KR20210031832A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20210031832A
KR20210031832A KR1020200114597A KR20200114597A KR20210031832A KR 20210031832 A KR20210031832 A KR 20210031832A KR 1020200114597 A KR1020200114597 A KR 1020200114597A KR 20200114597 A KR20200114597 A KR 20200114597A KR 20210031832 A KR20210031832 A KR 20210031832A
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히데지 나오하라
다쓰야 마스이
유이치 데바
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

An objective of the present invention is to determine whether a substrate is normally held without requiring a reference image. A substrate processing apparatus comprises: a holding unit holding a substrate; an imaging unit imaging an imaging range including the outer edge of the held substrate at a plurality of locations and outputting a plurality of pieces of image data of the substrate; an extraction unit extracting the outer edge of the substrate from a difference image between the plurality of pieces of image data; and a determination unit determining a holding state of the substrate based on the outer edge of the substrate in the difference image.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본원 명세서에 개시되는 기술은, 기판 처리 장치, 및, 기판 처리 방법에 관한 것이다.The technology disclosed in this specification relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 디바이스 등의 제조 공정에 있어서는, 기판에 대해서 순수, 포토레지스트액 또는 에칭액 등의 처리액을 공급함으로써, 세정 처리 또는 레지스트 도포 처리 등의 기판 처리가 행해진다.In a manufacturing process of a semiconductor device or the like, a substrate treatment such as a cleaning treatment or a resist coating treatment is performed by supplying a treatment liquid such as pure water, a photoresist liquid, or an etching liquid to the substrate.

이들 처리액을 이용하는 액 처리를 행하는 장치로서, 기판을 회전시키면서, 그 기판의 상면에 노즐로부터의 처리액을 토출하는 기판 처리 장치가 이용되는 경우가 있다.As an apparatus for performing liquid treatment using these treatment liquids, there is a case where a substrate treatment apparatus that discharges a treatment liquid from a nozzle onto an upper surface of the substrate while rotating the substrate is used.

예를 들면, 특허 문헌 1에 있어서는, 기판이 정상적으로 유지되어 있는지 아닌지를 판정하기 위해서, 촬상 화상과 기준 화상을 비교하는 기술이 개시되어 있다.For example, in Patent Document 1, a technique of comparing a captured image and a reference image is disclosed in order to determine whether or not a substrate is normally held.

일본국 특허공개 2013-110270호 공보Japanese Patent Publication No. 2013-110270

특허 문헌 1에 개시된 기술에서는, 기판이 정상적으로 유지되어 있는지 아닌지를 판정하기 위해서는, 정상적으로 유지된 기판을 촬상한 화상인 기준 화상이 필요하다. 따라서, 정상적으로 유지된 기판을 미리 촬상해 두지 않으면, 기판이 정상적으로 유지되어 있는지 아닌지를 판정할 수 없다는 문제가 있었다.In the technique disclosed in Patent Document 1, in order to determine whether or not the substrate is normally held, a reference image, which is an image obtained by picking up the normally held substrate, is required. Therefore, there is a problem in that it cannot be determined whether or not the substrate is normally held unless an image of the substrate which is normally held is not captured in advance.

본원 명세서에 개시되는 기술은, 이상에 기재된 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 기준 화상을 필요로 하지 않고, 기판이 정상적으로 유지되어 있는지 아닌지를 판정하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.The technique disclosed in the specification of the present application has been made in view of the problems described above, and an object thereof is to provide a technique for determining whether or not a substrate is normally maintained without requiring a reference image.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제1의 양태는, 기판을 유지하기 위한 유지부와, 유지된 상기 기판의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상하고, 또한, 상기 기판의 복수의 화상 데이터를 출력하기 위한 촬상부와, 복수의 상기 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 상기 기판의 상기 외연부를 추출하기 위한 추출부와, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 외연부에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하기 위한 판정부를 구비한다.A first aspect of the technology disclosed in the specification of the present application captures an imaging range including a holding portion for holding a substrate and an outer edge portion of the held substrate at a plurality of locations, and further, a plurality of image data of the substrate. Holding the substrate based on an imaging unit for output, an extraction unit for extracting the outer edge of the substrate from a difference image between a plurality of image data, and the outer edge of the substrate in the difference image And a determination unit for determining the state.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제2의 양태는, 제1의 양태와 관련하여, 상기 판정부는, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정한다.In a second aspect of the technology disclosed in the present specification, with respect to the first aspect, the determination unit determines the holding state of the substrate based on the length of the outer edge in the differential image.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제3의 양태는, 제1 또는 2의 양태와 관련하여, 상기 판정부는, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이의 최대값에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정한다.In a third aspect of the technology disclosed in the present specification, with respect to the first or second aspect, the determination unit determines the holding state of the substrate based on the maximum value of the length of the outer edge in the differential image. Judge.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제4의 양태는, 제1~3 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 상기 촬상부는, 유지된 상기 기판의 상기 외연부를 따라서 연장되는 상기 촬상 범위를 촬상한다.In a fourth aspect of the technology disclosed in the present specification, in relation to any one of the first to third aspects, the imaging unit captures an image of the imaging range extending along the outer edge of the held substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제5의 양태는, 제4의 양태와 관련하여, 상기 촬상부는, 상기 기판의 상기 외연부를 따라서 연장되는 아치 형상의 상기 촬상 범위를 촬상한다.In a fifth aspect of the technology disclosed in the present specification, with respect to the fourth aspect, the imaging unit captures an image of the arcuate imaging range extending along the outer edge of the substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제6의 양태는, 제1~5 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 상기 촬상부는, 유지된 상기 기판을 상기 기판의 상방으로부터 촬상한다.In a sixth aspect of the technology disclosed in the present specification, in relation to any one of the first to fifth aspects, the imaging unit captures an image of the held substrate from above the substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제7의 양태는, 제1~6 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 상기 촬상부는, 유지된 상기 기판을 상기 기판의 외주 측으로부터 촬상한다.In a seventh aspect of the technology disclosed in the present specification, in relation to any one of the first to sixth aspects, the imaging unit captures the held substrate from the outer circumferential side of the substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제8의 양태는, 제1~7 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 상기 판정부에 있어서 상기 기판의 유지 상태가 이상 상태로 판정되었을 경우에, 경보를 발보(發報)하는 발보부를 더 구비한다.In the eighth aspect of the technology disclosed in the present specification, in relation to any one of the first to seventh aspects, when the holding state of the substrate in the determination unit is determined to be an abnormal state, an alarm is issued. It further includes a foot step to).

본원 명세서에 개시되는 기술의 제9의 양태는, 기판을 유지하고, 또한, 회전시키는 공정과, 회전하고 있는 상기 기판의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상하고, 또한, 상기 기판의 복수의 화상 데이터를 출력하는 공정과, 복수의 상기 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 상기 기판의 상기 외연부를 추출하는 공정과, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 외연부에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정을 구비한다.A ninth aspect of the technique disclosed in the specification of the present application is a process of holding and rotating a substrate, and an imaging range including an outer edge of the rotating substrate is imaged at a plurality of locations, and a plurality of the substrates The holding of the substrate based on the process of outputting the image data of, extracting the outer edge of the substrate from a difference image between a plurality of the image data, and the outer edge of the substrate in the difference image And a step of determining the state.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제10의 양태는, 제9의 양태와 관련하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정은, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정이다.In a tenth aspect of the technology disclosed in the present specification, in relation to the ninth aspect, the step of determining the holding state of the substrate is based on the length of the outer edge in the differential image, This is the process of determining the state.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제11의 양태는, 제9 또는 10의 양태와 관련하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정은, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이의 최대값에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정이다.In the eleventh aspect of the technology disclosed in the present specification, with respect to the ninth or tenth aspect, the step of determining the holding state of the substrate is based on the maximum value of the length of the outer edge in the differential image. Is a step of determining the holding state of the substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제12의 양태는, 제9~11 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 회전하고 있는 상기 기판을 촬상하는 공정 후에, 상기 기판을 처리하는 공정을 더 구비한다.A twelfth aspect of the technology disclosed in the present specification further includes a step of processing the substrate after the step of imaging the rotating substrate in relation to any one of the 9th to 11th aspects.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제13의 양태는, 제9~12 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 회전하고 있는 상기 기판을 촬상하는 공정 전에, 상기 기판을 세정 처리하는 공정을 더 구비하고, 회전하고 있는 상기 기판을 촬상하는 공정은, 상기 세정 처리 후에 상기 기판을 건조 처리하기 전에 행해지는 공정이다.A thirteenth aspect of the technology disclosed in the present specification further includes a process of cleaning the substrate prior to the process of imaging the rotating substrate, in relation to any one of the 9th to 12th aspects, and rotating The process of imaging the substrate being performed is a process performed after the cleaning treatment and before drying the substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제14의 양태는, 제9~13 중 어느 하나의 양태와 관련하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정에 있어서 상기 기판의 유지 상태가 이상 상태임이 판정되었을 경우에, 상기 기판의 회전을 정지하는 공정을 더 구비한다.In the 14th aspect of the technology disclosed in the present specification, when it is determined that the holding state of the substrate is an abnormal state in the process of determining the holding state of the substrate, in relation to any one of the 9th to 13th aspects. And a step of stopping the rotation of the substrate.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제1~14의 양태에 의하면, 기판의 복수 개소에 있어서의 화상 데이터를 이용하여 차분 화상을 작성하고, 또한, 차분 화상으로부터 기판의 외연부를 추출함으로써, 차분 화상에 있어서의 당해 외연부의 길이 등으로부터 기판의 유지 상태를 판정할 수 있다. 따라서, 정상적으로 유지된 기판의 화상 데이터를 기준 화상 데이터로서 유지하고 있지 않아도, 기판의 유지 상태를 판정할 수 있다.According to the first to 14 aspects of the technology disclosed in the specification of the present application, a difference image is created using image data in a plurality of locations on the substrate, and the outer edge of the substrate is extracted from the difference image. The holding state of the substrate can be determined from the length of the periphery of and the like. Accordingly, the holding state of the substrate can be determined even if the image data of the substrate normally held is not held as the reference image data.

또, 본원 명세서에 개시되는 기술과 관련되는 목적과, 특징과, 국면과, 이점은, 이하에 나타내어지는 상세한 설명과 첨부 도면에 의해서, 더 명백해진다.In addition, the objects, features, aspects, and advantages related to the technology disclosed in the specification of the present application will become more apparent from the detailed description shown below and the accompanying drawings.

도 1은, 실시의 형태에 관한, 기판 처리 장치의 전체 구성의 예를 나타낸 도면이다.
도 2는, 실시의 형태에 관한, 세정 처리 유닛의 평면도이다.
도 3은, 실시의 형태에 관한, 세정 처리 유닛의 단면도이다.
도 4는, 기판이 다른 방법에 의해 유지되는 경우의, 스핀 척의 구성의 예를 나타낸 단면도이다.
도 5는, 카메라, 노즐 및 기판의 위치 관계를 나타낸 도면이다.
도 6은, 제어부의 기능 블록도이다.
도 7은, 도 6에 예가 나타내어진 제어부를 실제로 운용하는 경우의 하드웨어 구성을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 8은, 실시의 형태에 관한, 기판 처리 장치의 동작을 나타낸 플로차트이다.
도 9는, 회전하고 있는 기판의 화상 프레임의 예를 나타낸 도면이다.
도 10은, 회전하고 있는 기판의 화상 프레임의 예를 나타낸 도면이다.
도 11은, 도 8에 예가 나타내어진 화상 프레임과, 도 9에 예가 나타내어진 화상 프레임의 차분 화상이다.
도 12는, 도 10에 예가 나타내어진 차분 화상에 의거하여, Canny 에지 추출을 행한 결과를 나타낸 도면이다.
도 13은, 차분 화상에 의거하여, Canny 에지 추출을 행한 결과의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14는, 도 11 또는 도 12와 같이 추출된 에지의 기판 둘레 방향의 길이의, 각 화상 프레임까지의 최대값을 나타낸 도면이다.
도 15는, 기판이 정상적으로 유지되어 있는 경우의, 차분 화상에 의거하여 추출되는 에지의 기판 둘레 방향의 길이의 최대값을, 기판 처리 장치의 각각의 동작에 있어서 측정했을 경우의 예를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating an example of an overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a plan view of a cleaning processing unit according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of a cleaning processing unit according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a spin chuck when the substrate is held by another method.
5 is a diagram showing a positional relationship between a camera, a nozzle, and a substrate.
6 is a functional block diagram of a control unit.
FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a hardware configuration when a control unit illustrated in FIG. 6 is actually operated.
8 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
9 is a diagram showing an example of an image frame of a rotating substrate.
10 is a diagram showing an example of an image frame of a rotating substrate.
11 is a difference image between the image frame shown in FIG. 8 and the image frame shown in FIG. 9.
12 is a diagram showing a result of Canny edge extraction based on the difference image shown in FIG. 10.
13 is a diagram showing another example of a result of performing Canny edge extraction based on a difference image.
FIG. 14 is a diagram showing the maximum value of the length of the edge extracted as in FIG. 11 or 12 in the peripheral direction of the substrate to each image frame.
Fig. 15 is a diagram showing an example when the maximum value of the length of the edge extracted based on the difference image in the circumferential direction of the substrate is measured in each operation of the substrate processing apparatus when the substrate is normally held. .

이하, 첨부되는 도면을 참조하면서 실시의 형태에 대해 설명한다. 이하의 실시의 형태에서는, 기술의 설명을 위해서 상세한 특징 등도 나타내어지는데, 그들은 예시이며, 실시의 형태가 실시 가능해지기 위해서 그들 모두가 반드시 필수의 특징은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the following embodiments, detailed features and the like are also shown for description of the technology, but they are only examples, and not all of them are necessarily essential features in order to enable the embodiments to be implemented.

또한, 도면은 개략적으로 나타내어지는 것이며, 설명의 편의를 위해, 적절히, 구성의 생략, 또는, 구성의 간략화가 도면에 있어서 이루어지는 것이다. 또, 상이한 도면에 각각 나타내어지는 구성 등의 크기 및 위치의 상호 관계는, 반드시 정확하게 기재되는 것이 아니고, 적절히 변경될 수 있는 것이다. 또, 단면도가 아닌 평면도 등의 도면에 있어서도, 실시의 형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위해서, 해칭이 실시되는 경우가 있다.In addition, the drawings are schematically shown, and for convenience of explanation, the configuration is omitted or the configuration is simplified in the drawings as appropriate. In addition, the mutual relationship between the size and the position of the configuration and the like shown in the different drawings, respectively, is not necessarily accurately described, but can be changed appropriately. In addition, even in drawings such as a plan view rather than a cross-sectional view, hatching may be performed in order to facilitate understanding of the contents of the embodiment.

또, 이하에 나타내어지는 설명에서는, 같은 구성 요소에는 같은 부호를 붙여 도시하여, 그들의 명칭과 기능에 대해서도 같은 것으로 한다. 따라서, 그들에 대한 상세한 설명을, 중복을 피하기 위해서 생략하는 경우가 있다.In addition, in the description shown below, the same components are denoted by the same reference numerals, and their names and functions are assumed to be the same. Therefore, detailed descriptions of them may be omitted in order to avoid duplication.

또, 이하에 기재되는 설명에 있어서, 어느 구성 요소가 「구비한다」, 「포함한다」또는 「갖는다」 등으로 기재되는 경우, 특별히 한정하지 않는 한은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적인 표현이 아니다.In addition, in the following description, when a component is described as ``having,'' ``including,'' or ``having,'' the exclusive expression excluding the presence of other components, unless otherwise limited. This is not.

또, 이하에 기재되는 설명에 있어서, 「상」, 「하」, 「좌」, 「우」, 「측」, 「바닥」, 「표(表)」 또는 「이(裏)」 등의 특정 위치 또는 방향을 의미하는 용어가 이용되는 경우가 있어도, 이들 용어는, 실시의 형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위해서 편의상 이용되는 것이며, 실제로 실시될 때의 위치 또는 방향과는 관계되지 않는 것이다.In addition, in the description described below, specifics such as "top", "bottom", "left", "right", "side", "bottom", "table" or "id" Even if terms that mean a position or direction are used, these terms are used for convenience in order to facilitate understanding of the contents of the embodiment, and are not related to the position or direction when actually implemented. .

＜실시의 형태＞<Embodiment>

이하, 본 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치, 및, 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present embodiment will be described.

＜기판 처리 장치의 구성에 대하여＞<About the configuration of the substrate processing device>

도 1은, 본 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치(100)의 전체 구성의 예를 나타내는 도면이다. 도 1에 예가 나타내어진 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 처리 대상인 기판(W)을 1매씩 처리하는 매엽식의 처리 장치이다. 또한, 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL(electroluminescence) 표시 장치 등의 flat panel display(FPD)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 또는, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.1 is a diagram showing an example of the overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment. As an example is shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer type processing apparatus which processes the substrate W which is a processing target one by one. In addition, substrates to be processed include, for example, semiconductor substrates, liquid crystal display substrates, flat panel display (FPD) substrates such as organic EL (electroluminescence) displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and optical substrates. A magnetic disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, a solar cell substrate, and the like are included.

