための搬出入口、および、その搬出入口を開閉するシャッターが設けられている(いずれも図示省略)。 Further, a part of the side wall 11 of the chamber 10 is provided with a carry-in / out port for the main transfer robot 103 to carry in / out the substrate W to the chamber 10 and a shutter for opening / closing the carry-in / out port (in any case). (Not shown).

チャンバー10の天井壁12には、基板処理装置100が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー10内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット(FFU)14が取り付けられている。FFU14は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー10内に送り出すためのファンおよびフィルタ(たとえば、high efficiency particulate air filter(HEPA)フィルタ)を備えている。 A fan filter unit (FFU) 14 for further purifying the air in the clean room in which the substrate processing device 100 is installed and supplying it to the processing space in the chamber 10 is attached to the ceiling wall 12 of the chamber 10. .. The FFU 14 is provided with a fan and a filter (for example, a high effective particulate air filter (HEPA) filter) for taking in the air in the clean room and sending it out into the chamber 10.

FFU14は、チャンバー10内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。FFU14から供給された清浄空気を均一に分散させるために、多数の吹出し孔が形成されたパンチングプレートを天井壁12の直下に設けてもよい。 The FFU 14 forms a downflow of clean air in the processing space in the chamber 10. In order to uniformly disperse the clean air supplied from the FFU 14, a punching plate having a large number of blowout holes may be provided directly under the ceiling wall 12.

スピンチャック20は、スピンベース21、スピンモータ22、カバー部材23および回転軸24を備える。スピンベース21は、円板形状を有しており、鉛直方向に沿って延びる回転軸24の上端に水平姿勢で固定されている。スピンモータ22は、スピンベース21の下方に設けられており、回転軸24を回転させる。スピンモータ22は、回転軸24を介してスピンベース21を水平面内において回転させる。カバー部材23は、スピンモータ22および回転軸24の周囲を取り囲む筒状形状を有する。 The spin chuck 20 includes a spin base 21, a spin motor 22, a cover member 23, and a rotating shaft 24. The spin base 21 has a disk shape and is fixed in a horizontal posture to the upper end of a rotating shaft 24 extending in the vertical direction. The spin motor 22 is provided below the spin base 21 and rotates the rotating shaft 24. The spin motor 22 rotates the spin base 21 in a horizontal plane via a rotation shaft 24. The cover member 23 has a tubular shape that surrounds the spin motor 22 and the rotating shaft 24.

円板形状のスピンベース21の外径は、スピンチャック20に保持される円形の基板Wの径よりも若干大きい。よって、スピンベース21は、保持すべき基板Wの下面の全面と対向する保持面21aを有する。 The outer diameter of the disk-shaped spin base 21 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held by the spin chuck 20. Therefore, the spin base 21 has a holding surface 21a facing the entire lower surface of the substrate W to be held.

スピンベース21の保持面21aの周縁部には複数(本実施の形態では4本)のチャックピン26が設けられている。複数のチャックピン26は、円形の基板Wの外周円の外径に対応する円周上に沿って、均等な間隔をあけて配置されている。本実施の形態では、4個のチャックピン26が90°間隔で設けられている。 A plurality of (four in the present embodiment) chuck pins 26 are provided on the peripheral edge of the holding surface 21a of the spin base 21. The plurality of chuck pins 26 are arranged at equal intervals along the circumference corresponding to the outer diameter of the outer peripheral circle of the circular substrate W. In this embodiment, four chuck pins 26 are provided at 90 ° intervals.

複数のチャックピン26は、スピンベース21内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック20は、複数のチャックピン26のそれぞれを基板Wの外周端に当接させて基板Wを把持することにより、当該基板Wをスピンベース21の上方で保持面21aに近接する水平姿勢で保持する(図3を参照)。また、スピンチャック20は、複数のチャックピン26のそれぞれを基板Wの外周端から離間させることによって、基板Wの把持を解除する。なお、基板Wを保持する方法は、本実施の形態に示されたチャックピンを用いる方法に限られるものではなく、たとえば、基板Wを真空吸着する真空チャック、または、気体を噴出してベルヌーイの原理によって基板Wを吸引するベルヌーイチャック(後述)などであってもよい。 The plurality of chuck pins 26 are interlocked and driven by a link mechanism (not shown) housed in the spin base 21. The spin chuck 20 holds the substrate W by bringing each of the plurality of chuck pins 26 into contact with the outer peripheral end of the substrate W, so that the substrate W is held in a horizontal posture above the spin base 21 and close to the holding surface 21a. Hold (see Figure 3). Further, the spin chuck 20 releases the grip of the substrate W by separating each of the plurality of chuck pins 26 from the outer peripheral end of the substrate W. The method of holding the substrate W is not limited to the method using the chuck pin shown in the present embodiment. For example, a vacuum chuck that vacuum-adsorbs the substrate W or Bernoulli's method that ejects gas to eject gas. It may be a Bernoulli chuck (described later) that sucks the substrate W according to the principle.

スピンモータ22を覆うカバー部材23は、その下端がチャンバー10の床壁13に固定され、上端がスピンベース21の直下にまで到達している。カバー部材23の上端部には、カバー部材23から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材25が設けられている。 The lower end of the cover member 23 covering the spin motor 22 is fixed to the floor wall 13 of the chamber 10, and the upper end reaches directly below the spin base 21. At the upper end of the cover member 23, a collar-shaped member 25 that projects outward from the cover member 23 substantially horizontally and further bends downward and extends is provided.

複数のチャックピン26による把持によってスピンチャック20が基板Wを保持している状態で、スピンモータ22が回転軸24を回転させることにより、基板Wの中心を通る鉛直方向に沿った回転軸線CXまわりに基板Wを回転させることができる。なお、スピンモータ22の駆動は制御部9によって制御される。 While the spin chuck 20 holds the substrate W by gripping with the plurality of chuck pins 26, the spin motor 22 rotates the rotary shaft 24 around the rotation axis CX along the vertical direction passing through the center of the substrate W. The substrate W can be rotated. The drive of the spin motor 22 is controlled by the control unit 9.

ノズル30は、ノズルアーム32の先端に吐出ヘッド31を取り付けて構成されている。ノズルアーム32の基端側はノズル基台33に固定して連結されている。ノズル基台33に設けられたモータ332(ノズル移動部)によって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。 The nozzle 30 is configured by attaching a discharge head 31 to the tip of the nozzle arm 32. The base end side of the nozzle arm 32 is fixedly connected to the nozzle base 33. A motor 332 (nozzle moving portion) provided on the nozzle base 33 makes it rotatable around an axis along the vertical direction.

ノズル基台33が回動することにより、図2中の矢印AR34にて示すように、ノズル30は、スピンチャック20の上方の位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動させる。ノズル基台33の回動によって、ノズル30はスピンベース21の保持面21aの上方において揺動する。詳細には、スピンベース21よりも上方において、水平方向に延びる既定の処理区間PS1(後述)を移動する。なお、ノズル30を処理区間PS1内で移動させることは、先端の吐出ヘッド31を処理区間PS1内で移動させることと同意である。 As the nozzle base 33 rotates, the nozzle 30 moves in the horizontal direction between the position above the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40, as shown by the arrow AR34 in FIG. Move in an arc along. Due to the rotation of the nozzle base 33, the nozzle 30 swings above the holding surface 21a of the spin base 21. Specifically, above the spin base 21, the predetermined processing section PS1 (described later) extending in the horizontal direction is moved. It should be noted that moving the nozzle 30 within the processing section PS1 is synonymous with moving the ejection head 31 at the tip within the processing section PS1.

ノズル30には、複数種の処理液(少なくとも純水を含む)が供給されるように構成されており、吐出ヘッド31から複数種の処理液が吐出可能である。なお、ノズル30の先端に複数の吐出ヘッド31を設けて、それぞれから個別に同一または異なる処理液が吐出されてもよい。ノズル30(詳細には吐出ヘッド31)は、水平方向に円弧状に延びる処理区間PS1を移動しながら、処理液を吐出する。ノズル30から吐出された処理液は、スピンチャック20に保持された基板Wの上面に着液する。 The nozzle 30 is configured to supply a plurality of types of treatment liquids (including at least pure water), and a plurality of types of treatment liquids can be discharged from the discharge head 31. A plurality of discharge heads 31 may be provided at the tip of the nozzle 30, and the same or different treatment liquids may be individually discharged from each of the discharge heads 31. The nozzle 30 (specifically, the discharge head 31) discharges the processing liquid while moving in the processing section PS1 extending in an arc shape in the horizontal direction. The processing liquid discharged from the nozzle 30 lands on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

本実施の形態の洗浄処理ユニット1には、上記のノズル30に加えてさらに2つのノズル60およびノズル65が設けられている。本実施の形態のノズル60およびノズル65は、上記のノズル30と同一の構成を備える。 In addition to the nozzle 30 described above, the cleaning processing unit 1 of the present embodiment is further provided with two nozzles 60 and a nozzle 65. The nozzle 60 and the nozzle 65 of the present embodiment have the same configuration as the nozzle 30 described above.

すなわち、ノズル60は、ノズルアーム62の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム62の基端側に連結されたノズル基台63によって、矢印AR64によって示されるように、スピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。 That is, the nozzle 60 is configured by attaching a discharge head to the tip of the nozzle arm 62, and is above the spin chuck 20 by the nozzle base 63 connected to the base end side of the nozzle arm 62, as indicated by the arrow AR64. It moves in an arc shape between the processing position of No. 1 and the standby position outside the processing cup 40.

同様に、ノズル65は、ノズルアーム67の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム67の基端側に連結されたノズル基台68によって、矢印AR69によって示されるように、スピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。 Similarly, the nozzle 65 is configured by attaching a discharge head to the tip of the nozzle arm 67, and by the nozzle base 68 connected to the base end side of the nozzle arm 67, as indicated by the arrow AR69, the spin chuck 20 It moves in an arc shape between the upper processing position and the standby position outside the processing cup 40.

ノズル60およびノズル65にも、少なくとも純水を含む複数種の処理液が供給されるように構成されており、処理位置にてスピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を吐出する。なお、ノズル60およびノズル65の少なくとも一方は、純水などの洗浄液と加圧した気体とを混合して液滴を生成し、その液滴と気体との混合流体を基板Wに噴射する二流体ノズルであってもよい。また、洗浄処理ユニット1に設けられるノズル数は3本に限定されるものではなく、1本以上であればよい。 The nozzle 60 and the nozzle 65 are also configured to supply a plurality of types of treatment liquids containing at least pure water, and the treatment liquids are discharged onto the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 at the treatment position. .. At least one of the nozzle 60 and the nozzle 65 is a bifluid in which a cleaning liquid such as pure water and a pressurized gas are mixed to generate droplets, and a mixed fluid of the droplets and gas is injected onto the substrate W. It may be a nozzle. Further, the number of nozzles provided in the cleaning processing unit 1 is not limited to three, and may be one or more.

ノズル30、ノズル60およびノズル65各々を、円弧状に移動させることは必須ではない。たとえば、直道駆動部を設けることによって、ノズルを直線移動させてもよいし、周回してもよい。 It is not essential to move each of the nozzle 30, the nozzle 60 and the nozzle 65 in an arc shape. For example, by providing a straight-line drive unit, the nozzle may be linearly moved or may be rotated.

