KR20100130210A - 외부 회로를 사용하는 플라즈마 균일성의 전기적 제어 - Google Patents

외부 회로를 사용하는 플라즈마 균일성의 전기적 제어 Download PDF

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칼티크 라마스와미
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Abstract

플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 기판을 에칭하는 동안, 비균일 플라즈마는 기판의 불균일한 에칭을 유도할 수 있다. 임피던스 회로들은 불균일한 플라즈마를 완화시켜 보다 균일한 에칭을 허용한다. 임피던스 회로들은 챔버 벽과 접지, 샤워헤드와 접지, 및 캐소드 캔과 접지 사이에 배치될 수 있다. 임피던스 회로들은 하나 이상의 인덕터 및 커패시터를 포함할 수 있다. 인덕터의 인덕턴스 및 커패시터의 커패시턴스는 균일한 플라즈마를 보장하기 위해 미리결정될 수 있다. 부가적으로, 특정 프로세스의 요구조건들을 충족시키기 위해 프로세싱 동안 또는 프로세싱 단계들 사이에서 인덕턴스 및 커패시턴스가 조절될 수 있다.

Description

외부 회로를 사용하는 플라즈마 균일성의 전기적 제어{ELECTRICAL CONTROL OF PLASMA UNIFORMITY USING EXTERNAL CIRCUIT}
[0001] 본 발명을 일반적으로 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
[0002] 플라즈마 환경에서 기판을 프로세싱할 때, 플라즈마의 균일성은 프로세싱 균일성에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 증착 프로세스에서, 기판들의 중심부에 해당하는 챔버 영버의 영역에서 플라즈마가 더 크면, 기판의 에지와 비교할 때 기판의 중심부에서 더 많은 증착이 이루어질 것이다. 유사하게, 기판의 에지에 해당하는 챔버의 영역에서 플라즈마가 더 크면, 중심부와 비교할 때 기판의 에지에서 더 많은 증착이 이루어질 것이다.
[0003] 에칭 프로세스에서, 기판의 중심부에 해당하는 챔버의 영역에서 플라즈마가 더 크면, 기판의 에지와 비교할 때 기판의 중심부에 기판으로부터 더 많은 물질이 제거 또는 에칭될 것이다. 유사하게, 기판의 에지에 해당하는 챔버의 영역에서 플라즈마가 더 크면, 기판의 중심부와 비교할 때 기판의 에지에서 기판으로부터 더 많은 물질이 제거 또는 에칭될 수 있다.
[0004] 플라즈마 프로세스들에서의 불균일성은 디바이스 성능을 상당히 감소시킬 수 있고 증착된 층 또는 에칭된 부분이 기판에 걸쳐 일정하지 않기 때문에 폐기를 유도할 수 있다. 플라즈마가 균일해질 수 있다면, 보다 일정한 증착 또는 에칭이 이루어질 것이다. 따라서, 해당 기술 분야에서는 플라즈마 프로세스에서 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법 및 장치가 요구된다.
[0005] 본 발명의 실시예들은 일반적으로 플라즈마의 균일성을 제어하기 위한 방법 및 장치를 포함한다. 일 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 장치는 챔버 바디, 챔버 바디내에 배치된 기판 지지체, 및 기판 지지체와 마주하게 챔버 바디내에 배치된 샤워헤드를 포함한다. 전원장치(power supply)가 기판 지지체와 연결된다. 커패시터, 인덕터, 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 아이템이 챔버 바디, 샤워헤드, 및 기판 지지체 중 적어도 2개와 연결된다.
[0006] 또 다른 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 장치는 챔버 바디, 챔버 바디내에 배치된 기판 지지체, 및 기판 지지체와 마주하게 챔버 바디내에 배치된 샤워헤드를 포함한다. 전원장치가 샤워헤드와 연결된다. 챔버 바디내에 캐소드 캔이 배치될 수 있다. 커패시터, 인덕터, 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 아이템이 챔버 바디, 기판 지지체, 샤워헤드 및 캐소드 캔 중 적어도 2개와 연결된다. 캐소드 캔은 실질적으로 기판 지지체를 둘러싼다.
[0007] 또 다른 실시예에서, 에칭 장치는 챔버 바디, 챔버 바디내에 배치된 기판 지지체, 및 기판 지지체와 마주하게 챔버 바디내에 배치된 샤워헤드를 포함한다. 전원장치는 기판 지지체와 연결된다. 제 1 커패시터가 샤워헤드에 연결되고, 제 1 인덕터가 샤워헤드에 연결된다. 제 2 커패시터가 챔버 바디에 연결되고, 제 2 인덕터가 챔버 바디에 연결된다.