본 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치(100)는, 원형 박판 형상인 실리콘 기판인 기판(W)에 대해서, 약액 및 순수 등의 린스액을 이용하여 세정 처리를 행한 후, 건조 처리를 행한다.The substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment performs a cleaning treatment on the substrate W, which is a circular thin plate-shaped silicon substrate, using a rinse liquid such as a chemical solution and pure water, and then a drying treatment.

상기의 약액으로는, 예를 들면, 암모니아와 과산화수소수의 혼합액(SC1), 염산과 과산화수소수의 혼합 수용액(SC2), 또는, DHF액(희불산) 등이 이용된다.As the above-described chemical solution, for example, a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution (SC1), a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution (SC2), or a DHF solution (dilute hydrofluoric acid) is used.

이하의 설명에서는, 약액과 린스액을 총칭하여 「처리액」이라고 한다. 또한, 세정 처리뿐만 아니라, 성막 처리를 위한 포토레지스트액 등의 도포액, 불필요한 막을 제거하기 위한 약액, 또는, 에칭을 위한 약액 등도 「처리액」에 포함되는 것으로 한다.In the following description, the chemical liquid and the rinse liquid are collectively referred to as "treatment liquid". In addition to the cleaning treatment, a coating liquid such as a photoresist liquid for film formation treatment, a chemical liquid for removing unnecessary films, or a chemical liquid for etching are also included in the "treatment liquid".

기판 처리 장치(100)는, 복수의 세정 처리 유닛(1)과, 인덱서(102)와, 주(主)반송 로봇(103)을 구비한다.The substrate processing apparatus 100 includes a plurality of cleaning processing units 1, an indexer 102, and a main transfer robot 103.

인덱서(102)는, 장치 밖으로부터 수취하는 처리 대상인 기판(W)을 장치 내에 반송함과 더불어, 기판 처리(처리컵의 승강, 세정 처리 및 건조 처리를 포함한다)가 완료되어 있는 처리 완료 기판(W)을 장치 밖으로 반출한다. 인덱서(102)는, 복수의 캐리어(도시 생략)를 배치함과 더불어, 이송 로봇(도시 생략)을 구비한다.The indexer 102 transfers the substrate W to be processed, which is received from the outside of the apparatus, into the apparatus, and the processed substrate (including the raising and lowering of the processing cup, cleaning processing, and drying processing) has been completed. W) out of the device. The indexer 102 is provided with a transfer robot (not shown) in addition to arranging a plurality of carriers (not shown).

캐리어로는, 기판(W)을 밀폐 공간에 수납하는 front opening unified pod(FOUP), standard mechanical interface(SMIF) 포드, 또는, 기판(W)을 외기에 노출시키는 en cassette(OC)가 채용되어도 된다. 또, 이송 로봇은, 캐리어와 주반송 로봇(103)의 사이에서 기판(W)을 이송한다.As a carrier, a front opening unified pod (FOUP) that accommodates the substrate W in an enclosed space, a standard mechanical interface (SMIF) pod, or an en cassette (OC) that exposes the substrate W to the outside air may be employed. . Moreover, the transfer robot transfers the substrate W between the carrier and the main transfer robot 103.

세정 처리 유닛(1)은, 1매의 기판(W)에 대해서 세정 처리 및 건조 처리를 행한다. 본 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치(100)에는, 12개의 세정 처리 유닛(1)이 배치되어 있다.The cleaning processing unit 1 performs cleaning processing and drying processing on one substrate W. Twelve cleaning processing units 1 are disposed in the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.

구체적으로는, 각각이 연직 방향으로 적층된 3개의 세정 처리 유닛(1)을 포함하는 4개의 타워가, 주반송 로봇(103)의 주위를 둘러싸도록 하여 배치되어 있다.Specifically, four towers including three cleaning processing units 1 each stacked in a vertical direction are arranged so as to surround the main transport robot 103.

도 1에서는, 3단으로 겹쳐진 세정 처리 유닛(1) 중 하나가 개략적으로 나타내어져 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)에 있어서의 세정 처리 유닛(1)의 수량은, 12개에 한정되는 것이 아니고, 적절히 변경되어도 된다.In Fig. 1, one of the cleaning processing units 1 overlapped in three stages is schematically shown. In addition, the number of cleaning processing units 1 in the substrate processing apparatus 100 is not limited to 12, and may be appropriately changed.

주반송 로봇(103)은, 세정 처리 유닛(1)이 적층된 4개의 타워의 중앙에 설치되어 있다. 주반송 로봇(103)은, 인덱서(102)로부터 수취하는 처리 대상의 기판(W)을 각 세정 처리 유닛(1)에 반입한다. 또, 주반송 로봇(103)은, 각 세정 처리 유닛(1)으로부터 처리 완료 기판(W)을 반출하여 인덱서(102)에 건네준다.The main transfer robot 103 is installed in the center of the four towers in which the cleaning processing units 1 are stacked. The main transfer robot 103 carries the substrate W to be processed received from the indexer 102 into each cleaning processing unit 1. Moreover, the main transfer robot 103 carries out the processed board|substrate W from each cleaning processing unit 1, and passes it to the indexer 102.

이하, 기판 처리 장치(100)에 탑재된 12개의 세정 처리 유닛(1) 중 하나에 대해 설명하는데, 다른 세정 처리 유닛(1)에 대해서도, 노즐의 배치 관계가 상이한 것 이외는, 동일한 구성을 갖는다.Hereinafter, one of the 12 cleaning processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 will be described, but the other cleaning processing units 1 also have the same configuration except that the nozzle arrangement relationship is different. .

도 2는, 본 실시의 형태에 관한 세정 처리 유닛(1)의 평면도이다. 또, 도 3은, 본 실시의 형태에 관한 세정 처리 유닛(1)의 단면도이다.2 is a plan view of the cleaning processing unit 1 according to the present embodiment. In addition, FIG. 3 is a cross-sectional view of the cleaning processing unit 1 according to the present embodiment.

도 2는, 스핀 척(20)에 기판(W)이 유지되어 있지 않은 상태를 나타내고 있고, 도 3은, 스핀 척(20)에 기판(W)이 유지되어 있는 상태를 나타내고 있다.FIG. 2 shows a state in which the substrate W is not held by the spin chuck 20, and FIG. 3 shows a state in which the substrate W is held by the spin chuck 20.

세정 처리 유닛(1)은, 챔버(10) 내에, 기판(W)을 수평 자세(즉, 기판(W)의 상면의 법선이 연직 방향을 따르는 자세)로 유지하는 스핀 척(20)과, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 상면에 처리액을 공급하기 위한 3개의 노즐(30), 노즐(60) 및 노즐(65)과, 스핀 척(20)의 주위를 둘러싸는 처리컵(40)과, 스핀 척(20)의 상방의 공간을 촬상하는 카메라(70)를 구비한다.The cleaning processing unit 1 includes a spin chuck 20 that holds the substrate W in a horizontal position (that is, a position in which the normal of the upper surface of the substrate W follows a vertical direction) in the chamber 10, and a spin Three nozzles 30, nozzle 60, and nozzle 65 for supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate W held in the chuck 20, and a processing cup surrounding the spin chuck 20 40 and a camera 70 for capturing a space above the spin chuck 20 are provided.

또, 챔버(10) 내에 있어서의 처리컵(40)의 주위에는, 챔버(10)의 내측 공간을 상하로 구획하는 칸막이판(15)이 설치되어 있다.Further, around the processing cup 40 in the chamber 10, a partition plate 15 is provided to partition the inner space of the chamber 10 up and down.

챔버(10)는, 연직 방향을 따름과 더불어 사방을 둘러싸는 측벽(11)과, 측벽(11)의 상측을 폐색하는 천정벽(12), 측벽(11)의 하측을 폐색하는 바닥벽(13)을 구비한다. 측벽(11), 천정벽(12) 및 바닥벽(13)에 의해서 둘러싸인 공간이 기판(W)의 처리 공간이 된다.The chamber 10 includes a side wall 11 that surrounds all four sides while following a vertical direction, a ceiling wall 12 that closes the upper side of the side wall 11, and a bottom wall 13 that closes the lower side of the side wall 11 ). The space surrounded by the side wall 11, the ceiling wall 12, and the bottom wall 13 becomes a processing space of the substrate W.

또, 챔버(10)의 측벽(11)의 일부에는, 챔버(10)에 대해서 주반송 로봇(103)이 기판(W)을 반출입하기 위한 반출입구, 및, 그 반출 입구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다(모두 도시 생략).In addition, on a part of the side wall 11 of the chamber 10, a carry-in port for the main transfer robot 103 to carry the substrate W in and out of the chamber 10, and a shutter for opening and closing the carry-out inlet are provided. (All not shown).

챔버(10)의 천정벽(12)에는, 기판 처리 장치(100)가 설치되어 있는 클린 룸 내의 공기를 더 청정화하여 챔버(10) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛(FFU)(14)이 장착되어 있다. FFU(14)는, 클린 룸 내의 공기를 끌어들여 챔버(10) 내에 송출하기 위한 팬 및 필터(예를 들면, high efficiency particulate air filter(HEPA) 필터)를 구비하고 있다.On the ceiling wall 12 of the chamber 10, a fan filter unit (FFU) 14 for further purifying the air in the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed and supplying it to the processing space in the chamber 10 It is equipped. The FFU 14 is provided with a fan and a filter (for example, a high efficiency particulate air filter (HEPA) filter) for drawing in air in the clean room and sending it out into the chamber 10.

FFU(14)는, 챔버(10) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로우를 형성한다. FFU(14)로부터 공급된 청정 공기를 균일하게 분산시키기 위해서, 다수의 취출(吹出) 구멍이 형성된 펀칭 플레이트를 천정벽(12)의 바로 아래에 설치해도 된다.The FFU 14 forms a downflow of clean air in the processing space in the chamber 10. In order to uniformly disperse the clean air supplied from the FFU 14, a punching plate in which a number of ejection holes are formed may be provided directly under the ceiling wall 12.

스핀 척(20)은, 스핀 베이스(21), 스핀 모터(22), 커버 부재(23) 및 회전축(24)을 구비한다. 스핀 베이스(21)는, 원판 형상을 갖고 있고, 연직 방향을 따라서 연장되는 회전축(24)의 상단에 수평 자세로 고정되어 있다. 스핀 모터(22)는, 스핀 베이스(21)의 하방에 설치되어 있고, 회전축(24)을 회전시킨다. 스핀 모터(22)는, 회전축(24)을 개재하여 스핀 베이스(21)를 수평면 내에 있어서 회전시킨다. 커버 부재(23)는, 스핀 모터(22) 및 회전축(24)의 주위를 둘러싸는 통형 형상을 갖는다.The spin chuck 20 includes a spin base 21, a spin motor 22, a cover member 23, and a rotation shaft 24. The spin base 21 has a disk shape and is fixed in a horizontal posture to an upper end of a rotation shaft 24 extending along the vertical direction. The spin motor 22 is provided below the spin base 21 and rotates the rotation shaft 24. The spin motor 22 rotates the spin base 21 in a horizontal plane via the rotation shaft 24. The cover member 23 has a cylindrical shape surrounding the spin motor 22 and the rotation shaft 24.

원판 형상의 스핀 베이스(21)의 외경은, 스핀 척(20)에 유지되는 원형의 기판(W)의 직경보다 약간 크다. 따라서, 스핀 베이스(21)는, 유지해야 할 기판(W)의 하면의 전면과 대향하는 유지면(21a)을 갖는다.The outer diameter of the disk-shaped spin base 21 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held by the spin chuck 20. Accordingly, the spin base 21 has a holding surface 21a facing the front surface of the lower surface of the substrate W to be held.

스핀 베이스(21)의 유지면(21a)의 주연부에는 복수(본 실시의 형태에서는 4개)의 척 핀(26)이 설치되어 있다. 복수의 척 핀(26)은, 원형의 기판(W)의 외주원의 외경에 대응하는 원주 상을 따라서, 균등한 간격을 두고 배치되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 4개의 척 핀(26)이 90°간격으로 설치되어 있다.A plurality of (four in this embodiment) chuck pins 26 are provided at the periphery of the holding surface 21a of the spin base 21. The plurality of chuck pins 26 are arranged at equal intervals along the circumferential image corresponding to the outer diameter of the outer circumference of the circular substrate W. In this embodiment, four chuck pins 26 are provided at intervals of 90°.

복수의 척 핀(26)은, 스핀 베이스(21) 내에 수용된 도시 생략된 링크 기구에 의해서 연동하여 구동된다. 스핀 척(20)은, 복수의 척 핀(26)의 각각을 기판(W)의 외주단에 맞닿게 하여 기판(W)을 파지함으로써, 당해 기판(W)을 스핀 베이스(21)의 상방에서 유지면(21a)에 근접하는 수평 자세로 유지한다(도 3을 참조). 또, 스핀 척(20)은, 복수의 척 핀(26)의 각각을 기판(W)의 외주단으로부터 이격시킴으로써, 기판(W)의 파지를 해제한다. 또한, 기판(W)을 유지하는 방법은, 본 실시의 형태에 나타내어진 척 핀을 이용하는 방법에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 기판(W)을 진공 흡착하는 진공 척, 또는, 기체를 분출하여 베르누이의 원리에 의해서 기판(W)을 흡인하는 베르누이 척(후술) 등이어도 된다.The plurality of chuck pins 26 are driven interlockingly by a link mechanism (not shown) housed in the spin base 21. The spin chuck 20 holds the substrate W by bringing each of the plurality of chuck pins 26 into contact with the outer circumferential end of the substrate W, so that the substrate W is moved above the spin base 21. It is maintained in a horizontal posture close to the holding surface 21a (see Fig. 3). Further, the spin chuck 20 releases the holding of the substrate W by separating each of the plurality of chuck pins 26 from the outer circumferential end of the substrate W. In addition, the method of holding the substrate W is not limited to the method using the chuck pin shown in the present embodiment, for example, a vacuum chuck for vacuum adsorption of the substrate W, or a gas ejection Thus, it may be a Bernoulli chuck (described later) or the like that sucks the substrate W according to Bernoulli's principle.

스핀 모터(22)를 덮는 커버 부재(23)는, 그 하단이 챔버(10)의 바닥벽(13)에 고정되고, 상단이 스핀 베이스(21)의 바로 아래에까지 도달하고 있다. 커버 부재(23)의 상단부에는, 커버 부재(23)로부터 외방으로 거의 수평으로 돌출하여, 더 하방으로 굴곡하여 연장되는 플랜지 형상 부재(25)가 설치되어 있다.The cover member 23 covering the spin motor 22 has its lower end fixed to the bottom wall 13 of the chamber 10, and its upper end reaches just below the spin base 21. At the upper end of the cover member 23, a flange-shaped member 25 is provided that protrudes outward from the cover member 23 substantially horizontally and extends by bending further downward.

복수의 척 핀(26)에 의한 파지에 의해서 스핀 척(20)이 기판(W)을 유지하고 있는 상태에서, 스핀 모터(22)가 회전축(24)을 회전시킴으로써, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 회전축선(CX) 둘레로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 또한, 스핀 모터(22)의 구동은 제어부(9)에 의해서 제어된다.While the spin chuck 20 is holding the substrate W by gripping by a plurality of chuck pins 26, the spin motor 22 rotates the rotation shaft 24, thereby reducing the center of the substrate W. The substrate W may be rotated around the rotation axis CX along the passing vertical direction. Further, the drive of the spin motor 22 is controlled by the control unit 9.

노즐(30)은, 노즐 아암(32)의 선단에 토출 헤드(31)를 장착하여 구성되어 있다. 노즐 아암(32)의 기단측은 노즐 기대(33)에 고정하여 연결되어 있다. 노즐 기대(33)에 설치된 모터(332)(노즐 이동부)에 의해서 연직 방향을 따른 축의 둘레에서 회동 가능하게 되어 있다.The nozzle 30 is configured by attaching the discharge head 31 to the tip end of the nozzle arm 32. The base end side of the nozzle arm 32 is fixedly connected to the nozzle base 33. The motor 332 (nozzle moving part) provided on the nozzle base 33 enables rotation around the axis along the vertical direction.

노즐 기대(33)가 회동함으로써, 도 2 중의 화살표(AR34)로 나타내는 바와 같이, 노즐(30)은, 스핀 척(20)의 상방의 위치와 처리컵(40)보다 외측의 대기 위치의 사이에서 수평 방향을 따라서 원호 형상으로 이동시킨다. 노즐 기대(33)의 회동에 의해서, 노즐(30)은 스핀 베이스(21)의 유지면(21a)의 상방에 있어서 요동한다. 상세하게는, 스핀 베이스(21)보다 상방에 있어서, 수평 방향으로 연장되는 기정된 처리 구간(PS1)(후술)을 이동한다. 또한, 노즐(30)을 처리 구간(PS1) 내에서 이동시키는 것은, 선단의 토출 헤드(31)를 처리 구간(PS1) 내에서 이동시키는 것과 같은 의미이다.As the nozzle base 33 rotates, as indicated by the arrow AR34 in FIG. 2, the nozzle 30 is positioned between the upper position of the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40. It moves in an arc shape along the horizontal direction. Due to the rotation of the nozzle base 33, the nozzle 30 swings above the holding surface 21a of the spin base 21. Specifically, above the spin base 21, the predetermined processing section PS1 (to be described later) extending in the horizontal direction is moved. In addition, moving the nozzle 30 within the processing section PS1 has the same meaning as moving the discharging head 31 at the tip end within the processing section PS1.

