KR101980508B1 - Coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 처리 블록에서 기판에 도포막을 형성한 후, 이 기판을 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 그 후 캐리어에 전달하도록 구성되며, 동일 시간당 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치에 있어서, 노광 전의 기판을 일단 임시 적재하는 임시 적재부와, 기판의 반송 경로에서의, 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 당해 상류측의 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하기 위한 정지 시간 설정부와, 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 정지 시간의 길이에 따른, 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 소정의 처리 매수에 도달한 후에 임시 적재부의 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고 있다.The present invention is characterized in that a coating film is formed on a substrate in a processing block, the substrate is transferred to an exposure apparatus, the developing substrate is subjected to development processing in the processing block after the exposure, and then transferred to the carrier, In the coating and developing apparatus in which the number of sheets is larger than that of the exposure apparatus, a provisional loading section temporarily temporarily holding the substrate before exposure and a temporary holding section for temporarily holding the substrate before the exposure, A stop time setting unit for setting a length of time for stopping the conveyance of the substrate, a monitoring unit for monitoring whether or not the number of substrates placed on the temporary holding unit has reached the number of processed substrates by the processing block, A control section for outputting a control signal to stop the conveyance of the substrate on the upstream side of the temporary holding section after reaching the process number of the temporary holding section And.

Description

도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억 매체{COATING AND DEVELOPING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating and developing apparatus, a coating and developing method,

본 발명은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상을 행하는 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 이 방법을 실행하는 컴퓨터 프로그램을 포함한 기억 매체에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a coating and developing apparatus for applying a resist to a substrate and performing development, a coating and developing method, and a storage medium including a computer program for executing the method.

반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이 레지스트 패턴의 형성은, 레지스트 등의 각종 도포막의 형성 처리 및 현상 처리를 행하는 도포 현상 장치에 노광 처리를 행하는 노광 장치를 접속한 시스템에 의해 행하고 있다.In a photoresist process, which is one of semiconductor manufacturing processes, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), the resist is exposed in a predetermined pattern, and then developed to form a resist pattern. This resist pattern is formed by a system connected to an exposure apparatus that performs exposure processing on a coating and developing apparatus that performs formation processing and development processing of various coating films such as resist.

그런데, 도포 현상 장치에 있어서는 웨이퍼를 처리하는 모듈 상태의 확인이나 부품의 교환 등의 각종 메인터넌스를 행하는 경우가 있으며, 그를 위해 도포 현상 장치의 가동을 정지시키는 경우가 있었다. 상기와 같이 도포 현상 장치와 노광 장치 사이에서 웨이퍼가 반송되기 때문에, 도포 현상 장치의 가동을 정지시킨 경우에는, 노광 장치의 가동도 정지시키고 있었다. 그러나, 그와 같이 시스템 전체의 동작을 정지함으로써, 반도체 제품의 생산 효율이 저하되어 버린다.However, in the coating and developing apparatus, various maintenance such as confirmation of the state of a module for processing wafers and replacement of parts may be carried out, and the operation of the coating and developing apparatus is sometimes stopped. Since the wafer is conveyed between the coating and developing apparatus and the exposure apparatus as described above, when the operation of the coating and developing apparatus is stopped, the operation of the exposure apparatus is also stopped. However, by stopping the operation of the entire system as such, the production efficiency of the semiconductor product is lowered.

특허문헌 1에는, 상기와 같이 노광 전의 웨이퍼를 도포 현상 장치에 설치된 버퍼 모듈에 축적하고, 버퍼 모듈의 전단측에서 행해지는 처리를 일단 정지시켜 메인터넌스를 행하는 것이 기재되어 있다. 그리고, 메인터넌스 중에 버퍼 모듈로부터는 웨이퍼를 반송하여, 후단측의 처리를 계속하는 것이 개시되어 있지만, 메인터넌스 중에 버퍼 모듈 내의 웨이퍼가 전부 취출되어, 후단측의 처리를 행할 수 없게 될 우려가 있다. 노광 장치의 운용에는 비교적 고가의 비용을 필요로 하기 때문에, 이와 같이 후단측의 처리를 행할 수 없는 경우, 반도체 제품의 생산 비용이 고가로 될 우려가 있다.Patent Document 1 discloses that a wafer before exposure is stored in a buffer module provided in a coating and developing apparatus and the processing performed on the front end side of the buffer module is once stopped to perform maintenance. While it has been disclosed that the wafer is transported from the buffer module during maintenance to continue the processing on the downstream side, there is a possibility that the wafer in the buffer module is entirely taken out during the maintenance, and the downstream side processing can not be performed. The operation of the exposure apparatus requires a comparatively high cost. Therefore, if the processing on the downstream side can not be performed in this way, the production cost of the semiconductor product may become expensive.

일본 특허 공개 제2008-277528호 공보(단락 0046)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-277528 (paragraph 0046)

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 노광 장치의 생산 효율을 떨어뜨리지 않는 도포 현상 장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a coating and developing apparatus which does not lower the production efficiency of the exposure apparatus.

본 발명의 도포 현상 장치는, 캐리어 블록에 적재된 캐리어로부터 취출된 기판을 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 캐리어에 전달하도록 구성되며, 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치에 있어서,In the coating and developing apparatus of the present invention, a substrate taken out from a carrier placed on a carrier block is formed into a coating film containing a resist film in a processing block, and then transferred to an exposure apparatus. Then, And a transfer mechanism configured to transfer the substrate to the carrier, wherein the number of processed substrates is larger than that of the exposure apparatus,

상기 도포막이 형성된, 노광 전의 기판을 일단 임시 적재하는 임시 적재부와, 기판의 반송 경로에 있어서의 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 당해 상류측 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하기 위한 정지 시간 설정부와,The length of time for stopping the conveyance of the upstream substrate is set to be longer than the length of time for conveying the upstream substrate in order to perform maintenance for the temporary placement unit temporarily temporarily holding the substrate before the exposure on which the coating film is formed and the module on which the substrate is placed in the conveying path of the substrate A stop time setting unit for setting the stop time,

상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 도달한 후에 상기 상류측 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.The control unit monitors whether or not the number of substrates placed on the temporary holding unit has reached the number of processed substrates by the processing block according to the length of the stopping time and then sends a control signal to stop the conveyance of the upstream substrate And a control unit for outputting the control signal.

「상기 정지 시간에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수」란, 정지 시간 동안에 처리할 수 있는 기판의 처리 매수 그 자체만으로 한정하지 않고, 정지 시간 동안에 처리할 수 있는 기판의 처리 매수의 예를 들어 95%의 매수도 특허청구범위에 포함된다. 예를 들어 정지 시간을 30분으로 설정하고, 단위 시간당 기판의 처리 매수가 30초인 경우에는, 처리 매수는 60매로 되지만, 임시 적재부에 57매 축적되었을 때 기판의 반송을 정지해도 된다. 이 경우에는, 57매의 기판을 노광 장치로 반송했을 때, 처리 블록에서는 기판의 처리를 재개할 수 없으므로, 노광 장치는, 처리 블록에 있어서의 기판의 3매분의 처리 시간인 1분 30초만큼 처리가 도중에 끊기게 된다. 그러나 이러한 경우에도 본 발명의 방법의 효과가 실질적으로 얻어지는 점에서, 특허청구범위에 포함된다. 즉, 기판의 반송을 정지하는 시간을 설정하고, 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 소정의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하도록 장치를 구성한 경우, 상기 「소정의 처리 매수」는, 업계에 있어서 효과가 얻어진다고 판단되는 한, 정지 시간 동안에 처리할 수 있는 기판의 처리 매수 그 자체만으로 한정하지 않는다는 점이다. 또한, 여기서 말하는 「모듈」에는 기판을 반송하는 반송 수단도 포함된다.The number of substrates processed by the processing block in accordance with the stop time is not limited to the number of substrates processed per stoppage time but may be an example of the number of substrates processed For example, a 95% bid is also included in the claims. For example, if the stop time is set to 30 minutes and the number of processed substrates per unit time is 30 seconds, the number of processed substrates is 60, but when 57 substrates are accumulated in the temporary holding unit, the substrate may be transported. In this case, when the 57 substrates are transferred to the exposure apparatus, the processing of the substrate can not be resumed in the processing block. Therefore, the exposure apparatus is required to perform the processing for 3 minutes The processing is interrupted. However, such a case is also included in the claims in view of the substantial effect of the method of the present invention. That is, when the apparatus is configured to set the time for stopping conveyance of the substrate and to monitor whether or not the number of substrates placed on the temporary holding section has reached a predetermined number of sheets, the "predetermined number of sheets" Is not limited to the number of substrates to be processed during the stopping time, as long as the effect is judged to be obtained. The " module " used herein also includes a transporting means for transporting the substrate.

상기, 도포 현상 장치의 구체적인 형태로서는 예를 들어 하기와 같다.Specific examples of the above-described coating and developing apparatus are shown below, for example.

(a) 상기 제어부는, 상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로의 기판의 불출을 정지하기 위한 제어 신호를 출력하고, 그 후, 상기 상류측 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다.(a) The control section determines whether the number of substrates placed on the temporary holding section reaches the number of processed substrates by the processing block, according to the length of the stopping time, And then outputs a control signal to stop the transportation of the upstream substrate.

(b) 상기 제어부는, 상기 상류측 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하기 전에, 처리 블록 내에 존재하는 기판을 상기 임시 적재부에 퇴피시키도록 제어 신호를 출력한다.(b) The control section outputs a control signal to evacuate the substrate present in the processing block to the temporary mounting section before outputting the control signal to stop the transportation of the upstream substrate.

(c) 상기 제어부는, 상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 그 시점에서 처리 블록 내에 존재하는 기판이 속하는 로트의 최종 기판이 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로 불출된 후, 후속하는 기판의 불출을 정지함과 함께, 당해 최종 기판이 처리 블록을 통과한 후, 상기 상류측 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다.(c) After the number of substrates placed on the temporary mounting section reaches the number of processed substrates by the processing block, the number of substrates placed on the temporary mounting section reaches the number of processed substrates by the processing block, After the final substrate of the lot has been dispensed from the carrier block side to the processing block, a control signal is sent to stop the dispensing of the subsequent substrate and to stop the transfer of the upstream substrate after passing through the processing block .

(d) 상기 정지 시간의 길이에 따른 매수의 노광 전의 기판이 임시 적재부에 놓일 때까지의 대기 시간을, 임시 적재부에 놓여 있는 노광 전의 기판의 매수와, 도포 현상 장치의 기판의 처리 매수에 기초하여 연산하는 연산 수단과, 연산된 상기 대기 시간을 표시하는 표시부를 구비한다.(d) The waiting time until the substrate before exposure of the number of sheets corresponding to the length of the stopping time is placed in the temporary mounting portion is determined by the number of substrates before exposure, which is placed on the temporary mounting portion, And a display unit for displaying the calculated waiting time.

(e) 상기 메인터넌스를 개시하는 타이밍을 설정하는 타이밍 설정부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 타이밍의 경과 후에 상류측 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력한다.(e) a timing setting unit for setting a timing for starting the maintenance, and the control unit outputs a control signal to stop the conveyance of the upstream substrate after the elapse of the timing.

(f) 상기 모듈은, 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액을 공급하는 노즐과, 상기 노즐에 세정액을 공급하는 노즐 세정 기구를 포함하고,(f) The module includes a nozzle for supplying a chemical liquid for forming a coating film to a substrate, and a nozzle cleaning mechanism for supplying a cleaning liquid to the nozzle,

상기 제어부는, 상기 정지 시간에 상기 노즐을 세정하기 위해서, 노즐 세정 기구로부터 세정액을 공급하도록 제어 신호를 출력한다.The control unit outputs a control signal to supply the cleaning liquid from the nozzle cleaning mechanism to clean the nozzle at the stop time.

(g) 상기 모듈은, 기판의 적재부와, 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액을 공급하는 노즐과, 상기 적재부에 적재된 기판을 둘러싸는 컵과, 상기 컵 내에 세정액을 공급하는 세정 기구를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 정지 시간에 컵을 세정하기 위해 세정액을 공급하도록 제어 신호를 출력한다.(g) The module comprises a loading section for a substrate, a nozzle for supplying a chemical liquid for forming a coating film to the substrate, a cup surrounding the substrate loaded on the loading section, and a cleaning mechanism for supplying a cleaning liquid into the cup And the control unit outputs a control signal to supply the cleaning liquid to clean the cup at the stopping time.

(h) 상기 모듈에 있어서 기판을 처리할 때는 컵의 외부에 설치된 대기부에 대기하고, 상기 정지 시간에 상기 컵으로 반송되는 지그를 구비하고, 상기 적재부는 상기 지그를 보유 지지함과 함께 회전시키는 것과, 상기 세정 기구는 상기 지그로 세정액을 토출하고, 비산시켜서 컵 내를 세정한다.(h) a jig which stands by at a standby portion provided outside the cup when the substrate is processed in the module, and is conveyed to the cup at the stopping time, and the loading portion holds the jig and rotates And the cleaning mechanism discharges the cleaning liquid by the jig and scatters it to clean the inside of the cup.

(i) 상기 제어부는, 마지막으로 상기 캐리어 블록으로부터 상기 도포 현상 장치에서 처리 완료된 기판을 저장한 캐리어가 반출되고 나서, 다음 캐리어가 상기 캐리어 블록으로 반송될 때까지의 동안에, 모듈에서 메인터넌스가 행해지도록 제어 신호를 출력한다.(i) The control unit controls the module so that maintenance is carried out from the carrier block to the carrier block after the carrier storing the processed substrate in the coating and developing apparatus is carried out, until the next carrier is conveyed to the carrier block And outputs a control signal.

(j) 상기 제어부는, 캐리어로부터 기판을 불출하는 시각을 제어하기 위한 신호를 당해 제어부로 송신하는 호스트 컴퓨터에 접속되고,(j) The control unit is connected to a host computer that transmits a signal for controlling the time at which the substrate is dispensed from the carrier to the control unit,

상기 제어부는, 캐리어가 상기 캐리어 블록으로 반입되고 나서, 당해 캐리어로부터 상기 기판을 불출하는 시각까지의 동안에 모듈에서 메인터넌스가 행해지도록 제어 신호를 출력한다.The control section outputs a control signal so that maintenance is performed in the module from the time when the carrier is carried into the carrier block to the time when the substrate is discharged from the carrier.

(k) 상기 처리 블록에 전단측 모듈과, 기판의 로트에 따라서 처리 상태를 전환하는 후단측 모듈이 설치되고,(k) The processing block is provided with a module on the front end side and a module on the rear end side that switches the processing state according to the lot of the substrate,

상기 제어부는, 선발 로트의 모든 기판이 상기 후단측 모듈에서 처리된 후, 또한 후발 로트의 기판이 전단측 모듈로 반송되기 전에, 상기 후단측 모듈의 처리 상태의 전환에 병행하여, 상기 전단측 모듈에서 메인터넌스를 행하도록 제어 신호를 출력한다.Wherein the control unit is configured to change the state of the processing of the rear end side module in parallel with the switching of the processing state of the rear end side module before the substrate of the rear lot is transported to the front end side module after all substrates of the preliminary lot have been processed in the rear end side module, And outputs a control signal to perform maintenance in the vehicle.

(l) 선발 로트가 전단측 모듈로 반송되지 않고 후단측 모듈로 반송되도록 설정되고, 또한 후발 로트가 전단측 모듈 및 후단측 모듈로 반송되도록 설정되고,(1) the starting lot is set to be transported to the rear end module without being transported to the front end module, and the rear lot is set to be transported to the front end side module and the rear end side module,

상기 제어부는 선발 로트의 모든 기판이 후단측 모듈에서 처리된 후, 후발 로트의 기판이 후단측 모듈로 반송되기 전에 당해 후단측 모듈에서 메인터넌스를 행하기 위해서 제어 신호를 출력한다.The control unit outputs a control signal to perform maintenance in the rear stage module before the substrate of the rear lot is transported to the rear stage module after all the substrates of the starting lot are processed in the rear stage module.

본 발명의 도포 현상 방법은, 캐리어 블록에 적재된 캐리어로부터 취출된 기판을 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 캐리어에 전달하도록 구성되며, 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치를 사용한 도포 현상 방법에 있어서,In the coating and developing method of the present invention, a substrate taken out from a carrier loaded on a carrier block is formed into a coating film containing a resist film in a processing block, and then transferred to an exposure apparatus. Then, And transferring the image onto a carrier, wherein in a coating and developing method using a coating and developing apparatus in which the number of processed substrates is larger than that in an exposure apparatus,

상기 도포막이 형성된, 노광 전의 기판을 임시 적재부에 일단 임시 적재하는 공정과,Temporarily temporarily mounting the substrate before the exposure on the temporary holding portion where the coating film is formed,

기판의 반송 경로에 있어서 상기 임시 적재부보다도 상류측에 있어서의, 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 정지 시간 설정부에 의해 당해 상류측 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하는 공정과,The length of time for stopping the transportation of the upstream substrate is set by the stopping time setting unit in order to perform maintenance on the module on which the substrate is placed on the upstream side of the temporary loading unit in the transport path of the substrate The process,

상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 도달한 후에 상기 상류측 기판의 반송을 정지하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.Monitoring whether or not the number of substrates placed on the temporary holding section has reached the number of processed substrates by the processing block according to the length of the stopping time and stopping the conveyance of the upstream substrate after reaching .

상기 도포 현상 방법의 구체적인 형태로서는, 예를 들어 하기와 같다.Specific examples of the coating and developing method include, for example, the following.

(m) 상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로의 기판의 불출을 정지하는 공정과,(m) stopping the dispensing of the substrate from the carrier block side to the processing block after the number of substrates placed on the temporary holding portion reaches the number of processed substrates by the processing block, according to the length of the stopping time and,

이어서, 상기 상류측 기판의 반송을 정지하는 공정을 구비한다.And then stopping the conveyance of the upstream substrate.

(n) 상기 상류측 기판의 반송을 정지하기 전에, 처리 블록 내에 존재하는 기판을 상기 임시 적재부에 퇴피시키는 공정을 구비한다.(n) evacuating the substrate present in the processing block to the temporary mounting section before stopping the transportation of the upstream substrate.

(o) 상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 그 시점에서 처리 블록 내에 존재하는 기판이 속하는 로트의 최종 기판이 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로 불출된 후, 후속하는 기판의 불출을 정지하는 공정과,(o) after the number of substrates placed on the temporary loading section reaches the number of processed substrates by the processing block, according to the length of the stopping time, A step of stopping the dispensing of the subsequent substrate after the carrier block is dispensed from the carrier block side to the processing block,

상기 최종 기판이 처리 블록을 통과한 후, 상기 상류측 기판의 반송을 정지하는 공정을 구비한다.And a step of stopping the transfer of the upstream substrate after the final substrate has passed through the processing block.