[0008] 또 다른 실시예에서, 플라즈마 분포 제어 방법은 기판 지지체 상의 프로세싱 챔버내에 배치된 기판에 전류를 인가하는 단계를 포함한다. 프로세싱 챔버는 챔버 바디 및 기판과 마주하게 챔버 바디내에 배치된 샤워헤드를 포함한다. 또한, 상기 방법은 플라즈마 분포를 조절하기 위해 샤워헤드, 챔버 바디, 및 기판 지지체를 인덕터, 커패시터, 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 아이템에 연결하는 단계를 포함한다.
[0009] 앞서 개시된 본 발명의 특징들을 상세히 이해할 수 있는 방식으로, 본 발명의 상세한 설명 및 상기 간략한 요약은 일부가 첨부되는 도면들에 개시된 실시예들을 참조할 수 있다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예만을 예시한 것으로 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주해서는 안된다는 것을 주목해야 하며, 본 발명은 다른 등가적인 유효 실시예들을 허용할 수 있다.
[0010] 도 1은 플라즈마 프로세싱 장치의 개략적 단면도이다.
[0011] 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 장치의 개략적 단면도이다.
[0012] 도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 개략적 단면도이다.
[0013] 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 균일성 분포를 나타낸다.
[0014] 도 5a 및 5b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 균일성분포를 나타낸다.
[0015] 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 균일성 분포를 나타낸다.
[0016] 도 7a-7d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 균일성 분포를 나타낸다.
[0017] 도 8a-8f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 균일성 분포를 나타낸다.
[0018] 도 9a-9d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 균일성 분포를 나타낸다.
[0019] 도 10a-10b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 균일성 분포를 나타낸다.
[0020] 도 11a-11e는 이용될 수 있는 추가의 임피던스 회로들을 나타낸다.
[0021] 이해를 위해, 도면들에서 공통되는 동일 부재들을 표시하는데 있어 가능한 동일한 참조부호들을 사용했다. 일 실시예의 부재들 및 피쳐들은 추가의 설명 없이도 다른 실시예들에 바람직하게 통합될 수 있다.
[0022] 일반적으로 본 발명의 실시예들은 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법 및 장치를 포함한다. 실시예들은 하기에서 에칭 장치 및 방법과 관련하여 개시되지만, 상기 실시예들은 다른 플라즈마 프로세싱 챔버들 및 프로세스들의 등가적 애플리케이션을 갖는다는 것이 이해될 것이다. 본 발명이 실행될 수 이는 하나의 예시적인 장치로는 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티리얼스 인크.로부터 입수가능한 ENABLERTM 에칭 챔버가 있다. 본 발명의 실시예들은 다른 제조자들에 의해 시판되는 것을 포함하는 다른 챔버들에서 실행될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
[0023] 도 1은 플라즈마 프로세싱 장치(100)의 개략적 단면도이다. 장치(100)는 챔버(102)를 포함하며 챔버(102) 내부는 서셉터(106) 상에 배치되는 기판(104)을 포함한다. 서셉터(106)는 하강(lowered) 위치와 상승(raised) 위치 사이에서 이동가능한다. 기판(104) 및 서셉터(106)는 샤워헤드(108)와 마주하게 챔버(102) 내에 배치될 수 있다. 챔버(102)는 챔버(102)의 바닥부(112)에 연결된 진공 펌프(110)에 의해 배기될 수 있다.
[0024] 가스 소스(114)로부터 샤워헤드(108)를 통해 챔버(102)로 프로세싱 가스가 주입될 수 있다. 가스는 백킹 플레이트(backing plate)(118) 및 샤워헤드(108) 사이에 배치된 플레넘(plenum)(116)으로 주입될 수 있다. 다음 가스는 샤워헤드를 통과할 수 있고, 여기서 전원장치(120)에 의해 샤워헤드(108)로 인가되는 전류에 의해 플라즈마(122)가 점화된다. 일 실시예에서, 전원장치(120)는 RF 전력원을 포함할 수 있다.