노즐(30)에는, 복수 종의 처리액(적어도 순수를 포함한다)이 공급되도록 구성되어 있고, 토출 헤드(31)로부터 복수 종의 처리액이 토출 가능하다. 또한, 노즐(30)의 선단에 복수의 토출 헤드(31)를 설치하고, 각각으로부터 개별적으로 동일 또는 상이한 처리액이 토출되어도 된다. 노즐(30)(상세하게는 토출 헤드(31))은, 수평 방향으로 원호 형상으로 연장되는 처리 구간(PS1)을 이동하면서, 처리액을 토출한다. 노즐(30)로부터 토출된 처리액은, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 상면에 착액한다.The nozzle 30 is configured to supply a plurality of types of processing liquids (including at least pure water), and a plurality of types of processing liquids can be discharged from the discharge head 31. Further, a plurality of discharge heads 31 may be provided at the tip of the nozzle 30, and the same or different treatment liquids may be discharged individually from each of them. The nozzle 30 (in detail, the discharge head 31) discharges the processing liquid while moving the processing section PS1 extending in an arc shape in the horizontal direction. The processing liquid discharged from the nozzle 30 lands on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

본 실시의 형태의 세정 처리 유닛(1)에는, 상기한 노즐(30)에 더하여 추가로 2개의 노즐(60) 및 노즐(65)이 설치되어 있다. 본 실시의 형태의 노즐(60) 및 노즐(65)은, 상기한 노즐(30)과 동일한 구성을 구비한다.In addition to the nozzle 30 described above, two nozzles 60 and 65 are provided in the cleaning processing unit 1 of the present embodiment. The nozzle 60 and the nozzle 65 of the present embodiment have the same configuration as the nozzle 30 described above.

즉, 노즐(60)은, 노즐 아암(62)의 선단에 토출 헤드를 장착하여 구성되고, 노즐 아암(62)의 기단 측에 연결된 노즐 기대(63)에 의해서, 화살표(AR64)에 의해서 나타내어지는 바와 같이, 스핀 척(20)의 상방의 처리 위치와 처리컵(40)보다 외측의 대기 위치의 사이에서 원호 형상으로 이동한다.That is, the nozzle 60 is configured by attaching a discharge head to the tip end of the nozzle arm 62, and indicated by the arrow AR64 by the nozzle base 63 connected to the base end side of the nozzle arm 62. As described above, it moves in an arc shape between the processing position above the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40.

마찬가지로, 노즐(65)은, 노즐 아암(67)의 선단에 토출 헤드를 장착하여 구성되고, 노즐 아암(67)의 기단 측에 연결된 노즐 기대(68)에 의해서, 화살표(AR69)에 의해서 나타내어지는 바와 같이, 스핀 척(20)의 상방의 처리 위치와 처리컵(40)보다 외측의 대기 위치의 사이에서 원호 형상으로 이동한다.Similarly, the nozzle 65 is configured by attaching a discharge head to the tip end of the nozzle arm 67, indicated by the arrow AR69 by the nozzle base 68 connected to the base end side of the nozzle arm 67. As described above, it moves in an arc shape between the processing position above the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40.

노즐(60) 및 노즐(65)에도, 적어도 순수를 포함하는 복수 종의 처리액이 공급되도록 구성되어 있고, 처리 위치에서 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 상면에 처리액을 토출한다. 또한, 노즐(60) 및 노즐(65) 중 적어도 한쪽은, 순수 등의 세정액과 가압한 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 그 액적과 기체의 혼합 유체를 기판(W)에 분사하는 이류체 노즐이어도 된다. 또, 세정 처리 유닛(1)에 설치되는 노즐 수는 3개에 한정되는 것이 아니고, 1개 이상이면 된다.A plurality of types of processing liquids including at least pure water are supplied to the nozzle 60 and the nozzle 65 as well, and the processing liquid is discharged to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 at the processing position. do. In addition, at least one of the nozzles 60 and 65 is a two-fluid nozzle that generates droplets by mixing a cleaning liquid such as pure water and pressurized gas, and injects a mixed fluid of the droplets and gas onto the substrate W. May be. In addition, the number of nozzles installed in the cleaning processing unit 1 is not limited to three, but may be one or more.

노즐(30), 노즐(60) 및 노즐(65) 각각을, 원호 형상으로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들면, 직도 구동부를 설치함으로써, 노즐을 직선 이동시켜도 되고, 주회해도 된다.It is not essential to move each of the nozzle 30, the nozzle 60, and the nozzle 65 in an arc shape. For example, the nozzle may be moved linearly or circumferentially by providing a straight drive unit.

회전축(24)의 내측을 삽입 통과하도록 하여 연직 방향을 따라서, 하면 처리액 노즐(28)이 설치되어 있다. 하면 처리액 노즐(28)의 상단 개구는, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 하면 중앙에 대향하는 위치에 형성되어 있다. 하면 처리액 노즐(28)에도 복수 종의 처리액이 공급되도록 구성되어 있다. 하면 처리액 노즐(28)로부터 토출된 처리액은, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 하면에 착액한다.A lower surface treatment liquid nozzle 28 is provided along the vertical direction with the inner side of the rotation shaft 24 inserted therethrough. The upper end opening of the lower surface treatment liquid nozzle 28 is formed at a position opposite to the center of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20. The lower surface treatment liquid nozzle 28 is also configured such that a plurality of types of treatment liquids are supplied. The processing liquid discharged from the lower surface treatment liquid nozzle 28 lands on the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

스핀 척(20)을 둘러싸는 처리컵(40)은, 서로 독립적으로 승강 가능한 내컵(41), 중간컵(42) 및 외컵(43)을 구비하고 있다. 내컵(41)은, 스핀 척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 중심을 통과하는 회전축선(CX)에 대해서 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 내컵(41)은, 평면에서 볼 때 원환 형상의 바닥부(44)와, 바닥부(44)의 내주연으로부터 상방으로 상승하는 원통 형상의 내벽부(45)와, 바닥부(44)의 외주연으로부터 상방으로 상승하는 원통 형상의 외벽부(46)와, 내벽부(45)와 외벽부(46)의 사이로부터 상승하고, 상단부가 매끄러운 원호를 그리면서 중심측(스핀 척(20)에 유지되는 기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬히 상방으로 연장되는 제1 안내부(47)와, 제1 안내부(47)와 외벽부(46)의 사이로부터 상방으로 상승하는 원통 형상의 중벽부(48)를 일체적으로 구비하고 있다.The processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 includes an inner cup 41, an intermediate cup 42, and an outer cup 43 that can be moved up and down independently of each other. The inner cup 41 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to a rotation axis CX that surrounds the spin chuck 20 and passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. This inner cup 41 includes an annular bottom portion 44, a cylindrical inner wall portion 45 rising upward from the inner periphery of the bottom portion 44, and the bottom portion 44 in plan view. The outer wall portion 46 of a cylindrical shape rising upward from the outer periphery, and rising from between the inner wall portion 45 and the outer wall portion 46, and the upper end portion draws a smooth circular arc while drawing the center side (on the spin chuck 20). A direction that approaches the rotation axis (CX) of the substrate (W) being held) rises upward from the first guide portion 47 extending obliquely upward and between the first guide portion 47 and the outer wall portion 46 The cylindrical heavy wall portion 48 is integrally provided.

내벽부(45)는, 내컵(41)이 가장 상승된 상태에서, 커버 부재(23)와 플랜지 형상 부재(25)의 사이에 적당한 간극을 유지하여 수용되는 길이로 형성되어 있다. 중벽부(48)는, 내컵(41)과 중간컵(42)이 가장 근접한 상태에서, 중간컵(42)의 후술하는 제2 안내부(52)와 처리액 분리벽(53)의 사이에 적당한 간극을 유지하여 수용되는 길이로 형성되어 있다.The inner wall portion 45 is formed to have a length accommodated by maintaining an appropriate gap between the cover member 23 and the flange-like member 25 in the state in which the inner cup 41 is most raised. The middle wall portion 48 is suitable between the second guide portion 52 to be described later and the treatment liquid separation wall 53 of the middle cup 42 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. It is formed in a length that is accommodated by maintaining a gap.

제1 안내부(47)는, 매끄러운 원호를 그리면서 중심측(기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬히 상방으로 연장되는 상단부(47b)를 갖는다. 또, 내벽부(45)와 제1 안내부(47)의 사이는, 사용 완료된 처리액을 모아 폐기하기 위한 폐기 홈(49)으로 되어 있다. 제1 안내부(47)와 중벽부(48)의 사이는, 사용 완료된 처리액을 모아 회수하기 위한 원환 형상의 내측 회수 홈(50)으로 되어 있다. 또한, 중벽부(48)와 외벽부(46)의 사이는, 내측 회수 홈(50)과는 종류가 상이한 처리액을 모아 회수하기 위한 원환 형상의 외측 회수 홈(51)으로 되어 있다.The first guide portion 47 has an upper end portion 47b extending obliquely upward at the center side (a direction closer to the rotation axis CX of the substrate W) while drawing a smooth arc. Further, between the inner wall portion 45 and the first guide portion 47, a waste groove 49 for collecting and discarding the used treatment liquid is formed. Between the first guide portion 47 and the heavy wall portion 48 is an annular inner recovery groove 50 for collecting and recovering the used treatment liquid. Further, between the middle wall portion 48 and the outer wall portion 46, an annular outer recovery groove 51 for collecting and recovering a processing liquid having a different type from the inner recovery groove 50 is formed.

폐기 홈(49)에는, 이 폐기 홈(49)에 모아진 처리액을 배출함과 더불어, 폐기 홈(49) 내를 강제적으로 배기하기 위한 도시 생략된 배기액 기구가 접속되어 있다. 배기액 기구는, 예를 들면, 폐기 홈(49)의 둘레 방향을 따라서 등간격으로 4개 설치되어 있다. 또, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)에는, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)에 각각 모아진 처리액을 기판 처리 장치(100)의 외부에 설치된 회수 탱크에 회수하기 위한 회수 기구(모두 도시 생략)가 접속되어 있다.An exhaust liquid mechanism (not shown) is connected to the waste groove 49 for discharging the treatment liquid collected in the waste groove 49 and forcibly exhausting the inside of the waste groove 49. Four exhaust liquid mechanisms are provided at equal intervals along the circumferential direction of the waste groove 49, for example. In addition, in the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51, the processing liquid collected in the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51, respectively, is collected in a recovery tank installed outside the substrate processing apparatus 100. A recovery mechanism (all not shown) for the following is connected.

또한, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)의 바닥부는, 수평 방향에 대해서 미소 각도만 경사져 있고, 그 가장 낮아지는 위치에 회수 기구가 접속되어 있다. 이에 의해, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)에 흘러든 처리액이 원활하게 회수된다.Further, the bottom portions of the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 are inclined only at a small angle with respect to the horizontal direction, and a recovery mechanism is connected to the lowest position thereof. Thereby, the processing liquid flowing into the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 is recovered smoothly.

중간컵(42)은, 스핀 척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 중심을 통과하는 회전축선(CX)에 대해서 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 중간컵(42)은, 제2 안내부(52)와, 이 제2 안내부(52)에 연결된 원통 형상의 처리액 분리벽(53)을 갖는다.The intermediate cup 42 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to a rotation axis CX that surrounds the spin chuck 20 and passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. This intermediate cup 42 has a second guide portion 52 and a cylindrical treatment liquid separation wall 53 connected to the second guide portion 52.

제2 안내부(52)는, 내컵(41)의 제1 안내부(47)의 외측에 있어서, 제1 안내부(47)의 하단부와 둥축 원통 형상인 하단부(52a)와, 하단부(52a)의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심 측(기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬히 상방으로 연장되는 상단부(52b)와, 상단부(52b)의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 꺾임부(52c)를 갖는다. 하단부(52a)는, 내컵(41)과 중간컵(42)이 가장 근접한 상태에서, 제1 안내부(47)와 중벽부(48)의 사이에 적당한 간극을 유지하여 내측 회수 홈(50) 내에 수용된다. 또, 상단부(52b)는, 내컵(41)의 제1 안내부(47)의 상단부(47b)와 상하 방향으로 겹쳐지도록 설치되고, 내컵(41)과 중간컵(42)이 가장 근접한 상태에서, 제1 안내부(47)의 상단부(47b)에 대해서 극히 미소한 간격을 유지하며 근접한다. 꺾임부(52c)는, 내컵(41)과 중간컵(42)이 가장 근접한 상태에서, 꺾임부(52c)가 제1 안내부(47)의 상단부(47b)의 선단과 수평 방향으로 겹쳐진다.The second guide portion 52, on the outside of the first guide portion 47 of the inner cup 41, has a lower end portion of the first guide portion 47, a lower end portion 52a having a cylindrical cylindrical shape, and a lower end portion 52a. It is formed by drawing a smooth arc from the top of the center side (direction closer to the rotation axis (CX) of the substrate (W)) by folding the upper end 52b extending obliquely upward and the tip of the upper end 52b downward. It has a bent part 52c to be formed. The lower end portion 52a maintains an appropriate gap between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 in a state in which the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, so that it is in the inner recovery groove 50. Is accepted. In addition, the upper end portion 52b is installed so as to overlap the upper end portion 47b of the first guide portion 47 of the inner cup 41 in the vertical direction, and in a state where the inner cup 41 and the intermediate cup 42 are closest to each other, The first guide portion 47 is close to the upper end portion 47b while maintaining a very small distance. In the state where the inner cup 41 and the intermediate cup 42 are closest to each other, the bent portion 52c overlaps the tip end of the upper end portion 47b of the first guide portion 47 in the horizontal direction.

제2 안내부(52)의 상단부(52b)는, 하방만큼 두께가 두꺼워지도록 형성되어 있다. 처리액 분리벽(53)은, 상단부(52b)의 하단 외주연부로부터 하방으로 연장되도록 형성된 원통 형상을 갖는다. 처리액 분리벽(53)은, 내컵(41)과 중간컵(42)이 가장 근접한 상태에서, 중벽부(48)와 외컵(43)의 사이에 적당한 간극을 유지하며 외측 회수 홈(51) 내에 수용된다.The upper end portion 52b of the second guide portion 52 is formed to be thicker by the lower portion. The treatment liquid separation wall 53 has a cylindrical shape formed so as to extend downward from the lower outer peripheral edge of the upper end 52b. The treatment liquid separation wall 53 maintains an appropriate gap between the middle wall portion 48 and the outer cup 43 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, and is in the outer recovery groove 51. Is accepted.

외컵(43)은, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 중심을 통과하는 회전축선(CX)에 대해서 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 외컵(43)은, 중간컵(42)의 제2 안내부(52)의 외측에 있어서, 스핀 척(20)을 둘러싼다. 이 외컵(43)은, 제3 안내부로서의 기능을 갖는다. 외컵(43)은, 제2 안내부(52)의 하단부(52a)와 동축 원통 형상을 이루는 하단부(43a)와, 하단부(43a)의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심 측(기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬히 상방으로 연장되는 상단부(43b)와, 상단부(43b)의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 꺾임부(43c)를 갖는다.The outer cup 43 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to a rotation axis CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The outer cup 43 surrounds the spin chuck 20 on the outside of the second guide portion 52 of the intermediate cup 42. This outer cup 43 has a function as a third guide. The outer cup 43 draws a smooth arc from the upper end of the lower end portion 52a of the second guide portion 52 and the lower end portion 43a coaxially with the lower end portion 43a, and the center side (of the substrate W). A direction approaching the rotation axis CX) has an upper end portion 43b extending obliquely upward, and a bent portion 43c formed by folding the tip end of the upper end portion 43b downwardly.

하단부(43a)는, 내컵(41)과 외컵(43)이 가장 근접한 상태에서, 중간컵(42)의 처리액 분리벽(53)과 내컵(41)의 외벽부(46)의 사이에 적당한 간극을 유지하며 외측 회수 홈(51) 내에 수용된다. 상단부(43b)는, 중간컵(42)의 제2 안내부(52)와 상하 방향으로 겹쳐지도록 설치되고, 중간컵(42)과 외컵(43)이 가장 근접한 상태에서, 제2 안내부(52)의 상단부(52b)에 대해서 극히 미소한 간격을 유지하며 근접한다. 중간컵(42)과 외컵(43)이 가장 근접한 상태에서, 꺾임부(43c)가 제2 안내부(52)의 꺾임부(52c)와 수평 방향으로 겹쳐진다.The lower end portion 43a is a suitable gap between the treatment liquid separation wall 53 of the intermediate cup 42 and the outer wall portion 46 of the inner cup 41 in a state where the inner cup 41 and the outer cup 43 are closest to each other. And is accommodated in the outer recovery groove 51. The upper end portion 43b is installed so as to overlap the second guide portion 52 of the middle cup 42 in the vertical direction, and in a state where the middle cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other, the second guide portion 52 ) With respect to the upper end (52b), maintaining a very small distance and close. In a state where the middle cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other, the bent portion 43c overlaps the bent portion 52c of the second guide portion 52 in the horizontal direction.