(p) 상기 정지 시간에, 상기 모듈에 설치된 기판에 도포막을 형성하기 위한 약액을 공급하는 노즐에 세정액을 공급해서 세정하는 공정을 구비한다.(p) supplying the cleaning liquid to the nozzle for supplying the chemical liquid for forming the coating film to the substrate provided in the module at the stopping time, and cleaning.

(q) 상기 정지 시간에, 상기 모듈에 설치된 기판의 적재부를 둘러싸는 컵에 세정액을 공급해서 세정하는 공정을 구비한다.(q) supplying the cleaning liquid to the cup surrounding the loading portion of the substrate provided in the module at the stopping time, thereby cleaning.

(r) 상기 컵을 세정하는 공정은, 상기 정지 시간에 컵의 외부에 설치된 대기부로부터 상기 컵으로 지그를 반송하는 공정과, 상기 적재부에 지그를 보유 지지하고, 회전시키는 공정과, 세정 기구로부터 상기 지그로 세정액을 토출하고, 컵 내에 비산시키는 공정을 포함한다.(r) The step of cleaning the cup includes the steps of: transporting the jig from the standby portion provided on the outside of the cup at the stopping time; holding the jig in the loading portion and rotating the jig; And discharging the cleaning liquid from the jig and scattering the liquid in the cup.

(s) 상기 컵에 세정액을 공급하는 공정은, 컵에 설치된 세정 기구에 의해 행해진다.(s) The step of supplying the cleaning liquid to the cup is performed by a cleaning mechanism provided in the cup.

본 발명의 기억 매체는, 도포 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 도포 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a coating and developing apparatus, wherein the computer program is for carrying out the above-described coating and developing method.

본 발명에 의하면, 임시 적재부에 놓인 노광 전의 기판의 매수가 메인터넌스를 행하기 위한 정지 시간의 길이에 따른 매수에 도달한 후에, 임시 적재부의 상기 상류측의 기판의 반송을 정지한다. 따라서, 정지 시간의 동안에 노광 전의 기판을 노광 장치로 계속해서 반송하여 노광 처리를 행할 수 있다. 따라서, 노광 장치의 생산 효율의 저하를 억제할 수 있다.According to the present invention, after the number of substrates placed on the temporary mounting section reaches the number of sheets corresponding to the length of the stop time for performing maintenance, the transfer of the substrate on the upstream side of the temporary mounting section is stopped. Therefore, the substrate before exposure can be continuously conveyed to the exposure apparatus for the stopping time to perform the exposure process. Therefore, the reduction of the production efficiency of the exposure apparatus can be suppressed.

도 1은 본 발명의 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 3은 상기 도포 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 인터페이스 블록의 종단 정면도이다.
도 5는 버퍼 모듈에 있어서의 대기 영역의 사시도이다.
도 6은 도포 현상 장치 및 노광 장치의 반송의 개요를 나타낸 설명도이다.
도 7은 도포 현상 장치 및 노광 장치의 반송의 개요를 나타낸 설명도이다.
도 8은 도포 현상 장치에 설치되는 제어부의 설명도이다.
도 9는 상기 제어부의 기억 영역을 나타낸 설명도이다.
도 10은 상기 제어부의 기억 영역을 나타낸 설명도이다.
도 11은 제어부의 기억 영역을 나타낸 설명도이다.
도 12는 제어부의 기억 영역을 나타낸 설명도이다.
도 13은 도포 현상 장치에서 자동 메인터넌스가 개시되는 플로우 차트이다.
도 14는 예약 메인터넌스를 행하는 플로우 차트이다.
도 15는 수동 메인터넌스를 행하는 플로우 차트이다.
도 16은 도포 현상 장치 및 노광 장치의 반송의 개요를 나타낸 설명도이다.
도 17은 자동 컵 세정에 사용하는 디스크의 사시도이다.
도 18은 자동 컵 세정시의 레지스트 도포 모듈의 종단 측면도이다.
도 19는 웨이퍼가 반송되는 모습을 도시한 모식도이다.
도 20은 웨이퍼가 반송되는 모습을 도시한 모식도이다.
도 21은 웨이퍼가 반송되는 모습을 도시한 모식도이다.
도 22는 웨이퍼가 반송되는 모습을 도시한 모식도이다.1 is a plan view of a coating and developing apparatus of the present invention.
2 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
3 is a longitudinal side view of the coating and developing apparatus.
4 is a longitudinal front view of the interface block;
5 is a perspective view of the waiting area in the buffer module.
Fig. 6 is an explanatory view showing the outline of conveyance of the coating and developing apparatus and the exposure apparatus.
Fig. 7 is an explanatory view showing an outline of conveyance of the coating and developing apparatus and the exposure apparatus.
8 is an explanatory diagram of a control unit provided in the coating and developing apparatus.
9 is an explanatory view showing a storage area of the control unit.
10 is an explanatory view showing a storage area of the control unit.
11 is an explanatory view showing a storage area of the control unit.
12 is an explanatory view showing a storage area of the control unit.
13 is a flowchart showing the start of automatic maintenance in the coating and developing apparatus.
14 is a flowchart for performing reservation maintenance.
15 is a flowchart for performing manual maintenance.
16 is an explanatory view showing an outline of conveyance of the coating and developing apparatus and the exposure apparatus.
17 is a perspective view of a disk used for automatic cup cleaning.
18 is a longitudinal side view of the resist coating module during automatic cup cleaning.
19 is a schematic diagram showing a state in which a wafer is transported.
20 is a schematic diagram showing a state in which a wafer is transported.
21 is a schematic diagram showing a state in which the wafer is transported.
22 is a schematic diagram showing a state in which the wafer is transported.

본 발명에 따른 도포 현상 장치(1)에 대하여 설명한다. 도 １은, 상기 도포 현상 장치의 평면도, 도 2는 상기 도포 현상 장치의 개략 사시도, 도 3은 상기 도포 현상 장치의 개략 측면도이다. 이 도포 현상 장치(1)는 캐리어 블록(S1)과, 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)을 직선 형상으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는 또한 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(S1 내지 S3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다. The coating and developing apparatus 1 according to the present invention will be described. Fig. 1 is a plan view of the coating and developing apparatus, Fig. 2 is a schematic perspective view of the coating and developing apparatus, and Fig. 3 is a schematic side view of the coating and developing apparatus. The coating and developing apparatus 1 is constituted by connecting a carrier block S1, a processing block S2 and an interface block S3 in a linear shape. The exposure unit S4 is also connected to the interface block S3. In the following description, the arrangement direction of the blocks S1 to S3 is the forward and backward directions.

캐리어 블록(S1)은, 동일한 로트의 기판인 웨이퍼(W)를 복수매 포함하는 캐리어(C)를 도포 현상 장치(1)로 반출입하는 역할을 갖고, 캐리어(C)의 적재대(11)와, 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 기구인 전달 아암(13)을 구비하고 있다. 또한, 캐리어 블록(S1)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 적재대(11) 위에 선반(14)을 구비하고 있고, 캐리어 반송 기구(15)에 의해 적재대(11)와 선반(14) 사이에서 캐리어(C)를 전달한다. 적재대(11)에 놓여서 웨이퍼(W)가 취출된 캐리어(C)는, 웨이퍼(W)가 복귀할 때까지 선반(14)에서 대기함으로써, 상기 캐리어(C)에 의한 적재대(11)의 점유를 방지하여, 복수의 캐리어(C)의 웨이퍼(W)를 계속해서 도포 현상 장치(1)로 반입할 수 있다.The carrier block S1 has a role of taking in and taking in the carrier C containing a plurality of wafers W as a substrate of the same lot into and out of the coating and developing apparatus 1, And a transfer arm 13 serving as a transfer mechanism for transferring the wafer W from the carrier C through the opening and closing part 12. [ 2, the carrier block S1 is provided with a shelf 14 above the stacking table 11. The carrier block S1 is supported by the stacking table 11 and the shelf 14 by the carrier transport mechanism 15. [ (C). The carrier C placed on the loading table 11 and taken out of the wafer W stands by on the shelf 14 until the wafer W returns, The wafers W of the plurality of carriers C can be carried into the coating and developing apparatus 1 continuously.

처리 블록(S2)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 단위 블록(B1 내지 B6)이 아래부터 순서대로 적층되어 구성되어 있으며, 각 단위 블록(B1 내지 B6)은, 하층측부터 2개씩 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 단위 블록(B1, B2)이 동일한 구성이고, 단위 블록(B3, B4)이 동일한 구성이며, 단위 블록(B3, B4)이 동일한 구성이다.The processing block S2 is constructed by stacking first to sixth unit blocks B1 to B6 for performing a liquid process on the wafer W in order from the bottom. Each of the unit blocks B1 to B6, Two from the side. That is, the unit blocks B 1 and B 2 have the same configuration, the unit blocks B 3 and B 4 have the same configuration, and the unit blocks B 3 and B 4 have the same configuration.

도 1에 도시한 제1 단위 블록(B1)에 대하여 설명하면, 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)을 향하는 반송 영역(R1)의 좌우에는 액처리 유닛(20), 선반 유닛(U1 내지 U6)이 각각 배치되고, 액처리 유닛(20)에는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과, 레지스트막 형성 모듈(COT)이 설치되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 2개의 컵(21)과, 컵(21) 내에서 웨이퍼(W)의 이면을 지지함과 함께 웨이퍼(W)를 연직축 주위로 회전시키는 스핀 척(22)과, 2개의 컵(21)에서 공용하는 처리액 공급 노즐(23)을 구비하고, 스핀코팅에 의해 반사 방지막 형성용 처리액을 웨이퍼(W)에 도포한다. 또한, 도 1에서는 생략하고 있지만 반사 방지막 형성 모듈(BCT)은, 스핀 척(22)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 용제를 공급하여, 당해 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 노즐을 구비하고 있다.The liquid processing unit 20 and the shelf units U1 to U3 are disposed on the right and left sides of the carrying area R1 from the carrier block S1 to the interface block S3, And the liquid processing unit 20 is provided with an antireflection film forming module BCT and a resist film forming module COT. Each of the antireflection film forming modules BCT has two cups 21 for processing wafers W and a plurality of antireflection film forming modules for supporting the backside of the wafers W in the cups 21 and for supporting the wafers W around the vertical axis And a process liquid supply nozzle 23 commonly used in the two cups 21 to apply a process liquid for forming an antireflection film to the wafer W by spin coating. 1, the anti-reflection film forming module BCT supplies solvent to the back surface of the wafer W held by the spin chuck 22 and performs back surface cleaning for cleaning the back surface of the wafer W. [ And a nozzle.

레지스트막 형성 모듈(COT)은, 상기 처리액이 레지스트인 것 외에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 마찬가지로 구성되어 있다. 도 1에서, 참조부호 24는 컵 형상의 대기부이다. 대기부(24)에서는, 처리액 공급 노즐(23)을 대기시킴과 함께 대기한 처리액 공급 노즐(23)에 세정액을 공급하여 처리액 공급 노즐(23)을 세정한다.The resist film forming module (COT) is configured similarly to the antireflection film forming module (BCT) except that the treatment liquid is a resist. 1, reference numeral 24 denotes a cup-shaped base portion. In the standby portion 24, the cleaning liquid is supplied to the processing liquid supply nozzle 23 waiting for the processing liquid supply nozzle 23 to stand by, and the processing liquid supply nozzle 23 is cleaned.

상기 반송 영역(R1)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반송 기구인 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 반송 아암(A1)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능하면서, 반송 영역(R1)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 도 1에 있어서, 참조부호 25는 웨이퍼(W)의 외주를 둘러싸는 포크부이고, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 갈고리부(25a)를 구비하고 있다. 또한, 상기 선반 유닛(U1 내지 U6)은, 반송 영역(R1)의 길이 방향을 따라 배열되고, 선반 유닛(U1 내지 U5)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈이 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U6)은, 서로 적층된 2대의 주연 노광 모듈(WEE)에 의해 구성된다. 이 주연 노광 모듈(WEE)은, 광원으로서 램프를 구비하고, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)의 주연부를 노광한다.As shown in Fig. 3, a transfer arm A1 which is a transfer mechanism of the wafer W is provided in the transfer region R1. The transfer arm A1 is configured to be capable of advancing and retracting, capable of ascending and descending, being rotatable about a vertical axis, and movable in the longitudinal direction of the carrying region R1, Can be performed. 1, reference numeral 25 denotes a fork portion surrounding the outer periphery of the wafer W, and includes a claw portion 25a for supporting the back surface of the wafer W. [ The shelf units U1 to U6 are arranged along the longitudinal direction of the carrying region R1 and the shelf units U1 to U5 are arranged such that the heating modules for performing the heating process of the wafers W are, As shown in Fig. The lathe unit U6 is constituted by two peripheral exposure modules WEE stacked on each other. The peripheral exposure module WEE has a lamp as a light source and exposes the peripheral edge of the wafer W after the resist is coated.

단위 블록(B3 내지 B6)은, 액처리 유닛(20)에서 웨이퍼(W)에 공급하는 처리액이 서로 다른 점 및 주연 노광 모듈 대신에 가열 모듈이 설치되는 점을 제외하고, 단위 블록(B1, B2)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(B3, B4)은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트 도포 모듈(COT) 대신에 2대의 보호막 형성 모듈(TCT)을 구비하고 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트 도포 모듈(COT) 및 보호막 형성 모듈(TCT)을 도포막 형성 모듈로 한다. 단위 블록(B5, B6)은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에 2대의 현상 모듈(DEV)를 구비한다.The unit blocks B3 to B6 are formed of unit blocks B1 to B6 except that the processing liquid supplied to the wafer W in the liquid processing unit 20 is different from each other and the heating module is provided instead of the peripheral exposure module. B2. The unit blocks B3 and B4 are provided with two protection film forming modules TCT in place of the anti-reflection film forming module BCT and the resist coating module COT. The antireflection film forming module BCT, the resist coating module COT and the protective film forming module TCT are used as a coating film forming module. The unit blocks B5 and B6 are provided with two developing modules DEV instead of the anti-reflection film forming module BCT and the resist film forming module COT.

보호막 형성 모듈(TCT), 현상 모듈(DEV)은 웨이퍼(W)에 공급하는 처리액의 차이를 제외하고 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과, 거의 마찬가지로 구성되어 있다. 보호막 형성 모듈(TCT)은 액침 노광 시에 웨이퍼(W)의 표면을 보호하는 보호막 형성용 처리액을, 현상 모듈(DEV)은 현상액을 각각 웨이퍼(W)에 공급한다. 또한, 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암은 참조부호 A1 내지 A6으로서 도 3에 나타내었다.The protective film forming module TCT and the developing module DEV are constructed in substantially the same manner as the antireflection film forming module BCT except for the differences in the processing liquids supplied to the wafers W. The protective film forming module TCT supplies a protective film forming processing liquid for protecting the surface of the wafer W during liquid immersion exposure and the developing module DEV supplies the wafer W to a developing liquid. In addition, the carrying arms of the unit blocks B1 to B6 are shown in Fig. 3 as A1 to A6.

반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1) 측에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 단위 블록(B)에 걸친 선반 유닛(U7)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U7)은, 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있다. 이들 모듈로서는, 각 단위 블록의 높이 위치에 설치된 전달 모듈(CPL11 내지 CPL13)과, 전달 모듈(CPL14)과, 버퍼 모듈(BU11)과, 소수화 처리 모듈(ADH)이 있다.On the side of the carrier block S1 of the carrying region R1, as shown in Fig. 3, a shelf unit U7 extending over each unit block B is provided. The shelf unit U7 is constituted by a plurality of modules laminated to each other. These modules include transmission modules CPL11 to CPL13, a transfer module CPL14, a buffer module BU11, and a hydrophobization processing module ADH provided at the height positions of the unit blocks.

설명 중에서, CPL이라고 기재한 전달 모듈은, 적재한 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. 버퍼 모듈(BU)은, 복수매의 웨이퍼(W)를 저장할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 소수화 처리 모듈(ADH)은, 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하고, 웨이퍼(W) 표면을 소수화시킨다. 선반 유닛(U7)의 근방에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 승강 가능하면서 선반 유닛(U7)에 대하여 진퇴 가능한 전달 아암(30)이 설치되고, 선반 유닛(U7)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.In the explanation, the transfer module described as CPL has a cooling stage for cooling the wafer W mounted thereon. The buffer module (BU) is configured to store a plurality of wafers (W). In addition, the hydrophobic processing module ADH supplies a processing gas to the wafer W to hydrophobicize the surface of the wafer W. 1, a transfer arm 30 capable of moving up and down relative to the shelf unit U7 is provided in the vicinity of the shelf unit U7, and a transfer arm 30 is provided between each module of the shelf unit U7 W).

계속해서, 도 4도 참조하면서 인터페이스 블록(S3)의 구성에 대하여 설명한다. 도 4는, 처리 블록(S2) 측을 향해 본 인터페이스 블록(S3)의 종단 정면도이다. 인터페이스 블록(S3)은 선반 유닛(U8)을 구비하고 있고, 선반 유닛(U8)은, 전달 모듈(TRS0 내지 TRS2), 전달 모듈(CPL1), 버퍼 모듈군(3)이 서로 적층되어 구성되어 있다.Next, the configuration of the interface block S3 will be described with reference to Fig. 4 is a longitudinal end elevational view of the interface block S3 toward the processing block S2 side. The interface block S3 is provided with a shelf unit U8 and the shelf unit U8 is constituted by stacking the transfer modules TRS0 to TRS2, the transfer module CPL1 and the buffer module group 3 together .

웨이퍼(W)의 임시 적재부인 버퍼 모듈군(3)은 서로 적층된 버퍼 모듈(BU1 내지 BU4)에 의해 구성되어 있다. 전달 모듈(TRS1)은, 제3 단위 블록(B3) 및 제4 단위 블록(B4)의 각 높이 위치에 설치되어 있다. 전달 모듈(TRS2)은 제5 단위 블록(B5) 및 제6 단위 블록(B6)의 각 높이 위치에 설치되어 있다. 전달 모듈(TRS1, TRS2) 및 버퍼 모듈군(3)의 하방측에는, 전달 모듈(TRS0) 및 전달 모듈(CPL1)이 설치되어 있다.The buffer module group 3, which is a temporarily mounted portion of the wafer W, is constituted by buffer modules BU1 to BU4 stacked on each other. The transfer module TRS1 is provided at each height position of the third unit block B3 and the fourth unit block B4. The transfer module TRS2 is installed at each height position of the fifth unit block B5 and the sixth unit block B6. A transfer module TRS0 and a transfer module CPL1 are provided below the transfer modules TRS1 and TRS2 and the buffer module group 3, respectively.