[0025] 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 장치(200)의 개략적 단면도이다. 장치(200)는 프로세싱 챔버(202)를 포함하며, 프로세싱 챔버 내에는 기판(204)이 배치된다. 기판(204)은 상승 위치 및 하강 위치 사이에서 이동가능한 서셉터(206) 상에 배치될 수 있다. 기판(204) 및 서셉터(206)는 프로세싱 챔버(202) 내에서 샤워헤드(208)와 마주하게 장착될 수 있다. 진공 펌프(210)는 프로세싱 챔버(202) 내의 진공을 배기시킬 수 있다. 진공 펌프(210)는 서셉터(206) 아래에 배치될 수 있다.
[0026] 가스 소스(212)로부터 샤워헤드(208) 상의 플레넘(214)로 프로세싱 가스가 프로세싱 챔버(202)에 제공될 수 있다. 프로세싱 가스는 가스 통로들(216)을 통해 프로세싱 영역(218)으로 흐를 수 있다. 샤워헤드(208)는 전력원(230)으로부터의 전류로 바이어스될 수 있다. 스위치(228)가 턴온될 때마다 전류가 샤워헤드(208)에 흐를 수 있다. 일 실시예에서, 전력원(230)은 RF 전력원을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 샤워헤드(208)는 개방되거나 또는 부유 전위(floating potential)에 있을 수 있다.
[0027] 기판(206)이 바이어스될 때, 기판(206)에 인가되는 RF 전류는 샤워헤드(208)로부터 및/또는 챔버 벽(220)을 통해 접지로 이동할 것이다. 접지로의 경로가 쉬울수록, 더 많은 RF 전류가 상기 경로를 흐를 것이다. 따라서, 샤워헤드(208) 및 챔버 벽(220) 모두가 접지될 경우, 플라즈마는 RF 전류원과의 근접성으로 인해 챔버 벽(220)에 더 가깝게 흡입될 수 있다. 챔버 벽(220)으로 흡입된(drawn) 플라즈마는 기판(206)의 에지에서 더 많은 에칭을 산출할 수 있다. 챔버(202) 내의 플라즈마가 균일하면, 챔버(202) 내에서의 에칭은 균일하다.
[0028] 프로세싱 챔버(202) 내에서 플라즈마를 제어하기 위해, 임피던스 회로들(222)이 챔버 벽(220) 및/또는 샤워헤드(208)에 연결될 수 있다. 커패시터(224)가 임피던스 회로의 일부일 때, 커패시터(224)는 커패시터(224)가 연결되는 위치로부터 플라즈마를 밀어낼 수 있다. 커패시터(224)는 아이템(item)을 접지에서 분리시킨다. 커패시터(224)는 접지로 흐르는 전류를 방해한다. 한편, 인덕터(226)는 커패시터(224)와 상반되는 기능을 한다. 인덕터는 인덕터(226)에 연결된 물체(object) 가까이로 플라즈마를 끌어당긴다. 인덕터에 대한 전압 강하는 바이어스된 물체(이를 테면, 샤워헤드(208) 또는 기판(206))가 갖는 역위상(out of phase)으로 접지와 관련하여 증가된다. 따라서, 접지로 직접 흐르는 것보다 인덕터(226)를 통해 더 많은 전류가 흐른다. 인덕터(226) 및 커패시터(224) 모두가 제공될 때, 커패시턴스 및/또는 인덕턴스는 사용자의 특정 요구조건들을 충족시키도록 조절될 수 있다. 다수의 RF 애플리케이션들에 대해, 원하는 임피던스를 달성하기 위해 직렬 및 병렬 회로 부재들 및/또는 전송 라인들의 다양한 조합들이 이용될 수 있다. 도 11a-11e는 이용될 수 있는 몇 가지 임피던스 회로들을 도시한다. 마찬가지로 다른 임피던스 회로들이 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
[0029] 프로세싱 챔버(202)는 챔버 벽(220)을 가질 수 있다. 챔버 벽(220)은 접지에 직접 연결되거나 또는 접지에 연결되는 임피던스 회로(222)에 연결될 수 있다. 임피던스 회로(222)는 커패시터(224) 및/또는 인덕터(226)를 포함할 수 있다. 커패시터(224)는 챔버 벽(220)에 커패시터를 연결하는 스위치(228) 및 접지에 커패시터(224)를 연결하는 스위치(228)를 포함할 수 있다. 유사하게, 인덕터(226)는 챔버 벽(220)에 인덕터(226)를 연결하는 스위치 및 접지에 인덕터(226)를 연결하는 스위치(228)를 포함한다. 일 실시예에서, 커패시터(224)는 인덕터(226) 없이 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 인덕터(226)는 커패시터(224) 없이 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커패시터(224) 및 인덕터(226) 모두 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커패시터(224) 및/또는 인덕터(226)와의 연결 없이 벽(220)이 접지에 직접 연결될 수 있다.