回転軸24の内側を挿通するようにして鉛直方向に沿って、下面処理液ノズル28が設けられている。下面処理液ノズル28の上端開口は、スピンチャック20に保持された基板Wの下面中央に対向する位置に形成されている。下面処理液ノズル28にも複数種の処理液が供給されるように構成されている。下面処理液ノズル28から吐出された処理液は、スピンチャック20に保持された基板Wの下面に着液する。 A bottom surface treatment liquid nozzle 28 is provided along the vertical direction so as to pass through the inside of the rotating shaft 24. The upper end opening of the bottom surface treatment liquid nozzle 28 is formed at a position facing the center of the bottom surface of the substrate W held by the spin chuck 20. The bottom surface treatment liquid nozzle 28 is also configured to supply a plurality of types of treatment liquids. The treatment liquid discharged from the bottom surface treatment liquid nozzle 28 lands on the bottom surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

スピンチャック20を取り囲む処理カップ40は、互いに独立して昇降可能な内カップ41、中カップ42および外カップ43を備えている。内カップ41は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸線CXに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この内カップ41は、平面視円環状の底部44と、底部44の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部45と、底部44の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部46と、内壁部45と外壁部46との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側(スピンチャック20に保持される基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる第1案内部47と、第1案内部47と外壁部46との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部48とを一体的に備えている。 The processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 includes an inner cup 41, an inner cup 42, and an outer cup 43 that can be raised and lowered independently of each other. The inner cup 41 has a shape that surrounds the spin chuck 20 and is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX that passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The inner cup 41 includes a bottom portion 44 having an annular shape in a plan view, a cylindrical inner wall portion 45 rising upward from the inner peripheral edge of the bottom portion 44, a cylindrical outer wall portion 46 rising upward from the outer peripheral edge of the bottom portion 44, and an inner wall. A first guide portion 47 that rises from between the portion 45 and the outer wall portion 46 and extends diagonally upward on the center side (direction approaching the rotation axis CX of the substrate W held by the spin chuck 20) while drawing a smooth arc at the upper end portion. And a cylindrical inner wall portion 48 that rises upward from between the first guide portion 47 and the outer wall portion 46 are integrally provided.

内壁部45は、内カップ41が最も上昇された状態で、カバー部材23と鍔状部材25との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。中壁部48は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中カップ42の後述する第2案内部52と処理液分離壁53との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。 The inner wall portion 45 is formed to have a length such that the inner cup 41 is accommodated in the state where the inner cup 41 is most raised while maintaining an appropriate gap between the cover member 23 and the brim-shaped member 25. The inner wall portion 48 is housed in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, while maintaining an appropriate gap between the second guide portion 52 described later of the middle cup 42 and the treatment liquid separation wall 53. It is formed to such a length.

第1案内部47は、滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部47bを有する。また、内壁部45と第1案内部47との間は、使用済みの処理液を集めて廃棄するための廃棄溝49とされている。第1案内部47と中壁部48との間は、使用済みの処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝50とされている。さらに、中壁部48と外壁部46との間は、内側回収溝50とは種類の異なる処理液を集めて回収するための円環状の外側回収溝51とされている。 The first guide portion 47 has an upper end portion 47b extending diagonally upward on the center side (direction approaching the rotation axis CX of the substrate W) while drawing a smooth arc. Further, between the inner wall portion 45 and the first guide portion 47, there is a waste groove 49 for collecting and disposing of the used treatment liquid. Between the first guide portion 47 and the inner wall portion 48, there is an annular inner recovery groove 50 for collecting and collecting the used treatment liquid. Further, between the inner wall portion 48 and the outer wall portion 46, there is an annular outer recovery groove 51 for collecting and collecting a treatment liquid of a different type from the inner recovery groove 50.

廃棄溝49には、この廃棄溝49に集められた処理液を排出するとともに、廃棄溝49内を強制的に排気するための図示省略の排気液機構が接続されている。排気液機構は、たとえば、廃棄溝49の周方向に沿って等間隔で4つ設けられている。また、内側回収溝50および外側回収溝51には、内側回収溝50および外側回収溝51にそれぞれ集められた処理液を基板処理装置100の外部に設けられた回収タンクに回収するための回収機構(いずれも図示省略)が接続されている。 An exhaust liquid mechanism (not shown) for forcibly exhausting the inside of the waste groove 49 while discharging the treatment liquid collected in the waste groove 49 is connected to the waste groove 49. For example, four exhaust gas mechanisms are provided at equal intervals along the circumferential direction of the waste groove 49. Further, the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 have a recovery mechanism for collecting the treatment liquids collected in the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 in a recovery tank provided outside the substrate processing device 100, respectively. (Both are not shown) are connected.

なお、内側回収溝50および外側回収溝51の底部は、水平方向に対して微少角度だけ傾斜しており、その最も低くなる位置に回収機構が接続されている。これにより、内側回収溝50および外側回収溝51に流れ込んだ処理液が円滑に回収される。 The bottoms of the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 are inclined by a slight angle with respect to the horizontal direction, and the recovery mechanism is connected to the lowest position thereof. As a result, the treatment liquid that has flowed into the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 is smoothly recovered.

中カップ42は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸線CXに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この中カップ42は、第2案内部52と、この第2案内部52に連結された円筒状の処理液分離壁53とを有する。 The middle cup 42 has a shape that surrounds the spin chuck 20 and is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX that passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The inner cup 42 has a second guide portion 52 and a cylindrical processing liquid separation wall 53 connected to the second guide portion 52.

第2案内部52は、内カップ41の第1案内部47の外側において、第1案内部47の下端部と同軸円筒状である下端部52aと、下端部52aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部52bと、上端部52bの先端部を下方に折り返して形成される折り返し部52cとを有する。下端部52aは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47と中壁部48との間に適当な隙間を保って内側回収溝50内に収容される。また、上端部52bは、内カップ41の第1案内部47の上端部47bと上下方向に重なるように設けられ、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47の上端部47bに対してごく微小な間隔を保って近接する。折り返し部52cは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、折り返し部52cが第1案内部47の上端部47bの先端と水平方向に重なる。 The second guide portion 52 draws a smooth arc from the lower end portion 52a, which is coaxial with the lower end portion of the first guide portion 47, and the upper end of the lower end portion 52a, on the outside of the first guide portion 47 of the inner cup 41. It has an upper end portion 52b extending diagonally upward on the center side (direction approaching the rotation axis CX of the substrate W), and a folded portion 52c formed by folding the tip end portion of the upper end portion 52b downward. The lower end portion 52a is housed in the inner recovery groove 50 with an appropriate gap between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. Further, the upper end portion 52b is provided so as to overlap the upper end portion 47b of the first guide portion 47 of the inner cup 41 in the vertical direction, and the first guide portion 47 is in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. Close to the upper end 47b of the above with a very small distance. In the folded-back portion 52c, the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, and the folded-back portion 52c overlaps the tip of the upper end portion 47b of the first guide portion 47 in the horizontal direction.

第2案内部52の上端部52bは、下方ほど肉厚が厚くなるように形成されている。処理液分離壁53は、上端部52bの下端外周縁部から下方に延びるように設けられた円筒形状を有する。処理液分離壁53は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中壁部48と外カップ43との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。 The upper end portion 52b of the second guide portion 52 is formed so that the wall thickness becomes thicker toward the lower side. The treatment liquid separation wall 53 has a cylindrical shape provided so as to extend downward from the lower end outer peripheral edge portion of the upper end portion 52b. The treatment liquid separation wall 53 is housed in the outer recovery groove 51 with an appropriate gap between the inner wall portion 48 and the outer cup 43 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other.

外カップ43は、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸線CXに対してほぼ回転対称となる形状を有する。外カップ43は、中カップ42の第2案内部52の外側において、スピンチャック20を取り囲む。この外カップ43は、第3案内部としての機能を有する。外カップ43は、第2案内部52の下端部52aと同軸円筒状をなす下端部43aと、下端部43aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部43bと、上端部43bの先端部を下方に折り返して形成される折り返し部43cとを有する。 The outer cup 43 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX that passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The outer cup 43 surrounds the spin chuck 20 on the outside of the second guide portion 52 of the middle cup 42. The outer cup 43 has a function as a third guide portion. The outer cup 43 has a lower end portion 43a that forms a coaxial cylindrical shape with the lower end portion 52a of the second guide portion 52, and a center side (direction approaching the rotation axis CX of the substrate W) while drawing a smooth arc from the upper end of the lower end portion 43a. It has an upper end portion 43b extending diagonally upward, and a folded portion 43c formed by folding the tip end portion of the upper end portion 43b downward.

下端部43aは、内カップ41と外カップ43とが最も近接した状態で、中カップ42の処理液分離壁53と内カップ41の外壁部46との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。上端部43bは、中カップ42の第2案内部52と上下方向に重なるように設けられ、中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、第2案内部52の上端部52bに対してごく微小な間隔を保って近接する。中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、折り返し部43cが第2案内部52の折り返し部52cと水平方向に重なる。 The lower end portion 43a is an outer recovery groove that maintains an appropriate gap between the treatment liquid separation wall 53 of the inner cup 42 and the outer wall portion 46 of the inner cup 41 in a state where the inner cup 41 and the outer cup 43 are closest to each other. It is housed in 51. The upper end portion 43b is provided so as to overlap the second guide portion 52 of the middle cup 42 in the vertical direction, and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 is provided in a state where the middle cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other. Close to each other with very small intervals. The folded-back portion 43c overlaps the folded-back portion 52c of the second guide portion 52 in the horizontal direction in a state where the middle cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other.

内カップ41、中カップ42および外カップ43は互いに独立して昇降可能とされている。すなわち、内カップ41、中カップ42および外カップ43各々には個別に昇降機構(図示省略)が設けられており、それによって別個独立して昇降される。このような昇降機構としては、たとえば、ボールネジ機構またはエアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。 The inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 can be raised and lowered independently of each other. That is, each of the inner cup 41, the inner cup 42, and the outer cup 43 is individually provided with an elevating mechanism (not shown), whereby the inner cup 41, the inner cup 42, and the outer cup 43 are independently and independently elevated. As such an elevating mechanism, various known mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be adopted.

仕切板15は、処理カップ40の周囲においてチャンバー10の内側空間を上下に仕切るように設けられている。仕切板15は、処理カップ40を取り囲む1枚の板状部材であってもよいし、複数の板状部材をつなぎ合わせたものであってもよい。また、仕切板15には、厚さ方向に貫通する貫通孔や切り欠きが形成されていても良く、本実施の形態ではノズル30、ノズル60およびノズル65のノズル基台33、ノズル基台63およびノズル基台68を支持するための支持軸を通すための貫通穴が形成されている。 The partition plate 15 is provided so as to partition the inner space of the chamber 10 vertically around the processing cup 40. The partition plate 15 may be a single plate-shaped member surrounding the processing cup 40, or may be a combination of a plurality of plate-shaped members. Further, the partition plate 15 may be formed with through holes or notches penetrating in the thickness direction. In the present embodiment, the nozzle 30, the nozzle 60, the nozzle base 33 of the nozzle 65, and the nozzle base 63 may be formed. And a through hole for passing a support shaft for supporting the nozzle base 68 is formed.

仕切板15の外周端は、チャンバー10の側壁11に連結されている。また、仕切板15の処理カップ40を取り囲む外縁部は、外カップ43の外径よりも大きな径の円形状となるように形成されている。よって、仕切板15が外カップ43の昇降の障害となることはない。 The outer peripheral edge of the partition plate 15 is connected to the side wall 11 of the chamber 10. Further, the outer edge portion of the partition plate 15 surrounding the processing cup 40 is formed so as to have a circular shape having a diameter larger than the outer diameter of the outer cup 43. Therefore, the partition plate 15 does not hinder the raising and lowering of the outer cup 43.

また、チャンバー10の側壁11の一部であり、かつ、床壁13の近傍には、排気ダクト18が設けられている。排気ダクト18は、図示省略の排気機構に連通接続されている。FFU14から供給されてチャンバー10内を流下した清浄空気のうち、処理カップ40と仕切板15との間を通過した空気は、排気ダクト18から装置外に排出される。 Further, an exhaust duct 18 is provided in the vicinity of the floor wall 13 which is a part of the side wall 11 of the chamber 10. The exhaust duct 18 is communicatively connected to an exhaust mechanism (not shown). Of the clean air supplied from the FFU 14 and flowing down the chamber 10, the air that has passed between the processing cup 40 and the partition plate 15 is discharged from the exhaust duct 18 to the outside of the device.