버퍼 모듈(BU1)에 대하여 설명한다. 버퍼 모듈(BU1)은 좌우 측면이 개구한 하우징을 구비하고 있고, 하우징 내에는 도 5에 도시한 바와 같이 쌍을 이루는 수직판(36, 36)과 각 수직판(36)으로부터 내측 방향으로 신장되는 수평판(37)이 설치되어 있다. 각 수평판(37) 위는 웨이퍼(W)의 대기 영역(38)을 이루고, 수평판(37)의 표면에 설치된 지지 핀(39) 위에 웨이퍼(W)가 지지된다. 하나의 버퍼 모듈(BU)에 수직판(36)은 복수 설치되고, 버퍼 모듈(BU1)에 대기 영역(38)은 예를 들어 20개 설치되는, 즉, 버퍼 모듈(BU1)에는 웨이퍼(W)를, 예를 들어 최대 20매까지 대기시킬 수 있다. 버퍼 모듈(BU2 내지 BU4)도 버퍼 모듈(BU1)과 마찬가지로 구성되어 있다.The buffer module BU1 will be described. The buffer module BU1 is provided with a housing having left and right side openings. In the housing, as shown in Fig. 5, the pair of vertical plates 36 and 36 and the vertical plates 36 are extended in the inward direction And a horizontal plate 37 is provided. The wafers W are supported on the support pins 39 provided on the surface of the horizontal plate 37. The wafers W are placed on the horizontal plate 38, A plurality of vertical plates 36 are installed in one buffer module BU and twenty buffer modules BU1 are installed in the waiting module 38. In other words, the buffer module BU1 is provided with a wafer W, For example, up to a maximum of 20 sheets. The buffer modules BU2 to BU4 are configured similarly to the buffer module BU1.

도 4로 되돌아가 설명하면, 선반 유닛(U8)을 좌우 방향으로부터 끼우도록 선반 유닛(U9, U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U9)은, 노광 전에 웨이퍼(W)의 이면을 브러시에 의해 세정하는 이면 세정 모듈(BST)이 6기(基) 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 노광 후에 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 노광 후 세정 모듈(PIR)이 4기 적층되어 구성되어 있다.Referring back to Fig. 4, the shelf units U9 and U10 are provided so as to sandwich the shelf unit U8 from the left and right directions. The lathe unit U9 is formed by stacking six backside cleaning modules BST for cleaning the back surface of the wafer W by brush before exposure. The lathe unit U10 is formed by stacking four units of post-exposure cleaning modules (PIR) for cleaning the surface of the wafer W after exposure.

선반 유닛(U8, U9) 사이에는 제1 인터페이스 아암(3A)이 설치되어 있다. 제1 인터페이스 아암(3A)은, 승강축(31)을 따라 승강 가능한 베이스(32)와, 베이스(32) 위를 연직축 주위로 회전 가능한 회전대(33)와, 회전대(33) 위를 진퇴 가능한 웨이퍼 지지부(34)를 구비하고 있다. 선반 유닛(U8, U10) 사이에는 제2 인터페이스 아암(3B)이 설치되어 있고, 이 제2 인터페이스 아암(3B)은 제1 인터페이스 아암(3A)과 마찬가지로 구성되어 있다. 또한, 제2 인터페이스 아암(3B)의 하방에는, 제3 인터페이스 아암(3C)이 설치되어 있고, 수평 이동부(35)에 의해 승강축(31)이 좌우 방향으로 이동 가능하게 구성되는 것을 제외하고, 제2 인터페이스 아암(3B)과 마찬가지로 구성된다.A first interface arm 3A is provided between the shelf units U8 and U9. The first interface arm 3A includes a base 32 capable of moving up and down along the lifting shaft 31, a rotating table 33 rotatable about a vertical axis on the base 32, And a support portion (34). A second interface arm 3B is provided between the shelf units U8 and U10 and this second interface arm 3B is configured similarly to the first interface arm 3A. Except that the third interface arm 3C is provided below the second interface arm 3B and the elevation shaft 31 is configured to be movable in the left and right direction by the horizontally moving portion 35 , And the second interface arm 3B.

인터페이스 아암(3A, 3B)은, 베이스(32)의 높이, 회전대(33)의 방향 및 웨이퍼 지지부(34)의 위치에 따라, 각각 서로 다른 신호를 후술하는 제어부(100)로 출력한다. 즉, 노광 전 세정 모듈(BST)에 액세스할 때, 각 전달 모듈(TRS)에 액세스할 때, 노광 후 세정 모듈(PIR)에 액세스할 때, 전달 모듈(CPL)에 액세스할 때, 버퍼 모듈(BU)에 액세스할 때, 각각 서로 다른 신호를 제어부(100)로 출력한다. 또한, 버퍼 모듈(BU)에 액세스할 때는, 액세스하는 대기 영역(38)마다 서로 다른 신호를 출력한다. 이와 같이 인터페이스 아암(3A, 3B)으로부터 출력되는 신호에 의해, 제어부(100)는 어느 버퍼 모듈(BU)의 어느 대기 영역(38)에 노광 전의 웨이퍼(W)가 대기하고 있는지, 어느 대기 영역(38)에 노광 후의 웨이퍼(W)가 대기하고 있는지를 식별할 수 있다.The interface arms 3A and 3B output different signals to the control unit 100 to be described later according to the height of the base 32, the direction of the rotation table 33, and the position of the wafer support unit 34, respectively. That is, when accessing the pre-exposure cleaning module BST, accessing each transfer module TRS, accessing the post-exposure cleaning module PIR, accessing the transfer module CPL, BU), they output different signals to the control unit 100, respectively. When accessing the buffer module (BU), different signals are output for each waiting area (38) to be accessed. The control unit 100 determines which wafer W is to be exposed in the waiting area 38 of which buffer module BU and which waiting area 38 can be discriminated whether or not the post-exposure wafer W is waiting.

이 도포 현상 장치(1) 및 노광 장치(S4)로 이루어지는 시스템의 통상 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대하여 설명한다. 예를 들어 웨이퍼(W)는 단위 블록(B1→B3→B5)을 통과하는 제1 경로와, 단위 블록(B2→B4→B6)을 통과하는 제2 경로에 의해 반송되고, 각 경로에서 마찬가지의 처리를 받는다. 하나의 캐리어(C)의 웨이퍼(W)가 모두 취출되고 나서, 다음 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 취출된다. 또한, 예를 들어 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)로부터 취출된 순으로 제1 경로, 제2 경로로 교대로 할당되어, 취출된 캐리어(C)로 복귀된다. 이하, 상기 제1 경로의 반송에 대하여 상세히 설명한다.The conveyance path of the wafer W in the normal system of the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus S4 will be described. For example, the wafer W is transported by a first path passing through a unit block (B1? B3? B5) and a second path passing through a unit block (B2? B4? B6) And receive processing. The wafers W are taken out from the next carrier C after all the wafers W of one carrier C are taken out. Further, for example, the wafers W are alternately assigned to the first path and the second path in the order taken out from the carrier C, and returned to the taken-out carrier C. Hereinafter, the conveyance of the first path will be described in detail.

웨이퍼(W)는, 캐리어(C)→전달 아암(13)→버퍼 모듈(BU11)→전달 아암(30)→소수화 처리 모듈(ADH)→반송 아암(A1)→반사 방지막 형성 모듈(BCT)→반송 아암(A1)→가열 모듈→반송 아암(A1)→레지스트 도포 모듈(COT)→반송 아암(A1)→가열 모듈(HP)→주연 노광 모듈(WEE)→반송 아암(A1)→전달 모듈(CPL11)의 순으로 반송되고, 웨이퍼(W)의 표면에 반사 방지막, 레지스트막의 순으로 하층측으로부터 도포막이 적층된다.The wafer W is transferred from the carrier C to the transfer arm 13 to the buffer module BU11 to the transfer arm 30 to the hydrophobic processing module ADH to the transfer arm A1 to the antireflection film forming module BCT The transfer arm A1 → the heating module → the transfer arm A1 → the resist application module COT → the transfer arm A1 → the heating module HP → the peripheral exposure module WEE → the transfer arm A1 → the transfer module CPL11, and the coating film is laminated on the surface of the wafer W from the lower side in the order of the antireflection film and the resist film.

그 후, 웨이퍼(W)는, 전달 아암(30)→전달 모듈(CPL12)→반송 아암(A3)→보호막 형성 모듈(TCT)→반송 아암(A3)→가열 모듈(HP)→반송 아암(A3)→전달 모듈(TRS1)의 순으로 반송된다. 이에 의해 레지스트막의 상층에 보호막이 형성됨과 함께 웨이퍼(W)가 인터페이스 블록(S3)으로 반입된다.Thereafter, the wafer W is transferred from the transfer arm 30 to the transfer module CPL12 through the transfer arm A3, the protective film forming module TCT, the transfer arm A3, the heating module HP, ) - > transfer module TRS1. As a result, a protective film is formed on the upper layer of the resist film, and the wafer W is brought into the interface block S3.

상기 웨이퍼(W)는, 제1 인터페이스 아암(3A)→노광 전 세정 모듈(BST)→제1 인터페이스 아암(3A)→버퍼 모듈군(3)→제2 인터페이스 아암(3B)→전달 모듈(CPL1)→제3 인터페이스 아암(3C)→노광 장치(S4)의 순으로 반송되고, 이면 세정 처리에 이어서 액침 노광 처리를 받는다.The wafer W is transferred from the first interface arm 3A to the pre-exposure cleaning module BST to the first interface arm 3A to the buffer module group 3 to the second interface arm 3B to the transfer module CPL1 ) → the third interface arm 3C → the exposure apparatus S4, and is subjected to liquid immersion exposure processing subsequent to the back surface cleaning processing.

노광 완료 웨이퍼(W)는, 제3 인터페이스 아암(3C)→전달 모듈(TRS0)→제2 인터페이스 아암(3B)→노광 후 세정 모듈(PIR)→버퍼 모듈군(3)→제2 인터페이스 아암(3B)→전달 모듈(TRS2)의 순으로 반송된다. 그 후, 반송 아암(A5)→가열 모듈(HP)→현상 모듈(DEV)→반송 아암(A5)→가열 모듈(HP)→반송 아암(A5)→전달 모듈(CPL13)→전달 아암(30)→전달 모듈(CPL14)→전달 아암(30)→캐리어(C)의 순으로 반송된다. 제2 경로에서 반송되는 웨이퍼(W)는, 통과하는 단위 블록이 서로 다른 것 외에는 이 제1 경로와 마찬가지로 모듈 사이를 반송되어 처리를 받는다.The exposed wafer W is transferred from the third interface arm 3C to the transfer module TRS0 to the second interface arm 3B to the post-exposure cleaning module PIR to the buffer module group 3 to the second interface arm 3B to the transfer module TRS2 in that order. Thereafter, the transfer arm A5, the heating module HP, the developing module DEV, the transfer arm A5, the heating module HP, the transfer arm A5, the transfer module CPL13, The transfer module CPL14, the transfer arm 30, and the carrier C in that order. The wafer W carried in the second path is transported between the modules in the same manner as the first path, except that the unit blocks passing therethrough are different from each other.

계속해서, 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 방식의 변경 개략에 대하여, 웨이퍼(W)의 반송 경로를 화살표로 나타낸 도 6, 도 7을 이용하여 설명한다. 도 6은, 상기한 통상시의 웨이퍼(W)의 반송(통상 반송)을 극히 간략화하여 나타내고 있다. 도면 중, 캐리어(C)로부터 취출된 노광 전의 웨이퍼(W)가 버퍼 모듈군(3)을 향하는 반송을 왕로측 반송(F1), 노광 완료 웨이퍼(W)가 버퍼 모듈군(3)으로부터 캐리어(C)를 향하는 반송을 귀로측 반송(F2)으로서, 각각 화살표로 나타내고 있다. 또한, 버퍼 모듈군(3)으로부터 노광 장치(S4)를 거친 후에 버퍼 모듈군(3)으로 되돌아가는 반송을, 노광 반송(F3)으로서 화살표로 나타내고 있다.Next, with reference to Figs. 6 and 7 showing the conveying path of the wafer W with the arrows, the outline of changing the conveying method of the wafer W in this embodiment will be described. Fig. 6 shows the transport (normal transport) of the wafer W during normal operation in an extremely simplified manner. In the drawing, the wafer W before exposure taken out from the carrier C is transferred to the buffer module group 3 by the forward transfer (F1), the wafer W after the exposure is transferred from the buffer module group 3 to the carrier C are indicated by the arrows as return-side transportation F2. The conveyance from the buffer module group 3 to the buffer module group 3 after passing through the exposure apparatus S4 is indicated by an arrow as the exposure transport F3.

이 도포 현상 장치(1)의 스루풋(소정 시간에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 매수)은 노광 장치(S4)의 스루풋보다도 높다. 따라서, 상기의 통상 반송이 계속되면, 도포 현상 장치(1)와 노광 장치(S4)의 스루풋 차에 따른 속도로 노광 전의 웨이퍼(W)가 버퍼 모듈군(3)에 축적된다. 이와 같이 버퍼 모듈군(3)에 일단 축적한 웨이퍼(W)를 노광 장치(S4)로 반입하는 것은, 노광 장치(S4)에 연속하여 웨이퍼(W)를 반송하고, 노광 처리를 지체 없이 행하기 위해서이다. 또한, 왕로측 반송(F1)의 스루풋과 귀로측 반송(F2)의 스루풋은 동일하거나, 서로 달라도 된다. 이 예에서는 이들 각 반송(F1, F2)의 스루풋을 동일한 것으로 한다. 또한, 캐리어(C)로부터는 버퍼 모듈군(3)의 대기 영역(38)의 수를 초과하는 매수의 웨이퍼(W)는 취출되지 않는 것으로 한다.The throughput of the coating and developing apparatus 1 (the number of processed wafers W at a predetermined time) is higher than the throughput of the exposure apparatus S4. Therefore, when the normal transfer is continued, the wafer W before exposure is accumulated in the buffer module group 3 at a speed corresponding to the throughput difference between the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus S4. The transfer of the wafers W temporarily accumulated in the buffer module group 3 to the exposure apparatus S4 is carried out by conveying the wafers W successively to the exposure apparatus S4 and performing the exposure processing without delay It is for. The throughput of the forward-path-side transfer (F1) and the through-path-side transfer (F2) may be the same or different from each other. In this example, the throughputs of these transports F1 and F2 are the same. It is also assumed that the number of wafers W exceeding the number of waiting areas 38 of the buffer module group 3 is not taken out from the carrier C. [

왕로측 반송(F1)에 사용되는 처리 블록(S2)의 모듈의 메인터넌스를 행하는 경우가 있다. 이 경우, 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출이 정지되고, 왕로측 반송(F1)의 반송이 정지된다. 그 한편으로, 도 7에 도시한 바와 같이 노광 반송(F3) 및 귀로측 반송(F2)은 계속된다. 이때 노광 장치(S4)의 처리가 도중에서 끊기지 않도록, 버퍼 모듈군(3)에 메인터넌스를 행하기 위해 필요한 시간의 길이에 대응한 매수의 웨이퍼(W)가 축적되었을 때에, 왕로측 반송(F1)이 정지하도록 제어된다. 또한, 모듈이란 웨이퍼(W)가 놓이는 장소이며, 여기에서는 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구도 모듈에 포함된다.The module of the processing block S2 used for the forward-path-side transfer F1 may be maintained. In this case, the take-out of the wafer W from the carrier C is stopped, and the transfer of the forward path side transfer F1 is stopped. On the other hand, as shown in Fig. 7, the exposure conveyance F3 and the return-side conveyance F2 are continued. At this time, when the number of wafers W corresponding to the length of time required for performing the maintenance on the buffer module group 3 is accumulated so that the processing of the exposure apparatus S4 is not cut off, Is stopped. The module is a place where the wafer W is placed, and a transport mechanism for transporting the wafer W is also included in the module.

상기 메인터넌스로서는, 자동 메인터넌스, 예약 메인터넌스, 수동 메인터넌스가 있다. 자동 메인터넌스는, 정기적으로 반복하여 자동으로 행해지는 메인터넌스로서, 구체적으로는 각 도포막 형성 모듈에서의 컵(21)을 세정 기구(도시생략)가 자동으로 세정하는 자동 컵 세정과, 각 도포막 형성 모듈의 대기부(24)에서 처리액 공급 노즐(23)을 자동으로 세정하는 자동 노즐 세정이 있다.Examples of the maintenance include automatic maintenance, scheduled maintenance, and manual maintenance. The automatic maintenance is maintenance performed automatically and repeatedly at regular intervals, specifically, automatic cup cleaning for automatically cleaning the cup 21 in each coating film forming module by a cleaning mechanism (not shown) There is an automatic nozzle cleaning in which the process liquid supply nozzle 23 is automatically cleaned at the base portion 24 of the module.

예약 메인터넌스는, 메인터넌스를 행하는 예정 일시를 미리 유저가 설정하고, 유저가 장치를 조작하여 행하는 메인터넌스이다. 이 예약 메인터넌스로서, 구체적으로는 레지스트 도포 모듈(COT)의 컵(21)의 교환, 주연 노광 모듈(WEE)의 램프 교환, 각 반송 아암(A1 내지 A4)의 갈고리부(25a)의 교환이 있다.The reserved maintenance is maintenance performed by the user in advance by setting the scheduled date and time at which the maintenance is to be performed and the user operating the apparatus. Specifically, as the reservation maintenance, there is the exchange of the cup 21 of the resist coating module (COT), the lamp replacement of the peripheral exposure module WEE, and the exchange of the claw portions 25a of the respective transfer arms A1 to A4 .

수동 메인터넌스는, 유저가 임의의 타이밍에 개시를 지시하는 메인터넌스이다. 수동 메인터넌스로서는, 구체적으로는 예를 들어 레지스트 도포 모듈(COT)의 처리액 공급 노즐(23)로부터 레지스트를 토출시켜서, 토출량 및 토출 상태의 적부를 유저가 확인하는 메인터넌스가 있다.The manual maintenance is maintenance that instructs the user to start at an arbitrary timing. As the manual maintenance, there is, for example, maintenance in which the resist is discharged from the treatment liquid supply nozzle 23 of the resist coating module (COT), and the user confirms the adequacy of the discharge amount and discharge state.