[0030] 또한, 샤워헤드(208)는 임피던스 회로(222)를 통해 접지에 연결되거나, 접지에 직접 연결되거나, 전력원(230)에 연결되거나, 또는 부유 전위(floated potential)로 개방될 수 있다. 임피던스 회로(222)는 커패시터(224) 및/또는 인덕터(226)를 포함할 수 있다. 커패시터(224)는 샤워헤드(208)에 커패시터를 연결하는 스위치(228) 및 접지에 커패시터(224)를 연결하는 스위치(228)를 포함할 수 있다. 유사하게, 인덕터(226)는 샤워헤드(208)에 인덕터(226)를 연결하는 스위치(228) 및 접지에 인덕터(226)를 연결하는 스위치(228)를 포함한다. 일 실시예에서, 커패시터(224)는 인덕터(226) 없이 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 인덕터(226)는 커패시터(224) 없이 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커패시터(224) 및 인덕터(226) 모두가 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커패시터(224) 및/또는 인덕터(226)와의 연결 없이 샤워헤드(208)가 접지에 직접 연결될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 샤워헤드(208)는 부유 전위로 개방될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 샤워헤드(208)는 전력원(230)에 연결될 수 있다. 샤워헤드(208)는 스페이서(232)에 의해 챔버 벽(220)과 전기적으로 절연될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(232)는 유전체 물질을 포함할 수 있다.
[0031] 서셉터(206)는 접지에 연결되거나, 전력원(238)에 연결되거나, 또는 부유 전위에서 개방될 수 있다. 일 실시예에서, 전력원(238)은 RF 전력원을 포함할 수 있다. 서셉터(206)를 전력원(238) 또는 접지에 연결시키기 위해 스위치들(228)이 사용될 수 있다.
[0032] 일 실시예에서, 캐소드 캔(cathode can)(236)은 서셉터(206)를 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 캐소드 캔(236)은 플라즈마 균일성의 추가적인 제어를 제공할 수 있다. 캐소드 캔(236)은 스페이서(234)에 의해 서셉터(206)와 전기적으로 절연될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(234)는 유전체 물질을 포함할 수 있다. 캐소드 캔(236)은 프로세싱 챔버(202) 내에서 플라즈마를 제어하는데 이용될 수 있다. 캐소드 캔(236)은 접지에 직접 연결되거나 접지에 연결된 임피던스 회로(222)에 연결될 수 있다. 임피던스 회로(222)는 커패시터(224) 및/또는 인덕터(226)를 포함한다. 커패시터(225)는 캐소드 캔(236)에 커패시터(224)를 연결하는 스위치(228) 및 접지에 커패시터(224)를 연결하는 스위치(228)를 포함할 수 있다. 유사하게, 인덕터(226)는 커패시터 캔(236)에 인덕터(226)를 연결하는 스위치(228) 및 접지에 인덕터(226)를 연결하는 스위치(228)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 커패시터(224)는 인덕터(226) 없이 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 인덕터(226)는 커패시터(224) 없이 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커패시터(224) 및 인덕터(226) 모두가 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커패시터(224) 및/또는 인덕터(226)와의 연결 없이 캐소드 캔(236)이 접지에 직접 연결될 수 있다.
[0033] 앞서 개시된 다양한 실시예들이 임의의 조합으로 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 캐소드 캔(236)이 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수도 있다. 캐소드 캔(236)이 제공될 경우, 임피던스 회로(222)가 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수 있다. 유사하게 임피던스 회로(222)가 챔버 벽(220)에 연결되거나 혹은 연결되지 않을 수 있다. 유사하게, 임피던스 회로가 샤워헤드(208)에 연결되거나 혹은 연결되지 않을 수 있다. 임피던스 회로(222)가 제공될 경우, 커패시터(224)가 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수 있고 인덕터(226)가 제공되거나 제공되지 않을 수 있다. 샤워헤드(208)가 접지에 직접 연결되거나, 임피던스 회로(222)에 연결되거나 또는 부유 전위에서 개방된 채 있을 수 있다. 서셉터(206)가 접지에 직접 연결되거나 또는 부유 전위에서 개방된 채 있을 수 있다. 부가적으로, 벽(220)은 부유 전위에서 개방된 채 있을 수 있다.