図4は、基板Wが他の方法によって保持される場合の、スピンチャック20Aの構成の例を示す断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the spin chuck 20A when the substrate W is held by another method.

図4に例が示されるように、複数のチャックピン26Aおよび図示しない複数の支持ピンによって基板Wの外縁部および下面が補助的に支持されるが、本実施の形態では厚さがたとえば100μmである極めて薄い基板Wを保持するため、回転時に基板Wが変形したり、最悪の場合には破損するおそれがある。このため、以下のようにして、主にベルヌーイ効果によって基板Wの中心部を非接触で吸引して基板Wを保持する。 As an example shown in FIG. 4, a plurality of chuck pins 26A and a plurality of support pins (not shown) supplementarily support the outer edge portion and the lower surface of the substrate W, but in the present embodiment, the thickness is, for example, 100 μm. Since a certain extremely thin substrate W is held, the substrate W may be deformed during rotation or, in the worst case, damaged. Therefore, as follows, the central portion of the substrate W is sucked in a non-contact manner mainly by the Bernoulli effect to hold the substrate W.

複数のチャックピン26Aが基板Wの外縁部を把持し、搬送ロボットが基板Wの吸着保持を解除するのと同時に、気体バルブ(図示せず)が開放されて気体供給機構(図示せず)から気体流路155に窒素ガスが送給される。気体流路155は、その先端において液流路154に合流してノズルヘッド150の吐出口156に連通している。よって、気体流路155に供給された窒素ガスはノズルヘッド150の吐出口156から噴出されることとなる。 At the same time that the plurality of chuck pins 26A grip the outer edge of the substrate W and the transfer robot releases the suction holding of the substrate W, the gas valve (not shown) is opened from the gas supply mechanism (not shown). Nitrogen gas is supplied to the gas flow path 155. The gas flow path 155 joins the liquid flow path 154 at its tip and communicates with the discharge port 156 of the nozzle head 150. Therefore, the nitrogen gas supplied to the gas flow path 155 is ejected from the discharge port 156 of the nozzle head 150.

ここで、ノズルヘッド150は、円筒状の管部の上端にフランジ部152を設けて構成される。フランジ部152は、スピンベース21Bの保持面21aに突設される。 Here, the nozzle head 150 is configured by providing a flange portion 152 at the upper end of a cylindrical tube portion. The flange portion 152 projects from the holding surface 21a of the spin base 21B.

フランジ部152の上面は、平坦な吸引面153とされている。ノズルヘッド150は、吸引面153が水平方向に沿うようにスピンベース21Bに設けられる。すなわち、ノズルヘッド150の吸引面153は、スピンベース21Bの保持面21aと平行である。 The upper surface of the flange portion 152 is a flat suction surface 153. The nozzle head 150 is provided on the spin base 21B so that the suction surface 153 is along the horizontal direction. That is, the suction surface 153 of the nozzle head 150 is parallel to the holding surface 21a of the spin base 21B.

また、ノズルヘッド150はスピンベース21Bの保持面21aの中央部に設けられており、ノズルヘッド150の吸引面153は複数のチャックピン26Aによって外縁部を把持される基板Wの中心部に対向する。 Further, the nozzle head 150 is provided in the central portion of the holding surface 21a of the spin base 21B, and the suction surface 153 of the nozzle head 150 faces the central portion of the substrate W whose outer edge portion is gripped by the plurality of chuck pins 26A. ..

吐出口156は、複数のチャックピン26Aによって把持される基板Wの中心に対向する位置に形成されているため、吐出口156から噴出された窒素ガスは当該基板Wの中心に吹き付けられる。これにより、以下に説明されるように、基板Wのうちの吸引面153と対向する領域をベルヌーイ効果によって吸引面153に非接触で吸引している。なお、この段階では処理液の吐出は行われていない。 Since the discharge port 156 is formed at a position facing the center of the substrate W gripped by the plurality of chuck pins 26A, the nitrogen gas ejected from the discharge port 156 is blown to the center of the substrate W. As a result, as described below, the region of the substrate W facing the suction surface 153 is sucked into the suction surface 153 in a non-contact manner by the Bernoulli effect. At this stage, the treatment liquid is not discharged.

図4に示すように、ノズルヘッド150の吐出口156から基板Wの中心に吹き付けられた窒素ガスは、吸引面153と基板Wの下面との間の空間を高速で流れる。この窒素ガス流の方向は、吸引面153および基板Wの下面と平行である。液流路154は、鉛直方向に形成されているので、液流路154内では窒素ガスは真上向きに流れ、吐出口156から出ると吸引面153と基板Wの下面との間を水平方向に流れるように流れ向きを変更することになる。この際、吐出口156近傍において液流路154が上方の吐出口156に向かって先端部側が大きくなる逆円錐面154aに形成されているので、吐出口156近傍において窒素ガスの流れは逆円錐面154aに沿って真上向きから斜め上向きに方向を変えることとなり、上述した流れ向きの変更が円滑におこなわれ、良好な吸引力が得られる。なお、吸引面153と基板Wの下面との間隔d2は、0.5mm程度である。 As shown in FIG. 4, the nitrogen gas blown from the discharge port 156 of the nozzle head 150 to the center of the substrate W flows at high speed in the space between the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W. The direction of this nitrogen gas flow is parallel to the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W. Since the liquid flow path 154 is formed in the vertical direction, nitrogen gas flows directly upward in the liquid flow path 154, and when it comes out of the discharge port 156, it is horizontally between the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W. The flow direction will be changed so that it flows. At this time, since the liquid flow path 154 is formed on the inverted conical surface 154a whose tip side becomes larger toward the upper discharge port 156 in the vicinity of the discharge port 156, the flow of nitrogen gas flows on the inverted conical surface in the vicinity of the discharge port 156. The direction is changed from directly upward to diagonally upward along 154a, the above-mentioned change of the flow direction is smoothly performed, and a good suction force can be obtained. The distance d2 between the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W is about 0.5 mm.

基板Wの下面とノズルヘッド150の吸引面153との間の狭い空間を窒素ガスが高速で流れると、当該空間の圧力が減少して大気圧によって基板Wの中心部が吸引面153に吸引される。ただし、基板Wと吸引面153との間には窒素ガスが流れているため、基板Wが吸引面153に接触することはない。すなわち、吐出口156から窒素ガスを噴出することにより、図4の矢印AR6で示されるように、複数のチャックピン26Aによって外縁部を把持される基板Wのうちの吸引面153と対向する領域が、ベルヌーイ効果によって吸引面153に非接触で吸引されるのである。このように、複数のチャックピン26Aによる基板Wの外縁部における機械的把持に加えて、基板Wの中心部をベルヌーイ効果によってノズルヘッド150の吸引面153に非接触で吸引することにより、基板Wを回転させたときにも基板Wの変形を抑制して破損を防止することができる。 When nitrogen gas flows at high speed in a narrow space between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 of the nozzle head 150, the pressure in the space decreases and the central portion of the substrate W is sucked into the suction surface 153 by atmospheric pressure. To. However, since nitrogen gas flows between the substrate W and the suction surface 153, the substrate W does not come into contact with the suction surface 153. That is, by ejecting nitrogen gas from the discharge port 156, as shown by the arrow AR6 in FIG. 4, the region of the substrate W whose outer edge is gripped by the plurality of chuck pins 26A faces the suction surface 153. , It is sucked to the suction surface 153 in a non-contact manner by the Bernoulli effect. In this way, in addition to mechanically gripping the outer edge of the substrate W by the plurality of chuck pins 26A, the central portion of the substrate W is sucked into the suction surface 153 of the nozzle head 150 by the Bernoulli effect in a non-contact manner, whereby the substrate W is sucked. It is possible to suppress the deformation of the substrate W and prevent the substrate W from being damaged even when the substrate W is rotated.

次に、スピンモータ(図示せず)によってスピンベース21Bおよびそれに保持された基板Wの回転を開始する。スピンベース21Bの回転力はチャックピン26Aおよび支持ピンを介して基板Wに伝達される。また、回転時における基板Wの水平方向の位置ずれは複数のチャックピン26Aによって規制されている。そして、ノズル30から基板Wの上面に薬液を吐出しての薬液処理、ノズル30およびノズルヘッド150の双方から基板Wの上面および下面に純水を吐出する純水リンス処理、基板Wを高速回転させての振り切り乾燥処理が続けて行われる。処理液を使用しての液処理を行うときには、遠心力によってスピンベース21Bおよび基板Wから飛散した処理液は、処理カップ40によって回収する。 Next, a spin motor (not shown) starts the rotation of the spin base 21B and the substrate W held by the spin base 21B. The rotational force of the spin base 21B is transmitted to the substrate W via the chuck pin 26A and the support pin. Further, the horizontal displacement of the substrate W during rotation is regulated by a plurality of chuck pins 26A. Then, a chemical solution treatment is performed by discharging a chemical solution from the nozzle 30 onto the upper surface of the substrate W, a pure water rinsing process is performed by discharging pure water from both the nozzle 30 and the nozzle head 150 onto the upper surface and the lower surface of the substrate W, and the substrate W is rotated at high speed. The shaking-off drying process is continued. When liquid treatment is performed using the treatment liquid, the treatment liquid scattered from the spin base 21B and the substrate W due to centrifugal force is collected by the treatment cup 40.

一連の薬液処理、純水リンス処理、乾燥処理において、ノズルヘッド150の吐出口156からは常に窒素ガスが噴出され続け、ベルヌーイ効果による基板W中心部の非接触吸引が継続して実行される。ここで、少なくとも純水リンス処理を行うときには、ノズル30のみならず、下面側のノズルヘッド150からも処理液としての純水が吐出される。つまり、ノズルヘッド150からは窒素ガスと処理液とが同時に吐出されるのである。 In a series of chemical treatment, pure water rinsing treatment, and drying treatment, nitrogen gas is constantly ejected from the discharge port 156 of the nozzle head 150, and non-contact suction at the center of the substrate W due to the Bernoulli effect is continuously executed. Here, at least when the pure water rinsing treatment is performed, pure water as the treatment liquid is discharged not only from the nozzle 30 but also from the nozzle head 150 on the lower surface side. That is, nitrogen gas and the treatment liquid are discharged from the nozzle head 150 at the same time.

純水リンス処理を行うときには、ノズル30および液流路154に処理液が送給される。ノズル30に供給された処理液はノズル30から回転する基板Wの上面に吐出される。一方、液流路154に供給された処理液は、ノズルヘッド150の吐出口156から基板Wの下面に吐出される。このときに、吐出口156の近傍において気体流路155の先端が液流路154に合流しているため、当該合流点にて気体流路155から送給された窒素ガスと液流路154を流れる処理液とが混合され、吐出口156からはその窒素ガスと処理液との混合流体が吐出される。 When performing the pure water rinsing treatment, the treatment liquid is supplied to the nozzle 30 and the liquid flow path 154. The processing liquid supplied to the nozzle 30 is discharged from the nozzle 30 onto the upper surface of the substrate W rotating. On the other hand, the processing liquid supplied to the liquid flow path 154 is discharged from the discharge port 156 of the nozzle head 150 to the lower surface of the substrate W. At this time, since the tip of the gas flow path 155 joins the liquid flow path 154 in the vicinity of the discharge port 156, the nitrogen gas supplied from the gas flow path 155 and the liquid flow path 154 are combined at the confluence point. The flowing treatment liquid is mixed, and the mixed fluid of the nitrogen gas and the treatment liquid is discharged from the discharge port 156.