내컵(41), 중간컵(42) 및 외컵(43)은 서로 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다. 즉, 내컵(41), 중간컵(42) 및 외컵(43) 각각에는 개별적으로 승강 기구(도시 생략)가 설치되어 있고, 그에 따라 별개 독립적으로 승강된다. 이러한 승강 기구로는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 공지의 여러 가지의 기구를 채용할 수 있다.The inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 can be lifted and lowered independently of each other. That is, each of the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 is individually provided with an elevating mechanism (not shown), and accordingly, it is independently elevated and lowered separately. As such an elevating mechanism, for example, various known mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be employed.

칸막이판(15)은, 처리컵(40)의 주위에 있어서 챔버(10)의 내측 공간을 상하로 구획하도록 설치되어 있다. 칸막이판(15)은, 처리컵(40)을 둘러싸는 1매의 판 형상 부재여도 되고, 복수의 판 형상 부재를 이어 붙인 것이어도 된다. 또, 칸막이판(15)에는, 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이나 절결이 형성되어 있어도 되고, 본 실시의 형태에서는 노즐(30), 노즐(60) 및 노즐(65)의 노즐 기대(33), 노즐 기대(63) 및 노즐 기대(68)를 지지하기 위한 지지축을 통과하기 위한 관통 구멍이 형성되어 있다.The partition plate 15 is provided so as to partition the inner space of the chamber 10 vertically around the processing cup 40. The partition plate 15 may be a single plate-shaped member surrounding the processing cup 40, or a plurality of plate-shaped members may be joined together. Further, the partition plate 15 may be provided with a through hole or a notch penetrating in the thickness direction, and in the present embodiment, the nozzle 30, the nozzle 60, and the nozzle base 33 of the nozzle 65, Through holes for passing through the nozzle base 63 and the support shaft for supporting the nozzle base 68 are formed.

칸막이판(15)의 외주단은, 챔버(10)의 측벽(11)에 연결되어 있다. 또, 칸막이판(15)의 처리컵(40)을 둘러싸는 외연부는, 외컵(43)의 외경보다 큰 직경의 원 형상이 되도록 형성되어 있다. 따라서, 칸막이판(15)이 외컵(43)의 승강의 장해가 되는 일은 없다.The outer circumferential end of the partition plate 15 is connected to the side wall 11 of the chamber 10. In addition, the outer periphery of the partition plate 15 surrounding the processing cup 40 is formed to have a circular shape having a larger diameter than the outer diameter of the outer cup 43. Therefore, the partition plate 15 does not interfere with the lifting of the outer cup 43.

또, 챔버(10)의 측벽(11)의 일부이며, 또한, 바닥벽(13)의 근방에는, 배기 덕트(18)가 설치되어 있다. 배기 덕트(18)는, 도시 생략된 배기 기구에 연통 접속되어 있다. FFU(14)로부터 공급되어 챔버(10) 내를 흘러내린 청정 공기 중, 처리컵(40)과 칸막이판(15)의 사이를 통과한 공기는, 배기 덕트(18)로부터 장치 밖으로 배출된다.Further, an exhaust duct 18 is provided in the vicinity of the side wall 11 of the chamber 10 and in the vicinity of the bottom wall 13. The exhaust duct 18 is connected in communication with an exhaust mechanism (not shown). Among the clean air supplied from the FFU 14 and flowing down the chamber 10, the air that has passed between the processing cup 40 and the partition plate 15 is discharged from the exhaust duct 18 to the outside of the apparatus.

도 4는, 기판(W)이 다른 방법에 의해 유지되는 경우의, 스핀 척(20A)의 구성의 예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the spin chuck 20A when the substrate W is held by another method.

도 4에 예가 나타내어지는 바와 같이, 복수의 척 핀(26A) 및 도시하지 않은 복수의 지지 핀에 의해서 기판(W)의 외연부 및 하면이 보조적으로 지지되는데, 본 실시의 형태에서는 두께가 예를 들어 100μm인 극히 얇은 기판(W)을 유지하기 때문에, 회전 시에 기판(W)이 변형되거나 최악의 경우에는 파손될 우려가 있다. 이 때문에, 이하와 같이 하여, 주로 베르누이 효과에 의해서 기판(W)의 중심부를 비접촉으로 흡인하여 기판(W)을 유지한다.As an example is shown in FIG. 4, the outer edge and the lower surface of the substrate W are auxiliaryly supported by a plurality of chuck pins 26A and a plurality of support pins (not shown). For example, since an extremely thin substrate W of 100 μm is maintained, the substrate W may be deformed during rotation or, in the worst case, may be damaged. For this reason, in the following manner, the central portion of the substrate W is sucked in contactlessly mainly due to the Bernoulli effect, and the substrate W is held.

복수의 척 핀(26A)이 기판(W)의 외연부를 파지하고, 반송 로봇이 기판(W)의 흡착 유지를 해제함과 동시에, 기체 밸브(도시 생략)가 개방되어 기체 공급 기구(도시 생략)로부터 기체 유로(155)로 질소 가스가 송급된다. 기체 유로(155)는, 그 선단에 있어서 액 유로(154)에 합류하여 노즐 헤드(150)의 토출구(156)에 연통해 있다. 따라서, 기체 유로(155)에 공급된 질소 가스는 노즐 헤드(150)의 토출구(156)로부터 분출되게 된다.A plurality of chuck pins 26A grips the outer edge of the substrate W, and the transfer robot releases the adsorption and maintenance of the substrate W, and a gas valve (not shown) is opened to open a gas supply mechanism (not shown). Nitrogen gas is supplied from to the gas flow path 155. The gas flow path 155 joins the liquid flow path 154 at its tip and communicates with the discharge port 156 of the nozzle head 150. Accordingly, the nitrogen gas supplied to the gas flow path 155 is ejected from the discharge port 156 of the nozzle head 150.

여기서, 노즐 헤드(150)는, 원통 형상의 관부의 상단에 플랜지부(152)를 설치하여 구성된다. 플랜지부(152)는, 스핀 베이스(21B)의 유지면(21a)에 돌출 설치된다.Here, the nozzle head 150 is configured by providing a flange portion 152 at the upper end of the cylindrical tube portion. The flange portion 152 is protruded from the holding surface 21a of the spin base 21B.

플랜지부(152)의 상면은, 평탄한 흡인면(153)으로 되어 있다. 노즐 헤드(150)는, 흡인면(153)이 수평 방향을 따르도록 스핀 베이스(21B)에 설치된다. 즉, 노즐 헤드(150)의 흡인면(153)은, 스핀 베이스(21B)의 유지면(21a)과 평행이다.The upper surface of the flange portion 152 is a flat suction surface 153. The nozzle head 150 is installed on the spin base 21B so that the suction surface 153 follows the horizontal direction. That is, the suction surface 153 of the nozzle head 150 is parallel to the holding surface 21a of the spin base 21B.

또, 노즐 헤드(150)는 스핀 베이스(21B)의 유지면(21a)의 중앙부에 설치되어 있고, 노즐 헤드(150)의 흡인면(153)은 복수의 척 핀(26A)에 의해서 외연부를 파지 되는 기판(W)의 중심부에 대향한다.Further, the nozzle head 150 is provided at the center of the holding surface 21a of the spin base 21B, and the suction surface 153 of the nozzle head 150 is gripped by a plurality of chuck pins 26A. It faces the center of the substrate W to be used.

토출구(156)는, 복수의 척 핀(26A)에 의해서 파지되는 기판(W)의 중심에 대향하는 위치에 형성되어 있기 때문에, 토출구(156)로부터 분출된 질소 가스는 당해 기판(W)의 중심으로 뿜어진다. 이에 의해, 이하에 설명되는 바와 같이, 기판(W) 중의 흡인면(153)과 대향하는 영역을 베르누이 효과에 의해서 흡인면(153)에 비접촉으로 흡인하고 있다. 또한, 이 단계에서는 처리액의 토출은 행해져 있지 않다.Since the discharge port 156 is formed at a position opposite to the center of the substrate W held by the plurality of chuck pins 26A, the nitrogen gas ejected from the discharge port 156 is the center of the substrate W. Is sprayed. Thereby, as described below, a region in the substrate W that faces the suction surface 153 is suctioned non-contact with the suction surface 153 by the Bernoulli effect. In addition, the treatment liquid is not discharged at this stage.

도 4에 나타내는 바와 같이, 노즐 헤드(150)의 토출구(156)로부터 기판(W)의 중심으로 뿜어진 질소 가스는, 흡인면(153)과 기판(W)의 하면의 사이의 공간을 고속으로 흐른다. 이 질소 가스류의 방향은, 흡인면(153) 및 기판(W)의 하면과 평행이다. 액 유로(154)는, 연직 방향으로 형성되어 있으므로, 액 유로(154) 내에서는 질소 가스는 바로 위 방향으로 흐르고, 토출구(156)로부터 나오면 흡인면(153)과 기판(W)의 하면의 사이를 수평 방향으로 흐르도록 흐름 방향을 변경하게 된다. 이 때, 토출구(156) 근방에 있어서 액 유로(154)가 상방의 토출구(156)를 향해 선단부 측이 커지는 역원추면(154a)에 형성되어 있으므로, 토출구(156) 근방에 있어서 질소 가스의 흐름은 역원추면(154a)을 따라서 바로 위 방향으로부터 비스듬히 상향으로 방향을 바꾸게 되고, 상술한 흐름 방향의 변경이 원활히 행해져, 양호한 흡인력을 얻을 수 있다. 또한, 흡인면(153)과 기판(W)의 하면의 간격(d2)은, 0.5mm 정도이다.As shown in Fig. 4, the nitrogen gas blown from the discharge port 156 of the nozzle head 150 toward the center of the substrate W increases the space between the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W. Flows. The direction of the nitrogen gas flow is parallel to the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W. Since the liquid flow path 154 is formed in a vertical direction, nitrogen gas flows in the upward direction within the liquid flow path 154, and when it comes out from the discharge port 156, between the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W The flow direction is changed so that it flows in the horizontal direction. At this time, in the vicinity of the discharge port 156, the liquid flow path 154 is formed on the inverted conical surface 154a whose tip side increases toward the upper discharge port 156, so that the flow of nitrogen gas in the vicinity of the discharge port 156 is Along the inverted conical surface 154a, the direction is changed obliquely upward from the right upward direction, and the above-described change in the flow direction is smoothly performed, so that a good suction force can be obtained. Further, the distance d2 between the suction surface 153 and the lower surface of the substrate W is about 0.5 mm.

기판(W)의 하면과 노즐 헤드(150)의 흡인면(153)의 사이의 좁은 공간을 질소 가스가 고속으로 흐르면, 당해 공간의 압력이 감소하여 대기압에 의해서 기판(W)의 중심부가 흡인면(153)에 흡인된다. 단, 기판(W)과 흡인면(153)의 사이에는 질소 가스가 흐르고 있기 때문에, 기판(W)이 흡인면(153)에 접촉하는 일은 없다. 즉, 토출구(156)로부터 질소 가스를 분출함으로써, 도 4의 화살표(AR6)로 나타내어지는 바와 같이, 복수의 척 핀(26A)에 의해서 외연부가 파지되는 기판(W) 중의 흡인면(153)과 대향하는 영역이, 베르누이 효과에 의해서 흡인면(153)에 비접촉으로 흡인되는 것이다. 이와 같이, 복수의 척 핀(26A)에 의한 기판(W)의 외연부에 있어서의 기계적 파지에 더하여, 기판(W)의 중심부를 베르누이 효과에 의해서 노즐 헤드(150)의 흡인면(153)에 비접촉으로 흡인함으로써, 기판(W)을 회전시켰을 때에도 기판(W)의 변형을 억제하여 파손을 방지할 수 있다.When nitrogen gas flows through a narrow space between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 of the nozzle head 150 at a high speed, the pressure in the space decreases, and the central portion of the substrate W becomes the suction surface by atmospheric pressure. It is aspirated at (153). However, since nitrogen gas flows between the substrate W and the suction surface 153, the substrate W does not come into contact with the suction surface 153. That is, by ejecting nitrogen gas from the discharge port 156, as indicated by arrow AR6 in FIG. 4, the suction surface 153 in the substrate W gripped by the plurality of chuck pins 26A The opposing regions are sucked into the suction surface 153 in a non-contact manner by the Bernoulli effect. In this way, in addition to the mechanical grip on the outer edge of the substrate W by the plurality of chuck pins 26A, the central portion of the substrate W is brought to the suction surface 153 of the nozzle head 150 by the Bernoulli effect. By non-contact suction, even when the substrate W is rotated, the deformation of the substrate W can be suppressed and damage can be prevented.

다음으로, 스핀 모터(도시 생략)에 의해서 스핀 베이스(21B) 및 그것에 유지된 기판(W)의 회전을 개시한다. 스핀 베이스(21B)의 회전력은 척 핀(26A) 및 지지 핀을 통해 기판(W)에 전달된다. 또, 회전 시에 있어서의 기판(W)의 수평 방향의 위치 어긋남은 복수의 척 핀(26A)에 의해서 규제되어 있다. 그리고, 노즐(30)로부터 기판(W)의 상면에 약액을 토출하여 행하는 약액 처리, 노즐(30) 및 노즐 헤드(150)의 쌍방으로부터 기판(W)의 상면 및 하면에 순수를 토출하는 순수 린스 처리, 기판(W)을 고속 회전시켜 행하는 떨쳐냄 건조 처리가 계속해서 행해진다. 처리액을 사용한 액처리를 행할 때에는, 원심력에 의해서 스핀 베이스(21B) 및 기판(W)으로부터 비산한 처리액은, 처리컵(40)에 의해서 회수한다.Next, rotation of the spin base 21B and the substrate W held thereon is started by a spin motor (not shown). The rotational force of the spin base 21B is transmitted to the substrate W through the chuck pin 26A and the support pin. Further, the positional shift of the substrate W in the horizontal direction during rotation is regulated by the plurality of chuck pins 26A. And, a chemical liquid treatment performed by discharging a chemical liquid from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W, a pure water rinse that discharges pure water to the upper and lower surfaces of the substrate W from both the nozzle 30 and the nozzle head 150 The processing and the removal drying processing performed by rotating the substrate W at high speed are continuously performed. When performing liquid treatment using the treatment liquid, the treatment liquid scattered from the spin base 21B and the substrate W by centrifugal force is recovered by the treatment cup 40.

일련의 약액 처리, 순수 린스 처리, 건조 처리에 있어서, 노즐 헤드(150)의 토출구(156)로부터는 항상 질소 가스가 계속 분출되고, 베르누이 효과에 의한 기판(W) 중심부의 비접촉 흡인이 계속해서 실행된다. 여기서, 적어도 순수 린스 처리를 행할 때에는, 노즐(30)뿐만 아니라, 하면 측의 노즐 헤드(150)로부터도 처리액으로서의 순수가 토출된다. 즉, 노즐 헤드(150)로부터는 질소 가스와 처리액이 동시에 토출되는 것이다.In a series of chemical treatment, pure water rinsing treatment, and drying treatment, nitrogen gas is continuously ejected from the discharge port 156 of the nozzle head 150, and non-contact suction at the center of the substrate W by the Bernoulli effect continues. do. Here, at least when performing the pure water rinse treatment, pure water as a treatment liquid is discharged not only from the nozzle 30 but also from the nozzle head 150 on the lower surface side. That is, nitrogen gas and processing liquid are simultaneously discharged from the nozzle head 150.

순수 린스 처리를 행할 때에는, 노즐(30) 및 액 유로(154)에 처리액이 송급 된다. 노즐(30)에 공급된 처리액은 노즐(30)로부터 회전하는 기판(W)의 상면에 토출된다. 한편, 액 유로(154)에 공급된 처리액은, 노즐 헤드(150)의 토출구(156)로부터 기판(W)의 하면에 토출된다. 이 때에, 토출구(156)의 근방에 있어서 기체 유로(155)의 선단이 액 유로(154)에 합류하고 있기 때문에, 당해 합류점에서 기체 유로(155)로부터 송급된 질소 가스와 액 유로(154)를 흐르는 처리액이 혼합되어, 토출구(156)로부터는 그 질소 가스와 처리액의 혼합 유체가 토출된다.When performing pure water rinsing treatment, the treatment liquid is supplied to the nozzle 30 and the liquid flow path 154. The processing liquid supplied to the nozzle 30 is discharged from the nozzle 30 to the upper surface of the rotating substrate W. On the other hand, the processing liquid supplied to the liquid flow path 154 is discharged from the discharge port 156 of the nozzle head 150 to the lower surface of the substrate W. At this time, since the tip of the gas flow path 155 is joined to the liquid flow path 154 in the vicinity of the discharge port 156, the nitrogen gas and the liquid flow path 154 supplied from the gas flow path 155 at the confluence point are The flowing processing liquid is mixed, and a mixed fluid of the nitrogen gas and the processing liquid is discharged from the discharge port 156.

토출구(156)로부터 혼합 유체가 토출되었을 경우여도, 기판(W)의 하면과 노즐 헤드(150)의 흡인면(153)의 사이의 공간을 질소 가스가 흐르고 있어, 기판(W)이 파지된 그대로 기판(W)의 하면과 흡인면(153)의 위치 관계는 유지된다. 이는 다음의 작용에 의한 것으로 추측된다.Even when the mixed fluid is discharged from the discharge port 156, nitrogen gas flows through the space between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 of the nozzle head 150, so that the substrate W is held as it is. The positional relationship between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 is maintained. This is presumed to be due to the following actions.