[0034] 장치(200)는 이동가능한 캐소드(미도시)를 포함할 수 있고 불연속부들이 없는 프로세싱 영역을 포함할 수 있다. 불연속부들 없이 프로세싱 영역 아래의 위치에 배치되는 슬릿 밸브 개구를 포함할 수 있다. 부가적으로, 다수의 RF 소스들이 장치(200)에 연결될 수 있다. 원하는 임피던스를 달성하기 위해 직렬 및 병렬 회로 부재들 및/또는 전송 라인들의 다양한 조합들이 사용될 수 있다. 도 11a-11e는 이용될 수 있는 몇 가지 임피던스 회로들을 나타낸다. 마찬가지로 다른 임피던스 회로들이 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
[0035] 도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에칭 장치(300)의 개략적 단면도이다. 장치(300)는 프로세싱 챔버(302)를 포함하며 프로세싱 챔버(302) 내부에는 기판(304)이 배치된다. 기판(304)은 샤워헤드(308)를 마주하는 서셉터(306) 상에 배치될 수 있다. 서셉터(306)는 상승 위치와 하강 위치 사이에서 이동가능하다. 진공 펌프(310)는 프로세싱 챔버(302)를 원하는 압력으로 배기시킬 수 있다.
[0036] 도 2에 도시된 실시예와 유사하게, 플라즈마 균일성을 제어하기 위해 임피던스 회로(312)가 사용될 수 있다. 임피던스 회로(312)는 인덕터(314) 및/또는 커패시터(316)를 포함할 수 있다. 임피던스 회로(312)는 커패시터(316) 및/또는 인덕터(314)를 접지 및/또는 물체(object)에 연결할 수 있는 하나 이상의 스위치들(318)을 포함할 수 있다. 제공될 경우, 임피던스 회로들(312)은 챔버 벽(320), 샤워헤드(308), 및 캐소드 캔(322)에 연결될 수 있다. 제공될 경우, 캐소드 캔(322)은 스페이서(324)에 의해 서셉터(306)로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(324)는 유전체 물질을 포함할 수 있다. 유사하게, 샤워헤드(308)는 스페이서(326)에 의해 챔버 벽(320)과 전기적으로 절연될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(326)는 유전체 물질을 포함할 수 있다.
[0037] 서셉터(306)는 접지에 직접 연결되거나, 전력원(328)에 연결되거나, 혹은 부유 전위에서 개방된 채 유지될 수 있다. 샤워헤드(308)는 2개 이상의 개별 구역들을 포함할 수 있다. 샤워헤드(308)는 제 1 구역(330) 및 제 2 구역(332)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 구역(332)은 제 1 구역(330)을 둘러쌀 수 있다. 제 1 구역(330) 및 제 2 구역(332) 모두가 각각 접지와 직접 연결되거나, 임피던스 회로(312)에 연결되거나, 혹은 전력원(334, 336)에 연결될 수 있다. 제 1 구역(330)은 스페이서(338)에 의해 제 2 구역(332)과 전기적으로 절연될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(338)는 유전체 물질을 포함할 수 있다.
[0038] 앞서 개시된 다양한 실시예들이 임의의 조합으로 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 캐소드 캔(322)이 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수 있다. 캐소드 캔(322)이 제공될 경우, 임피던스 회로(312)가 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수 있다. 유사하게, 임피던스 회로(312)가 챔버 벽(320)에 연결되거나 연결되지 않을 수 있다. 유사하게, 임피던스 회로(312)가 샤워헤드(308)의 제 1 구역(330)에 연결되거나 혹은 연결되지 않을 수 있다. 임피던스 회로(312)가 샤워헤드(308)의 제 2 구역(332)에 연결되거나 혹은 연결되지 않을 수 있다. 임피던스 회로(312)가 제공될 경우, 커패시터(316)가 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수 있고 인덕터(314)가 제공되거나 혹은 제공되지 않을 수 있다. 샤워헤드(308)의 제 1 및 제 2 구역들(330, 332)은 접지에 직접 연결되거나, 임피던스(312)에 연결되거나, 혹은 부유 전위로 개방된 채 있을 수 있다. 서셉터(306)는 접지에 직접 연결되거나 또는 부유 전위로 개방된 채 있을 수 있다. 부가적으로, 벽(320)은 부유 전위로 개방된 채 있을 수 있다.