吐出口156から混合流体が吐出された場合であっても、基板Wの下面とノズルヘッド150の吸引面153との間の空間を窒素ガスが流れており、基板Wが把持されたまま基板Wの下面と吸引面153との位置関係は維持される。これは次の作用によるものと推測される。 Even when the mixed fluid is discharged from the discharge port 156, nitrogen gas is flowing in the space between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 of the nozzle head 150, and the substrate W is held while the substrate W is being gripped. The positional relationship between the lower surface of the surface and the suction surface 153 is maintained. This is presumed to be due to the following action.

すなわち、当該空間に液体である処理液も流れることによって、基板Wの中心部に下方から押し上げようとする力が作用する可能性がある。ここで、従来よりの典型的なベルヌーイチャックであれば、処理液によって基板Wに押し上げようとする力が作用すると容易に基板Wが押し上げられてチャック面と基板Wとの間隔が拡がり、その結果ベルヌーイ効果が喪失されることが考えられる。 That is, the processing liquid, which is a liquid, also flows in the space, so that a force for pushing up from below may act on the central portion of the substrate W. Here, in the case of a conventional Bernoulli chuck, when a force for pushing up the substrate W is applied by the processing liquid, the substrate W is easily pushed up and the distance between the chuck surface and the substrate W is widened, and as a result. It is possible that the Bernoulli effect is lost.

これに対し、本実施の形態では、基板Wの外縁部が複数のチャックピン26Aによって機械的に把持されてベルヌーイ効果が残存していることと相まって、処理液の吐出によって基板Wの中心部に下方から押し上げようとする力が作用した場合であっても、基板Wが容易に押し上げられることはなく、基板Wの下面と吸引面153との位置関係は維持されることとなる。これにより、吐出口156から窒素ガスと処理液とを同時に吐出した場合であっても、基板Wの非接触吸引を維持しつつ、基板Wの下面に処理液を供給して液処理を行うことができる。なお、薬液処理および乾燥処理時には、ノズルヘッド150の吐出口156から窒素ガスのみが噴出されるため、ベルヌーイ効果によって基板Wの中心部が非接触吸引される。 On the other hand, in the present embodiment, the outer edge portion of the substrate W is mechanically gripped by the plurality of chuck pins 26A and the Bernoulli effect remains, and the treatment liquid is discharged to the central portion of the substrate W. Even when a force for pushing up from below acts, the substrate W is not easily pushed up, and the positional relationship between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 is maintained. As a result, even when the nitrogen gas and the treatment liquid are simultaneously discharged from the discharge port 156, the treatment liquid is supplied to the lower surface of the substrate W to perform the liquid treatment while maintaining the non-contact suction of the substrate W. Can be done. During the chemical treatment and the drying treatment, only nitrogen gas is ejected from the discharge port 156 of the nozzle head 150, so that the central portion of the substrate W is non-contact suctioned by the Bernoulli effect.

図5は、カメラ70、ノズル30および基板Wの位置関係を示す図である。カメラ70は、チャンバー10内であって仕切板15(図3を参照)よりも上方(すなわち、基板Wよりも上方)に設置されている。また、カメラ70は、基板Wの外周側の、基板Wとは平面視において重ならない位置に配置されている。また、カメラ70は、たとえば固体撮像素子のひとつであるCCDと、電子シャッター、レンズなどの光学系とを備える。 FIG. 5 is a diagram showing the positional relationship between the camera 70, the nozzle 30, and the substrate W. The camera 70 is installed in the chamber 10 above the partition plate 15 (see FIG. 3) (that is, above the substrate W). Further, the camera 70 is arranged on the outer peripheral side of the substrate W at a position that does not overlap with the substrate W in a plan view. Further, the camera 70 includes, for example, a CCD which is one of solid-state image sensors, and an optical system such as an electronic shutter and a lens.

ノズル30は、ノズル基台33の駆動によって、スピンチャック20に保持された基板Wの上方の処理区間PS1(図5の点線位置)と処理カップ40よりも外側の待機位置(図5の実線位置)との間で往復移動される。 The nozzle 30 has a processing section PS1 (dotted line position in FIG. 5) above the substrate W held by the spin chuck 20 and a standby position outside the processing cup 40 (solid line position in FIG. 5) driven by the nozzle base 33. ) Is moved back and forth.

処理区間PS1は、ノズル30からスピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を吐出して洗浄処理を行う区間である。ここでは、処理区間PS1は、スピンチャック20に保持された基板Wにおける一方側の縁部付近の第1端TE1と、その反対側の縁部付近の第2端TE2との間で、水平方向に延びる区間である。 The processing section PS1 is a section in which the processing liquid is discharged from the nozzle 30 onto the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 to perform the cleaning process. Here, the processing section PS1 is located in the horizontal direction between the first end TE1 near the edge on one side of the substrate W held by the spin chuck 20 and the second end TE2 near the edge on the opposite side. It is a section that extends to.

待機位置は、ノズル30が洗浄処理を行わないときに処理液の吐出を停止して待機する位置である。待機位置には、ノズル30の吐出ヘッド31(図3を参照)を収容する待機ポッドが設けられていてもよい。 The standby position is a position where the discharge of the processing liquid is stopped and the nozzle 30 stands by when the cleaning process is not performed. A standby pod may be provided at the standby position to accommodate the discharge head 31 (see FIG. 3) of the nozzle 30.

カメラ70は、その撮像視野に、少なくとも基板Wの外縁部が含まれる位置に設置されている。また、カメラ70は、基板Wの外縁部を含む撮像範囲で、基板Wの複数箇所について撮像する。 The camera 70 is installed at a position where at least the outer edge portion of the substrate W is included in the imaging field of view. Further, the camera 70 takes an image of a plurality of points of the substrate W in the imaging range including the outer edge portion of the substrate W.

本実施の形態では、図3および図5に示すように、基板W、さらには、処理区間PS1におけるノズル30を撮像する位置にカメラ70が設置される。よって、カメラ70は、基板Wの外縁部を含む撮像領域を撮像できる。 In the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 5, the camera 70 is installed at a position where the substrate W and the nozzle 30 in the processing section PS1 are imaged. Therefore, the camera 70 can take an image of an imaging region including the outer edge portion of the substrate W.

図3に示すように、チャンバー10内であって仕切板15よりも上方の位置に、照明部71が設けられている。チャンバー10内が暗室である場合、カメラ70が撮像を行う際に照明部71が光を照射するように、制御部9が照明部71を制御してもよい。 As shown in FIG. 3, the illumination unit 71 is provided in the chamber 10 at a position above the partition plate 15. When the inside of the chamber 10 is a dark room, the control unit 9 may control the illumination unit 71 so that the illumination unit 71 irradiates the light when the camera 70 performs imaging.

図6は、制御部9の機能ブロック図である。基板処理装置100に設けられた制御部9のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同一である。すなわち、制御部9は、後述するように、各種演算処理を行うCPUと、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリ(read only memory、すなわち、ROM)、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリ(random access memory、すなわち、RAM)および制御用ソフトウェアまたはデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどである記憶部とを備えて構成される。制御部9のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置100の各動作機構が制御部9に制御され、基板処理装置100における処理が進行する。 FIG. 6 is a functional block diagram of the control unit 9. The configuration of the control unit 9 provided in the board processing device 100 as hardware is the same as that of a general computer. That is, as will be described later, the control unit 9 has a CPU that performs various arithmetic processes, a read-only memory (read only memory, that is, ROM) that is a read-only memory that stores a basic program, and a read / write that stores various information. It is configured to include a random access memory (random access memory, that is, a RAM) which is a free memory, and a storage unit which is a magnetic disk for storing control software or data. When the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program, each operation mechanism of the board processing device 100 is controlled by the control unit 9, and the processing in the board processing device 100 proceeds.

図6に示すエッジ抽出部90、判定部91およびコマンド送信部92は、制御部9のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって制御部9内に実現される機能処理部である。 The edge extraction unit 90, the determination unit 91, and the command transmission unit 92 shown in FIG. 6 are functional processing units realized in the control unit 9 when the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program.

エッジ抽出部90は、カメラ70から入力される複数の画像データ間の比較によって得られる差分画像から、基板Wのエッジを抽出する。 The edge extraction unit 90 extracts the edge of the substrate W from the difference image obtained by comparing the plurality of image data input from the camera 70.

判定部91は、エッジ抽出部90によって抽出されたエッジに基づいて、基板Wの保持状態を判定する。 The determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the edges extracted by the edge extraction unit 90.

コマンド送信部92は、基板Wを処理するための各種条件が記述されたレシピに従って、コマンド(制御情報)を出力することによって、洗浄処理ユニット1の各要素を動作させる。具体的には、コマンド送信部92は、ノズル30、ノズル60およびノズル65にコマンドを出力して、ノズル基台33、ノズル基台63およびノズル基台68に内蔵された駆動源(モータ)を動作させる。たとえば、コマンド送信部92がノズル30に対して処理区間PS1の第1端TE1に移動させるコマンドを送信すると、ノズル30が待機位置から第1端TE1に移動する。さらに、コマンド送信部92がノズル30に対して処理区間PS1の第2端TE2に移動させるコマンドを送信すると、ノズル30が第1端TE1から第2端TE2に移動する。ノズル30からの処理液の吐出も、コマンド送信部92からのコマンド送信に応じて行われるようにしてもよい。 The command transmission unit 92 operates each element of the cleaning processing unit 1 by outputting a command (control information) according to a recipe in which various conditions for processing the substrate W are described. Specifically, the command transmission unit 92 outputs a command to the nozzle 30, the nozzle 60, and the nozzle 65, and outputs a drive source (motor) built in the nozzle base 33, the nozzle base 63, and the nozzle base 68. Make it work. For example, when the command transmission unit 92 transmits a command to move the nozzle 30 to the first end TE1 of the processing section PS1, the nozzle 30 moves from the standby position to the first end TE1. Further, when the command transmission unit 92 transmits a command to move the nozzle 30 to the second end TE2 of the processing section PS1, the nozzle 30 moves from the first end TE1 to the second end TE2. The processing liquid may be discharged from the nozzle 30 in response to the command transmission from the command transmission unit 92.

また、制御部9には、表示部95、入力部96および複数の洗浄処理ユニット1が接続されている。表示部95は、制御部9からの画像信号に応じて各種情報を表示する。入力部96は、制御部9に接続されたキーボードおよびマウスなどの入力デバイスで構成されており、操作者が制御部9に対して行う入力操作を受け付ける。複数の洗浄処理ユニット1は、コマンド送信部92から送信される各種コマンド(制御情報)に基づいて、それぞれの洗浄処理ユニット1における各要素を動作させる。 Further, a display unit 95, an input unit 96, and a plurality of cleaning processing units 1 are connected to the control unit 9. The display unit 95 displays various information according to the image signal from the control unit 9. The input unit 96 is composed of an input device such as a keyboard and a mouse connected to the control unit 9, and receives an input operation performed by the operator on the control unit 9. The plurality of cleaning processing units 1 operate each element in each cleaning processing unit 1 based on various commands (control information) transmitted from the command transmitting unit 92.

図7は、図6に例が示された制御部9を実際に運用する場合のハードウェア構成を概略的に例示する図である。 FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a hardware configuration when the control unit 9 whose example is shown in FIG. 6 is actually operated.

図7では、図6中のエッジ抽出部90、判定部91およびコマンド送信部92を実現するためのハードウェア構成として、演算を行う処理回路1102Aと、情報を記憶することができる記憶装置1103とが示される。 In FIG. 7, as hardware configurations for realizing the edge extraction unit 90, the determination unit 91, and the command transmission unit 92 in FIG. 6, a processing circuit 1102A that performs calculations and a storage device 1103 that can store information are provided. Is shown.

処理回路1102Aは、たとえば、CPUなどである。記憶装置1103は、たとえば、ハードディスクドライブ(Hard disk drive、すなわち、HDD)、RAM、ROM、フラッシュメモリなどのメモリ(記憶媒体)である。 The processing circuit 1102A is, for example, a CPU or the like. The storage device 1103 is, for example, a memory (storage medium) such as a hard disk drive (Hard disk drive, that is, HDD), RAM, ROM, or flash memory.