도포 현상 장치(1)에 설치되는 제어부(100)에 대하여 설명한다. 제어부(100)는 컴퓨터로 이루어지고, 도 8에 그 구성을 나타내었다. 도면 중 참조부호 41은 버스이며, 버스(41)에는, 각종 연산을 행하는 CPU(42), 프로그램(43)을 저장한 프로그램 저장부(44), 메모리(45), 워크 메모리(46), 설정부(47) 및 표시부(48)가 접속되어 있다. 상기 프로그램(43)에는, 제어부(100)로부터 도포 현상 장치(1)의 각 부로 제어 신호를 보내어, 전술한 각 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 반송을 제어할 수 있도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 상기 프로그램(43)은 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 메모리 카드 등에 의해 저장되어 제어부(100)에 인스톨되고, 상기 프로그램 저장부(44)에 저장된다. 또한, 설정부(47)는 키보드나 터치 패널 등에 의해 구성되고, 유저가, 당해 설정부(47)에서 설정한 내용이 메모리(45)에 기억된다. 워크 메모리(46)에서는 CPU(42)에 의해, 후술하는 바와 같이 각종 연산이 행해진다. 이들은 연산부를 구성한다.The control unit 100 installed in the coating and developing apparatus 1 will be described. The control unit 100 is constituted by a computer, and its configuration is shown in Fig. In the figure, reference numeral 41 denotes a bus, and the bus 41 is connected with a CPU 42 for performing various calculations, a program storage unit 44 storing a program 43, a memory 45, a work memory 46, A display unit 48 and a display unit 48 are connected. The program 43 is supplied with commands (each step) so as to control the conveyance of the wafers W by sending control signals from the control section 100 to the respective sections of the coating and developing apparatus 1, It is built-in. The program 43 is stored in, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk) memory card or the like and installed in the control unit 100 and stored in the program storage unit 44. The setting unit 47 is constituted by a keyboard, a touch panel, and the like, and contents set by the setting unit 47 by the user are stored in the memory 45. [ In the work memory 46, various calculations are performed by the CPU 42 as described later. These constitute an operation unit.

계속해서, 메모리(45)에 대하여 설명한다. 메모리(45)에는, 스루풋 기억 영역(51)과, 버퍼 상태 기억 영역(52)과, 메인터넌스 설정 기억 영역(53)이 설치된다. 스루풋 기억 영역(51)에는 도포 현상 장치(1)의 스루풋 및 노광 장치(S4)의 스루풋이 기억된다. 또한, 이 스루풋 기억 영역(51)에는, 1시간당 버퍼 모듈군(3)에 축적되는 웨이퍼(W) 매수인 축적 레이트가 기억된다. 이 축적 레이트는, 하기의 식 1에 의해 연산된다.Next, the memory 45 will be described. The memory 45 is provided with a throughput storage area 51, a buffer state storage area 52, and a maintenance setting storage area 53. [ In the throughput storage area 51, the throughput of the coating and developing apparatus 1 and the throughput of the exposure apparatus S4 are stored. In this throughput storage area 51, the accumulation rate, which is the number of wafers W accumulated in the buffer module group 3 per hour, is stored. This accumulation rate is calculated by the following equation (1).

[식 1][Formula 1]

축적 레이트(매/분)=[왕로측 스루풋(매/시간)-노광 장치(S4)의 스루풋(매/시간)]/60The throughput (per hour) of the exposure apparatus S4] / 60 (throughput /

버퍼 상태 기억 영역(52)은 도 9에 도시한 바와 같이, 버퍼 모듈군(3)의 대기 영역(38)마다 노광 전 웨이퍼(W)의 유무가 기억되는 대기 상태 기억 영역(52a)과, 노광 전 웨이퍼(W) 매수 기억 영역(52b)으로 이루어진다. 도 9는, 버퍼 상태 기억 영역(52)에 기억되는 데이터를 나타내고 있다. 대기 상태 기억 영역(52a)에 기억되는 데이터에 기초하여, CPU(42)가 버퍼 모듈군(3)에서 대기하는 노광 전 웨이퍼(W)의 합계 매수를 연산하고, 노광 전 웨이퍼(W) 매수 기억 영역(52b)에 연산값을 기억한다.The buffer state storage area 52 stores a standby state storage area 52a in which the presence or absence of the wafer W before exposure is stored for each wait area 38 of the buffer module group 3, And a total wafer W number storage area 52b. FIG. 9 shows data stored in the buffer state storage area 52. FIG. The CPU 42 calculates the total number of pre-exposure wafers W waiting in the buffer module group 3 based on the data stored in the standby state storage area 52a and stores the total number of pre-exposure wafers W And stores the calculated value in the area 52b.

메인터넌스 설정 기억 영역(53)은 자동 메인터넌스, 예약 메인터넌스, 수동 메인터넌스에 대한 설정이 각각 기억되는 설정 기억 영역(61, 62, 63)을 구비하고 있다. 도 10 내지 도 12는, 이들 설정 기억 영역(61 내지 63)에 기억되는 데이터를 나타내고 있다. 자동 메인터넌스의 설정 기억 영역(61)에서는, 자동 컵 세정, 자동 노즐 세정의 각각에 대하여 BCT, COT, TCT의 도포 처리 모듈마다 메인터넌스에 필요한 시간(메인터넌스 필요 시간)과, 메인터넌스를 행하는 시간 간격(메인터넌스 시간 간격)과, 메인터넌스 필요 시간에 대응하여 버퍼 모듈군(3)에 축적할 필요가 있는 노광 전 웨이퍼 매수(필요 웨이퍼 매수)와, 버퍼 모듈군(3)에 있어서 필요 웨이퍼 매수에 부족한 웨이퍼 매수(부족 웨이퍼 매수)와, 버퍼 모듈군(3)에 필요 웨이퍼 매수가 축적될 때까지의 예측 대기 시간이 서로 대응지어져 기억된다.The maintenance storage setting storage area 53 is provided with setting storage areas 61, 62, and 63 for storing settings for automatic maintenance, scheduled maintenance, and manual maintenance, respectively. Figs. 10 to 12 show data stored in these setting storage areas 61 to 63. Fig. In the automatic maintenance setting storage area 61, the time required for maintenance (maintenance required time) for each coating processing module of BCT, COT and TCT and the time interval (maintenance time) for maintenance are set for each of automatic cup cleaning and automatic nozzle cleaning (Required number of wafers) that need to be accumulated in the buffer module group 3 in correspondence with the maintenance required time and the number of wafers that are insufficient in the required number of wafers in the buffer module group 3 And the predicted wait time until the required number of wafers are accumulated in the buffer module group 3 are stored in correspondence with each other.

상기 메인터넌스 필요 시간 및 메인터넌스 시간 간격은, 유저가 설정한 설정값이다. 필요 웨이퍼 매수는, 상기 메인터넌스 필요 시간과 스루풋 기억 영역(51)에 기억되는 노광 장치(S4)의 스루풋을 이용하여, 하기의 식 2에 의해 연산된다.The maintenance required time and the maintenance time interval are set values set by the user. The required number of wafers is calculated by the following equation (2) using the maintenance required time and the throughput of the exposure apparatus (S4) stored in the throughput storage area (51).

[식 2][Formula 2]

필요 웨이퍼 매수(매)=메인터넌스 필요 시간(분)×노광 장치(S4)의 스루풋(매/분)(Number of necessary wafers (number of wafers) = number of required maintenance times (minutes) x throughput (number of wafers per minute) of exposure apparatus S4

부족 웨이퍼 매수는, 식 2에서 연산된 필요 웨이퍼 매수와 버퍼 상태 기억 영역(52)에 기억되는 노광 전 웨이퍼의 합계 매수를 이용하여, 하기의 식 3에 의해 연산된다.The number of insufficient wafers is calculated by the following formula (3) by using the required number of wafers calculated in equation (2) and the total number of wafers before exposure stored in the buffer state storage area (52).

[식 3][Formula 3]

부족 웨이퍼 매수(매)=필요 웨이퍼 매수(매)-노광 전 웨이퍼(W) 합계 매수(매)(Wafers) Wafers (wafers) Total number of wafers (wafers)

예측 대기 시간은, 식 3에서 연산된 부족 웨이퍼 매수와, 스루풋 기억 영역(51)에 기억되는 축적 레이트를 이용하여, 하기의 식 4에 의해 연산된다.The predicted waiting time is calculated by the following equation (4) using the number of deficient wafers calculated in the equation (3) and the accumulation rate stored in the throughput storage area (51).

[식 4][Formula 4]

예측 대기 시간(분)=부족 웨이퍼 매수(매)/축적 레이트(매/분)Estimated waiting time (minutes) = number of insufficient wafers (wafers) / accumulation rate (w / min)

자동 메인터넌스의 하나인 레지스트 도포 모듈(COT)의 자동 컵 세정에 대하여, 구체적으로 수치의 예를 들어, 설정 기억 영역(61)의 각 연산값이 연산되는 공정을 설명한다. 도포 현상 장치(1)의 스루풋이 330매/시간, 노광 장치(S4)의 스루풋이 300매/시간이며, 메인터넌스 필요 시간이 2분으로 설정되어 있는 것으로 한다. 또한 버퍼 모듈군(3)의 노광 전 웨이퍼(W)의 합계 매수는 4매로 한다.A description will be given of a process in which each calculation value of the setting storage area 61 is calculated specifically for numerical values of automatic cup cleaning of the resist coating module (COT), which is one of the automatic maintenance. The throughput of the coating and developing apparatus 1 is 330 sheets / hour, the throughput of the exposure apparatus S4 is 300 sheets / hour, and the maintenance required time is set to 2 minutes. The total number of wafers W before exposure in the buffer module group 3 is set to four.

이 경우,in this case,

식 1로부터 축적 레이트=[330(매/시간)-300(매/시간)]/60=0.5매/분이다.From Equation 1, the accumulation rate is [330 (hour / hour) -300 (hour / hour)] / 60 = 0.5 / minute.

식 2로부터, 필요 웨이퍼 매수=2(분)×300/60(매/분)=10매이다.From Equation 2, the number of required wafers = 2 (minutes) x 300/60 (w / min) = 10.

식 3으로부터, 부족 웨이퍼 매수=10매-4매=6매이다.From Equation 3, the number of deficient wafers = 10 sheets - 4 sheets = 6 sheets.

식 4로부터, 예측 대기 시간=6매/0.5(매/분)=12분이다.From equation (4), the predicted waiting time = 6 sheets / 0.5 (sheets / minute) = 12 minutes.

계속해서, 예약 메인터넌스의 설정 기억 영역(62)에 대하여 설명한다. 이 설정 기억 영역(62)에는, 자동 메인터넌스의 설정 기억 영역(61)과 마찬가지로 메인터넌스마다 메인터넌스 필요 시간, 필요 웨이퍼 매수, 부족 웨이퍼 매수 및 예측 대기 시간이 서로 대응지어져 기억된다. 또한, 이 설정 기억 영역(62)에는, 각 메인터넌스마다 설정된 메인터넌스 개시 일시가 기억된다.Next, the reservation maintenance storage area 62 will be described. Like the automatic maintenance setting storage area 61, the setting storage area 62 stores the maintenance required time, the number of required wafers, the number of defective wafers, and the estimated wait time for each maintenance in association with each other. In the setting storage area 62, a maintenance start date and time set for each maintenance is stored.

예약 메인터넌스의 하나인 주연 노광 모듈(WEE)의 램프 교환에 대하여, 상기 설정 기억 영역(62)의 각 연산값이 연산되는 공정에 대하여 구체적으로 수치의 예를 들어 설명한다. 메인터넌스 필요 시간은 예를 들어 10분으로 설정된 것으로 한다. 버퍼 모듈군(3)의 노광 전 웨이퍼(W) 합계 매수는, 바로 전의 예와 동일하게 4매로 한다.An example of numerical values will be specifically described with respect to the process in which each arithmetic value of the setting storage area 62 is calculated for lamp replacement of the peripheral exposure module WEE, which is one of the reservation maintenance. The maintenance required time is set to 10 minutes, for example. The total number of wafers W before exposure in the buffer module group 3 is set to four as in the immediately preceding example.

이 경우,in this case,

식 2로부터, 필요 웨이퍼 매수=10(분)×300/60(매/분)=50매이다.From Equation 2, the number of required wafers = 10 (minutes) x 300/60 (w / min) = 50 sheets.

식 3으로부터, 부족 웨이퍼 매수=50매-4매=46매이다.From Equation 3, the number of deficient wafers = 50 sheets-4 sheets = 46 sheets.

식 4로부터, 예측 대기 시간=46매/0.5(매/분)=92분이다.From equation (4), the predicted waiting time = 46 sheets / 0.5 (sheets / minute) = 92 minutes.

수동 메인터넌스의 설정 기억 영역(63)에는, 자동 메인터넌스의 설정 기억 영역(61)과 마찬가지로 메인터넌스마다 메인터넌스 필요 시간, 필요 웨이퍼 매수, 부족 웨이퍼 매수 및 예측 대기 시간이 서로 대응지어져 기억된다. 수동 메인터넌스의 하나인 레지스트 토출량 및 토출 상태의 확인 작업에 대하여, 상기 설정 기억 영역(63)의 각 연산값이 연산되는 공정에 대하여 구체적으로 수치의 예를 들어 설명한다. 메인터넌스 필요 시간은, 예를 들어 5분으로 설정된 것으로 한다. 왕로측 스루풋, 노광 장치(S4)의 스루풋, 버퍼 모듈군(3)의 노광 전 웨이퍼(W) 합계 매수는 각각, 바로 전의 예와 동일하게 330매/시간, 300매/시간, 4매로 한다. 이 경우,Like the automatic maintenance setting storage area 61, the maintenance required time, the number of required wafers, the number of defective wafers, and the estimated waiting time are stored in the manual maintenance setting storage area 63 in correspondence with each other. An example of numerical values will be specifically described with respect to the step of calculating the arithmetic values of the setting storage area 63 with respect to the confirmation of the resist discharge amount and the discharge state which are one of the manual maintenance. The maintenance required time is set to, for example, 5 minutes. The throughput of the exposure apparatus S4 and the total number of wafers W before exposure of the buffer module group 3 are 330 sheets / hour, 300 sheets / hour, and 4 sheets, respectively, as in the previous example. in this case,

시간을 연산한다. 그리고, 이들 설정값 및 연산값이 표시부(48)에 표시된다.Calculate the time. These set values and computed values are displayed on the display unit 48. [

상기한 자동 메인터넌스 및 예약 메인터넌스에 속하는 각 메인터넌스는, 메인터넌스를 행할 때의 웨이퍼(W)의 대기 방법의 차이에 의해, 블록 퇴피 메인터넌스와 모듈 퇴피 메인터넌스로 분류된다. 블록 퇴피 메인터넌스에서는, 메인터넌스를 행하기 위해 단위 블록(B1 내지 B4)을 반송 중인 모든 웨이퍼(W)를 버퍼 모듈군(3)으로 퇴피시킬 필요가 있는 메인터넌스이다. 모듈 퇴피 메인터넌스는, 그러한 퇴피를 행할 필요가 없는 메인터넌스이며, 메인터넌스를 행하는 모듈보다도 전단측의 모듈 및 후단측의 모듈에 웨이퍼(W)가 대기한 상태에서 상기 모듈의 메인터넌스가 행해진다.Each maintenance belonging to the above-described automatic maintenance and reserved maintenance is classified into block retention maintenance and module retirement maintenance by a difference in the waiting method of the wafer W when maintenance is performed. In the block evacuation maintenance, it is necessary to retreat all the wafers W carrying the unit blocks B1 to B4 to the buffer module group 3 in order to perform maintenance. The module retract maintenance is a maintenance that does not require such retreat, and maintenance of the module is performed in a state in which the wafer W is waiting on the module on the front end side and the module on the rear end side of the module for performing maintenance.

예를 들어 자동 메인터넌스의 예로서 든 자동 컵 세정 및 자동 노즐 세정은 모듈 퇴피 메인터넌스에 해당한다. 예약 메인터넌스의 예로서 든 레지스트 도포 모듈(COT)의 컵 교환 및 주연 노광 모듈(WEE)의 램프 교환은 모듈 퇴피 메인터넌스에 해당한다. 또한, 예약 메인터넌스의 예로서 든 반송 아암(A1 내지 A4)의 갈고리부(25)의 교환은, 블록 퇴피 메인터넌스에 해당한다.For example, automatic cup cleaning and automatic nozzle cleaning as examples of automatic maintenance correspond to module retract maintenance. The replacement of the cup of the resist coating module (COT) and the lamp replacement of the peripheral exposure module (WEE) as examples of the reservation maintenance corresponds to the module retract maintenance. The exchange of the pawl portions 25 of the conveying arms A1 to A4 as an example of the reserved maintenance corresponds to block evacuation maintenance.

이후, 도 13의 플로우 차트를 참조하면서, 모듈 퇴피 메인터넌스의 예로서 레지스트 도포 모듈(COT)에서 자동 컵 세정이 행해지는 공정에 대하여 설명한다. 웨이퍼(W)의 통상 반송 및 처리가 개시되면, 제어부(100)는 처리의 개시 시점부터 메인터넌스 시간 간격으로서 설정한 시간이 경과했는지 여부를 판정하고(스텝 D1), 경과하지 않은 경우에는 통상 반송이 계속된다. 그리고, 상기 설정 시간이 경과했다고 판정한 경우에는, 제어부(100)는 계속해서 버퍼 모듈군(3)에 필요 웨이퍼 매수가 축적되어 있는지 여부를 판정한다(스텝 D2).Hereinafter, with reference to a flowchart of Fig. 13, a process of performing automatic cup cleaning in the resist coating module (COT) will be described as an example of module retention maintenance. When normal transportation and processing of the wafer W is started, the control unit 100 determines whether or not the time set as the maintenance time interval elapses from the start of the process (step D1). If not, It continues. If it is determined that the set time has elapsed, the control unit 100 determines whether or not the required number of wafers is accumulated in the buffer module group 3 (step D2).

식 2로부터, 필요 웨이퍼 매수=5(분)×300/60(매/분)=25매이다.From Equation 2, the number of required wafers = 5 (minutes) x 300/60 (w / min) = 25.

식 3으로부터, 부족 웨이퍼 매수=25매-4매=21매이다.From Equation 3, the number of deficient wafers = 25 sheets-4 sheets = 21 sheets.

식 4로부터, 예측 대기 시간=21매/0.5(매/분)=42분이다.From equation (4), the predicted waiting time = 21 sheets / 0.5 (sheets / minute) = 42 minutes.