즉, 당해 공간에 액체인 처리액도 흐름으로써, 기판(W)의 중심부에 하방으로부터 밀어 올리려고 하는 힘이 작용할 가능성이 있다. 여기서, 종래부터의 전형적인 베르누이 척이면, 처리액에 의해서 기판(W)에 밀어 올리려고 하는 힘이 작용하면 용이하게 기판(W)이 밀어 올려져 척면과 기판(W)의 간격이 넓어지고, 그 결과 베르누이 효과가 상실되는 것이 생각된다.In other words, there is a possibility that a force that attempts to push up the substrate W from below may act on the central portion of the substrate W by flowing the processing liquid as a liquid into the space. Here, in the conventional Bernoulli chuck, when a force to be pushed up on the substrate W is applied by the processing liquid, the substrate W is easily pushed up and the gap between the chuck surface and the substrate W is widened. As a result, it is thought that the Bernoulli effect is lost.

이에 대해, 본 실시의 형태에서는, 기판(W)의 외연부가 복수의 척 핀(26A)에 의해서 기계적으로 파지되어 베르누이 효과가 잔존하고 있는 것과 더불어, 처리액의 토출에 의해서 기판(W)의 중심부에 하방으로부터 밀어 올리려고 하는 힘이 작용했을 경우여도, 기판(W)이 용이하게 밀어 올려지지 않고, 기판(W)의 하면과 흡인면(153)의 위치 관계는 유지되게 된다. 이에 의해, 토출구(156)로부터 질소 가스와 처리액을 동시에 토출했을 경우여도, 기판(W)의 비접촉 흡인을 유지하면서, 기판(W)의 하면에 처리액을 공급하여 액 처리를 행할 수 있다. 또한, 약액 처리 및 건조 처리 시에는, 노즐 헤드(150)의 토출구(156)로부터 질소 가스만이 분출되기 때문에, 베르누이 효과에 의해서 기판(W)의 중심부가 비접촉 흡인된다.In contrast, in the present embodiment, the outer edge of the substrate W is mechanically gripped by the plurality of chuck pins 26A, so that the Bernoulli effect remains, and the central portion of the substrate W is discharged by the discharge of the processing liquid. Even when a force intended to be pushed up from below acts on the substrate W, the substrate W is not easily pushed up, and the positional relationship between the lower surface of the substrate W and the suction surface 153 is maintained. Accordingly, even when nitrogen gas and the processing liquid are simultaneously discharged from the discharge port 156, the processing liquid can be supplied to the lower surface of the substrate W while maintaining the non-contact suction of the substrate W to perform liquid treatment. In addition, during the chemical liquid treatment and the drying treatment, since only nitrogen gas is ejected from the discharge port 156 of the nozzle head 150, the central portion of the substrate W is non-contact suction due to the Bernoulli effect.

도 5는, 카메라(70), 노즐(30) 및 기판(W)의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 카메라(70)는, 챔버(10) 내여도 칸막이판(15)(도 3을 참조)보다 상방(즉, 기판(W)보다 상방)에 설치되어 있다. 또, 카메라(70)는, 기판(W)의 외주 측의, 기판(W)과는 평면에서 볼 때 겹치지 않는 위치에 배치되어 있다. 또, 카메라(70)는, 예를 들면 고체 촬상 소자의 하나인 CCD와, 전자 셔터, 렌즈 등의 광학계를 구비한다.5 is a diagram showing a positional relationship between the camera 70, the nozzle 30, and the substrate W. The camera 70 is installed above the partition plate 15 (refer to FIG. 3) (that is, above the substrate W) even when inside the chamber 10. Further, the camera 70 is disposed on the outer circumferential side of the substrate W at a position that does not overlap with the substrate W in plan view. Further, the camera 70 includes a CCD, which is one of the solid-state imaging elements, and an optical system such as an electronic shutter and a lens.

노즐(30)은, 노즐 기대(33)의 구동에 의해서, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 상방의 처리 구간(PS1)(도 5의 점선 위치)와 처리컵(40)보다 외측의 대기 위치(도 5의 실선 위치)의 사이에서 왕복 이동된다.The nozzle 30 is more than the processing section PS1 (dotted line position in Fig. 5) and the processing cup 40 above the substrate W held by the spin chuck 20 by driving the nozzle base 33. It reciprocates between the outside standby position (the solid line position in FIG. 5).

처리 구간(PS1)은, 노즐(30)로부터 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 상면에 처리액을 토출하여 세정 처리를 행하는 구간이다. 여기서는, 처리 구간(PS1)은, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)에 있어서의 일방측의 연부 부근의 제1단(TE1)과, 그 반대측의 연부 부근의 제2단(TE2)의 사이에서, 수평 방향으로 연장되는 구간이다.The processing section PS1 is a section in which a processing liquid is discharged from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 to perform a cleaning process. Here, the processing section PS1 is the first stage TE1 near the edge on one side of the substrate W held by the spin chuck 20 and the second stage TE2 near the edge on the opposite side. It is a section extending in the horizontal direction between

대기 위치는, 노즐(30)이 세정 처리를 행하지 않을 때에 처리액의 토출을 정지하여 대기하는 위치이다. 대기 위치에는, 노즐(30)의 토출 헤드(31)(도 3을 참조)를 수용하는 대기 포드가 설치되어 있어도 된다.The standby position is a position at which the nozzle 30 stops discharging of the processing liquid and waits when the cleaning treatment is not performed. At the standby position, a standby pod for accommodating the discharge head 31 (refer to FIG. 3) of the nozzle 30 may be provided.

카메라(70)는, 그 촬상 시야에, 적어도 기판(W)의 외연부가 포함되는 위치에 설치되어 있다. 또, 카메라(70)는, 기판(W)의 외연부를 포함하는 촬상 범위에서, 기판(W)의 복수 개소에 대하여 촬상한다.The camera 70 is provided at a position where the outer edge of the substrate W is included at least in the imaging field of view. Moreover, the camera 70 captures an image with respect to a plurality of locations of the substrate W in the imaging range including the outer edge of the substrate W.

본 실시의 형태에서는, 도 3 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판(W), 또는, 처리 구간(PS1)에 있어서의 노즐(30)을 촬상하는 위치에 카메라(70)가 설치된다. 따라서, 카메라(70)는, 기판(W)의 외연부를 포함하는 촬상 영역을 촬상할 수 있다.In the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 5, the camera 70 is provided at a position where the substrate W or the nozzle 30 in the processing section PS1 is imaged. Accordingly, the camera 70 can capture an image of an imaging region including the outer edge of the substrate W.

도 3에 나타내는 바와 같이, 챔버(10) 내이며 칸막이판(15)보다 상방의 위치에, 조명부(71)가 설치되어 있다. 챔버(10) 내가 암실인 경우, 카메라(70)가 촬상을 행할 때 조명부(71)가 광을 조사하도록, 제어부(9)가 조명부(71)를 제어해도 된다.As shown in FIG. 3, the illumination part 71 is provided inside the chamber 10 and at a position above the partition plate 15. When the interior of the chamber 10 is a dark room, the control unit 9 may control the illumination unit 71 so that the illumination unit 71 irradiates light when the camera 70 performs imaging.

도 6은, 제어부(9)의 기능 블록도이다. 기판 처리 장치(100)에 설치된 제어부(9)의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부(9)는, 후술하는 바와 같이, 각종 연산 처리를 행하는 CPU와, 기본 프로그램을 기억하는 읽기 전용의 메모리인 리드 온리 메모리(read only memory, 즉, ROM), 각종 정보를 기억하는 읽고 쓰기 가능한 메모리인 랜덤 액세스 메모리(random access memory, 즉, RAM) 및 제어용 소프트웨어 또는 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등인 기억부를 구비하여 구성된다. 제어부(9)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치(100)의 각 동작 기구가 제어부(9)에 제어되고, 기판 처리 장치(100)에 있어서의 처리가 진행된다.6 is a functional block diagram of the control unit 9. The configuration as hardware of the control unit 9 installed in the substrate processing apparatus 100 is the same as that of a general computer. That is, as will be described later, the control unit 9 includes a CPU that performs various arithmetic processing, a read-only memory (ie, ROM) that is a read-only memory that stores basic programs, and a read-only memory (ie, ROM) that stores various information It is configured with a random access memory (ie, RAM) that is a writable memory, and a storage unit such as a magnetic disk for storing control software or data. When the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program, each operation mechanism of the substrate processing apparatus 100 is controlled by the control unit 9, and processing in the substrate processing apparatus 100 proceeds.

도 6에 나타내는 에지 추출부(90), 판정부(91) 및 커맨드 송신부(92)는, 제어부(9)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써 제어부(9) 내에 실현되는 기능 처리부이다.The edge extraction unit 90, the determination unit 91, and the command transmission unit 92 shown in Fig. 6 are function processing units realized in the control unit 9 by the CPU of the control unit 9 executing a predetermined processing program.

에지 추출부(90)는, 카메라(70)로부터 입력되는 복수의 화상 데이터 간의 비교에 의해서 얻어지는 차분 화상으로부터, 기판(W)의 에지를 추출한다.The edge extraction unit 90 extracts an edge of the substrate W from a difference image obtained by comparison between a plurality of image data input from the camera 70.

판정부(91)는, 에지 추출부(90)에 의해서 추출된 에지에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정한다.The determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the edge extracted by the edge extraction unit 90.

커맨드 송신부(92)는, 기판(W)을 처리하기 위한 각종 조건이 기술된 레시피를 따라서, 커맨드(제어 정보)를 출력함으로써, 세정 처리 유닛(1)의 각 요소를 동작시킨다. 구체적으로는, 커맨드 송신부(92)는, 노즐(30), 노즐(60) 및 노즐(65)에 커맨드를 출력하고, 노즐 기대(33), 노즐 기대(63) 및 노즐 기대(68)에 내장된 구동원(모터)을 동작시킨다. 예를 들면, 커맨드 송신부(92)가 노즐(30)에 대해서 처리 구간(PS1)의 제1단(TE1)으로 이동시키는 커맨드를 송신하면, 노즐(30)이 대기 위치로부터 제1단(TE1)으로 이동한다. 또한, 커맨드 송신부(92)가 노즐(30)에 대해서 처리 구간(PS1)의 제2단(TE2)으로 이동시키는 커맨드를 송신하면, 노즐(30)이 제1단(TE1)으로부터 제2단(TE2)으로 이동한다. 노즐(30)로부터의 처리액의 토출도, 커맨드 송신부(92)로부터의 커맨드 송신에 따라 행해지도록 해도 된다.The command transmission unit 92 operates each element of the cleaning processing unit 1 by outputting a command (control information) according to a recipe in which various conditions for processing the substrate W are described. Specifically, the command transmission unit 92 outputs a command to the nozzle 30, the nozzle 60, and the nozzle 65, and is built into the nozzle base 33, the nozzle base 63, and the nozzle base 68. The old driving source (motor) is operated. For example, when the command transmission unit 92 transmits a command to move the nozzle 30 to the first stage TE1 of the processing section PS1, the nozzle 30 is moved from the standby position to the first stage TE1. Go to. In addition, when the command transmission unit 92 transmits a command to move the nozzle 30 to the second stage TE2 of the processing section PS1, the nozzle 30 moves from the first stage TE1 to the second stage ( Go to TE2). The discharge of the processing liquid from the nozzle 30 may also be performed in accordance with the command transmission from the command transmission unit 92.

또, 제어부(9)에는, 표시부(95), 입력부(96) 및 복수의 세정 처리 유닛(1)이 접속되어 있다. 표시부(95)는, 제어부(9)로부터의 화상 신호에 따라 각종 정보를 표시한다. 입력부(96)는, 제어부(9)에 접속된 키보드 및 마우스 등의 입력 디바이스로 구성되어 있고, 조작자가 제어부(9)에 대해서 행하는 입력 조작을 받아들인다. 복수의 세정 처리 유닛(1)은, 커맨드 송신부(92)로부터 송신되는 각종 커맨드(제어 정보)에 의거하여, 각각의 세정 처리 유닛(1)에 있어서의 각 요소를 동작시킨다.Further, to the control unit 9, a display unit 95, an input unit 96, and a plurality of cleaning processing units 1 are connected. The display unit 95 displays various types of information in accordance with an image signal from the control unit 9. The input unit 96 is composed of an input device such as a keyboard and a mouse connected to the control unit 9 and accepts an input operation performed by an operator to the control unit 9. The plurality of cleaning processing units 1 operate each element in each cleaning processing unit 1 based on various commands (control information) transmitted from the command transmission unit 92.

도 7은, 도 6에 예가 나타내어진 제어부(9)를 실제로 운용하는 경우의 하드웨어 구성을 개략적으로 예시하는 도면이다.FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a hardware configuration when the control unit 9 shown in FIG. 6 is actually operated.

도 7에서는, 도 6 중의 에지 추출부(90), 판정부(91) 및 커맨드 송신부(92)를 실현하기 위한 하드웨어 구성으로서, 연산을 행하는 처리 회로(1102A)와, 정보를 기억할 수 있는 기억 장치(1103)가 나타내어진다.In Fig. 7, as a hardware configuration for realizing the edge extraction unit 90, the determination unit 91, and the command transmission unit 92 in Fig. 6, a processing circuit 1102A for performing calculations and a storage device capable of storing information (1103) is shown.

처리 회로(1102A)는, 예를 들면, CPU 등이다. 기억 장치(1103)는, 예를 들면, 하드 디스크 드라이브(Hard disk driｖe, 즉, HDD), RAM, ROM, 플래시 메모리 등의 메모리(기억 매체)이다.The processing circuit 1102A is, for example, a CPU or the like. The storage device 1103 is, for example, a memory (storage medium) such as a hard disk drive (ie, HDD), RAM, ROM, and flash memory.

＜기판 처리 장치의 동작에 대하여＞<Regarding the operation of the substrate processing device>

기판 처리 장치(100)에 있어서의 기판(W)의 통상의 처리는, 순서대로, 주반송 로봇(103)이 인덱서(102)로부터 수취한 처리 대상의 기판(W)을 각 세정 처리 유닛(1)에 반입하는 공정, 당해 세정 처리 유닛(1)이 기판(W)에 기판 처리를 행하는 공정, 및, 주반송 로봇(103)이 당해 세정 처리 유닛(1)으로부터 처리 완료 기판(W)을 반출하여 인덱서(102)로 되돌리는 공정을 포함한다.In the normal processing of the substrate W in the substrate processing apparatus 100, in order, the substrate W to be processed received from the indexer 102 by the main transfer robot 103 is transferred to each cleaning processing unit 1 ), a process in which the cleaning processing unit 1 performs a substrate treatment on the substrate W, and the main transfer robot 103 takes out the processed substrate W from the cleaning processing unit 1 It includes a step of returning to the indexer (102).

다음으로, 도 8을 참조하면서, 각 세정 처리 유닛(1)에 있어서의 전형적인 기판(W)의 기판 처리 중의 세정 처리 및 건조 처리의 순서에 대해 설명한다. 또한, 도 8은, 본 실시의 형태에 관한 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 플로차트이다.Next, with reference to FIG. 8, the procedure of the cleaning process and drying process during the substrate process of the typical substrate W in each cleaning process unit 1 is demonstrated. In addition, FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

먼저, 기판(W)의 표면에 약액을 공급하여 소정의 약액 처리를 행한다(단계 ST01). 그 후, 순수를 공급하여 순수 린스 처리를 행한다(단계 ST02).First, a chemical liquid is supplied to the surface of the substrate W to perform a predetermined chemical treatment (step ST01). After that, pure water is supplied to perform pure water rinsing treatment (step ST02).

또한, 기판(W)을 고속 회전시킴으로써 순수를 떨쳐내고, 그에 의해 기판(W)을 건조시킨다(단계 ST03).Further, pure water is removed by rotating the substrate W at high speed, thereby drying the substrate W (step ST03).

세정 처리 유닛(1)이 기판 처리를 행할 때, 스핀 척(20)이 기판(W)을 유지함과 더불어, 처리컵(40)이 승강 동작을 행한다.When the cleaning processing unit 1 performs substrate processing, the spin chuck 20 holds the substrate W, and the processing cup 40 performs an elevating operation.

세정 처리 유닛(1)이 약액 처리를 행하는 경우, 예를 들어 외컵(43)만이 상승하고, 외컵(43)의 상단부(43b)와 중간컵(42)의 제2 안내부(52)의 상단부(52b)의 사이에, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싸는 개구가 형성된다. 이 상태에서 기판(W)이 스핀 척(20)과 더불어 회전되고, 노즐(30) 및 하면 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)의 상면 및 하면에 약액이 공급된다. 공급된 약액은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해서 기판(W)의 상면 및 하면을 따라서 흐르고, 이윽고 기판(W)의 외연부로부터 측방을 향해서 비산된다. 이에 의해, 기판(W)의 약액 처리가 진행된다. 회전하는 기판(W)의 외연부로부터 비산한 약액은 외컵(43)의 상단부(43b)에 의해서 받아들여지고, 외컵(43)의 내면을 타고 흘러내려, 외측 회수 홈(51)에 회수된다.When the cleaning treatment unit 1 performs chemical treatment, for example, only the outer cup 43 rises, and the upper end 43b of the outer cup 43 and the upper end of the second guide 52 of the intermediate cup 42 ( Between 52b), an opening surrounding the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 is formed. In this state, the substrate W is rotated together with the spin chuck 20, and a chemical solution is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W from the nozzle 30 and the lower treatment liquid nozzle 28. The supplied chemical liquid flows along the upper and lower surfaces of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W, and eventually scatters from the outer edge of the substrate W toward the side. Thereby, the chemical liquid treatment of the substrate W proceeds. The chemical liquid scattered from the outer edge of the rotating substrate W is received by the upper end 43b of the outer cup 43, flows down the inner surface of the outer cup 43, and is collected in the outer recovery groove 51.