<基板処理装置の動作について>
基板処理装置100における基板Wの通常の処理は、順に、主搬送ロボット103がインデクサ102から受け取った処理対象の基板Wを各洗浄処理ユニット1に搬入する工程、当該洗浄処理ユニット1が基板Wに基板処理を行う工程、および、主搬送ロボット103が当該洗浄処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出してインデクサ102に戻す工程を含む。
<About the operation of the board processing device>
The normal processing of the substrate W in the substrate processing apparatus 100 is a step of sequentially carrying the substrate W to be processed received from the indexer 102 by the main transfer robot 103 into each cleaning processing unit 1, and the cleaning processing unit 1 is transferred to the substrate W. The step of performing the substrate processing and the step of the main transfer robot 103 carrying out the processed substrate W from the cleaning processing unit 1 and returning it to the indexer 102 are included.

次に、図8を参照しつつ、各洗浄処理ユニット1における典型的な基板Wの基板処理のうちの洗浄処理および乾燥処理の手順について説明する。なお、図8は、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 Next, with reference to FIG. 8, the procedures of the cleaning treatment and the drying treatment among the typical substrate treatments of the substrate W in each cleaning processing unit 1 will be described. Note that FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

まず、基板Wの表面に薬液を供給して所定の薬液処理を行う(ステップST01)。その後、純水を供給して純水リンス処理を行う(ステップST02)。 First, a chemical solution is supplied to the surface of the substrate W to perform a predetermined chemical solution treatment (step ST01). After that, pure water is supplied to perform a pure water rinsing treatment (step ST02).

さらに、基板Wを高速回転させることによって純水を振り切り、それによって基板Wを乾燥させる(ステップST03)。 Further, the pure water is shaken off by rotating the substrate W at high speed, whereby the substrate W is dried (step ST03).

洗浄処理ユニット1が基板処理を行う際、スピンチャック20が基板Wを保持するとともに、処理カップ40が昇降動作を行う。 When the cleaning processing unit 1 processes the substrate, the spin chuck 20 holds the substrate W and the processing cup 40 moves up and down.

洗浄処理ユニット1が薬液処理を行う場合、たとえば外カップ43のみが上昇し、外カップ43の上端部43bと中カップ42の第2案内部52の上端部52bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口が形成される。この状態で基板Wがスピンチャック20とともに回転され、ノズル30および下面処理液ノズル28から基板Wの上面および下面に薬液が供給される。供給された薬液は、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Wの外縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Wの薬液処理が進行する。回転する基板Wの外縁部から飛散した薬液は外カップ43の上端部43bによって受け止められ、外カップ43の内面を伝って流下し、外側回収溝51に回収される。 When the cleaning treatment unit 1 performs chemical treatment, for example, only the outer cup 43 rises, and the spin chuck 20 is placed between the upper end portion 43b of the outer cup 43 and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 of the inner cup 42. An opening is formed that surrounds the retained substrate W. In this state, the substrate W is rotated together with the spin chuck 20, and the chemical solution is supplied from the nozzle 30 and the bottom surface treatment liquid nozzle 28 to the upper surface and the lower surface of the substrate W. The supplied chemical solution flows along the upper surface and the lower surface of the substrate W by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and is eventually scattered from the outer edge portion of the substrate W toward the side. As a result, the chemical treatment of the substrate W proceeds. The chemical solution scattered from the outer edge of the rotating substrate W is received by the upper end 43b of the outer cup 43, flows down along the inner surface of the outer cup 43, and is collected in the outer recovery groove 51.

洗浄処理ユニット1が純水リンス処理を行う場合、たとえば、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが上昇し、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲が内カップ41の第1案内部47によって取り囲まれる。この状態で基板Wがスピンチャック20とともに回転され、ノズル30および下面処理液ノズル28から基板Wの上面および下面に純水が供給される。供給された純水は基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Wの外縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Wの純水リンス処理が進行する。回転する基板Wの外縁部から飛散した純水は第1案内部47の内壁を伝って流下し、廃棄溝49から排出される。なお、純水を薬液とは別経路にて回収する場合には、中カップ42および外カップ43を上昇させ、中カップ42の第2案内部52の上端部52bと内カップ41の第1案内部47の上端部47bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口を形成するようにしてもよい。 When the cleaning treatment unit 1 performs a pure water rinsing treatment, for example, all of the inner cup 41, the inner cup 42, and the outer cup 43 are raised, and the circumference of the substrate W held by the spin chuck 20 is the first of the inner cup 41. Surrounded by a guide 47. In this state, the substrate W is rotated together with the spin chuck 20, and pure water is supplied from the nozzle 30 and the bottom surface treatment liquid nozzle 28 to the upper surface and the lower surface of the substrate W. The supplied pure water flows along the upper surface and the lower surface of the substrate W by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and is eventually scattered from the outer edge portion of the substrate W toward the side. As a result, the pure water rinsing treatment of the substrate W proceeds. The pure water scattered from the outer edge of the rotating substrate W flows down along the inner wall of the first guide portion 47 and is discharged from the waste groove 49. When collecting pure water by a route different from that of the chemical solution, the middle cup 42 and the outer cup 43 are raised, and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 of the middle cup 42 and the first guide of the inner cup 41 are raised. An opening surrounding the substrate W held by the spin chuck 20 may be formed between the upper end portion 47b of the portion 47.

洗浄処理ユニット1が振り切り乾燥処理を行う場合、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが下降し、内カップ41の第1案内部47の上端部47b、中カップ42の第2案内部52の上端部52bおよび外カップ43の上端部43bのいずれもがスピンチャック20に保持された基板Wよりも下方に位置する。この状態で基板Wがスピンチャック20とともに高速回転され、基板Wに付着していた水滴が遠心力によって振り切られ、乾燥処理が行われる。 When the cleaning treatment unit 1 performs the shake-off drying treatment, all of the inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 are lowered, and the upper end portion 47b of the first guide portion 47 of the inner cup 41 and the second guide of the middle cup 42 are lowered. Both the upper end portion 52b of the portion 52 and the upper end portion 43b of the outer cup 43 are located below the substrate W held by the spin chuck 20. In this state, the substrate W is rotated at high speed together with the spin chuck 20, and the water droplets adhering to the substrate W are shaken off by centrifugal force, and the drying process is performed.

<保持状態判定について>
以下においては、スピンチャック20に保持された基板Wの複数箇所をカメラ70を用いて撮像し、得られた複数の画像データ間の差分画像に基づいて、基板Wの保持状態判定を行う方法について説明する。当該判定は、主に、制御部9におけるエッジ抽出部90および判定部91によって行われる。当該方法によれば、正常に保持された基板を別途撮像して基準となる画像を登録しておく必要がない。
<About holding state judgment>
The following describes a method of imaging a plurality of locations of the substrate W held by the spin chuck 20 using the camera 70 and determining the holding state of the substrate W based on the difference images between the obtained plurality of image data. explain. The determination is mainly performed by the edge extraction unit 90 and the determination unit 91 in the control unit 9. According to this method, it is not necessary to separately image the normally held substrate and register a reference image.

本実施の形態では、回転している基板Wの特定箇所を、固定されたカメラ70で撮像することによって、基板Wの複数箇所を撮像する。ただし、基板Wが回転していることは必須ではなく、また、基板Wを撮像するカメラが複数あってもよい。 In the present embodiment, a plurality of locations on the substrate W are imaged by imaging a specific location on the rotating substrate W with a fixed camera 70. However, it is not essential that the substrate W is rotated, and there may be a plurality of cameras that capture the substrate W.

図9および図10は、回転している基板Wの画像フレームの例を示す図である。図9および図10における画像フレームは、基板Wの外縁部に沿う範囲を含む撮像範囲に対応している。なお、画像フレームの撮像範囲(または、撮像範囲において画像データ間の比較に用いられる領域であるターゲット領域)は、基板Wの外縁部に沿う円弧状(アーチ状)であることが望ましい。また、画像フレームの撮像範囲は、基板Wの少なくとも一部の外縁部を含んでいればよく、基板Wの外縁部の全周を含む場合であってもよい。また、画像フレームの撮像範囲は、カメラ70から見て手前側の基板Wの外縁部であってもよいし、奥側の基板Wの外縁部であってもよい。 9 and 10 are diagrams showing an example of an image frame of the rotating substrate W. The image frames in FIGS. 9 and 10 correspond to an imaging range including a range along the outer edge of the substrate W. It is desirable that the imaging range of the image frame (or the target region, which is a region used for comparison between image data in the imaging range), is an arc shape (arch shape) along the outer edge portion of the substrate W. Further, the imaging range of the image frame may include at least a part of the outer edge portion of the substrate W, and may include the entire circumference of the outer edge portion of the substrate W. Further, the imaging range of the image frame may be the outer edge portion of the substrate W on the front side when viewed from the camera 70, or may be the outer edge portion of the substrate W on the back side.

また、図9と図10とでは、基板Wの撮像範囲が一部重複しているが、複数の画像フレーム間で、基板Wの撮像される範囲が重複していなくともよい。 Further, in FIGS. 9 and 10, the imaging range of the substrate W partially overlaps, but the imaging range of the substrate W does not have to overlap between the plurality of image frames.

また、図9と図10とでは、スピンチャック20に保持された基板Wが回転していることによって、チャックピン26の位置が大きく異なっている。 Further, the positions of the chuck pins 26 are significantly different between FIGS. 9 and 10 due to the rotation of the substrate W held by the spin chuck 20.

図11は、図9に例が示された画像フレームと、図10に例が示された画像フレームとの差分画像である。図11においては、チャックピン差分26Xと、外縁部差分200とが示されている。 FIG. 11 is a difference image between the image frame whose example is shown in FIG. 9 and the image frame whose example is shown in FIG. In FIG. 11, the chuck pin difference 26X and the outer edge difference 200 are shown.

図9および図10におけるチャックピン26は、基板Wの回転によって位置が大きく異なる。そのため、その差分がチャックピン差分26Xとして示されている。 The positions of the chuck pins 26 in FIGS. 9 and 10 differ greatly depending on the rotation of the substrate W. Therefore, the difference is shown as a chuck pin difference 26X.

また、図11においては、基板Wの回転によって生じた外縁部のゆらぎ(偏心を含む)が、外縁部差分200として示されている。 Further, in FIG. 11, the fluctuation (including eccentricity) of the outer edge portion caused by the rotation of the substrate W is shown as the outer edge portion difference 200.

なお、図3および図5に示されたように、本実施の形態におけるカメラ70は、基板Wの外周側に位置しているため、差分画像において、基板Wの鉛直方向のゆらぎが外縁部差分200として示される。また、図3および図5に示されたように、本実施の形態におけるカメラ70は、基板Wの上方にも位置しているため、差分画像において、基板Wの水平方向のゆらぎ(たとえば、偏心)が外縁部差分200として示される。 As shown in FIGS. 3 and 5, since the camera 70 in the present embodiment is located on the outer peripheral side of the substrate W, the vertical fluctuation of the substrate W in the difference image is the difference at the outer edge portion. Shown as 200. Further, as shown in FIGS. 3 and 5, since the camera 70 in the present embodiment is also located above the substrate W, the horizontal fluctuation of the substrate W (for example, eccentricity) in the difference image. ) Is shown as the outer edge difference 200.

次に、図11に例が示された差分画像に基づいてエッジ抽出部90がエッジ抽出を行うことによって、差分画像に示される外縁部差分200の基板周方向の長さを抽出する。 Next, the edge extraction unit 90 performs edge extraction based on the difference image shown in FIG. 11, thereby extracting the length of the outer edge portion difference 200 shown in the difference image in the circumferential direction of the substrate.