도 8로 되돌아가서, 표시부(48)에 대하여 설명한다. 표시부(48)는 예를 들어 디스플레이에 의해 구성되고, 메모리(45)에 기억된 버퍼 모듈군(3)의 노광 전 웨이퍼의 합계 매수나, 각 메인터넌스에 있어서의 메인터넌스 필요 시간, 메인터넌스 개시 일시, 축적 레이트, 필요 웨이퍼 매수, 부족 웨이퍼 매수 및 예측 대기 시간이 표시된다. 구체적으로는, 도 10 내지 도 12에서 도시한 표가 표시부(48)에 표시된다. 이 표시부(48)의 표시는, 웨이퍼(W)의 처리 중에 실시간으로 갱신된다.Returning to Fig. 8, the display unit 48 will be described. The display unit 48 displays the total number of wafers before exposure in the buffer module group 3, which is constituted by, for example, a display and stored in the memory 45, the maintenance required time in each maintenance, The required number of wafers, the number of insufficient wafers, and the predicted waiting time. More specifically, the tables shown in Figs. 10 to 12 are displayed on the display section 48. Fig. The display of the display unit 48 is updated in real time during the processing of the wafer W. [

유저는, 도포 현상 장치(1)에서 웨이퍼(W)의 처리를 개시하기 전에, 각 자동 메인터넌스에 대하여 메인터넌스 필요 시간, 메인터넌스 시간 간격을 설정한다. 또한, 유저는, 각 예약 메인터넌스에 대하여, 메인터넌스 필요 시간 및 메인터넌스 개시 일시를 설정한다. 유저의 설정에 기초하여 제어부(100)가 축적 레이트를 연산하고, 나아가 각 메인터넌스마다 필요 웨이퍼 매수, 부족 웨이퍼 매수 및 예측 대기 The user sets the maintenance required time and the maintenance time interval for each automatic maintenance before starting the processing of the wafers W in the coating and developing apparatus 1. [ Further, the user sets the maintenance required time and the maintenance start date and time for each reservation maintenance. The control unit 100 calculates the accumulation rate based on the setting of the user, and further calculates the required number of wafers, the number of insufficient wafers,

버퍼 모듈군(3)에 필요 웨이퍼 매수가 축적되어 있지 않다고 판정된 경우에는, 통상 반송이 계속된다. 필요 웨이퍼 매수가 축적되어 있다고 판정된 경우에는, 메인터넌스 대상인 레지스트 도포 모듈(COT)에서 처리를 받아서 반출되는 웨이퍼(W)가, 하나의 로트의 웨이퍼(W)이면서, 그 다음에 당해 레지스트 도포 모듈(COT)로 반송되는 웨이퍼(W)가 다음 로트의 웨이퍼(W)인지 여부가 판정된다. 즉, 상기 레지스트 도포 모듈(COT)에 로트의 절취선이 걸려 있는지 여부가 판정된다(스텝 D3). 상기 로트의 절취선으로 되어 있지 않다고 판정된 경우에는 통상 반송이 계속되고, 상기 로트의 절취선으로 되었다고 판정된 경우에는, 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출이 정지되고, 왕로측 반송(F1)이 정지된다. 그것에 의해, 이 레지스트 도포 모듈(COT)이 비워져서, 선행 로트는 이 레지스트 도포 모듈보다도 전단의 모듈에, 후속하는 로트는 이 레지스트 도포 모듈(COT)의 후단에 머무르게 된다(스텝 D4). 그리고, 비워진 상기 레지스트 도포 모듈(COT)에서는 컵(21)의 세정이 행해진다(스텝 D5).When it is determined that the necessary number of wafers is not accumulated in the buffer module group 3, the normal transfer continues. When it is determined that the required number of wafers have been accumulated, the wafer W to be processed and taken out by the resist coating module (COT), which is the object of maintenance, is a wafer W of one lot, It is determined whether or not the wafer W to be transferred to the COT is the wafer W of the next lot. That is, it is judged whether or not the perforation line of the lot is attached to the resist coating module (COT) (step D3). When it is judged that it is not the perforated line of the lot, the normal transportation is continued. When it is judged that the perforated line of the lot is taken, the taking out of the wafer W from the carrier C is stopped, ) Is stopped. As a result, the resist coating module COT is emptied, so that the preceding lot remains on the module in the preceding stage than the resist coating module, and the subsequent lot remains on the rear stage of the resist coating module (COT) (step D4). In the vacated resist application module (COT), the cup 21 is cleaned (step D5).

컵(21)의 세정이 행해지는 동안, 도 7에서 설명한 바와 같이 노광 후 반송(F3) 및 귀로측 반송(F2)이 계속되기 때문에, 버퍼 모듈군(3)에 축적된 노광 전 웨이퍼(W)는, 노광 장치(S4) 및 단위 블록(B5, B6)으로 반송되어 처리를 받아, 캐리어(C)로 복귀된다. 컵(21)의 세정이 종료하고, 상기 왕로측 반송(F1)이 정지되고 나서, 설정한 메인터넌스 필요 시간이 경과하면, 캐리어(C)로부터 후속하는 로트의 웨이퍼(W)의 취출과, 처리 블록(S2)에 있어서의 왕로측 반송(F1)이 재개되고, 메인터넌스를 종료한 레지스트 도포 모듈(COT)에 후속하는 로트의 웨이퍼(W)가 반입된다. 계속해서, 제어부(100)는 이 메인터넌스 종료 시각으로부터, 설정한 메인터넌스 시간 간격이 경과했는지 여부를 판정한다. 즉, 상기한 스텝 D1 내지 D5가 반복 실행되고, 레지스트 도포 모듈(COT)의 컵 세정이 주기적으로 반복하여 행해진다. 다른 도포막 형성 모듈에 있어서도, 마찬가지로 스텝 D1 내지 D5에 따라서 컵 세정이 행해진다. 또한, 자동 노즐 세정이 행해지는 경우에도 자동 컵 세정이 행해지는 경우와 마찬가지로 스텝 D1 내지 D5에 따라서 동작이 진행된다.The post-exposure conveyance F3 and the return-to-side conveyance F2 are continued as described in Fig. 7 while the cup 21 is being cleaned. Therefore, the pre-exposure wafer W accumulated in the buffer module group 3, Is returned to the carrier C after being transferred to the exposure apparatus S4 and the unit blocks B5 and B6 to be processed. When the set maintenance time has elapsed after the cleaning of the cup 21 has been completed and the forward path side transportation F1 has been stopped, the removal of the wafer W of the following lot from the carrier C, The forward transfer F1 of the outward transfer path S2 is resumed and the wafer W of the lot subsequent to the maintenance of the resist coating module COT is carried. Subsequently, the control unit 100 determines whether or not the set maintenance time interval has elapsed from this maintenance end time. That is, the above-mentioned steps D1 to D5 are repeatedly performed, and cup cleaning of the resist coating module (COT) is performed periodically and repeatedly. Also in the other coating film forming module, the cup cleaning is carried out in accordance with the steps D1 to D5. Also, even when automatic nozzle cleaning is performed, the operation proceeds in accordance with steps D1 to D5 as in the case where automatic cup cleaning is performed.

모듈 퇴피 메인터넌스의 플로우를 설명함에 있어서, 자동 메인터넌스인 자동 컵 세정의 예에 대하여 설명하였지만, 예약 메인터넌스인 경우에도 마찬가지로 도 13의 스텝 D1 내지 D4에 따라서 처리가 진행되고, 메인터넌스 대상으로 되는 모듈로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지된 후, 작업자가 메인터넌스를 행한다. 예를 들어 주연 노광 모듈(WEE)의 램프 교환을 행하는 경우에 대하여 설명하면 스텝 D1에서는 메인터넌스를 행하도록 설정한 일시가 되었는지 여부가 판정된다. 그리고, 스텝 D4에서 주연 노광 모듈(WEE)로의 반송이 정지된 후, 작업자가 상기 램프의 교환을 행한다. 그리고, 후술하는 바와 같이 작업자가 지시하면, 반송이 재개된다. 레지스트 도포 모듈(COT)의 컵(21)의 교환을 행하는 경우에도 마찬가지로 스텝 D1 내지 D4에 따라서 처리가 진행되고, 레지스트 도포 모듈(COT)로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지된다.In describing the flow of the module retract maintenance, an example of automatic cup cleaning as automatic maintenance has been described. However, in the case of the reserved maintenance, the process is also progressed in accordance with the steps D1 to D4 in FIG. 13, After the conveyance of the wafer W is stopped, the operator performs maintenance. For example, in the case of performing the lamp replacement of the primary exposure module WEE, description will be made in step D1 to determine whether or not the date and time set for performing maintenance is reached. After the transfer to the main exposure module WEE is stopped in step D4, the operator performs the replacement of the lamp. Then, when instructed by the operator as described later, the conveyance is resumed. When the cup 21 of the resist coating module (COT) is exchanged, the process proceeds similarly to the steps D1 to D4, and the transfer of the wafer W to the resist coating module (COT) is stopped.

계속해서, 블록 퇴피 메인터넌스의 예로서, 반송 아암(A1)의 갈고리부(25a)의 교환을 행하는 공정에 대하여 도 14의 플로우를 참조하면서 자동 메인터넌스의 플로우와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도포 현상 장치(1)가 기동하고, 웨이퍼(W)의 통상 반송 및 처리가 개시되고 나서, 제어부(100)는 메인터넌스 개시 일시로서 설정한 시간으로 되었는지 여부를 판정하고(스텝 E1), 설정 시간으로 되어 있지 않은 경우에는 통상 반송이 계속된다. 그리고, 상기 설정한 시간으로 되었다고 판정된 경우, 제어부(100)는 계속해서 버퍼 모듈군(3)에 필요 웨이퍼 매수가 축적되어 있는지 여부를 판정한다(스텝 E2).Next, as an example of block evacuation maintenance, a process of exchanging the pawl portion 25a of the transfer arm A1 will be described with reference to the flow of FIG. 14, focusing on the difference from the flow of automatic maintenance. After the coating and developing apparatus 1 is started and normal conveyance and processing of the wafer W is started, the control unit 100 determines whether or not the time has reached the time set as the maintenance start date and time (step E1) If not, normal conveyance is continued. If it is determined that the set time has come, the control section 100 determines whether the required number of wafers is accumulated in the buffer module group 3 (step E2).

버퍼 모듈군(3)에 필요 웨이퍼 매수가 축적되어 있지 않다고 판정된 경우에는, 통상 반송이 계속된다. 필요 웨이퍼 매수가 축적되었다고 판정된 경우에는, 표시부(48)에 그와 같이 필요 웨이퍼 매수가 축적되었음을 나타내는 사인이 표시되고, 계속해서 캐리어(C)로부터 취출 중인 로트의 웨이퍼(W)가, 당해 로트의 최종 웨이퍼(W)인지 여부가 판정된다. 즉, 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출이 로트의 절취선에 걸려 있는지 여부가 판정된다(스텝 E3). 로트의 최종 웨이퍼(W)가 아니라고 판정된 경우에는, 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출이 계속된다. 캐리어(C)로부터 취출되는 웨이퍼(W)가 로트의 최종 웨이퍼(W)라고 판정된 경우에는, 캐리어(C)로부터 후속하는 로트의 웨이퍼(W)의 취출이 정지된다(스텝 E4).When it is determined that the necessary number of wafers is not accumulated in the buffer module group 3, the normal transfer continues. When it is judged that the required number of wafers have been accumulated, a sign indicating that the necessary number of wafers have been accumulated is displayed on the display unit 48, and subsequently the wafers W in the lot being taken out from the carrier C, (W) of the wafer W is determined. That is, it is judged whether or not the take-out of the wafer W from the carrier C is caught by the perforated line of the lot (step E3). When it is judged that the wafer W is not the last wafer W of the lot, the take-out of the wafer W from the carrier C is continued. When it is determined that the wafer W taken out of the carrier C is the last wafer W of the lot, the takeout of the wafer W of the following lot from the carrier C is stopped (step E4).

그리고, 처리 블록(S2)으로 반출된 로트의 최종 웨이퍼(W)가 처리 블록(S2)을 통과하고, 버퍼 모듈군(3)으로 반입되면(스텝 E5), 도 7에서 도시한 바와 같이 처리 블록(S2)에서는 왕로측 반송(F1)이 정지한다(스텝 E6). 이 왕로측 반송(F1)이 정지하고 있는 동안에 유저는 반송 아암(A1)의 갈고리부(25a)의 교환을 행한다. 버퍼 모듈군(3)의 노광 전 웨이퍼(W)가 미리 설정된 매수 이하로 되는, 즉 메인터넌스 시간이 종료에 근접하면, 제어부(100)는 알람 발생기(도시생략)로부터 알람음을 발생시킨다. 작업자가 메인터넌스 작업을 종료하고, 설정부(47)에서 소정의 조작을 행하고, 통상 반송의 재개를 지시함으로써, 통상 반송이 재개된다. 왕로측 반송(F1)이 정지하고 나서 메인터넌스 필요 시간이 경과하여도, 이와 같은 작업자의 지시가 있을 때까지 통상 반송은 재개되지 않는다. 반송 아암(A2 내지 A4)의 갈고리부(25a)의 교환을 행하는 경우에도 스텝 E1 내지 E6에 따라서 처리가 행해진다.When the final wafer W of the lot carried out to the processing block S2 passes through the processing block S2 and is carried into the buffer module group 3 (step E5), as shown in Fig. 7, (S2), the forward road side transportation F1 is stopped (step E6). The user performs replacement of the pawl portion 25a of the transfer arm A1 while the outboard transfer F1 is stopped. When the pre-exposure wafer W of the buffer module group 3 becomes equal to or less than a preset number, that is, when the maintenance time approaches the end, the controller 100 generates an alarm sound from an alarm generator (not shown). The worker finishes the maintenance work, performs a predetermined operation in the setting section 47, and instructs the normal conveyance to be resumed, whereby the normal conveyance is resumed. Even if the maintenance required time has elapsed since the forwarding-side transfer F1 is stopped, the normal conveyance is not resumed until such an operator instructs. Even when the pawl portions 25a of the transfer arms A2 to A4 are exchanged, the processing is performed in accordance with the steps E1 to E6.

계속해서, 수동 메인터넌스의 예로서 레지스트 토출량 및 토출 상태의 확인을 행하는 공정에 대하여 도 15의 플로우를 참조하면서 설명한다. 도포 현상 장치(1)가 기동하고, 웨이퍼(W)의 통상 반송이 개시되어 있을 때에, 유저는 임의의 타이밍에 메인터넌스 필요 시간을 설정하고, 그것에 기초하여 제어부(100)에서는, 필요 웨이퍼 매수, 부족 웨이퍼 매수 및 예측 대기 시간이 연산되어, 이들 설정값 및 연산값이 표시부(48)에 표시된다. 그리고, 제어부(100)는 필요 웨이퍼 매수가 버퍼 모듈군(3)에 축적되어 있는지 여부를 판정한다(스텝 F1). 축적되어 있지 않은 경우에는 통상 반송이 계속되고, 축적되어 있는 경우에는 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출이 정지되어(스텝 F2), 처리 블록 S2에 있어서의 왕로측 반송(F1)이 정지된다(스텝 F3). 그 동안에 유저는, 레지스트 도포 모듈(COT)의 레지스트 토출량 및 토출 상태를 확인한다. 왕로측 반송(F1)의 정지 시점부터 메인터넌스 필요 시간이 경과하면, 통상 반송이 재개된다.Next, as an example of manual maintenance, a step of confirming the resist discharge amount and the discharge state will be described with reference to the flow of FIG. When the coating and developing apparatus 1 is started and the normal conveyance of the wafer W is started, the user sets the maintenance required time at an arbitrary timing, and in the control unit 100, the necessary number of wafers, The number of wafers and the estimated wait time are calculated, and these set values and calculated values are displayed on the display unit 48. [ Then, the control unit 100 determines whether or not the required number of wafers is stored in the buffer module group 3 (step F1). When the wafer W is not stored, the normal transfer is continued. When the wafer W is stored, the take-out of the wafer W from the carrier C is stopped (step F2) (Step F3). In the meantime, the user confirms the resist discharge amount and discharge state of the resist coating module (COT). When the maintenance required time elapses from the stopping point of the forward-path-side transfer (F1), the normal conveyance is resumed.

예를 들어 이 수동 메인터넌스는, 자동 메인터넌스 및 예약 메인터넌스에 우선하여 행해지고, 수동 메인터넌스를 행하기 위해 메인터넌스 필요 시간을 입력하고 나서 상기와 같이 통상 반송이 재개될 때까지 동안, 자동 메인터넌스 및 예약 메인터넌스를 행하기 때문에 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)의 취출 정지가 일어나지 않는다. 또한, 자동 메인터넌스와, 수동 메인터넌스에 대해서도 어느 하나를 우선하여 행하도록 해도 된다.For example, this manual maintenance is performed in preference to the automatic maintenance and the scheduled maintenance, and the automatic maintenance and the scheduled maintenance are performed during the period until the normal transportation is resumed after inputting the maintenance required time for performing the manual maintenance The wafer W is not stopped from being taken out from the carrier C. In addition, either automatic maintenance or manual maintenance may be performed with priority.

이 도포 현상 장치(1)에 의하면, 처리 블록(B2)에서 행해지는 메인터넌스에 필요로 하는 메인터넌스 시간에 대응한 매수의 노광 전 웨이퍼(W)가, 버퍼 모듈군(3)에 축적되었는지 여부를 제어부(100)가 판정하고, 축적되었다고 판정되었을 때에, 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출 및 처리 블록(S2)의 왕로측 반송이 정지된다. 한편, 버퍼 모듈군(3)으로부터 노광 장치(S4)를 거쳐서 캐리어(C)로 복귀되는 웨이퍼(W)의 반송이 계속된다. 따라서, 노광 장치(S4)의 노광 처리가 정지하지 않기 때문에, 노광 장치(S4)의 처리 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서, 웨이퍼(W)의 스루풋의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 각 메인터넌스에 있어서, 필요 웨이퍼 매수가 축적될 때까지의 대기 시간이 표시부(48)에 표시된다. 유저는 이 표시를 보고, 언제부터 메인터넌스가 개시될지 알 수 있으므로, 메인터넌스 중에는 도포 현상 장치(1)로의 캐리어(C)의 반송을 억제하고, 다른 도포 현상 장치(1)로 반송한다고 하는 캐리어(C)의 반송 계획을 미리 세울 수 있어, 상기한 수동 메인터넌스를 행하는 경우에 다른 메인터넌스에 영향을 미치지 않는 적절할 때에 행할 수 있으므로, 결과적으로 제품의 생산성 향상에 기여한다. 또한, 이 도포 현상 장치(1)에서는 각 메인터넌스마다 필요 웨이퍼 매수가 축적되면, 표시부(48)에 그 취지를 나타내는 사인이 표시되어, 유저의 주의를 확실하게 촉구하도록 되어 있다.According to the coating and developing apparatus 1, whether or not the number of pre-exposure wafers W corresponding to the maintenance time required for the maintenance performed in the processing block B2 is stored in the buffer module group 3, The wafer W is taken out of the carrier C and the forward path side transportation of the processing block S2 is stopped. On the other hand, the transfer of the wafer W returned from the buffer module group 3 to the carrier C via the exposure device S4 is continued. Therefore, since the exposure process of the exposure apparatus S4 is not stopped, it is possible to prevent the processing efficiency of the exposure apparatus S4 from being lowered. As a result, deterioration of the throughput of the wafer W can be prevented. Further, in each maintenance, the waiting time until the required number of wafers is accumulated is displayed on the display section 48. The user is able to know when the maintenance is to be started from when the maintenance is in progress so that the carrier C that restrains the conveyance of the carrier C to the coating and developing apparatus 1 and conveys it to the other coating and developing apparatus 1 ) Can be set in advance, and in the case of carrying out the manual maintenance described above, it is possible to carry out when appropriate without affecting the other maintenance, and consequently contributes to improvement of productivity of the product. Further, in this coating and developing apparatus 1, when the number of necessary wafers is accumulated for each maintenance, a sign indicating this is displayed on the display unit 48, so that the user is surely cautioned.