세정 처리 유닛(1)이 순수 린스 처리를 행하는 경우, 예를 들면, 내컵(41), 중간컵(42) 및 외컵(43) 모두가 상승하고, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 주위가 내컵(41)의 제1 안내부(47)에 의해서 둘러싸인다. 이 상태에서 기판(W)이 스핀 척(20)과 더불어 회전되고, 노즐(30) 및 하면 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)의 상면 및 하면에 순수가 공급된다. 공급된 순수는 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해서 기판(W)의 상면 및 하면을 따라서 흐르고, 이윽고 기판(W)의 외연부로부터 측방을 향해서 비산된다. 이에 의해, 기판(W)의 순수 린스 처리가 진행된다. 회전하는 기판(W)의 외연부로부터 비산한 순수는 제1 안내부(47)의 내벽을 타고 흘러내리고, 폐기 홈(49)으로부터 배출된다. 또한, 순수를 약액과는 별도의 경로로 회수하는 경우에는, 중간컵(42) 및 외컵(43)을 상승시켜, 중간컵(42)의 제2 안내부(52)의 상단부(52b)와 내컵(41)의 제1 안내부(47)의 상단부(47b)의 사이에, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싸는 개구를 형성하도록 해도 된다.When the cleaning processing unit 1 performs pure rinse treatment, for example, the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 all rise, and the substrate W held by the spin chuck 20 The circumference of the inner cup 41 is surrounded by the first guide portion 47 of the inner cup 41. In this state, the substrate W is rotated together with the spin chuck 20, and pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W from the nozzle 30 and the lower surface treatment liquid nozzle 28. The supplied pure water flows along the upper and lower surfaces of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W, and eventually scatters from the outer edge of the substrate W toward the side. As a result, the pure rinse treatment of the substrate W proceeds. The pure water scattered from the outer edge of the rotating substrate W flows down the inner wall of the first guide portion 47 and is discharged from the waste groove 49. In addition, in the case of recovering pure water by a path separate from the chemical solution, the middle cup 42 and the outer cup 43 are raised, and the upper end 52b and the inner cup of the second guide portion 52 of the middle cup 42 An opening surrounding the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 may be formed between the upper end portion 47b of the first guide portion 47 of (41).

세정 처리 유닛(1)이 떨쳐냄 건조 처리를 행하는 경우, 내컵(41), 중간컵(42) 및 외컵(43) 모두가 하강하고, 내컵(41)의 제1 안내부(47)의 상단부(47b), 중간컵(42)의 제2 안내부(52)의 상단부(52b) 및 외컵(43)의 상단부(43b) 모두가 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)보다 하방에 위치한다. 이 상태에서 기판(W)이 스핀 척(20)과 더불어 고속 회전되고, 기판(W)에 부착되어 있던 물방울이 원심력에 의해서 떨쳐내어져, 건조 처리가 행해진다.When the washing treatment unit 1 performs a scrubbing drying treatment, all of the inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 descend, and the upper end of the first guide portion 47 of the inner cup 41 ( 47b), both the upper end 52b of the second guide 52 of the middle cup 42 and the upper end 43b of the outer cup 43 are positioned below the substrate W held by the spin chuck 20 . In this state, the substrate W is rotated at high speed together with the spin chuck 20, and water droplets adhering to the substrate W are removed by the centrifugal force, and a drying process is performed.

＜유지 상태 판정에 대하여＞<Regarding maintenance status determination>

이하에 있어서는, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 복수 개소를 카메라(70)를 이용하여 촬상하고, 얻어진 복수의 화상 데이터 간의 차분 화상에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태 판정을 행하는 방법에 대해 설명한다. 당해 판정은, 주로, 제어부(9)에 있어서의 에지 추출부(90) 및 판정부(91)에 의해서 행해진다. 당해 방법에 의하면, 정상적으로 유지된 기판을 별도 촬상하여 기준이 되는 화상을 등록해 둘 필요가 없다.In the following, a plurality of locations of the substrate W held by the spin chuck 20 are imaged using the camera 70, and the holding state of the substrate W is determined based on the difference image between the obtained plurality of image data. How to do it will be described. This determination is mainly performed by the edge extraction unit 90 and the determination unit 91 in the control unit 9. According to this method, it is not necessary to separately image a substrate that is normally held and register an image as a reference.

본 실시의 형태에서는, 회전하고 있는 기판(W)의 특정 개소를, 고정된 카메라(70)로 촬상함으로써, 기판(W)의 복수 개소를 촬상한다. 단, 기판(W)이 회전하고 있는 것은 필수가 아니고, 또, 기판(W)을 촬상하는 카메라가 복수 있어도 된다.In the present embodiment, a plurality of locations of the substrate W are imaged by imaging a specific location of the rotating substrate W with the fixed camera 70. However, it is not essential that the substrate W is rotated, and there may be a plurality of cameras that image the substrate W.

도 9 및 도 10은, 회전하고 있는 기판(W)의 화상 프레임의 예를 나타내는 도면이다. 도 9 및 도 10에 있어서의 화상 프레임은, 기판(W)의 외연부를 따르는 범위를 포함하는 촬상 범위에 대응하고 있다. 또한, 화상 프레임의 촬상 범위(또는, 촬상 범위에 있어서 화상 데이터 간의 비교에 이용되는 영역인 타겟 영역)는, 기판(W)의 외연부를 따르는 원호 형상(아치 형상)인 것이 바람직하다. 또, 화상 프레임의 촬상 범위는, 기판(W)의 적어도 일부의 외연부를 포함하고 있으면 되고, 기판(W)의 외연부의 전체 둘레를 포함하는 경우여도 된다. 또, 화상 프레임의 촬상 범위는, 카메라(70)로부터 볼 때 앞쪽의 기판(W)의 외연부여도 되고, 안쪽의 기판(W)의 외연부여도 된다.9 and 10 are diagrams showing examples of image frames of the rotating substrate W. The image frames in Figs. 9 and 10 correspond to an imaging range including a range along the outer edge of the substrate W. In addition, it is preferable that the imaging range of the image frame (or the target area, which is an area used for comparison between image data in the imaging range) is an arc shape (arch shape) along the outer edge of the substrate W. In addition, the imaging range of the image frame may include at least a part of the outer edge of the substrate W, and may include the entire periphery of the outer edge of the substrate W. In addition, the imaging range of the image frame may be the outer edge of the front substrate W or the outer edge of the inner substrate W as viewed from the camera 70.

또, 도 9와 도 10에서는, 기판(W)의 촬상 범위가 일부 중복되어 있는데, 복수의 화상 프레임 사이에서, 기판(W)의 촬상되는 범위가 중복되어 있지 않아도 된다.In Figs. 9 and 10, although the imaging range of the substrate W partially overlaps, the range of the image pickup of the substrate W does not need to overlap between a plurality of image frames.

또, 도 9와 도 10에서는, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)이 회전하고 있는 것에 의해서, 척 핀(26)의 위치가 크게 상이해 있다.In addition, in FIG. 9 and FIG. 10, the position of the chuck pin 26 differs greatly because the substrate W held by the spin chuck 20 is rotating.

도 11은, 도 9에 예가 나타내어진 화상 프레임과, 도 10에 예가 나타내어진 화상 프레임의 차분 화상이다. 도 11에 있어서는, 척 핀 차분(26X)과, 외연부 차분(200)이 나타내어져 있다.11 is a difference image between the image frame shown in FIG. 9 and the image frame shown in FIG. 10. In FIG. 11, the chuck pin difference 26X and the outer edge difference 200 are shown.

도 9 및 도 10에 있어서의 척 핀(26)은, 기판(W)의 회전에 의해서 위치가 크게 상이하다. 그렇기 때문에, 그 차분이 척 핀 차분(26X)으로서 나타내어져 있다.The positions of the chuck pins 26 in FIGS. 9 and 10 differ greatly depending on the rotation of the substrate W. Therefore, the difference is indicated as the chuck pin difference 26X.

또, 도 11에 있어서는, 기판(W)의 회전에 의해서 발생한 외연부의 흔들림(편심을 포함한다)이, 외연부 차분(200)으로서 나타내어져 있다.In addition, in FIG. 11, the vibration (including eccentricity) of the outer edge caused by the rotation of the substrate W is shown as the difference 200 on the outer edge.

또한, 도 3 및 도 5에 나타내어진 바와 같이, 본 실시의 형태에 있어서의 카메라(70)는, 기판(W)의 외주 측에 위치하고 있기 때문에, 차분 화상에 있어서, 기판(W)의 연직 방향의 흔들림이 외연부 차분(200)으로서 나타내어진다. 또, 도 3 및 도 5에 나타내어진 바와 같이, 본 실시의 형태에 있어서의 카메라(70)는, 기판(W)의 상방에도 위치하고 있기 때문에, 차분 화상에 있어서, 기판(W)의 수평 방향의 흔들림(예를 들면, 편심)이 외연부 차분(200)으로서 나타내어진다.In addition, as shown in Figs. 3 and 5, since the camera 70 in this embodiment is located on the outer circumference side of the substrate W, in the difference image, the vertical direction of the substrate W The vibration of is represented as the difference 200 of the outer edge. In addition, as shown in Figs. 3 and 5, since the camera 70 in this embodiment is also located above the substrate W, in the difference image, in the horizontal direction of the substrate W Shaking (e.g., eccentricity) is represented as an outer edge difference 200.

다음으로, 도 11에 예가 나타내어진 차분 화상에 의거하여 에지 추출부(90)가 에지 추출을 행함으로써, 차분 화상에 나타내어지는 외연부 차분(200)의 기판 둘레 방향의 길이를 추출한다.Next, the edge extraction unit 90 performs edge extraction based on the difference image shown in the example in FIG. 11 to extract the length of the outer edge difference 200 shown in the difference image in the substrate circumferential direction.

도 12는, 도 11에 예가 나타내어진 차분 화상에 의거하여, Canny 에지 추출을 행한 결과를 나타내는 도면이다. 도 12에 예가 나타내어진 바와 같이, 추출된 에지(201)는, 차분 화상에 있어서 흔들림이 발생한 외연부를 따라서 연장되는 부분과, 척 핀(26)에 대응하는 성분을 포함하고 있다.12 is a diagram showing a result of performing Canny edge extraction based on the difference image shown in FIG. 11. As an example is shown in FIG. 12, the extracted edge 201 includes a portion extending along the outer edge where the shaking occurs in the difference image, and a component corresponding to the chuck pin 26.

상기의 에지 추출에 의해서 얻어지는 에지(201)의 기판 둘레 방향의 길이는, 복수의 화상 프레임(즉, 도 9 및 도 10) 사이에서 발생한 기판(W)의 외연부의 흔들림의 정도를 반영한다(상세한 것에 대해서는, 후술). 즉, 회전하는 기판(W)의 외연부가 크게 흔들리는 만큼, 에지(201)의 기판 둘레 방향의 길이는 길어진다. 따라서, 판정부(91)는, 에지(201)의 길이에 의거하여, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 유지 상태를 판정할 수 있다.The length of the edge 201 in the substrate circumferential direction obtained by the above edge extraction reflects the degree of shaking of the outer edge of the substrate W that occurs between a plurality of image frames (i.e., FIGS. 9 and 10) (detailed For that, described later). That is, the length of the edge 201 in the circumferential direction of the substrate increases as the outer edge of the rotating substrate W is greatly shaken. Accordingly, the determination unit 91 can determine the holding state of the substrate W held by the spin chuck 20 based on the length of the edge 201.

여기서, 에지(201)의 기판 둘레 방향의 길이는, 에지(201)의, 기판 둘레 방향을 따라서 연속하는 픽셀 수에 의거하여 산출된다.Here, the length of the edge 201 in the circumferential direction of the substrate is calculated based on the number of pixels of the edge 201 in the circumferential direction of the substrate.

도 12에 예가 나타내어진 경우에서는, 에지(201)의 길이는 촬상 범위의 양단에 이르고 있다. 이러한 경우는, 회전하는 기판(W)의 외연부의 흔들림이 크다고 생각되기 때문에, 기판(W)이 정상적으로 유지되어 있지 않다(유지 이상)고 판정할 수 있다.In the case where an example is shown in Fig. 12, the length of the edge 201 reaches both ends of the imaging range. In this case, since it is considered that the vibration of the outer edge of the rotating substrate W is large, it can be determined that the substrate W is not normally held (holding abnormality).

도 13은, 차분 화상에 의거하여 Canny 에지 추출을 행한 결과의 다른 예를 나타내는 도면이다.13 is a diagram showing another example of a result of performing Canny edge extraction based on a difference image.

도 13에 예가 나타내어진 경우에서는, 에지(201)의 길이는 촬상 범위의 일부에 그치고 있다. 이러한 경우는, 회전하는 기판(W)의 외연부의 흔들림이 충분히 작다고 생각되기 때문에, 기판(W)이 정상적으로 유지되어 있다(유지 정상)고 판정할 수 있다.In the case where an example is shown in Fig. 13, the length of the edge 201 is limited to a part of the imaging range. In this case, since it is considered that the vibration of the outer edge of the rotating substrate W is sufficiently small, it can be determined that the substrate W is normally held (maintenance is normal).

도 14는, 도 12 또는 도 13과 같이 추출된 에지의 기판 둘레 방향의 길이의, 각 화상 프레임까지의 최대값을 나타내는 도면이다. 도 14에 있어서, 세로축은 에지의 기판 둘레 방향의 길이의 최대값[픽셀]을 나타내고, 가로축은 화상 프레임 수를 나타낸다.FIG. 14 is a diagram showing the maximum value of the length of the edge extracted as in FIG. 12 or 13 in the circumferential direction of the substrate to each image frame. In Fig. 14, the vertical axis represents the maximum value [pixels] of the length of the edge in the circumferential direction of the substrate, and the horizontal axis represents the number of image frames.

도 14에 있어서는, 유지 정상에 대응하는 샘플 1종류(실선)과, 유지 이상에 대응하는 샘플 4종류(굵은 점선, 가는 점선, 굵은 1점 쇄선, 가는 1점 쇄선)가, 각각 나타내어져 있다.In Fig. 14, one type of sample corresponding to the holding normal (solid line) and four types of the sample corresponding to the holding abnormality (a thick dotted line, a thin dotted line, a thick one-dot chain line, and a thin one-dot chain line) are respectively shown.

촬상되는 기판(W)의 회전 속도는, 예를 들면, 500rpm으로 하고, 화상 프레임을 취득하는 간격은, 예를 들면, 60fps로 한다. 그러나, 기판(W)의 회전 속도에 대응하여, 기판(W)이 상이한 외연부가 촬상 범위에 포함되도록 화상 프레임을 취득하는 간격이 조정되어도 되고, 기판(W)의 회전 속도와는 무관계하게 화상 프레임을 취득하는 간격이 조정되어도 되고, 화상 프레임을 취득하는 간격이 랜덤이어도 된다.The rotational speed of the substrate W to be imaged is, for example, 500 rpm, and the interval at which the image frames are acquired is, for example, 60 fps. However, in response to the rotational speed of the substrate W, the interval for acquiring the image frame may be adjusted so that the outer edge portions from which the substrate W differs are included in the imaging range, and the image frame is irrespective of the rotational speed of the substrate W. The interval for acquiring a may be adjusted, or the interval for acquiring an image frame may be random.

또, 본 실시의 형태에서는, 차분 화상은, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)에 대해 최초로 취득된 화상 프레임을 기준으로 하고, 그 후 순차적으로 취득되는 화상 프레임과의 비교에 의해서 작성되는 것으로 하는데, 기준으로 하는 화상 프레임은, 최초로 취득된 화상 프레임에 한정되는 것이 아니다.Further, in the present embodiment, the difference image is created by comparing the image frame first acquired with respect to the substrate W held by the spin chuck 20 and then sequentially acquired. It is assumed that the image frame as a reference is not limited to the first acquired image frame.

도 14에 예가 나타내어진 바와 같이, 각 화상 프레임까지의 에지(201)의 기판 둘레 방향의 길이의 최대값(이하, 간단히 에지(201)의 최대값이라고도 칭한다)을 유지해 가면, 기판(W)이 유지 이상(기판(W)의 외연부의 흔들림이 크다)인 경우에는, 에지(201)의 최대값이, 촬상 범위에 있어서의 기판 둘레 방향의 최대 픽셀 수(예를 들면, 600픽셀)에 달하고 있다.As shown in Fig. 14, if the maximum value of the length of the edge 201 to each image frame in the circumferential direction of the substrate (hereinafter, also simply referred to as the maximum value of the edge 201) is maintained, the substrate W is In the case of a holding abnormality (the shaking of the outer edge of the substrate W is large), the maximum value of the edge 201 reaches the maximum number of pixels (e.g., 600 pixels) in the peripheral direction of the substrate in the imaging range. .