[0039] 장치(300)는 이동가능한 캐소드(미도시)를 포함할 수 있으며 불연속부들 없이 프로세싱 영역을 포함할 수 있다. 불연속부들 없이 프로세싱 영역 아래 위치에 배치되는 슬릿 밸브 개구를 포함할 수 있다. 부가적으로, 다수의 RF 소스들이 장치(300)에 연결될 수 있다. 원하는 임피던스를 달성하기 위해 직렬 및 병렬 회로 부재들 및/또는 전송 라인들의 다양한 조합들이 이용될 수 있다. 도 11a-11e는 이용될 수 있는 몇 가지 임피던스 회로들을 도시한다. 마찬가지로 다른 임피던스 회로들이 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
[0040] 하기 도시된 실시예들은 플라즈마 프로세싱 챔버와 연결된 임피던스 회로들의 다양한 배열들(arrangements) 및 임피던스 회로들이 플라즈마 균일성에 얼마나 영향을 미치는지를 나타낸다. 일반적으로, 압력에 대한 동작 범위는 수 mTorr 내지 수천 mTorr일 수 있다.
비교예 1
[0041] 도 4는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드가 접지에 직접 연결되며, 챔버 벽은 접지에 직접 연결된다. 샤워헤드는 기판에서 수 센티미터로 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr의 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 4에 도시된 것처럼, 기판 에지 부근에서 플라즈마 밀도가 높다.
예 1
[0042] 도 5a는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 70pF의 커패시턴스를 갖는 커패시터를 통해 접지와 연결된다. 챔버 벽이 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 5a에 도시된 것처럼, 도 4에 도시된 플라즈마 밀도에 비해 기판의 에지 부근의 플라즈마 밀도가 증가된다. 커패시터는 챔버 벽을 향해 플라즈마를 밀어내는 기능을 한다.
예 2
[0043] 도 5b는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 챔버 벽은 70pF의 커패시턴스를 갖는 커패시터를 통해 접지와 연결된다. 샤워헤드는 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 5b에 도시된 것처럼, 도 4에 도시된 플라즈마 밀도에 비해 기판의 에지 부근의 플라즈마 밀도가 감소된다. 커패시터는 샤워헤드를 향해 플라즈마를 밀어내는 기능을 한다.
예 3
[0044] 도 6a는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 10 nH의 인덕턴스를 갖는 인덕터 및 0.36 nF의 커패시턴스를 갖는 커패시터를 통해 접지와 연결된다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 6a에 도시된 것처럼, 도 4에 도시된 플라즈마 밀도에 비해 기판의 에지 부근의 플라즈마 밀도가 감소된다. 커패시터 및 인덕터는 함께 샤워헤드를 향해 플라즈마를 끌어당기는 기능을 한다.
예 4
[0045] 도 6b는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 챔버 벽은 10 nH의 인덕턴스를 갖는 인덕터 및 0.36 nF의 커패시턴스를 갖는 커패시터를 통해 접지와 연결된다. 샤워헤드는 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 6b에 도시된 것처럼, 도 4에 도시된 플라즈마 밀도에 비해 기판의 에지 부근의 플라즈마 밀도가 증가된다. 커패시터 및 인덕터는 함께 샤워헤드를 향해 플라즈마를 끌어당기는 기능을 한다.
비교예 2
[0046] 도 7a는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 내부 구역 및 외부 구역 모두 접지와 직접 연결된다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 7a에 도시된 것처럼, 기판 에지 부근의 플라즈마 밀도는 도 4에 도시된 플라즈마 밀도와 실질적으로 같다.
예 5
[0047] 도 7b는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 내부 구역 및 외부 구역 모두 인덕터 및 커패시터를 포함하는 임피던스 회로에 연결된다. 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 7b에 도시된 것처럼, 플라즈마 밀도는 도 7a와 비교할 때 기판의 중심부를 향해 가깝게 벽으로부터는 멀게 끌어당겨진다(pulled).
예 6
[0048] 도 7c는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역은 접지에 직접 연결되는 반면 내부 구역은 임피던스 회로에 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 7c에 도시된 것처럼, 플라즈마 밀도는 도 7a 및 도 7b 모두와 비교할 때 기판의 중심부를 향해 가까워지게 벽으로부터 멀어지게 끌어당겨진다(pulled).