또한, 도포 현상 장치(1)에서는 로트의 마지막 웨이퍼(W)가 처리 블록(S2)을 통과하거나, 또는 메인터넌스 대상으로 되는 모듈을 통과하고 나서 메인터넌스가 행해지도록 되어 있다. 이에 의해, 동일한 로트의 웨이퍼(W)를 처리하는 환경이, 웨이퍼에 의해 서로 다른 것이 방지되므로, 동일한 로트 내의 제품의 품질이 변동되는 것이 억제된다. 따라서, 수율의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 모듈 퇴피 메인터넌스를 행하는 경우에는, 메인터넌스 대상으로 되는 모듈 이외의 모듈에 웨이퍼(W)가 대기하므로, 메인터넌스 종료 후에 신속하게 처리를 재개할 수 있다. 따라서, 스루풋의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.In the coating and developing apparatus 1, maintenance is performed after the last wafer W of the lot passes through the processing block S2 or through a module to be a maintenance target. Thereby, the environment for treating the wafers W of the same lot is prevented from being different from each other by the wafers, so that the quality of the products in the same lot is suppressed from fluctuating. Therefore, a decrease in the yield can be prevented. Further, in the case of carrying out the module retract maintenance, the wafer W is waiting for the module other than the module to be the maintenance target, so that the process can be resumed quickly after the completion of the maintenance. Therefore, deterioration of the throughput can be suppressed more reliably.

메인터넌스의 종류로서는 상기한 예에 한정되지 않는다. 예를 들어 예약 메인터넌스의 하나로서, 모듈 검사가 있다. 이것은 모듈 검사용 웨이퍼(W)가 저장된 캐리어(C)를 캐리어 블록(S1)으로 반송하고, 당해 검사용 웨이퍼(W)를 캐리어 블록(S1) 및 처리 블록(S2)의 각 반송 수단을 이용하여 원하는 모듈로 반송하고, 소정의 검사를 행한 후에 캐리어(C)로 복귀시킨다고 하는 내용이다. 검사용 웨이퍼(W)는 예를 들어 장치(1)의 외부 검사 기구로 반송되어, 모듈의 동작이 검사된다. 또한, 단위 블록(B3, B4)에 각각 2기 설치되는 보호막 형성 모듈(TCT) 중 1기를 이면 세정 모듈(BST)로 한다. 그리고, 예약 메인터넌스로서 당해 이면 세정 모듈(BST)의 브러시 교환을 행해도 된다.The kind of maintenance is not limited to the above example. For example, there is a module check as one of reservation maintenance. This is because the carrier C in which the module inspection wafer W is stored is transferred to the carrier block S1 and the inspection wafer W is transferred by using the carrier means S1 and the conveying means of the processing block S2 To the desired module, and after returning to the carrier C after carrying out a predetermined inspection. The inspection wafer W is conveyed to, for example, an external inspection apparatus of the apparatus 1, and the operation of the module is inspected. One of the two protection film forming modules (TCT) installed in each of the unit blocks B3 and B4 is referred to as a back side cleaning module BST. As the reservation maintenance, the brush replacement of the back side cleaning module BST may be performed.

메인터넌스의 개시 타이밍으로서는, 상기한 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 로트의 마지막 웨이퍼(W)가 처리 블록(S2)을 통과한 후, 버퍼 모듈군(3)으로 반입되기 전에 처리 블록(S2)의 반송을 정지하고, 메인터넌스를 개시해도 된다. 또한, 예를 들어 자동 메인터넌스를 행하는 경우, 메인터넌스가 행해지는 모듈을 로트의 마지막 웨이퍼(W)가 통과한 시점에서 메인터넌스를 개시해도 된다.The maintenance start timing is not limited to the above example. For example, after the last wafer W of the lot has passed through the processing block S2, the conveyance of the processing block S2 may be stopped and the maintenance may be started before the wafer W is brought into the buffer module group 3. Further, for example, in the case of performing the automatic maintenance, the maintenance may be started at the time when the last wafer W of the lot passes the module in which the maintenance is performed.

도포 현상 장치(1)에서는 버퍼 모듈군(3)에 웨이퍼(W)가 축적된다. 따라서, 장치 내의 웨이퍼(W) 매수가 많고, 또한, 도포 현상 장치(1)로 반입하는 캐리어 수가 부족하면, 각 모듈로 웨이퍼(W)의 공급을 할 수 없게 되어, 생산성이 저하될 우려가 있다. 따라서, 상기 버퍼 모듈군(3)의 상기 축적 레이트를 고려한 다음에, 캐리어 블록(S1)으로 반입하는 캐리어(C)의 수를 설정하게 된다. 또한, 캐리어 블록(S1)의 선반에 적재할 수 있는 캐리어(C)의 수를 증가시키는 것도 유효하다. 또한, 제어부(100)는 도포 현상 장치(1)의 외부의 반송 기구의 동작을 제어하는 컴퓨터로 신호를 출력하고, 웨이퍼(W)가 도포 현상 장치(1)로 반입되어, 비워진 상태에서 선반(14)으로 반송된 캐리어(C)를 상기 반송 기구에 의해 도포 현상 장치(1)의 외부로 퇴피시켜도 된다. 그것에 의해, 캐리어 블록(S1)에 있어서의 캐리어(C)의 수를, 당해 캐리어(C)가 적재 가능한 수로 억제되도록 제어한다.In the coating and developing apparatus 1, the wafers W are stored in the buffer module group 3. Therefore, if the number of wafers W in the apparatus is large and the number of carriers to be loaded into the coating and developing apparatus 1 is insufficient, the wafers W can not be supplied to the respective modules, and the productivity may be lowered . Therefore, after considering the accumulation rate of the buffer module group 3, the number of carriers C to be brought into the carrier block S1 is set. It is also effective to increase the number of carriers C that can be stacked on the shelf of the carrier block S1. The control unit 100 outputs a signal to a computer that controls the operation of the transport mechanism outside the coating and developing apparatus 1 and the wafer W is carried into the coating and developing apparatus 1, 14 may be retracted to the outside of the coating and developing apparatus 1 by the carrying mechanism. Thereby, the number of carriers C in the carrier block S1 is controlled so as to be suppressed to a number in which the carrier C can be loaded.

그런데, 처리 블록(S2)에 있어서의 왕로측 반송 경로(F1)의 모듈을 메인터넌스하는 경우에 대하여 설명해 왔지만, 처리 블록(S2)의 귀로측 반송 경로(F2)의 모듈의 메인터넌스를 행하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 도 16은, 이와 같이 귀로측의 메인터넌스를 행하는 경우의 반송의 개략을 나타내고 있으며, 이 도면에 도시한 바와 같이, 귀로측 반송(F2) 및 왕로측 반송(F1)의 양쪽의 반송이 정지된다. 그리고, 반송(F1 및 F2)을 정지시키고 있는 동안에 노광 반송(F3)을 계속한다.However, in the case of performing the maintenance of the module of the return-to-side transfer path F2 of the processing block S2, The invention can be applied. Fig. 16 shows the outline of the conveyance in the case of performing the maintenance on the return path side as described above. As shown in this figure, the conveyance of both of the return-side conveyance F2 and the forward-side conveyance F1 is stopped. Then, the exposure transport (F3) is continued while the transports F1 and F2 are stopped.

예약 메인터넌스이며, 블록 퇴피 메인터넌스인 반송 아암(A6)의 갈고리부(25a)의 교환을 행하는 경우의 예를 들어서, 통상 반송으로부터 도 16의 메인터넌스 시의 반송으로의 전환을 구체적으로 설명한다. 이 설명에서는 노광 완료 웨이퍼의 로트를 A, B로 하고, 로트 B는 로트 A의 다음 로트이다. 전술한 블록 퇴피 메인터넌스의 플로우의 스텝 E1, E2가 진행되고, 버퍼 모듈군(3)에 필요 웨이퍼 매수가 축적되었다고 판정되면, 버퍼 모듈군(3)으로부터 반출 중인 로트 A에 대해서는, 귀로측 반송(F2)에 의한 반송이 계속된다. 로트 A의 마지막 웨이퍼(W)가 반출된 후, 버퍼 모듈군(3)으로부터의 노광 완료 웨이퍼(W)의 반출이 정지된다. 즉, 로트 B에 대해서는, 버퍼 모듈군(3)으로부터 반출되지 않고, 버퍼 모듈군(3)에 체류한다.The switching from the normal conveyance to the conveyance at the time of maintenance shown in Fig. 16 will be concretely explained, for example, in the case where the pawl portion 25a of the conveyance arm A6, which is a reserved maintenance, is to be replaced. In this explanation, the lots of the exposed wafer are A and B, and the lot B is the next lot of the lot A. When the steps E1 and E2 of the flow of the block evacuation maintenance are proceeded and it is judged that the necessary number of wafers have been stored in the buffer module group 3, the lot A being carried out from the buffer module group 3 is transferred to the return- F2 continues to be conveyed. After the last wafer W of the lot A is taken out, the carrying out of the exposed wafer W from the buffer module group 3 is stopped. That is, the lot B does not go out of the buffer module group 3 but stays in the buffer module group 3.

그리고, 로트 A의 마지막 웨이퍼(W)가 캐리어(C)로 복귀되면, 귀로측 반송(F2)이 정지된다. 또한, 왕로측 반송(F1)은, 상기한 스텝 E3 내지 E6에 따라서 정지한다. 이 동안에 버퍼 모듈군(3)에서는, 노광 전의 웨이퍼(W)가 노광 장치(S4)로 반송되어 그 매수가 감소함과 함께, 노광 장치 S4로부터 반송된 노광 완료 웨이퍼(W)가 축적되어 간다. 귀로측 반송(F2)의 정지 시점부터 메인터넌스 설정 시간이 경과하면, 로트 B가 버퍼 모듈(3)로부터 반출됨과 함께 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 취출이 행해진다. 즉 통상 반송이 재개된다. 이와 같이 반송을 행하는 경우에도 노광 장치 S4는 노광 처리를 계속할 수 있으므로, 상기의 효과가 얻어진다. 또한, 왕로측 반송(F1)의 모듈인 메인터넌스를 행하는 경우에, 마찬가지로 귀로측 반송(F2) 및 왕로측 반송(F1)의 양쪽을 정지시켜도 된다.Then, when the last wafer W of the lot A is returned to the carrier C, the return-side transportation F2 is stopped. Further, the forward-path-side transfer (F1) stops according to the above-mentioned steps E3 to E6. During this time, in the buffer module group 3, the unexposed wafer W is transferred to the exposure apparatus S4, the number of which is reduced, and the exposed wafer W carried from the exposure apparatus S4 is accumulated. When the maintenance setting time elapses from the stopping point of the return-to-side transfer F2, the lot B is carried out from the buffer module 3 and the wafer W is taken out from the carrier C. That is, the normal conveyance is resumed. Even when carrying is carried out in this way, the exposure apparatus S4 can continue the exposure process, and the above-mentioned effect can be obtained. In the case of carrying out maintenance in the module of the outward route side transportation F1, both of the return-side transfer F2 and the forward-side transfer F1 may be stopped.

또한, 상기의 자동 컵 세정은, 컵(21)에 구비되어 있는 세정 기구를 이루는 노즐로부터 직접 컵(21)에 세정액을 공급해도 되지만, 세정용 지그를 사용하여 컵(21)에 세정액을 공급해도 된다. 도 17은, 그 세정용 지그인 디스크(71)를 나타내고 있다. 원판 형상인 중심부(72)의 외주를 둘러싸도록 원형의 링부(73)가 설치되어 있다. 도 18에 도시한 바와 같이 링부(73)의 주위 단부는 상측 방향으로 돌출되고, 링부(73)의 외주면(74)은 기립하고 있다. 예를 들어 선반 유닛(U1 내지 U6)의 하나의 선반이 이 디스크(71)를 저장하는 대기부로서 구성되며, 웨이퍼(W)의 처리 시에 디스크(71)는 당해 대기부에서 대기한다.Although the cleaning liquid may be supplied to the cup 21 directly from the nozzle constituting the cleaning mechanism provided in the cup 21, if the cleaning liquid is supplied to the cup 21 using the cleaning jig do. 17 shows the disk 71 which is the cleaning jig. A circular ring portion 73 is provided so as to surround the outer periphery of the central portion 72 which is in the form of a disk. 18, the peripheral end portion of the ring portion 73 protrudes upward, and the outer peripheral surface 74 of the ring portion 73 stands up. For example, one shelf of the shelf units U1 to U6 is configured as a standby portion for storing the disc 71, and the disc 71 waits at the standby portion at the time of processing the wafer W. [

상기한 레지스트 도포 모듈(COT)의 컵 세정을 행하는 경우에 대하여 설명하면, 전술한 플로우 D1 내지 D4가 진행되면, 반송 아암(A1)이 상기 선반으로부터 디스크(71)를 레지스트 도포 모듈(COT)로 반송하고, 디스크(71)의 링부(73)가 스핀 척(22)에 흡착된다. 스핀 척(22)이 회전하고, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하기 위한 이면 세정 노즐(26)로부터, 예를 들어 시너로 이루어지는 용제가 디스크(71)의 링부(73)의 이면으로 토출된다. 도 18에서는 점선의 화살표로 용제의 플로우를 나타내고 있으며, 토출된 용제는 원심력에 의해 링부(73)의 이면을 외측으로 향한 후, 표면 장력 및 점성에 의해 상기 외주면(74)을 타고 올라, 컵(21)의 내주면으로 비산한다. 그리고, 비산한 용제는 컵(21)의 내주면에 전달되어, 당해 컵(21)에 부착된 레지스트를 씻어내면서 하강하고, 배액로(도시생략)에 유입되어 배액된다. 이 세정 작업이 종료되면 디스크(21)는 상기 대기부로 복귀하고, 웨이퍼(W)의 통상 반송이 재개된다.When the above-described flows D1 to D4 are performed, the transfer arm A1 transfers the disk 71 from the shelf to the resist coating module (COT) And the ring portion 73 of the disk 71 is sucked to the spin chuck 22. The spin chuck 22 rotates and a solvent such as a thinner is discharged from the backside cleaning nozzle 26 for cleaning the back surface of the wafer W to the back surface of the ring portion 73 of the disk 71. [ In Fig. 18, the flow of the solvent is indicated by the dotted arrow. The discharged solvent is directed to the outer surface of the ring portion 73 by the centrifugal force and then rides on the outer peripheral surface 74 by surface tension and viscosity, 21). Then, the scattered solvent is transferred to the inner circumferential surface of the cup 21, descends while washing the resist attached to the cup 21, and flows into a drain path (not shown) to be drained. When the cleaning operation is completed, the disk 21 returns to the waiting section, and the normal conveyance of the wafer W is resumed.

다른 도포막 형성 모듈에 있어서도, 메인터넌스 시에 마찬가지로 컵(21)의 자동 세정이 행해진다. 또한, 대기부로서는 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어 버퍼 모듈군(3)에 단위 블록(B1 내지 B4)의 웨이퍼(W)를 전부 퇴피시킨 후, 캐리어(C)에 의해 이 디스크(71)를 도포 현상 장치(1)로 반송한다. 즉, 캐리어(C)를 대기부로 해도 된다. In the other coating film forming module, the automatic cleaning of the cup 21 is similarly performed at the time of maintenance. The air bearing portion is not limited to this example. All of the wafers W of the unit blocks B1 to B4 are evacuated to the buffer module group 3 and then the disc 71 is transported to the coating and developing apparatus 1 by the carrier C. [ That is, the carrier C may be an atmospheric portion.

그런데, 도포 현상 장치(1)는 기술한 타이밍 이외의 타이밍에 있어서도 자동 메인터넌스를 실행할 수 있다. 이 타이밍을 설명하기 위해서 도포 현상 장치(1)의 구성에 대하여 더 설명한다. 상기 제어부(100)는, 도포 현상 장치(1)가 설치되는 공장의 호스트 컴퓨터(상위 컴퓨터)에 접속되어 있다. 이 호스트 컴퓨터는, 캐리어(C)의 도포 현상 장치(1)로의 반송을 제어하고 있고, 캐리어(C)의 반송 전에 당해 캐리어(C)의 도포 현상 장치(1)로의 반송 시각에 관한 정보를 상기 제어부(100)로 송신하고, 그 정보가 제어부(100)의 메모리에 기억된다.By the way, the coating and developing apparatus 1 can perform the automatic maintenance even at the timing other than the timing described. To explain this timing, the construction of the coating and developing apparatus 1 will be further described. The control unit 100 is connected to a host computer (host computer) of a factory where the coating and developing apparatus 1 is installed. This host computer controls the conveyance of the carrier C to the coating and developing apparatus 1 and informs the information on the conveyance time of the carrier C to the coating and developing apparatus 1 before the conveyance of the carrier C To the control unit 100, and the information is stored in the memory of the control unit 100. [

상기 캐리어(C)는 도시하지 않은 반송 기구에 의해 상기 공장 내를 반송되어서, 상기 시각에 캐리어 블록(S1)으로 반송되고, 캐리어 반송 기구(15)에 의해 적재대(11)에 적재된다. 후술하는 바와 같이 메인터넌스를 행하는 타이밍을 관리하기 위해서, 상기 적재대(11)로의 캐리어(C)의 적재 시각 및 당해 적재대(11)로부터의 캐리어(C)의 반출 시각은 상기 메모리에 기억된다. 그리고, 상기 호스트 컴퓨터로부터 제어부(100)로 상기 캐리어(C) 내의 로트의 처리 개시 지시가 송신되면, 제어부(100)는 도포 현상 장치(1)의 각 부로 소정의 제어 신호를 출력하고, 적재대(11)에 적재된 캐리어(C)로부터 상기 로트가 불출되어 도포 현상 장치(1) 내에서 처리된다. 즉, 호스트 컴퓨터는 도포 현상 장치(1)에 있어서의 로트의 처리 개시 타이밍을 제어하고 있다. 상기 로트의 처리 개시 지시로서는, 로트의 처리 개시의 트리거로 되는 제어 신호 및 로트의 처리를 개시하는 예정 시각에 대하여 설정하기 위한 신호의 어느 것이든 무방하다. 즉 빠르게 로트의 처리를 개시하도록 지시하는 것이어도 되고, 송신 후, 소정의 시간 경과 후에 처리를 개시하도록 지시하는 것이어도 된다.The carrier C is transported in the factory by a transport mechanism not shown and transported to the carrier block S1 at that time and is loaded on the loading table 11 by the carrier transport mechanism 15. [ The loading time of the carrier C to the loading table 11 and the taking-out time of the carrier C from the loading table 11 are stored in the memory in order to manage the timing of maintenance as described later. The control unit 100 outputs a predetermined control signal to each part of the coating and developing apparatus 1 when the host computer sends an instruction to start processing of the lot in the carrier C from the control unit 100 to the control unit 100, The lot is discharged from the carrier (C) loaded on the carrier (11) and processed in the coating and developing apparatus (1). That is, the host computer controls the start timing of the lot in the coating and developing apparatus 1. [ The lot initiation instruction may be any of a control signal serving as a trigger for starting the lot processing and a signal for setting the scheduled time for starting the lot processing. That is, it may be instructed to start the processing of the lot quickly, or it may be instructed to start the processing after a predetermined time elapses after the transmission.