図12は、図11に例が示された差分画像に基づいて、Cannyエッジ抽出を行った結果を示す図である。図12に例が示されるように、抽出されたエッジ201は、差分画像においてゆらぎが生じた外縁部に沿って延びる部分と、チャックピン26に対応する成分とを含んでいる。 FIG. 12 is a diagram showing the result of performing Canny edge extraction based on the difference image shown in FIG. 11 as an example. As an example is shown in FIG. 12, the extracted edge 201 includes a portion extending along the fluctuating outer edge portion in the difference image and a component corresponding to the chuck pin 26.

上記のエッジ抽出によって得られるエッジ201の基板周方向の長さは、複数の画像フレーム(すなわち、図9および図10)間で生じた基板Wの外縁部のゆらぎの程度を反映する(詳細については、後述)。すなわち、回転する基板Wの外縁部が大きくゆらぐほど、エッジ201の基板周方向の長さは長くなる。よって、判定部91は、エッジ201の長さに基づいて、スピンチャック20に保持された基板Wの保持状態を判定することができる。 The length of the edge 201 obtained by the above edge extraction in the circumferential direction of the substrate reflects the degree of fluctuation of the outer edge portion of the substrate W generated between the plurality of image frames (that is, FIGS. 9 and 10) (for details). Will be described later). That is, the larger the outer edge of the rotating substrate W fluctuates, the longer the length of the edge 201 in the circumferential direction of the substrate becomes. Therefore, the determination unit 91 can determine the holding state of the substrate W held by the spin chuck 20 based on the length of the edge 201.

ここで、エッジ201の基板周方向の長さは、エッジ201の、基板周方向に沿って連続するピクセル数に基づいて算出される。 Here, the length of the edge 201 in the circumferential direction of the substrate is calculated based on the number of pixels of the edge 201 that are continuous along the circumferential direction of the substrate.

図12に例が示された場合では、エッジ201の長さは撮像範囲の両端に達している。このような場合は、回転する基板Wの外縁部のゆらぎが大きいと考えられるため、基板Wが正常に保持されていない(保持異常)と判定することができる。 In the case where the example is shown in FIG. 12, the length of the edge 201 reaches both ends of the imaging range. In such a case, it is considered that the fluctuation of the outer edge portion of the rotating substrate W is large, so that it can be determined that the substrate W is not normally held (holding abnormality).

図13は、差分画像に基づいてCannyエッジ抽出を行った結果の他の例を示す図である。 FIG. 13 is a diagram showing another example of the result of performing Canny edge extraction based on the difference image.

図13に例が示された場合では、エッジ201の長さは撮像範囲の一部に留まっている。このような場合は、回転する基板Wの外縁部のゆらぎが十分に小さいと考えられるため、基板Wが正常に保持されている(保持正常)と判定することができる。 In the case where the example is shown in FIG. 13, the length of the edge 201 remains a part of the imaging range. In such a case, it is considered that the fluctuation of the outer edge portion of the rotating substrate W is sufficiently small, so that it can be determined that the substrate W is normally held (holding is normal).

図14は、図12または図13のように抽出されたエッジの基板周方向の長さの、各画像フレームまでの最大値を示す図である。図14において、縦軸はエッジの基板周方向の長さの最大値[ピクセル]を示し、横軸は画像フレーム数を示す。 FIG. 14 is a diagram showing the maximum value of the length of the edge extracted as shown in FIG. 12 or 13 in the circumferential direction of the substrate up to each image frame. In FIG. 14, the vertical axis represents the maximum value [pixels] of the length of the edge in the circumferential direction of the substrate, and the horizontal axis represents the number of image frames.

図14においては、保持正常に対応するサンプル1種類(実線)と、保持異常に対応するサンプル4種類(太い点線、細い点線、太い1点鎖線、細い1点鎖線)とが、それぞれ示されている。 In FIG. 14, one type of sample corresponding to normal holding (solid line) and four types of samples corresponding to abnormal holding (thick dotted line, thin dotted line, thick one-dot chain line, thin one-dot chain line) are shown. There is.

撮像される基板Wの回転速度は、たとえば、500rpmとし、画像フレームを取得する間隔は、たとえば、60fpsとする。しかしながら、基板Wの回転速度に対応して、基板Wの異なる外縁部が撮像範囲に含まれるように画像フレームを取得する間隔が調整されてもよいし、基板Wの回転速度とは無関係に画像フレームを取得する間隔が調整されてもよいし、画像フレームを取得する間隔がランダムであってもよい。 The rotation speed of the substrate W to be imaged is, for example, 500 rpm, and the interval for acquiring image frames is, for example, 60 fps. However, the interval at which image frames are acquired may be adjusted so that different outer edges of the substrate W are included in the imaging range according to the rotation speed of the substrate W, and the image may be adjusted regardless of the rotation speed of the substrate W. The interval for acquiring frames may be adjusted, or the interval for acquiring image frames may be random.

また、本実施の形態では、差分画像は、スピンチャック20に保持された基板Wについて最初に取得された画像フレームを基準として、その後順次取得される画像フレームとの比較によって作成されるものとするが、基準とする画像フレームは、最初に取得された画像フレームに限られるものではない。 Further, in the present embodiment, the difference image is created by comparing the image frame first acquired for the substrate W held by the spin chuck 20 with the image frame acquired sequentially thereafter. However, the reference image frame is not limited to the first acquired image frame.

図14に例が示されるように、各画像フレームまでのエッジ201の基板周方向の長さの最大値(以下、単にエッジ201の最大値とも称する)を保持していくと、基板Wが保持異常(基板Wの外縁部のゆらぎが大きい)である場合には、エッジ201の最大値が、撮像範囲における基板周方向の最大ピクセル数(たとえば、600ピクセル)に達している。 As an example is shown in FIG. 14, when the maximum value of the length of the edge 201 up to each image frame in the circumferential direction of the substrate (hereinafter, also simply referred to as the maximum value of the edge 201) is held, the substrate W is held. In the case of an abnormality (the fluctuation of the outer edge portion of the substrate W is large), the maximum value of the edge 201 reaches the maximum number of pixels in the circumferential direction of the substrate (for example, 600 pixels) in the imaging range.

一方で、基板Wが保持正常(基板Wの外縁部のゆらぎが小さい)である場合には、エッジ201の最大値が、撮像範囲における基板周方向の最大ピクセル数の一部(本実施の形態では、半分程度)に抑えられていることが分かる。すなわち、エッジ201の最大値が、保持された基板Wの外縁部のゆらぎの程度を反映していることが分かる。 On the other hand, when the substrate W is normally held (the fluctuation of the outer edge of the substrate W is small), the maximum value of the edge 201 is a part of the maximum number of pixels in the circumferential direction of the substrate in the imaging range (the present embodiment). Then, it can be seen that it is suppressed to about half). That is, it can be seen that the maximum value of the edge 201 reflects the degree of fluctuation of the outer edge portion of the retained substrate W.

よって、判定部91は、差分画像に基づいて抽出されるエッジ201の長さに基づいて、たとえば、エッジ201の最大値が所定のしきい値よりも大きくなった場合に、基板Wの保持異常が生じているとして、基板Wの保持状態を判定することができる。 Therefore, the determination unit 91 has an abnormality in holding the substrate W, for example, when the maximum value of the edge 201 becomes larger than a predetermined threshold value based on the length of the edge 201 extracted based on the difference image. Can be determined, and the holding state of the substrate W can be determined.

<保持異常の例について>
上記の保持異常が生じる場合の例としては、複数のチャックピン26のうちの少なくとも1つが適切に基板Wを挟持していない場合(挟持していない場合、または、スピンベース21に平行でない姿勢で基板Wを挟持してしまっている場合などを含む)、または、基板Wが割れるまたは一部欠けることによってチャックピン26が適切に機能しない場合(チャックピン26に対応する箇所に基板Wが位置していない場合、または、スピンベース21に平行でない姿勢で基板Wを挟持してしまっている場合などを含む)などが想定される。
<Example of retention abnormality>
As an example of the above-mentioned holding abnormality, when at least one of the plurality of chuck pins 26 does not properly pinch the substrate W (when the substrate W is not pinched properly or in a posture not parallel to the spin base 21). When the chuck pin 26 does not function properly due to the substrate W being cracked or partially chipped (including the case where the substrate W is sandwiched) (the substrate W is located at a position corresponding to the chuck pin 26). (Including the case where the substrate W is not parallel to the spin base 21 or the substrate W is sandwiched in a posture not parallel to the spin base 21).

<保持状態判定のタイミングについて>
図15は、基板Wが正常に保持されている場合の、差分画像に基づいて抽出されるエッジの基板周方向の長さの最大値を、基板処理装置100のそれぞれの動作において測定した場合の例を示す図である。図15においては、縦軸はエッジの基板周方向の長さの最大値に相当する評価値であり、横軸は画像フレーム数である。
<Timing of holding state judgment>
FIG. 15 shows a case where the maximum value of the peripheral length of the edge extracted based on the difference image when the substrate W is normally held is measured in each operation of the substrate processing apparatus 100. It is a figure which shows an example. In FIG. 15, the vertical axis is the evaluation value corresponding to the maximum value of the length of the edge in the circumferential direction of the substrate, and the horizontal axis is the number of image frames.

図15に例が示されるように、基板処理装置の動作工程としては、主搬送ロボット103がインデクサ102から受け取った処理対象の基板Wを各洗浄処理ユニット1に搬入する搬入工程1001と、基板Wをスピンチャック20に挟持するチャック工程1002と、基板処理のために基板Wの回転を開始する回転開始工程1003と、処理カップ40を上昇させるカップ上昇工程1004と、基板Wを洗浄する洗浄工程1005(図8におけるステップST01、ステップST02およびステップST03に対応)と、処理カップ40を下降させるカップ下降工程1006と、基板Wをスピンチャック20から開放する開放工程1007と、主搬送ロボット103が洗浄処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出する搬出工程1008とが示されている。 As an example is shown in FIG. 15, the operation steps of the substrate processing apparatus include a carry-in step 1001 in which the main transfer robot 103 carries the substrate W to be processed received from the indexer 102 into each cleaning processing unit 1, and a substrate W. A chuck step 1002 for sandwiching the substrate W in the spin chuck 20, a rotation start step 1003 for starting the rotation of the substrate W for substrate processing, a cup raising step 1004 for raising the processing cup 40, and a cleaning step 1005 for cleaning the substrate W. (Corresponding to steps ST01, ST02 and ST03 in FIG. 8), a cup lowering step 1006 for lowering the processing cup 40, an opening step 1007 for releasing the substrate W from the spin chuck 20, and a cleaning process by the main transfer robot 103. The carry-out step 1008 in which the processed substrate W is carried out from the unit 1 is shown.

そのうち、回転開始工程1003と、開放工程1007とでは、相対的に評価値が低く、基板Wの外縁部のゆらぎが小さいことが分かる。これらの工程のうち回転開始工程1003は、カップ上昇工程1004、洗浄工程1005およびカップ下降工程1006からなる基板処理の前の工程であり、洗浄工程1005において基板Wの回転がさらに加速されて高速回転となることを考慮すると、保持異常であるために基板Wが飛散するなどの不具合が生じないようにするためには、基板Wの回転が加速中であり、かつ、基板Wの外縁部のゆらぎが小さいこの回転開始工程1003で保持状態判定を行うことが望ましい。保持状態判定を行うタイミングを最適化することによって、常時監視する場合よりも制御部9の負荷を軽減することもできる。 Among them, it can be seen that the evaluation values are relatively low in the rotation start step 1003 and the opening step 1007, and the fluctuation of the outer edge portion of the substrate W is small. Of these steps, the rotation start step 1003 is a step before the substrate processing including the cup raising step 1004, the cleaning step 1005, and the cup lowering step 1006, and in the cleaning step 1005, the rotation of the substrate W is further accelerated to rotate at high speed. In order to prevent problems such as scattering of the substrate W due to the holding abnormality, the rotation of the substrate W is accelerating and the outer edge of the substrate W fluctuates. It is desirable to determine the holding state in this rotation start step 1003. By optimizing the timing for determining the holding state, the load on the control unit 9 can be reduced as compared with the case of constant monitoring.