예 7
[0049] 도 7d는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 내부 구역은 접지에 직접 연결되는 반면 외부 구역은 임피던스 회로에 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 7d에 도시된 것처럼, 플라즈마 밀도는 도 7a, 도 7b 및 도 7c와 비교할 때 외부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다(pulled).
예 8
[0050] 도 8a는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역은 접지에 직접 연결되는 반면 내부 구역은 임피던스 회로에 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 8a에 도시된 것처럼, 플라즈마 밀도는 기판의 중심부를 향해 가까워지게 벽으로부터 멀어지게 끌어당겨진다.
예 9
[0051] 도 8b는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 내부 구역 모두는 임피던스 회로에 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 도 8a와 비교할 때, 플라즈마 밀도는 내부 구역과 외부 구역 사이에서 균일하게 분포된다.
예 10
[0052] 도 8c는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 35 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 외부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다.
예 11
[0053] 도 8d는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 40 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 도 8a와 비교할 때 외부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다.
예 12
[0054] 도 8e는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 45 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 도 8d와 비교할 때 보다 균일하게 분포된다.
예 13
[0055] 도 8f는 기판이 1kW RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 400 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 도 8d와 비교할 때 내부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다.
예 14
[0056] 도 9a는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역은 접지에 직접 연결되는 반면 외부 구역은 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 외부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다.
예 15
[0057] 도 9b는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 내부 구역과 외부 구역에서 실질적으로 균일하게 분포된다.
예 16
[0058] 도 9c는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 35 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 내부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다.
예 17
[0059] 도 8d는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 인덕터 및 커패시터를 모두 포함한다. 내부 구역에 대해, 인덕터는 40 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 인덕터는 30 nH의 인덕턴스를 가지며 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 내부 구역을 향해 가까워지게 끌어당겨진다.
예 18
[0060] 도 10a는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 커패시터만을 포함한다. 내부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 외부 구역을 향해 가깝까어지게 밀어진다.
예 19
[0061] 도 10b는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 커패시터만을 포함한다. 내부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 외부 구역을 향해 가까워지게 밀어진다.
예 20
[0062] 도 10c는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 커패시터만을 포함한다. 내부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 내부 구역을 향해 가깝까워지게 밀어진다.
예 21
[0063] 도 10d는 기판이 RF 전류로 바이어스되는 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 분포를 도시한다. 샤워헤드는 내부 구역 및 내부 구역을 둘러싸는 외부 구역을 모두 포함한다. 외부 구역 및 내부 구역 모두는 임피던스 회로와 연결된다. 임피던스 회로는 커패시터만을 포함한다. 내부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 외부 구역에 대해, 커패시터는 0.1nF의 커패시턴스를 갖는다. 챔버 벽은 접지와 직접 연결된다. 기판으로부터 수 센티미터를 두고 샤워헤드가 이격된다. 플라즈마는 약 100mTorr 압력의 아르곤 플라즈마이다. 플라즈마 밀도는 내부 구역을 향해 가까워지게 밀어진다.
[0064] 임피던스 회로는 플라즈마 균일성을 제어하도록 미리선택될 수 있다. 예를 들어, 인덕터가 제공되면, 프로세싱 이전에 인덕턴스가 미리선택될 수 있다. 프로세싱 동안, 프로세스에 대한 요구조건들을 충족시키도록 인덕턴스가 변경될 수 있다. 인덕턴스 변경은 프로세싱 동안 임의의 시간에 이루어질 수 있다. 유사하게, 제공될 경우, 플라즈마 균일성을 제어하기 위해 커패시터의 컨덕턴스가 미리선택될 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스는 프로세스 이전에 미리선택될 수 있다. 프로세싱 동안, 프로세스에 대한 요구조건들을 충족시키도록 커패시턴스가 변경될 수 있다. 커패시턴스 변경은 프로세싱 동안 임의의 시간에 이루어질 수 있다.
[0065] 챔버 벽 및/또는 샤워헤드 및/또는 캐소드 캔(제공될 경우)와 연결된 임피던스 회로들을 선택적으로 이용함으로써, 사용자의 요구조건들을 충족시키도록 플라즈마 균일성이 제어될 수 있다. 부가적으로, 적어도 2개의 개별 구역들로의 샤워헤드 분할은 플라즈마 균일성에 대한 추가 레벨의 제어를 제공할 수 있다. 플라즈마 균일성을 제어함으로써, 원치않는 오버 에칭 또는 언더 에칭을 감소시키면서 에칭 프로세스를 수행할 수 있다.