또한, 도 3에 도시하는 선반 유닛(U7)에 있어서 반송 아암(A1, A2)을 액세스할 수 있는 높이에는, 액 처리 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하기 전에 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하기 위한 전달 모듈(CPL)(CPL21, 22라 한다)이 설치되어 있다. 즉, 상기 단위 블록(B1, B2)에 있어서 웨이퍼는, 소수화 처리 모듈(ADH)→전달 모듈(CPL21)→반사 방지막 형성 모듈(BCT)→가열 모듈→전달 모듈(CPL22)→레지스트 도포 모듈(COT)→가열 모듈(HP)이라고 하는 순서로 반송된다.The height of the shelf unit U7 shown in Fig. 3 at which the transfer arms A1 and A2 are accessible includes temperature adjustment of the wafer W before carrying the wafer W to the liquid processing module (CPL) 22 (hereinafter referred to as " CPL " That is, in the unit blocks B 1 and B 2, the wafer is transferred from the hydrophobic processing module ADH to the transfer module CPL 21, the anti-reflection film forming module BCT, the heating module, the transfer module CPL 22, ) → heating module (HP).

서로 다른 로트 A, B에서 가열 모듈(HP)에 의한 가열 온도가 서로 다른 경우, 가열 모듈(HP)에 있어서는 로트 A를 처리 후에, 당해 모듈(HP) 내의 열판의 온도 조정이 행해지고, 상기 온도 조정을 종료한 후에, 로트 B가 가열 모듈(HP)로 반송된다. 따라서, 레지스트 도포 후의 가열 모듈(HP)에서 상기 온도 조정이 행해지는 경우, 로트 B는 전달 모듈(CPL22) 및 그 전단측 모듈에서 대기하게 된다. 즉, 동일한 로트 내의 웨이퍼(W) 사이에서 전달 모듈(CPL22)에 의한 온도 조정 후, 레지스트 도포 및 가열 처리를 행할 때까지의 시간이 갖추어지도록 되어 있다. 그와 같이 로트 B를 대기시키기 때문에, 예를 들어 선반 유닛(U7)에는 대기용 모듈로서 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 모듈이 설치된다.When the heating temperatures by the heating modules HP in the different lots A and B are different from each other, in the heating module HP, after the lot A is processed, the temperature of the hot plate in the module HP is adjusted, The lot B is returned to the heating module HP. Therefore, when the temperature adjustment is performed in the heating module HP after application of the resist, the lot B waits at the transfer module CPL22 and its front-end side module. That is, after the temperature adjustment by the transfer module CPL22 between the wafers W in the same lot, the time from the application of the resist to the application of the resist and the heat treatment is completed. In order to wait the lot B like this, for example, the shelf unit U7 is provided with a buffer module capable of loading a plurality of wafers W as standby modules.

또한, 웨이퍼(W)의 로트에 따라서는, 반사 방지막을 형성하지 않고 레지스트막의 형성 처리를 행한다. 그 경우에는, 단위 블록(B1, B2)을 상기 웨이퍼(W)는, 예를 들어 소수화 처리 모듈(ADH)→전달 모듈(CPL22)→레지스트 도포 모듈(COT)→ 가열 모듈(HP)의 순으로 반송된다.Depending on the lot of the wafer W, the resist film forming process is performed without forming the antireflection film. In this case, the unit blocks B 1 and B 2 are transferred to the wafer W in the order of, for example, a hydrophobic processing module ADH, a transfer module CPL 22, a resist coating module COT, Lt; / RTI >

또한, 상기 자동 노즐 세정 처리를 행하는 경우에는, 세정 후에 노즐 내에 있어서의 약액의 건조를 방지하기 위해서, 노즐로부터 공기의 흡인 및 도시하지 않은 저류부에 저류된 시너의 흡인을 행함으로써, 노즐의 약액의 유로의 선단측에 상기 시너의 층 및 공기의 층을 형성하는 처리도 행해진다. 레지스트 도포 모듈(COT)은, 웨이퍼(W)의 레시피에 의해 각각 상이한 종류의 레지스트를 토출하는 복수의 노즐을 구비하고 있다. 따라서 레지스트 도포 모듈(COT)로 반송되는 웨이퍼(W)의 로트가 전환되고, 이들 로트가 서로 다른 레지스트를 도포하도록 설정되어 있는 경우에는, 앞의 로트를 처리하고 사용 완료된 노즐에 상기 공기층 및 시너층을 형성하기 위해서 자동 노즐 세정을 행한다. 앞의 로트와 후속하는 로트 각각에 동일한 레지스트를 도포하는 경우에는, 이 자동 노즐 세정을 행하지 않고 레지스트 도포 처리를 계속해서 행할 수 있다.When the automatic nozzle cleaning process is performed, suction of air from the nozzles and suction of the thinner stored in the storage section (not shown) are performed to prevent the chemical liquid in the nozzles from drying after cleaning, The layer of the thinner and the layer of the air are formed on the leading end side of the flow path of the ink supply passage. The resist coating module (COT) includes a plurality of nozzles for ejecting different kinds of resists by the recipe of the wafer W. Therefore, when the lots of wafers W transported to the resist coating module (COT) are switched and these lots are set to apply different resists, the above lot is processed and the used air and the thinner layer The automatic nozzle cleaning is performed. When the same resist is applied to each of the preceding lot and the following lot, the resist coating process can be continuously performed without performing this automatic nozzle cleaning.

계속해서, 모듈의 메인터넌스를 행하는 각 타이밍에 대하여 설명한다.Next, each timing for performing the maintenance of the module will be described.

케이스(1)로서, 캐리어 블록(S1)에 이어서 도포 현상 장치(1)에서 처리하는 로트를 저장한 캐리어(C)가 도착해 있지 않고, 당해 장치(1)에 웨이퍼(W)가 불출될 예정이 없을 때를 예로 들 수 있다.The carrier C storing the lot to be processed by the coating and developing apparatus 1 does not arrive after the carrier block S1 as the case 1 and the wafer W is to be delivered to the apparatus 1 For example.

즉, 상기 적재대(11)에 캐리어(C)가 적재되지 않는 동안은, 도포 현상 장치(1)에 웨이퍼(W)의 불출이 행해지지 않으므로, 그 간격을 이용해서 자동 메인터넌스를 행한다. 구체적으로는, 예를 들어 마지막으로 장치(1)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)를 저장한 캐리어(C)가 적재대(11)로부터 반출된 시각으로부터 미리 설정된 대기 시간이 경과해도 다음의 캐리어(C)가 적재대(11)로 반송되어 있지 않은 경우에, 상기 대기 시간 경과 후에 제어부(100)는 각 액 처리 모듈로 컵 세정 및 노즐 세정을 행하도록 제어 신호를 송신하여, 자동 메인터넌스가 개시된다.That is, while the carrier C is not loaded on the loading table 11, the wafer W is not dispensed to the coating and developing apparatus 1, and automatic maintenance is performed using the interval. Concretely, for example, even if a predetermined waiting time elapses from the time when the carrier C storing the wafer W finally processed in the apparatus 1 is taken out of the loading table 11, the next carrier C Is not conveyed to the loading table 11, after the lapse of the waiting time, the control section 100 transmits a control signal to perform cup washing and nozzle washing with each liquid processing module, and automatic maintenance is started.

또한, 상기 대기 시간에 있어서, 제어부(100)가 호스트 컴퓨터로부터, 다음의 캐리어(C)가 도포 현상 장치(1)로 반송되는 예정 시각을 수신하면, 이 수신 시각으로부터 상기 예정 시각까지의 시간(도착 대기 시간이라 한다)을 산출한다. 그리고 제어부(100)는, 자동 메인터넌스 설정 기억 영역(61)에 기억되는 각 메인터넌스의 필요 시간과, 상기 도착 대기 시간을 비교한다. 그리고, 상기 필요 시간이 도착 대기 시간과 동일하거나 그보다도 짧은 메인터넌스에 대해서는 실행하고, 필요 시간이 도착 대기 시간보다 긴 메인터넌스에 대해서는 실행하지 않도록 제어 신호를 출력한다.When the control unit 100 receives the scheduled time at which the next carrier C is transported from the host computer to the coating and developing apparatus 1 at the standby time, the time from the reception time to the scheduled time Arrival waiting time). Then, the control unit 100 compares the time required for each maintenance stored in the automatic maintenance setting storage area 61 with the arrival waiting time. The maintenance is executed for the maintenance time that is equal to or shorter than the arrival waiting time, and a control signal is output so as not to perform maintenance for a time longer than the arrival waiting time.

케이스(2)로서, 캐리어 블록(S1)에 다음 로트를 저장한 캐리어(C)가 도착해 있지만, 도포 현상 장치(1)에 당해 로트가 불출될 예정이 없을 때를 예로 들 수 있다. 즉, 적재대(11)에 캐리어(C)가 적재되어 있지만, 호스트 컴퓨터로부터 로트의 처리를 개시하는 지시가 이루어져 있지 않을 때이다.As the case 2, there is a case in which the carrier C storing the next lot arrives in the carrier block S1, but the lot is not scheduled to be dispensed to the coating and developing apparatus 1. [ That is, although the carrier C is loaded on the loading table 11, there is no instruction to start the lot processing from the host computer.

구체적으로, 적재대(11)에 상기 캐리어(C)가 적재된 시각으로부터, 미리 설정된 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 로트의 개시 지시가 이루어지지 않은 경우, 상기 설정 시간 경과 후에 제어부(100)는 각 모듈로 제어 신호를 출력하고, 케이스(1)와 마찬가지로 각 모듈에 있어서 자동 메인터넌스가 개시된다. 또한, 캐리어(C)가 적재대(11)에 적재된 후, 호스트 컴퓨터로부터 당해 캐리어(C)의 로트를 처리하기 위한 예정 시각에 대한 데이터를 수신했을 때, 그 수신 시각으로부터 상기 예정 시각까지의 시간(처리 전 대기 시간)이 소정의 시간보다도 긴 경우에는, 케이스(1)와 마찬가지로 자동 메인터넌스가 개시되도록 해도 된다. 이 경우에는, 케이스(1)와 마찬가지로 처리 전 대기 시간과 각 메인터넌스의 필요 시간을 비교하여, 상기 필요 시간이 처리 전 대기 시간과 동일하거나 그보다도 짧은 메인터넌스에 대해서는 실행하고, 긴 메인터넌스에 대해서는 실행하지 않도록 제어 신호를 출력해도 된다.Specifically, if the start of the lot is not instructed from the time when the carrier C is loaded on the loading table 11 until a predetermined time elapses, the control unit 100, after the lapse of the set time, Outputs a control signal to each module, and in the same way as the case 1, automatic maintenance is started in each module. When the carrier C is loaded on the loading table 11 and data of a scheduled time for processing the lot of the carrier C is received from the host computer, When the time (waiting time before processing) is longer than the predetermined time, automatic maintenance may be started as in case (1). In this case, similar to the case 1, the waiting time before the process is compared with the time required for each maintenance, and the maintenance is performed for the time required for the same or shorter than the waiting time before the process, A control signal may be output.

이와 같이 케이스(1, 2)에 있어서는 하나의 캐리어(C)의 로트를 처리 후, 후속하는 캐리어(C)의 로트의 처리를 개시할 때까지의 시간을 이용해서 메인터넌스를 행한다. 따라서, 도포 현상 장치(1)로 반입이 완료된 웨이퍼(W)의 처리를 중단해서 메인터넌스를 행하는 것을 방지할 수 있어, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.As described above, in the cases 1 and 2, the maintenance is performed by using the time from the processing of the lot of one carrier C to the start of the processing of the subsequent lot of the carrier C. [ Therefore, it is possible to prevent the coating and developing apparatus 1 from stopping the processing of the wafer W that has been brought into the apparatus, and to perform maintenance, thereby improving the throughput.

케이스(3)로서, 앞의 로트와 다음 로트에서 다른 처리를 행하지만, 메인터넌스를 행하는 모듈에서는 앞의 로트와 다음 로트에 동일한 처리를 행할 때, 앞의 로트의 처리 후, 다음 로트의 처리 전에 상기 모듈에 있어서 메인터넌스를 행하는 경우를 설명한다. 구체적으로는 선발 로트 A 및 후속하는 로트 B에 레지스트 도포 모듈(COT)에서는 동일한 레시피로 처리를 행하고, 가열 모듈(HP)에서는 로트 AB를 서로 다른 온도에서 가열하는 경우이다. 이 경우, 예를 들어 도 19에 도시하는 바와 같이 로트 B의 선두 웨이퍼(W)가 CPL22로 반송되면, 제어부(100)는 이 로트 B의 CPL22의 하류측으로의 반송을 정지한다.As the case 3, other processing is performed in the preceding lot and the next lot. However, in the module for performing maintenance, when the same processing is performed on the previous lot and the next lot, The case where maintenance is performed in the module will be described. Concretely, the resist coating module (COT) performs the same recipe on the starting lot A and the subsequent lot B, and the lot AB is heated in the heating module HP at different temperatures. In this case, for example, as shown in Fig. 19, when the leading wafer W of the lot B is transported to the CPL 22, the control section 100 stops transporting the lot B to the downstream side of the CPL 22.

레지스트 도포 모듈(COT)에서는 로트 A의 최후 웨이퍼(W)를 다 처리하면, 도 20에 도시하는 바와 같이 제어부(100)는, 자동 메인터넌스를 행하도록 제어 신호를 송신한다. 로트 A, 로트 B는 동일한 레시피이기 때문에, 상기와 같이 노즐 세정을 행할 필요가 없으므로, 여기에서 행해지는 자동 메인터넌스는 컵 세정이다. 또한, 가열 모듈에서는 상기 로트 A를 처리 후, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 열판의 온도가 예를 들어 100℃로부터 150℃로 변경된다. 도 21에 도시하는 바와 같이, 열판의 온도 변경과 상기 자동 메인터넌스가 병행해서 행해지고, 이들 온도 변경 및 자동 메인터넌스가 종료되면, 로트 B의 이들 레지스트 도포 모듈(COT) 및 가열 모듈(HP)로 반송된다(도 22). 즉, 이 예에서는 가열 모듈(HP)의 온도 변경을 행하기 위해서 후속하는 로트를 대기시키기 위한 대기 시간을 이용하여, 레지스트 도포 모듈(COT)에서 자동 메인터넌스를 행한다.In the resist coating module (COT), when the last wafer W of the lot A is further processed, the control section 100 transmits a control signal to perform automatic maintenance as shown in Fig. Since the lot A and the lot B are the same recipe, it is not necessary to perform the nozzle cleaning as described above, and the automatic maintenance performed here is cup washing. Further, in the heating module, after the lot A is processed, the temperature of the hot plate is changed from, for example, 100 DEG C to 150 DEG C based on the control signal from the control unit 100. [ As shown in Fig. 21, the temperature change of the hot plate and the automatic maintenance are performed in parallel. When these temperature changes and the automatic maintenance are completed, these resist are transferred to the application module COT and the heating module HP of the lot B (Fig. 22). That is, in this example, automatic maintenance is performed in the resist coating module (COT) by using a waiting time for waiting for a subsequent lot in order to change the temperature of the heating module (HP).

케이스(4)로서, 앞의 로트와 다음 로트의 웨이퍼 처리가 상이하게 됨으로써, 메인터넌스를 행하는 모듈에 웨이퍼(W)가 도착할 때까지의 시간이 빌 때, 앞의 로트 처리 후, 다음 로트의 처리 전에 상기 모듈에 있어서 메인터넌스를 행한다. 예를 들어 선발 로트 A가 반사 방지막을 형성하지 않고 레지스트막만을 형성하도록 설정되고, 후속하는 로트 B가 반사 방지막 및 레지스트막의 양쪽을 형성하도록 설정되어 있는 경우, 레지스트 도포 모듈(COT)에 있어서는, 로트 A의 최후의 웨이퍼(W)를 처리 후, 로트 B의 선두의 웨이퍼(W)가 반송될 때까지 비교적 긴 시간을 필요로 하므로, 상기 로트 B의 웨이퍼(W)가 도착할 때까지의 동안에 이미 설명한 자동 메인터넌스를 행한다.As the case 4, when the time elapsed until the wafer W arrives in the module for performing the maintenance becomes different due to the wafer process of the previous lot being different from the process of the next lot, Maintenance is performed in the module. For example, when the initial lot A is set so as to form only the resist film without forming the antireflection film and the subsequent lot B is set to form both the antireflection film and the resist film, in the resist coating module (COT) Since a relatively long time is required until the wafer W at the head of the lot B is transported after processing the last wafer W of the lot B, Automatic maintenance is performed.

케이스(3, 4)에서는, 레지스트 도포 모듈(COT)에서 선발 로트의 처리 후, 후발 로트를 반입할 때까지 요하는 시간을 이용해서 메인터넌스를 행하고 있다. 따라서, 당해 레지스트 도포 모듈(COT)에 있어서 메인터넌스를 행하기 위해서 장치 내의 웨이퍼(W)의 반송을 정지하는 시간을 단축하거나, 상기 반송을 정지하는 빈도를 적게 할 수 있으므로, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.In the cases 3 and 4, the maintenance is performed by using the time required until the next lot is brought in after the treatment of the starting lot in the resist coating module (COT). Therefore, it is possible to shorten the time for stopping the conveyance of the wafers W in the apparatus in order to perform the maintenance in the resist coating module (COT), and to reduce the frequency of stopping the conveyance, thereby improving the throughput .