なお、基板処理中(たとえば、図8のステップST03に対応する乾燥処理の前)などに保持状態判定を行ってもよい。図8のステップST03に対応する乾燥処理の前に保持状態判定を行う場合には、少なくとも、基板Wが乾燥のための回転速度に到達する前の加速中の状態で行うことが望ましい。 The holding state may be determined during substrate processing (for example, before the drying process corresponding to step ST03 in FIG. 8). When the holding state is determined before the drying process corresponding to step ST03 in FIG. 8, it is desirable that the holding state is determined at least in an accelerating state before the substrate W reaches the rotation speed for drying.

回転開始工程1003において保持状態判定を行い、基板Wの保持状態が正常である場合は、次のカップ上昇工程1004に進む。一方で、基板Wの保持状態が正常でない場合は、基板Wの回転を停止し、必要に応じて警報を発報する。 The holding state is determined in the rotation start step 1003, and if the holding state of the substrate W is normal, the process proceeds to the next cup raising step 1004. On the other hand, if the holding state of the substrate W is not normal, the rotation of the substrate W is stopped and an alarm is issued if necessary.

ここで、警報は、制御部9の制御によって表示部95に表示させることができるが、たとえば、画面における識別可能な強調表示(点滅表示など)、または、音による警報が行われてもよい。 Here, the alarm can be displayed on the display unit 95 under the control of the control unit 9, but for example, an identifiable highlighting (blinking display or the like) on the screen or a sound alarm may be performed.

<以上に記載された実施の形態によって生じる効果について>
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
<About the effect caused by the above-described embodiment>
Next, an example of the effect produced by the above-described embodiment will be shown. In the following description, the effect is described based on the specific configuration shown in the embodiment described above, but to the extent that the same effect occurs, the examples in the present specification. May be replaced with other specific configurations indicated by.

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、保持部と、撮像部と、抽出部と、判定部91とを備える。ここで、保持部は、たとえば、スピンチャック20などに対応するものである。また、撮像部は、たとえば、カメラ70などに対応するものである。また、抽出部は、たとえば、エッジ抽出部90などに対応するものである。スピンチャック20は、チャックピン26によって基板Wを保持する。カメラ70は、保持された基板Wの外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像する。そして、カメラ70は、基板Wの複数の画像データを出力する。エッジ抽出部90は、複数の画像データ間の差分画像から、基板Wの外縁部を抽出する。判定部91は、差分画像における基板Wの外縁部に基づいて、基板Wの保持状態を判定する。 According to the embodiment described above, the substrate processing apparatus includes a holding unit, an imaging unit, an extraction unit, and a determination unit 91. Here, the holding portion corresponds to, for example, a spin chuck 20 or the like. Further, the imaging unit corresponds to, for example, a camera 70 or the like. Further, the extraction unit corresponds to, for example, the edge extraction unit 90 and the like. The spin chuck 20 holds the substrate W by the chuck pin 26. The camera 70 captures an imaging range including the outer edge of the held substrate W at a plurality of locations. Then, the camera 70 outputs a plurality of image data of the substrate W. The edge extraction unit 90 extracts the outer edge portion of the substrate W from the difference image between the plurality of image data. The determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the outer edge portion of the substrate W in the difference image.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Wを保持するスピンチャック20と、保持された基板Wの外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、基板Wの複数の画像データを出力するカメラ70とを備える。また、基板処理装置は、プログラムを実行する処理回路1102Aと、実行されるプログラムを記憶する記憶装置1103とを備える。そして、処理回路1102Aがプログラムを実行することによって、以下の動作が実現される。 Further, according to the above-described embodiment, the substrate processing apparatus images the spin chuck 20 that holds the substrate W and the imaging range including the outer edge of the held substrate W at a plurality of locations, and A camera 70 that outputs a plurality of image data of the substrate W is provided. Further, the substrate processing device includes a processing circuit 1102A for executing a program and a storage device 1103 for storing the program to be executed. Then, when the processing circuit 1102A executes the program, the following operations are realized.

すなわち、複数の画像データ間の差分画像から、基板Wの外縁部が抽出される。そして、差分画像における基板Wの外縁部に基づいて、基板Wの保持状態が判定される。 That is, the outer edge portion of the substrate W is extracted from the difference image between the plurality of image data. Then, the holding state of the substrate W is determined based on the outer edge portion of the substrate W in the difference image.

このような構成によれば、基板Wの複数箇所における画像データを用いて差分画像を作成し、さらに、差分画像から基板Wの外縁部を抽出することによって、差分画像における当該外縁部の長さなどから基板Wの保持状態を判定することができる。よって、正常に保持された基板Wの画像データを基準画像データとして保持していなくとも、基板Wの保持状態を判定することができる。 According to such a configuration, a difference image is created using image data at a plurality of locations on the substrate W, and an outer edge portion of the substrate W is extracted from the difference image to obtain the length of the outer edge portion in the difference image. The holding state of the substrate W can be determined from the above. Therefore, even if the image data of the board W normally held is not held as the reference image data, the holding state of the board W can be determined.

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when other configurations shown in the present specification are appropriately added to the above configurations, that is, when other configurations in the present specification not mentioned as the above configurations are appropriately added. Even if there is, the same effect can be produced.

また、以上に記載された実施の形態によれば、判定部91は、差分画像における外縁部の長さに基づいて、基板Wの保持状態を判定する。このような構成によれば、差分画像における基板Wの外縁部の長さが長い場合に、基板Wの保持状態が異常状態(すなわち、保持異常)であると判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the length of the outer edge portion in the difference image. According to such a configuration, when the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is long, it can be determined that the holding state of the substrate W is an abnormal state (that is, holding abnormality).

また、以上に記載された実施の形態によれば、判定部91は、差分画像における外縁部の長さの最大値に基づいて、基板Wの保持状態を判定する。このような構成によれば、差分画像における基板Wの外縁部の長さの最大値がしきい値よりも大きい場合に、基板Wが保持異常であると判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the maximum value of the length of the outer edge portion in the difference image. According to such a configuration, when the maximum value of the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is larger than the threshold value, it can be determined that the substrate W has a holding abnormality.

また、以上に記載された実施の形態によれば、カメラ70は、保持された基板Wの外縁部に沿って延びるアーチ状の撮像範囲を撮像する。このような構成によれば、外縁部の長さを効率的に撮像範囲に含めることができる。また、外縁部に沿って延びる撮像範囲を有することによって、基板Wの外縁部を含んで直線状に生じる基板Wの割れ、または、基板Wの外縁部の欠けを効果的に発見し、高い精度で保持状態を判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the camera 70 images an arch-shaped imaging range extending along the outer edge portion of the held substrate W. According to such a configuration, the length of the outer edge portion can be efficiently included in the imaging range. Further, by having an imaging range extending along the outer edge portion, cracks in the substrate W that occur linearly including the outer edge portion of the substrate W or chipping of the outer edge portion of the substrate W can be effectively detected, and high accuracy is achieved. The holding state can be determined with.

また、以上に記載された実施の形態によれば、カメラ70は、保持された基板Wを基板Wの上方から撮像する。このような構成によれば、偏心などによって基板Wが保持異常となっている場合に、高い精度で判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the camera 70 takes an image of the held substrate W from above the substrate W. According to such a configuration, when the substrate W has a holding abnormality due to eccentricity or the like, it can be determined with high accuracy.

また、以上に記載された実施の形態によれば、カメラ70は、保持された基板Wを基板Wの外周側から撮像する。このような構成によれば、割れまたはゆらぎなどによって基板Wが保持異常となっている場合に、高い精度で判定することができる。また、基板Wの上方かつ外周側から撮像する場合には、割れまたはゆらぎに加えて、偏心も同時に判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the camera 70 takes an image of the held substrate W from the outer peripheral side of the substrate W. According to such a configuration, when the substrate W has a holding abnormality due to cracking or fluctuation, it can be determined with high accuracy. Further, when the image is taken from above the substrate W and from the outer peripheral side, the eccentricity can be determined at the same time in addition to the crack or fluctuation.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、判定部91において基板Wの保持状態が異常状態(すなわち、保持異常)と判定された場合に、警報を発報する発報部を備える。ここで、発報部は、たとえば、表示部95などに対応するものである。このような構成によれば、基板Wが保持異常である場合に、警報によって注意喚起することができる。 Further, according to the embodiment described above, the substrate processing apparatus issues an alarm when the determination unit 91 determines that the holding state of the substrate W is an abnormal state (that is, holding abnormality). It has a news section. Here, the alarm unit corresponds to, for example, the display unit 95 and the like. According to such a configuration, when the substrate W has a holding abnormality, it is possible to call attention by an alarm.

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、基板Wを保持し、かつ、回転させる。そして、回転している基板Wの外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、基板Wの複数の画像データを出力する。そして、複数の画像データ間の差分画像から、基板Wの外縁部を抽出する。そして、差分画像における基板Wの外縁部に基づいて、基板Wの保持状態を判定する。 According to the embodiment described above, in the substrate processing method, the substrate W is held and rotated. Then, the imaging range including the outer edge portion of the rotating substrate W is imaged at a plurality of locations, and a plurality of image data of the substrate W is output. Then, the outer edge portion of the substrate W is extracted from the difference image between the plurality of image data. Then, the holding state of the substrate W is determined based on the outer edge portion of the substrate W in the difference image.

このような構成によれば、回転している基板Wの複数箇所における画像データを用いて差分画像を作成し、さらに、差分画像から基板Wの外縁部を抽出することによって、差分画像における外縁部の長さなどから基板Wの保持状態を判定することができる。 According to such a configuration, a difference image is created using image data at a plurality of locations of the rotating substrate W, and an outer edge portion of the substrate W is extracted from the difference image to obtain an outer edge portion in the difference image. The holding state of the substrate W can be determined from the length of the substrate W and the like.

なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。 If there are no particular restrictions, the order in which each process is performed can be changed.