[0066] 지금까지는 본 발명의 실시예들에 관하 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 본 발명의 기본 사상을 이탈하지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범주는 하기 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 플라즈마 프로세싱 장치로서,
    챔버 바디;
    상기 챔버 바디내에 배치된 기판 지지체;
    상기 기판 지지체와 마주하게 상기 챔버 바디내에 배치되는 샤워헤드;
    상기 기판 지지체와 연결되는 전원장치(power supply); 및
    커패시터, 인덕터, 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 아이템 ― 상기 적어도 하나의 아이템은 상기 챔버 바디, 상기 샤워헤드, 및 상기 기판 지지체 중 적어도 2개와 연결됨―
    을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 아이템은 상기 샤워헤드 및 상기 챔버 바디와 연결되는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 샤워헤드는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 전기적으로 절연되는 제 2 영역을 포함하며, 상기 적어도 하나의 아이템은 상기 제 1 영역에 연결되며 상기 제 2 영역은 커패시터, 인덕터 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 아이템과 연결되는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 아이템은 상기 챔버 바디 및 상기 기판 지지체와 연결되며 상기 적어도 하나의 아이템은 상기 샤워헤드와 연결되는 커패시터 및 인덕터를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 바디 및 상기 샤워헤드 중 적어도 하나는 부유 전위(floating potential)에 있는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  6. 플라즈마 프로세싱 장치로서,
    챔버 바디;
    상기 챔버 바디내에 배치된 기판 지지체;
    상기 기판 지지체와 마주하게 상기 챔버 바디내에 배치되는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드와 연결되는 전원장치(power supply);
    상기 챔버 바디내에 배치되는 캐소드 캔(cathode can) ― 상기 캐소드 캔은 실질적으로 상기 기판 지지체를 둘러쌈 ―; 및
    커패시터, 인덕터, 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 아이템 ― 상기 적어도 하나의 아이템은 상기 챔버 바디, 상기 캐소드 캔, 상기 샤워헤드, 및 상기 기판 지지체 중 적어도 2개와 연결됨―
    을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 아이템은 상기 챔버 바디 및 상기 캐소드 캔에 연결되며 상기 적어도 하나의 아이템은 커패시터 및 인덕터를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 아이템은 상기 캐소드 캔 및 상기 샤워헤드와 연결되며 상기 적어도 하나의 아이템은 커패시터 및 인덕터를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  9. 에칭 장치로서,
    챔버 바디;
    상기 챔버 바디 내에 배치된 기판 지지체;
    상기 기판 지지체를 마주하게 상기 챔버 바디내에 배치된 샤워헤드;
    상기 기판 지지체와 연결된 전원장치;
    상기 샤워헤드와 연결된 제 1 커패시터;
    상기 샤워헤드와 연결된 제 1 인덕터;
    상기 챔버 바디와 연결된 제 2 커패시터; 및
    상기 챔버 바디와 연결된 제 2 인덕터
    를 포함하는, 에칭 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 샤워헤드는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 전기적으로 절연된 제 2 영역을 포함하며, 상기 제 1 커패시터 및 상기 제 1 인덕터는 상기 제 1 영역과 연결되며, 상기 제 2 영역에는 제 3 커패시터 및 제 3 인덕터가 연결되는, 에칭 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터의 인덕턴스는 상기 제 2 인덕터의 인덕턴스 보다 큰, 에칭 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 커패시터의 커패시턴스는 상기 제 2 커패시터의 커패시턴스 보다 큰, 에칭 장치.
  13. 플라즈마 분포 제어 방법으로서,
    기판 지지체 상에서 프로세싱 챔버내에 배치된 기판에 전류를 인가하는 단계 ―상기 프로세싱 챔버는 챔버 바디 및 상기 기판을 마주하게 상기 챔버 바디 내에 배치된 샤워헤드를 포함함―; 및
    상기 플라즈마 분포를 조절하기 위해, 상기 샤워헤드, 상기 챔버 바디, 및 상기 기판 지지체 중 적어도 2개를 인덕터, 커패시터, 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택된 아이템에 연결하는 단계
    를 포함하는, 플라즈마 분포 제어 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 샤워헤드 및 상기 챔버 바디 중 하나를 접지에 직접 연결하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 분포 제어 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 플라즈마 분포 제어는 에칭 프로세스 동안 이루어지며 상기 연결하는 단계는 층을 에칭하는 동안 이루어지는, 플라즈마 분포 제어 방법.



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