그런데, 상기 컵 세정에 대해서는, 이미 설명한 디스크(71)나 노즐로부터 세정액을 토출하는 예 외에, 컵(21)에 세정 기구를 설치하고, 이 세정 기구를 사용해서 행할 수 있다. 이 세정 기구의 구체적인 예를 설명하면, 이미 설명한 도 18에 나타낸 컵(21)의 상부측 개구부 부근의 내주면에 있어서, 개구 테두리를 따라 시너(세정액)의 토출구를 복수 설치한다. 그리고, 각 토출구로부터 상기 내주면에 시너를 유하시켜서 당해 내주면을 세정한다. 또한, 이 내주면의 세정 전 혹은 세정 후에, 당해 내주면을 세정하는 것보다도 높은 토출압으로 시너를 상기 토출구로부터 토출시킨다. 그에 의해, 도 18에서 스핀 척(22)의 외측 또한 컵(21)의 내측에 설치되는 산형의 종단면을 구비하는 산형부와, 당해 산형부의 외측 테두리로부터 하방으로 신장되는 가이드부에 시너를 공급한다. 그와 같이 하여, 상기 산형부 및 가이드부로 이루어지는 내부 컵 및 컵(21)(외부 컵)의 양쪽에 대하여 세정을 행할 수 있다.Incidentally, the cup cleaning can be performed by using a cleaning mechanism provided in the cup 21, in addition to the example of ejecting the cleaning liquid from the disk 71 or the nozzle described above. A description will be given of a specific example of this cleaning mechanism. In the inner peripheral surface near the upper side opening of the cup 21 shown in FIG. 18 already described, a plurality of discharge openings for the thinner (cleaning liquid) are provided along the opening edge. Then, a thinner is allowed to flow from the respective ejection openings to the inner circumferential surface to clean the inner circumferential surface. Further, before cleaning the inner circumferential surface or after cleaning, the thinner is discharged from the discharge port at a discharge pressure higher than that of cleaning the inner circumferential surface. 18, a thinner is supplied to the outer side of the spin chuck 22 and the mountain-shaped portion provided with the mountain-shaped vertical cross-section provided on the inner side of the cup 21 and the guide portion extending downward from the outer rim of the mountain-shaped portion . Thus, both of the inner cup and the cup 21 (outer cup) composed of the acid portion and the guide portion can be cleaned.

또한, 상기 각 실시 형태에 있어서, 자동 메인터넌스의 실행 기록을 취득해도 된다. 예를 들어, 제어부(100)의 메모리(45)에, 모듈마다 행해진 자동 메인터넌스와 시각을 기억하는 기억 영역을 형성한다. 그 기억에 기초하여, 제어부(100)는 자동 메인터넌스를 개시할 수 있는 타이밍이 되었을 때 우선해서 행하는 메인터넌스를 결정하도록 해도 된다. 우선되는 메인터넌스는 예를 들어, 마지막으로 메인터넌스를 행한 시각이 오래된 순서이다. 구체적으로는 예를 들어 레지스트 도포 모듈(COT), 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 모두 메인터넌스 가능하며, 전회의 메인터넌스 시에 레지스트 도포 모듈(COT)의 메인터넌스를 행하고 있으면 반사 방지막 형성 모듈(BCT)의 메인터넌스가 행해지도록 한다. 또한, 예를 들어 레지스트 도포 모듈(COT)에서 자동 컵 세정과 자동 노즐 세정이 모두 실행 가능하고, 전회의 메인터넌스 시에 자동 컵 세정이 행해지고 있으면 자동 노즐 세정을 우선해서 행한다. 이와 같이 제어를 행하고, 특정한 메인터넌스를 행하는 간격이 너무 벌어지는 것을 방지해도 된다.Further, in each of the above-described embodiments, an execution record of automatic maintenance may be acquired. For example, in the memory 45 of the control section 100, a storage area for storing the automatic maintenance and the time for each module is formed. Based on the storage, the control section 100 may determine maintenance to be performed in priority when the timing at which automatic maintenance can be started is reached. The priority maintenance is, for example, an oldest maintenance maintenance time. Specifically, for example, when the resist coating module (COT) and the antireflection film forming module (BCT) can all be maintained and the maintenance of the resist coating module (COT) is performed during the previous maintenance, Maintenance is performed. Further, for example, when automatic cup cleaning and automatic nozzle cleaning can both be performed in the resist coating module (COT), and automatic cup cleaning is performed during the last maintenance, automatic nozzle cleaning is given priority. The control may be performed in this way to prevent the interval for performing the specific maintenance from becoming too wide.

W: 웨이퍼
A1 내지 A6: 반송 아암
BCT: 반사 방지막 형성 모듈
BU: 버퍼 모듈
COT: 레지스트막 형성 모듈
DEV: 현상 모듈
TCT: 보호막 형성 모듈
S1: 캐리어 블록
S2: 처리 블록
S3: 인터페이스 블록
S4: 노광 장치
WEE: 주연 노광 모듈
1: 도포 현상 장치
100: 제어부
3: 버퍼 모듈군
45: 메모리
47: 설정부
48: 표시부W: Wafer
A1 to A6:
BCT: anti-reflection film forming module
BU: Buffer module
COT: a resist film forming module
DEV: Development module
TCT: protective film forming module
S1: Carrier block
S2: Processing block
S3: Interface block
S4: Exposure device
WEE: Primary exposure module
1: Coating and developing apparatus
100:
3: buffer module group
45: Memory
47: Setting section
48:

Claims (22)

캐리어 블록에 적재된 캐리어로부터 취출된 기판을 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 그 후 캐리어에 전달하도록 구성되며, 동일 시간당 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치에 있어서,
상기 도포막이 형성된, 노광 전의 기판을 일단 임시 적재하는 임시 적재부와,
기판의 반송 경로에서 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 당해 상류측의 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하기 위한 정지 시간 설정부와,
상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 도달한 후에 임시 적재부보다도 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
상기 처리 블록은 동일한 액처리를 행하는 2개의 블록이 아래부터 순서대로 복수개 적층되도록 구성되어 있고,
상기 제어부는, 상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 그 시점에서 처리 블록 내에 존재하는 기판이 속하는 로트의 최종 기판이 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로 취출된 후, 후속하는 기판의 취출을 정지함과 함께, 당해 최종 기판이 처리 블록을 통과한 후, 상기 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있는, 도포 현상 장치.A substrate taken out from a carrier loaded on a carrier block is formed in a processing block so as to form a coating film containing a resist film and then transferred to an exposure apparatus to carry out development processing in the processing block with respect to the substrate after exposure, And the number of substrates to be processed per the same time is larger than that of the exposure apparatus,
A temporarily holding unit for temporarily temporarily holding the substrate before the exposure on which the coating film is formed,
A stop time setting unit for setting a length of time for stopping the conveyance of the substrate on the upstream side in order to carry out maintenance for the module on which the substrate is placed in the conveyance path of the substrate,
Monitoring whether or not the number of substrates placed on the temporary holding section has reached the number of processed substrates of the substrate by the processing block according to the length of the stopping time and then stops conveying the substrate on the upstream side of the temporary holding section And a control unit for outputting a control signal to the control unit,
The processing block is configured such that a plurality of blocks for performing the same liquid process are stacked in order from the bottom,
Wherein the control unit controls the number of substrates placed in the temporary holding unit to reach the number of processed substrates by the processing block according to the length of the stopping time, After the substrate is taken out to the processing block from the carrier block side, the subsequent substrate is stopped to be taken out, and after the final substrate has passed through the processing block, a control signal is outputted so as to stop the transfer of the substrate on the upstream side And a developing device. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로의 기판의 취출을 정지하기 위한 제어 신호를 출력하고, 그 후, 상기 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있는, 도포 현상 장치.The method according to claim 1,
Wherein the controller stops the taking-out of the substrate from the carrier block side to the processing block after the number of the substrates placed on the temporary loading portion reaches the number of processed substrates by the processing block according to the length of the stopping time And then outputs a control signal for stopping the conveyance of the substrate on the upstream side. 제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하기 전에, 처리 블록 내에 존재하는 기판을 상기 임시 적재부로 퇴피시키도록 제어 신호를 출력하는, 도포 현상 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the control section outputs a control signal to retract the substrate existing in the processing block to the temporary loading section before outputting a control signal to stop conveying the substrate on the upstream side. 삭제delete 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정지 시간의 길이에 따른 매수의 노광 전의 기판이 임시 적재부에 놓일 때까지의 대기 시간을, 임시 적재부에 놓여 있는 노광 전의 기판의 매수와, 도포 현상 장치의 기판의 처리 매수에 기초하여 연산하는 연산부와,
연산된 상기 대기 시간을 표시하는 표시부를 구비하고 있는, 도포 현상 장치4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The waiting time until the number of sheets corresponding to the length of the stop time until the substrate before exposure is placed in the temporary mounting portion is calculated based on the number of substrates before exposure and the number of processed substrates of the coating and developing apparatus placed on the temporary mounting portion ,
And a display unit for displaying the calculated waiting time, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메인터넌스를 개시하는 타이밍을 설정하는 타이밍 설정부를 구비하고,
상기 제어부는 상기 타이밍의 경과 후에 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하는, 도포 현상 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And a timing setting unit for setting timing for starting the maintenance,
Wherein the control section outputs a control signal to stop conveying the substrate on the upstream side after the elapse of the timing. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 마지막으로 상기 캐리어 블록으로부터 상기 도포 현상 장치에서 처리 완료된 기판을 저장한 캐리어가 반출되고 나서, 다음 캐리어가 상기 캐리어 블록으로 반송될 때까지의 동안에, 모듈에서 메인터넌스가 행해지도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The control unit controls the control unit so that maintenance is performed on the module until the next carrier is transported to the carrier block after the carrier storing the substrate processed in the coating and developing apparatus last is carried out from the carrier block And outputs the image data. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 캐리어로부터 기판을 불출하는 시각을 제어하기 위한 신호를 당해 제어부로 송신하는 호스트 컴퓨터에 접속되고,
상기 제어부는, 캐리어가 상기 캐리어 블록으로 반입되고 나서, 당해 캐리어로부터 상기 기판을 불출하는 시각까지의 동안에 모듈에서 메인터넌스가 행해지도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the control unit is connected to a host computer that transmits a signal for controlling the time at which the substrate is dispensed from the carrier to the control unit,
Wherein the control section outputs a control signal so that maintenance is performed in the module from a time when the carrier is carried into the carrier block to a time when the carrier dispenses the substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 블록에 전단측 모듈과, 기판의 로트에 따라서 처리 상태를 전환하는 후단측 모듈이 설치되고,
상기 제어부는, 선발 로트의 모든 기판이 상기 후단측 모듈에서 처리된 후, 또한 후발 로트의 기판이 전단측 모듈로 반송되기 전에, 상기 후단측 모듈의 처리 상태의 전환에 병행하여, 상기 전단측 모듈에서 메인터넌스를 행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the processing block is provided with a module on the front end side and a module on the rear end side that switches the processing state according to the lot of the substrate,
Wherein the control unit is configured to change the state of the processing of the rear end side module in parallel with the switching of the processing state of the rear end side module before the substrate of the rear lot is transported to the front end side module after all substrates of the preliminary lot have been processed in the rear end side module, And outputs a control signal so as to perform maintenance in the coating and developing apparatus. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
선발 로트가 전단측 모듈로 반송되지 않고 후단측 모듈로 반송되도록 설정되고, 또한 후발 로트가 전단측 모듈 및 후단측 모듈로 반송되도록 설정되고,
상기 제어부는 선발 로트의 모든 기판이 후단측 모듈에서 처리된 후, 후발 로트의 기판이 후단측 모듈로 반송되기 전에 당해 후단측 모듈에서 메인터넌스를 행하기 위해서 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The starting lot is set to be transported to the rear end module without being transported to the front end module, and the rear lot is set to be transported to the front end side module and the rear end side module,
Wherein the controller outputs a control signal for performing maintenance in the rear stage module before the substrate of the rear lot is transported to the rear stage module after all the substrates of the first lot are processed in the rear stage module, Device. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 모듈은, 기판에 도포막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 노즐과, 상기 노즐에 세정액을 공급하는 노즐 세정 기구를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 정지 시간에 상기 노즐을 세정하기 위해서, 노즐 세정 기구로부터 세정액을 공급하도록 제어 신호를 출력하는, 도포 현상 장치4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The module includes a nozzle for supplying a processing liquid for forming a coating film to a substrate, and a nozzle cleaning mechanism for supplying a cleaning liquid to the nozzle,
Wherein the control unit outputs a control signal to supply the cleaning liquid from the nozzle cleaning mechanism in order to clean the nozzle at the stopping time, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 모듈은, 기판의 적재부와, 기판에 도포막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 노즐과, 상기 적재부에 적재된 기판을 둘러싸는 컵과, 상기 컵 내에 세정액을 공급하는 세정 기구를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 정지 시간에 컵을 세정하기 위해 세정액을 공급하도록 제어 신호를 출력하는, 도포 현상 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The module includes a loading section for a substrate, a nozzle for supplying a processing liquid for forming a coating film to the substrate, a cup surrounding the substrate loaded on the loading section, and a cleaning mechanism for supplying a cleaning liquid into the cup ,
Wherein the control section outputs a control signal to supply the cleaning liquid to clean the cup at the stop time. 제12항에 있어서,
상기 모듈에서 기판을 처리할 때에는 컵의 외부에 설치된 대기부에 대기하고, 상기 정지 시간에 상기 컵으로 반송되는 지그를 구비하고,
상기 적재부는 상기 지그를 보유 지지함과 함께 회전시키도록 구성되며,
상기 세정 기구는 상기 지그로 세정액을 토출하고, 비산시켜서 컵 내를 세정하도록 구성되어 있는, 도포 현상 장치.13. The method of claim 12,
And a jig which stands by at a standby portion provided outside the cup when the substrate is processed in the module and is transported to the cup at the stopping time,
Wherein the loading section is configured to rotate the jig with the holding section,
Wherein the cleaning mechanism is configured to discharge the cleaning liquid by the jig and scatter the liquid to clean the inside of the cup. 캐리어 블록에 적재된 캐리어로부터 취출된 기판을 동일한 액처리를 행하는 2개의 블록이 아래부터 순서대로 복수개 적층되도록 구성되어 있는 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 캐리어에 전달하도록 구성되며, 동일 시간당 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치를 사용한 도포 현상 방법에 있어서,
상기 도포막이 형성된, 노광 전의 기판을 임시 적재부에 일단 임시 적재하는 공정과,
기판의 반송 경로에서 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 정지 시간 설정부에 의해 당해 상류측의 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하는 공정과,
상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 도달한 후에 임시 적재부보다도 상류측의 기판의 반송을 정지하는 공정을 갖고,
상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 그 시점에서 처리 블록 내에 존재하는 기판이 속하는 로트의 최종 기판이 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로 취출된 후, 후속하는 기판의 취출을 정지하는 공정과,
상기 최종 기판이 처리 블록을 통과한 후, 상기 상류측의 기판의 반송을 정지하는 공정을 갖는, 도포 현상 방법.A coating film containing a resist film is formed in a processing block in which a plurality of blocks for carrying out the same liquid processing are stacked in this order from the bottom in order from the substrate taken out from the carrier loaded on the carrier block and then transferred to the exposure apparatus, In a coating and developing method using a coating and developing apparatus configured to carry out development processing in a processing block with respect to a subsequent substrate and transfer the same to a carrier,
Temporarily temporarily mounting the substrate before the exposure on the temporary holding portion where the coating film is formed,
A step of setting a length of time for stopping the conveyance of the substrate on the upstream side by the stopping time setting section in order to perform maintenance on the module on which the substrate is placed in the conveyance path of the substrate,
Monitoring whether or not the number of substrates placed on the temporary holding section has reached the number of processed substrates of the substrate by the processing block according to the length of the stopping time and then stops conveying the substrate on the upstream side of the temporary holding section , ≪ / RTI >
After the number of substrates placed in the temporary mounting section reaches the number of processing steps of the substrate by the processing block according to the length of the stopping time, the final substrate of the lot to which the substrate present in the processing block belongs, A step of stopping taking-out of a subsequent substrate after being taken out to a processing block from a side of the processing block,
And a step of stopping the transfer of the substrate on the upstream side after the final substrate has passed through the processing block. 제14항에 있어서,
상기 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 상기 정지 시간의 길이에 따른, 상기 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달한 후, 캐리어 블록측으로부터 처리 블록으로의 기판의 취출을 정지하는 공정과,
계속해서, 상기 상류측의 기판의 반송을 정지하는 공정을 갖는, 도포 현상 방법.15. The method of claim 14,
Stopping the take-out of the substrate from the carrier block side to the processing block after the number of the substrates placed on the temporary holding portion reaches the number of processed substrates by the processing block in accordance with the length of the stopping time;
And then, stopping the transfer of the substrate on the upstream side. 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 상류측의 기판의 반송을 정지하기 전에, 처리 블록 내에 존재하는 기판을 상기 임시 적재부로 퇴피시키는 공정을 갖는, 도포 현상 방법.16. The method according to claim 14 or 15,
And a step of withdrawing the substrate existing in the processing block to the temporary mounting section before stopping the transfer of the substrate on the upstream side. 삭제delete 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 정지 시간에, 상기 모듈에 설치된 기판에 도포막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 공정을 갖는, 도포 현상 방법.16. The method according to claim 14 or 15,
And supplying a cleaning liquid to a nozzle for supplying a processing liquid for forming a coating film to the substrate provided in the module at the stop time. 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 정지 시간에, 상기 모듈에 설치된 기판의 적재부를 둘러싸는 컵에 세정액을 공급하여 세정하는 공정을 갖는, 도포 현상 방법.16. The method according to claim 14 or 15,
And supplying the cleaning liquid to the cup surrounding the loading portion of the substrate provided in the module at the stopping time to perform cleaning. 제19항에 있어서,
상기 컵에 세정액을 공급하는 공정은, 컵에 설치된 세정 기구에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 현상 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the step of supplying the cleaning liquid to the cup is performed by a cleaning mechanism provided in the cup. 제20항에 있어서,
상기 컵을 세정하는 공정은,
상기 정지 시간에 컵의 외부에 설치된 대기부로부터 상기 컵으로 지그를 반송하는 공정과,
상기 적재부에 지그를 보유 지지하고, 회전시키는 공정과,
세정 기구로부터 상기 지그로 세정액을 토출하고, 컵 내에 비산시키는 공정을 포함하는, 도포 현상 방법.21. The method of claim 20,
Wherein the step of cleaning the cup comprises:
A step of conveying the jig from the standby portion provided on the outside of the cup to the cup at the stopping time,
Holding the jig in the loading section and rotating the jig,
And discharging the cleaning liquid from the cleaning mechanism to the jig and scattering the liquid in the cup. 도포 현상 장치에서 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은 제14항 또는 제15항의 도포 현상 방법을 실시할 수 있는 것을 특징으로 하는, 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체.A storage medium storing a computer program used in a coating and developing apparatus,
The computer program according to claim 14 or 15, wherein the computer program is capable of carrying out the method for coating and developing according to claim 14 or 15.
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