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when other configurations shown in the present specification are appropriately added to the above configurations, that is, when other configurations in the present specification not mentioned as the above configurations are appropriately added. Even if there is, the same effect can be produced.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Wの保持状態を判定する工程は、差分画像における外縁部の長さに基づいて、基板Wの保持状態を判定する工程である。このような構成によれば、差分画像における基板Wの外縁部の長さが長い場合に基板Wが保持異常であると判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the step of determining the holding state of the substrate W is a step of determining the holding state of the substrate W based on the length of the outer edge portion in the difference image. According to such a configuration, when the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is long, it can be determined that the substrate W has a holding abnormality.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Wの保持状態を判定する工程は、差分画像における外縁部の長さの最大値に基づいて、基板Wの保持状態を判定する工程である。このような構成によれば、差分画像における基板Wの外縁部の長さの最大値がしきい値よりも大きい場合に、基板Wが保持異常であると判定することができる。 Further, according to the embodiment described above, the step of determining the holding state of the substrate W is a step of determining the holding state of the substrate W based on the maximum value of the length of the outer edge portion in the difference image. is there. According to such a configuration, when the maximum value of the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is larger than the threshold value, it can be determined that the substrate W has a holding abnormality.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法は、回転している基板Wを撮像する工程の後に、基板Wを処理する工程を備える。このような構成によれば、処理カップ40の昇降を含む基板処理を行う前に、ゆらぎ、偏心または割れなどによって基板Wが保持異常となっているか否かを判定することができる。よって、基板処理における基板Wの高速回転が行われる前に保持状態の判定を行うことができるため、基板処理において、基板Wの保持状態が正常でないために基板Wが飛散するなどの不具合が生じることを抑制することができる。 Further, according to the embodiment described above, the substrate processing method includes a step of processing the substrate W after the step of imaging the rotating substrate W. According to such a configuration, it is possible to determine whether or not the substrate W has a holding abnormality due to fluctuation, eccentricity, cracking, or the like before performing the substrate processing including the raising and lowering of the processing cup 40. Therefore, since the holding state can be determined before the high-speed rotation of the substrate W is performed in the substrate processing, problems such as scattering of the substrate W due to the abnormal holding state of the substrate W occur in the substrate processing. Can be suppressed.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法は、回転している基板Wを撮像する工程の前に、基板Wを洗浄処理する工程を備える。そして、回転している基板Wを撮像する工程は、洗浄処理後で基板Wを乾燥処理する前に行われる工程である。このような構成によれば、乾燥処理を行う前に、薬液処理によって割れなどが生じて基板Wが保持異常となっているか否かを判定することができる。よって、乾燥処理における高速回転が行われる前に判定を行うことができるため、熱処理などによって基板Wの保持状態が正常でなくなった場合にも、基板処理後の乾燥処理において基板Wが飛散するなどの不具合が生じることを抑制することができる。また、基板処理の前の保持状態判定と合わせれば、洗浄処理の前後で、基板Wの保持状態が変化しているか否かを確認することもできる。 Further, according to the embodiment described above, the substrate processing method includes a step of cleaning the substrate W before the step of imaging the rotating substrate W. The step of imaging the rotating substrate W is a step performed after the cleaning treatment and before the drying treatment of the substrate W. According to such a configuration, it is possible to determine whether or not the substrate W has a holding abnormality due to cracking or the like caused by the chemical solution treatment before the drying treatment. Therefore, since the determination can be made before the high-speed rotation in the drying process is performed, even if the holding state of the substrate W becomes abnormal due to heat treatment or the like, the substrate W is scattered in the drying process after the substrate processing. It is possible to suppress the occurrence of problems. Further, when combined with the determination of the holding state before the substrate processing, it is possible to confirm whether or not the holding state of the substrate W has changed before and after the cleaning process.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法は、基板Wの保持状態を判定する工程において基板Wの保持状態が異常状態(すなわち、保持異常)であると判定された場合に、基板Wの回転を停止する工程を備える。このような構成によれば、基板Wが保持異常であると判定された場合に、直ちに基板Wの回転を停止することができるため、後の工程(たとえば、洗浄工程または乾燥工程など)において基板Wが飛散するなどの不具合が生じることを抑制することができる。 Further, according to the embodiment described above, in the substrate processing method, when the holding state of the substrate W is determined to be an abnormal state (that is, a holding abnormality) in the step of determining the holding state of the substrate W. In addition, a step of stopping the rotation of the substrate W is provided. According to such a configuration, when it is determined that the substrate W has a holding abnormality, the rotation of the substrate W can be stopped immediately, so that the substrate W can be stopped in a later step (for example, a cleaning step or a drying step). It is possible to suppress the occurrence of problems such as W scattering.

<以上に記載された実施の形態の変形例について>
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
<About the modified example of the embodiment described above>
In the embodiments described above, the materials, materials, dimensions, shapes, relative arrangement relationships, implementation conditions, etc. of each component may also be described, but these are one example in all aspects. However, it is not limited to those described in the present specification.

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。 Therefore, innumerable variants and equivalents not shown are envisioned within the scope of the techniques disclosed herein. For example, it is assumed that at least one component is modified, added or omitted.

また、以上に記載された実施の形態で記載されたそれぞれの構成要素は、ソフトウェアまたはファームウェアとしても、それと対応するハードウェアとしても想定され、その双方の概念において、それぞれの構成要素は「部」または「処理回路」(circuitry)などと称される。 In addition, each component described in the above-described embodiment is assumed to be software or firmware and corresponding hardware, and in both concepts, each component is a "part". Alternatively, it is referred to as a "processing circuit" or the like.

1 洗浄処理ユニット
9 制御部
10 チャンバー
11 側壁
12 天井壁
13 床壁
14 FFU
15 仕切板
18 排気ダクト
20,20A スピンチャック
21,21B スピンベース
21a 保持面
22 スピンモータ
23 カバー部材
24 回転軸
25 鍔状部材
26,26A チャックピン
26X チャックピン差分
28 下面処理液ノズル
30,60,65 ノズル
31 吐出ヘッド
32,62,67 ノズルアーム
33,63,68 ノズル基台
40 処理カップ
41 内カップ
42 中カップ
43 外カップ
43a,52a 下端部
43b,47b,52b 上端部
43c,52c 折り返し部
44 底部
45 内壁部
46 外壁部
47 第1案内部
48 中壁部
49 廃棄溝
50 内側回収溝
51 外側回収溝
52 第2案内部
53 処理液分離壁
70 カメラ
71 照明部
90 エッジ抽出部
91 判定部
92 コマンド送信部
95 表示部
96 入力部
100 基板処理装置
102 インデクサ
103 主搬送ロボット
150 ノズルヘッド
152 フランジ部
153 吸引面
154 液流路
154a 逆円錐面
155 気体流路
156 吐出口
200 外縁部差分
201 エッジ
332 モータ
1001 搬入工程
1002 チャック工程
1003 回転開始工程
1004 カップ上昇工程
1005 洗浄工程
1006 カップ下降工程
1007 開放工程
1008 搬出工程
1102A 処理回路
1103 記憶装置
1 Cleaning unit 9 Control unit 10 Chamber 11 Side wall 12 Ceiling wall 13 Floor wall 14 FFU
15 Partition plate 18 Exhaust duct 20, 20A Spin chuck 21, 21B Spin base 21a Holding surface 22 Spin motor 23 Cover member 24 Rotating shaft 25 Flange-shaped member 26, 26A Chuck pin 26X Chuck pin difference 28 Bottom treatment liquid nozzle 30, 60, 65 Nozzle 31 Discharge head 32,62,67 Nozzle arm 33,63,68 Nozzle base 40 Processing cup 41 Inner cup 42 Middle cup 43 Outer cup 43a, 52a Lower end 43b, 47b, 52b Upper end 43c, 52c Folded part 44 Bottom 45 Inner wall 46 Outer wall 47 1st guide 48 Middle wall 49 Disposal groove 50 Inner recovery groove 51 Outer recovery groove 52 2nd guide 53 Treatment liquid separation wall 70 Camera 71 Lighting part 90 Edge extraction part 91 Judgment part 92 Command transmitter 95 Display 96 Input 100 Board processing device 102 Indexer 103 Main transfer robot 150 Nozzle head 152 Flange 153 Suction surface 154 Liquid flow path 154a Inverted conical surface 155 Gas flow path 156 Discharge port 200 Outer edge difference 201 Edge 332 Motor 1001 Carry-in process 1002 Chuck process 1003 Rotation start process 1004 Cup ascending process 1005 Cleaning process 1006 Cup lowering process 1007 Opening process 1008 Unloading process 1102A Processing circuit 1103 Storage device

Claims (14)

基板を保持するための保持部と、
保持された前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力するための撮像部と、
複数の前記画像データ間の差分画像から、前記基板の前記外縁部を抽出するための抽出部と、
前記差分画像における前記基板の前記外縁部に基づいて、前記基板の保持状態を判定するための判定部とを備える、
基板処理装置。
A holding part for holding the board and
An imaging unit for capturing an imaging range including the outer edge of the substrate at a plurality of locations and outputting a plurality of image data of the substrate.
An extraction unit for extracting the outer edge portion of the substrate from the difference image between the plurality of the image data, and an extraction unit.
A determination unit for determining a holding state of the substrate based on the outer edge portion of the substrate in the difference image is provided.
Board processing equipment.
請求項1に記載の基板処理装置であり、
前記判定部は、前記差分画像における前記外縁部の長さに基づいて、前記基板の保持状態を判定する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1.
The determination unit determines the holding state of the substrate based on the length of the outer edge portion in the difference image.
Board processing equipment.
請求項1または2に記載の基板処理装置であり、
前記判定部は、前記差分画像における前記外縁部の長さの最大値に基づいて、前記基板の保持状態を判定する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.
The determination unit determines the holding state of the substrate based on the maximum value of the length of the outer edge portion in the difference image.
Board processing equipment.
請求項1から3のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記撮像部は、保持された前記基板の前記外縁部に沿って延びる前記撮像範囲を撮像する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
The imaging unit captures the imaging range extending along the outer edge of the held substrate.
Board processing equipment.
請求項4に記載の基板処理装置であり、
前記撮像部は、前記基板の前記外縁部に沿って延びるアーチ状の前記撮像範囲を撮像する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4.
The imaging unit captures the arched imaging range extending along the outer edge of the substrate.
Board processing equipment.
請求項1から5のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記撮像部は、保持された前記基板を前記基板の上方から撮像する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
The imaging unit captures the held substrate from above the substrate.
Board processing equipment.
請求項1から6のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記撮像部は、保持された前記基板を前記基板の外周側から撮像する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.
The imaging unit captures the held substrate from the outer peripheral side of the substrate.
Board processing equipment.
請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記判定部において前記基板の保持状態が異常状態と判定された場合に、警報を発報する発報部をさらに備える、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7.
The determination unit further includes an alarm unit that issues an alarm when the holding state of the substrate is determined to be an abnormal state.
Board processing equipment.
基板を保持し、かつ、回転させる工程と、
回転している前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力する工程と、
複数の前記画像データ間の差分画像から、前記基板の前記外縁部を抽出する工程と、
前記差分画像における前記基板の前記外縁部に基づいて、前記基板の保持状態を判定する工程とを備える、
基板処理方法。
The process of holding and rotating the board,
A step of capturing an imaging range including the outer edge of the rotating substrate at a plurality of locations and outputting a plurality of image data of the substrate.
A step of extracting the outer edge portion of the substrate from a difference image between a plurality of the image data, and
A step of determining a holding state of the substrate based on the outer edge portion of the substrate in the difference image is provided.
Substrate processing method.
請求項9に記載の基板処理方法であり、
前記基板の保持状態を判定する工程は、前記差分画像における前記外縁部の長さに基づいて、前記基板の保持状態を判定する工程である、
基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 9.
The step of determining the holding state of the substrate is a step of determining the holding state of the substrate based on the length of the outer edge portion in the difference image.
Substrate processing method.
請求項9または10に記載の基板処理方法であり、
前記基板の保持状態を判定する工程は、前記差分画像における前記外縁部の長さの最大値に基づいて、前記基板の保持状態を判定する工程である、
基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 9 or 10.
The step of determining the holding state of the substrate is a step of determining the holding state of the substrate based on the maximum value of the length of the outer edge portion in the difference image.
Substrate processing method.
請求項9から11のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
回転している前記基板を撮像する工程の後に、前記基板を処理する工程をさらに備える、
基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 9 to 11.
A step of processing the substrate is further provided after the step of imaging the rotating substrate.
Substrate processing method.
請求項9から12のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
回転している前記基板を撮像する工程の前に、前記基板を洗浄処理する工程をさらに備え、
回転している前記基板を撮像する工程は、前記洗浄処理後で前記基板を乾燥処理する前に行われる工程である、
基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 9 to 12.
A step of cleaning the substrate is further provided before the step of imaging the rotating substrate.
The step of imaging the rotating substrate is a step performed after the cleaning treatment and before the drying treatment of the substrate.
Substrate processing method.
請求項9から13のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記基板の保持状態を判定する工程において前記基板の保持状態が異常状態であると判定された場合に、前記基板の回転を停止する工程をさらに備える、
基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 9 to 13.
A step of stopping the rotation of the substrate when the holding state of the substrate is determined to be an abnormal state in the step of determining the holding state of the substrate is further provided.
Substrate processing method.
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