한편, 기판(W)이 유지 정상(기판(W)의 외연부의 흔들림이 작다)인 경우에는, 에지(201)의 최대값이, 촬상 범위에 있어서의 기판 둘레 방향의 최대 픽셀 수의 일부(본 실시의 형태에서는, 절반 정도)에 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 즉, 에지(201)의 최대값이, 유지된 기판(W)의 외연부의 흔들림의 정도를 반영하고 있는 것을 알 수 있다.On the other hand, when the substrate W is in the normal holding state (the vibration of the outer edge of the substrate W is small), the maximum value of the edge 201 is a part of the maximum number of pixels in the peripheral direction of the substrate in the imaging range (this In the embodiment, it can be seen that it is suppressed to about half). That is, it can be seen that the maximum value of the edge 201 reflects the degree of shaking of the outer edge of the retained substrate W.

따라서, 판정부(91)는, 차분 화상에 의거하여 추출되는 에지(201)의 길이에 의거하여, 예를 들면, 에지(201)의 최대값이 소정의 역치보다 커졌을 경우에, 기판(W)의 유지 이상이 발생하고 있다고 하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정할 수 있다.Accordingly, the determination unit 91, based on the length of the edge 201 extracted based on the difference image, for example, when the maximum value of the edge 201 is greater than a predetermined threshold, the substrate W It is possible to determine the holding state of the substrate W assuming that the holding abnormality of is occurring.

＜유지 이상의 예에 대하여＞<Regarding the example of the above maintenance>

상기의 유지 이상이 발생하는 경우의 예로는, 복수의 척 핀(26) 중 적어도 1개가 적절히 기판(W)을 협지하고 있지 않는 경우(협지하고 있지 않는 경우, 또는, 스핀 베이스(21)에 평행이 아닌 자세로 기판(W)을 협지해 버리고 있는 경우 등을 포함한다), 또는, 기판(W)이 깨지거나 또는 일부 이지러짐으로써 척 핀(26)이 적절히 기능하지 않는 경우(척 핀(26)에 대응하는 개소에 기판(W)이 위치하고 있지 않는 경우, 또는, 스핀 베이스(21)에 평행이 아닌 자세로 기판(W)을 협지해 버리고 있는 경우 등을 포함한다) 등이 상정된다.An example of a case in which the above holding abnormality occurs is when at least one of the plurality of chuck pins 26 does not properly grip the substrate W (when not gripping, or parallel to the spin base 21). In the case where the substrate W is held in a different posture, etc.), or the chuck pin 26 does not function properly because the substrate W is cracked or partially bent (chuck pin 26 ), or the like) is assumed, such as a case where the substrate W is not positioned at a location corresponding to ), or a case where the substrate W is held in a non-parallel posture to the spin base 21.

＜유지 상태 판정의 타이밍에 대하여＞<Regarding the timing of maintenance status determination>

도 15는, 기판(W)이 정상적으로 유지되어 있는 경우의, 차분 화상에 의거하여 추출되는 에지의 기판 둘레 방향의 길이의 최대값을, 기판 처리 장치(100)의 각각의 동작에 있어서 측정했을 경우의 예를 나타내는 도면이다. 도 15에 있어서는, 세로축은 에지의 기판 둘레 방향의 길이의 최대값에 상당하는 평가치이며, 가로축은 화상 프레임 수이다.FIG. 15 is a case where the maximum value of the length of the edge extracted based on the difference image in the substrate circumferential direction in the case where the substrate W is normally held is measured in each operation of the substrate processing apparatus 100 It is a figure showing an example of. In Fig. 15, the vertical axis is an evaluation value corresponding to the maximum value of the length of the edge in the circumferential direction of the substrate, and the horizontal axis is the number of image frames.

도 15에 예가 나타내어진 바와 같이, 기판 처리 장치의 동작 공정으로는, 주반송 로봇(103)이 인덱서(102)로부터 수취한 처리 대상의 기판(W)을 각 세정 처리 유닛(1)에 반입하는 반입 공정(1001)과, 기판(W)을 스핀 척(20)에 협지하는 척 공정(1002)과, 기판 처리를 위해서 기판(W)의 회전을 개시하는 회전 개시 공정(1003)과, 처리컵(40)을 상승시키는 컵 상승 공정(1004)과, 기판(W)을 세정하는 세정 공정(1005)(도 8에 있어서의 단계 ST01, 단계 ST02 및 단계 ST03에 대응)과, 처리컵(40)을 하강시키는 컵 하강 공정(1006)과, 기판(W)을 스핀 척(20)으로부터 개방하는 개방 공정(1007)과, 주반송 로봇(103)이 세정 처리 유닛(1)으로부터 처리 완료 기판(W)을 반출하는 반출 공정(1008)이 나타내어져 있다.As an example is shown in FIG. 15, as an operation step of the substrate processing apparatus, the main transfer robot 103 carries the substrate W to be processed received from the indexer 102 into each cleaning processing unit 1. The carry-in process 1001, the chuck process 1002 for holding the substrate W to the spin chuck 20, the rotation start process 1003 for starting rotation of the substrate W for substrate processing, and a processing cup A cup raising step 1004 for raising 40, a cleaning step 1005 for cleaning the substrate W (corresponding to steps ST01, ST02 and ST03 in Fig. 8), and a processing cup 40 The cup lowering step 1006 of lowering the substrate W, the opening step 1007 of opening the substrate W from the spin chuck 20, and the main transfer robot 103 from the cleaning processing unit 1 to the processed substrate W The carrying out process 1008 of carrying out) is shown.

그 중, 회전 개시 공정(1003)과, 개방 공정(1007)에서는, 상대적으로 평가치가 낮고, 기판(W)의 외연부의 흔들림이 작은 것을 알 수 있다. 이들 공정 중 회전 개시 공정(1003)은, 컵 상승 공정(1004), 세정 공정(1005) 및 컵 하강 공정(1006)으로 이루어지는 기판 처리 전의 공정이며, 세정 공정(1005)에 있어서 기판(W)의 회전이 더 가속되어 고속 회전이 되는 것을 고려하면, 유지 이상이기 때문에 기판(W)이 비산하는 등의 문제가 발생하지 않도록 하기 위해서는, 기판(W)의 회전이 가속 중이며, 또한, 기판(W)의 외연부의 흔들림이 작은 이 회전 개시 공정(1003)에서 유지 상태 판정을 행하는 것이 바람직하다. 유지 상태 판정을 행하는 타이밍을 최적화함으로써, 상시 감시하는 경우보다 제어부(9)의 부하를 경감할 수도 있다.Among them, in the rotation start process 1003 and the opening process 1007, the evaluation value is relatively low, and it can be seen that the vibration of the outer edge of the substrate W is small. Among these processes, the rotation start process 1003 is a process prior to substrate processing comprising a cup raising process 1004, a cleaning process 1005, and a cup lowering process 1006, and the substrate W in the cleaning process 1005 is Considering that rotation is further accelerated and high-speed rotation is taken into account, in order to prevent a problem such as scattering of the substrate W due to the maintenance abnormality, the rotation of the substrate W is accelerating, and the substrate W is It is preferable to perform the holding state determination in this rotation start step 1003 in which the vibration of the outer edge of the is small. By optimizing the timing for determining the holding state, the load on the control unit 9 can be reduced compared to the case of constant monitoring.

또한, 기판 처리 중(예를 들면, 도 8의 단계 ST03에 대응하는 건조 처리 전) 등에 유지 상태 판정을 행해도 된다. 도 8의 단계 ST03에 대응하는 건조 처리 전에 유지 상태 판정을 행하는 경우에는, 적어도, 기판(W)이 건조를 위한 회전 속도에 도달하기 전의 가속 중의 상태에서 행하는 것이 바람직하다.Further, the holding state may be determined during substrate processing (for example, before the drying processing corresponding to step ST03 in Fig. 8) or the like. When the holding state determination is performed before the drying process corresponding to step ST03 in Fig. 8, it is preferable to perform at least in a state during acceleration before the substrate W reaches the rotational speed for drying.

회전 개시 공정(1003)에 있어서 유지 상태 판정을 행하여, 기판(W)의 유지 상태가 정상적인 경우는, 다음의 컵 상승 공정(1004)으로 진행한다. 한편, 기판(W)의 유지 상태가 정상이 아닌 경우는, 기판(W)의 회전을 정지하고, 필요에 따라서 경보를 발보한다.In the rotation start step 1003, the holding state is determined, and when the holding state of the substrate W is normal, the process proceeds to the next cup raising step 1004. On the other hand, when the holding state of the board|substrate W is not normal, rotation of the board|substrate W is stopped, and an alarm is issued as needed.

여기서, 경보는, 제어부(9)의 제어에 의해서 표시부(95)에 표시시킬 수 있는데, 예를 들면, 화면에 있어서의 식별 가능한 강조 표시(점멸 표시 등), 또는, 소리에 의한 경보가 행해져도 된다.Here, the alarm can be displayed on the display unit 95 under the control of the control unit 9, for example, even if an identifiable highlight display (flashing display, etc.) on the screen or an alarm by sound is performed. do.

＜이상에 기재된 실시의 형태에 의해서 발생하는 효과에 대하여＞<About the effect generated by the embodiment described above>

다음으로, 이상에 기재된 실시의 형태에 의해서 발생하는 효과의 예를 나타낸다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 이상에 기재된 실시의 형태에 예가 나타내어진 구체적인 구성에 의거하여 당해 효과가 기재되는데, 같은 효과가 발생하는 범위에서, 본원 명세서에 예가 나타내어지는 다른 구체적인 구성으로 치환되어도 된다.Next, an example of the effect generated by the embodiment described above is shown. In addition, in the following description, the effect is described based on the specific configuration in which examples are shown in the embodiments described above, but within the range in which the same effect occurs, other specific configurations in which examples are shown in the present specification may be substituted. .

이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 유지부와, 촬상부와, 추출부와, 판정부(91)를 구비한다. 여기서, 유지부는, 예를 들면, 스핀 척(20) 등에 대응하는 것이다. 또, 촬상부는, 예를 들면, 카메라(70) 등에 대응하는 것이다. 또, 추출부는, 예를 들면, 에지 추출부(90) 등에 대응하는 것이다. 스핀 척(20)은, 척 핀(26)에 의해서 기판(W)을 유지한다. 카메라(70)는, 유지된 기판(W)의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상한다. 그리고, 카메라(70)는, 기판(W)의 복수의 화상 데이터를 출력한다. 에지 추출부(90)는, 복수의 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 기판(W)의 외연부를 추출한다. 판정부(91)는, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정한다.According to the embodiment described above, the substrate processing apparatus includes a holding unit, an imaging unit, an extraction unit, and a determination unit 91. Here, the holding portion corresponds to, for example, the spin chuck 20 or the like. In addition, the imaging unit corresponds to, for example, the camera 70 or the like. Further, the extraction unit corresponds to, for example, the edge extraction unit 90 or the like. The spin chuck 20 holds the substrate W by the chuck pins 26. The camera 70 captures an imaging range including an outer edge portion of the held substrate W at a plurality of locations. Then, the camera 70 outputs a plurality of image data of the substrate W. The edge extracting unit 90 extracts an outer edge of the substrate W from a difference image between a plurality of image data. The determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the outer edge of the substrate W in the difference image.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판(W)을 유지하는 스핀 척(20)과, 유지된 기판(W)의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상하고, 또한, 기판(W)의 복수의 화상 데이터를 출력하는 카메라(70)를 구비한다. 또, 기판 처리 장치는, 프로그램을 실행하는 처리 회로(1102A)와, 실행되는 프로그램을 기억하는 기억 장치(1103)를 구비한다. 그리고, 처리 회로(1102A)가 프로그램을 실행함으로써, 이하의 동작이 실현된다.In addition, according to the embodiment described above, the substrate processing apparatus captures an imaging range including the spin chuck 20 holding the substrate W and the outer edge of the holding substrate W at a plurality of locations, Further, a camera 70 for outputting a plurality of image data of the substrate W is provided. Further, the substrate processing apparatus includes a processing circuit 1102A that executes a program, and a storage device 1103 that stores a program to be executed. Then, the following operation is realized by the processing circuit 1102A executing the program.

즉, 복수의 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 기판(W)의 외연부가 추출된다. 그리고, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태가 판정된다.That is, from the difference image between a plurality of image data, the outer edge of the substrate W is extracted. Then, the holding state of the substrate W is determined based on the outer edge of the substrate W in the difference image.

이러한 구성에 의하면, 기판(W)의 복수 개소에 있어서의 화상 데이터를 이용하여 차분 화상을 작성하고, 또한, 차분 화상으로부터 기판(W)의 외연부를 추출함으로써, 차분 화상에 있어서의 당해 외연부의 길이 등으로부터 기판(W)의 유지 상태를 판정할 수 있다. 따라서, 정상적으로 유지된 기판(W)의 화상 데이터를 기준 화상 데이터로서 유지하고 있지 않아도, 기판(W)의 유지 상태를 판정할 수 있다.According to such a configuration, a difference image is created using image data in a plurality of locations on the substrate W, and the outer edge portion of the substrate W is extracted from the difference image, so that the length of the outer edge portion in the difference image From the back, the holding state of the substrate W can be determined. Accordingly, the holding state of the substrate W can be determined without holding the image data of the substrate W normally held as the reference image data.

또한, 상기의 구성에 본원 명세서에 예가 나타내어진 다른 구성을 적절히 추가했을 경우, 즉, 상기의 구성으로는 언급되지 않았던 본원 명세서 중의 다른 구성이 적절히 추가되었을 경우여도, 같은 효과를 발생시킬 수 있다.In addition, the same effect can be produced even when other configurations shown in the specification of the present application are appropriately added to the above configuration, that is, when other configurations in the specification of the present application that are not mentioned in the above configuration are appropriately added.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 판정부(91)는, 차분 화상에 있어서의 외연부의 길이에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정한다. 이러한 구성에 의하면, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부의 길이가 긴 경우에, 기판(W)의 유지 상태가 이상 상태(즉, 유지 이상)임을 판정할 수 있다.Further, according to the embodiment described above, the determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the length of the outer edge in the difference image. According to this configuration, when the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is long, it can be determined that the holding state of the substrate W is an abnormal state (that is, the holding abnormality).

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 판정부(91)는, 차분 화상에 있어서의 외연부의 길이의 최대값에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정한다. 이러한 구성에 의하면, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부의 길이의 최대값이 역치보다 큰 경우에, 기판(W)이 유지 이상이라고 판정할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the determination unit 91 determines the holding state of the substrate W based on the maximum value of the length of the outer edge in the difference image. According to such a configuration, when the maximum value of the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is larger than the threshold value, it can be determined that the substrate W is a holding abnormality.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 카메라(70)는, 유지된 기판(W)의 외연부를 따라서 연장되는 아치 형상의 촬상 범위를 촬상한다. 이러한 구성에 의하면, 외연부의 길이를 효율적으로 촬상 범위에 포함할 수 있다. 또, 외연부를 따라서 연장되는 촬상 범위를 갖음으로써, 기판(W)의 외연부를 포함하고 직선 형상으로 발생하는 기판(W)의 균열, 또는, 기판(W)의 외연부의 이지러짐을 효과적으로 발견하여, 높은 정밀도로 유지 상태를 판정할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the camera 70 captures an arcuate imaging range extending along the outer periphery of the held substrate W. According to this configuration, the length of the outer edge can be efficiently included in the imaging range. In addition, by having an imaging range extending along the outer edge, it is possible to effectively find a crack in the substrate W that occurs in a linear shape including the outer edge of the substrate W, or a crack in the outer edge of the substrate W. The holding state can be determined with precision.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 카메라(70)는, 유지된 기판(W)을 기판(W)의 상방으로부터 촬상한다. 이러한 구성에 의하면, 편심 등에 의해서 기판(W)이 유지 이상이 되어 있는 경우에, 높은 정밀도로 판정할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the camera 70 captures an image of the held substrate W from above the substrate W. According to such a configuration, when the substrate W is abnormally held due to eccentricity or the like, it is possible to determine with high precision.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 카메라(70)는, 유지된 기판(W)을 기판(W)의 외주 측으로부터 촬상한다. 이러한 구성에 의하면, 균열 또는 흔들림 등에 의해서 기판(W)이 유지 이상이 되어 있는 경우에, 높은 정밀도로 판정할 수 있다. 또, 기판(W)의 상방 또한 외주 측으로부터 촬상하는 경우에는, 균열 또는 흔들림에 더하여, 편심도 동시에 판정할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the camera 70 captures an image of the held substrate W from the outer peripheral side of the substrate W. According to this configuration, when the substrate W is abnormally held due to cracking or shaking, it is possible to determine with high precision. In addition, in the case of image pickup from the upper side of the substrate W and from the outer circumferential side, in addition to cracking or shaking, the eccentricity can be determined at the same time.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 판정부(91)에 있어서 기판(W)의 유지 상태가 이상 상태(즉, 유지 이상)로 판정되었을 경우에, 경보를 발보하는 발보부를 구비한다. 여기서, 발보부는, 예를 들면, 표시부(95) 등에 대응하는 것이다. 이러한 구성에 의하면, 기판(W)이 유지 이상인 경우에, 경보에 의해서 주의 환기할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the substrate processing apparatus issues an alarm when the holding state of the substrate W in the determination unit 91 is determined to be an abnormal state (i.e., maintenance abnormality). We have wealth. Here, the footing unit corresponds to, for example, the display unit 95 or the like. According to this configuration, when the substrate W is more than the holding condition, it is possible to call attention by an alarm.

이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 방법에 있어서, 기판(W)을 유지하고, 또한, 회전시킨다. 그리고, 회전하고 있는 기판(W)의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상하고, 또한, 기판(W)의 복수의 화상 데이터를 출력한다. 그리고, 복수의 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 기판(W)의 외연부를 추출한다. 그리고, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정한다.According to the embodiment described above, in the substrate processing method, the substrate W is held and further rotated. Then, the imaging range including the outer edge of the rotating substrate W is imaged at a plurality of locations, and a plurality of image data of the substrate W is output. Then, the outer edge of the substrate W is extracted from the difference image between the plurality of image data. Then, based on the outer edge of the substrate W in the difference image, the holding state of the substrate W is determined.

이러한 구성에 의하면, 회전하고 있는 기판(W)의 복수 개소에 있어서의 화상 데이터를 이용하여 차분 화상을 작성하고, 또한, 차분 화상으로부터 기판(W)의 외연부를 추출함으로써, 차분 화상에 있어서의 외연부의 길이 등으로부터 기판(W)의 유지 상태를 판정할 수 있다.According to such a configuration, a difference image is created using image data in a plurality of locations of the rotating substrate W, and the outer edge of the difference image is extracted by extracting the outer edge of the substrate W from the difference image. The holding state of the substrate W can be determined from the negative length or the like.

또한, 특별한 제한이 없는 경우에는, 각각의 처리가 행해지는 순서는 변경할 수 있다.In addition, if there is no particular limitation, the order in which each process is performed can be changed.

또한, 상기의 구성에 본원 명세서에 예가 나타내어진 다른 구성을 적절히 추가했을 경우, 즉, 상기의 구성으로는 언급되지 않았던 본원 명세서 중의 다른 구성이 적절히 추가되었을 경우여도, 같은 효과를 발생시킬 수 있다.In addition, the same effect can be produced even when other configurations shown in the specification of the present application are appropriately added to the above configuration, that is, when other configurations in the specification of the present application that are not mentioned in the above configuration are appropriately added.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판(W)의 유지 상태를 판정하는 공정은, 차분 화상에 있어서의 외연부의 길이에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정하는 공정이다. 이러한 구성에 의하면, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부의 길이가 긴 경우에 기판(W)이 유지 이상임을 판정할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the step of determining the holding state of the substrate W is a step of determining the holding state of the substrate W based on the length of the outer edge in the difference image. According to this configuration, when the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is long, it can be determined that the substrate W is a holding abnormality.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판(W)의 유지 상태를 판정하는 공정은, 차분 화상에 있어서의 외연부의 길이의 최대값에 의거하여, 기판(W)의 유지 상태를 판정하는 공정이다. 이러한 구성에 의하면, 차분 화상에 있어서의 기판(W)의 외연부의 길이의 최대값이 역치보다 큰 경우에, 기판(W)이 유지 이상임을 판정할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the step of determining the holding state of the substrate W is a step of determining the holding state of the substrate W based on the maximum value of the length of the outer edge in the difference image. to be. According to this configuration, when the maximum value of the length of the outer edge portion of the substrate W in the difference image is larger than the threshold value, it can be determined that the substrate W is more than holding.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 방법은, 회전하고 있는 기판(W)을 촬상하는 공정 후에, 기판(W)을 처리하는 공정을 구비한다. 이러한 구성에 의하면, 처리컵(40)의 승강을 포함하는 기판 처리를 행하기 전에, 흔들림, 편심 또는 균열 등에 의해 기판(W)이 유지 이상이 되어 있는지 아닌지를 판정할 수 있다. 따라서, 기판 처리에 있어서의 기판(W)의 고속 회전이 행해지기 전에 유지 상태의 판정을 행할 수 있기 때문에, 기판 처리에 있어서, 기판(W)의 유지 상태가 정상이 아니기 때문에 기판(W)이 비산하는 등의 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, the substrate processing method includes a step of processing the substrate W after the step of imaging the rotating substrate W. According to this configuration, before performing the substrate treatment including the lifting and lowering of the processing cup 40, it is possible to determine whether or not the substrate W is abnormally held due to shaking, eccentricity, cracking, or the like. Therefore, since the holding state can be determined before the high-speed rotation of the substrate W in the substrate processing is performed, the holding state of the substrate W in the substrate processing is not normal, so that the substrate W is It is possible to suppress the occurrence of problems such as scattering.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 방법은, 회전하고 있는 기판(W)을 촬상하는 공정 전에, 기판(W)을 세정 처리하는 공정을 구비한다. 그리고, 회전하고 있는 기판(W)을 촬상하는 공정은, 세정 처리 후에 기판(W)을 건조 처리하기 전에 행해지는 공정이다. 이러한 구성에 의하면, 건조 처리를 행하기 전에, 약액 처리에 의해서 균열 등이 발생하여 기판(W)이 유지 이상이 되어 있는지 아닌지를 판정할 수 있다. 따라서, 건조 처리에 있어서의 고속 회전이 행해지기 전에 판정을 행할 수 있기 때문에, 열처리 등에 의해서 기판(W)의 유지 상태가 정상적이지 않게 되었을 경우에도, 기판 처리 후의 건조 처리에 있어서 기판(W)이 비산하는 등의 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 기판 처리 전의 유지 상태 판정과 맞춰보면, 세정 처리의 전후로, 기판(W)의 유지 상태가 변화하고 있는지 아닌지를 확인할 수도 있다.In addition, according to the embodiment described above, the substrate processing method includes a step of cleaning the substrate W before the step of imaging the rotating substrate W. And the process of imaging the rotating board|substrate W is a process performed after the cleaning process and before drying the board|substrate W. According to this configuration, it is possible to determine whether or not a crack or the like has occurred due to the chemical liquid treatment before the drying treatment is performed and the substrate W has become abnormal in holding or not. Therefore, since the determination can be made before the high-speed rotation in the drying process is performed, even when the holding state of the substrate W becomes abnormal due to heat treatment or the like, the substrate W in the drying process after the substrate treatment is It is possible to suppress the occurrence of problems such as scattering. In addition, it is also possible to confirm whether or not the holding state of the substrate W is changed before or after the cleaning treatment, in combination with the determination of the holding state before the substrate processing.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에 의하면, 기판 처리 방법은, 기판(W)의 유지 상태를 판정하는 공정에 있어서 기판(W)의 유지 상태가 이상 상태(즉, 유지 이상)임이 판정되었을 경우에, 기판(W)의 회전을 정지하는 공정을 구비한다. 이러한 구성에 의하면, 기판(W)이 유지 이상임이 판정되었을 경우에, 즉시 기판(W)의 회전을 정지할 수 있기 때문에, 후 공정(예를 들면, 세정 공정 또는 건조 공정 등)에 있어서 기판(W)이 비산하는 등의 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.In addition, according to the embodiment described above, in the substrate processing method, in the process of determining the holding state of the substrate W, when it is determined that the holding state of the substrate W is an abnormal state (that is, the holding abnormality). , A step of stopping the rotation of the substrate W is provided. According to this configuration, when it is determined that the substrate W is a maintenance abnormality, the rotation of the substrate W can be immediately stopped, so that the substrate (e.g., a cleaning process or a drying process, etc.) It is possible to suppress the occurrence of problems such as scattering of W).

＜이상에 기재된 실시의 형태의 변형예에 대하여＞<About the modified example of the embodiment described above>

이상에 기재된 실시의 형태에서는, 각각의 구성 요소의 재질, 재료, 치수, 형상, 상대적 배치 관계 또는 실시 조건 등에 대해서도 기재하는 경우가 있는데, 이들은 모든 국면에 있어서 하나의 예이며, 본원 명세서에 기재된 것에 한정되는 것이 아닌 것으로 한다.In the embodiments described above, the material, material, dimensions, shape, relative arrangement relationship or implementation conditions of each component may be described, but these are only examples in all aspects, and those described in the specification of the present application It should not be limited.

따라서, 예가 나타내어지지 않은 무수한 변형예, 및, 균등물이, 본원 명세서에 개시되는 기술의 범위 내에 있어서 상정된다. 예를 들면, 적어도 1개의 구성 요소를 변형하는 경우, 추가하는 경우 또는 생략하는 경우가 포함되는 것으로 한다.Therefore, countless modifications and equivalents for which examples are not shown are contemplated within the scope of the technology disclosed in the specification of the present application. For example, it is assumed that the case of modifying, adding or omitting at least one component is included.

또, 이상에 기재된 실시의 형태에서 기재된 각각의 구성 요소는, 소프트웨어 또는 펌 웨어로서도, 그것과 대응하는 하드웨어로서도 상정되고, 그 쌍방의 개념에 있어서, 각각의 구성 요소는 「부」또는 「처리 회로」(circuitry) 등으로 칭해진다.In addition, each of the constituent elements described in the embodiments described above is assumed to be software or firmware, and hardware corresponding to it, and in both concepts, each constituent element is a ``sub'' or ``processing circuit'' It is called "(circuitry), etc."

1: 세정 처리 유닛 9: 제어부
10: 챔버 11: 측벽
12: 천정벽 13: 바닥벽
14: FFU 15: 칸막이판
18: 배기 덕트 20, 20A: 스핀 척
21, 21B: 스핀 베이스 21a: 유지면
22: 스핀 모터 23: 커버 부재
24: 회전축 25: 플랜지형 부재
26, 26A: 척 핀 26X: 척 핀 차분
28: 하면 처리액 노즐 30, 60, 65: 노즐
31: 토출 헤드 32, 62, 67: 노즐 아암
33, 63, 68: 노즐 기대 40: 처리컵
41: 내컵 42: 중간컵
43: 외컵 43a, 52a: 하단부
43b, 47b, 52b: 상단부 43c, 52c: 꺾임부
44: 바닥부 45: 내벽부
46: 외벽부 47: 제1 안내부
48: 중벽부 49: 폐기 홈
50: 내측 회수 홈 51: 외측 회수 홈
52: 제2 안내부 53: 처리액 분리벽
70: 카메라 71: 조명부
90: 에지 추출부 91: 판정부
92: 커맨드 송신부 95: 표시부
96: 입력부 100: 기판 처리 장치
102: 인덱서 103: 주반송 로봇
150: 노즐 헤드 152: 플랜지부
153: 흡인면 154: 액 유로
154a: 역원추면 155: 기체 유로
156: 토출구 200: 외연부 차분
201: 에지 332: 모터
1001: 반입 공정 1002: 척 공정
1003: 회전 개시 공정 1004: 컵 상승 공정
1005: 세정 공정 1006: 컵 하강 공정
1007: 개방 공정 1008: 반출 공정
1102A: 처리 회로 1103: 기억 장치1: washing processing unit 9: control unit
10: chamber 11: side wall
12: ceiling wall 13: floor wall
14: FFU 15: partition plate
18: exhaust duct 20, 20A: spin chuck
21, 21B: spin base 21a: holding surface
22: spin motor 23: cover member
24: rotation shaft 25: flange-shaped member
26, 26A: chuck pin 26X: chuck pin difference
28: lower surface treatment liquid nozzle 30, 60, 65: nozzle
31: discharge head 32, 62, 67: nozzle arm
33, 63, 68: nozzle expectation 40: treatment cup
41: inner cup 42: middle cup
43: outer cup 43a, 52a: lower part
43b, 47b, 52b: upper part 43c, 52c: bent part
44: bottom portion 45: inner wall portion
46: outer wall portion 47: first guide portion
48: middle wall portion 49: discard groove
50: inner recovery groove 51: outer recovery groove
52: second guide portion 53: treatment liquid separation wall
70: camera 71: lighting unit
90: edge extraction unit 91: determination unit
92: command transmission unit 95: display unit
96: input unit 100: substrate processing apparatus
102: indexer 103: main transport robot
150: nozzle head 152: flange portion
153: suction surface 154: liquid flow path
154a: inverse conical surface 155: gas flow path
156: discharge port 200: difference between the outer edges
201: edge 332: motor
1001: carry-in process 1002: chuck process
1003: rotation start process 1004: cup raising process
1005: washing process 1006: cup lowering process
1007: open process 1008: take-out process
1102A: processing circuit 1103: memory device

Claims (14)

기판을 유지하기 위한 유지부와,
유지된 상기 기판의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상하고, 또한, 상기 기판의 복수의 화상 데이터를 출력하기 위한 촬상부와,
복수의 상기 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 상기 기판의 상기 외연부를 추출하기 위한 추출부와,
상기 차분 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 외연부에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하기 위한 판정부를 구비하는, 기판 처리 장치.A holding part for holding the substrate,
An imaging unit for imaging an imaging range including an outer edge of the substrate held at a plurality of locations, and for outputting a plurality of image data of the substrate,
An extraction unit for extracting the outer edge of the substrate from a difference image between a plurality of the image data,
A substrate processing apparatus comprising a determination unit for determining a holding state of the substrate based on the outer edge of the substrate in the differential image. 청구항 1에 있어서,
상기 판정부는, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the determination unit determines a holding state of the substrate based on a length of the outer edge portion in the difference image. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 판정부는, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이의 최대값에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The determination unit determines a holding state of the substrate based on a maximum value of a length of the outer edge in the difference image. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 촬상부는, 유지된 상기 기판의 상기 외연부를 따라서 연장되는 상기 촬상 범위를 촬상하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the imaging unit captures the imaging range extending along the outer edge of the held substrate. 청구항 4에 있어서,
상기 촬상부는, 상기 기판의 상기 외연부를 따라서 연장되는 아치 형상의 상기 촬상 범위를 촬상하는, 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The substrate processing apparatus, wherein the imaging unit captures the arcuate imaging range extending along the outer edge of the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 촬상부는, 유지된 상기 기판을 상기 기판의 상방으로부터 촬상하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the imaging unit captures an image of the held substrate from above the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 촬상부는, 유지된 상기 기판을 상기 기판의 외주 측으로부터 촬상하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the imaging unit captures the held substrate from an outer circumferential side of the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 판정부에 있어서 상기 기판의 유지 상태가 이상 상태로 판정되었을 경우에, 경보를 발보(發報)하는 발보부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus further comprising an issuing unit for issuing an alarm when the holding state of the substrate is determined to be an abnormal state in the determination unit. 기판을 유지하고, 또한, 회전시키는 공정과,
회전하고 있는 상기 기판의 외연부를 포함하는 촬상 범위를 복수 개소에서 촬상하고, 또한, 상기 기판의 복수의 화상 데이터를 출력하는 공정과,
복수의 상기 화상 데이터 간의 차분 화상으로부터, 상기 기판의 상기 외연부를 추출하는 공정과,
상기 차분 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 외연부에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.The process of holding and rotating the substrate,
A step of capturing an imaging range including an outer edge portion of the rotating substrate at a plurality of locations, and outputting a plurality of image data of the substrate;
A step of extracting the outer edge of the substrate from a difference image between a plurality of the image data; and
And a step of determining a holding state of the substrate based on the outer edge of the substrate in the differential image. 청구항 9에 있어서,
상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정은, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정인, 기판 처리 방법.The method of claim 9,
The process of determining the holding state of the substrate is a process of determining the holding state of the substrate based on the length of the outer edge in the differential image. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정은, 상기 차분 화상에 있어서의 상기 외연부의 길이의 최대값에 의거하여, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정인, 기판 처리 방법.The method according to claim 9 or 10,
The process of determining the holding state of the substrate is a process of determining the holding state of the substrate based on a maximum value of the length of the outer edge in the difference image. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
회전하고 있는 상기 기판을 촬상하는 공정 후에, 상기 기판을 처리하는 공정을 더 구비하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 9 or 10,
The substrate processing method further comprising a step of processing the substrate after the step of imaging the rotating substrate. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
회전하고 있는 상기 기판을 촬상하는 공정 전에, 상기 기판을 세정 처리하는 공정을 더 구비하고,
회전하고 있는 상기 기판을 촬상하는 공정은, 상기 세정 처리 후에 상기 기판을 건조 처리하기 전에 행해지는 공정인, 기판 처리 방법.The method according to claim 9 or 10,
Before the step of imaging the rotating substrate, further comprising a step of cleaning the substrate,
The substrate processing method, wherein the step of imaging the rotating substrate is a step performed after the cleaning treatment and before drying the substrate. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
상기 기판의 유지 상태를 판정하는 공정에 있어서 상기 기판의 유지 상태가 이상 상태임이 판정되었을 경우에, 상기 기판의 회전을 정지하는 공정을 더 구비하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 9 or 10,
The substrate processing method further comprising a step of stopping rotation of the substrate when it is determined that the holding state of the substrate is an abnormal state in the step of determining the holding state of the substrate.
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